TW201841294A - 用以於一真空處理系統中裝載一基板之設備、用以處理一基板之系統、及用以裝載一基板之方法 - Google Patents

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Abstract

一種用以於一真空處理系統(100)中裝載一基板之設備(140)係說明。設備(140)包括一第一支承件(142)，用以支承一基板(10)；以及一第二支承件(144)，用以支承基板(10)，第二支承件與第一支承件(142)垂直地堆疊。

Description

用以於一真空處理系統中裝載一基板之設備、用以處理一基板之系統、及用以裝載一基板之方法
本揭露之數個實施例是有關於一種用以於一真空處理系統中裝載一基板之設備，一種用以處理一基板之系統，及一種用以裝載一基板之方法。本揭露之數個實施例特別是有關於一種用以於一真空處理系統中裝載一基板來用於顯示器製造之設備，一種裝配以用於真空處理一基板來製造顯示器裝置之系統，及一種用以於一真空處理系統中裝載一基板來用於顯示器製造之方法。
用於在基板上之層沈積的技術舉例為包括濺射沈積、熱蒸發、及化學氣相沈積。濺射沈積製程可使用，以沈積材料層於基板上，例如是導電材料或絕緣材料之層。在濺射沈積製程期間，利用於電漿區域中產生之離子，具有將沈積於基板上之靶材料的靶材係轟擊，以從靶材之表面逐出(dislodged)靶材材料之原子。逐出之原子可形成材料層於基板上。在反應濺射沈積製程中，逐出之原子可與電漿區域中的氣體作用，以形成靶材材料之氧化物、氮化物或氮氧化物於基板上。電漿區域中的氣體舉例為氮或氧。
已塗佈之材料可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，一種應用係在微電子之領域中，例如是產生半導體裝置。再者，用於顯示器之基板時常藉由濺射沈積製程進行塗佈。其他應用包括絕緣面板、具有薄膜電晶體(TFT)之基板、彩色濾光片或類似者。
舉例來說，在顯示器製造中，減少顯示器之製造成本係為有利的。顯示器舉例為用於行動電話、平板電腦、電視螢幕、及類似者。舉例為藉由增加真空處理系統之產量，且真空處理系統例如是濺射沈積系統，減少製造成本係可達成。再者，佔地面積可為減少真空處理系統之所有權的成本的相關因素。
有鑑於上述，克服此技術領域中之至少一些問題的設備、系統及方法係有利的。本揭露特別是著重於提出設備、系統及方法，提供增加真空處理系統之產量及減少真空處理系統之佔地面積之至少一者。
有鑑於上述，提出一種用以於一真空處理系統中裝載一基板之設備，一種用以處理一基板之系統，及一種用以裝載一基板之方法。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。
根據本揭露之一方面，提出一種用以於一真空處理系統中裝載一基板之設備。此設備包括一第一支承件，用以支承一基板；以及一第二支承件，用以支承基板，第二支承件與第一支承件垂直地堆疊。
根據本揭露之另一方面，提出一種用以真空處理一基板之系統。系統包括一處理模組，裝配以層沈積於基板上；以及根據此處所述實施例之設備。
根據本揭露之再另一方面，提出一種用以真空處理一基板之系統。系統包括根據此處所述實施例之設備；一第一裝載腔室；選擇之一第二裝載腔室；及一真空腔室，裝配以用於處理基板。
根據本揭露之其他方面，提出一種裝載一基板之方法。此方法包括於一第一位置裝載基板於一第一支承件上，第一支承件與一第二支承件垂直地堆疊；以及從第一位置水平地移動具有基板之第一支承件至一第二位置。
數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備，且包括用以執行所述之各方法方面之設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，根據本揭露之數個實施例係亦有關於用以操作所述之設備的方法。用以操作所述之設備的此些方法包括數個方法方面，用以執行設備之各功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
詳細的參照現在將以本揭露之數種實施例達成，數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在圖式之下方說明中，相同參考編號係意指相同之元件。只有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得進一步之實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
本揭露之數個實施例係提供在真空處理系統中用於基板之垂直堆疊之支承件(亦意指為「裝載器」)，特別是用於大面積基板。第一(基板)支承件係提供於第二(基板)支承件之上方。數個實施例特別是有關於串連(in-line)裝配，具有垂直對準之伯努利(Bernoulli)裝載器/伯努利支承件。
提供堆疊之支承件可減少潔淨室之區域，堆疊之支承件例如是垂直堆疊之伯努利支承件或裝載器。第一支承件及第二支承件係不相鄰於彼此配置，但位於彼此之上方或至少部份地位於彼此之上方。此係減少包括支承件或其他裝載體之真空處理系統之佔地面積。支承件或其他裝載器舉例為用以裝載基板於載體上，載體可設置於擺動模組上。
本揭露之數個實施例係有關於顯示器產業。舉例來說，顯示器可利用數個製程製造於大面積基板上，此些製程像是化學氣相沈積及物理氣相沈積。舉例來說，薄膜電晶體(TFT)顯示器可製造於大面積基板上。由於增加顯示器之尺寸之故，特別是在水平裝載基板之情況中，真空處理系統之尺寸係增加。於本揭露中，可減少用以裝載基板之潔淨室區域的尺寸，也就是減少佔地面積之尺寸，因為例如是基板裝載器之支承件係垂直堆疊。顯示器可為平面或平滑彎曲或彎折之部件。舉例來說，數代之玻璃基板可使用於顯示器製造。
第1A及1B圖繪示根據此處所述實施例之用於真空處理基板10之系統100(亦意指為「真空處理系統」)之示意圖。
系統100包括處理模組及設備140。處理模組係裝配以用於層沈積於基板10上，設備140用以於根據此處所述實施例之系統100中裝載基板10。設備140包括第一支承件及第二支承件。第一支承件用以支承基板，例如是第一基板。第二支承件用以支承另一基板，例如是第二基板。第二支承件與第一支承件垂直堆疊。第一支承件可為第一裝載器及第二支承件可為第二裝載器。於一些應用中，設備140可意指為「處理設備」。設備140可為裝載配置或裝載模組，或可為部份之裝載配置或裝載模組。
基板10可於裝載/卸載位置移交(舉例為顧客水平多關節機器人(customer scara))。此一般係以基板在水平定向中完成。舉例來說，基板可從基板盒移交。基板可提供於第一支承件142，第一支承件142例如是第一伯努利支承件。舉例來說，第一支承件可為用以裝載基板於擺動模組160上之支承件。已處理之基板可從第二支承件144接收，第二支承件144例如是第二伯努利支承件。舉例來說，第二支承件可為用以從擺動模組160卸載基板之支承件。
第一支承件及第二支承件可交換。再者，此些支承件之其中一者或兩者可利用來裝載及卸載基板。
根據本揭露之數個實施例，此些支承件可堆疊成至少部份地垂直於彼此之上方。例如是靜電吸座(electrostatic chuck，E-Chuck)之載體可設置於擺動模組160上。基板可利用第一支承件及/或第二支承件裝載於載體上。基板可於水平狀態中裝載。在裝載基板於載體上之後，舉例為藉由擺動模組160之臂162之運動，擺動模組160及特別是擺動模組160之擺動模組板材164可從本質上水平定向移動至本質上垂直定向。第1A及1B圖繪示於本質上垂直定向中之擺動模組160之示意圖。
擺動模組160可裝配，以裝載具有基板位於其上之載體至第一裝載腔室111及/或第二裝載腔室112中。擺動模組160可從水平定向順時針或逆時針旋轉。因此，載體可裝載至各裝載腔室中及/或可從各裝載腔室卸載。舉例來說，裝載腔室可交替地利用。
裝載腔室可排氣。在裝載腔室排氣之後，載體可傳送至真空處理系統之一或多個真空腔室中，例如是真空腔室121-126。如第1A及1B圖中所示，可提供兩個線。第一裝載腔室111及真空腔室121、123、及125可形成第一系統側。第二裝載腔室112及真空腔室122、124、及126可形成第二系統側。
如參照第2圖之說明，第一系統側及第二系統側之真空腔室可各提供可彼此獨立之一真空區域(見第1B圖)，或可提供一結合真空區域(第2圖)。真空腔室121、122、125、及126之區域可提供用於載體傳送及/或載體等候之傳送區域。真空腔室123及124可提供沈積區域，具有由參考編號133及134所標註之一或多個沈積源或沈積源陣列。
更針對真空處理系統之真空側來說，可提供包括支承件/裝載器及擺動模組160之大氣側。第1A及1B圖繪示潔淨室區域150。可包括本揭露之設備140或可為本揭露之設備140之裝載模組及擺動模組160可設置於潔淨室區域150中。由於第一支承件及第二支承件在彼此之上方之配置之故，相較於支承件係相鄰於彼此配置之系統，真空處理系統100之寬度W可舉例為減少50%或更多。特別是，潔淨室區域150可在尺寸上減少，也就是佔地面積可減少。
第2圖繪示根據此處所述其他實施例之用於真空處理基板之系統200之上視圖。系統200可亦意指為「真空處理系統」。
系統200包括真空處理模組201及根據此處所述之設備。真空處理模組201裝配以用於層沈積於基板上。設備可包括於裝載模組中。系統200可包括擺動模組(舉例為第1A及B圖中所示之擺動模組160)及一或多個裝載腔室。此一或多個裝載腔室舉例為經由一或多個閥連接於真空處理模組201，此一或多個閥例如是第一閘閥252及第二閘閥254。此一或多個裝載腔室可包括第一裝載腔室111及第二裝載腔室112。於一些實施例中，擺動模組及此一或多個裝載腔室可構成組合之擺動模組及裝載腔室。具有基板位於其上之基板載體20可經由此一或多個閥於裝載腔室及真空處理模組201之間傳送。
載體係經由第一裝載腔室111及/或第二裝載腔室112鎖進至系統200中。第2圖繪示第一裝載腔室111及第二裝載腔室 112之示意圖，第一裝載腔室111用於真空處理模組201之真空腔室210之上部份(第一系統側或第一(上)串連單元202)，第二裝載腔室112用於真空處理模組201之真空腔室210之下部份(第二系統側或第二(下)串連單元203)。根據可與此處所述任何其他實施例結合之一些實施例，基板係在真空處理模組201中於本質上垂直定向中處理。
根據一些實施例，裝載模組及擺動模組及裝載腔室之入口/出口可提供於殼件中。殼件在真空處理模組201中之真空的外側提供用於基板10之預定之大氣條件。舉例來說，可提供乾燥空氣淨化。殼件可裝配以提供潔淨室環境，例如是參照第1A及B圖說明之潔淨室區域。
基板10及基板載體20可於擺動模組上「擺動」且可通過其中一個裝載腔室之開啟的門裝載。在關閉門之後，門及裝載腔室之殼體係形成可排氣之裝載腔室之真空腔室。在排氣裝載腔室之真空腔室之後，例如是第一閘閥252或第二閘閥254之閥可開啟，以鎖進基板10至真空處理模組201之真空腔室210中。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此一或多個閥例如是第一閘閥252或第二閘閥254，可為磁性彈簧鎖閥(magnetic latch lock valves)。磁性彈簧鎖閥包括磁性元件，位於鎖閥門或相反於鎖閥門之裝載腔室之殼體，用以提供磁力來移動彈簧鎖閥至封閉位置中及/或用以移除彈簧鎖閥離開封閉位置。
真空處理模組201可具有兩個串連單元，例如是第一(上)串連單元202及第二(下)串連單元203，分享共用濺射沈積源。第一裝載腔室111可連接於第一(上)串連單元202，使得基板載體可舉例為經由第一閘閥252在第一裝載腔室111及第一(上)串連單元202之間交換。第二裝載腔室112可連接於第二(下)串連單元203，使得基板載體可舉例為經由第二閘閥254在第二裝載腔室112及第二(下)串連單元203之間交換。
真空處理模組201包括真空腔室210，具有第一沈積區域214、第二沈積區域214’、及腔室牆。舉例來說，腔室牆係為真空腔室210之垂直腔室牆。於一些應用中，腔室牆可包括第一腔室牆211及第二腔室牆211’，第一腔室牆211相鄰於第一沈積區域214，第二腔室牆211’相鄰於第二沈積區域214’。第一腔室牆211及第二腔室牆211’可定義真空腔室210之邊界，舉例為實質上平行於基板載體20通過一或多個濺射沈積源之第一傳送方向1及/或第二傳送方向1’。可為垂直腔室牆之第一腔室牆211及第二腔室牆211’可實質上彼此平行。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統200可裝配成雙線系統，舉例為設置有單一之真空腔室。舉例來說，真空處理模組201具有兩個第一區域及兩個第二區域。此兩個第一區域之其中一個第一區域212可提供而相鄰於第一沈積區域214，及此兩個第一區域之另一個第一區域212’可提供而相鄰於第二沈積區域214’。此兩個第二區域之其中一個第二區域216可提供而相鄰於第一沈積區域214，及此兩個第二區域之另一個第二區域216’可提供而相鄰於第二沈積區域214’。舉例來說，第一沈積區域214可夾置於此其中一個第一區域212及此其中一個第二區域216之間。類似地，第二沈積區域214’可夾置於此另一個第一區域212’及此另一個第二區域216’之間。
於一些應用中，第一沈積區域214及第二沈積區域214’之至少一沈積區域包括分隔件，設置於此一或多個濺射沈積源及腔室牆之間之腔室區域中。舉例來說，第一分隔件215設置於此一或多個濺射沈積源及第一腔室牆211之間之腔室區域中。第二分隔件215’設置於此一或多個濺射沈積源及第二腔室牆211’之間之腔室區域中。根據一些實施例，例如是第一分隔件215及第二分隔件215’之分隔件可為分隔牆，例如是垂直牆。舉例來說，分隔件可實質上平行於腔室牆及/或個別之傳送方向延伸，個別之傳送方向例如是第一傳送方向1及第二傳送方向1’。
分隔件分離腔室區域成個別之沈積區域及傳送區域，其中傳送區域係至少部份地遮蔽而不受一或多個濺射沈積源影響。舉例來說，第一分隔件215係分離此一或多個濺射沈積源及第一腔室牆211之間的腔室區域成第一沈積區域214及第一傳送區域213。第二分隔件215’可分離此一或多個濺射沈積源及第二腔室牆211’之間的腔室區域成第二沈積區域214’及第二傳送區域213’。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，傳送區域係裝配成基板冷卻區域及基板等待區域之至少一者。在沈積之後及/或在等待裝載腔室開啟及/或路徑變暢通，已塗佈之基板可進行冷卻。
沈積區域例如是第一沈積區域214及/或第二沈積區域214’，可具有二或多個沈積次區域。此二或多個沈積次區域各具有一或多個濺射沈積源。各沈積次區域可裝配以用於個別材料之層沈積。在至少一些沈積次區域中之濺射沈積源可為不同的。於一些應用中，至少一些之此二或多個沈積次區域可裝配以用於沈積不同的材料。第2圖繪示五個濺射沈積源。第一濺射沈積源222可提供第一材料。第二、第三、及第四濺射沈積源224可提供第二材料。第五濺射沈積源226可提供第三材料。舉例來說，第三材料可為相同於第一材料之材料。因此，三層之堆疊可提供於基板上，基板例如是大面積基板。舉例來說，第一及第三材料可為鉬及第二材料可為鋁。
此二或多個沈積次區域可利用沈積分離單元227(亦意指為「沈積分離遮罩物」)彼此分離。作為一例子來說，沈積分離單元227可設置於此些濺射沈積源之間，用以提供不同材料於基板上。沈積分離單元227可設置而用於分離沈積區域中之第一處理區域及沈積區域中之第二處理區域，沈積區域例如是第一沈積區域214，其中相較於第二處理區域，不同材料係沈積於第一處理區域上。沈積分離單元227具有開孔，裝配以用於提供基板通過開孔之通道。
根據可與此處所述其他實施例結合之進一步之實施例，類似於第1B圖，第一系統側及第二系統側可提供而具有沈積源，沈積源配置於真空處理系統之相反牆。再者，第一系統側及第二系統側可藉由個別之真空腔室額外地提供。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統200之真空處理模組201利用兩個串連單元同時處理二或多個基板，以增加產量。用以同時沈積材料於基板上(見第2圖)之選擇之共用濺射沈積源係提供較高之產量。於一真空腔室210中利用兩個串連單元同時處理係減少系統200之佔地面積。特別是針對大面積基板來說，佔地面積可為減少系統200之所有權的成本之相關因素。
如舉例為繪示於第2及1B圖，基板具有沿著濺射沈積源之連續或擬連續移動。基板可設置於真空腔室210中之載體上。基板通過裝載閘進入真空腔室210。裝載閘可包括第一閘閥252及第二閘閥254。第一閘閥252裝配以用於進出第一(上)串連單元202。第二閘閥254裝配以用於進出第二(下)串連單元203。可抽氣及排氣之裝載腔室係設置於閘閥，使得真空處理模組201中之真空可維持，甚至在裝載及卸載基板期間。
系統200可包括一第一區域或數個第一區域及一第二區域或數個第二區域，可為軌道切換區域(第一區域：軌道切換裝載/卸載；第二區域：軌道切換返回)。軌道切換方向係以參考編號4及5標註。第一區域及第二區域係夠長以允許軌道切換。軌道切換區域可位於動態沈積區域之各端。此允許連續基板移動(動態沈積)，而無需「移上(run up)」及「離開(run away)」腔室區段。串連處理系統具有較小之佔地面積。此些第一區域可由第一分隔件256分離。此些第二區域可由第二分隔件258分離。
根據一些實施例，可提供用以沈積層於其中之一個單一真空腔室，例如是真空腔室210。以取代(見第1B圖)一個單一真空腔室來說，可提供用於第一系統側之一個真空腔室及用於第二系統側之一個真空腔室。分別具有數個區域之一個單一真空腔室或兩個真空腔室之裝配係在舉例為用於動態沈積之串連處理系統中可為有利的，此些區域例如是第一區域及沈積區域。具有不同區域之此一個單一真空腔室不包括用於真空密封真空腔室210之一區域(舉例為第一區域)相對於真空腔室210之另一區域(舉例為沈積區域)之裝置。
於一些實施例中，藉由舉例為利用連接於真空腔室210之真空幫浦產生技術真空，及/或藉由加入處理氣體至真空腔室210之沈積區域中，真空腔室210中之大氣可獨立地控制。根據一些實施例，處理氣體可包括惰性氣體，例如是氬及/或反應氣體，例如是氧、氮、氫及氨(NH3 )、臭氧(O3 )、或類似者。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，舉例為在真空沈積製程期間及/或基板傳送通過真空腔室210期間，基板係位於實質上垂直定向(實質上垂直=垂直+- 15°)中。如本揭露通篇使用，名稱「垂直方向」或「垂直定向」係理解為與「水平方向」或「水平定向」有所區別。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統200係裝配以用於動態濺射沈積於基板上。動態濺射沈積製程可理解為一濺射沈積製程。於此濺射沈積製程中，基板係在濺射沈積製程執行時沿著傳送方向移動通過沈積區域。也就是說，基板在濺射沈積製程期間不是靜止的。
於一些應用中，根據此處所述之系統200係裝配以用於動態處理。系統可特別是串連處理系統，也就是用於動態沈積之系統，特別是用於動態垂直沈積，例如是濺射。根據此處所述數個實施例之串連處理系統或動態沈積系統係提供基板之均勻處理。基板舉例為大面積基板，例如是矩形玻璃板材。例如是此一或多個濺射沈積源之處理工具係主要於一方向(舉例為垂直方向)中延伸，及基板係於第二、不同之方向(舉例為可為水平方向之第一傳送方向1或第二傳送方向1’)中移動。
用於動態真空沈積之設備或系統例如是串連處理設備或系統，具有在一方向中之處理均勻性係由以固定速度移動基板及保持此一或多個濺射沈積源穩定之能力所限制之優點，處理均勻性舉例為層均勻性。串連處理設備或動態沈積設備之沈積製程係由基板通過此一或多個濺射沈積源之基板的運動所決定。對於串連處理設備來說，沈積區域或處理區域可為用於處理之本質上線性區域，舉例為大面積矩形基板。沈積區域可為一區域。沈積材料係從此一或多個濺射沈積源射入此區域中來沈積於基板上。相較於其，對於靜態處理設備來說，沈積區域或處理區域會基本上對應於基板之區域。
於一些應用中，相較於靜態處理系統來說，舉例為針對動態沈積之串連處理系統之其他差異可由設備可具有一個單一真空腔室，且此一個單一真空腔室具有不同之區域所闡述，其中真空腔室不包括用於真空密封真空腔室之一區域相對於真空腔室之另一區域之裝置。相較於其，靜態處理系統可具有第一真空腔室及第二真空腔室，第一真空腔室及第二真空腔室可舉例為利用閥相對於彼此真空密封。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，系統200包括磁性懸浮系統，用以支承基板載體20於懸置狀態中。系統200可選擇地使用磁性驅動系統。磁性驅動系統係裝配，以用於在傳送方向中移動或傳送基板載體20。傳送方向例如是第一傳送方向1。磁性驅動系統可包括於磁性懸浮系統中或可設置成分離之實體。
第3圖繪示第1A及1B圖中所示之真空處理系統100或第2圖中所示之真空處理系統200之前視圖。為了較簡單之說明，例如是支承器模組及擺動模組之(處理)設備係未繪示於第3圖中。
設備可包括具有面對基板10之表面之第一支承件及第二支承件，以及氣體供應器(未繪示)。第一支承件例如是第一伯努利支承件，第二支承件例如是伯努利支承件。基板10例如是大面積基板。氣體供應器係裝配，以在表面及基板10之間導引氣體之流。伯努利支承件係裝配，以在基板10及表面之間提供一壓力來懸浮基板10，此壓力舉例為低壓或減壓。特別是，縫隙或空間可提供於表面與基板10之間。氣體之流係流動通過縫隙或空間。基板10係基於伯努利效應懸浮。此係參照第5A及5B圖更詳細地說明，及此處所述之數個實施例之特徵、細節、及方面可與此處所述其他實施例結合。
壓力係提供於基板及表面之間，用以懸浮基板來支承基板於懸浮或懸置狀態中。伯努利支承件(或伯努利式支承件)係支撐基板，而無需(直接)機械接觸基板之面。特別是，基板浮動於氣墊上。也就是說，處理設備係非接觸地位於基板10之面上。名稱「減壓(reduced pressure)」及「低壓(under pressure)」可相對於伯努利支承件所在之環境壓力定義。特別是，基板及表面之間的壓力例如是減壓或低壓，裝配以用於懸浮基板。舉例來說，此壓力及環境壓力之間的差異係足以補償基板10之重力。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板載體20利用磁性懸浮系統支撐於真空處理系統中。磁性懸浮系統包括第一磁鐵480。第一磁鐵480支撐基板載體20於懸掛位置而無需機械接觸。磁性懸浮系統係提供基板載體之懸浮，也就是非接觸支撐。因此，由於用於動態沈積之系統中之載體的運動產生的粒子可減少或避免。磁性懸浮系統包括第一磁鐵480。第一磁鐵480提供一力至基板載體之頂部，此力實質上等同於重力。也就是說，基板載體係非接觸地懸掛於第一磁鐵480之下方。
再者，磁性懸浮系統可包括第二磁鐵482。第二磁鐵482係提供，以用於沿著基板載體之傳送方向平移運動。基板載體20可藉由第一磁鐵480支撐而在系統中無需接觸，及利用第二磁鐵482在系統中之舉例為裝載腔室及真空處理模組301之間移動。裝載腔室例如是第一裝載腔室111及第二裝載腔室112。
如第4A及4B圖中所示，第一支承件142及第二支承件144係垂直地堆疊，第一支承件142例如是第一伯努利支承件(或PV支承件)，第二支承件144例如是第二伯努利支承件(或PV支承件)。支承件可固定於支撐支承件之框架或框架組件。舉例來說，框架可包括第一框架452、第二框架454、第三框架456、及其他框架。第一框架452用以支撐第一支承件，第二框架454用以支撐第一銷陣列442，第三框架456用以支撐第二支承件，其他框架用以支撐第二銷陣列444。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，第一支承件及/或第二支承件可如箭頭492及494所示之移動，以在擺動模組160之上方移動支承件。
第一支承件可為熱伯努利裝載器或熱PV裝載器。熱PV裝載器可使用以在處理基板之前加熱基板，也就是在裝載至真空處理系統中之前。第二支承件可為冷伯努利卸載器或冷PV卸載器。冷伯努利卸載器可使用以在處理之後卸載基板及以控制方法冷卻基板至室溫。
第一支承件及第二支承件可於框架結構及擺動模組160之間水平地移動。再者，支承件及擺動模組160可相對於彼此垂直地移動，以擺置基板於擺動模組160上之載體上或從擺動模組自載體移除基板。垂直相對運動可藉由擺動模組、支承件、或兩者之運動提供。
第一銷陣列442及第二銷陣列444可舉例為固定於框架或框架組件。具有舉例為叉形臂(fork arm)之機器人可置放基板10於銷陣列上或可從銷陣列移除基板。舉例來說，銷陣列可作用成真空處理單元及客戶之晶圓場之間的移交位置，也就是用於(舉例為顧客水平多關節機器人)機器人。裝載銷陣列(舉例為第一銷陣列442及第二銷陣列444之其中一者)及卸載銷陣列(舉例為第一銷陣列442及第二銷陣列444之另一者)可提供框架之顧客機器人至伯努利玻璃傳送位置(customer robot-to-Bernoulli glass transfer position)，框架係支撐伯努利支承件。再者，框架之部份可移動以定位於擺動模組之上方，舉例為至框架之伯努利至擺動玻璃傳送位置(Bernoulli-to-swing glass transfer position)，框架係支撐伯努利支承件。
潔淨室環境或潔淨室區域150可提供而用於在真空之外側裝載，也就是裝載腔室之外側。
第5A圖繪示根據此處所述實施例之用以支承基板10來舉例為用以裝載至真空處理模組中之支承件500之示意圖，支承件500例如是第一支承件及/或第二支承件。基板10可為大面積基板。繪示於第5A圖中之其中兩個支承件500係根據此處所述實施例垂直地堆疊且範例性繪示於第4A及4B圖。根據本揭露之數個實施例，用以裝載基板或支承基板之其他設備可亦利用及堆疊於彼此上方。
支承件500包括伯努利式支承件510及氣體供應器530。伯努利式支承件510具有表面512，裝配以面對基板。氣體供應器530係裝配，以於表面512及基板10之間導引氣體之流534。伯努利式支承件510係裝配，以於基板10及表面512之間提供壓力來用於懸浮基板10。
縫隙或空間514可提供於表面512及基板10之間，氣體之流534係流動通過縫隙或空間514。由氣流提供之縫隙或空間514可相對於小尺寸及小變化來控制基板10之位置而為有利的，此小尺寸或小變化係相對於伯努利式支承件510之尺寸。再者，小縫隙係保護基板表面而避免偶發之環境粒子污染物及保護基板表面而避免接觸伯努利式支承件510。根據此處所述之數個實施例，基板之溫度可藉由控制伯努利縫隙來控制。特別是，伯努利縫隙可局部地控制來用以局部之溫度控制。此可改善基板之溫度均勻性，基板例如是大面積基板。根據此處所述之數個實施例，自基板之表面清洗粒子可額外地或替代地藉由控制伯努利縫隙提供。
伯努利式支承件510係基於伯努利效應懸浮基板10。例如是減壓或低壓之壓力係提供於基板10及表面512之間，用以懸浮基板10來支承基板10於懸浮或懸置狀態中。支承件500係支撐基板10，而無需(直接)機械接觸基板之面。特別是，基板10浮動於氣墊上，且特別是浮動於薄氣墊上。也就是說，支承件500係非接觸位於基板之面上。由於基板10係浮動於氣墊上，為了確保基板10不會滑出伯努利式支承件510，可設置一或多個基板對準裝置，舉例為銷或滾軸。此一或多個基板對準裝置從伯努利式支承件510突出。支承件500提供之氣體之流534可使用於處理基板10。
名稱「減壓」及「低壓」可相對於環境壓力定義，環境壓力例如是大氣壓力。在環境壓力中，支承件500係位於舉例為參照第1A、4A及4B圖中說明之潔淨室環境(以參考編號150標註)中。特別是，在基板10及表面512之間的一壓力係裝配以用於懸浮基板10，此壓力例如是減壓或低壓。作為一例子來說，此壓力及環境壓力之間的差異係足以補償基板10之重力。
根據此處所述實施例之基板可具有主表面及側表面。舉例來說，舉例為針對矩形基板而言，可提供兩個主表面51及四個側表面(或基板邊緣)。此兩個主表面51可實質上平行於彼此延伸及/或可在此四個側表面之間延伸，也就是基板之邊緣之間延伸。各主表面之面積係大於各側表面之面積。此兩個主表面之第一主表面可裝配以用於層沈積於其上。第一主表面可亦意指為基板10之「前側」。相反於第一主表面之此兩個主表面之第二主表面可意指為基板10之「背側」。氣體供應器530可裝配，以導引伯努利式支承件510之表面512及基板10之主表面之間的氣體之流534。主表面舉例為第一主表面或第二主表面。於一些應用中，氣體供應器530係裝配，以沿著實質上整個基板表面導引氣體之流534，實質上整個基板表面例如是第一主表面及/或第二主表面。
伯努利式支承件510之表面512之面積可等同於或大於面對伯努利式支承件510之表面512之基板表面之面積，例如是第一主表面及/或第二主表面。當基板10係由伯努利式支承件510支承時，伯努利式支承件510之表面512及面對伯努利式支承件 510之表面512之基板表面可實質上平行於彼此配置。
此處所述之實施例可利用以用於在大面積基板上蒸發來舉例為用於顯示器製造。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板10係為大面積基板。此大面積基板可具有至少0.01 m2 ，特別是至少0.1 m2 ，及更特別是0.5 m2 之尺寸。舉例來說，大面積基板或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第4.5代對應於約0.67 m2 之基板(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m2 之基板(1.1 m x 1.3 m)、第7.5代對應於約4.29 m2 之基板(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7m²之基板(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m2 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。
根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，基板10係選自由第1代、第2代、第3代、第3.5代、第4代、第4.5代、第5代、第6代、第7代、第7.5代、第8代、第8.5代、第10代、第11代、及第12代所組成之群組。特別是，基板10可選自由第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、第10代、第11代、及第12代所組成之群組，或更高代之基板。
根據一些實施例，氣體供應器530包括一或多個第一導管531及/或氣體分佈板材532。於此一或多個第一導管中之壓力可控制，特別是個別地控制，以控制表面512及基板之主表面51之間的氣隙。氣體分佈板材532可具有表面512，裝配以面對基板10。舉例來說，氣體分佈板材532可設置於此一或多個第一導管531及大面積基板之間。於一些應用中，此一或多個第一導管531係裝配，以提供氣體至氣體分佈板材532之上方的分佈空間533中。氣體分佈板材532可具有孔洞或噴嘴，使得來自分佈空間533之氣體係導引於表面512及基板10之間，以提供氣體之流534。特別是，氣體分佈板材532可裝配以分佈氣體，使得氣體在 舉例為其中一個主表面之基板10及氣體分佈板材532之表面(也就是表面512)之間流動。
支承件500包括氣體出口540。氣體出口540可包括一或多個第二導管。舉例來說，由氣體供應器530提供之氣體可於表面512及基板10之間流動，及可接著導引至一或多個第二導管(以參考編號542標註)中，以接收來自縫隙或空間514之氣體。此一或多個第二導管舉例為設置於基板10之一或多個側邊及/或氣體分佈板材532。氣體可通過出口541離開伯努利式支承件510，出口541可為另一第二導管。於一些應用中，離開伯努利式支承件510之氣體可返回至一或多個調理裝置。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，氣體出口540可連接及/或流體連通於真空幫浦，以排出導引至伯努利縫隙中之氣體。額外地或取代地控制氣體入口中之壓力，可控制連接於氣體出口之真空幫浦，以用於控制伯努利縫隙，也就是伯努利縫隙之寬度。從設備排出空氣可亦提供有不同局部區域之個別控制，用以改善基板處理之均勻性。
此處所使用之名稱「基板」或「大面積基板」應特別是包含非撓性基板，舉例為玻璃板材及金屬板材。然而，本揭露係不以此為限及名稱「基板」可亦包含撓性基板，例如是網格(web)或箔。根據一些實施例，基板可以適合用於材料沈積之任何材料製成。舉例來說，基板可以選自群組之材料製成，此群組由玻璃(舉例為鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、硼矽玻璃(borosilicate glass)等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料、雲母或任何其他材料或可由沈積製程進行塗佈之材料之組合所組成。根據此處所述實施例之用以控制基板溫度之基板可為任何種類之平面或平滑形之基板。
第5B圖繪示根據此處所述其他實施例之伯努利式支承件300之示意圖。伯努利式支承件300在數個離散分佈之位置使用「局部」伯努利效應，以支承基板10於懸浮狀態。伯努利式支承件300可裝配，以提供加熱之氣體至基板10來用以懸浮及預處理(舉例為預熱)基板10，加熱之氣體例如是熱氮氣。舉例來說，伯努利式支承件300可包括加熱器(未繪示)，用以加熱氣體。氣體可為熱的、過濾的及乾燥的氮氣。根據本揭露之數個實施例，局部伯努利效應可利用，以局部地調整氣體之預處理功能，舉例為局部地調整溫度。舉例來說，伯努利縫隙可局部地控制，舉例為在伯努利式支承件300之表面322之區域中。由於基板10係浮動於氣墊上之故，為了確保基板10不會滑出伯努利式支承件300，可設置一或多個基板對準裝置316，舉例為銷或滾軸。此一或多個基板對準裝置316從伯努利式支承件300突出。
伯努利式支承件300包括氣體供應器330。氣體供應器330係裝配，以於伯努利式支承件300之表面322及基板10之間導引氣體之流來用以懸浮基板10。氣體供應器330包括主供應管331及數個分佈管或導管332。此些分佈管或導管332連接於主供應管331。此些分佈管或導管332係裝配，以於表面322及基板10之間導引氣體之流。
伯努利式支承件300包括孔板材320。孔板材320提供伯努利式支承件300之表面322，面對基板10。孔板材320包括數個返回孔或開孔324。開孔可流體連通於用於氣體之二或多個返回線。此二或多個返回線可對應於表面322之區域。此些區域可個別地控制。根據此處所述之數個實施例，可在數個離散分佈之位置提供局部伯努利效應。舉例來說，數個返回孔或開孔324可沿著表面322分佈，特別是均勻地分佈。此些分佈管或導管332可延伸通過孔板材320，以提供氣體至表面322及基板10之間的縫隙或空間 314。由氣體供應器330提供之氣體可經由此些分佈管流入縫隙或空間314，及可接著從縫隙或空間314通過此些返回孔或開孔324 流而舉例為經由一或多個出口導管342或返回線至氣體出口340，如第5B圖之放大部份中所示。此一或多個出口導管342或返回線提供於孔板材320之背側。此些返回孔或開孔324允許產生局部伯努利效應來懸浮基板10。氣體可通過此些返回孔或開孔324離開縫隙或空間314。
第6圖繪示根據此處所述實施例之用以裝載基板或基板載體至真空處理系統中及/或從真空處理系統卸載基板或基板載之方法600的流程圖。方法600可使用根據此處所述實施例之設備及系統，及可亦利用除了伯努利支承件以外之堆疊之支承件。同樣地，設備及系統可裝配以應用方法600。
方法600包括於方塊610中之在第一位置中裝載基板於二或多個垂直堆疊之支承件之第一支承件上。方塊620係表示從第一位置水平地移動第一支承件至第二位置。於方塊630中，基板係在第二位置中裝載於基板接收表面上。方塊630可亦包括第一支承件及基板接收表面相對於彼此之垂直運動。於第一位置，此方法可更包括裝載基板於二或多個垂直堆疊之銷陣列之第一銷陣列上，及從第一銷陣列裝載基板於第一支承件上。
此方法可更包括從真空處理系統卸載基板。基板可在第二位置舉例為從基板接收表面裝載於此二或多個垂直堆疊之支承件之第二支承件上。基板可從第二位置水平地移動至第一位置。基板可在第一位置從第二支承件卸載於舉例為二或多個垂直堆疊之銷陣列之第二銷陣列上。
根據此處所述之數個實施例，用以於真空處理系統中裝載基板之方法可利用電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關之控制器之任一者執行。相關之控制器可具有中央處理器(CPU)、記憶體、使用者介面、及輸入及輸出裝置，與根據此處所述實施例之系統及設備之對應元件通訊。
伯努利式支承件可使用於裝載例如是大面積基板之基板於基板支撐表面上及/或用以從基板支撐表面卸載大面積基板。基板支撐表面可由例如是靜電吸座(E-chuck)之基板載體提供，基板載體舉例為位於擺動模組上。
用以於動態沈積系統中裝載及/或卸載基板之方法可包括裝載及支承基板於伯努利式支承件中之至少一者、利用氣體之流於伯努利式支承件中處理或預處理基板、及在處理之後裝載基板。處理基板可包括加熱基板及去氣(degassing)或除氣(outgassing)基板之至少一者。處理可更包括提供乾淨、乾燥、及化學惰性環境之至少一者給基板。
第7圖繪示本揭露之具有第一支承件712或第一裝載器之設備之示意圖。此設備例如是裝載配置。第一支承件712或第一裝載器例如是熱壓力真空(pressure vacuum，PV)裝載器或熱伯努利支承件/裝載器。第一支承件712可連接於第一框架。第一框架可設置於線性導件762上，線性導件762例如是線性滑件。線性滑件可使用，以舉例為沿著水平方向運載第一支承件712及/或移動第一支承件712。再者，第二支承件714或第二裝載器係繪示。第二支承件714可為冷壓力真空卸載器或冷伯努利支承件/卸載器。第二支承件714可連接於第一框架或第二框架。第二框架可設置於另一線性導件上，此另一線性導件例如是線性滑件。線性滑件可使用，以沿著水平方向運載第二支承件及/或移動第二支承件714。
根據此處所述之數個實施例，PV支承件或PV裝載器可視為伯努利支承件，其中真空幫浦係設置於伯努利支承件之排氣導管或數個排氣導管。PV支承件可為壓力及真空單元之陣列。舉例來說，可設置大陣列之小「壓力及真空單元」。根據本揭露，PV支承件係為一種形式之伯努利支承件，其中真空係額外地提供於舉例為氣體循環之出口側。舉例為在孔板材之區域中，一或多個單元可獨立地控制。支承件可亦意指裝載器、升舉器(lifter)、夾持件(chuck)、夾持器(gripper)、或卸載器。名稱PV支承件、PV裝載器(PV卸載器)、伯努利支承件、伯努利式支承件及伯努利 裝載器(伯努利卸載器)可在本揭露中可交換地使用。伯努利支承件係為非接觸式支承件或非觸碰式支承件，裝配以用於非接觸地支承基板。特別是，非接觸式支承件或非觸碰式支承件係為氣流支承件，裝配以用於懸浮基板。
根據此處所述之數個實施例，伯努利支承件或PV支承件可為非接觸式支承件或非觸碰式支承件，特別是其中基板係藉由氣流支撐而不需要機械接觸，也就是舉例為基於伯努利效應之壓力差。換言之，此處所使用之名稱伯努利支承件或PV支承件可以非接觸式或非觸碰式支承件取代。
第一支承件712及第二支承件714可裝配，以裝載基板及/或從銷陣列卸載基板。第7圖繪示第一銷陣列724及第二銷陣列722。第一銷陣列724及第二銷陣列722至少部份地設置於彼此之頂部上。如箭頭725所示，銷陣列可垂直地移動而用於改善基板之裝載及卸載。銷陣列可為用於機器人之手指的棒狀物(bats of fingers)，例如是大氣機器人，以拾起/擺置基板。
磁性懸浮配置732可設置於擺動模組之一位置處。特別是從水平裝載/卸載位置旋轉載體至垂直處理位置之後，磁性懸浮配置732可裝配以磁性地懸浮基板載體20。
根據可此處所述其他實施例結合之一些實施例，可更設置冷卻板材組件752。冷卻板材組件752可接觸載體，舉例為靜電吸座(E- chuck)或另一載體，及/或可冷卻載體。
熱伯努利支承件可裝配，以在處理之前加熱基板。冷伯努利支承件可裝配，以在處理之後冷卻基板。對於加熱而言，熱空氣可提供而用於伯努利支承件及/或伯努利支承件之孔板材 可加熱。對於冷卻來說，冷空氣可提供而用於伯努利支承件及/或伯努利支承件之孔板材可冷卻。
第7圖局部繪示根據此處所述實施例之用以裝載基板載體20至真空處理系統中之示意圖。真空處理系統可類似於參照第2圖所述之處理系統。
設備可裝載基板至第一裝載腔室(見第2圖中之111)及第二裝載腔室(見第2圖中之112)中。第一裝載腔室可連接於真空處理系統，第二裝載腔室可連接於真空處理系統。系統更包括擺動模組(見第1圖中之160)，用以支撐及裝載基板載體20至第一裝載腔室中及用以支撐及裝載基板載體20至第二裝載腔室中。擺動模組或裝載站可具有支撐表面，裝配以支撐基板載體 20。舉例來說，基板載體可利用機械裝置、電性裝置、磁性裝置、電磁裝置、及其之任何組合固定於支撐表面。
擺動模組或裝載站可在第一定向及第二定向之間為可移動的。第一定向可為第一鎖定位置，第二定向可為不同於第一鎖定位置之第二鎖定位置。第一定向及不同於第一定向之第二定向之間的擺動模組或裝載站之運動可包括旋轉及可選擇地更包括擺動模組或裝載站之平移運動。此旋轉舉例為繞著第一旋轉軸旋轉。平移運動舉例為在水平及/或垂直方向中之平移運動。舉例來說，擺動模組或裝載站可具有垂直旋轉軸，如用以於底部旋轉之箭頭772所示。再者，可提供一或多個水平及/或電動(motorized)軸。舉例來說，如第7圖中所示，可提供三個水平及/或電動軸774、776、及778。
於一些應用中，擺動模組或裝載站可分別於第一方向及第二方向中可旋轉地移動基板或基板載體。舉例來說，第一方向可用以於第一裝載腔室中裝載/卸載，及第二方向可用以於第二裝載腔室中裝載/卸載。第一方向可為順時針方向及第二方向可為逆時針方向，或第一方向可為逆時針方向及第二方向可為順時針方向。裝載站可亦意指為「雙向擺動模組」。
根據本揭露之一方面，提出一種用以於真空處理系統中裝載基板之設備。設備包括第一支承件及第二支承件。第一支承件用以支承基板，第二支承件用以支承基板。第二支承件與第一支承件垂直地堆疊。
下述之一或多個方面可以個別或結合的方式應用於此設備。第一支承件可至少部份地設置於第二支承件的上方。第一支承件及第二支承件之至少一者可為伯努利支承件或PV支承件。第一支承件可為熱伯努利支承件及/或第二支承件可為冷伯努利支承件。熱伯努利支承件可為伯努利裝載器，裝配以用於在處理基板之前加熱基板。第二支承件可為冷伯努利卸載器，裝配以用於在處理基板之後冷卻基板。
設備可包括擺動模組，用以於水平定向及垂直定向之間改變基板定向。擺動模組可設置於大氣壓力下。擺動模組可設置於潔淨室環境中。擺動模組可裝配以支撐載體。擺動模組可包括磁性懸浮配置及/或冷卻板材組件。磁性懸浮配置用以支撐載體。冷卻板材組件用以冷卻載體。擺動模組可為雙向擺動模組。擺動模組可裝配，以於順時針及逆時針方向中旋轉載體及/或基板。
設備可包括第一銷陣列及第二銷陣列。第一銷陣列裝配以支撐基板，第二銷陣列裝配以支撐基板。第二銷陣列與第一銷陣列垂直地堆疊。第一支承件可在第一位置中設置於第一銷陣列之上方，及第二支承件可在第一位置中設置於第二銷陣列之上方。第一支承件及第二支承件可在第一位置及第二位置之間為水平可移動的。第一支承件及第二支承件可在第一位置及第二位置之間為水平可移動。第一支承件及第二支承件可分別連接於框架或框架組件。框架或框架組件可為可移動的。框架或框架組件可由線性導件或線性滑件支撐。
根據本揭露之其他方面，提供一種用於處理基板之系統。系統包括根據本揭露及說明於上之設備。系統更包括第一裝載腔室、選擇之第二裝載腔室、及真空腔室。真空腔室裝配以用於處理基板。
下述之一或多個方面可以個別或結合的方式應用於此系統。基板可為大面積基板。系統可裝配以用於顯示器製造。
根據本揭露之另一方面，提出一種裝載基板之方法。此方法包括於第一位置裝載基板於第一支承件上，第一支承件與第二支承件垂直地堆疊，從第一位置水平地移動具有基板之第一支承件至第二位置，以及於第二位置裝載基板於基板接收表面上。
下述之一或多個方面可以個別或結合的方式應用於此方法。此方法可更包括相對於彼此垂直地移動第一支承件及基板接收表面，於第一位置裝載基板於第一銷陣列上，於第一位置從第二支承件卸載基板於第二銷陣列上，以及從第二銷陣列卸載基板之至少一者。此方法可包括於第二位置裝載基板於第二支承件上，且從第二位置水平地移動具有基板之第二支承件至第一位置。此方法可包括當基板由第一支承件支承時，穿透基板。穿透可包括加熱基板。加熱基板可藉由為熱伯努利支承件之第一支承件提供。熱空氣可於伯努利縫隙中提供，用以加熱基板。此方法可包括在第一支承件支撐或懸浮基板時加熱基板，及在第二支承件支撐或懸浮基板時冷卻基板之至少一者。基板可為大面積基板。
本揭露之數個實施例係提供垂直堆疊之支承件(亦意指為「裝載體」)，用於在真空處理系統中之基板，基板特別是大面積基板。第一(基板)支承件係設置於第二(基板)支承件之上方。數個實施例特別是有關於串連裝配，具有垂直對齊之伯努利裝載器/伯努利支承件。提供堆疊之支承件可減少潔淨室之面積，堆疊之支承件例如是垂直堆疊之伯努利支承件或裝載器。第一支承件及第二支承件係不相鄰於彼此配置，但位於彼此之上方或至少部份地位於彼此之上方。此係減少包括支承件或其他裝載器之真空處理系統之佔地面積。支承件或其他裝載器舉例為用以裝載基板於載體上。載體可設置於擺動模組上。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧第一傳送方向
1’‧‧‧第二傳送方向
4、5‧‧‧軌道切換方向
10‧‧‧基板
20‧‧‧基板載體
51‧‧‧主表面
100、200‧‧‧系統
111‧‧‧第一裝載腔室
112‧‧‧第二裝載腔室
121-126、210‧‧‧真空腔室
133、134‧‧‧沈積源或沈積源陣列
140‧‧‧設備
142、712‧‧‧第一支承件
144、714‧‧‧第二支承件
150‧‧‧潔淨室區域
160‧‧‧擺動模組
162‧‧‧臂
164‧‧‧擺動模組板材
201、301‧‧‧真空處理模組
202‧‧‧第一(上)串連單元
203‧‧‧第二(下)串連單元
211‧‧‧第一腔室牆
211’‧‧‧第二腔室牆
212、212’‧‧‧第一區域
213‧‧‧第一傳送區域
213’‧‧‧第二傳送區域
214‧‧‧第一沈積區域
214’‧‧‧第二沈積區域
215、256‧‧‧第一分隔件
215’、258‧‧‧第二分隔件
216、216’‧‧‧第二區域
222‧‧‧第一濺射沈積源
224‧‧‧第二、第三、及第四濺射沈積源
226‧‧‧第五濺射沈積源
227‧‧‧沈積分離單元
252‧‧‧第一閘閥
254‧‧‧第二閘閥
300、510‧‧‧伯努利式支承件
314、514‧‧‧縫隙或空間
316‧‧‧基板對準裝置
320‧‧‧孔板材
322、512‧‧‧表面
324‧‧‧返回孔或開孔
330、530‧‧‧氣體供應器
331‧‧‧主供應管
332‧‧‧分佈管或導管
340、540‧‧‧氣體出口
342‧‧‧出口導管
442、724‧‧‧第一銷陣列
444、722‧‧‧第二銷陣列
452‧‧‧第一框架
454‧‧‧第二框架
456‧‧‧第三框架
480‧‧‧第一磁鐵
482‧‧‧第二磁鐵
492、494、725、772‧‧‧箭頭
500‧‧‧支承件
531‧‧‧第一導管
532‧‧‧氣體分佈板材
533‧‧‧分佈空間
534‧‧‧流
541‧‧‧出口
542‧‧‧第二導管
600‧‧‧方法
610、620、630‧‧‧方塊
732‧‧‧磁性懸浮配置
752‧‧‧冷卻板材組件
762‧‧‧線性導件
774、776、778‧‧‧水平及/或電動軸
W‧‧‧寬度
為了使本揭露之上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方： 第1A及1B圖繪示根據此處所述實施例之具有裝載配置之真空處理系統之示意圖； 第2及3圖繪示根據此處所述實施例之真空處理系統之示意圖； 第4A及4B圖繪示根據此處所述實施例之裝載配置之示意圖，裝載配置具有用以於真空處理系統中裝載基板之設備； 第5A及5B圖繪示根據此處所述實施例之用於裝載配置之支承件之示意圖； 第6圖繪示根據此處所述實施例之說明方法之流程圖；以及 第7圖繪示根據此處所述其他實施例之裝載配置之示意圖，裝載配置具有用以於真空處理系統中裝載基板之設備。

Claims (19)

  1. 一種用以於一真空處理系統中裝載複數個大面積基板之設備，包括： 一第一支承件，用以支承一第一大面積基板，該第一支承件係為一熱伯努利(Bernoulli)支承件或一熱壓力-真空支承件；以及 一第二支承件，用以支承一第二大面積基板，該第二支承件與該第一支承件垂直地堆疊，該第二支承件係為一冷伯努利支承件或一冷壓力-真空支承件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該第一支承件係至少部份地設置於該第二支承件之上方。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之設備，其中該熱伯努利支承件係為一伯努利裝載器，裝配以用於在一基板處理之前加熱該基板，及/或其中該第二支承件係為一冷伯努利卸載器，裝配以用於在處理該基板之後冷卻該基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之設備，更包括： 一擺動模組，用以於一水平定向及一垂直定向之間改變一基板定向。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之設備，更包括： 一擺動模組，用以於一水平定向及一垂直定向之間改變一基板定向。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該擺動模組係設置於下述之至少一者：在大氣壓力下及在一潔淨室環境中。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該擺動模組係下述之至少一者： 裝配以支撐一載體； 裝配以於一順時針及一逆時針方向中旋轉該載體及/或一基板；及 一雙向擺動模組。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之設備，其中該擺動模組包括下述之至少一者： 一磁性懸浮配置，用以支撐一載體； 一冷卻板材組件，用以冷卻該載體； 一第一銷陣列，裝配以支撐一基板；以及 一第二銷陣列，裝配以支撐該基板，該第二銷陣列與該第一銷陣列垂直地堆疊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該第一支承件係於一第一位置中設置於該第一銷陣列之上方，及該第二支承件係於該第一位置中設置於該第二銷陣列之上方。
  10. 如申請專利範圍第1至9項之任一者所述之設備，其中該第一支承件及該第二支承件於該第一位置及一第二位置之間係水平可移動。
  11. 如申請專利範圍第1至9項之任一者所述之設備，其中該第一支承件及該第二支承件係連接於一框架或一框架組件。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之設備，其中該框架或該框架組件係藉由複數個線性導件或複數個線性滑件為可移動及支撐之至少一者。
  13. 一種用以處理一基板之系統，包括： 如申請專利範圍第1至9項之任一者所述之該設備； 一第一裝載腔室；以及 一真空腔室，裝配以用於處理該基板。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之系統，更包括： 一第二裝載腔室。
  15. 一種裝載一基板之方法，包括： 於一第一位置裝載該基板於一第一支承件上，該第一支承件與一第二支承件垂直地堆疊； 從該第一位置水平地移動具有該基板之該第一支承件至一第二位置；以及 於該第二位置裝載該基板於一基板接收表面上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包括下述之至少一者： 相對於彼此垂直地移動該第一支承件及該基板接收表面； 於該第一位置裝載該基板於一第一銷陣列上；及 當該基板由該第一支承件支承時，穿透該基板，其中該穿透包括藉由為一熱伯努利支承件或一熱壓力-真空支承件之該第一支承件加熱該基板。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中熱空氣係於一伯努利縫隙中提供，用以加熱該基板。
  18. 如申請專利範圍第16至17項之任一者所述之方法，更包括下述之至少一者： 於該第二位置裝載該基板至第二支承件上； 從該第二位置水平地移動具有該基板之該第二支承件至該第一位置； 於該第一位置從該第二支承件卸載該基板於一第二銷陣列上；以及 從該第二銷陣列卸載該基板。
  19. 如申請專利範圍第16至17之任一者項所述之方法，更包括下述之至少一者： 在該基板由該第一支承件支撐或懸浮時，加熱該基板；以及 在該基板由該第二支承件支撐或懸浮時，冷卻該基板。
TW107109330A 2017-03-21 2018-03-19 用以於一真空處理系統中裝載一基板之設備、用以處理一基板之系統、及用以裝載一基板之方法 TW201841294A (zh)

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