TW201313332A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TW201313332A
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Hidenori Miyamoto
Tsutomu Sahoda
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Abstract

為一種基板處理裝置，具備：具有在基板形成包含易氧化性之金屬及溶媒之液狀體之塗佈膜的塗佈部的第一腔室；具有加熱上述塗佈膜之第一加熱部的第二腔室；及連接上述第一腔室和上述第二腔室之間的連接部，在上述連接部設置加熱被塗佈在上述基板之上述塗佈膜的第二加熱部及調整上述塗佈膜之周圍之壓力的壓力調整部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法。
本案係根據2011年6月2日美國申請的暫時專利申請第61/492630號而主張優先權，在此援用其內容。
使用包含Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及該些組合等之金屬，和S、Se、Te及該些組合等之元素硫族的半導體材料的CIGS型太陽電池或CZTS型太陽電池，係以具有高變換效率之太陽電池而受到注目(例如，參照專利文獻1~專利文獻3)。
CIGS型太陽電池成為使用由例如上述Cu、In、Ga、Se之4種類之半導體材料所構成之膜以當作光吸收層(光電變換層)的構成。再者，CZTS型太陽電池成為使用由例如上述Cu、Zn、Sn、Se之4種類之半導體材料所構成之膜以當作光吸收層(光電變換層)的構成。就以如此之太陽電池之構成而言，所知的有在由例如玻璃等所構成之基板上設置由鉬等所構成之背面電極，在該背面電極之上配置有上述光吸收層的構成。
CIGS型太陽電池或CZTS型太陽電池因可以使光吸收層之厚度較以往型之太陽電池薄，故容易進行在曲面的設置或搬運。因此，就以高性能且可撓之太陽電池而言，期待著朝寬廣領域之應用。就以形成光吸收層之手法，以 往所知的有使用例如蒸鍍法或濺鍍法等而形成之手法(例如，參照專利文獻2~專利文獻5)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-340482號公報
[專利文獻2]日本特開2005-51224號公報
[專利文獻3]日本特表2009-537997號公報
[專利文獻4]日本特開平1-231313號公報
[專利文獻5]日本特開平11-273783號公報
對此，本發明者提案將上述半導體材料以液狀體塗佈在基板上之手法，以作為形成光吸收層之手法。於藉由液狀體之塗佈形成光吸收層之時，舉出以下之課題。
於塗佈液狀體之後，進行使塗佈膜所含之溶媒氣化之氣化工程。氣化工程在常溫下進行之時，因為了溶媒之氣化需要長時間，故妨礙了縮短處理時間。
鑒於上述般之情形，本發明係以提供能夠使處理時間縮短化之基板處理裝置及基板處理方法為目的。
與本發明之第一態樣有關之基板處理裝置具備：具有在基板形成包含易氧化性之金屬及溶媒之液狀體之塗佈膜的塗佈部之第一腔室；具有加熱上述塗佈膜之第一加熱部的第二腔室；及 連接上述第一腔室和上述第二腔室之連接部，在上述連接部設置有加熱被塗佈在上述基板之上述塗布膜的第二加熱部及調整上述塗佈膜之周圍之壓力的壓力調整部。
若藉由本發明時，因在連接第一腔室和第二腔室之連接部中，設置加熱被塗佈在基板之塗佈膜的第二加熱部及調整塗佈膜之周圍之壓力的壓力調整部，故可以在將基板從第一腔室搬運至第二腔室之過程中邊加熱塗佈膜，邊予以減壓乾燥。依此，可以謀求處理時間之短縮化。
上述之基板處理裝置具備調整上述第二加熱部和上述基板之距離的距離調整部。
若藉由本發明時，因可藉由距離調整部調整第二加熱部和基板之距離，故可以調整對塗佈膜之加熱狀態，以較適合之條件加熱塗佈膜。
在上述基板處理裝置中，上述距離調整部具有使上述第二加熱部及上述基板中之至少一方之移動對象物移動的移動部。
若藉由本發明時，藉由使第二加熱部及基板中之至少一方之移動對象物移動，可以調整對塗佈膜的加熱狀態。
在上述之基板處理裝置中，上述第二加熱部係與上述基板中形成有上述塗佈膜之面相向而被配置。
若藉由本發明時，因第二加熱部與基板中形成有塗佈膜之面相向而被配置，故可以有效率地對塗佈膜加熱。
在上述基板處理裝置中，上述移動部使上述移動對象 物在垂直方向移動。
若藉由本發明時，因移動部使移動對象物在垂直方向移動，故可以將塗佈膜保持安定之狀態。
在上述之基板處理裝置中，上述連接部具有對上述塗佈膜之周圍供給氣體之氣體供給部。
若藉由本發明時，因可以藉由氣體供給部對塗佈膜之周圍供給氣體，故可以調整於使溶媒氣化之時之塗佈膜之周圍的環境。
在上述之基板處理裝置中，上述連接部具有包圍上述基板及上述第二加熱部之第三腔室。
若藉由本發明時，因連接部具有包圍基板及第二加熱部之第三腔室，故可以容易控制基板及塗佈膜之周圍之環境。
上述之基板處理裝置具備在上述第一腔室、上述第三腔室、上述第二腔室之間串聯性地搬運上述基板的基板搬運部。
若藉由本發明時，可以連續進行塗佈膜之形成、塗佈膜之乾燥及塗佈膜之加熱的各處理。依此，可以謀求處理時間之短縮化。
在上述之基板處理裝置中，上述第一加熱部係以上述塗佈膜所含之易氧化性之上述金屬中之至少一部熔融之溫度加熱上述塗佈膜。
若藉由本發明時，因第一加熱部以塗佈膜所含之易氧化性之金屬中之至少一部分熔融之溫度加熱塗佈膜，故可 以提升塗佈膜之膜質。
上述之基板處理裝置具備第四腔室，該第四腔室具有以較藉由上述第一加熱部所產生之加熱溫度高的溫度，加熱藉由上述第一加熱部而被加熱之上述塗佈膜的第三加熱部。
若藉由本發明時，因藉由第四腔室之第三加熱部，可以以較藉由第一加熱部所產生之加熱溫度高的溫度，加熱藉由第一加熱部而被加熱之塗佈膜，故可以更提升塗佈膜之膜質。
與本發明有關之基板處理方法具有：在第一腔室中，在基板形成包含易氧化性之金屬及溶媒之液狀體之塗布膜的塗佈步驟；將形成有上述塗佈膜之上述基板搬運至經連接部而連接於上述第一腔室之第二腔室的搬運步驟；及在上述第二腔室中，加熱形成在上述基板之上述塗佈膜的加熱步驟；上述搬運步驟係在上述連接部中，加熱被塗佈在上述基板之上述塗佈膜，並且調整上述塗佈膜之周圍之壓力，並使上述塗佈膜所含之上述溶媒之至少一部分氣化的乾燥步驟。
若藉由本發明時，因在第一腔室中，在基板形成包含易氧化性之金屬及溶媒之液狀體之塗佈膜，並將形成有塗佈膜之基板搬運至經連接部而連接於該第一腔室之第二腔室，並在第二腔室中，加熱形成在基板之塗佈膜之時，將 基板從第一腔室搬運至第二腔室之時，在連接部，加熱被塗佈在基板之塗佈膜，並且調整塗佈膜之周圍的壓力，並使塗佈膜所含之溶媒之至少一部分氣化，故在基板之搬運之過程中，可以有效率地邊加熱塗佈膜，邊進行減壓乾燥。依此，可以謀求處理時間之短縮化。
上述之基板處理方法包含於上述加熱步驟之後，將上述塗佈膜及上述基板冷卻至特定溫度的冷卻步驟。
若藉由本發明時，因於第二腔室中之加熱之後，將塗佈膜及基板冷卻至特定之溫度，依此可以謀求處理時間之短縮化。
上述之基板處理方法包含於上述冷卻步驟之後，將上述基板從上述第二腔室搬運至上述第一腔室的第二搬運步驟。
若藉由本發明時，於冷卻基板之後，因將基板從第二腔室搬運至第一腔室，故再次對基板進行塗佈處理之時，可以有效率地進行處理。
在上述之基板處理方法中，於上述第二搬運步驟之後，對上述基板，重複進行上述塗佈步驟、上述搬運步驟、上述加熱步驟、上述冷卻步驟及上述第二搬運步驟，依此使上述塗佈膜疊層在上述基板。
若藉由本發明時，因於第二搬運步驟之後，對基板重複進行塗佈步驟、搬運步驟、加熱步驟、冷卻步驟及第二搬運步驟，依此使塗佈膜疊層於基板，故可以進行有效率之處理。依此，可以謀求處理時間之短縮化。
上述之基板處理方法包含於使上述塗佈膜疊層於上述基板之後，以較上述加熱步驟中之加熱溫度高的溫度對被疊層之上述塗佈膜加熱的第二加熱步驟。
若藉由本發明時，因於使塗佈膜疊層在基板之後，以更高之溫度對被疊層之塗佈膜加熱，故可以提升被疊層之塗佈膜之膜質。
若藉由本發明時，可以提供能夠使處理時間短縮化之基板處理裝置及基板處理方法。
以下參照圖面說明本發明之實施型態。
第1圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置CTR之構成的概略圖。
如第1圖所示般，塗佈裝置CTR為在基板S上塗佈液狀體之裝置。
塗佈裝置CTR具有基板供給回收部LU、第一腔室CB1、第二腔室CB2、連接部CN及控制部CONT。第一腔室CB1具有塗佈部CT。第二腔室CB2具有燒結部BK。連接部CN具有減壓乾燥部VD。
塗佈裝置CTR被載置在例如工場等之地面FL而使用。塗佈裝置CTR即使為被收容在一個房間的構成亦可，即使為分割成複數之房間而被收容之構成亦可。塗佈裝置CTR係依基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD及燒結部BK之順序在一方向排列配置。
並且，針對裝置構成，塗佈裝置CTR並不限定於依基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD及燒結部BK之順序在一方向排列配置。例如，即使基板供給回收部LU分割成無圖示之基板供給部和無圖示之基板回收部亦可，即使省略減壓乾燥部VD亦可。當然，即使不排列配置在一方向亦可，即使為以無圖示之機械臂為中心上下疊層之配置或左右配置之構成亦可。
在以下之各圖中，對於說明與本實施型態有關之基板處理裝置之構成，為了簡單表示，使用XYZ座標系統而說明圖中之方向。在該XYZ座標系中，將與地板平行之平面設為XY平面。在該XY平面排列塗佈裝置CTR之各構成要素(基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD及燒結部BK)之方向表記為X方向，將在XY平面上與X方向正交之方向表記為Y方向。將垂直於XY平面之方向表記為Z方向。X方向、Y方向及Z方向之各個係以圖中之箭號之方向為+方向，與箭號之方向相反之方向為-方向來說明。
在本實施型態中，就以基板S而言，使用由例如玻璃或樹脂等所構成之板狀構件。在本實施型態中，並且在基板S上以濺渡形成鉬以作為背面電極。當然，即使為使用其他之導電性物質，以當作背面電極亦可。就以基板S而言，以在Z方向觀看的尺寸為330mm×330mm之基板為例予以說明。並且，針對基板S之尺寸，並不限定於上述般之330mm×330mm之基板。例如，就以基板S而言，即使 使用尺寸為125mm×125mm之基板亦可，即使使用尺寸為1m×1m之基板亦可。當然，亦可以適用尺寸比上述尺寸大的基板或小的基板。
在本實施型態中，就以塗佈在基板S之液狀體而言，使用例如聯氨等之溶媒含有銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)、硒(Se)或銅(Cu)、鋅(Zn)、錫(Sn)、硒(Se)之易氧化性之金屬材料的液狀組成物。該液狀組成物包含構成CIGS或CZTS型太陽電池之光吸收層(光電變換層)之金屬材料。
在本實施型態中，該液狀組成物包含用以確保CIGS或CZTS太陽電池之光吸收層之粒子尺寸的物質。當然，就以液狀體而言，即使為使用使其他之易氧化性之金屬分散之液狀體的構成亦可。
(基板供給回收部)
基板供給回收部LU係對塗佈部CT供給未處理之基板S，並且回收來自塗佈部CT的處理完的基板S。基板供給回收部LU具有腔室10。腔室10形成長方體之箱狀。在腔室10之內部形成有能夠收容基板S之收容室10a。腔室10具有第一開口部11、第二開口部12及蓋部14。第一開口部11及第二開口部12係連通收容室10a和腔室10之外部。
第一開口部11係被形成在腔室10之+Z側之面。第一開口部11在Z方向觀看被形成較基板S之尺寸大。被取出至腔室10之外部的基板S，或被收容在收容室10a 之基板S係經第一開口部11而在基板供給回收部LU進出。
第二開口部12係被形成在腔室10之+X側之面。第二開口部12在X方向觀看被形成較基板S之尺寸大。被供給至塗佈部CT之基板S或從塗佈部CT返回之基板S經第二開口部12而在基板供給回收部LU進出。
蓋部14係開放或關閉第一開口部11。蓋部14形成矩形之板狀。蓋部14係經無圖示之鉸鏈部而被安裝於第一開口部11之+X側之邊。因此，蓋部14係以第一開口部11之+X側之邊為中心而繞Y軸轉動。第一開口部11係藉由使蓋部14繞Y軸轉動而能夠開關。
在收容室10a設置有基板搬運部15。基板搬運部15具有複數之滾輪17。滾輪17係在Y方向配置一對，在X方向排列複數該一對滾輪17。
各滾輪17係被設置成以Y軸方向為中心軸方向而能夠繞Y軸旋轉。複數之滾輪17被形成各相等之直徑，複數之滾輪17之+Z側之端部被配置在與XY平面平行之相同平面上。因此，複數之滾輪17係以基板S成為與XY平面平行之姿勢之方式能夠支撐該基板S。
各滾輪17成為藉由例如無圖示之滾輪旋轉控制部而控制旋轉。基板搬運部15係在複數之滾輪17支撐基板S之狀態下使各滾輪17繞Y軸順時鐘或逆時鐘旋轉，依此將基板S搬運至X方向(+X方向或-X方向)。就以基板搬運部15而言，即使使用使基板浮起而搬運之無圖示之浮 起搬運部亦可。
(第一腔室)
第一腔室CB1係被配置在載置在地板FL之基台BC上。第一腔室CB1形成長方體之箱狀。在第一腔室CB1之內部形成有處理室20a。塗佈部CT被設置在處理室20a。塗佈部CT係對基板S進行液狀體之塗佈處理。
第一腔室CB1具有第一開口部21及第二開口部22。第一開口部21及第二開口部22係連通處理室20a和第一腔室CB1之外部。第一開口部21係被形成在第一腔室CB1之-X側之面。第二開口部22係被形成在第一腔室CB1之+X側之面。第一開口部21及第二開口部22被形成在基板S能夠通過之尺寸。基板S係經第一開口部21及第二開口部22而在第一腔室CB1進出。
塗佈部CT具有吐出部31、維修部32、液狀體供給部33、洗淨液供給部34、廢液貯留部35、氣體供給排出部37及基板搬運部25。
吐出部31具有噴嘴NZ、處理台28及噴嘴驅動部NA。
第3圖為表示噴嘴NZ之構成的圖示。
如第3圖所示般，噴嘴NZ被形成長條狀，配置成長邊方向與X方向平行。噴嘴NZ具有本體部NZa及突出部NZb。本體部NZa為在內部能夠收容液狀體之框體。本體部NZa係使用含有例如鈦或鈦合金之材料而形成。突出 部NZb相對於本體部NZa各突出於+X側及-X側而形成。突出部NZb被保持於噴嘴驅動部NA之一部分。
第4圖係表示從-Z側觀看噴嘴NZ之時的構成。
如第4圖所示般，噴嘴NZ在本體部NZa之-Z側之端部(前端TP)具有吐出口OP。吐出口OP為吐出液狀體之開口部。吐出口OP係以在X方向成為長邊之方式被形成縫隙狀。吐出口OP係被形成例如長邊方向與基板S之X方向之尺寸幾乎相同。
噴嘴NZ係吐出以特定之組成比混合例如上述之Cu、In、Ga、Se之4種類之金屬的液狀體。噴嘴NZ係經連接配管(無圖示)等，各被連接於液狀體供給部33。噴嘴NZ具有在內部保持液狀體之保持部。並且，即使配置有調整被保持於上述保持部之液狀體之溫度的調溫部亦可。
返回第1圖及第2圖，處理台28係載置成為塗佈處理之對象的基板S。處理台28之+Z側之面成為載置基板S之基板載置面。該基板載置面係被形成與XY平面平行。處理台28係使用例如不鏽鋼等而被形成。
噴嘴驅動部NA係使噴嘴NZ移動至X方向。噴嘴驅動部NA具有構成直線馬達機構之固定子40及可動子41。並且，就以噴嘴驅動部NA而言，即使為使用例如滾珠螺桿機構等知其他驅動機構亦可。固定子40係延伸在Y方向。固定子40係被支撐框38支撐。支撐框38具有第一框架38a及第二框架38b。第一框架38a係被配置在處理室20a之-Y側端部。第二框架38b被配置在處理室20a 中與第一框架38a之間夾持處理台28之位置。
可動子41係能夠沿著固定子40之延伸方向(Y方向)而移動。可動子41具有噴嘴支撐構件42及升降部43。噴嘴支撐構件42係被形成門型，具有保持噴嘴NZ之突出部NZb之保持部42a。噴嘴支撐構件42係與升降部43一起沿著固定子40而在第一框架38a和第二框架38b之間於Y方向一體性移動。因此，被保持於噴嘴支撐構件42之噴嘴NZ係在Y方向跨過處理台28而移動。噴嘴支撐構件42係沿著升降部43之升降導件43a而在Z方向移動。可動子41具有使噴嘴支撐構件42在Y方向及Z方向移動之無圖示之驅動源。
維修部32為進行噴嘴NZ之維修的部分。維修部32具有噴嘴待機部44及噴嘴前端管理部45。
噴嘴待機部44係具有以不使噴嘴NZ之前端TP乾燥之方式浸漬該前端TP之無圖示之浸漬部，和交換噴嘴NZ之時或交換供給噴嘴NZ之液狀體之時，排出被保持於噴嘴NZ內之液狀體的無圖示之排出部。
噴嘴前端管理部45係藉由洗淨噴嘴NZ之前端TP及其附近，或從噴嘴NZ之吐出口OP預備性地吐出，而整理噴嘴之前端之條件的部分。噴嘴前端管理部45具有擦拭噴嘴NZ之前端TP的擦拭部45a，和引導該擦拭部45a之導軌45b。在噴嘴前端管理部45設置有從噴嘴NZ排出之液狀體，或收容被使用於噴嘴NZ之洗淨的洗淨液等之廢液收容部35a。
第5圖為表示噴嘴NZ及噴嘴前端管理部45之剖面形狀之圖示。如第5圖所示般，擦拭部45a在剖面觀看係被形成覆蓋噴嘴NZ之前端TP及前端TP側之斜面之一部分的形狀。
導軌45b係以覆蓋噴嘴NZ之吐出口OP之方式在X方向延伸。擦拭部45a係被設置成藉由無圖示之驅動源等，能沿著導軌45b而在X方向移動。藉由擦拭部45a接觸於噴嘴NZ之前端TP之狀態下在X方向移動，擦拭前端TP。
液狀體供給部33具有第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b。在第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b收容塗佈於基板S之液狀體。再者，第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b能夠收容各種不同種類之液狀體。
洗淨液供給部34收容有洗淨塗佈部CT之各部，具體而言，洗淨噴嘴NZ之內部或噴嘴前端管理部45等之洗淨液。洗淨液供給部34係經無圖示之配管或泵等，而連接於該些噴嘴NZ之內部或噴嘴前端管理部45等。
廢液貯留部35係回收從噴嘴NZ吐出之液體中不再利用之部分。並且，即使為個別設置噴嘴前端管理部45中，進行預備吐出之部分，和洗淨噴嘴NZ之前端TP之部分的構成亦可。再者，即使為在噴嘴待機部44中進行預備吐出之構成亦可。
氣體供給排出部37具有氣體供給部37a及排氣部 37b。氣體供給部37a係對處理室20a供給氮氣或氬氣等之惰性氣體。排氣部37b係吸引處理室20a，並將處理室20a之氣體排出至第一腔室CB1之外部。
基板搬運部25係在處理室20a搬運基板S。基板搬運部25具有複數之滾輪27。滾輪27係以在X方向橫切處理室20a之Y方向之中央部之方式，配置兩列。被配置在各列之滾輪27各支撐基板S之+Y側端邊及-Y側端邊。
在支撐基板S之狀態下使各滾輪27繞Y軸順時鐘或逆時鐘旋轉，依此藉由各滾輪27支撐之基板S被搬運至X方向(+X方向或-X方向)。並且，即使使用使基板浮起而搬運之無圖示之浮起搬運部亦可。
(連接部)
連接部CN係連接第一腔室CB1和第二腔室CB2。基板S係經由連接部CN而在第一腔室CB1和第二腔室CB2之間移動。連接部CN具有第三腔室CB3。第三腔室CB3形成長方體之箱狀。在第三腔室CB3之內部形成有處理室50a。在本實施型態中，在處理室50a設置有減壓乾燥部VD。減壓乾燥部VD係使塗佈在基板S上之液狀體乾燥。在第三腔室CB3設置有閘閥V2及V3。
第三腔室CB3具有第一開口部51及第二開口部52。第一開口部51及第二開口部52係連通處理室50a和第三腔室CB3之外部。第一開口部51係被形成在第三腔室 CB3之-X側之面。第二開口部52係被形成在第三腔室CB3之+X側之面。第一開口部51及第二開口部52被形成在基板S能夠通過之尺寸。基板S係經第一開口部51及第二開口部52而在第三腔室CB3進出。
減壓乾燥部VD具有基板搬運部55及氣體供給部58、排氣部59及加熱部53。
基板搬運部55具有複數之滾輪57。滾輪57係在Y方向配置一對，在X方向排列複數該一對滾輪57。複數之滾輪57係經第一開口部21而支撐被配置在處理室50a之基板S。
在支撐基板S之狀態下使各滾輪57繞Y軸順時鐘或逆時鐘旋轉，依此藉由各滾輪57支撐之基板S被搬運至X方向(+X方向或-X方向)。並且，即使使用使基板浮起而搬運之無圖示之浮起搬運部亦可。
第6圖為表示減壓乾燥部VD之構成的模式圖。
如第6圖所示般，氣體供給部58係對處理室50a供給氮氣或氬氣等之惰性氣體。氣體供給部58具有第一供給部58a及第二供給部58b。第一供給部58a及第二供給部58b被連接於氣體氣缸或氣體管等之氣體供給源58c。對處理室50a供給氣體主要使用第一供給部58a而進行。第二供給部58b係對藉由第一供給部58a之氣體之供給量進行微調整。
排氣部59係吸引處理室50a且將該處理室50a之氣體排出至第三腔室CB3之外部，並使處理室50a減壓。 藉由使處理室50a減壓，促進基板S之液狀體所含之溶媒的蒸發，並使液狀體乾燥。排氣部59具有第一吸引部59a及第二吸引部59b。第一吸引部59a及第二吸引部59b被連接於泵等之吸引源59c及59d。來自處理室50a之吸引主要係使用第一吸引部59a而進行。第二吸引部59b係對藉由第一吸引部59a的吸引量進行微調整。
加熱部53係加熱被配置在處理室50a之基板S上之液狀體。就以加熱部53而言，使用例如紅外線裝置或加熱板等。加熱部53之溫度能夠調整成例如室溫~100℃左右。藉由使用加熱部53，促進基板S上之液狀體所含之溶媒之蒸發，並支援減壓下之乾燥處理。
加熱部53被連接於升降機構(移動部)53a。升降機構53a係使加熱部53在Z方向移動。就以升降機構53a而言，使用例如馬達機構或氣缸機構等。藉由升降機構53a使加熱部53在Z方向移動，依此可以調整加熱部53和基板S之間的距離。藉由升降機構53a的加熱部53之移動量或移動時序等，係藉由控制部CONT而被控制。
(第二腔室)
第二腔室CB2係被配置在載置在地板FL之基台BB上。第二腔室CB2形成長方體之箱狀。在第二腔室CB2之內部形成有處理室60a。燒結部BK被設置在處理室60a。燒結部BK係燒結被塗佈在基板S上之塗佈膜。
第二腔室CB2具有開口部61。開口部61係連通處理 室60a和第二腔室CB2之外部。開口部61係被形成在第二腔室CB2之-X側之面。開口部61係被形成基板S能夠通過之尺寸。基板S係經開口部61而在第二腔室CB2進出。
燒結部BK具有基板搬運部65及氣體供給部68、排氣部69及加熱部70。
基板搬運部65具有複數之滾輪67和機械臂71。滾輪67係在Y方向夾著基板引導台66而配置一對，在X方向排列複數該一對滾輪67。複數之滾輪67係經第一開口部61而支撐被配置在處理室60a之基板S。
在支撐基板S之狀態下使各滾輪67繞Y軸順時鐘或逆時鐘旋轉，依此藉由各滾輪67支撐之基板S被搬運至X方向(+X方向或-X方向)。並且，即使使用使基板浮起而搬運之無圖示之浮起搬運部亦可。
機械臂部71被配置在架台74上，在複數之滾輪67和加熱部70之間進行基板S之收授。機械臂部71具有搬運臂72及機械臂驅動部73。搬運臂72具有基板支撐部72a及移動部72b。基板支撐部72a支撐基板S之+Y側及-Y側之邊。移動部72b被連結於基板支撐部72a，能夠在X方向移動，並且能夠在θ Z方向轉動。
機械臂驅動部73係將移動部72b驅動至X方向或θ Z方向。於藉由機械臂驅動部73而使移動部72b在+X方向移動之時，基板支撐部72a被插入至加熱部70內，並且基板S被配置在加熱部70之Z方向觀看中央部。
第7圖為表示加熱部70之構成的剖面圖。
如第7圖所示般，加熱部70係被配置在架台74上，具有第一收容部81、第二收容部82、第一加熱板83、第二加熱板84、升降部85、密封部86、氣體供給部87及排氣部88。
第一收容部81在Z方向觀看下被形成矩形之方格狀，以開口部朝向+Z側之方式，被載置在第二腔室CB2之底部。第二收容部82在Z方向觀看下被形成矩形之方格狀，被配置成開口部與第一收容部81相對。第二收容部82係使用無圖示之升降機構而能夠在Z方向移動。藉由將第二收容部82之緣部82a重疊在第一收容部81之緣部81a，該第一收容部81及第二收容部82之內部被密閉。
第一加熱板83被收容在第一收容部81。第一加熱板83係在載置基板S之狀態下加熱該基板S。第一加熱板83係使用例如石英等而被形成，在內部設置有紅外線裝置或加熱板等之加熱裝置。第一加熱板83之溫度能夠調整成例如200℃~800℃左右。在第一加熱板83形成有複數之貫通孔83a。貫通孔83a係使升降部85之一部分貫通。
第二加熱板84被收容在第二收容部82。第二加熱板84係使用例如金屬材料而被形成，在內部設置有紅外線裝置或加熱板等之加熱裝置。第二加熱板84之溫度能夠調整成例如200℃~800℃左右。第二加熱板84係被設置成能夠藉由無圖示之升降機構而與第二收容部82個別地 朝Z方向移動。藉由使第二加熱板84朝Z方向移動，可以調整第二加熱板84和基板S之間隔。
升降部85係在機械臂部71和第一加熱板83之間使基板S移動。升降部85具有複數之支撐銷85a，和保持該支撐銷85a而在Z方向移動之移動部85b。為了容易判別圖示，在第7圖中雖然表示設置有兩個支撐銷85a之構成，但是實際上可以配置例如16個(參照第7圖)。被設置在第一加熱板83之複數之貫通孔83a在Z方向觀看下係被配置在對應於複數之支撐銷85a之位置。
密封部86係被形成在第一收容部81之緣部81a。就以密封部86而言，可以使用利用例如樹脂材料等而形成之O型環。密封部86係在第二收容部82之緣部82a被重疊於第一收容部81之緣部81a之狀態下，密封該第一收容部81和第二收容部82之間。因此，可以密閉第一收容部81及第二收容部82之內部。
氣體供給部87係對處理室60a供給氮氣等。氣體供給部87係連接於第二腔室CB2之+Z側之面。氣體供給部87具有氣缸或氣體管等之氣體供給源87a，和連接該氣體供給源87a和第二腔室CB2之連接管87b。
排氣部88係吸引處理室60a，並將處理室60a之氣體排出至第二處理室CB2之外部。排氣部88係係連接於第二腔室CB2之-Z側之面。排氣部88具有泵等之吸引源88a，和連接該吸引源88a和第二腔室CB2之連接管88b。
再者，在本實施型態中，設置有溶媒濃度感測器SR3及SR4。溶媒濃度感測器SR3及SR4係與上述溶媒濃度感測器SR1及SR2相同，檢測出周圍氛圍中之液狀體之溶媒(在本實施型態中為聯氨)之濃度，並將檢測結果發送至控制部CONT。溶媒濃度感測器SR3在處理室60a中被設置在架台74上之加熱部70之+Y側。溶媒濃度感測器SR3係被配置在偏離加熱部70之位置。溶媒濃度感測器SR4係被配置在第二腔室CB2之外部。在本實施型態中，因檢測出比重大於空氣之聯氨之濃度，故溶媒濃度感測器SR3及SR4係與上述溶媒濃度感測器SR1及SR4相同，各配置在較基板S之搬運路徑更垂直方向之下側。再者，藉由在較第二腔室CB2之外部也配置溶媒濃度感測器SR4，即使於從第二腔室CB2漏出聯氨之時亦可以檢測出。
(基板搬運路徑)
基板供給回收部LU之第二開口部12、塗佈部CT之第一開口部21以及第二開口部22、減壓乾燥部VD之第一開口部51以及第二開口部52、燒結部BK之開口部61係排列設置在與X方向平行之直線上。因此，基板S在X方向直線移動。再者，在從基板供給回收部LU到被收容至燒結部BK之加熱部70為止之路徑，保持Z方向之位置。因此，抑制藉由基板S之周圍的氣體之攪拌。
(預燃室)
如第1圖所示般，在第一腔室CB1連接有預燃室AL1~AL3。
預燃室AL1~AL3係連通第一腔室CB1之內外而被設置。預燃室AL1~AL3各為用以將處理室20a之構成要素取出至第一腔室CB1之外部，或從第一腔室CB1之外部將該構成要素組入至處理室20a之路徑。
預燃室AL1係被連接於吐出部31。被設置在吐出部31之噴嘴NZ係能夠經預燃室AL1而往處理室20a進出。預燃室AL2係被連接於液狀體供給部33。液狀體供給部33能夠經預燃室AL2而往處理室20a進出。
預燃室AL3係被連接於液狀體調合部36。在液狀體調合部36中，能夠經預燃室AL3而使液體進出於處理室20a。再者，預燃室AL3係被形成基板S能夠通過之尺寸。因此，例如在塗佈部CT進行液狀體之試塗時，能夠從預燃室AL3將未處理之基板S供給至處理室20a。再者，能夠從預燃室AL3取出進行試塗之後的基板S。再者，也可以於於緊急時等從預燃室AL3臨時取出基板S。
再者，在第二腔室CB2連接有預燃室AL4。
預燃室AL4係被連接於加熱部70。預燃室AL4係被形成基板S能夠通過之尺寸。因此，例如在加熱部70進行基板S之加熱時，能夠將基板S從預燃室AL4供給至處理室60a。再者，能夠從預燃室AL4取出進行加熱處理之後的基板S。
(手套部)
如第1圖所示般，在第一腔室CB1連接有手套部GX1。再者，在第二腔室CB2連接有手套部GX2。
手套部GX1及GX2為用以作業者進出第一腔室CB1及60內的部分。藉由作業者將手插入至手套部GX1及GX2內，可以進行第一腔室CB1及60內之維修動作等。手套部GX1及GX2被形成袋狀。手套部GX1及GX2各被配置在第一腔室CB1及60內之複數處。即使在第一腔室CB1及60內配置檢測作業者之手是否進入至手套部GX1及GX2內之感測器等亦可。
(閘閥)
在基板供給回收部LU之第二開口部12和塗佈部CT之第一開口部21之間，設置有閘閥V1。閘閥V1係被設置成藉由無圖示之驅動部而能夠在Z方向移動。藉由使閘閥V1在Z方向移動，基板供給回收部LU之第二開口部12和塗佈部CT之第一開口部21同時被開放或封閉。當第二開口部12及第一開口部21同時被開放時，則可在該些第二開口部12和第一開口部21之間移動基板S。
在第一腔室CB1之第二開口部22和第三腔室CB3之第一開口部51之間設置有閘閥V2。閘閥V2係被設置成藉由無圖示之驅動部而能夠在Z方向移動。藉由使閘閥V2在Z方向移動，第一腔室CB1之第二開口部22和第三腔室CB3之第一開口部51同時被開放或封閉。當第二 開口部22及第一開口部51同時被開放時，則可在該些第二開口部22和第一開口部51之間移動基板S。
在第三腔室CB3之第二開口部52和第二腔室CB2之開口部61之間設置有閘閥V3。閘閥V3係被設置成藉由無圖示之驅動部而能夠在Z方向移動。藉由使閘閥V3在Z方向移動，第三腔室CB3之第二開口部52和第二腔室CB2之開口部61同時被開放或封閉。當第二開口部52及開口部61同時被開放時，則可在該些第二開口部52和第一開口部61之間移動基板S。
(控制裝置)
控制部CONT係統籌性控制塗佈裝置CTR之部分。具體而言，控制基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD、燒結部BK中之動作、閘閥V1~V3之動作等。就以調整動作之一例而言，控制部CONT係根據溶媒濃度感測器SR1~SR4之檢測結果，調整氣體供給部37a之供給量。控制部CONT具有使用於處理時間之測量等之無圖示的計時器等。
(塗佈方法)
接著，說明與本實施型態有關之塗佈方法。在本實施型態中，使用如上述般構成之塗佈裝置CTR而在基板S上形成塗佈膜。在塗佈裝置CTR之各部中進行之動作係藉由控制部CONT而被控制。
控制部CONT首先係將基板S從外部搬入至基板供給回收部LU。此時，控制部CONT係以封閉閘閥V1之狀態，打開蓋部14而使基板S收容至腔室10之收容室10a。基板S被收容至收容室10a之後，控制部CONT關閉蓋部14。
於蓋部14被關閉之後，控制部CONT係使閘閥V1開放，並使腔室10之收容室10a和塗佈部CT之第一腔室CB1之處理室20a連通。於使閘閥V1開放之後，控制部CONT係使用基板搬運部15而將基板S搬運至X方向。
於基板S之一部分被插入至第一腔室CB1之處理室20a之後，控制部CONT係使用基板搬運部25而使基板S完全搬入至處理室20a。於基板S被搬入之後，控制部CONT係使閘閥V1封閉。控制部CONT係於使閘閥V1封閉之後，將基板S搬運至處理台28。
第8圖係簡化塗佈部CT之構成，並省略一部分之構成而予以表示之圖示。以下，即使在第9~12圖中也相同。如第8圖所示般，當基板S被載置在處理台28上時，在塗佈部CT進行塗佈處理。於該塗佈處理之前，控制部CONT係以閘閥V1及V2密閉之狀態，使用氣體供給部37a及排氣部37b而進行惰性氣體之供給及吸引。
藉由該動作，處理室20a之氛圍及壓力被調整。處理室20a之氛圍及壓力之調整後，控制部CONT使用噴嘴驅動部NA(在第8圖中未圖示)而將噴嘴NZ從噴嘴待機部 44移動至噴嘴前端管理部45。控制部CONT以後持續進行塗佈處理之間，處理室20a之氛圍及壓力之調整動作。
噴嘴NZ到達至噴嘴前端管理部45之後，控制部CONT如第9圖所示般，對噴嘴NZ進行預備吐出動作。在預備吐出動作中，控制部CONT係從吐出口OP吐出液狀體Q。於預備吐出動作之後，控制部CONT如第10圖所示般，使擦拭部45a沿著導軌45b而在X方向移動，並擦拭噴嘴NZ之前端TP及其附近之傾斜部。
於擦拭噴嘴NZ之前端TP之後，控制部CONT使噴嘴NZ移動至處理台28。於噴嘴NZ之吐出口OP到達至基板S之-Y側端部之後，控制部CONT如第11圖所示般，邊使噴嘴NZ以規定速度在+Y方向移動，邊使液狀體Q從吐出口OP朝向基板S吐出。藉由該動作，在基板S上形成液狀體Q之塗佈膜F。
於在基板S之規定區域形成液狀體Q之塗佈膜之後，控制部CONT使用基板搬運部25而使基板S從處理台28移動至第二工作台26B和+X方向。再者，控制部CONT係使噴嘴NZ朝-Y方向移動，並返回至噴嘴待機部44。
基板S到達至第一腔室CB1之第二開口部22之後，控制部CONT如第13圖所示般，使閘閥V2開放，並使基板S從第一腔室CB1搬運至第二腔室CB2(搬運步驟)。並且，於進行該搬運步驟之時，基板S係經由被配置在連接部CN之第三腔室CB3。控制部CONT係於基板S通過 三腔室CB3之時，對該基板S使用減壓乾燥部VD而進行乾燥處理。具體而言，於第三腔室CB3之處理室50a收容有基板S之後，控制部CONT如第14圖所示般，封閉閘閥V2。
於封閉閘閥V2之後，控制部CONT使用升降機構53a而調整加熱部53之Z方向之位置。之後，控制部CONT係如第15圖所示般，使用氣體供給部58而調整處理室50a之氛圍，並且使用排氣部59而減壓處理室50a。當藉由該動作處理室50a減壓時，促進形成在基板S之液狀體Q之塗佈膜所含之溶媒之蒸發，塗佈膜乾燥。並且，控制部CONT即使進行使用排氣部59減壓處理室50a之減壓動作之期間，使用升降機構53a調整加熱部53之Z方向之位置亦可。
再者，控制部CONT係如第15圖所示般，使用加熱部53而加熱基板S上之塗佈膜F。藉由該動作，促進基板S上之塗佈膜F所含之溶媒之蒸發，可以在短時間進行減壓下的乾燥處理。控制部CONT即使在藉由加熱部53進行加熱動作之期間，使用升降機構53a而調整加熱部53之Z方向之位置亦可。
於進行減壓乾燥處理之後，控制部CONT係如第16圖所示般，開放閘閥V3，使基板S從連接部CN搬運至第二腔室CB2。基板S被收容至第二腔室CB2之處理室60a之後，控制部CONT封閉閘閥V3。
藉由基板支撐部72a之移動，如第17圖所示般，基 板S被配置在第一加熱板83上之中央部。之後，控制部CONT係如第18圖所示般，使升降部85在+Z方向移動。藉由該動作，基板S係從搬運臂72之基板支撐部72a離開，被支撐在升降部85之複數之支撐銷85a。如此一來，基板S從基板支撐部72a被交至升降部85。基板S藉由升降部85之支撐銷85a被支撐之後，控制部CONT使基板支撐部72a在-X方向朝加熱部70之外部退避。
於使基板支撐部72a之後，控制部CONT係如第19圖所示般，使升降部85在-Z方向移動，並且使第二收容部82在-Z方向移動。藉由該動作，第二收容部82之緣部82a重疊在第一收容部81之緣部81a，成為在緣部82a和緣部81a之間夾著密封部86之狀態。因此，形成藉由第一收容部81、第二收容部82及密封部86而密閉之燒結室80。
於形成燒結室80之後，控制部CONT係如第20圖所示般，使升降部85朝-Z方向移動而將基板S載置在第一加熱板83上。基板S被載置在第一加熱板83上之後，控制部CONT係使第二加熱板84在-Z方向移動，並使第二加熱板84和基板S接近。控制部CONT係適當調整第二加熱板84之Z方向之位置。
於調整第二加熱板84之Z方向之位置之後，如第21圖所示般，使用氣體供給部87而對燒結室80供給氮氣體或硫化氫氣體，並且使用排氣部88而吸引燒結室80。藉由該動作，燒結室80之氛圍及壓力被調整，並且從第二 收容部82至第一收容部81，形成氮氣或硫化氫氣體之氣流。在形成氮氣或硫化氫氣體之氣流的狀態下，控制部CONT使第一加熱板83及第二加熱板84動作，並進行基板S之燒結動作(加熱步驟)。藉由該動作，溶媒成分從基板S之塗佈膜F蒸發，並且塗佈膜F所含之氣泡等被除去。再者，藉由氮氣或硫化氫氣體之氣流，從塗佈膜F蒸發之溶媒成分或氣泡等漂流，從排氣部88被吸引。
再者，在該燒結動作中，將塗佈膜F所含之易氧化性之金屬成分中之至少一種類之成分加熱至熔點以上，並使塗佈膜F之至少一部分溶解。例如，若在CZTS型之太陽電池使用塗佈膜F之時，在構成塗佈膜F之成分中，針對Ti、S、Se，加熱至熔點以上，並使該些物質液狀化而凝聚塗佈膜F。之後，將該塗佈膜F冷卻至塗佈膜F固形化之溫度(冷卻步驟)。藉由將塗佈膜F予以固形化，可以提高該塗佈膜F之強度。
於完成如此之燒結動作之後，控制部CONT使基板S朝-X方向搬運。具體而言，從加熱部70經過機械臂部71、基板引導台66而從燒結部BK被搬出，經過減壓乾燥部VD、塗佈部CT而返回至基板供給回收部LU(第二搬運步驟)。基板S返回至基板供給回收部LU之後，控制部CONT在封閉閘閥V1之狀態下使蓋部14開放。之後，作業者回收腔室10內之基板S，並使新的基板S收容至腔室10之收容室10a。
並且，基板S返回至基板供給回收部LU之後，又在 形成於基板S之塗佈膜F上重疊形成另外之塗佈膜之時，控制部CONT再次將基板S搬運至塗佈部CT，重複進行塗佈處理、減壓乾燥處理及燒結處理。如此一來，在基板S上疊層塗佈膜F。
如上述般，若藉由本實施型態，在連接第一腔室CB1和第二腔室CB2之連接部CN，因設置有加熱被塗佈在基板S之塗佈膜F之加熱部53及調整塗佈膜F之周圍之壓力的排氣部59，故在基板S從第一腔室CB1搬運至第二腔室CB2之過程中邊加熱塗佈膜F，邊進行減壓乾燥。依此，可以謀求處理時間之短縮化。
本發明之技術範圍並不限定於上述實施型態，只要在不脫離本發明之主旨的範圍內可以適當加以變更。
在上述實施型態中，就以塗佈部CT之構成而言，雖然設為使用縫隙型之噴嘴NZ的構成，但並不限定於此，即使使用例如中央滴下型之塗佈部亦可，即使使用噴墨型之塗佈部亦可。再者，即使為例如使用刮板等使配置在基板S上之液狀體擴散而予以塗佈之構成亦可。
再者，在上述實施型態中，為在一間房間收容塗佈裝置CTR之構成時，即使設置有調整該房間之氛圍的氣體供給排出部之構成亦可。此時，因可以使用該氣體供給排出部而排出房間中之氛圍的聯氨，故可以更確實地抑制塗佈環境之變化。
再者，在上述實施型態中，雖然舉出在第二腔室CB2之燒結部BK中進行燒結動作之構成為例而予以說明，但 是並不限定於此。例如，即使如第22圖所示般，為在與第二腔室CB2不同之位置另外設置第四腔室CB4，且藉由被設置在該第四腔室CB4之加熱部HT而加熱基板S之構成亦可。
此時，例如於在基板S疊層塗佈膜F之後，在第四腔室CB4之加熱部HT中，可以進行用以燒結被疊層之塗佈膜F之加熱處理(第二加熱步驟)。第二加熱步驟中之加熱處理，係以較藉由燒結部BK所進行之加熱處理高的加熱溫度，加熱塗佈膜F。因藉由該加熱處理，可以使被疊層之塗佈膜F之固體成分(金屬成分)結晶化，故可以更提高塗佈膜F之膜質。
並且，針對在基板S疊層塗佈膜F之後的加熱，即使在第二腔室CB2之燒結部BK中進行亦可。此時，在燒結部BK中，若控制成燒結疊層後之塗佈膜F之時的加熱溫度較燒結塗佈膜F之各層之時的加熱溫度高即可。
再者，在上述實施型態中，雖然舉出在第三腔室CB3內調整基板S和加熱部53之距離的升降機構53a移動加熱部53之構成為例為予以說明，但並不限定於此。例如，升降機構53a不僅加熱部53，即使能夠使基板S在Z方向移動之構成亦可。再者，即使為升降機構53a僅使基板S在Z方向移動之構成亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然以在減壓乾燥部VD中，於基板S之-Z側(垂直方向下側)配置加熱部53之構成為例而予以說明，但並不限定於此，即使為例如加熱部 53被配置在基板S之+Z側(垂直方向上側)之構成亦可。再者，即使使用升降機構53a，能夠在基板S之-Z側之位置和基板S之+Z側之位置之間移動的構成亦可。此時，就以加熱部53之形狀而言，若為能夠通過構成基板搬運部55之複數之滾輪57之構成(例如，在加熱部53設置開口部等)即可。
再者，就以塗佈裝置CTR之構成而言，即使例如第23圖所示般，在基板供給回收部LU之+X側，重複配置具有塗佈部CT之第一腔室CB1、具有減壓乾燥部VD之連接部CN及具有燒結部BK之第二腔室CB2之構成亦可。
在第23圖中，雖然表示重複3次配置第一腔室CB1、連接部CN及第二腔室CB2之構成，但並不限定於此，即使為重複兩次配置第一腔室CB1、連接部CN及第二腔室CB2之構成，或重複4次配置第一腔室CB1、連接部CN及第二腔室CB2之構成亦可。
若藉由如此之構成，因在X方向串聯地重複設置第一腔室CB1、連接部CN及第二腔室CB2，故若將基板S在一方向(+X方向)搬運即可，不需要使基板S在X方向往返，故可以對基板S連續進行疊層塗佈膜之工程。依此，可以有效率地對基板S形成塗佈膜。
以上，雖然說明本發明之較佳實施例，但本發明並不限定於該些實施例。只要在不脫離本發明之主旨的範圍內，可進行構成之附加、省略及代換其他變更。本發明並不 因上述說明而受到限定，僅受限於附件之申請專利範圍。
10‧‧‧腔室
10a‧‧‧收容室
11‧‧‧第一開口室
12‧‧‧第一開口室
14‧‧‧蓋部
15‧‧‧基板搬運部
17‧‧‧滾輪
20a‧‧‧處理室
21‧‧‧第一開口部
22‧‧‧第二開口部
25‧‧‧基板搬運部
27‧‧‧滾輪
28‧‧‧處理台
31‧‧‧吐出部
32‧‧‧維修部
33‧‧‧液狀體供給部
33a‧‧‧第一液狀體收容部
33b‧‧‧第二液狀體收容部
34‧‧‧洗淨液供給部
35‧‧‧廢液貯留部
35a‧‧‧廢液收容部
37‧‧‧氣體供給排出部
37a‧‧‧氣體供給部
37b‧‧‧排氣部
38‧‧‧支撐框
38a‧‧‧第一框架
38b‧‧‧第二框架
40‧‧‧固定子
41‧‧‧可動子
42‧‧‧噴嘴支撐構件
43a‧‧‧升降導件
44‧‧‧噴嘴待機部
45‧‧‧噴嘴前端管理部
45a‧‧‧擦拭部
45b‧‧‧導軌
50a‧‧‧處理室
51‧‧‧第一開口部
52‧‧‧第二開口部
55‧‧‧基板搬運部
57‧‧‧滾輪
59‧‧‧排氣部
59a‧‧‧第一吸引部
59b‧‧‧第二吸引部
60a‧‧‧處理室
61‧‧‧開口部
65‧‧‧基板搬運部
66‧‧‧基板引導台
67‧‧‧滾輪
68‧‧‧氣體供給部
69‧‧‧排氣部
70‧‧‧加熱部
71‧‧‧機械臂部
72‧‧‧搬運臂
72a‧‧‧基板支撐部
72b‧‧‧移動部
73‧‧‧機械臂驅動部
74‧‧‧架台
81‧‧‧第一收容部
82‧‧‧第二收容部
82a‧‧‧緣部
83‧‧‧第一加熱部
83a‧‧‧貫通孔
84‧‧‧第二加熱部
85‧‧‧升降部
86‧‧‧密封部
87‧‧‧氣體供給部
88‧‧‧排氣部
88a‧‧‧吸引源
88b‧‧‧連接管
CTR‧‧‧塗佈裝置
LU‧‧‧基板供給回收部
NZ‧‧‧噴嘴
NA‧‧‧噴嘴驅動部
CB1‧‧‧第一腔室
CB2‧‧‧第二腔室
CB3‧‧‧第三腔室
CONT‧‧‧控制部
BK‧‧‧燒結部
CT‧‧‧塗佈部
VD‧‧‧減壓乾燥部
BC‧‧‧基台
CN‧‧‧連接部
SR1~SR4‧‧‧溶媒濃度感測器
NZa‧‧‧本體部
NZb‧‧‧突出部
OP‧‧‧吐出口
AL1~AL3‧‧‧預燃室
GX1、GX2‧‧‧手套部
V1~V3‧‧‧閘閥
第1圖為表示本發明之實施型態所涉及之塗佈裝置之全體構成的圖示。
第2圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之全體構成的圖示。
第3圖為表示與本實施型態有關之噴嘴之構成的圖示。
第4圖為表示與本實施型態有關之噴嘴之構成的圖示。
第5圖為表示與本實施型態有關之塗佈部之一部分之構成的圖示。
第6圖為表示與本實施型態有關之減壓乾燥部之構成的圖示。
第7圖為表示與本實施型態有關之燒結部之一部分之構成的圖示。
第8圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之塗佈處理之過程的圖示。
第9圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之塗佈處理之過程的圖示。
第10圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之塗佈處理之過程的圖示。
第11圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之塗佈 處理之過程的圖示。
第12圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之塗佈處理之過程的圖示。
第13圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之減壓乾燥處理之過程的圖示。
第14圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之減壓乾燥處理之過程的圖示。
第15圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之減壓乾燥處理之過程的圖示。
第16圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之減壓乾燥處理之過程的圖示。
第17圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之燒結處理之過程的圖示。
第18圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之燒結處理之過程的圖示。
第19圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之燒結處理之過程的圖示。
第20圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之燒結處理之過程的圖示。
第21圖為表示與本實施型態有關之塗佈裝置之燒結處理之過程的圖示。
第22圖為與表示本發明之變形例有關之塗佈裝置之構成的圖示。
第23圖為與表示本發明之變形例有關之塗佈裝置之 構成的圖示。
10‧‧‧腔室
10a‧‧‧收容室
11‧‧‧第一開口部
12‧‧‧第二開口部
14‧‧‧蓋部
15‧‧‧基板搬運部
17‧‧‧滾輪
20a‧‧‧處理室
21‧‧‧第一開口部
22‧‧‧第二開口部
25‧‧‧基板搬運部
27‧‧‧滾輪
28‧‧‧處理台
31‧‧‧吐出部
32‧‧‧維修部
33‧‧‧液狀體供給部
33a‧‧‧第一液狀體收容部
33b‧‧‧第二液狀體收容部
34‧‧‧洗淨液供給部
35‧‧‧廢液貯留部
35a‧‧‧廢液收容部
37‧‧‧氣體供給排出部
37a‧‧‧氣體供給部
37b‧‧‧排氣部
38a‧‧‧第一框架
38b‧‧‧第二框架
40‧‧‧固定子
41‧‧‧可動子
43a‧‧‧升降導件
44‧‧‧噴嘴待機部
45‧‧‧噴嘴前端管理部
45a‧‧‧擦拭部
45b‧‧‧導軌
51‧‧‧第一開口部
52‧‧‧第二開口部
55‧‧‧基板搬運部
57‧‧‧滾輪
60a‧‧‧處理室
61‧‧‧開口部
65‧‧‧基板搬運部
67‧‧‧滾輪
70‧‧‧加熱部
71‧‧‧機械臂部
72‧‧‧搬運臂
72a‧‧‧基板之稱部
72b‧‧‧移動部
73‧‧‧機械臂驅動部
74‧‧‧架台
CTR‧‧‧塗佈裝置
LU‧‧‧基板供給回收部
NZ‧‧‧噴嘴
NA‧‧‧噴嘴驅動部
CB1‧‧‧第一腔室
CB2‧‧‧第二腔室
CB3‧‧‧第三腔室
CONT‧‧‧控制部
BK‧‧‧燒結部
CT‧‧‧塗佈部
VD‧‧‧減壓乾燥部
CN‧‧‧連接部
SR1~SR4‧‧‧溶煤濃度感測器
AL1~AL4‧‧‧預燃室
V1~V3‧‧‧閘閥
GX1、GX2‧‧‧手套部

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，具備：具有在基板形成包含易氧化性之金屬及溶媒之液狀體之塗布膜之塗佈部的第一腔室；具有加熱上述塗佈膜之第一加熱部的第二腔室；及連接上述第一腔室和上述第二腔室之間的連接部，在上述連接部設置有加熱被塗佈在上述基板之上述塗布膜的第二加熱部及調整上述塗佈膜之周圍之壓力的壓力調整部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中具備調整上述第二加熱部和上述基板之距離的距離調整部。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中上述距離調整部具有使上述第二加熱部及上述基板中之至少一方之移動對象物移動的移動部。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中上述第二加熱部係與上述基板中形成有上述塗佈膜之面相向而被配置。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之基板處理裝置，其中上述移動部係使上述移動對象物在垂直方向移動。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中上述連接部具有對上述塗佈膜之周圍供給氣體之氣體供給部。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中上述連接部具有包圍上述基板及上述第二加熱部的第三腔室。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置，其中具備在上述第一腔室、上述第三腔室、上述第二腔室之間串聯性地搬運上述基板的基板搬運部。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中上述第一加熱部係以上述塗佈膜所含之易氧化性之上述金屬中之至少一部熔融之溫度加熱上述塗佈膜。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中具備第四腔室，該第四腔室具有以較藉由上述第一加熱部所產生之加熱溫度高的溫度，加熱藉由上述第一加熱部而被加熱之上述塗佈膜的第三加熱部。
  11. 一種基板處理方法，包含：具有在第一腔室中，在基板形成包含易氧化性之金屬及溶媒之液狀體之塗布膜的塗佈步驟； 將形成有上述塗佈膜之上述基板搬運至經連接部而連接於上述第一腔室之第二腔室的搬運步驟；及在上述第二腔室中，加熱形成在上述基板之上述塗佈膜的加熱步驟；上述搬運步驟係在上述連接部中，加熱被塗佈在上述基板之上述塗佈膜，並且調整上述塗佈膜之周圍之壓力，並使上述塗佈膜所含之上述溶媒之至少一部分氣化的乾燥步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之基板處理方法，其中包含於上述加熱步驟之後，將上述塗佈膜及上述基板冷卻至特定溫度的冷卻步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之基板處理方法，其中包含於上述冷卻步驟之後，將上述基板從上述第二腔室搬運至上述第一腔室的第二搬運步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理方法，其中於上述第二搬運步驟之後，對上述基板，重複進行上述塗佈步驟、上述搬運步驟、上述加熱步驟、上述冷卻步驟及上述第二搬運步驟，依此使上述塗佈膜疊層在上述基板。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之基板處理方法，其中 包含於使上述塗佈膜疊層於上述基板之後，以較上述加熱步驟中之加熱溫度高的溫度對被疊層之上述塗佈膜加熱的第二加熱步驟。
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