JP2021166267A - 貼り合わせｓｏｉウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＳＯＩ層の面内膜厚均一性を良好に維持できる貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法は、水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する工程と、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより貼り合わせＳＯＩウェーハを作製する工程と、貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行う工程とを有する。ＲＴＡ処理後の貼り合わせＳＯＩウェーハを、ウェーハ搬送ロボットを用いてＲＴＡ処理炉から取り出す際、ウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を室温よりも高温に調整した状態で取り出す。【選択図】図１

Description

本発明は、貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法に関する。

ＳＯＩウェーハの製造方法、特に先端集積回路の高性能化を可能とする薄膜ＳＯＩウェーハの製造方法として、イオン注入したウェーハを接合後に剥離してＳＯＩウェーハを製造する方法（イオン注入剥離法：スマートカット法（登録商標）とも呼ばれる技術）が注目されている（例えば、特許文献１、特許文献２）。

このイオン注入剥離法は、以下のような方法である。まず、二枚のシリコンウェーハの内、少なくとも一方に絶縁膜を形成すると共に、一方のシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）の上面から水素イオン又は希ガスイオン等のガスイオンを注入し、ボンドウェーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させる。その後、イオンを注入した方の面を、絶縁膜を介して他方のシリコンウェーハ（ベースウェーハ）と密着させる。その後、熱処理（剥離熱処理）を行って微小気泡層を剥離面（劈開面）としてボンドウェーハを薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を行って強固に結合してＳＯＩウェーハとする。この段階では、剥離面がＳＯＩ層の表面となる。

イオン注入剥離法による貼り合わせＳＯＩウェーハの作製において、剥離後にＳＯＩウェーハの表面粗さ（ＳＯＩ層の表面粗さ）を改善する為に、水素ＲＴＡ処理（水素ガス含有雰囲気下での急速加熱・急速冷却熱処理）を行う場合がある。これは、ＳＯＩ層表面の自然酸化膜が水素ＲＴＡ処理中に還元されて消失し、むき出しになったＳｉの原子が移動することによる効果を利用するものである。

一方、水素ＲＴＡ処理によりウェーハ表面の酸化膜が消失するために、ＲＴＡ処理後の炉からの取り出し時においては、ウェーハの表面には自然酸化膜が成長しておらず、炉からの取り出し後の空気中の酸素との反応によって、自然酸化膜が形成される。

特開平５−２１１１２８号公報 特開２０１９−８７６１７号公報 特開２０１５−１７７１５０号公報

水素ＲＴＡ処理後の炉からの取り出し時においては、スループットを向上させるため、ウェーハ温度が室温まで低下するのを待たずにウェーハハンドリングロボットにて取り出し、クーリングステージに移される。この際、ウェーハの温度は下がり切っておらず、ウェーハを回収するロボットとの接触部、例えば裏面チャック方式のロボットの場合、ウェーハの中央部では、ロボットとの接触により、ウェーハ温度がロボットと接触しない非接触部よりも低くなる。

ウェーハに形成される自然酸化膜は、ウェーハ温度により成長速度が変化する。例えば、ウェーハ温度が低くなると成長速度が小さくなる。このため、ウェーハとウェーハハンドリングロボットとの接触部に形成される表面酸化膜は、非接触部よりも薄くなる。水素ＲＴＡ処理の直後のウェーハは、パーティクル除去を目的としたＲＣＡ洗浄した後に、次工程の処理が行われる。

ＲＣＡ洗浄とは、ＳＣ１溶液（水酸化アンモニウムと過酸化水素の水溶液）とＳＣ２溶液（塩酸と過酸化水素の水溶液）を使用した洗浄方法として、シリコン単結晶ウェーハの洗浄に広く用いられている。ＳＣ１溶液は、ウェーハ表面のパーティクル除去性能が非常に優れており、Ｓｉと酸化膜のエッチングを伴う洗浄液である。一方、ＳＣ２溶液は、金属不純物除去の役割を担った洗浄液であり、Ｓｉと酸化膜はほとんどエッチングされない。

この際、表面酸化膜が部分的に薄くなったウェーハをＲＣＡ洗浄すると、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ウェーハ面内の酸化膜が薄い箇所（図４（ａ）の例ではウェーハ中央部）ではＳＣ１によるエッチングが先行してしまうため、ＳＯＩ層の膜厚が部分的に薄くなり、膜厚均一性が悪化する問題があった。なお、図４（ｂ）は、図４（ａ）中の矢印で示した方向のＳＯＩ層の膜厚を示したグラフである。ＳＯＩ層の膜厚均一性が悪化すると、特に、ＳＯＩ層の膜厚が２０ｎｍ以下のＦＤＳＯＩ（Ｆｕｌｌｙ Ｄｅｐｌｅｔｅｄ
Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：完全空乏型ＳＯＩ）のような、ＳＯＩ層の厚さが直接的にデバイスの閾値に影響するようなＳＯＩウェーハではデバイス歩留が低下するという問題があった。

なお、特許文献３には、ＲＴＡ処理とその後の洗浄を行った後も薄膜の面内膜厚均一性を良好に維持できる、貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とした技術が開示されている。特許文献３に記載された技術は、ＲＴＡ処理の最高温度から降温して熱処理炉から貼り合わせウェーハを取り出すまでの間に、熱処理炉内で薄膜の表面に保護膜を形成することにより、その課題を解決するものである。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行い、その後の洗浄を行った後もＳＯＩ層の面内膜厚均一性を良好に維持できる、貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する工程と、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に前記絶縁膜とＳＯＩ層とを有する貼り合わせＳＯＩウェーハを作製する工程と、該貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行うことによって前記ＳＯＩ層の表面を平坦化する工程とを有する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、前記ＲＴＡ処理後の前記貼り合わせＳＯＩウェーハを、ウェーハ搬送ロボットを用いてＲＴＡ処理炉から取り出す際、前記ウェーハ搬送ロボットの前記ウェーハ保持部の温度を室温よりも高温に調整した状態で前記貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出す貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。

このような貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法によれば、ウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を室温より高温に調整した状態で貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出すことで、高温の貼り合わせＳＯＩウェーハとウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度差が小さくなるため、ウェーハとウェーハ保持部との接触部と非接触部のそれぞれに形成される表面酸化膜厚さのバラツキが小さくなり、水素ガス含有雰囲気下でのＲＴＡ処理に続けて洗浄を行った後の、ＳＯＩ層の面内膜厚均一性を良好に維持できる。

このとき、前記ウェーハ保持部の温度を５０℃以上４００℃以下とすることができる。

これにより、ＳＯＩ層の面内膜厚均一性をさらに良好に維持できる。

以上のように、本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法によれば、ウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を室温より高温に調整した状態で貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出すことで、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行い、その後にＲＣＡ洗浄を行った後も、高温の貼り合わせＳＯＩウェーハとウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度差が小さくなるため、ウェーハとウェーハ保持部との接触部と非接触部のそれぞれに形成される表面酸化膜厚さのバラツキが小さくなり、水素ガス含有雰囲気下でのＲＴＡ処理に続けて洗浄を行った後の、ＳＯＩ層の面内膜厚均一性を良好に維持できる。

本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示すフロー図である。 本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法で用いる熱処理装置の一例を模式的に示す、概略上面図である。 （ａ）は、本発明に係るＳＯＩウェーハの製造方法により得られた貼り合わせＳＯＩウェーハにおける、ＳＯＩ層の膜厚分布を示した測定図である。（ｂ）は、（ａ）の矢印で示した部分におけるＳＯＩ層の膜厚分布を示したグラフである。 （ａ）は、従来のＳＯＩウェーハの製造方法により得られた貼り合わせＳＯＩウェーハにおける、ＳＯＩ層の膜厚分布を示した測定図である。（ｂ）は、（ａ）の矢印で示した部分におけるＳＯＩ層の膜厚分布を示したグラフである。

以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する工程と、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に前記絶縁膜とＳＯＩ層とを有する貼り合わせＳＯＩウェーハを作製する工程と、該貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行うことによって前記ＳＯＩ層の表面を平坦化する工程とを有する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、前記ＲＴＡ処理後の前記貼り合わせＳＯＩウェーハを、ウェーハ搬送ロボットを用いてＲＴＡ処理炉から取り出す際、前記ウェーハ搬送ロボットの前記ウェーハ保持部の温度を室温よりも高温に調整した状態で前記貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出す貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法により、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行い、その後の洗浄を行った後もＳＯＩ層の面内膜厚均一性を良好に維持できることを見出し、本発明を完成した。

以下、図面を参照して説明する。

図２に、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法で用いることが可能な熱処理装置の一例を示す。

図２に示す熱処理装置１は、ウェーハＷを熱処理するための熱処理チャンバー５と、熱処理後のウェーハＷを冷却するための冷却チャンバー６、熱処理装置１内へのウェーハＷの搬入、熱処理装置１外へのウェーハＷの搬出を行うためのロード・アンロード用ポート７とを有している。また、熱処理チャンバー５と冷却チャンバー６の間には、開閉可能なゲートドア９を配置することができる。ロード・アンロード用ポート７には、ウェーハＷの取り出し、収納ができるＦＯＵＰ等の収納容器１１を設置しても良い。ウェーハＷを搬送するために用いるウェーハ搬送ロボット２は、ウェーハ保持部３及び温度調整機構４を具備している。ウェーハ搬送ロボット２のウェーハ保持部３は、一般的に、アルミナなどのセラミックスやアルミニウムやステンレス鋼などの金属製部材（フッ素樹脂、ＤＬＣなどによる表面コーティングあり）から構成されている。図２の例では、ウェーハ保持部３はウェーハ搬送ロボット２のアームの先に設けられ、ウェーハ保持部３に連結するように、ウェーハ保持部３の温度を室温より高い温度、特に、５０℃以上４００℃以下の温度に調整することのできる温度調整機構４を備えている。なお、熱処理装置１は、図示しない制御部によって制御されてもよい。

温度調整機構４は、ウェーハ保持部３の温度を室温より高い温度に調整することができれば、上記の例に限定されない。例えば、ウェーハ保持部３自体に温度調整機構４を備えても良いし、ウェーハ搬送ロボット２が待機している場所で、ウェーハ保持部３を外部から加熱して所定の温度に調整可能な温度調整機構４としても良い。

図２に示す熱処理装置１を用いて、例えば、この収容容器１１からウェーハ搬送ロボット２によりウェーハＷを熱処理チャンバー５へ搬送し、加熱部１０で熱処理を行い、次いで熱処理が終了したウェーハＷをウェーハ搬送ロボット２により冷却チャンバー６へ搬送し、冷却ステージ８で冷却し、最後に、冷却後のウェーハＷをウェーハ搬送ロボット２により収容容器１１へ搬送することで、ウェーハの熱処理及び冷却を完了することができる。

次に、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法について説明する。本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法は、上述のように、例えば図２に記載の熱処理装置１を用いて行うことができる。

図１は、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示すフロー図である。以下、図１のフロー図に沿って、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法について説明する。

本発明に係る貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法では、まずボンドウェーハ及びベースウェーハを準備し、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する（図１の工程Ｓ１）。

ボンドウェーハ及びベースウェーハとしては、特に限定されないが、例えば鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを好適に用いることができる。ただし、次の工程においてボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせるため、ボンドウェーハ及びベースウェーハの少なくともいずれか一方は、表面に絶縁膜を形成したものを準備する。この絶縁膜を有するウェーハとしては、ボンドウェーハ及びベースウェーハのいずれか一方に、熱酸化によりウェーハ表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したものを好適に用いることができる。ただし、絶縁膜は熱酸化膜に限定されず、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やその他の絶縁膜であってもよい。

ボンドウェーハにおけるイオン注入層の形成は、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して、ウェーハ内部にイオン注入層を形成すればよく、公知の方法で行えばよい。このとき、ボンドウェーハの表面に絶縁膜を形成した場合は、ボンドウェーハの表面上の絶縁膜を通過してイオン注入が行われる。

次に、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを、絶縁膜を介して貼り合わせる（図１の工程Ｓ２）。

次に、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、ベースウェーハ上に絶縁膜とＳＯＩ層とを有する貼り合わせＳＯＩウェーハを作製する（図１の工程Ｓ３）。このボンドウェーハの剥離は、特に限定されないが、例えばＡｒ等の不活性ガス雰囲気下での熱処理（剥離熱処理）によって行うことができる。なお、工程Ｓ２において、貼り合わせる面に予めプラズマ処理を施して貼り合わせることによって、室温で密着されたウェーハの結合強度を高め、工程Ｓ３において熱処理による剥離処理を行わずに（あるいは、剥離が発生しない程度の低温熱処理のみを行って）、機械的に剥離することもできる。このようにしてイオン注入層でボンドウェーハを剥離させることで、ベースウェーハ上に絶縁膜とＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハが得られる。

次に、得られた貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行う（図１の工程Ｓ４）。この工程では、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理（水素ＲＴＡ処理）を行うことによって、ＳＯＩ層の表面を平坦化する。なお、ＲＴＡ処理の前に、貼り合わせＳＯＩウェーハの結合強度を高めるための結合熱処理（例えば、９００〜１，０００℃、３０分〜２時間、酸化性雰囲気）を行うこともできる。

工程Ｓ４の水素ＲＴＡ処理における水素ガス含有雰囲気は、例えば１００％Ｈ_２ガス雰囲気や、Ｈ_２とＡｒの混合ガス雰囲気とすればよい。また、水素ＲＴＡ処理の最高温度は１，１００℃以上、処理時間（最高温度の保持時間）は１〜６０秒程度とすることが好ましい。

次に、ＲＴＡ処理後の貼り合わせＳＯＩウェーハを、ウェーハ搬送ロボットを用いてＲＴＡ処理炉から取り出す。この際、ウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を室温よりも高温に調整した状態で、貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出す（図１の工程Ｓ５）。

工程Ｓ５で調整するウェーハ保持部の温度は、室温よりも高温であればよく、ウェーハ保持部がウェーハと接触する際のウェーハの温度と同一温度とすることが好ましい。ただし、接触時のウェーハの温度は熱処理条件によって異なるため、所定の熱処理条件毎に実験的に求めることが好ましいが、概ね、５０℃以上４００℃以下の範囲に設定しておくことによって、安定して十分な効果を得ることができる。

上述のように、ウェーハ搬送時の温度低下を抑制する効果を安定して十分に得るためには、５０℃以上に調整することが好ましい。また、４００℃以下とすれば、（自然）酸化膜の成長速度を適度な範囲に維持でき、安定的にＳＯＩ層の膜厚均一性を高くすることができる。さらに、ロボットアームのタイミングベルト等の部材の熱的な損傷による、ロボット故障等の恐れもより低減することができる。

以下、実施例を挙げて本発明について具体的に説明するが、これは本発明を限定するものではない。

（実施例１）
直径３００ｍｍのシリコン単結晶から切り出したボンドウェーハを準備し、このボンドウェーハに膜厚２５ｎｍとなるように酸化膜（熱酸化膜）の成長を行い、その後水素イオンを注入した。次に、直径３００ｍｍのシリコン単結晶から切り出したベースウェーハを準備し、ボンドウェーハとの貼り合わせを行った。その後、貼り合わせたウェーハに剥離熱処理を行い、貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。

このようにして、イオン注入剥離法により、ＳＯＩ層膜厚／ＢＯＸ層膜厚＝１２ｎｍ／２５ｎｍのＳＯＩウェーハ（直径３００ｍｍ）を作製した。剥離後のＳＯＩウェーハに水素ＲＴＡ処理（１２００℃、３０秒）を行い、表面粗さを改善した。この際、ウェーハ取り出し時のウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度は５０℃に調整した。

水素ＲＴＡ処理の直後にＲＣＡ洗浄（ＳＣ１＋ＳＣ２）を行い、表面のパーティクル等を除去した。ＲＣＡ洗浄のＳＣ１洗浄としては、液温８０℃、３分の洗浄を行った。

（実施例２）
ウェーハ保持部の温度を２００℃に調整した以外は、実施例１と同様にイオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを作製し、ＲＴＡ処理を行い、ＲＣＡ洗浄を行った。

（実施例３）
ウェーハ保持部の温度を４００℃に調整した以外は、実施例１と同様にイオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを作製し、ＲＴＡ処理を行い、ＲＣＡ洗浄を行った。

（比較例１）
ウェーハ保持部の温度を室温（２５℃）としたこと以外は、実施例１と同様にイオン注入剥離法によりＳＯＩウェーハを作製し、ＲＴＡ処理を行い、ＲＣＡ洗浄を行った。

実施例１〜３、比較例１において、ＲＣＡ洗浄前後のＳＯＩ層の膜厚をウェーハ面内４１点で測定し、取り代の面内分布（差分面内Ｒａｎｇｅ：最大値と最小値の差）を比較した。

実施例１〜３、比較例１におけるウェーハ保持部の温度の条件及び結果を表１にまとめた。

表１に示されるように、水素ＲＴＡ処理を行った直後の貼り合わせＳＯＩウェーハを、ウェーハ搬送ロボットを用いてＲＴＡ処理炉から取り出す際、ウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を室温よりも高温に調整した状態で貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出す場合、高温の貼り合わせＳＯＩウェーハとウェーハ保持部の温度差が小さくなるため、ウェーハとウェーハ保持部との接触部と非接触部のそれぞれに形成される表面酸化膜厚さのバラツキが小さくなり、ＲＣＡ洗浄によるＳＯＩ層の取り代の差分面内Ｒａｎｇｅが小さくなることが分かった。これにより、ＲＣＡ洗浄後に形成されるＳＯＩ層の面内膜厚差が小さくなることがわかった。

また、図３（ａ）に、実施例３で示したウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を４００℃に調整した場合の、ＲＣＡ洗浄後のウェーハ面内のＳＯＩ層の膜厚分布を示す。図３（ｂ）は、図３（ａ）中の矢印で示した方向のＳＯＩ層の膜厚分布を示したグラフである。また、図４（ａ）に、比較例で示したウェーハ搬送ロボットのウェーハ保持部の温度を室温（２５℃）とした場合のＲＣＡ洗浄後のウェーハ面内のＳＯＩ層の膜厚分布を示す。図４（ｂ）は、図４（ａ）中の矢印で示した方向のＳＯＩ層の膜厚分布を示したグラフである。

図３（ａ）、（ｂ）と図４（ａ）、（ｂ）とを比較すると明らかなように、図４の比較例では、ウェーハ中央部のＳＯＩ層の膜厚が薄くなった部分が薄膜化しているのが見られるが、図３の実施例３では、ウェーハ面内のＳＯＩ層の膜厚分布が均一になっていることがわかる。これは、表１で示したように、ＲＣＡ洗浄によるＳＯＩ層の取り代の差分面内Ｒａｎｇｅが、比較例では０．３０ｎｍであったのに対し、例えば実施例３では０．０５ｎｍ程度まで抑制されたことにより、結果としてＳＯＩ層の膜厚の均一性が大きく改善されたことがわかる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…熱処理装置、 ２…ウェーハ搬送ロボット、 ３…ウェーハ保持部、
４…温度調整機構、 ５…熱処理チャンバー、 ６…冷却チャンバー、
７…ロード・アンロード用ポート、 ８…冷却ステージ、 ９…ゲートドア、
１０…加熱部、 １１…収納容器。
Ｗ…ウェーハ。

Claims (2)

1. ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成する工程と、
   前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、
   前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に前記絶縁膜とＳＯＩ層とを有する貼り合わせＳＯＩウェーハを作製する工程と、
   該貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気下でＲＴＡ処理を行うことによって前記ＳＯＩ層の表面を平坦化する工程と
   を有する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、
   前記ＲＴＡ処理後の前記貼り合わせＳＯＩウェーハを、ウェーハ搬送ロボットを用いてＲＴＡ処理炉から取り出す際、前記ウェーハ搬送ロボットの前記ウェーハ保持部の温度を室温よりも高温に調整した状態で前記貼り合わせＳＯＩウェーハを取り出すことを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。
2. 前記ウェーハ保持部の温度を５０℃以上４００℃以下とすることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。

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