TWI455861B - 基板加工工具、半導體加工工具、及基板加工裝置 - Google Patents

Claims (38)

1. 一種基板加工工具，包含：一構架，其構成用以保持控制氛圍的至少一隔離艙；至少二基板支承，其設置在各該至少一隔離艙內，各該至少二基板支承係互相疊置及用以抓持對應的基板；及一冷卻單元，其聯通性聯結於該至少二基板支承上，於是該至少二基板支承與該冷卻單元對設置於該至少二基板支承上之各對應的該基板同時產生傳導性冷卻作用；其中該至少二基板支承係可相對於該構架調整，使得該至少二基板支承之間的一間距可根據該至少二基板支承之間的一預定距離而調整。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板加工工具，其中該至少一隔離艙包括至少二隔離式艙，各用以保持控制氛圍，該至少二隔離式艙係互相疊置。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板加工工具，其中該至少二隔離式艙之第一個係用以沿著第一方向運送基板，而該至少二隔離式艙之第二個係用以沿著第二方向運送基板，其中該第一及第二方向係互不相同。
4. 如申請專利範圍第2項所述之基板加工工具，其中各該至少二隔離式艙係用以提供雙向基板運送。
5. 如申請專利範圍第1項所述之基板加工工具，其中該至少一隔離式艙包括有一排氣埠口及一真空埠口，該基板加工工具另外具有一常壓控制模組用以聯結於該排氣埠口及該真空埠口以進行至少一隔離式艙內之控制氛圍之 排氣及/或抽氣。
6. 如申請專利範圍第1項所述之基板加工工具，其中該至少一隔離式艙包括有一排氣埠口，該基板加工工具另外具有複數個互換式排氣模組，各用以聯結於排氣埠口，其中各該複數個互換式排氣模組具有與該複數個互換式排氣模組的另一者互不相同之排氣外型。
7. 如申請專利範圍第1項所述之基板加工工具，其中該至少二基板支承係固定相對於該構架。
8. 一種半導體加工工具，包含：一構架，其構成至少一艙，該至少一艙具有一開口及具有沿著該開口的周緣之一密封表面；一門，其與該密封表面交互作用以密封該開口，該門具有實質地垂直於該密封表面並實質地垂直於被轉移通過該開口的一基板的一轉移平面之側面；及至少一驅動器，其設在該構架上並至少部份地側向延著該等側面的至少一者，該等側面係實質地垂直於該密封表面並實質地垂直於被轉移通過該開口的該基板的該轉移平面，該至少一驅動器具有至少部份設在密封表面前端之傳動器，而該傳動器係聯結於該門以使該門移動至且自一密封狀態；其中至少一驅動器係設在基板轉移區之外側以將基板通過開口轉移進出該至少一艙。
9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體加工工具，其中係利用驅動連桿將該門聯結於該傳動器，該等驅動連 桿係設在密封表面前側及實質地與密封表面呈平行。
10. 如申請專利範圍第8項所述之半導體加工工具，其中該傳動器具有可卸離式安裝於該構架上之模組式組裝。
11. 如申請專利範圍第8項所述之半導體加工工具，其中該傳動器具有一或二個活動軸，係用以將該門移離該密封表面以將該門移離密封狀態。
12. 如申請專利範圍第8項所述之半導體加工工具，其中該門係常壓門或真空有槽閥。
13. 如申請專利範圍第8項所述之半導體加工工具，其中該密封表面係可移離該構架者。
14. 一種半導體加工工具，包含：一構架，其構成至少一艙，該構架具有一凹部及設在該凹部內之至少一孔口以供存取對應之至少一艙；卸離式的一鑲嵌部，其聯結於該構架，該鑲嵌部具有設計以配合該凹部之外周緣部，並具有與外周緣部呈單體構造之一內槽部，設計以至少局部配合該至少一孔口；至少一門，其連接於該構架用以覆蓋該至少一孔口，該至少一門具有一門密封部以與該外周緣部交互作用以密封該至少一孔口；及至少一鑲嵌部密封部，其設在該凹部且圍繞於各該至少一孔口，該至少一鑲嵌部密封部係與該鑲嵌部相異，並設計以與該鑲嵌部交互作用而形成該鑲嵌部與該構架之間之密封。
15. 如申請專利範圍第14項所述之半導體加工工具，其中該至少一艙係用以維持控制氛圍，該鑲嵌部密封部係用以密封控制氛圍以隔離與控制氛圍不同之外界氛圍。
16. 如申請專利範圍第14項所述之半導體加工工具，其中該外周緣部係延伸超過該至少一門之周邊。
17. 如申請專利範圍第14項所述之半導體加工工具，其中該至少一孔口之尺寸係經設計以提供至少一基板及運載該至少一基板之運送裝置之至少一部份通過之最少淨距。
18. 如申請專利範圍第14項所述之半導體加工工具，其中該至少一門係聯結於設在一基板轉移區的外側之至少一模組化驅動器以將基板轉移通過該至少一孔口。
19. 如申請專利範圍第18項所述之半導體加工工具，其中該至少一模組化驅動器係卸離式聯結於構架，至少部份位於卸離式的該鑲嵌部之一門介面的前側。
20. 一種基板加工裝置，包含：一第一艙，其於該第一艙內設有一第一冷卻表面；一第一基板支承，其固定設置於該第一艙內及設計以支承一第一基板；及一第一夾頭，其至少部份設在該第一艙內，該第一夾頭具有一第二冷卻表面實質地設在該第一冷卻表面之對側，而一第二基板支承係衍生自該第一夾頭，該第二基板支承係設計以支承一第二基板； 其中該第一夾頭係在加載位置與冷卻位置之間移動自如，其中當位於冷卻位置時該第二冷卻表面係實質地接觸該第一基板之表面，而該第一冷卻表面係實質地接觸該第二基板之表面。
21. 如申請專利範圍第20項所述之基板加工裝置，另外包括一第二艙，該第二艙包括：一第三冷卻表面，其設在該第二艙內；一第三基板支承，固定設置於該第二艙內並用以支承一第三基板；及一第二夾頭，其至少部份設在該第二艙內，該第二夾頭具有一第四冷卻表面，設在該第三冷卻表面之對側，該第二夾頭具有衍生之一第四基板支承，該第四基板支承係用以支承一第四基板；其中該第二夾頭係在加載位置與冷卻位置之間移動自如，其中當位於冷卻位置時該第四冷卻表面係實質地接觸該第三基板之表面，而該第三冷卻表面係實質地接觸該第四基板之表面。
22. 如申請專利範圍第21項所述之基板加工裝置，其中該第一艙及該第二艙係設計使該第一夾頭及該第二夾頭係實質地互相對置。
23. 如申請專利範圍第21項所述之基板加工裝置，其中該第一夾頭及該第二夾頭係互相獨立移動自如。
24. 如申請專利範圍第21項所述之基板加工裝置，其中該第一艙及該第二艙係互相隔離。
25. 如申請專利範圍第20項所述之基板加工裝置，其中該第一基板支承係設於該第二冷卻表面與該第二基板支承之間。
26. 如申請專利範圍第20項所述之基板加工裝置，另外包括設在該第一艙之內之一冷卻介面，用以接合該第一夾頭及轉移來自該第一基板之熱量。
27. 如申請專利範圍第20項所述之基板加工裝置，其中該第一夾頭及該第一冷卻表面具有流體通道設計作為流通對應的該第一夾頭與該第一冷卻表面之冷卻流體之通道，該冷卻流體係用以自對應的該第一基板及該第二基板轉移熱量。
28. 如申請專利範圍第20項所述之基板加工裝置，其中該第一冷卻表面及該第二冷卻表面係用以傳導性冷卻對應的該第一基板及該第二基板。
29. 如申請專利範圍第20項所述之基板加工裝置，另外包括實質地設置於該第一基板支承與該第二基板支承之間之流體通道，該流體通道係設計以促成該第一基板及該第二基板之間之流體流通，該流體流通係用以促成熱屏障作為該第一基板及該第二基板之間之對流熱轉移。
30. 如申請專利範圍第29項所述之基板加工裝置，其中該流體通道係形成於該第一基板支承內。
31. 一種基板加工裝置，包含：一構架，其構成一隔離式艙，用以支承至少一基板，該隔離式艙包括一艙壁體；及 至少一加熱元件，其合併於該艙壁體用以加熱該艙壁體；其中該艙壁體係設計使艙壁體的表面積與隔離式艙的體積之比例係最大化，藉此促成該艙壁體與該隔離式艙內氣體之間之最適熱轉移；其中該艙壁體另外設計以維持抽氣循環期間在該隔離式艙內之氣體之初始氣體溫度，使抽氣期間因絶熱膨脹而降低之氣體溫度保持在預定範圍以上以使該隔離式艙內之微粒產生減為最低。
32. 如申請專利範圍第31項所述之基板加工裝置，其中該隔離式艙之該艙壁體之外形係設計以配合通過該隔離式艙之基板之路徑，使該基板與該艙壁體之間保持最小淨距。
33. 如申請專利範圍第31項所述之基板加工裝置，另外包括用以進行該隔離式艙之抽氣作用之一真空系統。
34. 如申請專利範圍第31項所述之基板加工裝置，另外包括至少一排氣閥用以使進入該隔離式艙之氣體的容積流量最大化，其中該氣體的容積流量具有低平均氣體流速以使該隔離式艙之排氣循環的期間之微粒產生減為最低。
35. 如申請專利範圍第34項所述之基板加工裝置，其中該隔離式艙係設計使抽氣循環與排氣循環發生於連接於該隔離式艙之一加工模組中之基板之加工時間內。
36. 如申請專利範圍第31項所述之基板加工裝置， 其中該隔離式艙之內部體積係設計以使該隔離式艙之排氣循環時間減為最短。
37. 如申請專利範圍第31項所述之基板加工裝置，另外包括設在該隔離式艙內之一基板加工裝置。
38. 如申請專利範圍第31項所述之基板加工裝置，另外包括一排氣源設計以將引流入該隔離式艙前之氣體加熱至一預定溫度。