KR20090032957A - 기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체 - Google Patents

기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체 Download PDF

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KR20090032957A
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Abstract

기판을 반송하는 동안, 또는 기판의 위치 조정을 실시하는 동안에 그 기판의 온도 조정을 실시하는 것이다. 기판의 이면에 대향하는 기판 유지면을 구비한 기판 유지부와, 각각 기판의 이면을 지지하고, 기판과의 마찰력에 의하여 해당 기판의 상기 기판 유지면에 대한 슬라이딩을 방지하는 볼록부와, 상기 기판 유지면에 개구되고, 기판의 이면을 향하여 가스를 토출하는 가스 토출구와, 그 한 끝 단이 상기 가스 토출구에 접속된 가스 유로를 유통하는 가스를 온도 조정하는 온도 조정부를 구비하고, 기판의 이면으로 토출된 상기 가스는 기판 유지면과 기판과의 간극을 흐르고, 그 간극의 압력이 저하되는 베르누이 효과에 의하여, 상기 기판이 기판 유지부를 향하여 흡인됨으로써 기판을 유지하도록 기판 유지 장치를 구성한다. 이 기판 유지 장치는 기판 반송 수단 또는 기판 위치 조정 수단에도 적용할 수 있다.

Description

기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체 {SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS, SUBSTRATE SUPPORTING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 대기 분위기 중에서 기판을 유지하는 기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 기판 유지 장치를 이용한 반도체 제조 장치 및 상기 기판 유지 장치의 동작을 제어하는 프로그램을 기억한 기억 매체에 관한 것이다
반도체 디바이스 또는 액정 표시 장치 등의 플랫 패널의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함) 또는 유리 기판이라고 하는 기판을 캐리어에 수납하여, 반도체 제조 장치(플랫 패널의 제조 장치도 포함함)의 반입 포트에 반입하고, 이 장치 내의 반송 암에 의하여 캐리어로부터 기판을 취출(取出)하여 처리 모듈로 반송하는 것이 실시되고 있다.
상기 반도체 제조 장치의 일례로서, 상기 반입 포트에 접속된 대기 분위기의 제 1 반송실과, 에칭 처리 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의한 성막 처리를 실시하는 복수의 처리 모듈에 접속된 처리 모듈에 공통의 진공 분위기의 제 2 반송실과, 제 1 반송실과 제 2 반송실과의 사이에 설치된 진공 분위기 및 대기 분 위기를 전환하여, 웨이퍼를 대기시키기 위한 로드록실을 구비한 멀티 챔버 시스템으로 불리우는 장치가 있다. 상기 제 1 반송실, 제 2 반송실에는 각각 그 선단의 웨이퍼 유지부(피크)가 웨이퍼의 이면을 유지하도록 구성된 다관절의 반송 암이 설치되어 있고, 또한, 제 1 반송실에는 웨이퍼의 위치 조정을 실시하기 위한 오리엔터를 구비한 얼라인먼트실이 접속되어 있다. 상기 오리엔터는, 웨이퍼의 중앙 이면을 유지하는 받침대(스테이지)를 거쳐 웨이퍼를 수직 축 주위로 회전시켜, 해당 웨이퍼의 주연부에 형성된 노치가 소정의 방향을 향하도록 웨이퍼의 위치 조정을 실시한다.
캐리어로부터 반출된 웨이퍼는, 오리엔터에 의한 위치 조정 후에, 각 반송 암에 의하여 처리 모듈로 반송되어 처리를 받은 후, 로드록실에 체류되어 냉각된 후에 캐리어로 되돌려진다. 이와 같이, 웨이퍼를 냉각한 후 캐리어로 되돌리는 것은, 고온의 웨이퍼가 캐리어로 반입되면, 캐리어를 구성하는 성분이 파티클이 되어 비산하여, 웨이퍼에 부착될 우려가 있기 때문이다.
그런데, 어느 소정의 온도로 가열된 웨이퍼에는 파티클이 부착되기 어려운 것이 사실이고, 또한, 상기 CVD를 실시하는 처리 모듈로 반송하기 전에 웨이퍼를 가열하여, 부착되어 있는 유기물을 날려 제거하여, 형성되는 막 중에 불순물이 혼입되는 것을 방지하고, 또한 상술한 캐리어로 되돌리기까지 로드록실에서의 냉각 시간을 단축시켜 스루풋을 향상시키는 것이 요구되고 있다. 이러한 사정으로부터, 반송 암 및 오리엔터에 웨이퍼의 가열 수단과 냉각 수단을 구비한 온도 조정 기능을 설치하여, 웨이퍼의 반송 중 및 위치 조정 중에 온도 조정을 실시하는 것이 검 토되고 있다.
또한, 반도체 제조 장치로는, 멀티 챔버 시스템 외에도, 반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 이용되는 도포, 현상 장치가 있다. 이 도포, 현상 장치는, 일반적으로 노광 장치에 접속되고, 레지스트를 웨이퍼에 도포한 후, 노광 장치로 반입하고, 노광 처리를 종료하여 노광 장치로부터 되돌려진 웨이퍼에 대하여 현상 처리를 실시한다. 레지스트 도포 후, 노광 장치로 반입될 때까지, 웨이퍼는 노광 장치 내의 온도에 따라 소정의 온도, 예를 들면 23℃로 조정될 필요가 있고, 또한, 레지스트 도포 후 노광 처리 전에, 상술한 오리엔터에서 위치 조정될 필요가 있다. 따라서, 도포 현상 장치에 상술한 온도 조정 기능을 구비한 오리엔터를 설치함으로써, 웨이퍼의 위치 조정과 온도 조정을 동시에 실시할 수 있어, 스루풋의 향상을 도모할 수 있으므로 유리하다.
이러한 온도 조정 기능을 구성하는 가열 수단으로서, 예를 들면, 시트 형상의 전열선 히터를 반송 암의 웨이퍼 유지부, 오리엔터의 받침대 각각의 웨이퍼와의 접촉 부분에 붙이는 것을 생각할 수 있고, 또한, 온도 조정 기능을 구성하는 냉각 수단으로서, 예를 들면, 상기 웨이퍼와의 접촉 부분에 액체인 냉매의 유로를 형성하여, 그 냉매를 유통시키는 것을 생각할 수 있다.
그러나 반송 암의 웨이퍼 유지부는, 반도체 제조 장치의 각 실로 웨이퍼를 반송하기 위하여, 그 회전 각도가 크게 구성되어 있고, 또한, 오리엔터의 받침대도 웨이퍼의 노치를 검출하기 위하여, 적어도 360도 회전할 필요가 있어, 그 회전 각도가 크다. 이와 같이, 회전 각도가 큰 것에 대하여, 상기 히터를 설치하여 배선을 행하면, 그 회전에 의하여 상기 배선이 바닥(floor)에 끌려, 마모되어 절단되기 쉽다고 하는 문제가 있다. 또한, 반송 암의 웨이퍼 유지부에 히터가 설치되면, 그 중량이 증가되어 반송 암의 각 부로의 부하가 커져, 부품의 마모가 커질 우려가 있고, 그 외에도, 그 두께가 커짐으로써 반송 처의 각 모듈의 설계 변경을 실시할 필요가 생길 우려가 있으므로 실용적이지 않다.
그리고, 상기 웨이퍼 유지부 및 상기 받침대에 상기와 같이 냉매의 유로를 형성하는 경우에는, 냉매의 누설 대책이 필요해지므로 실용적이지 않고, 또한, 상기 웨이퍼 유지부에 그 유로를 형성한 경우에는, 이러한 문제 외에, 히터를 설치하는 경우와 마찬가지로, 웨이퍼 유지부의 두께 및 중량이 증가된다고 하는 문제가 발생된다. 또한, 특허 문헌 1에는 관절형(關節型)의 반송 암에 대하여 기재되어 있으나, 상기의 문제에 대해서는 기재되어 있지 않다.
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2000-72248호
본 발명은, 이러한 사정에 기초하여 실시된 것으로서, 그 목적은, 대기 분위기에서 기판을 반송하는 동안, 또는 기판의 위치 조정을 실시하는 동안에 그 기판의 온도 조정을 실시할 수 있는 기판 유지 장치, 기판 유지 장치를 구비한 반도체 제조 장치, 기판 유지 방법, 이 방법을 실시하기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공하는 것이다
본 발명의 기판 유지 장치는, 기판의 이면에 대향하는 기판 유지면을 구비한 기판 유지부와, 상기 기판 유지면 상에 복수 설치되고, 각각 기판의 이면을 지지하고, 기판과의 마찰력에 의하여 해당 기판의 상기 기판 유지면에 대한 슬라이딩을 방지하는 볼록부와, 상기 기판 유지면에 개구되고, 기판의 이면을 향하여 가스를 토출하는 가스 토출구와, 그 한 끝 단이 상기 가스 토출구에 접속되고, 또한 그 타단이 그 가스 토출구로 가스를 공급하기 위한 가스 공급원에 접속된 가스 유로와, 상기 가스 유로를 유통하는 가스를 온도 조정하는 온도 조정부를 구비하고, 기판의 이면으로 토출된 상기 가스는 기판 유지면과 기판과의 간극을 흐르고, 그 간극의 압력이 저하되는 베르누이 효과에 의하여, 상기 기판이 기판 유지부를 향하여 흡인됨으로써 기판을 유지하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 유지부는 수직 축 주위로 회전을 가능하게 하고, 또한 진퇴를 가능하게 하기 위한 작동 기구를 구비하고 있어도 좋고, 이 경우, 상기 작동 기구는 상기 기판 유지부와 함께 관절형 암(arm)을 구성하는 것이어도 좋다. 또한, 상기 작동 기구의 내부에 상기 가스 유로가 형성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 기판은 반도체 웨이퍼이며, 상기 기판 유지부는 반도체 웨이퍼의 방향을 검출하고, 그 방향을 사전에 설정한 방향으로 조정하기 위한 회전 스테이지로서 구성되어 있어도 좋다.
본 발명의 기판 유지 방법은, 기판 유지부에 설치된 기판의 이면에 대향하는 기판 유지면 상에 복수 설치되고, 각각 기판의 이면을 지지하고, 기판과의 마찰력에 의하여 해당 기판의 상기 기판 유지면에 대한 슬라이딩을 방지하는 볼록부 상에 재치된 기판의 이면을 향하여, 상기 기판 유지면에 개구된 가스 토출구로부터 가스를 토출하는 공정과, 그 한 끝 단이 상기 가스 토출구에 접속되고, 또한 그 타단이 가스 공급원에 접속된 가스 유로를 유통하는 가스를 온도 조정부에 의하여 온도 조정하는 공정과, 기판의 이면으로 토출된 상기 가스가 기판 유지면과 기판과의 간극을 흐르고, 그 간극의 압력이 저하되는 베르누이 효과에 의하여, 해당 기판이 유지부를 향하여 흡인됨으로써 기판을 유지하는 기판 유지부에 의하여 기판을 유지하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 제조 장치는, 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 재치부를 구비한 대기 분위기의 제 1 반송실과, 기판을 재치하는 재치대가 설치되고, 진공 분위기, 대기 분위기가 각각 전환되는 로드록실과, 상기 로드록실을 거쳐 제 1 반송실에 접속된, 기판에 진공 처리를 실시하기 위한 진공 처리 모듈과, 상기 제 1 반송실에 설치된 캐리어와 로드록실과의 사이에서 기판을 전달하기 위한 제 1 기판 반송 수단과, 로드록실과 진공 처리 모듈과의 사이에서 기판을 전달하기 위한 제 2 기판 반송 수단을 구비하고, 상기 제 1 기판 반송 수단은 상술한 본 발명의 기판 유지 장치로 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기 제 1 반송실에는 기판의 위치 조정을 실시하기 위한 기판 위치 조정 수단을 구비한 얼라인먼트실이 접속되어 있고, 상기 기판 위치 조정 수단은 상술한 회전 스테이지로 구성된 기판 유지 장치로 구성되어 있어도 좋다.
본 발명의 기억 매체는, 기판 유지 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체로서, 상기 프로그램은 상술한 기판 유지 방법을 실행하기 위하여 단계가 짜여있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 유지 장치는, 볼록부 상에 지지된 기판의 이면으로, 가스 토출구로부터 가스를 토출하여, 베르누이 효과에 의하여 기판을 흡인하여 유지하는 기판 유지부와, 그 가스 토출구에 접속된 가스 유로를 유통(流通)하는 가스의 온도 조정부가 설치되어 있으므로, 기판 유지 중에 그 기판의 온도를 조정할 수 있다. 예를 들면, 반도체 제조 장치에 설치되는 기판 반송 수단 또는 기판 위치 조정 수단에 본 발명을 적용함으로써, 기판의 가열과 반송을 각각 별도로 실시하는 경우, 또는 기판의 가열과 위치 조정을 각각 별도로 실시하는 경우에 비하여 스루풋의 향상을 도모할 수 있고, 또한, 이들 반송 중 또는 위치 조정 중에 기판을 소정의 온도로 함으로써, 해당 기판에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
［제 1 실시예］
본 발명의 기판 유지 장치의 제 1 실시예로서, 기판인 웨이퍼를 반송하는 반송 장치에 적용한 예에 대하여 설명한다. 반송 장치(1)는, 베르누이 효과를 이용한 베르누이 척을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착하여 반송을 실시하는 것이며, 그 베르누이 효과를 얻기 위하여 대기 분위기 중에 설치된다. 도 1은 반송 장치(1)의 사시도이며, 이 도면에 도시한 바와 같이, 반송 장치(1)는, 그 선단측이 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지부(피크)(31)와 중단(中段) 암부(11)와 선회(旋回) 암부(12)를 구비하고 있다. 웨이퍼 유지부(31)의 기단(基端)측은 중단 암부(11)의 선단측에, 중단 암부(11)의 기단측은 선회 암부(12)의 선단측에, 각각 수직 축 주위로 회전이 가능하게 연결되어 있고, 반송 장치(1)는 주지의 관절형(스칼라형) 반송암으로 구성되어 있다. 또한, 선회 암부(12)의 기단측은 기대(13)에 수직 축 주위로 회전이 가능하게 접속되어 있다.
도 2는 웨이퍼 유지부(31)의 기단측, 중단 암부(11), 선회 암부(12) 및 기대(13)의 종단 측면을 도시한 것이며, 이 도면에 도시한 바와 같이, 중단 암부(11) 및 선회 암부(12)는 알루미늄제(製)의 케이싱(11a, 12a)을 본체로 하여 구성되어 있다. 케이싱(11a, 12a) 내의 공간(11b, 12b)에는 웨이퍼 유지부(31)와 중단 암부(11)를 연결하는 회전 축(21a) 및 지지 축(21b), 중단 암부(11)와 선회 암부(12)를 연결하는 회전 축(22a) 및 지지 축(22b)이 각각 수납되어 있다.
또한, 선회 암부(12)의 기단측에 설치된 회전 축(23) 및 선회 축(24)은, 이들 축(23, 24)을 각각 독립적으로 수직 축 주위로 회전시키기 위한, 예를 들면, 모 터로 이루어진 구동 기구(20)와 접속되어 있다. 또한, 도면 중 25a, 25b는 타이밍 벨트, 26a, 26b, 26c, 26d는 풀리(pulley)로서, 전술한 구동 기구(20)로부터의 구동력을 전달하는 전달 기구로서의 역할을 수행한다. 서로 회전이 가능하도록 연결된 부재끼리의 사이에는, 예를 들면, 베어링으로 이루어진 축수부(軸受部)(27a ~ 27g)가 개재 삽입되어 있다.
이상의 구성에 의하여, 선회 축(24)을 정지한 상태에서 회전 축(23)을 구동시키면, 선회 암부(12) 및 웨이퍼 유지부(31)가 동일한 방향으로 회전하는 한편, 중단 암부(11)는 이들 회전을 없애는 방향으로, 반대로 회전한다. 그 결과, 이들의 움직임이 조합됨으로써, 반송 장치(1)는, 도 1 중에서 파선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 유지부(31)를 전후 방향으로 이동시키는 신축(伸縮) 동작을 실시한다. 이에 대해, 회전 축(23)과 선회 축(24)을 동일한 방향으로 구동시키면, 반송 장치(1)는 상기 신축 동작을 실시하지 않고, 선회 암부(12)의 수평 방향으로의 선회 동작을 실시한다. 상기 신축 동작에서의 웨이퍼 유지부(31)의 정지 위치는, 반송 장치(1)를 연장하는 동작을 개시하고나서 정지할 때까지의 구동 기구(20)의 구동량(예를 들면, 모터의 회전량)으로 제어되고, 이 구동 기구(20)의 동작은 후술하는 제어부(1A)에 의하여 제어된다.
중단 암부(11)의 선단측의 지지 축(21b), 선회 암부(12)의 선단측의 지지 축(22b), 선회 축(24)에는, 각각 축 방향으로 형성된 공동부(空洞部)인 배관로(28a, 28b, 28c)가 설치되어 있다. 도면 중, 23a, 24a, 13a는 각각 회전 축(23), 선회 축(24), 기대(13)에 형성된 관통 홀이다. 또한, 풀리(26b)에는 배관로(28b) 및 공간(11b)에 연통하는 홀(26c)이 개구되어 있다.
웨이퍼 유지부(31)의 기단 측에는 에어 공급관(41)의 한 끝 단이 접속되어 있고, 에어 공급관(41)의 타단은 웨이퍼 유지부(31)의 기단측에 설치된 공간(32)으로부터 배관로(28a)를 거쳐 공간(11b) 내에 배열되고, 또한, 홀(26c), 배관로(28b)를 순서대로 지나, 공간(12b) 내에 배열되어, 배관로(28c)에 도입되어 있다. 그리고 배관로(28c)로 도입된 그 타단은, 관통 홀(24a), 관통 홀(23a)을 순서대로 지나, 회전 축(23)의 외부로 인출(引出)되고, 또한, 관통 홀(13a)을 거쳐 기대(13)의 외부로 인출되어, 에어 공급관(41a) 및 에어 공급관(41b)에 분기(分岐)되어 있다. 에어 공급관(41a)의 단부, 에어 공급관(41b)의 단부는 각각, 가열부(43), 냉각부(44)를 거쳐 드라이 에어가 저장된 에어 공급원(45)에 접속되어 있다.
또한, 에어 공급관(41a, 41b)에서, 에어 공급원(45)과 가열부(43)의 사이 및 에어 공급원(45)과 냉각부(44)의 사이에는, 밸브 또는 매스 플로우 콘트롤러 등으로 이루어진 유량 제어부(46)가 개재되어 있다.
가열부(43) 및 냉각부(44)는 온도 조정부(4)를 구성하고 있고, 가열부(43)는 에어 통유로(通流路)에 히터를 설치하여 구성되고, 제어부(1A)에 의하여 그 히터로 공급되는 전력이 제어되어, 에어 공급관(41a)을 통과하는 에어의 온도가 제어된다. 냉각부(44)는 열 교환기의 2 차측 유로로서 구성되고, 해당 열 교환기의 1 차측 유로를 흐르는 냉매와의 사이의 교환 열량을, 예를 들면, 제어부(1A)에 의하여 그 냉매의 유통량을 조정함으로써 제어하고, 이로써 에어 공급관(41b)의 가스의 온도가 제어된다. 또한, 제어부(1A)는 유량 제어부(46)를 거쳐 에어 공급관(41a, 42b)을 각각 유통하는 에어의 유량을 제어한다.
반송 장치(1)의 내부에서, 에어 공급관(41)은 각 회전 축(21a, 22a, 23), 또는, 선회 축(24) 등의 회전에 의하여 인장(引張)되어 끊어지지 않도록, 탄성을 갖는 부재, 예를 들면, 고무 등으로 형성되고, 또한, 권선부(卷線部)를 형성한 상태 또는 느슨한 상태로 배관되어 있다.
이어서, 도 3 및 도 4도 참조하여 웨이퍼 유지부(31)에 대하여 설명한다. 도 3, 도 4는 각각 웨이퍼 유지부(31)의 상면도, 종단 측면도이다. 이 웨이퍼 유지부(31)는, 예를 들면, 선단측이 양 갈래로 나뉘어진 포크 형상을 갖고 있으며, 예를 들면, 세라믹스 또는 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 후술하는 바와 같이, 웨이퍼 유지부(31)는 베르누이 척으로 구성되어 있고, 도 4 중 L1에 도시한 그 두께는, 예를 들면 2 mm ~ 4 mm이다. 웨이퍼 유지부(31)의 내부에는 해당 웨이퍼 유지부(31)의 기단측으로부터 선단측을 향하여 연장되는 에어의 유로(33)가 형성되어 있고, 웨이퍼 유지부(31)의 상면(31a)에는 이 유로(33)에 연통된 에어의 토출구(34)가 복수 개구되어 있다. 유로(33)의 기단측은 상기 에어 공급관(41)에 접속되어 있고, 따라서, 가열부(43)에서 가열된 에어 또는 냉각부(44)에서 냉각된 에어가 토출구(34)로부터 토출되게 된다. 도 4에 도시한 바와 같이, 각 가스 토출구(34)의 구경(L2)은 5 mm ~ 20 mm이다.
웨이퍼 유지부(31)의 상면에는 볼록부인 복수의 봉(棒) 형상의 패드(35)가 설치되어 있고, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면이 이 패드(35) 상에 압압(押壓)된다. 웨이퍼 유지부(31)가 진퇴 및 수직 축 주위로 회전할 때에, 해당 웨이 퍼(W)가 패드(35) 상을 슬라이딩하여 낙하되지 않도록, 패드(35)는 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 마찰력이 큰 재질로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)의 이면이 실리콘으로 구성되는 경우에는, 예를 들면, 고무, 수지, 세라믹스 등으로 구성되는 것이 바람직하다. 도 4 중 L3에서 도시한 이 패드(35)의 높이는 0.5 mm ~ 2 mm이다.
이 반송 장치(1)에는, 예를 들면, 컴퓨터로 이루어진 제어부(1A)가 설치되어 있다. 이 제어부(1A)는, 프로그램, 메모리, CPU로 이루어진 데이터 처리부 등을 구비하고 있고, 상기 프로그램에는 제어부(1A)로부터 반송 장치(1)의 각 부로 제어 신호를 보내고, 후술하는 단계를 실시하여 웨이퍼(W)를 반송하고, 또한 그 온도를 제어할 수 있도록 되어 있다. 또한, 예를 들면, 메모리에는, 처리 압력, 처리 시간, 가스 유량, 전력 값 등의 처리 파라미터의 값이 기입된 영역을 구비하고 있으며, CPU가 프로그램의 각 명령을 실행할 때, 이들 처리 파라미터가 판독되고, 그 파라미터 값에 따른 제어 신호가 이 반송 장치(1)의 각 부위로 보내지게 된다. 이 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작 또는 표시에 관한 프로그램도 포함함)은, 컴퓨터 기억 매체, 예를 들면, 플렉서블 디스크, 컴팩트 디스크, MO(광 자기(磁氣) 디스크) 등의 기억부(1B)에 저장되어 제어부(1A)에 인스톨된다.
이어서, 상술한 실시예의 작용에 대하여 설명한다. 반송 장치(1)가 웨이퍼(W)를 소정의 모듈(반송원(搬送元) 모듈)로부터 소정의 모듈(반송처 모듈)로 반송하는 경우, 상술한 바와 같이, 구동부(20)에 의하여 중단 암부(11) 및 선회 암부(12)를 거쳐, 웨이퍼 유지부(31)가 수직 축 주위로 회전 및 진퇴하고, 반송원 모듈에 재치된 웨이퍼(W)의 이면으로 유입되다. 패드(35) 상에 웨이퍼(W)가 재치되 면, 소정의 온도로 제어된 에어가 가스 토출구(34)로부터 소정의 유량으로 토출되고, 도 4에 화살표로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면과 웨이퍼 유지부(31)의 상면과의 간극(36)을 횡방향으로 흐른다. 이 때문에, 간극(36)의 압력이 저하되어 부압이 되고, 웨이퍼(W)의 상방측의 대기압에 대하여 압력차가 발생되므로, 웨이퍼(W)에 하부측으로 향하는 힘이 작용한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 패드(35)의 상부로 압압되고, 해당 웨이퍼(W)가 웨이퍼 유지부(31) 상에 유지된다. 이 웨이퍼 유지부(31) 상에 유지되어 있는 동안에, 웨이퍼(W)는 가스 토출구(34)로부터 토출되는 에어에 노출되어 온도 조정된다.
상기 에어는, 그 때의 웨이퍼(W)의 반송 시에 요청되는 웨이퍼(W)의 온도가 되도록 온도 조정부(4)에 의하여 온도 조정된다. 예를 들면, 에칭 또는 성막 처리가 실시되기 전의 웨이퍼(W)에 대하여 파티클의 부착을 억제한다고 하는 요청에 따르기 위해서는, 에어는 가열부(43)에 의하여 소정의 온도까지 가열되어 토출구(34)로부터 토출된다. 또는, 웨이퍼(W)가 열 처리(에칭 또는 성막 처리 등을 포함함)되어 캐리어로 되돌아오는 도중이고, 반송 중에 웨이퍼(W)를 냉각하여 웨이퍼(W)의 냉각에 필요로 하는 시간을 단축하는 요청에 따르는 경우에는, 에어는 냉각부(44)에 의하여 소정의 온도까지 냉각되어 토출구(34)로부터 토출된다. 또한, 에어의 온도 조정은, 가열부(43), 냉각부(44)의 한 쪽에만 에어를 통과시키는 경우에 한정되지 않고, 양쪽 모두로 분류(分流)한 후에 합류시켜, 가열부(43)에 의한 가열 온도와 냉각부(44)에 의한 냉각 온도를 조정하여, 토출구(34)로부터 웨이퍼(W)로 공급되는 에어의 온도를 필요로 하는 온도로 조정해도 좋다.
그리고 웨이퍼(W)가 반송처 모듈로 반송될 때, 예를 들면, 그 반송처 모듈에 설치된 승강 핀이, 웨이퍼(W)의 하부측으로 향하는 힘보다 강한 힘으로 웨이퍼(W)를 상방으로 밀어 올려, 웨이퍼 유지부(31)로부터 웨이퍼(W)를 분리시켜, 웨이퍼(W)는 반송처 모듈로 전달된다.
상술한 실시예에 의하면, 반송 장치(1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 유지면(31a)으로부터 웨이퍼(W)의 이면측으로 에어를 토출하여, 베르누이 효과에 의하여 해당 웨이퍼(W)를 흡인하여 유지하고, 또한, 그 에어를 온도 조정하고 있으므로, 웨이퍼(W)의 반송 중에 해당 웨이퍼(W)에 대한 요청에 따라 가열 또는 냉각을 실시할 수 있다. 따라서, 반송 중에서의 파티클의 부착 억제 효과를 얻을 수 있고, 또는, 웨이퍼(W)를 효율적으로 온도 조정함으로써, 웨이퍼(W)의 반송과 온도 조정, 예를 들면, 냉각을 각각 별도로 실시하는 경우에 비하여 스루풋의 향상을 도모하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기의 반송 장치(1)에서는, 웨이퍼 유지부(31)에 히터를 설치하거나, 또는 액체의 냉매가 유통하는 유로 또는 그 냉매의 누설을 방지하기 위한 기구를 설치할 필요가 없고, 간소한 구조로 웨이퍼(W)를 가열 및 냉각할 수 있다.
［제 2 실시예］
이어서, 제 2 실시예로서 본 발명의 기판 유지 장치를 웨이퍼(W)의 위치 조정 수단인 오리엔터(5)에 적용한 예에 대하여, 각각 그 종단면도, 횡단 평면도인 도 5, 도 6을 참조하면서 설명한다. 오리엔터(5)는, 하우징(51)과, 하우징(51) 내를 상부실(52) 및 하부실(53)로 구획하는 구획 판(54)을 구비하고 있고, 하우 징(51)의 측벽에는 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반송구(55)가 개구되어 있다. 하우징(51) 내는 대기 분위기로 구성되어 있다. 상부실(52)에는 베르누이 척으로서 구성된 원형의 받침대(6)가 수평으로 설치되어 있고, 받침대(6)는 하부실(53)측에 설치된 회전 구동 기구(56)에 샤프트(57)를 거쳐 접속되어, 수직 축 주위로 회전할 수 있도록 구성되어 있다.
받침대(6) 내에는 에어의 유로(61)가 형성되어 있고, 유로(61)는 받침대(6)의 상면(62)에 개구된 복수의 에어의 토출구(63)에 연통되어 있다. 또한, 받침대(6)의 상면에는 상기 패드(35)와 같이 구성된 패드(64)가 설치되어 있고, 토출구(63)로부터 에어가 토출된 상태에서 웨이퍼(W)의 중앙부의 이면이 패드(64) 상에 재치되면, 상기 반송 장치(1)와 같이, 베르누이 효과에 의하여 웨이퍼(W)에 하방으로 향하는 힘이 작용하여, 웨이퍼(W)가 패드(64)에 압압되어 수평으로 유지되도록 되어 있다.
받침대(6)의 유로(61)에는 에어 공급관(71)의 한 끝 단이 개구되어 있고, 에어 공급관(71)의 타단은, 예를 들면, 샤프트(57) 내에 형성된 배관로를 통하고, 또한, 샤프트(57)의 외부로 인출되어, 에어 공급관(71a), 에어 공급관(71b)으로 분기되어 있고, 에어 공급관(71a)의 단부는 가열부(73) 및 유량 제어부(76)를 거쳐 에어 공급원(75)에 접속되고, 에어 공급관(71b)의 단부는 냉각부(74) 및 유량 제어부(76)를 거쳐 에어 공급원(75)에 접속되어 있다. 가열부(73), 냉각부(74), 에어 공급원(75), 유량 제어부(76)는 각각 가열부(43), 냉각부(44), 에어 공급원(45), 유량 제어부(46)와 같이 구성되어 있고, 가열부(73) 및 냉각부(74)에 의하여 온도 조정부(7)가 구성되어 있다.
또한, 하우징(51) 내에는 받침대(6) 상에 재치된 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를 검출하기 위한 검출 기구(67)가 설치되어 있다. 이 검출 기구(67)는 하부실(53)측에 설치된, 예를 들면, LED로 이루어진 발광부(65)와, 상방실(52)측에 설치된, 예를 들면, CCD 센서로 이루어진 수광부(66)로 구성되어 있고, 상기 발광부(65)로부터 방출된 빛이 상기 구획 판(54)에 형성된 홀 부(54a)를 거쳐 수광부(66)로 입사되고, 수광부(66)는 입사된 광량에 대응하는 신호를 제어부(5A)로 출력한다.
제어부(5A)는 제어부(1A)와 같이 구성되어 있고, 기억부(5B)에 저장된 프로그램을 실행하여 오리엔터(5)의 각 부의 동작을 제어하고, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 위치 조정 및 받침대(6)로부터 토출되는 에어의 유량 및 온도의 조정을 실시한다.
예를 들면, 상기 반송 장치(1) 등의 도시하지 않은 웨이퍼 반송 기구가 웨이퍼(W)를 반송구(55)를 거쳐 하우징(51) 내로 반송하고, 그 웨이퍼(W)의 중앙부가 받침대(6) 상에 재치되면, 토출구(63)로부터 소정의 온도로 제어되어 토출되어 있는 에어가, 도 5에 화살표로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면과 받침대(6)의 상면(62)과의 간극(6A)을 횡방향으로 흐르고, 이 간극(6A)의 압력이 저하되어 부압이 된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 상방측의 대기압에 대하여 압력차가 발생하여 웨이퍼(W)가 패드(64)로 압압되고, 받침대(6) 상에 웨이퍼(W)가 유지된다. 이어서, 제어부(5A)는 회전 구동 기구(56)에 의하여 웨이퍼(W)를 대략 한 바퀴 회전시키고, 그 동안에 수광부(66)에 입사되는 광량의 변화에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 노치(N)의 위치를 검출하고, 노치(N)가 소정의 방향을 향하도록 회전 구동 기구(56)를 동작시킨다. 이 노치(N)의 위치 조정을 실시하는 동안에, 웨이퍼(W)는 반송 장치(1)의 경우와 마찬가지로, 그 이면을 흐르는 에어에 노출되고, 예를 들면, 파티클의 부착이 억제되는 소정의 온도, 예를 들면, 30℃ ~ 50℃로 조정된다. 노치(N)의 위치 조정이 종료되면, 도시하지 않은 반송 기구가 웨이퍼(W)를 밀어 올려, 받침대(6)로부터 해당 웨이퍼(W)를 분리시켜 하우징(51)의 외부로 반송한다.
이와 같은 오리엔터(5)에 의하면, 웨이퍼(W)의 위치 조정 중에 그 온도 조정을 실시할 수 있으므로, 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 반도체 제조 장치에 적용함으로써, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
이어서, 상술한 반송 장치(1) 및 오리엔터(5)가 적용된 반도체 제조 장치의 일례에 대하여 설명한다. 도 7, 도 8은 각각 멀티 챔버 시스템으로 불리는 반도체 제조 장치(8)의 평면도, 종단 측면도이다. 반도체 제조 장치(8)는, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 소정 매수 저장하는 캐리어(C)를 재치하는, 예를 들면, 3 개의 캐리어 재치대(81)와, 대기 분위기 하에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 1 반송실(82)과, 실(室) 내를 대기 분위기와 진공 분위기로 전환하여 웨이퍼(W)를 대기시키기 위한, 예를 들면, 좌우로 2 개 배열된 로드록실(83)과, 진공 분위기 하에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제 2 반송실(84)과, 반입된 웨이퍼(W)에 프로세스 처리를 실시하기 위한, 예를 들면, 4 개의 처리 모듈(85a ~ 85d)을 구비하고 있다.
이들 기구는, 웨이퍼(W)의 반입 방향에 대하여, 제 1 반송실(82), 로드록실(83), 제 2 반송실(84), 처리 모듈(85a ~ 85d)의 순서로 배열되어 있고, 인접하 는 기구끼리는 도어(G1) 또는 게이트 밸브(G2 ~ G4)를 거쳐 기밀하게 접속되어 있다. 또한, 이하의 설명에서는 제 1 반송실(82)의 어느 한 방향을 앞측으로 하여 설명한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 캐리어 재치대(81) 상에 재치된 캐리어(C)는, 제 1 반송실(82)에 대하여 도어(G1)를 거쳐 접속되고, 이 도어(G1)는 캐리어(C)의 덮개를 개폐하는 역할을 수행한다. 또한, 제 1 반송실(82)의 천장부에는 실 내로 대기를 보내기 위한 팬(fan)과, 그 대기를 청정화하는 필터로 이루어진 팬 필터 유닛(82a)을 구비하고, 이와 대향하는 바닥부에는 배기 유닛(82b)을 구비함으로써, 제 1 반송실(82) 내로는 청정 공기의 하강 기류가 형성된다.
제 1 반송실(82) 내에는 상술한 반송 장치(1)에 대응하는 반송 장치(10A)가 설치되어 있다. 이 반송 장치(10A)는 반송 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있으나, 그 기대(13)는, 도시하지 않은 구동 기구에 의하여 제 1 반송실(82)의 길이 방향을 따라 이동이 가능하고, 또한 승강이 가능하게 구성되고, 후술하는 바와 같이, 얼라인먼트실(86)과 캐리어(C)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록 되어 있다. 또한, 제 1 반송실(82)의 측면에는, 상기 오리엔터(5)를 구비한 얼라인먼트실(86)이 설치되어 있다.
좌우 2 개의 로드록실(83)은 반입된 웨이퍼(W)가 재치되는 재치대(83a)를 구비하고, 각각의 로드록실(83)을 대기 분위기와 진공 분위기로 전환하기 위한 도시하지 않은 진공 펌프 및 누설 밸브와 접속되어 있다.
제 2 반송실(84)은, 도 7에 도시한 바와 같이, 그 평면 형상이, 예를 들면 육각형 형상으로 형성되고, 앞측의 두 변은 전술한 로드록실(83)과 접속되고, 또한, 나머지 네 변은 처리 모듈(85a ~ 85d)과 접속되어 있다. 제 2 반송실(84) 내에는, 로드록실(83)과 각 처리 모듈(85a ~ 85d)의 사이에서 진공 분위기로 웨이퍼(W)를 반송하기 위한, 회전 및 신축이 가능한 제 2 반송 장치(87)가 설치되고, 또한, 제 2 반송실(84)은, 그 내부를 진공 분위기로 유지하기 위한 도시하지 않은 진공 펌프와 접속되어 있다.
처리 모듈(85a ~ 85d)은, 도시하지 않은 진공 펌프와 접속되어, 진공 분위기 하에서 실시되는 프로세스 처리, 예를 들면, 에칭 가스에 의한 에칭 처리, CVD 등의 성막 가스를 이용한 성막 처리, 애싱 가스에 의한 애싱 처리 등을 실시할 수 있도록 구성되어 있고, 예를 들면, 처리 용기(91)와 웨이퍼(W)가 재치되는 재치대(92)와, 프로세스 가스를 처리 용기(91) 내로 공급하는 가스 샤워 헤드(93)를 구비하고 있다. 또한, 재치대(92)에는 웨이퍼(W) 처리 시에 이 곳에 재치된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하는 히터(94)가 설치되어 있다.
각 처리 모듈(85a ~ 85d)에서 실시되는 프로세스 처리 내용은 서로 동일해도 좋고, 다른 처리를 실시하도록 구성해도 좋다. 또한, 반송 장치(10A, 87), 처리 모듈(85a ~ 85d) 등은, 반도체 제조 장치(8) 전체의 동작을 통괄 제어하는 제어부(8A)와 접속되어 있다. 제어부(8A)는, 상기 제어부(1A)와 마찬가지로 구성되어 있고, 기억부(8B)에 저장된 후술하는 반도체 제조 장치(8)의 작용을 실시할 수 있도록 단계군이 짜여진 프로그램을 실행할 수 있도록 구성된다.
이어서, 반도체 제조 장치(8)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대하여 설명한 다. 캐리어 재치대(81) 상의 캐리어(C)에 저장된 웨이퍼(W)는, 반송 장치(10A)에 의하여 캐리어(C)로부터 취출되고, 제 1 반송실(82), 이어서 얼라인먼트실(86)로 반송되고, 또한, 반송 장치(10A)에 의하여 소정의 온도, 예를 들면, 40℃로 가열된다. 얼라인먼트실(86)로 반송된 웨이퍼(W)는, 그 노치(N)가 소정의 방향을 향하도록 위치 결정되고, 또한, 받침대(6)에 의하여 계속 상기 소정의 온도로 조정되고, 위치 결정 후 반송 장치(10A)에 의하여 좌우 중 어느 하나의 로드록실(83)로 전달되어 대기한다.
이후, 로드록실(83) 내가 진공 분위기가 되면, 웨이퍼(W)는 반송 장치(87)에 의하여 로드록실(83)로부터 취출되어 제 2 반송실(84) 내로 반송되고, 어느 하나의 처리 모듈(85a ~ 85d)로 반송된다. 그리고, 그 처리 모듈(85a ~ 85d)의 재치대(92)에 재치되고, 소정의 온도로 가열되어 소정의 프로세스 처리를 받는다. 여기서, 처리 모듈(85a ~ 85d)에서 다른 연속 처리가 실시되는 경우에는, 웨이퍼(W)는 제 2 반송실(84)과의 사이를 왕복하면서 연속 처리에 필요한 처리 모듈(85a ~ 85d) 사이로 반송된다.
처리 모듈(85a ~ 85d)에서 필요한 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 반송 장치(87)에 의하여 좌우 중 어느 하나의 로드록실(83)로 전달되어 대기한다. 그리고, 로드록실(83) 내가 대기 분위기가 되고, 또한, 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도로 냉각되면 반송 장치(10A)가 웨이퍼(W)를 다시 캐리어(C)로 반송하고, 그 반송 중에 웨이퍼(W)가 소정의 온도, 예를 들면 60℃가 되도록 냉각된다.
이러한 반도체 제조 장치(8)에 의하면, 반송 장치(10A)에 의한 반송 중 및 얼라인먼트실(86)에서 위치 결정되는 동안에 웨이퍼(W)가 가열되므로, 파티클이 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 억제할 수 있으므로, 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 처리 모듈(85a ~ 85d)에서 웨이퍼(W)에, 예를 들면, CVD를 실시하는 경우에, 이 CVD를 실시하기까지 웨이퍼(W)가 온도 조정되어, 부착되어 있는 유기물이 제거되므로, 불순물이 적은 막을 성막할 수 있어, 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 처리 모듈(85a ~ 85d)에서 고온으로 가열된 웨이퍼(W)를 로드록실(83)에서 냉각함에 있어, 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로 되돌리기까지 반송 장치(10A)에서 온도 조정되므로, 반송 장치(10A)가 이러한 온도 조정 기능을 갖지 않는 경우에 비해 높은 온도를 가진 채로 로드록실(83)로부터 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 즉, 로드록실(83)에서의 냉각 시간이 단축되므로, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 처리 모듈(85a ~ 85d)로 반입될 때까지 반송 장치(10A) 및 얼라인먼트실(86)에서 웨이퍼(W)가 가열되므로, 웨이퍼(W)를 처리 모듈(85a ~ 85d)의 재치대(92)에 재치하고나서, 그 웨이퍼(W)가 가열되어 처리를 실시하는 온도에 도달할때까지의 시간을 단축시킬 수 있으므로, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
이 반송 장치(10A)에서, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 로드록실(83)을 거쳐 처리 모듈(85a ~ 85d)로 전달할 때보다, 로드록실(83)로부터 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 되돌릴 때에 온도가 낮은 가스를 토출시키면, 웨이퍼(W)의 로드록실(83)에서의 대기 시간을 더 단축시킬 수 있으므로 바람직하다.
이상에서 본 발명이 적용되는 기판 반송 장치로는, 관절형 암에 한정되지 않고, 회전이 가능한 반송 기체에 진퇴가 가능한 반송 암을 설치한 반송 장치에도 적 용할 수 있으며, 그 경우 그 반송 암이 기판 유지부가 된다.
또한, 반도체 제조 장치로는, 배경 기술란에서 설명한 바와 같이, 포토레지스트 공정에 이용되는 도포, 현상 장치가 있다. 이 도포, 현상 장치는, 노광 처리를 실시하는 노광 장치에 접속되어, 캐리어(C)가 반입되는 반입부와, 기판에 레지스트를 도포하는 도포 모듈과, 노광 처리를 받은 레지스트에 현상액을 공급하는 현상 모듈과, 그 상기 캐리어(C)로부터 전달된 기판을 도포 모듈로부터 노광 장치로 전달하고, 노광 장치로부터 전달된 기판을 현상 모듈, 캐리어(C)의 순서로 전달하기 위한 반송 기구를 구비하고 있다. 상기 오리엔터(5)를 이 도포, 현상 장치에 설치하여, 도포 모듈 → 오리엔터(5) → 노광 장치의 순서로 반송함으로써, 노광 장치로 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 온도 조정과 위치 조정이 동시에 실시될 수 있으므로, 이들 처리를 각각 별도로 실시하는 것 보다 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 이 경우, 예를 들면, 오리엔터(5)는 웨이퍼(W)의 온도를 노광 장치의 내부에 대응한 온도, 예를 들면 23℃로 가능하도록 구성된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반송 장치의 사시도이다.
도 2는 상기 반송 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 반송 장치에 설치된 웨이퍼 유지부의 상면도이다.
도 4는 상기 웨이퍼 유지부의 종단 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 오리엔터의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 오리엔터의 횡단 평면도이다.
도 7은 상기 반송 장치 및 오리엔터가 적용된 반도체 제조 장치의 평면도이다.
도 8은 상기 반도체 제조 장치의 종단 측면도이다.
*부호의 설명*
W : 웨이퍼
1 : 반송 기구
10A : 반송 장치
20 : 구동 기구
31 : 기판 유지부
34 : 토출구
35 : 패드
4 : 온도 조정부
43 : 가열부
44 : 냉각부
5 : 오리엔터
6 : 받침대
8 : 반도체 제조 장치

Claims (9)

  1. 기판의 이면에 대향하는 기판 유지면을 구비한 기판 유지부와,
    상기 기판 유지면 상에 복수 설치되고, 각각 기판의 이면을 지지하고, 기판과의 마찰력에 의하여 상기 기판의 상기 기판 유지면에 대한 슬라이딩을 방지하는 볼록부와,
    상기 기판 유지면에 개구되고, 기판의 이면을 향하여 가스를 토출하는 가스 토출구와,
    그 한 끝 단이 상기 가스 토출구에 접속되고, 또한 그 타단이 그 가스 토출구로 가스를 공급하기 위한 가스 공급원에 접속된 가스 유로와,
    상기 가스 유로를 유통하는 가스를 온도 조정하는 온도 조정부를 구비하고,
    기판의 이면으로 토출된 상기 가스는 기판 유지면과 기판과의 간극을 흐르고, 그 간극의 압력이 저하되는 베르누이 효과에 의하여, 상기 기판이 기판 유지부를 향하여 흡인됨으로써 기판을 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 유지부를 수직 축 주위로 회전을 가능하게 하고, 또한 진퇴를 가능하게 하기 위한 작동 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 유지 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 작동 기구는 상기 기판 유지부와 함께 관절형 암(arm)을 구성하는 것인 기판 유지 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 작동 기구의 내부에 상기 가스 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 반도체 웨이퍼이며, 상기 기판 유지부는 반도체 웨이퍼의 방향을 검출하고, 그 방향을 사전에 설정한 방향으로 조정하기 위한 회전 스테이지로서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 장치.
  6. 기판 유지부에 설치된 기판의 이면에 대향하는 기판 유지면 상에 복수 설치되고, 각각 기판의 이면을 지지하고, 기판과의 마찰력에 의하여 상기 기판의 상기 기판 유지면에 대한 슬라이딩을 방지하는 볼록부 상에 재치된 기판의 이면을 향하여, 상기 기판 유지면에 개구된 가스 토출구로부터 가스를 토출하는 공정과,
    그 한 끝 단이 상기 가스 토출구에 접속되고, 또한 그 타단이 가스 공급원에 접속된 가스 유로를 유통하는 가스를 온도 조정부에 의하여 온도 조정하는 공정과,
    기판의 이면으로 토출된 상기 가스가 기판 유지면과 기판과의 간극을 흐르고, 그 간극의 압력이 저하되는 베르누이 효과에 의하여, 상기 기판이 유지부를 향 하여 흡인됨으로써 기판을 유지하는 기판 유지부에 의하여 기판을 유지하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 방법.
  7. 기판을 수납한 캐리어가 재치되는 재치부를 구비한 대기 분위기의 제 1 반송실과,
    기판을 재치하는 재치대가 설치되고, 진공 분위기, 대기 분위기가 각각 전환되는 로드록실과,
    상기 로드록실을 거쳐 제 1 반송실에 접속된, 기판에 진공 분위기에서 처리를 실시하기 위한 진공 처리 모듈과,
    상기 제 1 반송실에 설치된 캐리어와 로드록실과의 사이에서 기판을 전달하기 위한 제 1 기판 반송 수단과,
    로드록실과 진공 처리 모듈과의 사이에서 기판을 전달하기 위한 제 2 기판 반송 수단을 구비하고,
    상기 제 1 기판 반송 수단은 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 기판 유지 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 반송실에는 기판의 위치 조정을 실시하기 위한 기판 위치 조정 수단을 구비한 얼라인먼트실이 접속되어 있고,
    상기 기판 위치 조정 수단은 청구항 5에 기재된 기판 유지 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  9. 기판 유지 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체로서,
    상기 프로그램은 청구항 6에 기재된 기판 유지 방법을 실행하기 위하여 단계가 짜여있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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