JP2013220421A - ノズル及び塗布装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡単にかつ素早くメンテナンスを行うことができるノズル及び塗布装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体部NZaと当該本体部の先端に設けられる先端部NZbとを有し、金属を含む液状体を前記先端部から吐出するスリットノズルであって、前記先端部NZbは、前記本体部NZaに対して分離可能に装着されている。メンテナンス時にはノズルの先端部NZbのみ分離してメンテナンス可能。
【選択図】図5

Description

本発明は、ノズル及び塗布装置に関する。
Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Znおよびこれらの組合せなどの金属と、S、Se、Te、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたCIGS型太陽電池やCZTS型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている(例えば特許文献1〜特許文献3参照)。
CIGS型太陽電池は、光吸収層(光電変換層)として例えば上記、Cu、In、Ga、Seの4種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。また、CZTS型太陽電池は、光吸収層(光電変換層)として、例えばCu、Zn、Sn、Seの4種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。
CIGS型太陽電池やCZTS型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた(例えば、特許文献2〜特許文献5参照)。
特開平11−340482号公報 特開2005−51224号公報 特表2009−537997号公報 特開平1−231313号公報 特開平11−273783号公報
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布する手法を提案する。光吸収層を液状体の塗布によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。
液状体の塗布に用いられるスリットノズルなどのメンテナンスを行う際に、液状体が塗布されるノズル先端部分に不具合がある場合、ノズル全体を交換する必要があったため、手間がかかっていた。
以上のような事情に鑑み、本発明は、簡単にかつ素早くメンテナンスを行うことができるノズル及び塗布装置を提供することを目的とする。
本発明の第一の態様に係るノズルは、本体部と当該本体部の先端に設けられる先端部とを有し、金属を含む液状体を前記先端部の吐出口から吐出するノズルであって、前記先端部は、前記本体部に対して分離可能に装着されている。
この構成によれば、本体部と当該本体部の先端に設けられる先端部とを有し、金属を含む液状体を先端部の吐出口から吐出するノズルであって、先端部が本体部に対して分離可能に装着されているので、ノズルの先端部のみを分離してメンテナンスを行うことができる。これにより、ノズル全体を取り扱う場合よりも、簡単にかつ素早くメンテナンスを行うことができる。
上記のノズルにおいて、前記本体部は、前記先端部を前記本体部に固定する固定部を有する。
この構成によれば、本体部が先端部を前記本体部に固定する固定部を有するので、本体部と先端部との間の装着状態を良好に維持することができる。
上記のノズルにおいて、前記固定部は、前記先端部と前記本体部との位置を決める位置決め部を有する。
この構成によれば、位置決め部によって先端部と本体部との位置を決めることができるので、本体部と先端部との間の装着状態を良好に維持することができる。
上記のノズルにおいて、前記本体部は、前記吐出口に前記液状体を供給する供給部を有する。
この構成によれば、吐出口に液状体を供給する供給部が本体部に設けられるため、先端部に供給部を設ける必要が無い。これにより、先端部の構成をより簡略化することができる。
上記のノズルにおいて、前記吐出口は、スリット状に形成されている。
この構成によれば、先端部がスリット状に形成された吐出口を有するので、液状体を広い範囲に亘って吐出することができる。また、液状体の吐出対象物とノズルとを相対的に移動させることで、液状体を面状に塗布することができる。
上記のノズルにおいて、前記先端部は、前記液状体の吐出対象物に対向させた状態で前記吐出対象物との間で少なくとも第一方向に相対移動可能に設けられ、前記先端部は、前記第一方向に隙間を空けて配置された第一先端部材及び第二先端部材を有し、前記隙間は、前記吐出口として用いられる。
この構成によれば、先端部が液状体の吐出対象物に対向させた状態で当該吐出対象物との間で少なくとも第一方向に相対移動可能に設けられ、先端部が第一方向に隙間を空けて配置された第一先端部材及び第二先端部材を有し、当該隙間が吐出口として用いられるので、第一先端部材及び第二先端部材のそれぞれに対して個別にメンテナンスを行うことができる。
上記のノズルにおいて、前記先端部は、前記第一先端部材及び前記第二先端部材についての前記第一方向における位置を調整する調整部を有する。
この構成によれば、先端部が第一先端部材及び第二先端部材についての第一方向における位置を調整する調整部を有するので、液状体の吐出量を所望の値に調整することができる。
上記のノズルにおいて、前記調整部は、前記隙間に配置され前記第一先端部材及び前記第二先端部材の距離を維持するスペーサ部材である。
この構成によれば、調整部が上記隙間に配置され第一先端部材及び第二先端部材の距離を維持するスペーサ部材であるため、吐出口の形状及び寸法を一定に保持することができる。これにより、安定した吐出特性を得ることができる。
本発明の第二の態様に係る塗布装置は、本体部と当該本体部の先端に設けられる先端部とを有し、金属を含む液状体を前記先端部の吐出口から吐出するノズルが設けられた塗布部と、前記先端部と基板とを対向させた状態で前記基板と前記ノズルとを相対移動させる相対駆動部とを備え、前記先端部は、前記本体部に対して分離可能に装着されている。
この構成によれば、本体部と当該本体部の先端に設けられる先端部とを有し、金属を含む液状体を先端部の吐出口から吐出するノズルが設けられた塗布部と、先端部と基板とを対向させた状態で基板とノズルとを相対移動させる相対駆動部とを備え、先端部が本体部に対して分離可能に装着されているので、ノズルの先端部のみを分離してメンテナンスを行うことができる。これにより、ノズル全体を取り扱う場合よりも、簡単にかつ素早くメンテナンスを行うことができる。
上記の塗布装置において、前記本体部は、前記先端部を前記本体部に固定する固定部を有する。
この構成によれば、本体部が先端部を前記本体部に固定する固定部を有するので、本体部と先端部との間の装着状態を良好に維持することができる。
上記の塗布装置において、前記固定部は、前記先端部と前記本体部との位置を決める位置決め部を有する。
この構成によれば、位置決め部によって先端部と本体部との位置を決めることができるので、本体部と先端部との間の装着状態を良好に維持することができる。
上記の塗布装置において、前記本体部は、前記吐出口に前記液状体を供給する供給部を有する。
この構成によれば、吐出口に液状体を供給する供給部が本体部に設けられるため、先端部に供給部を設ける必要が無い。これにより、先端部の構成をより簡略化することができる。
上記の塗布装置において、前記吐出口は、スリット状に形成されている。
この構成によれば、先端部がスリット状に形成された吐出口を有するので、液状体を広い範囲に亘って吐出することができる。また、液状体の吐出対象物である基板とノズルとを相対的に移動させることで、液状体を面状に塗布することができる。
上記の塗布装置において、前記先端部は、前記基板と前記ノズルとが相対移動する第一方向に隙間を空けて配置された第一先端部材及び第二先端部材を有し、前記隙間は、前記吐出口として用いられる。
この構成によれば、先端部が基板とノズルとが相対移動する第一方向に隙間を空けて配置された第一先端部材及び第二先端部材を有し、当該隙間が吐出口として用いられるので、第一先端部材及び第二先端部材のそれぞれに対して個別にメンテナンスを行うことができる。
上記の塗布装置において、前記先端部は、前記第一先端部材及び前記第二先端部材についての前記第一方向における位置を調整する調整部を有する。
この構成によれば、先端部が第一先端部材及び第二先端部材についての第一方向における位置を調整する調整部を有するので、液状体の吐出量を所望の値に調整することができる。
上記の塗布装置において、前記調整部は、前記隙間に配置され前記第一先端部材及び前記第二先端部材の距離を維持するスペーサ部材である。
この構成によれば、調整部が上記隙間に配置され第一先端部材及び第二先端部材の距離を維持するスペーサ部材であるため、吐出口の形状及び寸法を一定に保持することができる。これにより、安定した吐出特性を得ることができる。
本発明によれば、簡単にかつ素早くメンテナンスを行うことができるノズル及び塗布装置を提供することができる。
本発明の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す図である。 本実施形態に係るノズルの構成を示す図である。 本実施形態に係るノズルの構成を示す図である。 本実施形態に係る塗布部の一部の構成を示す図である。 本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す図である。 本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図である。 本実施形態に係るノズルのメンテナンスの様子を示す図である。 本実施形態に係るノズルのメンテナンスの様子を示す図である。 本発明の変形例に係るノズルの構成を示す図である。 本発明の変形例に係るノズルの構成を示す図である。 本発明の変形例に係るノズルの構成を示す図である。 本発明の変形例に係るノズルの構成を示す図である。 本発明の変形例に係るノズルの構成を示す図である。 本発明の変形例に係るノズルの構成を示す図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本実施形態に係る塗布装置CTRの構成を示す概略図である。
図1に示すように、塗布装置CTRは、基板Sに液状体を塗布する装置である。塗布装置CTRは、基板供給回収部LU、第一チャンバーCB1、第二チャンバーCB2、接続部CN及び制御部CONTを有している。第一チャンバーCB1は、塗布部CTを有している。第二チャンバーCB2は、焼成部BKを有している。接続部CNは、減圧乾燥部VDを有している。
塗布装置CTRは、例えば工場などの床面FLに載置されて用いられる。塗布装置CTRは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置CTRは、基板供給回収部LU、塗布部CT、減圧乾燥部VD及び焼成部BKがこの順で一方向に並んで配置されている。
なお、装置構成について、塗布装置CTRは、基板供給回収部LU、塗布部CT、減圧乾燥部VD及び焼成部BKがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部LUが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わないし、減圧乾燥部VDが省略されても構わない。勿論、一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。
以下の各図において、本実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該XYZ座標系においては、床面に平行な平面をXY平面とする。このXY平面において塗布装置CTRの各構成要素(基板供給回収部LU、塗布部CT、減圧乾燥部VD及び焼成部BK)が並べられた方向をX方向と表記し、XY平面上でX方向に直交する方向をY方向と表記する。XY平面に垂直な方向はZ方向と表記する。X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
本実施形態では、基板Sとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板S上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Sとして、Z方向視における寸法が330mm×330mmの基板を例に挙げて説明する。なお、基板Sの寸法については、上記のような330mm×330mmの基板に限られることは無い。例えば、基板Sとして、寸法が125mm×125mmの基板を用いても構わないし、寸法が1m×1mの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。
本実施形態では、基板Sに塗布する液状体として、例えばヒドラジンなどの溶媒に、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、セレン(Se)または銅(Cu)、亜鉛(Zn)、スズ(Sn)、セレン(Se)といった易酸化性の金属材料を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、CIGSまたはCZTS型太陽電池の光吸収層(光電変換層)を構成する金属材料を含んでいる。
本実施形態では、この液状組成物は、CIGSまたはCZTS太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の金属、たとえば金属ナノ粒子を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。
(基板供給回収部)
基板供給回収部LUは、塗布部CTに対して未処理の基板Sを供給すると共に、塗布部CTからの処理済の基板Sを回収する。基板供給回収部LUは、チャンバー10を有している。チャンバー10は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー10の内部には、基板Sを収容可能な収容室10aが形成されている。チャンバー10は、第一開口部11、第二開口部12及び蓋部14を有している。第一開口部11及び第二開口部12は、収容室10aとチャンバー10の外部とを連通する。
第一開口部11は、チャンバー10の+Z側の面に形成されている。第一開口部11は、Z方向視で基板Sの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー10の外部に取り出される基板Sや、収容室10aへ収容される基板Sは、第一開口部11を介して基板供給回収部LUに出し入れされる。
第二開口部12は、チャンバー10の+X側の面に形成されている。第二開口部12は、X方向視で基板Sの寸法よりも大きく形成されている。塗布部CTへ供給される基板Sや塗布部CTから戻される基板Sは、第二開口部12を介して基板供給回収部LUに出し入れされる。
蓋部14は、第一開口部11を開放又は閉塞させる。蓋部14は、矩形の板状に形成されている。蓋部14は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部11の+X側の辺に取り付けられている。このため、蓋部14は、第一開口部11の+X側の辺を中心としてY軸周りに回動する。第一開口部11は、蓋部14をY軸周りに回動させることで開閉可能となっている。
収容室10aには、基板搬送部15が設けられている。基板搬送部15は、複数のローラー17を有している。ローラー17は、Y方向に一対配置されており、当該一対のローラー17がX方向に複数並んでいる。
各ローラー17は、Y軸方向を中心軸方向としてY軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー17は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー17の+Z側の端部はXY平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー17は、基板SがXY平面に平行な姿勢になるように当該基板Sを支持可能である。
各ローラー17は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部15は、複数のローラー17が基板Sを支持した状態で各ローラー17をY軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板SをX方向(+X方向又は−X方向)に搬送する。基板搬送部15としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
(第一チャンバー)
第一チャンバーCB1は、床面FLに載置された基台BC上に配置されている。第一チャンバーCB1は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーCB1の内部には、処理室20aが形成されている。塗布部CTは、処理室20aに設けられている。塗布部CTは、基板Sに対して液状体の塗布処理を行う。
第一チャンバーCB1は、第一開口部21及び第二開口部22を有している。第一開口部21及び第二開口部22は、処理室20aと第一チャンバーCB1の外部とを連通する。第一開口部21は、第一チャンバーCB1の−X側の面に形成されている。第二開口部22は、第一チャンバーCB1の+X側の面に形成されている。第一開口部21及び第二開口部22は、基板Sが通過可能な寸法に形成されている。基板Sは、第一開口部21及び第二開口部22を介して第一チャンバーCB1に出し入れされる。
塗布部CTは、吐出部31、メンテナンス部32、液状体供給部33、洗浄液供給部34、廃液貯留部35、気体供給排出部37及び基板搬送部25を有する。
吐出部31は、ノズルNZ、処理ステージ28及びノズル駆動部NAを有している。
図3ノズルNZの構成を示す図である。
図3に示すように、ノズルNZは、長尺状に形成されており、長手方向がX方向に平行になるように配置されている。ノズルNZは、本体部NZa及び先端部NZbを有している。
本体部NZaは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部NZaは、例えばステンレスなどの金属材料を用いて形成されている。本体部NZaには、突出部90cが設けられている。突出部90cは、本体部NZaに対して+X側及び−X側にそれぞれ突出して形成されている。突出部90cは、ノズル駆動部NAの一部に保持される。本体部NZaは、配管などを介して液状体供給部33に接続されている。
先端部NZbは、本体部NZaの−Z側の先端に設けられている。先端部NZbは、液状体が吐出される部分である。先端部NZbは、本体部NZaに対して分離可能に装着されている。このため、ノズルNZのうち先端部NZbのみを分離してメンテナンスを行うことが可能となっている。先端部NZbは、例えばチタン、チタン合金、SUS、樹脂、超硬合金などを含んだ材料を用いて形成されている。ノズルNZの全体をこれらの材料で形成する必要が無いため、先端部NZbのメンテナンスの軽減化を図ることができる。また、上記材料を先端部NZbに対してのみ用いればよいため、ノズル全体を上記材料で形成した場合に比べて、低コスト化を図ることができる。
図4は、−Z側からノズルNZを見たときの構成を示している。また、図5は、ノズルNZ及びノズル先端管理部45の断面形状を示す図である。
図4及び図5に示すように、ノズルNZは、先端部NZbの−Z側の端面(先端TP)に吐出口OPを有している。吐出口OPは、液状体が吐出される開口部である。吐出口OPは、X方向に長手となるようにスリット状に形成されている。
ノズルNZは、例えば上記のCu、In、Ga、Seの4種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルNZは、接続配管(不図示)などを介して、それぞれ液状体供給部33に接続されている。ノズルNZは、内部に液状体を保持する保持部を有している。なお、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。
図5に示すように、本体部NZaは、−Z側に端面90aを有している。端面90aは、平坦な平面として形成されている。端面90aは、先端部NZb側に向けられている。先端部NZbは、第一先端部材91及び第二先端部材92を有している。第一先端部材91及び第二先端部材92は、本体部NZaに対して個別に着脱可能である。このため、第一先端部材91及び第二先端部材92のそれぞれに対して個別にメンテナンスを行うことが可能となっている。第一先端部材91及び第二先端部材92は、本体部NZaに対して密着するように装着されている。
以下、図5に示すように第一先端部材91及び第二先端部材92が本体部NZaに取り付けられた状態における構成を説明する。
第一先端部材91は、+Z側に形成された面(上面)91aと、+Y側に形成された面(側面)91cと、−Y側に形成された斜面91dと、斜面91dに形成された切り欠き部91bとを有している。
第一先端部材91の上面91aは平坦な平面として形成され、本体部NZaの端面90aに接触している。凹部91bには、固定ピン93が取り付けられている。固定ピン93は、第一先端部材91を+Z方向に貫通すると共に本体部NZaの一部に挿入されている。
第二先端部材92は、第一先端部材91との間でY方向に隙間を空けて配置されている。当該隙間は、液状体の流路となっている。第二先端部材92は、+Z側に形成された面(上面)92aと、−Y側に形成された面(側面)92cと、+Y側に形成された斜面92dとを有している。
第二先端部材92の上面92aは平坦な平面として形成され、本体部NZaの端面90aに接触している。凹部92bには、固定ピン94が取り付けられている。固定ピン94は、第一先端部材91を+Z方向に貫通すると共に本体部NZaの一部に挿入されている。
第一先端部材91は、固定ピン93によって本体部NZaとの間で位置決めされた状態で本体部NZaに固定される。同様に、第二先端部材92は、固定ピン94によって本体部NZaとの間で位置決めされた状態で本体部NZaに固定される。
このように、固定ピン93及び固定ピン94は、本体部NZaと先端部NZbとを固定する固定部95を構成していると共に、本体部NZaと先端部NZbとの間の位置決めを行う位置決め部を構成している。このように、固定部95(固定ピン93及び固定ピン94)により、本体部NZaと先端部NZbとの間の装着状態が良好に維持されている。
第二先端部材92の側面92cは、第一先端部材91の側面91cに対向して配置されている。側面91c及び側面92cは、平行に配置されている。側面91cと側面92cとで形成される隙間は、上記吐出口OPとなっている。液状体供給部33は、側面91cと側面92cとで形成される隙間に液状体を供給するように本体部NZaに接続されている。
図1及び図2に戻って、処理ステージ28は、塗布処理の対象となる基板Sを載置する。処理ステージ28の+Z側の面は、基板Sを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、XY平面に平行に形成されている。処理ステージ28は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。
ノズル駆動部NAは、ノズルNZをX方向に移動させる。ノズル駆動部NAは、リニアモータ機構を構成する固定子40及び可動子41を有している。なお、ノズル駆動部NAとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。固定子40は、Y方向に延在されている。固定子40は、支持フレーム38に支持されている。支持フレーム38は、第一フレーム38a及び第二フレーム38bを有している。第一フレーム38aは、処理室20aの−Y側端部に配置されている。第二フレーム38bは、処理室20aのうち第一フレーム38aとの間で処理ステージ28を挟む位置に配置されている。
可動子41は、固定子40の延在方向(Y方向)に沿って移動可能である。可動子41は、ノズル支持部材42及び昇降部43を有する。ノズル支持部材42は、門型に形成されており、ノズルNZの突出部90cを保持する保持部42aを有している。ノズル支持部材42は、昇降部43と共に固定子40に沿って第一フレーム38aと第二フレーム38bとの間をY方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材42に保持されるノズルNZは、処理ステージ28をY方向に跨いで移動する。ノズル支持部材42は、昇降部43の昇降ガイド43aに沿ってZ方向に移動する。可動子41は、ノズル支持部材42をY方向及びZ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。
メンテナンス部32は、ノズルNZのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部32は、ノズル待機部44及びノズル先端管理部45を有している。
ノズル待機部44は、ノズルNZの先端TPが乾燥しないように当該先端TPをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルNZを交換する場合やノズルNZに供給する液状体を交換する場合にノズルNZ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。
ノズル先端管理部45は、ノズルNZの先端TP及びその近傍を洗浄したり、ノズルNZの吐出口OPから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部45は、ノズルNZの先端TPを払拭する払拭部45aと、当該払拭部45aを案内するガイドレール45bと、を有している。ノズル先端管理部45には、ノズルNZから排出された液状体や、ノズルNZの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部35aが設けられている。また、払拭部45aは、断面視においてノズルNZの先端TP及び先端TP側の斜面の一部を覆う形状に形成されている(図5参照)。
ガイドレール45bは、ノズルNZの吐出口OPをカバーするようにX方向に延びている。払拭部45aは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール45bに沿ってX方向に移動可能に設けられている。払拭部45aがノズルNZの先端TPに接触した状態でX方向に移動することで、先端TPが払拭されることになる。
液状体供給部33は、第一液状体収容部33a及び第二液状体収容部33bを有している。第一液状体収容部33a及び第二液状体収容部33bには、基板Sに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部33a及び第二液状体収容部33bは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。
洗浄液供給部34は、塗布部CTの各部、具体的にはノズルNZの内部やノズル先端管理部45などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部34は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルNZの内部やノズル先端管理部45などに接続されている。
廃液貯留部35は、ノズルNZから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。なお、ノズル先端管理部45のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルNZの先端TPを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部44において予備吐出を行う構成であっても構わない。
気体供給排出部37は、気体供給部37a及び排気部37bを有している。気体供給部37aは、処理室20aに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部37bは、処理室20aを吸引し、処理室20aの気体を第一チャンバーCB1の外部に排出する。
基板搬送部25は、処理室20aにおいて基板Sを搬送する。基板搬送部25は、複数のローラー27を有している。ローラー27は、処理室20aのY方向の中央部をX方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー27は、それぞれ基板Sの+Y側端辺及び−Y側端辺を支持する。
基板Sを支持した状態で各ローラー27をY軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー27によって支持される基板SがX方向(+X方向又は−X方向)に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
(接続部)
接続部CNは、第一チャンバーCB1と第二チャンバーCB2とを接続する。基板Sは、接続部CNを経由して、第一チャンバーCB1と第二チャンバーCB2との間を移動するようになっている。接続部CNは、第三チャンバーCB3を有している。第三チャンバーCB3は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーCB3の内部には、処理室50aが形成されている。本実施形態では、処理室50aには、減圧乾燥部VDが設けられている。減圧乾燥部VDは、基板S上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーCB3には、ゲートバルブV2及びV3が設けられている。
第三チャンバーCB3は、第一開口部51及び第二開口部52を有している。第一開口部51及び第二開口部52は、処理室50aと第三チャンバーCB3の外部とを連通する。第一開口部51は、第三チャンバーCB3の−X側の面に形成されている。第二開口部52は、第三チャンバーCB3の+X側の面に形成されている。第一開口部51及び第二開口部52は、基板Sが通過可能な寸法に形成されている。基板Sは、第一開口部51及び第二開口部52を介して第三チャンバーCB3に出し入れされる。
減圧乾燥部VDは、基板搬送部55及び気体供給部58、排気部59及び加熱部53を有している。
基板搬送部55は、複数のローラー57を有している。ローラー57は、Y方向に一対配置されており、当該一対のローラー57がX方向に複数並んでいる。複数のローラー57は、第一開口部21を介して処理室50aに配置された基板Sを支持する。
基板Sを支持した状態で各ローラー57をY軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー57によって支持される基板SがX方向(+X方向又は−X方向)に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
図6は、減圧乾燥部VDの構成を示す模式図である。
図6に示すように、気体供給部58は、処理室50aに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部58は、第一供給部58a及び第二供給部58bを有している。第一供給部58a及び第二供給部58bは、ガスボンベやガス管などのガス供給源58cに接続されている。処理室50aへのガスの供給は主として第一供給部58aを用いて行われる。第二供給部58bは、第一供給部58aによる気体の供給量を微調整する。
排気部59は、処理室50aを吸引し当該処理室50aの気体を第三チャンバーCB3の外部に排出して、処理室50aを減圧させる。処理室50aを減圧させることにより、基板Sの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部59は、第一吸引部59a及び第二吸引部59bを有している。第一吸引部59a及び第二吸引部59bは、ポンプなどの吸引源59c及び59dに接続されている。処理室50aからの吸引は主として第一吸引部59aを用いて行われる。第二吸引部59bは、第一吸引部59aによる吸引量を微調整する。
加熱部53は、処理室50aに配置された基板S上の液状体を加熱する。加熱部53としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部53の温度は、例えば室温〜100℃程度に調整可能である。加熱部53を用いることにより、基板S上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。
加熱部53は、昇降機構(移動部)53aに接続されている。昇降機構53aは、加熱部53をZ方向に移動させる。昇降機構53aとしては、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などが用いられている。昇降機構53aにより加熱部53をZ方向に移動させることにより、加熱部53と基板Sとの間の距離を調整できるようになっている。昇降機構53aによる加熱部53の移動量や移動のタイミングなどは、制御部CONTによって制御されるようになっている。
(第二チャンバー)
第二チャンバーCB2は、床面FLに載置された基台BB上に配置されている。第二チャンバーCB2は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーCB2の内部には、処理室60aが形成されている。焼成部BKは、処理室60aに設けられている。焼成部BKは、基板S上に塗布された塗布膜を焼成する。
第二チャンバーCB2は、開口部61を有している。開口部61は、処理室60aと第二チャンバーCB2の外部とを連通する。開口部61は、第二チャンバーCB2の−X側の面に形成されている。開口部61は、基板Sが通過可能な寸法に形成されている。基板Sは、開口部61を介して第二チャンバーCB2に出し入れされる。
焼成部BKは、基板搬送部65及び気体供給部68、排気部69及び加熱部70を有している。
基板搬送部65は、複数のローラー67と、アーム部71とを有している。ローラー67は、基板案内ステージ66をY方向に挟んで一対配置されており、当該一対のローラー67がX方向に複数並んでいる。複数のローラー67は、開口部61を介して処理室60aに配置された基板Sを支持する。
基板Sを支持した状態で各ローラー67をY軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー67によって支持される基板SがX方向(+X方向又は−X方向)に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
アーム部71は、架台74上に配置されており、複数のローラー67と加熱部70との間で基板Sの受け渡しを行う。アーム部71は、搬送アーム72及びアーム駆動部73を有している。搬送アーム72は、基板支持部72a及び移動部72bを有している。基板支持部72aは、基板Sの+Y側及び−Y側の辺を支持する。移動部72bは、基板支持部72aに連結されており、X方向に移動可能であり、かつθZ方向に回動可能である。
アーム駆動部73は、移動部72bをX方向又はθZ方向に駆動する。アーム駆動部73によって移動部72bを+X方向に移動させた場合には、基板支持部72aが加熱部70内に挿入されると共に、基板Sが加熱部70のZ方向視中央部に配置されるようになっている。
図7は、加熱部70の構成を示す断面図である。
図7に示すように、加熱部70は、架台74上に配置されており、第一収容部81、第二収容部82、第一加熱板83、第二加熱板84、リフト部85、封止部86、気体供給部87及び排気部88を有している。
第一収容部81は、Z方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が+Z側を向くように第二チャンバーCB2の底部に載置されている。第二収容部82は、Z方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が第一収容部81に対向するように配置されている。第二収容部82は、不図示の昇降機構を用いてZ方向に移動可能である。第二収容部82の縁部82aを第一収容部81の縁部81aに重ねることにより、当該第一収容部81及び第二収容部82の内部が密閉される。
第一加熱板83は、第一収容部81に収容されている。第一加熱板83は、基板Sを載置させた状態で当該基板Sを加熱する。第一加熱板83は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第一加熱板83の温度は、例えば200℃〜800℃程度に調整可能である。第一加熱板83には複数の貫通孔83aが形成されている。貫通孔83aは、リフト部85の一部を貫通させる。
第二加熱板84は、第二収容部82に収容されている。第二加熱板84は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第二加熱板84の温度は、例えば200℃〜800℃程度に調整可能である。第二加熱板84は、不図示の昇降機構によって第二収容部82とは別個にZ方向への移動が可能に設けられている。第二加熱板84をZ方向へ移動させることにより、第二加熱板84と基板Sとの隙間を調整できるようになっている。
リフト部85は、アーム部71と第一加熱板83との間で基板Sを移動させる。リフト部85は、複数の支持ピン85aと、当該支持ピン85aを保持してZ方向に移動可能な移動部85bとを有している。図示を判別しやすくするため、図7では支持ピン85aが2つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば16個(図7参照)配置させることができる。第一加熱板83に設けられる複数の貫通孔83aは、Z方向視で複数の支持ピン85aに対応する位置に配置されている。
封止部86は、第一収容部81の縁部81aに形成されている。封止部86としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたOリングを用いることができる。封止部86は、第二収容部82の縁部82aが第一収容部81の縁部81aに重ねられた状態で、当該第一収容部81と第二収容部82との間を封止する。このため、第一収容部81及び第二収容部82の内部を密閉することができる。
気体供給部87は、処理室60aに窒素ガスなどを供給する。気体供給部87は、第二チャンバーCB2の+Z側の面に接続されている。気体供給部87は、ガスボンベやガス管などの気体供給源87aと、当該気体供給源87aと第二チャンバーCB2とを接続する接続管87bとを有している。
排気部88は、処理室60aを吸引し、処理室60aの気体を第二チャンバーCB2の外部に排出する。排気部88は、第二チャンバーCB2の−Z側の面に接続されている。排気部88は、ポンプなどの吸引源88aと、当該吸引源88aと第二チャンバーCB2とを接続する接続管88bとを有している。
また、本実施形態では、溶媒濃度センサSR3及びSR4が設けられている。溶媒濃度センサSR3及びSR4は、上記の溶媒濃度センサSR1及びSR2と同様に、周囲の雰囲気中における液状体の溶媒(本実施形態ではヒドラジン)の濃度を検出し、検出結果を制御部CONTに送信する。溶媒濃度センサSR3は、処理室60aのうち架台74上の加熱部70の+Y側に配置されている。溶媒濃度センサSR3は、加熱部70から外れた位置に配置されている。溶媒濃度センサSR4は第二チャンバーCB2の外部に配置されている。本実施形態では、空気よりも比重が大きいヒドラジンの濃度を検出するため、溶媒濃度センサSR3及びSR4は、上記溶媒濃度センサSR1及びSR4と同様に、それぞれ基板Sの搬送経路よりも鉛直方向の下側に配置されている。また、第二チャンバーCB2の外部にも溶媒濃度センサSR4を配置することにより、第二チャンバーCB2からのヒドラジンの漏出があった場合にも検出可能である。
(基板搬送経路)
基板供給回収部LUの第二開口部12、塗布部CTの第一開口部21並びに第二開口部22、減圧乾燥部VDの第一開口部51並びに第二開口部52、焼成部BKの開口部61は、X方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Sは、X方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部LUから焼成部BKの加熱部70に収容されるまでの経路においては、Z方向の位置が保持されている。このため、基板Sによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
(アンチチャンバー)
図1に示すように、第一チャンバーCB1には、アンチチャンバーAL1〜AL3が接続されている。
アンチチャンバーAL1〜AL3は、第一チャンバーCB1の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーAL1〜AL3は、それぞれ処理室20aの構成要素を第一チャンバーCB1の外部へ取り出したり、第一チャンバーCB1の外部から処理室20aに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
アンチチャンバーAL1は、吐出部31に接続されている。吐出部31に設けられるノズルNZは、アンチチャンバーAL1を介して処理室20aへの出し入れが可能となっている。アンチチャンバーAL2は、液状体供給部33に接続されている。液状体供給部33は、アンチチャンバーAL2を介して処理室20aへの出し入れが可能となっている。
アンチチャンバーAL3は、液状体調合部36に接続されている。液状体調合部36では、アンチチャンバーAL3を介して液体を処理室20aに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーAL3は、基板Sが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部CTにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーAL3から未処理の基板Sを処理室20aに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板SをアンチチャンバーAL3から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーAL3から臨時に基板Sを取り出すことも可能である。
また、第二チャンバーCB2には、アンチチャンバーAL4が接続されている。
アンチチャンバーAL4は、加熱部70に接続されている。アンチチャンバーAL4は、基板Sが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱部70において基板Sの加熱を行う場合、アンチチャンバーAL4から基板Sを処理室60aに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板SをアンチチャンバーAL4から取り出すことが可能である。
(グローブ部)
図1に示すように、第一チャンバーCB1には、グローブ部GX1が接続されている。また、第二チャンバーCB2には、グローブ部GX2が接続されている。
グローブ部GX1及びGX2は、作業者が第一チャンバーCB1及び60内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部GX1及びGX2内に手を挿入することにより、第一チャンバーCB1及び60内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部GX1及びGX2は、袋状に形成されている。グローブ部GX1及びGX2は、それぞれ第一チャンバーCB1及び60の複数個所に配置されている。グローブ部GX1及びGX2内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーCB1及び60内に配置されていても構わない。
(ゲートバルブ)
基板供給回収部LUの第二開口部12と塗布部CTの第一開口部21との間には、ゲートバルブV1が設けられている。ゲートバルブV1は、不図示の駆動部によってZ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブV1をZ方向に移動させることで、基板供給回収部LUの第二開口部12と塗布部CTの第一開口部21とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部12及び第一開口部21が同時に開放されると、これら第二開口部12と第一開口部21との間で基板Sの移動が可能となる。
第一チャンバーCB1の第二開口部22と第三チャンバーCB3の第一開口部51との間には、ゲートバルブV2が設けられている。ゲートバルブV2は、不図示の駆動部によってZ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブV2をZ方向に移動させることで、第一チャンバーCB1の第二開口部22と第三チャンバーCB3の第一開口部51とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部22及び第一開口部51が同時に開放されると、これら第二開口部22と第一開口部51との間で基板Sの移動が可能となる。
第三チャンバーCB3の第二開口部52と第二チャンバーCB2の開口部61との間には、ゲートバルブV3が設けられている。ゲートバルブV3は、不図示の駆動部によってZ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブV3をZ方向に移動させることで、第三チャンバーCB3の第二開口部52と第二チャンバーCB2の開口部61とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部52及び開口部61が同時に開放されると、これら第二開口部52と開口部61との間で基板Sの移動が可能となる。
(制御装置)
制御部CONTは、塗布装置CTRを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部LU、塗布部CT、減圧乾燥部VD、焼成部BKにおける動作、ゲートバルブV1〜V3の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部CONTは、溶媒濃度センサSR1〜SR4による検出結果に基づいて、気体供給部37aの供給量を調整する。制御部CONTは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
(塗布方法)
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置CTRを用いて基板S上に塗布膜を形成する。塗布装置CTRの各部で行われる動作は、制御部CONTによって制御される。
制御部CONTは、まず、外部から基板供給回収部LUに基板Sを搬入させる。この場合、制御部CONTは、ゲートバルブV1を閉塞された状態として、蓋部14を開けて基板Sをチャンバー10の収容室10aに収容させる。基板Sが収容室10aに収容された後、制御部CONTは、蓋部14を閉じさせる。
蓋部14が閉じられた後、制御部CONTは、ゲートバルブV1を開放させ、チャンバー10の収容室10aと塗布部CTの第一チャンバーCB1の処理室20aとを連通させる。ゲートバルブV1を開放させた後、制御部CONTは、基板搬送部15を用いて基板SをX方向へ搬送する。
第一チャンバーCB1の処理室20aに基板Sの一部が挿入された後、制御部CONTは、基板搬送部25を用いて基板Sを処理室20aに完全に搬入させる。基板Sが搬入された後、制御部CONTは、ゲートバルブV1を閉塞させる。制御部CONTは、ゲートバルブV1を閉塞させた後、基板Sを処理ステージ28へと搬送する。
図8は、塗布部CTの構成を簡略化し一部の構成を省略して示す図である。以下、図9〜図12においても同様である。図8に示すように、基板Sが処理ステージ28上に載置されると、塗布部CTにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部CONTは、ゲートバルブV1及びV2が閉塞された状態とし、気体供給部37a及び排気部37bを用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる。
この動作により、処理室20aの雰囲気及び圧力が調整される。処理室20aの雰囲気及び圧力の調整後、制御部CONTは、ノズル駆動部NA(図8では不図示)を用いてノズルNZをノズル待機部44からノズル先端管理部45へと移動させる。制御部CONTは、以後塗布処理の間、処理室20aの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。
ノズルNZがノズル先端管理部45に到達した後、制御部CONTは、図9に示すように、ノズルNZに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部CONTは、吐出口OPから液状体Qを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部CONTは、図10に示すように、払拭部45aをガイドレール45bに沿ってX方向に移動させ、ノズルNZの先端TP及びその近傍の傾斜部を払拭させる。
ノズルNZの先端TPを払拭させた後、制御部CONTは、ノズルNZを処理ステージ28へ移動させる。ノズルNZの吐出口OPが基板Sの−Y側端部に到達した後、制御部CONTは、図11に示すように、ノズルNZを+Y方向に所定速度で移動させつつ、吐出口OPから基板Sへ向けて液状体Qを吐出させる。この動作により、基板S上には液状体Qの塗布膜Fが形成される。
基板Sの所定領域に液状体Qの塗布膜を形成した後、制御部CONTは、基板搬送部25を用いて基板Sを処理ステージ28から第二ステージ26Bへと+X方向に移動させる。また、制御部CONTは、ノズルNZを−Y方向へ移動させ、ノズル待機部44へと戻す。
基板Sが第一チャンバーCB1の第二開口部22に到達した後、制御部CONTは、図13に示すように、ゲートバルブV2を開放させ、基板Sを第一チャンバーCB1から第二チャンバーCB2へと搬送させる(搬送ステップ)。なお、当該搬送ステップを行う際に、基板Sは接続部CNに配置される第三チャンバーCB3を経由する。制御部CONTは、基板Sが第三チャンバーCB3を通過する際に、当該基板Sに対して減圧乾燥部VDを用いて乾燥処理を行わせる。具体的には、第三チャンバーCB3の処理室50aに基板Sが収容された後、制御部CONTは、図14に示すように、ゲートバルブV2を閉塞させる。
ゲートバルブV2を閉塞させた後、制御部CONTは、昇降機構53aを用いて加熱部53のZ方向の位置を調整させる。その後、制御部CONTは、図15に示すように、気体供給部58を用いて処理室50aの雰囲気を調整させると共に、排気部59を用いて処理室50aを減圧させる。この動作により処理室50aが減圧すると、基板Sに形成された液状体Qの塗布膜に含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜が乾燥する。なお、制御部CONTは、排気部59を用いて処理室50aを減圧する減圧動作を行わせる間に、昇降機構53aを用いて加熱部53のZ方向の位置を調整させても構わない。
また、制御部CONTは、図15に示すように、加熱部53を用いて基板S上の塗布膜Fを加熱する。この動作により、基板S上の塗布膜Fに含まれる溶媒の蒸発が促進され、減圧下での乾燥処理を短時間で行うことができる。制御部CONTは、加熱部53によって加熱動作を行う間に、昇降機構53aを用いて加熱部53のZ方向の位置を調整させても構わない。
減圧乾燥処理が行われた後、制御部CONTは、図16に示すように、ゲートバルブV3を開放させ、基板Sを接続部CNから第二チャンバーCB2へと搬送させる。基板Sが第二チャンバーCB2の処理室60aに収容された後、制御部CONTはゲートバルブV3を閉塞させる。
基板支持部72aの移動により、図17に示すように、基板Sが第一加熱板83上の中央部に配置される。その後、制御部CONTは、図18に示すように、リフト部85を+Z方向に移動させる。この動作により、基板Sは搬送アーム72の基板支持部72aから離れ、リフト部85の複数の支持ピン85aに支持される。このようにして基板Sが基板支持部72aからリフト部85へと渡される。基板Sがリフト部85の支持ピン85aによって支持された後、制御部CONTは、基板支持部72aを加熱部70の外部へ−X方向に退避させる。
基板支持部72aを退避させた後、制御部CONTは、図19に示すように、リフト部85を−Z方向に移動させると共に、第二収容部82を−Z方向に移動させる。この動作により、第二収容部82の縁部82aが第一収容部81の縁部81aに重なり、縁部82aと縁部81aとの間で封止部86が挟まれた状態となる。このため、第一収容部81、第二収容部82及び封止部86によって密閉された焼成室80が形成される。
焼成室80を形成した後、制御部CONTは、図20に示すように、リフト部85を−Z方向へ移動させて基板Sを第一加熱板83上に載置させる。基板Sが第一加熱板83上に載置された後、制御部CONTは、第二加熱板84を−Z方向に移動させ、第二加熱板84と基板Sとを近づける。制御部CONTは、適宜第二加熱板84のZ方向の位置を調整させる。
第二加熱板84のZ方向の位置を調整させた後、図21に示すように、気体供給部87を用いて焼成室80に窒素ガスや硫化水素ガスを供給すると共に、排気部88を用いて焼成室80を吸引させる。この動作により、焼成室80の雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部82から第一収容部81にかけて窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流が形成される。窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流が形成された状態で、制御部CONTは、第一加熱板83及び第二加熱板84を作動させ、基板Sの焼成動作を行わせる(加熱ステップ)。この動作により、基板Sの塗布膜Fから溶媒成分が蒸発すると共に、塗布膜Fに含まれる気泡などが除去される。また、窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流により、塗布膜Fから蒸発した溶媒成分や気泡などが押し流され、排気部88から吸引される。
また、当該焼成動作においては、塗布膜Fに含まれる金属成分のうち少なくとも一種類の成分を融点以上まで加熱し、塗布膜Fの少なくとも一部を溶解させる。例えば、塗布膜FがCZTS型の太陽電池に用いられる場合であれば、塗布膜Fを構成する成分のうち、Ti、S、Seについて融点以上まで加熱し、これらの物質を液状化させて塗布膜Fを凝集させる。その後、塗布膜Fが固形化する温度まで当該塗布膜Fを冷却する(冷却ステップ)。塗布膜Fを固形化することで、当該塗布膜Fの強度が高められることになる。
このような焼成動作が完了した後、制御部CONTは、基板Sを−X方向へ搬送させる。具体的には、加熱部70からアーム部71、基板案内ステージ66を経て焼成部BKから搬出され、減圧乾燥部VD、塗布部CTを経て基板供給回収部LUへ戻される(第二版送ステップ)。基板Sが基板供給回収部LUへ戻された後、制御部CONTは、ゲートバルブV1を閉塞させた状態で蓋部14を開放させる。その後、作業者は、チャンバー10内の基板Sを回収し、新たな基板Sをチャンバー10の収容室10aに収容させる。
なお、基板Sが基板供給回収部LUへ戻された後、基板Sに形成された塗布膜F上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部CONTは、再度基板Sを塗布部CTへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板S上に塗布膜Fが積層される。
上記の塗布動作を行う際には、所定の場合にノズルNZのメンテナンスを行う必要がある。本体部NZaと先端部NZbとが一体形成されている場合、例えば先端部NZbのみを交換すれば済む場合でも、ノズルNZ全体を交換する必要があるため、手間がかかっていた。
これに対して、本実施形態では、先端部NZbのみを交換する場合、図22に示すように、第一先端部材91及び第二先端部材92を本体部NZaから分離させる。この工程により、本体部NZaを取り外すことなく、先端部NZbのみを取り外すことができる。このとき、第一先端部材91及び第二先端部材92を個別に分離させても良い。また、例えば第一先端部材91及び第二先端部材92の一方のみを交換すれば済む場合には、当該一方のみを本体部NZaから分離させても良い。
その後、図23に示すように、本体部NZaに対して新たな先端部NZbを装着する。このとき、第一先端部材91を本体部NZaに取り付ける際には、本体部NZaに設けられた固定ピン93を第一先端部材91の凹部91bに挿入させることで、本体部NZaと第一先端部材91との間の位置合わせが行われる。同様に、第二先端部材92を本体部NZaに取り付ける際には、本体部NZaに設けられた固定ピン94を第二先端部材92の凹部92bに挿入させることで、本体部NZaと第二先端部材92との間の位置合わせが行われる。
第一先端部材91及び第二先端部材92と本体部NZaとの間の位置合わせが行われた後、不図示の固定機構によって第一先端部材91及び第二先端部材92と本体部NZaとの間を固定する。これにより、本体部NZaに対する先端部NZbの取り付けが完了する。
以上のように、本実施形態では、本体部NZaと当該本体部NZaの先端に設けられる先端部NZbとを有し、金属を含む液状体を先端部NZbから吐出するノズルNZであって、先端部NZbが本体部NZaに対して分離可能に装着されているので、ノズルNZの先端部NZbのみを分離してメンテナンスを行うことができる。これにより、ノズルNZ全体を取り扱う場合よりも、簡単にかつ素早くメンテナンスを行うことができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態においては、塗布装置CTRが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンを排出することができるため、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。
また、上記実施形態においては、第二チャンバーCB2の焼成部BKにおいて焼成動作を行わせる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図24に示すように、第二チャンバーCB2とは異なる位置に別途第四チャンバーCB4が設けられ、当該第四チャンバーCB4に設けられる加熱部HTによって基板Sを加熱する構成であっても構わない。
この場合、例えば基板Sに塗布膜Fを積層させた後、第四チャンバーCB4の加熱部HTにおいて、積層された塗布膜Fを焼成するための加熱処理(第二加熱ステップ)を行うようにすることができる。第二加熱ステップにおける加熱処理では、焼成部BKによる加熱処理よりも高い加熱温度で塗布膜Fを加熱する。この加熱処理により、積層された塗布膜Fの固形分(金属成分)を結晶化させることができるので、塗布膜Fの膜質を更に高めることができる。
なお、基板Sに塗布膜Fを積層させた後の加熱については、第二チャンバーCB2の焼成部BKにおいて行うようにしても構わない。この場合、焼成部BKでは、塗布膜Fの各層を焼成する場合の加熱温度よりも、積層させた後の塗布膜Fを焼成する場合の加熱温度の方が高くなるように制御すれば良い。
また、上記実施形態では、第三チャンバーCB3内において基板Sと加熱部53との距離を調整する昇降機構53aが加熱部53を移動させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、昇降機構53aが加熱部53のみならず、基板SをZ方向に移動可能な構成であっても構わない。また、昇降機構53aが基板SのみをZ方向に移動させる構成であっても構わない。
また、上記実施形態では、減圧乾燥部VDにおいて、基板Sの−Z側(鉛直方向下側)に加熱部53が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば加熱部53が基板Sの+Z側(鉛直方向上側)に配置された構成であっても構わない。また、昇降機構53aを用いて、基板Sの−Z側の位置と基板Sの+Z側の位置との間を移動可能な構成としても構わない。この場合、加熱部53の形状として、基板搬送部55を構成する複数のローラー57を通過可能な構成(例えば、加熱部53に開口部が設けられている、など)となっていれば良い。
また、塗布装置CTRの構成として、例えば図25に示すように、基板供給回収部LUの+X側に、塗布部CTを有する第一チャンバーCB1、減圧乾燥部VDを有する接続部CN及び焼成部BKを有する第二チャンバーCB2が繰り返して配置された構成であっても構わない。
図25では、第一チャンバーCB1、接続部CN及び第二チャンバーCB2が3回繰り返して配置された構成が示されているが、これに限られることは無く、第一チャンバーCB1、接続部CN及び第二チャンバーCB2が2回繰り返して配置された構成や、第一チャンバーCB1、接続部CN及び第二チャンバーCB2が4回以上繰り返して配置された構成であっても構わない。
このような構成によれば、第一チャンバーCB1、接続部CN及び第二チャンバーCB2がX方向に直列に繰り返し設けられているため、基板Sを一方向(+X方向)に搬送すれば良く、基板SをX方向に往復させる必要が無いため、基板Sに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Sに対して効率的に塗布膜を形成することができる。
また、上記実施形態においては、本体部NZaの−Z側が平坦に形成されており、第一先端部材91及び第二先端部材92が角柱状に形成された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の形状であっても構わない。例えば、図26に示すように、本体部NZaの−Z側が先細りに形成されており、第一先端部材191及び第二先端部材192が板状に形成された構成であっても構わない。
また、上記実施形態では、第一先端部材91と第二先端部材92との隙間には何も設けない構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図27に示すように、第一先端部材91と第二先端部材92との隙間にスペーサ部材96を配置させた構成であっても構わない。
図27に示すように、スペーサ部材96は、隙間に挿入可能な厚さ(例えば厚さt1)となるように、例えば板状に形成されている。スペーサ部材96は、ノズルNZの長手方向の両端部にそれぞれ設けられている。この構成によれば、スペーサ部材96により、第一先端部材91と第二先端部材92との間の距離が維持されている。よって、安定した吐出特性を得ることができる。
また、図28に示すように、厚さt1の上記のスペーサ部材96とは異なる厚さt2を有するスペーサ部材97を第一先端部材91と第二先端部材92との間に挿入しても構わない。図28に示す例においては、t1>t2となっているが、これに限られることは無く、t1<t2であっても構わない。厚さが異なるスペーサ部材96及びスペーサ部材97を切り替えて用いることにより、第一先端部材91と第二先端部材92との距離を変更することができる。これにより、吐出口OPの寸法を変更することができるため、液状体の吐出量を所望の値に調整することができる。
また、上記実施形態では、凹部91bに取り付けられた固定ピン93と凹部92bに取り付けられた固定ピン94とによって先端部NZb(第一先端部材91及び第二先端部材92)が本体部NZaに固定された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図29に示すように、固定ピン93の挿入部93b及び固定ピン94の挿入部94bがそれぞれ先端部NZb及び本体部NZaをZ方向に貫通する構成であっても構わない。この場合、挿入部93b及び挿入部94bの+Z側の先端は、ナット93c及び94cで固定されている。この構成であっても、本体部NZaと先端部NZbとを固定することができる。
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付のクレームの範囲によってのみ限定される。
CTR…塗布装置 S…基板 CONT…制御部 CT…塗布部 NZ…ノズル NA…ノズル駆動部 NZa…本体部 NZb…先端部 OP…吐出口 TP…先端 Q…液状体 F…塗布膜 90a…端面 91、191…第一先端部材 92、192…第二先端部材 91a、92a…上面 91b、92b…凹部 91c、92c…側面 91d、92d…斜面 93、94…固定ピン 93a、94a…ネジ山 95…固定部 96、97…スペーサ部材

Claims (16)

  1. 本体部と当該本体部の先端に設けられる先端部とを有し、金属を含む液状体を前記先端部の吐出口から吐出するノズルであって、
    前記先端部は、前記本体部に対して分離可能に装着されている
    ノズル。
  2. 前記本体部は、前記先端部を前記本体部に固定する固定部を有する
    請求項1に記載のノズル。
  3. 前記固定部は、前記先端部と前記本体部との位置を決める位置決め部を有する
    請求項2に記載のノズル。
  4. 前記本体部は、前記吐出口に前記液状体を供給する供給部を有する
    請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載のノズル。
  5. 前記吐出口は、スリット状に形成されている
    請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載のノズル。
  6. 前記先端部は、前記液状体の吐出対象物に対向させた状態で前記吐出対象物との間で少なくとも第一方向に相対移動可能に設けられ、
    前記先端部は、前記第一方向に隙間を空けて配置された第一先端部材及び第二先端部材を有し、
    前記隙間は、前記吐出口として用いられる
    請求項5に記載のノズル。
  7. 前記先端部は、前記第一先端部材及び前記第二先端部材についての前記第一方向における位置を調整する調整部を有する
    請求項6に記載のノズル。
  8. 前記調整部は、前記隙間に配置され前記第一先端部材及び前記第二先端部材の距離を維持するスペーサ部材である
    請求項7に記載のノズル。
  9. 本体部と当該本体部の先端に設けられる先端部とを有し金属を含む液状体を前記先端部の吐出口から吐出するノズルが設けられた塗布部と、
    前記先端部と基板とを対向させた状態で前記基板と前記ノズルとを相対移動させる相対駆動部と
    を備え、
    前記先端部は、前記本体部に対して分離可能に装着されている
    塗布装置。
  10. 前記本体部は、前記先端部を前記本体部に固定する固定部を有する
    請求項9に記載の塗布装置。
  11. 前記固定部は、前記先端部と前記本体部との位置を決める位置決め部を有する
    請求項10に記載の塗布装置。
  12. 前記本体部は、前記吐出口に前記液状体を供給する供給部を有する
    請求項9から請求項11のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
  13. 前記吐出口は、スリット状に形成されている
    請求項9から請求項12のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
  14. 前記先端部は、前記基板と前記ノズルとが相対移動する第一方向に隙間を空けて配置された第一先端部材及び第二先端部材を有し、
    前記隙間は、前記吐出口として用いられる
    請求項13に記載の塗布装置。
  15. 前記先端部は、前記第一先端部材及び前記第二先端部材についての前記第一方向における位置を調整する調整部を有する
    請求項14に記載の塗布装置。
  16. 前記調整部は、前記隙間に配置され前記第一先端部材及び前記第二先端部材の距離を維持するスペーサ部材である
    請求項15に記載の塗布装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9242313B2 (en) * 2012-07-30 2016-01-26 General Electric Company Welding furnace and viewport assembly
US20140363903A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-11 Tokyo Ohta Kogyo Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
US10150136B2 (en) 2014-06-10 2018-12-11 Illinois Tool Works Inc. Rapid changeover slot die assembly for a fluid application device
US9724722B2 (en) * 2014-06-10 2017-08-08 Illinois Tool Works Inc. Rapid changeover slot die assembly for a fluid application device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000248719A (ja) * 1999-02-26 2000-09-12 Nordson Kk 連結タイルの製造方法
KR100926308B1 (ko) * 2003-04-23 2009-11-12 삼성전자주식회사 세정 유닛, 이를 갖는 코팅 장치 및 방법
JP2004321946A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Oki Electric Ind Co Ltd 処理装置、及びそれを用いた被処理体の処理方法

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