JP2008263048A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造装置筐体内部からの汚染物質をクリーンルームへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームからの塵埃を製造装置筐体内部に侵入するのを防止する。
【解決手段】ミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置が、台ＴＥ上に半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤと１つの面との間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造技術に関し、特に、ミニエンバイロメント（Mini Environment）方式を用いた半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。

半導体装置の製造工程、特に、いわゆる前工程は、一定の清浄度に保たれたクリーンルーム内に設置された種々の半導体製造装置を用いることによって行われる。清浄度が高くなるに従い、クリーンルーム内に浮遊する微細な塵埃が半導体ウエーハに付着するのをより防止することができ、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。ここで、清浄度とは、１ｆｔ^３（１ｆｔ＝３０．４８ｃｍ）の空気中に含まれる粒径０．１μｍ程度以上の塵埃の個数を指標として示したものである。例えば、クラス１０００の清浄度のクリーンルーム内では、１ｆｔ^３の空気中に含まれる粒径０．１μｍ程度以上の塵埃が１０００個以下である。

近年では、クリーンルーム全体を高清浄に保つ方式から、半導体ウエーハ周りを高清浄に保つミニエンバイロメント方式が採用されてきている。クリーンルーム全体を高清浄にするためには、建設費、維持費、運転費が嵩み半導体装置の製造コストを引き上げるからである。また、クリーンルーム全体を高清浄化しなくとも、塵埃の付着を嫌う半導体ウエーハの周辺のみを清浄化すれば充分と考えられるからである。

なお、本発明者らは、発明した結果に基づき、クリーンルーム内の圧力および前記クリーンルーム内に設置される半導体製造装置を構成する筐体内の圧力の他に、前記筐体内のある領域において圧力に差を持たせるという観点で先行技術調査を行った。その結果、クリーンルーム内に設置される半導体製造装置を構成する筐体内に別の領域（中間室）を形成する観点では、特開２００５−２８３０４９号公報（特許文献１）が抽出された。特許文献１は、全体として、筐体内の空気を中間室に通して循環空気として一部を利用し、残部をクリーンルーム内に排出させるものであり、前述の圧力差を持たせる観点についての記載はない。
特開２００５−２８３０４９号公報（例えば、段落［００１４］〜［００２１］、第１図〜第４図）

例えば３００ｍｍウエーハの世代では、ウエーハキャリアにＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いたミニエンバイロメントが一般的に使用される。すなわちＪＩＳクラス６程度の中清浄度のクリーンルームに半導体製造装置を設置し、筐体で囲った製造装置内部をＦＦＵ（Fan Filter Unit）で陽圧にし、外部（クリーンルーム）からの塵埃の進入を防いでいる。このようにＦＦＵを用いて清浄化した空間のみでウエーハをＦＯＵＰから取り出しプロセス処理を行っている。

一方、半導体製造プロセスでは様々な半導体材料（薬品を含む）を使用し、例えば、そのガス成分が半導体製造装置筐体内部に篭っている。このガス成分が筐体外部に漏洩（拡散）することは、半導体製造装置が設置されているクリーンルーム内を汚染することになる。このため、例えば２００ｍｍウエーハまでの世代のように、ミニエンバイロメントを使用しないで、半導体製造装置をＪＩＳクラス３程度の清浄なクリーンルームに設置した場合、半導体製造装置筐体内部をクリーンルームに対して陰圧にする事で、半導体材料から発生するガス成分を排気し、クリーンルーム内に漏洩するのを防止している。

しかしながら、３００ｍｍウエーハの世代のようにミニエンバイロメントを用いた場合であって製造装置筐体内部を陰圧にすると、半導体材料から発生するガス成分をクリーンルームに漏らすことを防止できるが、クリーンルームの塵埃が製造装置筐体内部に侵入し半導体ウエーハに異物として付着してしまう。この異物の付着は、２００ｍｍウエーハ世代と３００ｍｍウエーハ世代では３００ｍｍウエーハ世代のほうがより微細化が進んでいるため、より顕著となる。このため、３００ｍｍウエーハの世代ではミニエンバイロメントを用いた場合、製造装置筐体内部を単に陰圧にできない。

このように３００ｍｍウエーハの世代ではミニエンバイロメントを用いた場合、ガス成分汚染対策と塵埃付着とが相反するため、どちらかを犠牲にしなければならない。

本発明の目的は、製造装置筐体内部からの汚染物質をクリーンルームへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームからの塵埃を製造装置筐体内部に侵入するのを防止することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体装置の製造歩留まりの低下を防止することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明の一実施の形態は、半導体製造装置が、半導体ウエーハが配置され、前記半導体ウエーハを囲む複数の面を有する筐体と、前記複数の面のうちの少なくとも１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間を有する板と、前記板と前記１つの面との間で形成された排気室内の気体を排気する排気系と、を有するものである。

また、本発明の他の一実施の形態は、まず、（ａ）クリーンルーム内に設置された筐体を構成する複数の面のうちの少なくとも１つの面と、前記１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間を有する板と、の間で形成された排気室内の気体を前記クリーンルーム外へ排気する。次いで、（ｂ）前記工程（ａ）を行うとともに、前記筐体内に配置した半導体ウエーハに対して半導体材料を用いて処理するものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

この一実施の形態によれば、筐体内で発生した汚染物質（汚染気体）が排気室に流れ込み排気され、また、筐体外の塵埃が筐体内に侵入する前に、排気室に流れ込み排気されるため、製造装置筐体内部からの汚染物質をクリーンルームへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームからの塵埃を製造装置筐体内部に侵入するのを防止することができる。

また、このような半導体製造装置を用いることによって、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１は、種々の半導体製造装置ＤＤ１〜ＤＤ４が設置されたクリーンルームＣＬを模式的に示す説明図である。このクリーンルームＣＬではミニエンバイロメント方式が採用されて、半導体装置のいわゆる前工程が行われる。

クリーンルームＣＬ内の温度調整のために、供給ダクトＤ１を介して空気調整機ＡＭが接続されており、クリーンルームＣＬの天井領域ＣＡに温度調整された空気が供給される。天井領域ＣＡには清浄な空気が吹き出される装置が設置されており、図１ではＨＥＰＡフィルタを備えた吹き出し装置ＪＤ１、ＪＤ２が示されている。一方、クリーンルームＣＬの床下領域ＦＡにはクリーンルームＣＬ内およびミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置ＤＤ１〜ＤＤ４内を排気する排気系が設置されており、図１では排気ダクトＤ２が示されている。これら半導体製造装置ＤＤ１〜ＤＤ４は、例えば半導体ウエーハに対して種々の処理、加工を行うものである。

天井領域ＣＡからの清浄空気はクリーンルームＣＬ内に吹き出され、下降した空気は通気性の床ＦＲから床下領域ＦＡに吸い込まれ、その大部分の空気が循環して天井領域ＣＡに戻り、残りの空気が排気ダクトＤ２から排気される。その一方で、クリーンルームＣＬ内での空調バランスを保つために、空気調整機ＡＭから空気が供給ダクトＤ１を介して供給される。

また、図１のクリーンルームＣＬ内では、半導体製造装置間で半導体ウエーハを搬送するために搬送容器（例えばＦＯＵＰ）ＦＰが用いられ、所定の通路を走行する搬送台車ＣＶによって搬送容器ＦＰが搬送される様子が示されている。

図２は、本実施の形態１におけるミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置（以下、ミニエン対応装置という）ＭＤ０を模式的に示す側壁図である。このミニエン対応装置ＭＤ０は、台ＴＥ上に半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤと１つの面との間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。

筐体ＢＥの面は、一般に樹脂からなるパネルが複数枚、パッキングによって張り合わせて構成されている。また、板ＢＤは例えばプラスチック、ＳＵＳあるいは樹脂からなり、板ＢＤの隙間ＳＴはスリット、穴などで構成されている。この板ＢＤと対向する筐体ＢＥを構成する面との間で排気室ＶＲが形成される。また、隙間ＳＴの開口率と排気系ＶＳの排気量によって排気室ＶＲの圧力Ｐ３を調整している。排気系ＶＳの排気量は排気ダクトＤ２から排気する際にダンパーで調整することができる。

また、ミニエン対応装置ＭＤ０は、筐体ＢＥの上部にＨＥＰＡフィルタＨＦを備えたファンＦＮを有しており、筐体ＢＥ内に外気（クリーンルームＣＬ内の空気）を取り込む。このファンＦＮは、筐体ＢＥを構成する複数の面のうち、板ＢＤと対向する面（側壁面）とは異なる他の面（上部面）に設置されている。なお、図２には、ファンＦＮによって筐体ＢＥ内で生じる気流の進行方向を示している。

これに対し、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤなどを設置しない場合のミニエン対応装置ＭＤ１０を図３に示す。クリーンルームＣＬ内にミニエン対応装置ＭＤ１０を設置した場合、クリーンルームＣＬ内の塵埃がミニエン対応装置ＭＤ１０の筐体ＢＥ内に入らないように、ＨＥＰＡフィルタＨＦを介してファンＦＮによって清浄な空気を取り入れることによって、筐体ＢＥ内部の圧力Ｐ１を筐体ＢＥ外部の圧力（クリーンルームＣＬの圧力）Ｐ２より例えば１〜２Ｐａ陽圧としている。

しかしながら、ミニエン対応装置ＭＤ１０で半導体材料を用いて半導体ウエーハＳＷへの処理、加工を行った場合、その半導体材料の未反応物や化合物などの汚染物質が、筐体ＢＥ外部、すなわちクリーンルームＣＬ内に漏洩してしまう。前述したように筐体ＢＥの面が張り合わせられた複数のパネルから構成されることから、その繋ぎ目などから漏洩してきているものと考えられる。

このような問題は、本実施の形態１におけるミニエン対応装置ＭＤ０で解決されている。このミニエン対応装置ＭＤ０は、筐体ＢＥを構成する面（図２では側壁面）の近傍に対向するように設置された板ＢＤを有し、板ＢＤとその面との間で排気室ＶＲを形成している。また、ミニエン対応装置ＭＤ０は排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳを有している。この排気系ＶＳは図１に示した排気ダクトＤ２およびダンパーによって排気量が調整される。

この排気系ＶＳによって排気室ＶＲ内の気体を排気することによって、排気室ＶＲ内の圧力Ｐ３は筐体ＢＥ内部の圧力Ｐ１および筐体ＢＥ外部の圧力（クリーンルームＣＬ内の圧力）Ｐ２より陰圧となるようにしている。このため、筐体ＢＥ内部で発生した汚染物質がクリーンルームＣＬに漏れる前に、板ＢＤの隙間ＳＴを、汚染物質を含んだ気体が通過し、排気室ＶＲから排気されてしまう。したがって、汚染物質が筐体ＢＥ外部すなわちクリーンルームＣＬ内に漏れることを防止することができる。また、クリーンルームＣＬ内の塵埃が筐体ＢＥ内に侵入した場合であっても、その前に排気室ＶＲから排気されてしまう。したがって、クリーンルームＣＬ内の塵埃が筐体ＢＥ内部に侵入することを防止することができる。

また、ミニエン対応装置ＭＤ０の筐体ＢＥ内の排気室ＶＲは、図２に示したように側壁の他に、図４に示すように底部、図５に示すように側壁および底部、図６に示すように側壁の一部および底部に形成しても良い。

以下に、ミニエン対応装置（半導体製造装置）として塗布／現像装置に適用した場合について説明する。図７に本発明者らが検討した塗布／現像装置ＭＤ１１の上面図、図８に図７のＸ−Ｘ線の側面図を示す。なお、図７および図８の塗布／現像装置は図３のミニエン対応装置ＭＤ１０に対応しており、図２のような排気室ＶＲは設けられていない。

塗布／現像装置ＭＤ１１は、搬送容器ＦＰが配置されるロードポートＬＰと、筐体ＢＥとロードポートＬＰとの間に設置され半導体ウエーハＳＷの受け渡し時に塵埃の付着を防止するＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）からなるモジュールＥＭとを有している。また、塗布／現像装置ＭＤ１１は、筐体ＢＥ内で半導体ウエーハＳＷを搬送する搬送機構ＣＭと、筐体ＢＥ内に設けられ塗布工程が行われる塗布室ＣＲと、筐体ＢＥ内に設けられ現像工程が行われる現像室ＤＲと、筐体ＢＥ内に設けられベーク工程が行われるベーク室ＢＲとを有している。また、塗布／現像装置ＭＤ１１は、塗布室ＣＲ内で塗布しきれなかったフォトレジストおよび現像室ＤＲ内で塗布しきれなかった現像液を集めるカップＣＰと、を有している。

塗布／現像装置ＭＤ１１がクリーンルームＣＬ（図１参照）内に設けられた場合、その動作は、まず、搬送台車ＣＶによって搬送されてきた搬送容器ＦＰがロードポートＬＰに置かれる。この搬送容器ＦＰには半導体ウエーハＳＷが搭載されており、搬送容器ＦＰのドアが閉じた状態では外部の塵埃が内部へ侵入し、半導体ウエーハＳＷに付着することを防止している。次いで、半導体ウエーハＳＷを塗布／現像装置ＭＤ１１の筐体ＢＥ内に搬送するにあたり、搬送容器ＦＰのドアを開ける必要があることから、モジュールＥＭによって局所的清浄環境、いわゆるミニエンバイロメントを作り出す。

次いで、筐体ＢＥ内に搬送された半導体ウエーハＳＷを、塗布室ＣＲでフォトレジスト塗布した後、ベーク室ＢＲでベークする。次いで、塗布／現像装置と一貫接続された露光装置に半導体ウエーハＳＷを搬送した後、塗布したフォトレジスト膜を感光させる。次いで、再び塗布／現像装置に搬送された半導体ウエーハＳＷを、現像室ＤＲで現像液塗布してフォトレジストパターンを形成した後、ベーク室ＢＲでベークする。次いで、塗布／現像装置での処理が終了した後、モジュールＥＭを介して半導体ウエーハＳＷを搬送容器ＦＰに搭載した後、搬送容器のドアを閉じる。

ここで、塗布／現像装置ＭＤ１１では、図８に示すように、例えばフォトレジスト塗布のカップＣＰに専用の排気系が設けられており、フォトレジストの揮発成分（汚染物質）がカップＣＰの外に漏れない構造としている。例えば、塗布／現像装置ＭＤ１１の筐体ＢＥ内で発生する成分を図９に示す。前述したように、クリーンルームＣＬ内の塵埃が、筐体ＢＥ内に入らないように、ファンＦＮによって清浄な空気を取り入れることによって、筐体ＢＥ内部の圧力Ｐ１を筐体ＢＥ外部の圧力（クリーンルームＣＬの圧力）Ｐ２より高くしている。また、図８に示すように筐体ＢＥの底部はパネルが張られない場合もある。これはフォトレジストの揮発成分がカップＣＰ専用の排気系で十分排気できると考えられていたからである。しかしながら、筐体ＢＥで発生した汚染物質が、筐体ＢＥ外部、すなわちクリーンルームＣＬ内に漏洩してしまう。

図１０は塗布／現像装置ＭＤ１１の筐体ＢＥ外の側壁面内における汚染物質の量を測定した結果であり、（ｂ）は（ａ）に対してカップＣＰの排気圧力を高めた場合を示す。なお、数値が高いほど汚染物質がより漏洩していることを示す。

図１０から判るように、塗布／現像装置ＭＤ１１の筐体ＢＥの側壁面内で漏れ量のばらつきはあるが、パネルが張られた側壁面全体であっても汚染物質が漏洩している。また、図１０（ａ）と図１０（ｂ）とを比較した場合、カップＣＰの排気圧力を高めることによって汚染物質の漏れを低減することができる。しかしながら、図１１に示すように、排気圧力を高くしすぎると、半導体ウエーハＳＷに塗布される膜の均一性が悪くなってしまう。そこで、図２のミニエン対応装置ＭＤ０に対応して、図１２に示すように、本実施の形態１における塗布／現像装置ＭＤ１は排気室ＶＲを備えている。なお、本実施の形態１における塗布／現像装置ＭＤ１は、本発明者らが検討した塗布／現像装置ＭＤ１１に対して、排気室ＶＲを備えている違いがあるが、その他の構成、動作は塗布／現像装置ＭＤ１１と同様であるのでその説明は略する。

図１２に筐体ＢＥの側壁に排気室ＶＲが設けられた塗布／現像装置ＭＤ１の上面図を示す。この塗布／現像装置ＭＤ１では、カップＣＰの排気の他に、排気室ＶＲの排気が追加された構造である。なお、カップＣＰの排気圧力は半導体ウエーハＳＷに塗布される膜の均一性を保持できる圧力としている。

塗布／現像装置ＭＤ１は、筐体ＢＥを構成する面（図１２では側壁面）の近傍に対向するように設置された板ＢＤを有し、板ＢＤとその面との間で排気室ＶＲを形成している。また、塗布／現像装置ＭＤ１は排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳを有している。

この排気系ＶＳによって排気室ＶＲ内に入り込んだ汚染物質を排気する。具体的には、排気室ＶＲ内の圧力Ｐ３を筐体ＢＥ内部の圧力Ｐ１および筐体ＢＥ外部の圧力（クリーンルームＣＬ内の圧力）Ｐ２より陰圧となるようにしている。また、筐体ＢＥを構成する複数の面のうち底部（底面）とは異なる上部（上面）に設置され、筐体ＢＥ内に外気を取り込むファンＦＮによって筐体ＢＥ内部の圧力Ｐ１を筐体ＢＥ外部の圧力（クリーンルームＣＬ内の圧力）Ｐ２より陽圧となるようにしている。すなわち、塗布／現像装置ＭＤ１はＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係となる構造となっている。

このため、筐体ＢＥ内部で発生した汚染物質がクリーンルームＣＬに漏れる前に、板ＢＤの隙間ＳＴを、汚染物質を含んだ気体が通過し、排気室ＶＲから排気されてしまう。したがって、汚染物質が筐体ＢＥ外部すなわちクリーンルームＣＬ内に漏れることを防止することができる。また、クリーンルームＣＬ内の塵埃が筐体ＢＥ内に侵入した場合であっても、その前に排気室ＶＲから排気されてしまう。したがって、クリーンルームＣＬ内の塵埃が筐体ＢＥ内部に侵入することを防止することができる。

また、図１３に筐体ＢＥの底部に排気室ＶＲが設けられた塗布／現像装置Ｍ１の側面図を示す。この塗布／現像装置ＭＤ１においてもＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係となる構造となっている。また、塗布／現像装置ＭＤ１の底部には、ファンＦＮによって筐体ＢＥ内で生じる気流の進行方向に対して垂直な方向に排気室ＶＲが形成されている。これにより、筐体ＢＥ内で発生した汚染物質を含んだ空気を効率的に排気することができる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２では、ミニエン対応装置（半導体製造装置）として洗浄装置に適用した場合について説明する。図１４に本実施の形態２における洗浄装置ＭＤ２の上面図を示す。

洗浄装置ＭＤ２は、半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面（側壁面）の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤとその側壁面の間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。また、洗浄装置ＭＤ２は、搬送容器ＦＰが置かれるロードポートＬＰと、筐体ＢＥとロードポートＬＰとの間に設けられ半導体ウエーハＳＷの受け渡し時に塵埃の付着を防止するＥＦＥＭからなるモジュールＥＭと、筐体ＢＥ内に設けられ洗浄工程が行われる洗浄室ＲＲと、を有している。

洗浄装置ＭＤ２がクリーンルームＣＬ（図１参照）内に設けられた場合、その動作は、まず、搬送台車ＣＶによって搬送されてきた搬送容器ＦＰがロードポートＬＰに置かれる。この搬送容器ＦＰには半導体ウエーハＳＷが搭載されている。次いで、モジュールＥＭによるミニエンバイロメント（局所的清浄環境）を作り出した後、筐体ＢＥ内に搬送された半導体ウエーハＳＷを、洗浄室ＲＲで洗浄する。次いで、洗浄処理が終了した後、モジュールＥＭを介して半導体ウエーハＳＷを搬送容器ＦＰに搭載した後、搬送容器ＦＰのドアを閉じる。なお、洗浄装置ＭＤ２では、モジュールＥＭの他に、筐体ＢＥでもミニエンバイロメントが形成される。

ここで、半導体ウエーハＳＷの洗浄の際に、洗浄装置ＭＤ２の筐体ＢＥ内で、例えばＮＨ_３、ＨＦガスなどの汚染物質が発生した場合であっても、洗浄装置ＭＤ２がＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係となる構造となっているため、筐体ＢＥ内部からの汚染物質をクリーンルームＣＬへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームＣＬからの塵埃を筐体ＢＥ内部に侵入するのを防止することができる。

（実施の形態３）
本発明の実施の形態３では、ミニエン対応装置（半導体製造装置）としてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置に適用した場合について説明する。図１５に本実施の形態３におけるＣＭＰ装置ＭＤ３の上面図を示す。

ＣＭＰ装置ＭＤ３は、半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面（側壁面）の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤとその側壁面の間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。また、ＣＭＰ装置ＭＤ３は、搬送容器ＦＰが置かれるロードポートＬＰと、筐体ＢＥとロードポートＬＰとの間に設けられ、ＣＭＰ処理前後において一時保管されるインプットステーションＩＳおよびアウトプットステーションＯＳと、半導体ウエーハＳＷを移動させるロボットＲＴと、処理後に半導体ウエーハＳＷを洗浄する洗浄室ＲＲと、を有している。また、ＣＭＰ装置ＭＤ３は、その筐体ＢＥ内に設けられたプラテンＰＮと、筐体ＢＥに設置され、筐体ＢＥ内を開閉するためのドアＤＯＲと、を有している。このドアＤＯＲの近傍には排気室ＶＲが形成されている。

クリーンルームＣＬ（図１参照）内に設けられたＣＭＰ装置ＭＤ３の動作は、まず、搬送台車ＣＶによって搬送されてきた搬送容器ＦＰがロードポートＬＰに置かれる。この搬送容器ＦＰには半導体ウエーハＳＷが搭載されている。次いで、ロボットＲＴによって半導体ウエーハＳＷをインプットステーションＩＳに一時蓄積する。次いで、インプットステーションＩＳから搬送された半導体ウエーハＳＷに対して、筐体ＢＥ内でそれぞれのプラテンＰＮを回って研磨処理する。次いで、半導体ウエーハＳＷを洗浄した後、アウトプットステーションＯＳに一時蓄積する。次いで、半導体ウエーハＳＷを搬送容器ＦＰに搭載した後、搬送容器ＦＰのドアを閉じる。

その後、ＣＭＰ装置ＭＤ３のメンテナンスなどにより筐体ＢＥのドアＤＯＲを開閉する際に、半導体ウエーハＳＷの研磨時に発生したＮＨ_３ガスなどの汚染物質が研磨パッドに付着していた場合であっても、筐体ＢＥのドアＤＯＲの近傍に排気室ＶＲが設けられているため汚染物質が排気室ＶＲからすぐに排気される。すなわち、Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係となる構造をＣＭＰ装置ＭＤ３が備えているため、ＣＭＰ装置ＭＤ３の筐体ＢＥ内部からの汚染物質をクリーンルームＣＬへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームＣＬからの塵埃を筐体ＢＥ内部に侵入するのを防止することができる。

（実施の形態４）
本発明の実施の形態４では、ミニエン対応装置（半導体製造装置）としてプラズマエッチング装置に適用した場合について説明する。図１６に本実施の形態４におけるプラズマエッチング装置ＭＤ４の側面図を示す。

プラズマエッチング装置ＭＤ４は、半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面（底面）の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤとその底面の間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。また、プラズマエッチング装置ＭＤ４は、搬送容器ＦＰが置かれるロードポートＬＰと、ロード／ロット室ＬＬＲとロードポートＬＰとの間に設けられ半導体ウエーハＳＷの受け渡し時に塵埃の付着を防止するＥＦＥＭからなるモジュールＥＭと、プラズマエッチング処理される複数のプロセスチャンバーＰＣと、複数のプロセスチャンバーＰＣのうちの１つを選択するためのトランスファーチャンバーＴＣと、を有している。

クリーンルームＣＬ（図１参照）内に設けられたプラズマエッチング装置の動作は、まず、搬送台車ＣＶによって搬送されてきた搬送容器ＦＰがロードポートＬＰに置かれる。この搬送容器ＦＰには半導体ウエーハＳＷが搭載されている。次いで、モジュールＥＭによってミニエンバイロメントを作り出した後、モジュールＥＭのドアＤＯＲを開き、ロボットＲＴによって、半導体ウエーハＳＷをロード／ロット室ＬＬＲに搬送する。次いで、トランスファーチャンバーＴＣによって複数のプロセスチャンバーＰＣのうちの１つを選択し、そのプロセスチャンバーＰＣに半導体ウエーハＳＷを搬送した後、プラズマエッチング処理する。次いで、プラズマエッチング処理が終了した後、トランスファーチャンバーＴＣ、ロード／ロット室ＬＬＲ、モジュールＥＭを介して半導体ウエーハＳＷを搬送容器ＦＰに搭載した後、ドアＤＯＲを閉じる。

例えば、フッ素を含む混合ガスを用いた半導体ウエーハＳＷのプラズマエッチングの際に、プラズマエッチング装置ＭＤ４の筐体ＢＥ内で、例えばフッ素（Ｆ）などの汚染物質が発生した場合がある。この場合であっても、プラズマエッチング装置ＭＤ４がＰ１＞Ｐ２＞Ｐ３の関係となる構造となっているため、筐体ＢＥ内部からの汚染物質をクリーンルームＣＬへ漏洩するのを防止すること、並びに、クリーンルームＣＬからの塵埃を筐体ＢＥ内部に侵入するのを防止することができる。

（実施の形態５）
本発明の実施の形態５における半導体装置の製造方法について図１７に示すプロセスフローを追って説明する。なお、ここでのプロセスフローは、いわゆる前工程であり、クリーンルームＣＬ（図１参照）内で行われる。

まず、図１８に示すように、半導体ウエーハＳＷの基板主面（デバイス形成面）上に絶縁膜を下層から順に堆積する。下層の絶縁膜は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２等）ＯＦ１、上層の絶縁膜は例えば窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４等）ＮＦにより形成されている。次いで、上記構造の半導体ウエーハＳＷを搬送容器ＦＰ（図１参照）に収納し、搬送台車ＣＶで前記実施の形態１で示した塗布／現像装置ＭＤ１（図１２参照）に搬送する。

続いて、塗布／現像装置ＭＤ１では搬送容器ＦＰのドアを開け、半導体ウエーハＳＷをレジスト塗布用のカップＣＰに搬送し、レジスト材料（半導体材料）を滴下しスピンにより膜厚均一化を行う。次いで、半導体ウエーハＳＷを、ＴＡＲＣ膜塗布用のカップＣＰに搬送し、ＴＡＲＣ材料（半導体材料）を滴下しスピンにより膜厚均一化を行う。

ここで、これらレジスト材料、ＴＡＲＣ材料塗布の際、クリーンルームＣＬ内に設置された塗布／現像装置ＭＤ１の筐体ＢＥを構成する複数の面のうちの少なくとも１つの面（側壁面）と、その側壁面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、の間で形成された排気室ＶＲ内の気体をクリーンルームＣＬ外へ排気する。

具体的に、排気室ＶＲの排気は、排気室ＶＲ内の圧力Ｐ３が、筐体ＢＥ外の圧力Ｐ２および排気室ＶＲ以外の筐体ＢＥ内の圧力Ｐ１より低くなるように行う。また、排気室ＶＲ以外の筐体ＢＥ内の圧力Ｐ１が、筐体ＢＥ外の圧力Ｐ２より高くなるように側壁面とは異なる他の面（上部面）によって配置されたファンＦＮによって筐体ＢＥ内に、クリーンルームＣＬ内の気体を取り込む。なお、排気室ＶＲ内の排気およびクリーンルームＣＬの気体の取り込みは、塗布工程の前後の期間を含めて行っても良い。

続いて、ベーク室ＢＲでベークし、その後一貫接続された露光装置に半導体ウエーハＳＷを搬送する。露光装置内で半導体ウエーハＳＷは所定のレチクルを用い、ステップ露光によりレジスト膜を感光させる。具体的には、ケミカルフィルタを介して外気が取り込まれる内部と、その内部に設置されたレンズおよび光源と、を備えた露光装置において、露光装置の内部に半導体ウエーハＳＷを配置した後、その光源およびレンズを用いて半導体ウエーハＳＷに対して露光処理する。

続いて、図１９に示すように、レジスト膜ＰＲを感光させた後、半導体ウエーハＳＷは再び塗布／現像装置ＭＤ１に戻り、現像用のカップＣＰで現像液処理する事でレジストパターンが形成される。その後、ベーク室ＢＲでベークし、レジストパターンを安定化させる。その後、半導体ウエーハＳＷをモジュールＥＭ経由で搬送容器ＦＰに戻し、そのドアを閉め、次工程（プラズマエッチング装置）へ払い出す。なお、パターニングされたフォトレジストＰＲが素子分離溝形成用のマスクとなる。

塗布／現像装置ＭＤ１を用いた製造工程では、レジスト塗布、ＴＡＲＣ塗布のカップＣＰがそれぞれ専用の排気が取られた構造としているため、揮発成分がカップＣＰ外に漏洩しないようになっている。しかしながら、排気が不十分で有機物（汚染物質）が装置外のクリーンルームＣＬに漏洩してしまう場合がある。そこで、前記実施の形態１で示した塗布／現像装置ＭＤ１のように、排気室ＶＲを設け、クリーンルームＣＬに漏洩する前に、汚染物質を排気している。

ここで、本発明者らが検討した塗布／現像装置ＭＤ１１のように、排気室を設けない場合の影響について、図２４を参照して説明する。図２４に露光装置およびその筐体内で生じている気流を示す。

露光装置は内部を清浄に保つ為、図２４に示すような無機、並びに有機除去用のケミカルフィルタ（活性炭フィルタ）を具備し、レンズが存在する領域にＳＯ_４、ＮＨ_３等の無機物、シロキ酸等の有機物が浸入しない構造となっている。しかし、露光装置への取り込み外気に、排気室ＶＲを設けていないような塗布／現像装置ＭＤ１１から漏れた有機汚染が取り込まれると短期間でケミカルフィルタを劣化させてしまい、透過した有機物がレンズ曇りを引き起す。レンズ曇りは使用する光のエネルギーが大きいＡｒＦ露光、ＫｒＦ露光で顕著で、進入したシロキ酸等の有機物がレンズ表面において光反応で重合するものと考えられる。レンズ曇りが起こると結像が正常に行われなくなる事からパターン形成が正常に行われなくなり、製造歩留低下を引き起こす。

この解決手段として、ケミカルフィルタを頻繁に交換する事が考えられる。しかしながら、ケミカルフィルタは一般に高価であり、かつケミカル成分の除去容量が比較的少ない。このため、ケミカルフィルタの寿命が短くなり頻繁な交換を余儀なくされ、ダウンタイムの悪化また保守費の増大となり、半導体装置の製造コストを引き上げる要因となる。

そこで、前記実施の形態１で示した塗布／現像装置ＭＤ１を用いて、クリーンルームＣＬ内に設置された筐体ＢＥを構成する複数の面のうちの側壁面と、その側壁面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、の間で形成された排気室ＶＲ内の気体をクリーンルームＣＬ外へ排気するとともに、筐体ＢＥ内に配置した半導体ウエーハＳＷに対してフォトレジスト、ＴＡＲＣ（半導体材料）を塗布する。

これにより、筐体ＢＥ内部からの汚染物質であるＳＯ_４、ＮＨ_３等の無機物、シロキ酸等の有機物をクリーンルームＣＬへ漏洩するのを防止し、レンズ曇りのない露光をすることによって、半導体装置の製造歩留まりの低下を防止することができる。また、高価なケミカルフィルタの交換回数を少なくすることによって、半導体装置の製造コストを低減することができる。

続いて、上記構造の半導体ウエーハＳＷを搬送容器ＦＰに収納し、搬送台車ＣＶで前記実施の形態４で示したプラズマエッチング装置ＭＤ４（図１６参照）に搬送する。次いで、プラズマエッチング装置ＭＤ４では搬送容器ＦＰのドアを開け、半導体ウエーハＳＷをロード／ロット室ＬＬＲを通じプロセスチャンバーＰＣに運ぶ。

続いて、図２０に示すように、パターニングされたフォトレジストＰＲから露出する窒化シリコン膜ＮＦを、プラズマエッチング処理によりエッチングした後、レジストパターンをアッシング処理により除去する。

続いて、図２１に示すように、窒化シリコン膜ＮＦから露出される酸化シリコン膜ＯＦ１および半導体ウエーハＳＷを、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）またはＣＨＦ_３とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用いたプラズマエッチング処理によりエッチングする。これにより、半導体ウエーハＳＷに素子分離溝を形成する。この段階では、半導体ウエーハＳＷの表面にフッ素（Ｆ）が吸着した状態となっている。

続いて、半導体ウエーハＳＷをプラズマ処理装置のプロセスチャンバーＰＣから搬出し、プラズマ処理装置のロード／ロック室ＬＬＲから搬出し、モジュールＥＭ内の半導体ウエーハＳＷを搬送ロボットＲＴで搬送容器ＦＰに収容する。

このプラズマエッチング装置を用いた製造工程では、製造過程で半導体ウエーハＳＷに付着したフッ素（Ｆ）がモジュールＥＭ内で放出（乖離）されるが、排気室ＶＲを設けていないようなプラズマエッチング装置を用いた場合、フッ素がクリーンルームＣＬ内に漏洩する場合がある。このフッ素（汚染物質となる）は、粉塵除去用に用いられているＨＥＰＡフィルタＨＦのガラス繊維と反応しボロン（Ｂ）を放出する。このボロンはシリコン（Ｓｉ）に対し、３価のドーパタンとなるため、ＨＥＰＡフィルタＨＦからのボロンがシリコン半導体ウエーハＳＷに付着するとトランジスタの閾値（Ｖｔｈ）電圧のシフトを引き起こし、製造歩留まり低下を引き起こす。

ここで、前記実施の形態４で説明した排気室ＶＲが設けられたプラズマエッチング装置ＭＤ４を用いて、クリーンルームＣＬ内に設置された筐体ＢＥを構成する複数の面のうちの側壁面と、その側壁面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間を有する板ＢＤと、の間で形成された排気室ＶＲ内の気体をクリーンルームＣＬ外へ排気するとともに、筐体ＢＥ内に配置した半導体ウエーハＳＷを、プラズマエッチングし、モジュールＥＭを介して搬送する。具体的に、排気室ＶＲの排気は、排気室ＶＲ内の圧力Ｐ３が、筐体ＢＥ外の圧力Ｐ２および排気室ＶＲ以外の筐体ＢＥ内の圧力Ｐ１より低くなるように行う。

これにより、筐体ＢＥ内部からの汚染物質であるフッ素をクリーンルームＣＬへ漏洩するのを防止し、ＨＥＰＡフィルタＨＦからボロンの発生を防止することによって、半導体装置の製造歩留まりの低下を防止することができる。

続いて、図２２に示すように、素子分離溝の表面を薄く酸化し、その後溝を埋め込む為に、ＣＶＤ法によって酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜ＯＦ２を成膜する。次いで、アニールにより酸化シリコン膜ＯＦ２を焼き閉める。

続いて、図２３に示すように、前記実施の形態３で示したＣＭＰ装置ＭＤ３で半導体ウエーハＳＷの平坦化を行う。ここでは、まず、搬送台車ＣＶで上記半導体ウエーハＳＷが入った搬送容器ＦＰをＣＭＰ装置に搬送する。次いで、ＣＭＰ装置では搬送容器ＦＰのドアを開け、半導体ウエーハＳＷを、インプットステーションＩＳを通じて処理室に搬送し、半導体ウエーハＳＷの表面を研磨パッドに押し付け研磨を行う。酸化シリコン膜ＯＦ２の研磨にはＳｉＯ_２系のスラリー（半導体材料）を使用し、酸化シリコン膜ＯＦ２を削り易くする為、ＮＨ_４ＯＨ等のアルカリ溶液（半導体材料）を用いｐＨを７〜１１程度で行う。次いで、半導体ウエーハＳＷ表裏面を洗浄した後、アウトプットステーションＯＳ、モジュールＥＭを通じ、搬送容器ＦＰ内に半導体ウエーハＳＷが戻される。

このＣＭＰ装置ＭＤ３を用いた製造工程では、研磨に使用する研磨パッドに付いたＮＨ_４ＯＨよりＮＨ_３ガスが出て、処理室内には高濃度のＮＨ_３が存在する。このため排気室ＶＲを設けていないようなＣＭＰ装置を用いた場合、メンテナンス等で筐体ＢＥのドアＤＯＲを開閉した際に、ＮＨ_３がクリーンルームＣＬに漏洩する。このＮＨ_３（汚染物質となる）はフォトレジストと反応し、パターン形成不良を引き起こす事が知られており、製造歩留まり低下を引き起こす。

ここで、前記実施の形態３で説明した排気室ＶＲが設けられたＣＭＰ装置ＭＤ３を用いて、クリーンルームＣＬ内に設置された筐体ＢＥを構成する複数の面のうちの側壁面と、その側壁面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間を有する板ＢＤと、の間で形成された排気室ＶＲ内の気体をクリーンルームＣＬ外へ排気するとともに、筐体ＢＥ内に配置した半導体ウエーハＳＷを、研磨した後、メンテナンスなどのためにドアＤＯＲを開閉する。

具体的に、排気室ＶＲの排気は、排気室ＶＲ内の圧力Ｐ３が、筐体ＢＥ外の圧力Ｐ２および排気室ＶＲ以外の筐体ＢＥ内の圧力Ｐ１より低くなるように行う。また、排気室ＶＲ以外の筐体ＢＥ内の圧力Ｐ１が、筐体ＢＥ外の圧力より高くなるように側壁面とは異なる他の面（上部面）によって配置されたファンＦＮによって筐体ＢＥ内に、クリーンルームＣＬ内の気体を取り込む。なお、ＣＭＰ装置ＭＤ３の排気系ＶＳ内の排気およびクリーンルームＣＬの気体の取り込みは、メンテナンスの前後の期間を含めて行っても良い。

これにより、筐体ＢＥ内部からの汚染物質であるＮＨ_３をクリーンルームＣＬへ漏洩するのを防止し、フォトレジストのパターン不良の発生を防止することによって、半導体装置の製造歩留まりの低下を防止することができる。

その後、周知の方法を用いて、例えばトランジスタ、多層配線などを形成することによって半導体装置が略完成する。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、ミニエンバイロメント方式を用いた半導体製造装置として、イオン注入装置、熱処理装置などにも適用することができる。

また、例えば前記実施の形態１では、隙間を有する板を、筐体内に設置した場合について説明したが、排気室を形成することができるのであれば、筐体外に設置することもできる。

本発明は、ミニエンバイロメント方式を用いた半導体装置の製造の製造業に幅広く利用されるものである。

種々の半導体製造装置が設置されたクリーンルームの側面からみた説明図である。 本発明の実施の形態１におけるミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置の一例の側面からみた説明図である。 本発明者らが検討したミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置の側面からみた説明図である。 本発明の実施の形態１におけるミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置の他の一例の側面からみた説明図である。 本発明の実施の形態１におけるミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置の他の一例の側面からみた説明図である。 本発明の実施の形態１におけるミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置の他の一例の側面からみた説明図である。 本発明者らが検討した塗布／現像装置の上面からみた説明図である。 本発明者らが検討した塗布／現像装置の側面からみた説明図である。 塗布／現像装置の筐体内で発生する成分の説明図である。 塗布／現像装置の筐体外の側壁面内における汚染物質の量を測定した結果であり、（ａ）はカップ排気圧力が低い場合、（ｂ）はカップ排気圧力が高い場合を示す。 塗布／現像装置におけるカップ排気圧力と漏洩した汚染物質の量との関係のグラフである。 本発明の実施の形態１における塗布／現像装置の一例の上面からみた説明図である。 本発明の実施の形態１における塗布／現像装置の他の一例の側面からみた説明図である。 本発明の実施の形態２における洗浄装置の上面からみた説明図である。 本発明の実施の形態３におけるＣＭＰ装置の上面からみた説明図である。 本発明の実施の形態４におけるプラズマエッチング装置の側面からみた説明図である。 本発明の実施の形態５における半導体装置のプロセスフローである。 本発明の実施の形態５における製造工程中の半導体装置を模式的に示す要部断面図である。 図１８に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す要部断面図である。 図１９に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す要部断面図である。 図２０に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す要部断面図である。 図２１に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す要部断面図である。 図２２に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す要部断面図である。 露光装置および露光装置の筐体内で生じている気流の説明図である。

符号の説明

ＡＭ 空気調整機
ＢＥ 筐体
ＢＤ 板
ＢＲ ベーク室
ＣＡ 天井領域
ＣＬ クリーンルーム
ＣＦ１、ＣＦ２ ケミカルフィルタ
ＣＭ 搬送機構
ＣＶ 搬送台車
Ｄ１ 供給ダクト
Ｄ２ 排気ダクト
ＤＤ１、ＤＤ２、ＤＤ３、ＤＤ４ 半導体製造装置
ＤＯＲ ドア
ＤＲ 現像室
ＥＭ モジュール
ＦＡ 床下領域
ＦＮ ファン
ＦＰ 搬送容器
ＦＲ 床
ＨＦ ＨＥＰＡフィルタ
ＩＳ インプットステーション
ＪＤ１、ＪＤ２ 吹き出し装置
ＭＤ０、ＭＤ１、ＭＤ２、ＭＤ３、ＭＤ４、ＭＤ１０、ＭＤ１１ ミニエン対応装置
ＮＦ 窒化シリコン膜
ＯＦ１、ＯＦ２ 酸化シリコン膜
ＯＳ アウトプットステーション
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３ 圧力
ＲＴ ロボット
ＳＴ 隙間
ＴＥ 台
ＶＲ 排気室
ＶＳ 排気系

Claims (11)

1. 半導体ウエーハが配置され、前記半導体ウエーハを囲む複数の面を有する筐体と、
   前記複数の面のうちの少なくとも１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間を有する板と、
   前記板と前記１つの面との間で形成された排気室内の気体を排気する排気系と、
   を有する半導体製造装置。
2. 前記複数の面のうち前記１つの面とは異なる他の面に設置され、前記筐体内に外気を取り込むファンを更に有し、
   前記ファンによって前記筐体内で生じる気流の進行方向に対して垂直な方向に前記排気室が形成されている請求項１記載の半導体製造装置。
3. 前記筐体に設置され、前記筐体内を開閉するためのドアを更に有し、
   前記ドアの近傍に前記排気室が形成されている請求項１記載の半導体製造装置。
4. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）クリーンルーム内に設置された筐体を構成する複数の面のうちの少なくとも１つの面と、前記１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間を有する板と、の間で形成された排気室内の気体を前記クリーンルーム外へ排気する工程、
   （ｂ）前記工程（ａ）を行うとともに、前記筐体内に配置した半導体ウエーハに対して半導体材料を用いて処理する工程。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（ｂ）では、前記排気室内の圧力が、前記筐体外の圧力および前記排気室以外の前記筐体内の圧力より低くなるように前記工程（ａ）を行う。
6. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   （ｃ）前記複数の面のうち前記１つの面とは異なる他の面に配置されたファンによって前記筐体内に、前記クリーンルーム内の気体を取り込む工程、
   を更に含み、
   前記工程（ｂ）では、前記排気室内の圧力が、前記筐体外の圧力および前記排気室以外の前記筐体内の圧力より低くなるように前記工程（ａ）を行うとともに、前記排気室以外の前記筐体内の圧力が、前記筐体外の圧力より高くなるように前記工程（ｃ）を行う。
7. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   （ｄ）前記工程（ｂ）の後、前記筐体に設置されたドアによって前記筐体内を開閉する工程、
   を更に含み、
   前記工程（ｄ）を行うとともに、前記排気室内の圧力が、前記筐体外の圧力および前記排気室以外の前記筐体内の圧力より低くなるように前記工程（ａ）を行う。
8. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記半導体材料はフォトレジストであり、
   前記工程（ｂ）では、前記半導体ウエーハに対して前記フォトレジストを塗布処理する。
9. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記半導体材料はフッ素を含む混合ガスであり、
   前記工程（ｂ）では、前記混合ガス中で前記半導体ウエーハに対してプラズマエッチング処理する。
10. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
    前記半導体材料はアルカリ溶液であり、
    前記工程（ｂ）では、前記半導体ウエーハに対して前記アルカリ溶液を用いてＣＭＰ処理する。
11. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、以下の工程を更に含む：
    （ｅ）ケミカルフィルタを介して外気が取り込まれる内部と、前記内部に設置されたレンズおよび光源と、を備えた露光装置において、前記内部に前記半導体ウエーハを配置した後、前記光源および前記レンズを用いて前記半導体ウエーハに対して露光処理する工程。

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