JPS59155141A - ウエハチヤツク - Google Patents
ウエハチヤツクInfo
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- JPS59155141A JPS59155141A JP2971783A JP2971783A JPS59155141A JP S59155141 A JPS59155141 A JP S59155141A JP 2971783 A JP2971783 A JP 2971783A JP 2971783 A JP2971783 A JP 2971783A JP S59155141 A JPS59155141 A JP S59155141A
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- JP
- Japan
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- wafer
- temperature
- tray
- semiconductor wafer
- semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は連続ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置において、半導体ウ
ェハの取シ出しを行うペルヌイ方式のウェハチャックに
関する。
ｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置において、半導体ウ
ェハの取シ出しを行うペルヌイ方式のウェハチャックに
関する。
連続ＣＶＤ装置は、半導体ウェハをトレー上に置き、チ
ェーン搬送にて加熱部及びガス反応部を通過させること
によシ、連続して半導体ウェハ上にシリコン酸化膜、Ｐ
ＳＧ （リンシリケートガラス）膜等を形成するもので
ある。
ェーン搬送にて加熱部及びガス反応部を通過させること
によシ、連続して半導体ウェハ上にシリコン酸化膜、Ｐ
ＳＧ （リンシリケートガラス）膜等を形成するもので
ある。
ところで、この連続ＣＶＤ装置においては、半導体ウニ
ノ１をトレー上に置くには真空チャックが使用され、又
、トレー上の半導体ウニノ・を取シ出す場合には高圧空
気若しくは高圧窒素Ｎ２によるペルヌイ方式のウニノ・
チャッ、！（ペル諌イチャ、り）が用いられている。
ノ１をトレー上に置くには真空チャックが使用され、又
、トレー上の半導体ウニノ・を取シ出す場合には高圧空
気若しくは高圧窒素Ｎ２によるペルヌイ方式のウニノ・
チャッ、！（ペル諌イチャ、り）が用いられている。
第１図（−） （ｂ）はこのベルヌイチャ、りの構成を
示すものである。すなわち、このベルヌイチャック１は
第１図（ａ）に示すようにトレー２上の半導体ウェハ３
の表面に例えば高圧窒素を吹き付けて局部的な真空状態
を発生させ、第１図（ｂ）に示すように半導体ウニノ１
３を吸い上げるものである。
示すものである。すなわち、このベルヌイチャック１は
第１図（ａ）に示すようにトレー２上の半導体ウェハ３
の表面に例えば高圧窒素を吹き付けて局部的な真空状態
を発生させ、第１図（ｂ）に示すように半導体ウニノ１
３を吸い上げるものである。
このようにベルヌイチャック１は局部的な真空状態を作
り半導体ウニノＳ３を吸い上げるものであるが、このと
きベルタイチャック１直下のトレー２の温度は膜成長時
の温度の影響で約２５０℃になっている。このため、ト
ン−２上の半導体ウニノ・３も略同等の温度となってい
る。
り半導体ウニノＳ３を吸い上げるものであるが、このと
きベルタイチャック１直下のトレー２の温度は膜成長時
の温度の影響で約２５０℃になっている。このため、ト
ン−２上の半導体ウニノ・３も略同等の温度となってい
る。
従って、この半導体ウニノ飄３に室温（約２５℃）に近
い高圧窒素等を吹き付けると、半導体ウェハ３の表面と
裏面の温度差が約２２５℃になる。
い高圧窒素等を吹き付けると、半導体ウェハ３の表面と
裏面の温度差が約２２５℃になる。
その結果、半導体ウニ／Ｓ３の内部に熱応力が発生し、
この熱応力によシ半導体つニノ・３が破壊する事態が生
じ、半導体装置の製造歩留シを低下させる大きな要因と
なっていた。
この熱応力によシ半導体つニノ・３が破壊する事態が生
じ、半導体装置の製造歩留シを低下させる大きな要因と
なっていた。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので。
その目的は、半導体ウニノ・の熱応力に起因する破壊を
防止し、半導体装置の製造歩留シを向上させることので
きるウニノーチャックを提供することにある。
防止し、半導体装置の製造歩留シを向上させることので
きるウニノーチャックを提供することにある。
この発明は、連続ＣＶＤ装置において膜を形成した後の
半導体ウェハに高圧空気若しくは高圧窒素を吹き付けて
同学導体ウニノ・をトレー上から吸引するウェハチャッ
クにおいて、前記高圧空気若しくは高圧窒素を室温以上
に加熱することにより、前記半導体ウニノ・の表面と裏
面との温度差を低減し、半導体ウニノ・内部に発生する
熱応力を緩和するものである。
半導体ウェハに高圧空気若しくは高圧窒素を吹き付けて
同学導体ウニノ・をトレー上から吸引するウェハチャッ
クにおいて、前記高圧空気若しくは高圧窒素を室温以上
に加熱することにより、前記半導体ウニノ・の表面と裏
面との温度差を低減し、半導体ウニノ・内部に発生する
熱応力を緩和するものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第２図において、１ノは加熱機構を備えたペルヌイ方式
のウニ／Ｓチャックである。
のウニ／Ｓチャックである。
すなわち、このベルヌイチャック１１は、保持ケース１
２内に収納されたヒータ１３によυ高圧窒素を室温（約
２５℃）以上の温度、例えば７０〜１００℃に加熱した
後、吹き出し口１１ｍからトレー１４上の半導体ウニ／
％ ｌ ５の表面に吹き出すものである。これによシ、
半導体ウェハ１５の表面に局部的な真空状態が発生し、
半導体ウェハ１５がトレー１４上より吸引される。
２内に収納されたヒータ１３によυ高圧窒素を室温（約
２５℃）以上の温度、例えば７０〜１００℃に加熱した
後、吹き出し口１１ｍからトレー１４上の半導体ウニ／
％ ｌ ５の表面に吹き出すものである。これによシ、
半導体ウェハ１５の表面に局部的な真空状態が発生し、
半導体ウェハ１５がトレー１４上より吸引される。
このベルヌイチャック１１を用いることによシ、半導体
ウェハ１５の温度は、裏面（トレー・１４側）で約２５
０℃１表面（ベルヌイチャック１）側）では７０〜１０
０℃となる。従って、従来その温度差が約２２５℃であ
ったものが、−１５０〜１８０℃と大幅に減少する。こ
の結果、半導体ウェハ１５の内部に発生する熱応力が緩
和され、破壊する事態が防止される。
ウェハ１５の温度は、裏面（トレー・１４側）で約２５
０℃１表面（ベルヌイチャック１）側）では７０〜１０
０℃となる。従って、従来その温度差が約２２５℃であ
ったものが、−１５０〜１８０℃と大幅に減少する。こ
の結果、半導体ウェハ１５の内部に発生する熱応力が緩
和され、破壊する事態が防止される。
尚、上記実施例においては、真空状態の発生を高圧窒素
によシ行ったが、高圧空気でもよいことは勿論である。
によシ行ったが、高圧空気でもよいことは勿論である。
また、加熱温度を７０〜１００℃としたが、これに限定
するものではなく、室温状態よシ高温であればよく、要
は半導体ウェハの表裏の温度差を従来に比べて低減でき
るものであればよい。
するものではなく、室温状態よシ高温であればよく、要
は半導体ウェハの表裏の温度差を従来に比べて低減でき
るものであればよい。
以上のようにこの発明によれば、半導体ウェハの熱応力
に起因する破壊を防止し、半導体装置の製造歩留シを向
上させることの可能なウェハチャック、を提供できる。
に起因する破壊を防止し、半導体装置の製造歩留シを向
上させることの可能なウェハチャック、を提供できる。
第１図（ａ） （ｂ）は従来のベルヌイチャックの構成
を示す断面図で、同図（、）は吸引前の状態、同図（ｂ
）は吸引後の状態、第２図はこの発明の一実施例に係る
ベルヌイチャ、りの構成を示す断面図である。 １１・・・ベルヌイチャック、１３・・・ヒータ、１４
・・・トレー、１５・・・半導体ウェハ。
を示す断面図で、同図（、）は吸引前の状態、同図（ｂ
）は吸引後の状態、第２図はこの発明の一実施例に係る
ベルヌイチャ、りの構成を示す断面図である。 １１・・・ベルヌイチャック、１３・・・ヒータ、１４
・・・トレー、１５・・・半導体ウェハ。
Claims (1)
- 連続ＣｖＤ装置において膜を形成した後の半導体ウェハ
に高圧空気若しくは高圧窒素を吹き付けて、同半導体ウ
ェハをトレー上から吸引するウェハチャ、りにおいて、
前記高圧空気若しくは高圧窒素を室温以上に加熱する加
熱手段を具備したことを特徴とするウェハチャ、り。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2971783A JPS59155141A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | ウエハチヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2971783A JPS59155141A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | ウエハチヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155141A true JPS59155141A (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=12283857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2971783A Pending JPS59155141A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | ウエハチヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155141A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0475328A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Toshiba Corp | 半導体の処理方法およびその装置 |
| JP2005251948A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Izumi Akiyama | 非接触保持装置および非接触保持搬送装置 |
| JP2009088222A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置、基板保持方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
| US9177845B2 (en) | 2008-08-13 | 2015-11-03 | Ers Electronic Gmbh | Method and apparatus for thermally processing plastic discs, in particular mould wafers |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP2971783A patent/JPS59155141A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0475328A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Toshiba Corp | 半導体の処理方法およびその装置 |
| US5370709A (en) * | 1990-07-18 | 1994-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer processing apparatus having a Bernoulli chuck |
| JP2005251948A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Izumi Akiyama | 非接触保持装置および非接触保持搬送装置 |
| WO2005086225A1 (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Izumi Akiyama | 非接触保持装置および非接触保持搬送装置 |
| CN100433288C (zh) * | 2004-03-03 | 2008-11-12 | 秋山泉 | 非接触保持装置和非接触保持传送装置 |
| US7510226B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-03-31 | Izumi Akiyama | Non-contact holder device and non-contact holding and conveying device |
| JP2009088222A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置、基板保持方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
| JP4616873B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム |
| US9177845B2 (en) | 2008-08-13 | 2015-11-03 | Ers Electronic Gmbh | Method and apparatus for thermally processing plastic discs, in particular mould wafers |
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