KR100765189B1 - 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100765189B1
KR100765189B1 KR1020060119519A KR20060119519A KR100765189B1 KR 100765189 B1 KR100765189 B1 KR 100765189B1 KR 1020060119519 A KR1020060119519 A KR 1020060119519A KR 20060119519 A KR20060119519 A KR 20060119519A KR 100765189 B1 KR100765189 B1 KR 100765189B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
chuck
substrate
chamber
high temperature
Prior art date
Application number
KR1020060119519A
Other languages
English (en)
Inventor
김성수
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020060119519A priority Critical patent/KR100765189B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100765189B1 publication Critical patent/KR100765189B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

개시된 기판 이송 방법과 기판 처리 방법에서는 고온을 제공하는 척 상에 위치하고 플레이트를 상기 척으로부터 분리시킨 후, 상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 척이 위치하는 챔버로부터 빼낸다. 여기서, 상기 플레이트의 상부에는 상기 고온에서 공정이 이루어지는 기판이 놓여진다. 또한, 기판 처리 장치는 챔버 내에 위치하는 척과 상기 척 상에 놓여지는 플레이트를 포함한다. 특히, 상기 플레이트는 그 상부에 상기 고온에서 공정이 이루어지는 기판이 놓여진다. 또한, 상기 플레이트를 상기 척으로부터 분리시키는 분리부와, 상기 플레이트를 상기 척으로 이송하거나 또는 상기 분리부에 의해 상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 챔버로부터 빼내는 이송부를 포함한다.

Description

기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치{method of transferring a substrate, and method and apparatus of processing a substrate}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용한 기판 이송 방법과 기판 처리 방법을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 이용한 기판 이송 방법과 기판 처리 방법을 나타내는 개략적인 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 챔버 12 : 이송부
14 : 냉각부 21 : 척
23 : 플레이트 25, 35 ; 분리부
27 : 기판 211 : 히터
본 발명은 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 고온에서 공정이 이루어진 기판을 이송하는 방법과 언급한 이송 방법을 적용한 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 반도체 집적 회로 소자의 제조에서는 박막의 적층, 패터닝을 위한 포토리소그라피, 공정의 전치리 또는 후처리를 위한 세정 등과 같은 단위 공정들을 반복하여 수행하고 있다. 그리고, 상기 단위 공정은 그 대부분이 주로 고온에서 이루어진다.
이와 같이, 상기 고온에서 공정을 수행할 경우에는 기판의 이송할 때 주의를 기울어야 한다. 그 이유는, 상기 고온에서 공정이 이루어진 기판의 이송에서 상기 기판이 휘어지는 상황이 빈번하게 발생하기 때문이다. 즉, 상기 고온에서 공정이 이루어진 기판을 리프트-핀, 로봇 암 등과 같은 이송 부재를 사용하여 이송할 경우 열변형에 의해 상기 기판이 아래로 처져서 휘어지기 때문이다. 특히, 대구경을 갖는 반도체 기판, 대면적을 갖는 유기 기판 등은 언급한 열변형이 더욱 심하게 발생하고, 심할 경우에는 열충격으로 인하여 기판 자체에 손상이 발생하기도 한다.
본 발명의 일 목적은 고온에서 공정이 이루어진 기판을 안전하게 이송하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 언급한 기판의 이송 방법을 적용한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 언급한 기판 처리 방법을 적용한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
언급한 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 이송 방법은 고온을 제공하는 척 상에 위치하고 플레이트를 상기 척으로부터 분리시킨 후, 상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 척이 위치하는 챔버로부터 빼낸다. 여기서, 상기 플레이트의 상부에는 상기 고온에서 공정이 이루어지는 기판이 놓여진다.
따라서, 본 발명에서는 기판 자체를 이송 대상으로 하는 것이 아니라 그 상부에 기판이 놓여지는 플레이트를 이송 대상으로 한다.
그리고, 상기 척으로부터 플레이트의 분리는 상기 척을 하강시킨 후, 상기 척이 하강할 때 상기 플레이트의 가장자리를 지지하거나 또는 상기 척으로부터 상기 플레이트를 밀어 올리면 가능하다. 또한, 상기 챔버로부터 플레이트의 빼냄은 상기 가장자리가 지지되거나 또는 상기 척을 밀어 올림에 따라 노출되는 상기 플레이트의 이면에 이송 부재를 위치시킨 후, 상기 이송 부재를 사용하여 상기 플레이트를 상기 챔버의 외부로 이송시키면 가능하다.
언급한 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 방법은 챔버 내에 위치하는 척 상에 플레이트를 위치시킨다. 여기서, 상기 척은 고온을 제공하고, 상기 플레이트는 그 상부에 상기 고온에서 공정이 이루어질 기판이 놓여진다. 이어서, 상기 척에 의해 제공되는 고온을 이용하여 상기 기판을 대상으로 공정을 수행한다. 그리고, 상기 공정이 이루어진 기판이 그 상부에 놓여진 플레이트를 상기 척으로부터 분리시킨 후, 상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 척이 위치하는 챔버로부터 빼낸다.
또한, 본 발명의 기판 처리 방법에서는 상기 챔버로부터 빼낸 상기 기판이 놓여진 플레이트를 냉각시킨 후, 상기 플레이트로부터 상기 기판을 분리시킬 수 있다.
그리고, 본 발명의 기판 처리 방법에서도 상기 척으로부터 플레이트의 분리는 상기 척을 하강시킨 후, 상기 척이 하강할 때 상기 플레이트의 가장자리를 지지하거나 또는 상기 척으로부터 상기 플레이트를 밀어 올리면 가능하다. 또한, 상기 챔버로부터 플레이트의 빼냄은 상기 가장자리가 지지되거나 또는 상기 척을 밀어 올림에 따라 노출되는 상기 플레이트의 이면에 이송 부재를 위치시킨 후, 상기 이송 부재를 사용하여 상기 플레이트를 상기 챔버의 외부로 이송시키면 가능하다.
언급한 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버와 상기 챔버 내에 위치하는 척을 포함한다. 여기서, 상기 척은 고온을 제공하는 구조를 갖는다. 그리고, 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 척 상에 놓여지는 플레이트를 포함한다. 특히, 상기 플레이트는 그 상부에 상기 고온에서 공정이 이루어지는 기판이 놓여진다. 또한, 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 공정이 이루어지는 기판이 그 상부에 놓여진 플레이트를 상기 척으로부터 분리시키는 분리부와, 상기 기판이 그 상부에 놓여지는 플레이트를 상기 척으로 이송하거나 또는 상기 분리부에 의해 상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 챔버로부터 빼 내는 이송부를 포함한다.
그리고, 상기 플레이트로 사용할 수 있는 물질의 예로서는 산화 알루미늄, 석영, 탄화 실리콘 등을 들 수 있다. 특히, 이들은 단독으로 사용하여 플레이트로 제조하거나 또는 이들을 혼합한 혼합물을 사용하여 플레이트로 제조할 수 있다.
아울러, 상기 분리부는, 상기 척 자체가 상,하로 구동하는 구조를 가질 경우, 상기 플레이트가 놓여진 척이 아래로 구동할 때 상기 플레이트의 이면 가장자리를 지지하도록 상기 챔버 내측벽에 설치되는 지지부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 분리부는, 상기 척 자체가 고정된 구조를 가질 경우, 상기 척을 관통하도록 설치되어 상기 플레이트를 상기 척 상부로 밀어 올릴 수 있는 리프트-핀을 포함할 수 있다.
그리고, 본 발명의 기판 처리 장치는 상기 챔버로부터 빼낸 상기 기판이 놓여진 플레이트를 냉각시키는 냉각부를 더 포함할 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 기판 이송 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서는 기판 자체를 이송 대상으로 하는 것이 아니라 그 상부에 기판이 놓여지는 플레이트를 이송 대상으로 한다. 그러므로, 고온에서 공정이 이루어진 기판에 가해지는 열변형을 충분하게 줄일 수 있고, 그 결과 고온에서 공정이 이루어진 기판을 안전하게 이송할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 챔버, 척, 플레이트, 분리부, 이송부 등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 그리고, 후술하는 기판 이송 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치는 반도체 소자, 평판 디스플레이 소자 등과 같은 반도체 집적 회로 소자의 제조를 위한 특정한 단위 공정에 한정되는 것이 아니라 고온을 이용하는 단위 공정 모두에 적용될 수 있음은 자명하다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 박막의 적층, 패터닝을 위한 포토리소그라피, 공정의 전치리 또는 후처리를 위한 세정 등과 같은 단위 공정 등을 수행하기 위한 것으로써, 고온을 이용하는 공정에 적용된다.
먼저, 기판 처리 장치(100)는 챔버(10)와 이송부(12) 그리고 냉각부(14)를 포함한다.
여기서, 상기 챔버(10)에는 척(21)과 상기 척(21) 상에 놓여지는 플레이트(23)가 위치하고 그리고 상기 척(21)으로부터 플레이트(23)를 분리시키는 분리부(25)가 설치된다.
구체적으로, 상기 챔버(10)는 반도체 집적 회로 소자의 제조에 따른 단위 공정을 수행할 때 그 내부가 공정 조건에 부합되게 조성되어야 한다. 즉, 압력 조건 등이 설정된 공정 조건에 부합되게 조성되어야 하는 것이다. 이에, 상기 챔버(10)는 외부로부터 밀폐되는 구조를 갖고, 그 일측에 압력 조건을 조정하기 위한 진공 펌프(도시되지 않음) 등과 같은 부재가 연결되고, 또한 플라즈마를 사용할 경우에는 플라즈마를 생성하기 위한 부재(도시되지 않음) 등이 연결된다.
그리고, 상기 척(21)은 챔버(10) 내에 위치하는 것으로써, 주로 챔버(10)의 하부에 위치하도록 설치된다. 특히, 언급하는 기판 처리 장치(100)가 고온을 이용한 단위 공정에 적용하기 때문에 상기 척(21)에는 고온 상태를 제공하는 히터(211)가 설치될 수 있다. 다만, 상기 척(21)에 고온 상태를 제공하는 히터(211)가 포함되지 않을 수도 있는데, 이 경우에는 챔버(21)의 일측에 고온 상태를 제공하기 위한 부재(도시되지 않음)가 연결된다. 본 발명의 실시예 1에서와 같이, 상기 척(21)에 히터(211)가 포함될 경우, 상기 히터(211)의 예로서는 열선, 열판 등을 수 있다. 아울러, 상기 히터(211)가 척(21) 상에 놓여지는 부재와 직접 접촉할 경우에는 상기 부재에 손상을 가할 수 있기 때문에 상기 히터(211)는 척(21) 내부에 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 실시예 1에서의 척(21)은 상,하부로 구동이 가능한 구조를 갖는다. 여기서, 상기 척(21)이 상,하부로 구동하는 구조는 단순한 설계 변경에 의해 용이하게 만들 수 있다.
아울러, 언급한 플레이트(23)는 기판 처리 장치(100)를 사용한 고온에서의 단위 공정을 수행할 때 상기 척(21) 상에 놓여지는 부재이다. 특히, 본 발명의 실 시예 1에서의 플레이트(23)는 단순하게 척(21) 상에 놓여지는 부재가 아니라 그 상부에 기판(27)이 놓여지는 부재이다. 즉, 상기 플레이트(23)는 그 상부에 고온에서 공정이 이루어지는 기판(27)이 놓여진 상태에서 상기 척(21) 상에 위치하는 것이다. 여기서, 상기 플레이트(23)는 척(21)이 제공하는 고온에 의해 열변형이 거의 없어야 한다. 그러므로, 상기 플레이트(23)로 제조할 수 있는 물질의 예로서는 산화 알루미늄, 석영, 탄화 실리콘 등을 들 수 있다. 특히, 이들은 단독으로 사용하는 것이 바람직하고, 경우에 따라서 둘 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 상기 플레이트(23)에 놓여지는 기판(27)의 예로서는 반도체 소자로 제조하기 위한 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이 소자로 제조하기 위한 유리 기판 등을 들 수 있다. 그러나, 상기 기판(27)이 언급한 예에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 본 발명의 실시예 1에서의 기판 처리 장치(100)는 상기 척(21) 상에 놓여지고 그리고 그 상부에는 고온에서 공정이 이루어지는 기판(27)이 놓여지는 플레이트(23)를 포함한다.
또한, 본 발명의 실시예 1에서는 언급한 바와 같이 척(21)이 상,하부로 구동하는 구조를 갖기 때문에 분리부(25)는 챔버(10) 내측벽으로부터 챔버(10) 내부로 돌출되는 구조를 갖도록 설치된다. 이때, 상기 분리부(25)는 상기 챔버(10) 내측벽을 둘러싸도록 설치되거나 챔버(10) 내측벽에 부분적으로 설치될 수 있다. 특히, 상기 분리부(25)가 챔버(10) 내측벽에 부분적으로 설치될 경우에는 분리부(25)에 지지되는 부재 즉, 플레이트(23)가 어느 한쪽으로 기울어지지 않도록 배치해야 한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예 1에서의 기판 처리 장치(100)는 언급한 분리부(25)를 설치함으로써 상기 플레이트(23)가 놓여진 척이 아래 즉, 하부로 구동할 때 상기 플레이트(23)의 이면 가장자지를 지지할 수 있다. 그러므로, 고온에서 공정이 이루어진 기판(27)이 그 상부에 놓여진 플레이트(23)를 상기 척(21)으로부터 용이하게 분리시킬 수 있다.
그리고, 상기 이송부(12)는 상기 기판(27)이 그 상부에 놓여지는 플레이트(23)를 상기 척(21)으로 이송하거나 또는 상기 분리부(25)에 의해 상기 척(21)으로부터 분리된 플레이트(23)를 챔버(10)로부터 빼내는 부재이다. 그러므로, 상기 이송부(12)의 예로서는 블레이드, 로봇암 등을 들 수 있다.
또한, 상기 냉각부(14)는 상기 챔버(10)로부터 빼낸 플레이트(23) 즉, 그 상부에 고온에서 공정이 이루어진 기판(27)이 놓여진 플레이트(23)를 수용하는 부재로써, 고온에 의해 충분하게 가열된 플레이트(23)와 기판(27)을 냉각시키는 것이 바람직하다. 그러므로, 상기 냉각부(14)는 강제 냉각을 위한 부재로써 예를 들면 공랭식 쿨러 등을 포함할 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예 1에서는 플레이트(23), 분리부(25) 등을 포함하는 기판 처리 장치(100)를 마련한다. 따라서, 본 발명의 실시예 1의 기판 처리 장치(100)에서는 이송 대상이 기판(27) 자체가 아닌 그 상부에 기판(27)이 놓여지는 플레이트(23)이다. 여기서, 상기 플레이트(23)는 열변형에 강한 재질로 이루어진다. 그러므로, 상기 플레이트(23)를 이송 대상으로 하는 본 발명의 실시예 1의 기판 처리 장치(100)를 반도체 집적 회로 소자의 제조에 적용할 경우 고온에서 공정이 이루어진 기판(27)을 안전하게 이송할 수 있다. 아울러, 본 발명의 실시예 1의 기판 처리 장치(100)는 분리부(25)를 포함함으로써 플레이트(23)를 채용함에 따른 이송의 편의를 용이하게 도모할 수 있다.
이하, 언급한 본 발명의 실시예 1의 기판 처리 장치를 이용한 기판 이송 방법과 기판 처리 방법에 대하여 설명하기로 한다. 그리고, 이하에서는 언급한 기판 처리 장치와 동일 부재에 대해서는 동일 부호를 사용하기로 한다.
먼저, 선행 공정이 이루어진 기판(27)을 플레이트(23) 상부에 위치시킨다. 즉, 선행 공정이 이루어진 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓는 것이다. 여기서, 상기 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓는 작업은 챔버(10) 외부에서 이루어지는 것이 바람직하다. 이는, 챔버(10) 내부에서 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓을 경우에는 플레이트(23)와 기판(27) 각각을 이송해야 하기 때문이다. 아울러, 상기 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓는 작업은 기판 처리 장치(100)의 이송부(12)를 적절하게 사용하면 가능하다.
이어서, 상기 이송부(12)를 사용하여 그 상부에 기판(27)이 놓여진 플레이트(23)를 척(21) 상에 놓는다. 그리고, 상기 척(21)의 히터(211)를 사용하여 기판(27)을 가열시킨다. 즉, 상기 척(21)의 히터(211)를 사용하여 조성한 고온 상태를 상기 기판(27)으로 제공하는 것이다. 이때, 상기 척(21)의 히터(211)에 의해 제공되는 고온은 약 400℃ 이상인 것이 바람직하다. 그 이유는, 언급한 400℃ 이상의 온도에서 기판(211)의 열변형이 보다 심하게 발생하기 때문이다.
언급한 바와 같이, 상기 척(21)에 의해 제공되는 고온을 이용하여 기판(27)을 대상으로 공정을 수행한다. 여기서, 상기 고온에서의 공정에 대한 예로서는 박막 적층, 패터닝 등과 같은 반도체 집적 회로 소자의 제조에 따른 단위 공정을 들 수 있다.
그리고, 상기 고온에서의 공정을 종료한 후, 상기 공정이 이루어진 기판(27)이 그 상부에 놓여진 플레이트(23)를 상기 척(21)으로부터 분리시킨다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 척(21)을 하강시킨다. 그러면, 상기 플레이트(23)도 함께 하강된다. 이와 같이, 상기 척(21)의 하강에 의해 상기 플레이트(23)도 하강되다가 상기 플레이트(23)의 가장자리 이면이 분리부(25)에 지지된다. 이때, 상기 플레이트(21)가 분리부(25)에 의해 지지된 상태에서도 상기 척(21)의 하강은 어느 정도 계속된다.
이에 따라, 상기 분리부(25)에 의해 지지된 플레이트(23)와 어느 정도 하강이 이루어진 척(21) 사이에는 공간이 생기고, 상기 공간으로 이송부(12)를 위치시킨다. 그리고, 상기 이송부(12)를 사용하여 상기 플레이트(23)를 챔버(10) 외부로 이송시킨다.
그리고, 상기 이송부(12)를 계속적으로 사용하여 상기 고온에서 공정이 이루어진 기판(27)이 놓여진 플레이트(23)를 냉각부(14)에 위치시켜 냉각을 수행한 후, 상기 기판을 후속 공정으로 이송시킨다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 기판 이송 방법 및 기판 처리 방법에 의하면 이송 대상을 열변형에 유리한 플레이트로 한정한다. 그러므로, 본 발명의 방법을 반도체 집적 회로 소자의 제조에 이용할 경우 기판에 가해진 열에 의해 이송에 따른 불이익을 충분하게 감소시킬 수 있다.
실시예 2
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
먼저, 본 발명의 실시예 2에서의 기판 처리 장치(200)는 분리부(35)를 제외하고는 언급한 실시예 1에서의 기판 처리 장치(100)와 거의 유사한 구성을 갖는다. 그러므로, 본 발명의 실시예 2에서는 실시예 1과 중복되는 구성에 대해서는 그 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예 2에서의 기판 처리 장치(200) 또한 박막의 적층, 패터닝을 위한 포토리소그라피, 공정의 전치리 또는 후처리를 위한 세정 등과 같은 단위 공정 등을 수행하기 위한 것으로써, 고온을 이용하는 공정에 적용된다. 그러므로, 본 발명의 실시예 2에서의 기판 처리 장치(200)도 챔버(10)와 이송부(12) 그리고 냉각부(14)를 포함한다. 아울러, 상기 챔버(10)에는 척(21)과 상기 척(21) 상에 놓여지는 플레이트(23)가 위치하고 그리고 상기 척(21)으로부터 플레이트(23)를 분리시키는 분리부(35)가 설치된다.
특히, 본 발명의 실시예 2에서의 분리부(35)를 실시예 1에서의 분리부(25)와는 달리 분리부(35) 자체가 상,하로 구동하는 구조를 갖는다. 즉, 본 발명의 실시예 2에서의 분리부(35)는 상기 척(21)을 관통하도록 설치되어 상기 플레이트(23)를 척(21) 상부로 밀어 올릴 수 있는 리프트-핀을 포함한다. 이때, 상기 척(21)은 실시예 1과는 달리 고정된 구조를 갖는다.
이와 같이, 본 발명의 실시예 2에서는 척(21)은 고정된 구조를 갖고, 분리부(35)가 상,하로 구동하는 구조를 갖는다. 특히, 본 발명의 실시예 2에서의 분리부(35)는 기판(27) 자체를 척(21) 상부로 밀어 올리는 것이 아니라 그 상부에 고온에서 공정이 이루어진 기판(27)이 놓여진 플레이트(23)를 척(21) 상부로 밀어 올린다. 다시 말해, 본 발명의 실시예 2에서의 분리부(35)는 그 상부에 기판(27)이 놓여지는 플레이트(23)가 분리 대상인 것이다. 이는, 상기 분리부(35)가 고온에서 공정이 이루어진 기판(27) 자체를 이송 대상으로 할 경우에는 열변형에 의해 기판(27)에 심각한 손상을 가할 수 있기 때문이다. 그러므로, 본 발명의 실시예 2에서는 분리부(35)가 기판(27) 자체가 아닌 플레이트(23)를 그 이송 대상으로 하는 것이다.
따라서, 본 발명의 실시예 2에서의 기판 처리 장치도 언급한 실시예 1에서의 기판 처리 장치와 마찬가지로 반도체 집적 회로 소자의 제조에 적용할 경우 고온에서 공정이 이루어진 기판(27)을 안전하게 이송할 수 있다.
이하, 언급한 본 발명의 실시예 2의 기판 처리 장치를 이용한 기판 이송 방법과 기판 처리 방법에 대하여 설명하기로 한다. 그리고, 이하에서는 언급한 실시예 2의 기판 처리 장치와 동일 부재에 대해서는 동일 부호를 사용하기로 한다.
먼저, 선행 공정이 이루어진 기판(27)을 플레이트(23) 상부에 위치시킨다. 즉, 선행 공정이 이루어진 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓는 것이다. 여기서, 상기 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓는 작업은 챔버(10) 외부에서 이루어지는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 기판(27)을 플레이트(23) 상에 놓는 작업은 기판 처리 장치(100)의 이송부(12)를 적절하게 사용하면 가능하다.
이어서, 상기 이송부(12)를 사용하여 그 상부에 기판(27)이 놓여진 플레이트(23)를 척(21) 상에 놓는다. 그리고, 상기 척(21)의 히터(211)를 사용하여 기판(27)을 가열시킨다. 이때, 상기 척(21)의 히터(211)에 의해 제공되는 고온은 약 400℃ 이상인 것이 바람직하다. 그 이유는, 언급한 400℃ 이상의 온도에서 기판(211)의 열변형이 보다 심하게 발생하기 때문이다.
언급한 바와 같이, 상기 척(21)에 의해 제공되는 고온을 이용하여 기판(27)을 대상으로 공정을 수행한다. 여기서, 상기 고온에서의 공정에 대한 예로서는 박막 적층, 패터닝 등과 같은 반도체 집적 회로 소자의 제조에 따른 단위 공정을 들 수 있다.
그리고, 상기 고온에서의 공정을 종료한 후, 상기 공정이 이루어진 기판(27)이 그 상부에 놓여진 플레이트(23)를 상기 척(21)으로부터 분리시킨다. 구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 분리부(35)를 사용하여 플레이트를 척(21) 상부로 밀어 올린다. 그러면, 상기 분리부(35)에 의해 지지된 플레이트(23)와 척(21) 사이에는 공간이 생기고, 상기 공간으로 이송부(12)를 위치시킨다. 그리고, 상기 이송부(12)를 사용하여 상기 플레이트(23)를 챔버(10) 외부로 이송시킨다.
그리고, 상기 이송부(12)를 계속적으로 사용하여 상기 고온에서 공정이 이루 어진 기판(27)이 놓여진 플레이트(23)를 냉각부(14)에 위치시켜 냉각을 수행한 후, 상기 기판을 후속 공정으로 이송시킨다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 기판 이송 방법 및 기판 처리 방법에 의하면 이송 대상을 열변형에 유리한 플레이트로 한정한다. 그러므로, 본 발명의 방법을 반도체 집적 회로 소자의 제조에 이용할 경우 기판에 가해진 열에 의해 이송에 따른 불이익을 충분하게 감소시킬 수 있다.
본 발명에서의 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서는 기판 자체가 아닌 그 상부에 기판이 놓여지는 플레이트를 이송 대상으로 한다. 이에, 고온에서 공정이 이루어진 기판도 플레이트 상부에 놓여진 상태에서 이송이 이루어진다. 따라서, 본 발명에 의하면 고온에서 공정이 이루어진 기판의 이송을 안전하게 수행할 수 있다.
이에, 본 발명의 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치는 대구경을 갖는 반도체 기판, 대면적을 갖는 유기 기판 등을 사용하는 반도체 집적 회로 소자의 제조에 적극적으로 적용할 수 있는 이점이 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 고온을 제공하는 척 상에 위치하고 그리고 그 상부에는 상기 고온에서 공정이 이루어지는 기판이 놓여진 플레이트를 상기 척으로부터 분리시키는 단계; 및
    상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 척이 위치하는 챔버로부터 빼내는 단계를 포함하는 기판 이송 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 척이 제공하는 고온은 400℃ 이상인 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 플레이트를 척으로부터 분리시키는 단계는,
    상기 척을 하강시키는 단계; 및
    상기 척이 하강할 때 상기 플레이트의 가장자리를 지지하는 단계를 포함하고,
    상기 플레이트를 챔버로부터 빼내는 단계는,
    상기 가장자리가 지지된 상기 플레이트의 이면에 이송 부재를 위치시키는 단계; 및
    상기 이송 부재를 사용하여 상기 플레이트를 상기 챔버의 외부로 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 플레이트를 척으로부터 분리시키는 단계는,
    상기 척으로부터 상기 플레이트를 밀어 올리고,
    상기 플레이트를 챔버로부터 빼내는 단계는,
    상기 척을 밀어 올림에 따라 노출되는 상기 플레이트의 이면에 이송 부재를 위치시키는 단계; 및
    상기 이송 부재를 사용하여 상기 플레이트를 상기 챔버의 외부로 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 이송 방법.
  5. 챔버 내에 위치하고, 고온을 제공하는 척 상에 상기 고온에서 공정이 이루어질 기판이 그 상부에 놓여진 플레이트를 위치시키는 단계;
    상기 척에 의해 제공되는 고온을 이용하여 상기 기판을 대상으로 공정을 수행하는 단계;
    상기 공정이 이루어진 기판이 그 상부에 놓여진 플레이트를 상기 척으로부터 분리시키는 단계; 및
    상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 척이 위치하는 챔버로부터 빼내는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 척이 제공하는 고온은 400℃ 이상이고, 상기 고온에서 이루어지는 공정은 상기 기판 상에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 플레이트를 척으로부터 분리시키는 단계는,
    상기 척을 하강시키는 단계; 및
    상기 척이 하강할 때 상기 플레이트의 가장자리를 지지하는 단계를 포함하거나, 또는
    상기 척으로부터 상기 플레이트를 밀어 올리는 것을 특징으로 하고,
    상기 플레이트를 챔버로부터 빼내는 단계는,
    상기 가장자리가 지지되거나 또는 상기 척을 밀어 올림에 따라 노출되는 상기 플레이트의 이면에 이송 부재를 위치시키는 단계; 및
    상기 이송 부재를 사용하여 상기 플레이트를 상기 챔버의 외부로 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제5 항에 있어서, 상기 챔버로부터 빼낸 상기 기판이 놓여진 플레이트를 냉각시키는 단계; 및
    상기 플레이트로부터 상기 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하고, 고온을 제공하는 척;
    상기 척 상에 놓여지고 그리고 그 상부에는 상기 고온에서 공정이 이루어지 는 기판이 놓여지는 플레이트;
    상기 공정이 이루어지는 기판이 그 상부에 놓여진 플레이트를 상기 척으로부터 분리시키는 분리부; 및
    상기 기판이 그 상부에 놓여지는 플레이트를 상기 척으로 이송하거나 또는 상기 분리부에 의해 상기 척으로부터 분리된 플레이트를 상기 챔버로부터 빼내는 이송부를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 플레이트는 산화 알루미늄, 석영, 탄화 실리콘 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 분리부는,
    상기 척 자체가 상,하로 구동하는 구조를 가질 경우, 상기 플레이트가 놓여진 척이 아래로 구동할 때 상기 플레이트의 이면 가장자리를 지지하도록 상기 챔버 내측벽에 설치되는 지지부를 포함하거나, 또는
    상기 척 자체가 고정된 구조를 가질 경우, 상기 척을 관통하도록 설치되어 상기 플레이트를 상기 척 상부로 밀어 올릴 수 있는 리프트-핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제9 항에 있어서, 상기 챔버로부터 빼낸 상기 기판이 놓여진 플레이트를 냉각시키는 냉각부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020060119519A 2006-11-30 2006-11-30 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치 KR100765189B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060119519A KR100765189B1 (ko) 2006-11-30 2006-11-30 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060119519A KR100765189B1 (ko) 2006-11-30 2006-11-30 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100765189B1 true KR100765189B1 (ko) 2007-10-15

Family

ID=39419703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060119519A KR100765189B1 (ko) 2006-11-30 2006-11-30 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100765189B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63131521A (ja) 1986-11-21 1988-06-03 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
KR960015838A (ko) * 1994-10-31 1996-05-22 황인길 웨이퍼의 자동 공급방법 및 그 장치
KR20050002379A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 핫 플레이트 복사열 차단 기능을 갖는 포토 트랙 장치 및제어 방법
KR20060047677A (ko) * 2004-05-27 2006-05-18 시마쯔 코포레이션 기판 옮김 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63131521A (ja) 1986-11-21 1988-06-03 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
KR960015838A (ko) * 1994-10-31 1996-05-22 황인길 웨이퍼의 자동 공급방법 및 그 장치
KR20050002379A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 핫 플레이트 복사열 차단 기능을 갖는 포토 트랙 장치 및제어 방법
KR20060047677A (ko) * 2004-05-27 2006-05-18 시마쯔 코포레이션 기판 옮김 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI573218B (zh) Reaction chamber and semiconductor processing device
CN106024682B (zh) 等离子处理装置以及等离子处理方法
CN105140094B (zh) 等离子处理装置及方法
JP2006273563A (ja) ロードロック装置，処理システム及び処理方法
JP2001257250A (ja) デュアル基板ロードロック・プロセス装置
JP5886700B2 (ja) 伝熱シート貼付装置及び伝熱シート貼付方法
WO2007027436A2 (en) Processing thin wafers
US20170133245A1 (en) Substrate mounting mechanism and substrate processing apparatus
TW200926337A (en) Substrate mounting stage and substrate treating equipment
WO2007099786A1 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2016051876A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4086967B2 (ja) 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置
JP2009200142A (ja) 成膜装置および成膜方法
JP2001176808A (ja) 気相薄膜成長装置におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持部材
JP2001127041A (ja) 基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6399435B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
US20210384060A1 (en) Structure for automatic in-situ replacement of a part of an electrostatic chuck
KR102325772B1 (ko) 기판처리장치
JP6485702B2 (ja) プラズマ処理方法および電子部品の製造方法
KR100765189B1 (ko) 기판 이송 방법과 기판 처리 방법 및 장치
JP2003059998A (ja) トレイ式マルチチャンバー基板処理装置及びトレイ式基板処理装置
JP2002299319A (ja) 基板処理装置
JP2016195151A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2016195155A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2019079837A (ja) プラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee