JP2003042498A - 半導体製造システム、半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーンルームを清浄純粋な雰囲気の状態に
維持できるようにする。 【解決手段】 半導体装置を製造するクリーンルーム１
と、ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した半導体
製造装置２０とを備え、この半導体製造装置２０は当該
クリーンルーム１内に設置されるものである。この構成
によって、半導体製造装置２０からクリーンルームへの
ケミカルコンタミの発散を無くすことができるので、ク
リーンルーム内を清浄純粋な雰囲気の状態に維持するこ
とができる。ケミカルコンタミ発散性の材料を使用した
半導体製造装置２０を使用して半導体装置を製造する場
合に比べて、ケミカルコンタミ汚染に起因する不良発
生、品質低下、信頼性低下及び、製造ラインの稼働率低
下を少なくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クリーンルーム内
での半導体集積回路装置や液晶表示装置等の製造に適用
して好適な半導体製造システム、半導体製造装置、半導
体製造方法及び半導体装置に関する。詳しくは、ケミカ
ルコンタミ非発散性の材料を使用した半導体製造装置を
当該クリーンルーム内に設置して、清浄純粋な雰囲気の
状態に維持されたクリーンルームで半導体装置を製造で
きるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体集積回路装置や液晶表
示装置等を製造する装置（以下で半導体製造装置とい
う）は、サブミクロンの粒子状ダストを排除したクリー
ンルームに設置され、厳密なダスト管理がなされてき
た。

【０００３】しかし近年、半導体加工の微細化が進むに
伴い、粒子状のダストだけではなく、ガス状の気中汚染
物質、いわゆるケミカルコンタミ（Ｃhemical Ｃontam
ination）が注目されている。ケミカルコンタミは、Ｎ
Ｈ４⁺などのイオン成分、フタル酸ジオクチル（ＤＯ
Ｐ）などの有機物、ホウ素（Ｂ）などの無機物に分類さ
れ、例えばＮＨ４⁺は露光装置の光学系の曇りの原因と
なり、有機物と無機物は酸化膜の特性変化や化学気相成
長（ＣＶＤ）装置における膜付き性の悪化などを招くこ
とが知られている。

【０００４】これらのことは、半導体集積回路装置また
は液晶表示装置（以下で単に半導体装置という）等の生
産性の低下、製造歩留まりの低下、品質および信頼性の
低下につながるため、クリーンルーム気中のケミカルコ
ンタミは大きな問題として認識されている。

【０００５】ところで、半導体装置等の製造工場では、
外気からクリーンルームへのイオン成分の進入を防ぐた
めに外調機にエアワッシャを設置したり、建築部材から
の有機物発生を防ぐために低分子シロキサンの揮散が少
ないシリコンシール材を使用したり、空調用高性能フィ
ルタ（Ｕltra Ｌow Ｐenetration Ｆilter：以下でＵＬ
ＰＡという）からのホウ素（Ｂ）発生を防ぐためにホウ
素含有の少ない濾材を採用したフィルタを使用するな
ど、主に建築物および空調や電気などの建築設備の面か
ら、クリーンルーム気中のケミカルコンタミ低減に取り
組んできている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来方
式のクリーンルームや半導体製造装置によれば、次のよ
うな問題がある。 ケミカルコンタミ低減に配慮した材料で作ったクリ
ーンルームであっても、そこに半導体製造装置を設置す
ると、気中のケミカルコンタミの濃度が上昇する。これ
は、半導体製造装置の構成材料からケミカルコンタミが
発散するためであって、半導体製造装置の構成材料が、
クリーンルームの気中ケミカルコンタミを増加させない
という観点で選定されていないためである。例えば、半
導体製造装置に使われる塩化ビニール被覆の電線からフ
タル酸エステルが発散し、シリコンシール材からシロキ
サンが発散し、ＵＬＰＡフィルタからＤＯＰやホウ素
（Ｂ）が発散することが知られている。

【０００７】 また、クリーンルームの気中ケミカル
コンタミを増加させないという観点での対策がなされて
いないため、クリーンルームの空気に直接接触する半導
体製造装置内部の被覆電線やシール材から有機物が発散
したり、この装置内部にクリーンエアを送るための空調
フィルタから発散したホウ素（Ｂ）が当該装置の隙間か
らクリーンルーム気中に漏出したりして、クリーンルー
ム気中のケミカルコンタミを増加させるおそれがある。

【０００８】 クリーンルームに送り込まれたウエハ
が接触する半導体製造装置の内部の空気は、一般にクリ
ーンルームの空気と同一であるから、クリーンルーム気
中のケミカルコンタミの汚染を免れない。

【０００９】因みに半導体製造装置内で半導体ウエハが
露出している場所にケミカルフィルタを通した空気を送
り、クリーンルーム気中のケミカルコンタミによる汚染
を避ける仕組みも考えられるが、半導体製造ラインにあ
るすべての半導体製造装置が同様の対応をしていない限
り、複数の半導体処理工程を完了するまでの間にクリー
ンルーム気中のケミカルコンタミに汚染されてしまい、
これを避けることは困難である。

【００１０】 半導体製造装置の構成部材が発散する
ケミカルコンタミは、ケミカルコンタミを低減した空気
を送り込まれたクリーンルームの部分以外の部分の空気
を汚染するおそれがある。従って、半導体製造装置内部
に送り込まれたウエハがその空気と接触することでウエ
ハ表面が汚染されることになる。

【００１１】 また、クリーンルームに送り込む空気
の一部をケミカルフィルタを通すなどするには、初期投
資が多くかかり、またケミカルフィルタの維持管理に手
間とコストがかかる。

【００１２】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、クリーンルームを清浄純粋な
雰囲気の状態に維持できるようにした半導体製造システ
ム、半導体製造装置、半導体製造方法及び半導体装置を
提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した課題は、半導体
装置を製造するクリーンルームと、ケミカルコンタミ非
発散性の材料を使用した半導体製造装置とを備え、この
半導体製造装置は当該クリーンルーム内に設置されるこ
とを特徴とする半導体製造システムによって解決され
る。

【００１４】本発明に係る半導体製造システムによれ
ば、半導体製造装置からクリーンルームへのケミカルコ
ンタミの発散を無くすことができるので、クリーンルー
ム内を清浄純粋な雰囲気の状態に維持することができ
る。従って、ケミカルコンタミ発散性の材料を使用した
半導体製造装置を使用して半導体装置を製造する場合に
比べて、ケミカルコンタミ汚染に起因する不良発生、品
質低下、信頼性低下及び、製造ラインの稼働率低下を少
なくすることができる。

【００１５】本発明に係る第１の半導体製造装置は半導
体装置を製造する装置であって、装置本体と、この装置
本体に取り付けられ又は／及び当該装置本体に接続され
た装置部品とを備え、この装置本体又は／及び装置部品
にはケミカルコンタミ非発散性の材料を使用することを
特徴とするものである。

【００１６】本発明に係る第１の半導体製造装置によれ
ば、当該装置からクリーンルームへのケミカルコンタミ
の発散を無くすことができるので、クリーンルーム内を
清浄純粋な雰囲気の状態に維持することができる。従っ
て、ケミカルコンタミ発散性の材料を使用した半導体製
造装置を使用して半導体装置を製造する場合に比べて、
ケミカルコンタミ汚染に起因する不良発生、品質低下、
信頼性低下及び、製造ラインの稼働率低下を少なくする
ことができる。

【００１７】本発明に係る第２の半導体製造装置は半導
体装置を製造する装置であって、装置本体と、この装置
本体に取り付けられ又は／及び当該装置本体に接続され
た装置部品と、この本体装置又は／及び装置部品の一部
あるいは全部を覆う包囲体と、この包囲体内を排気する
排気手段とを備えることを特徴とするものである。

【００１８】本発明に係る第２の半導体製造装置によれ
ば、本体装置又は／及び装置部品の一部あるいは全部に
ケミカルコンタミ発散性の材料をやむを得ず使用した場
合でも、排気手段によってケミカルコンタミをクリーン
ルーム外へ排気することができるので、クリーンルーム
内を清浄純粋な雰囲気の状態に維持することができる。

【００１９】本発明に係る第１の半導体製造方法は予め
ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した半導体製造
装置を製造し、この半導体製造装置をクリーンルーム内
に設置し、クリーンルーム内で半導体製造装置を使用し
て半導体装置を製造することを特徴とするものである。

【００２０】本発明に係る第１の半導体製造方法によれ
ば、清浄純粋な雰囲気の状態に維持されたクリーンルー
ムで半導体装置を製造することができる。従って、クリ
ーンルーム内でケミカルコンタミ発散性の材料を使用し
た半導体製造装置を使用して半導体装置を製造する場合
に比べて、ケミカルコンタミに依存されない高品質かつ
高信頼度の半導体装置を製造することができる。半導体
装置の製造コストを低減できる。

【００２１】本発明に係る第２の半導体製造法はクリー
ンルーム内で半導体製造装置を使用して半導体装置を製
造する方法であって、半導体製造装置の一部あるいは全
部を包囲体で覆う工程と、この包囲体内のケミカルコン
タミをクリーンルーム外へ排気する工程とを有すること
を特徴とするものである。

【００２２】本発明に係る第２の半導体製造方法によれ
ば、半導体製造装置の一部あるいは全部にケミカルコン
タミ発散性の材料が使用された場合でも、包囲体内のケ
ミカルコンタミをクリーンルーム外へ排気できるので、
クリーンルーム内を清浄純粋な雰囲気の状態に維持する
ことができる。

【００２３】本発明に係る半導体装置は半導体基板と、
この半導体基板上に形成された電子回路素子とを備え、
ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用して製造された
半導体製造装置により半導体基板及び／又は電子回路素
子を製造されて成ることを特徴とするものである。

【００２４】本発明に係る半導体装置によれば、ケミカ
ルコンタミ発散性の材料を用いた半導体製造装置を使用
して半導体装置を製造する場合に比べて、ケミカルコン
タミに依存されない高品質かつ高信頼度の半導体装置を
提供することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係る半導体製
造システム、半導体製造装置、半導体製造方法及び半導
体装置の一実施の形態について、図面を参照しながら説
明をする。 （１）第１の実施形態 図１は本発明に係る第１の実施形態としての半導体製造
システム１００の構成例を示す模式図である。この実施
形態では、ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した
半導体製造装置を当該クリーンルーム内に設置して、清
浄純粋な雰囲気の状態に維持されたクリーンルームで半
導体装置を製造できるようにしたものである。つまり、
この半導体製造システム１００では予めケミカルコンタ
ミ非発散性の材料を使用した半導体製造装置２０を製造
し、この半導体製造装置２０をクリーンルーム１内に設
置し、クリーンルーム１内で半導体製造装置２０を使用
して半導体装置を製造するようになされる（第１の半導
体製造方法）。

【００２６】図１に示す半導体製造システム１００は半
導体集積回路装置または液晶表示装置（以下で単に半導
体装置という）等を製造するシステムである。このシス
テム１００には清浄空気循環型のクリーンルーム１が備
えられている。このクリーンルーム１は天井１６、床１
４及び壁１０Ａ、１０Ｂを有しており、図示しないが、
もちろん、作業者９が出入りする出入口を有している。
クリーンルーム１の天井１６にはファンフィルタユニッ
ト（ＦＦＵ）１３が配置され、天井１６の裏側は天井プ
レナムチャンバ１１となっている。

【００２７】このクリーンルーム１の床１４には通気用
の複数の開口部１４Ａが設けられ、床１４の裏側には床
構造部材１５が設けられ、床１４の裏側は床下リターン
エリア１２となっている。上述の天井プレナムチャンバ
１１と床下リターンエリア１２との間は空調機１７とダ
クト８Ａ，８Ｂとを通じて結ばれている。

【００２８】このダクト８Ａ，８Ｂの途中には外調機１
８が取り付けられ、この外調機１８にはエアワッシャー
１９が内蔵され、外気を取り込んでクリーンルーム１へ
補充する空気を清浄化するようになされる。外調機１８
で清浄化された空気は空調機１７によって天井プレナム
チャンバ１１に送り込まれ、ファンフィルタユニット１
３によってクリーンルーム１に吹き出され、床１４の通
気用の開口部１４Ａを通って床下リターンエリア１２に
吸引される。

【００２９】クリーンルーム１の空気は空調機１７によ
って天井プレナムチャンバ１１→ファンフィルタユニッ
ト１３→クリーンルーム１の内部→開口部１４Ａ→床下
リターンエリア１２→ダクト８Ａ，８Ｂを循環するよう
になされる。清浄化空気は外部からクリーンルーム１へ
補充される。ここまでの建築構造は従来方式のクリーン
ルームと同じ構成を採ることができる。

【００３０】この半導体製造システム１００では、当該
クリーンルーム１内にケミカルコンタミ非発散性の材料
を使用した半導体製造装置２０が設置されており、この
製造装置２０は半導体装置を製造するために本体装置又
は／及び装置部品から構成されている。

【００３１】半導体製造装置２０は例えば装置本体と、
この装置本体に取り付けられ又は／及び当該装置本体に
接続された装置部品とを備え、この装置本体又は／及び
装置部品にはケミカルコンタミ非発散性の材料が使用さ
れる。このケミカルコンタミ非発散性の材料には、ポリ
オレフィン系、テフロン（Ｒ）系、ポリエチレンテレフ
タレート系又は／及びポリカーボネート系の素材から成
るものが使用される（第１の半導体製造装置）。

【００３２】この半導体製造装置２０は例えば、図示し
ない筐体、被覆電線、シール材、樹脂製パネル、樹脂製
シート、バンドヒータ、塗料、空調用フィルタ、断熱
材、接着剤、プリント基板、プリント基板用レジスト、
接着テープ、配管のうち少なくとも一つ又はこれらを組
み合わせた本体装置又は／及び装置部品を有している。

【００３３】この例では、この本体装置又は／及び装置
部品を構成する、筐体、被覆電線、シール材、樹脂製パ
ネル、樹脂製シート、バンドヒータ、塗料、空調用フィ
ルタ、断熱材、接着剤、プリント基板、プリント基板用
レジスト、接着テープ、配管のうち少なくとも一つ又は
これらの全部に、ケミカルコンタミ非発散性の材料を使
用したものである。当該クリーンルーム１内へのケミカ
ルコンタミの発散を無くすようにするためである。

【００３４】半導体製造装置２０は露光装置、塗布装
置、現像装置、洗浄装置、測定装置、化学気相成長装
置、プラズマ製膜装置、拡散炉装置、エッチング装置、
メッキ装置、ラッピング装置、アッシング装置、イオン
注入装置、化学機械的研磨装置、搬送装置、保管装置の
うち少なくとも一つを構成するものである。

【００３５】このシステム１００で上述した半導体製造
装置２０に例えば、被覆電線が使用される場合であっ
て、この被覆電線にはポリオレフィン系又は／及びテフ
ロン（Ｒ）系の材料で被覆した電線が使用されている。
この半導体製造装置２０では従来方式の塩化ビニール被
覆の電線の代わりに、可塑剤等を含んでしないポリオレ
フィン系材料やテフロン（Ｒ）系材料で被覆した電線を
使用することにより、当該クリーンルーム１内へのケミ
カルコンタミの発散を無くすようになされる。また、半
導体製造装置２０にフィルタが使用される場合であっ
て、このフィルタには低ホウ素使用量の濾材及び濾材を
シールするために低有機物発散性のシール材が使用され
る。

【００３６】更に、半導体製造装置２０に透明樹脂製パ
ネルが使用される場合であって、有機物発散の多い透明
塩化ビニール板の代わりに、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）板あるいはポリカーボネート（ＰＣ）板が
使用される。その際の板材のシールには一般のシール剤
の代わりに、シロキサンの揮散を低減した低シロキサン
揮散性のシール剤が使用される。

【００３７】いずれも、当該クリーンルーム１内へのケ
ミカルコンタミの発散を無くすためである。これらは一
例であり、これ以外にも、ケミカルコンタミ発散性の材
料を発散が少ない、又は全く発散しない非発散性の材料
に置き換えることによって、半導体製造装置２０からの
ケミカルコンタミ発散を低減することができる。

【００３８】更にまた、半導体製造装置２０にファンや
ステージ等を駆動するための駆動部が使用される場合で
あって、この駆動部には密閉型のモータが使用され、該
モータは充分にエージングした後に使用される。当該ク
リーンルーム１内へのケミカルコンタミの発散を無くす
ためである。

【００３９】なお、クリーンルーム自体をケミカルコン
タミ非発散性の材料を使用して建築するようにしてもよ
い。例えば、床材１４、床構造部材１５、天井１６及び
壁１０Ａ、１０Ｂの表面の材料又は塗装材料にはケミカ
ルコンタミ非発散性の材料を使用する。このケミカルコ
ンタミ非発散性の材料は塗料材料の他に、クリーンルー
ム１への照明配線、仕切用の樹脂製パネル、パネル間の
シール材、樹脂製シート、空調用フィルタ、断熱材、接
着剤、接着テープ、配管にもケミカルコンタミ非発散性
の材料が使用される。例えば、ファンフィルタユニット
１３に内蔵されるＵＬＰＡフィルタには低ホウ素含有性
の濾材を使用したフィルタが使用され、そのシール材に
は有機物発散の少ない材料を使用したものが適用され
る。こうした構成を採ることで、ケミカルコンタミに配
慮しない材料で作ったクリーンルームよりも、新築クリ
ーンルームの気中のケミカルコンタミを大幅に低減する
ことができる。

【００４０】このように、本発明に係る第１の実施形態
としての半導体製造システム１００によれば、半導体製
造装置２０の構成材料をケミカルコンタミ発散性の材料
からケミカルコンタミ非発散性の材料に置き換えること
で、半導体製造装置２０からクリーンルーム１へのケミ
カルコンタミの発散を無くすことができる。

【００４１】従って、クリーンルーム１内を清浄純粋な
雰囲気の状態に維持することができる。ケミカルコンタ
ミ発散性の材料を使用した半導体製造装置２０を使用し
て半導体装置を製造する場合に比べて、ケミカルコンタ
ミ汚染に起因する不良発生、品質低下、信頼性低下及
び、製造ラインの稼働率低下を少なくすることができ
る。

【００４２】この半導体製造システム１００によって製
造される半導体装置によれば、例えば半導体基板と、こ
の半導体基板上に形成された電子回路素子とを備え、ケ
ミカルコンタミ非発散性の材料を使用して製造された半
導体製造装置２０により半導体基板及び／又は電子回路
素子を製造されて成るものである。この半導体製造装置
２０で液晶表示装置を製造する場合は、上述の電子回路
素子は液晶表示素子が対象となる。

【００４３】このようなシステム１００で製造された半
導体装置によれば、ケミカルコンタミ発散性の材料を使
用した半導体製造装置２０を使用して半導体装置を製造
する場合に比べて、ケミカルコンタミに依存されない高
品質かつ高信頼度の半導体装置を歩留まり良く提供する
ことができる。

【００４４】また、新たにクリーンルーム１を建築する
場合、例えばケミカルフィルタなどを使用して空気を清
浄化する空気清浄化機構にかかる初期投資を低減するこ
とができ、従来方式の空気清浄化機構のランニングコス
トに比べて、本発明では、半導体製造装置２０の構成部
材の一部を変更する、好ましくはクリーンルーム１の建
築部材を変更する等のわずかな投資増加で済むようにな
る。

【００４５】この実施形態ではケミカルコンタミ非発散
性の材料に関して、ポリオレフィン系、テフロン（Ｒ）
系、ポリエチレンテレフタレート系又は／及びポリカー
ボネート系の素材について説明したが、これに限られる
ことはなく、ケミカルコンタミ非発散性の材料に関して
はガスクロマトグラフなどの分析によって新たな材料を
見いだすことができる。

【００４６】（２）第２の実施形態 図２は本発明に係る第２の実施形態としての半導体製造
システム２００の構成例を示すクリーンルームの模式図
である。この実施形態では図２に示すベイ方式のクリー
ンルーム２においてケミカルコンタミ非発散性の材料を
使用した半導体製造装置２０が配置されるものである。
なお、第１の実施形態と同じ符号及び同じ名称のものは
同じ機能を有するためその説明を省略する。

【００４７】図２に示すクリーンルーム２には作業域を
区切るパーテション２４が設けられている。この作業域
の天井には作業域天井チャンバ２１が設けられており、
天井プレナムチャンバ１１内にはダクト８Ｃが配置され
ている。このパーテション２４により区切られた作業域
は作業通路１０Ａ及びメンテナンスエリア２３である。

【００４８】このシステム２００で空調機１７及び外調
機１８に取り付けられたダクト８Ｂは第１の実施形態と
異なり、ダクト８Ｃと天井プレナムチャンバ１１とに分
岐されている。ダクト８Ｂの一方はケミカルフィルタ２
２を通してダクト８Ｃに接続されており、その他方は天
井プレナムチャンバ１１に接続されている。

【００４９】外調機１８で清浄化された空気は空調機１
７によって天井プレナムチャンバ１１に送り込まれ、フ
ァンフィルタユニット１３によってメンテナンスエリア
２３に吹き出され、床１４の通気用の開口部１４Ａを通
って床下リターンエリア１２に吸引される。

【００５０】メンテナンスエリア２３の空気は空調機１
７によってダクト８Ｂ→天井プレナムチャンバ１１→フ
ァンフィルタユニット１３→メンテナンスエリア内→開
口部１４Ａ→床下リターンエリア１２→ダクト８Ａ，８
Ｂを循環するようになされる。

【００５１】このメンテナンスエリア２３には半導体製
造装置２０が配置されており、その正面に操作部が設け
られている。この操作面が見えている領域、すなわち主
に作業者９が通行する通路部１０Ｃには、空調機１７に
よってダクト８Ｂ→ケミカルフィルタ２２→ダクト８Ｃ
→作業域天井チャンバ２１→作業通路内→開口部１４Ａ
→床下リターンエリア１２→ダクト８Ａ，８Ｂを循環す
るようになされる。清浄化空気は外部からメンテナンス
エリア２３、作業通路１０Ｃ等へ補充される。ここまで
の建築構造は従来のベイ方式のクリーンルームと同じ構
成を採ることができる。

【００５２】この半導体製造システム２００では、メン
テナンスエリア２３及び作業通路１０Ｃ等を構成するク
リーンルーム２内に、ケミカルコンタミ非発散性の材料
を使用した半導体製造装置２０が設置されており、この
製造装置２０も第１の実施形態と同様にして半導体装置
を製造するために本体装置又は／及び装置部品から構成
されている。

【００５３】半導体製造装置２０を構成する装置本体又
は／及び装置部品にはケミカルコンタミ非発散性の材料
が使用される。このケミカルコンタミ非発散性の材料に
は第１の実施形態と同様にしてポリオレフィン系、テフ
ロン（Ｒ）系、ポリエチレンテレフタレート系又は／及
びポリカーボネート系の素材から成るものが使用され
る。

【００５４】この半導体製造装置２０は例えば、図示し
ない筐体、被覆電線、シール材、樹脂製パネル、樹脂製
シート、バンドヒータ、塗料、空調用フィルタ、断熱
材、接着剤、プリント基板、プリント基板用レジスト、
接着テープ、配管のうち少なくとも一つ又はこれらを組
み合わせた本体装置又は／及び装置部品を有している。

【００５５】この例でも、本体装置又は／及び装置部品
を構成する筐体、被覆電線、シール材、樹脂製パネル、
樹脂製シート、バンドヒータ、塗料、空調用フィルタ、
断熱材、接着剤、プリント基板、プリント基板用レジス
ト、接着テープ、配管のうち少なくとも一つ又はこれら
の全部に、ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した
ものである。当該メンテナンスエリア２３や作業通路１
０Ｃ等へのケミカルコンタミの発散を無くすようにする
ためである。

【００５６】半導体製造装置２０は第１の実施形態と同
様にして、露光装置、塗布装置、現像装置、洗浄装置、
測定装置、化学気相成長装置、プラズマ製膜装置、拡散
炉装置、エッチング装置、メッキ装置、ラッピング装
置、アッシング装置、イオン注入装置、化学機械的研磨
装置、搬送装置、保管装置のうち少なくとも一つを構成
するものである。

【００５７】このシステム２００で上述した半導体製造
装置２０に例えば、被覆電線が使用される場合であっ
て、この被覆電線にはポリオレフィン系又は／及びテフ
ロン（Ｒ）系の材料で被覆した電線が使用されている。
また、半導体製造装置２０にフィルタが使用される場合
であって、このフィルタには低ホウ素使用量の濾材及び
濾材をシールするために低有機物発散性のシール材が使
用される。

【００５８】更に、半導体製造装置２０に透明樹脂製パ
ネルが使用される場合であって、有機物発散の多い透明
塩化ビニール板の代わりに、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）板あるいはポリカーボネート（ＰＣ）板が
使用される。その際の板材のシールには一般のシール剤
の代わりに、シロキサンの揮散を低減した低シロキサン
揮散性のシール剤が使用される。

【００５９】いずれも、当該クリーンルーム２内へのケ
ミカルコンタミの発散を無くすためである。これらは一
例であり、これ以外にも、ケミカルコンタミの発散があ
る材料を発散が少ないまたは全く発散しない非発散性の
材料に置き換えることによって、半導体製造装置２０か
らのケミカルコンタミ発散を低減することができる。

【００６０】更にまた、半導体製造装置２０にファンや
ステージ等を駆動するための駆動部が使用される場合で
あって、この駆動部には密閉型のモータが使用され、該
モータは充分にエージングした後に使用される。当該ク
リーンルーム１内へのケミカルコンタミの発散を無くす
ためである。

【００６１】なお、クリーンルーム自体をケミカルコン
タミ非発散性の材料を使用して建築するようにしてもよ
い。例えば、床材１４、床構造部材１５、天井１６及び
壁１０Ａ、１０Ｂの表面の材料又は塗装材料にはケミカ
ルコンタミ非発散性の材料を使用する。

【００６２】この床材１４、床構造部材１５、天井１６
及び壁１０Ａ、１０Ｂの他に、ダクト８Ｃやパーテーシ
ョン２４等もケミカルコンタミ非発散性の材料を使用す
る。もちろん、メンテナンスエリア２３や作業通路１０
Ｃへの照明配線、仕切用の樹脂製パネル、パネル間のシ
ール材、樹脂製シート、空調用フィルタ、断熱材、接着
剤、接着テープ、配管にもケミカルコンタミ非発散性の
材料が使用される。こうした構成を採ることで、ケミカ
ルコンタミに配慮しない材料で作ったクリーンルームよ
りも、新築クリーンルームの気中のケミカルコンタミを
大幅に低減することができる。

【００６３】このように、本発明に係る第２の実施形態
としての半導体製造システム２００によれば、ケミカル
フィルタ２２を通すなどしてケミカルコンタミを低減し
た空気を送り込むベイ方式のクリーンルーム２におい
て、半導体製造装置２０の構成材料をケミカルコンタミ
発散性の材料からケミカルコンタミ非発散性の材料に置
き換えることで、半導体製造装置２０からメンテナンス
エリア２３や作業通路１０Ｃ等へのケミカルコンタミの
発散を無くすことができる。

【００６４】従って、メンテナンスエリア２３及び作業
通路１０Ｃを清浄純粋な雰囲気の状態に維持することが
できる。ケミカルコンタミ発散性の材料を使用した半導
体製造装置２０を使用して半導体装置を製造する場合に
比べて、ケミカルコンタミ汚染に起因する不良発生、品
質低下、信頼性低下及び、製造ラインの稼働率低下を少
なくすることができる。

【００６５】また、新たにクリーンルーム２を建築する
場合、ケミカルフィルタ２２などを使用して空気を清浄
化する空気清浄化機構にかかる初期投資を低減すること
ができ、従来方式の空気清浄化機構のランニングコスト
に比べて、第２の実施形態では、半導体製造装置２０の
構成部材の一部を変更する、好ましくはクリーンルーム
２の建築部材を変更する等のわずかな投資増加で済むよ
うになる。

【００６６】この実施形態ではケミカルコンタミ非発散
性の材料に関して、ポリオレフィン系、テフロン（Ｒ）
系、ポリエチレンテレフタレート系又は／及びポリカー
ボネート系の素材について説明したが、これに限られる
ことはなく、ケミカルコンタミ非発散性の材料に関して
はガスクロマトグラフなどの分析によって見い出された
全て新たな材料を含む。

【００６７】［第１の実施例］図３は本発明に係る第１
の実施例としての半導体製造装置２０１の構成例を示す
模式図である。この実施形態では上述したクリーンルー
ム１やクリーンルーム２等に設置される半導体製造装置
２０の一例となるＳＭＩＦ（Ｓtandard Ｍechanical
Ｉnterface）方式の半導体製造装置２０１にケミカルコ
ンタミ非発散性の材料を使用したものである。

【００６８】図３に示す半導体製造装置２０１は例え
ば、化学気相成長装置を構成するものであり、装置本体
となる所定形状の筐体３００を有している。筐体３００
の中央部から右側にかけては加工エリア３３となってい
る。加工エリア３３の下方には装置部品を構成する制御
ユニット３７Ａ，３７Ｂが設けられている。

【００６９】この制御ユニット３７Ａには被覆電線３８
が接続されており、制御ユニット３７Ａ及び３７Ｂ間に
も被覆電線３８が接続されており、電源等を供給するよ
うになされる。被覆電線３８にはポリオレフィン系又は
／及びテフロン（Ｒ）系の材料で被覆した電線が使用さ
れている。筐体３００の前面には透明樹脂製パネル３９
が取り付けられ、内部の様子が観察できるようになされ
ている。透明樹脂製パネル３９にはポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）板あるいはポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）板が使用される。その際の板材のシールにはシロキ
サンの揮散を低減した低シロキサン揮散性のシール剤が
使用される。

【００７０】筐体３００の左側にはＳＭＩＦ方式のイン
ターフェース３０を備えられ、ウエハカセット３１を出
し入れするようになされる。ウエハカセット３１には複
数の半導体ウエハ３０Ａがセットされる。このインター
フェース３０と加工エリア３３との間はウエハ搬送路３
０１となっており、ウエハカセット３１が搬送される。
例えば、装置内を矢印３２のように移動し、加工エリア
３３に導かれる。ウエハカセット３１にはケミカルコン
タミ非発散性の材料が使用される。

【００７１】この半導体ウエハ密閉容器は装置間の移動
中および保管中には一定の気密を保てるものであり、半
導体製造装置側にある専用の取り付け口を介して、ＳＭ
ＩＦにおいてはカセット、半導体ウエハ密閉容器（ＦＯ
ＵＰ；Ｆront Ｏpening Ｕnified Ｐod）においては
ウエハのみが取り込まれる。半導体ウエハ３０Ａを加工
エリア３３に送り込む、あるいは、半導体製造装置２０
１から取り出すにあたっては、半導体密閉容器と専用の
取り付け口とは一定の気密を保つようになされる。

【００７２】このウエハ搬送路３０１の天井部にはケミ
カルフィルタ３５及びファンが取り付けられ、ウエハカ
セット３１又はウエハカセットから取り出されたウエハ
が搬送される過程で、半導体ウエハが露出する部分に、
このファン３４から送られた空気をケミカルフィルタ３
５を通して供給するようになされる。これは露出した半
導体ウエハ３０Ａがケミカルコンタミの汚染を受けない
よう配慮したためである。このケミカルフィルタ３５に
は低ホウ素使用量の濾材及び濾材をシールするために低
有機物発散性のシール材が使用される。

【００７３】このように、本発明に係る第１の実施例と
しての半導体製造装置２０１によれば、ケミカルコンタ
ミ非発散性の材料を使用した化学気相成長装置等が配置
されるので、筐体３００内でのケミカルコンタミの発散
を無くすことができる。

【００７４】従って、クリーンルーム内を清浄純粋な雰
囲気の状態に維持することができ、ケミカルコンタミ発
散性の材料を使用した化学気相成長装置等を使用して半
導体装置を製造する場合に比べて、ケミカルコンタミ汚
染に起因する不良発生、品質低下、信頼性低下及び、製
造ラインの稼働率低下を少なくすることができる。

【００７５】［第２の実施例］図４は本発明に係る第２
の実施例としての半導体製造装置２０２の構成例を示す
模式図である。この実施例では上述したクリーンルーム
１やクリーンルーム２等に設置される半導体製造装置２
０の一例となる露光装置２０２にケミカルコンタミ非発
散性の材料を使用したものである。

【００７６】図４に示す露光装置２０２は所定形状の筐
体６０を有している。筐体６０の中央部は露光エリア４
０であり、この露光エリア４０には光学ユニット４５が
設けられ、半導体ウエハ３０Ａにトランジスタ回路や配
線パターン等を露光するようになされる。光学ユニット
４５の下方にはウエハ載置台５３が設けられている。こ
の筐体６０の右側には空調機４８が設けられ、その内部
にはファン４１が取り付けられている。

【００７７】露光エリア４０の天井部には露光域天井チ
ャンバ４９が設けられており、露光域天井チャンバ４９
にはＵＬＰＡフィルタ４３が取り付けられている。空調
機４８の上部と露光域天井チャンバ４９との間にはケミ
カルフィルタ４２が取り付けられ、循環空気を清浄化す
るようになされる。このケミカルフィルタ４２及びＵＬ
ＰＡフィルタ４３には低ホウ素使用量の濾材及び濾材を
シールするために低有機物発散性のシール材が使用され
る。ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した。

【００７８】空調機４８の下部にはガラリ５４が設けら
れ、露光エリア４０から空調機４８内へ空気を取り込む
ようになされる。ガラリ５４にはケミカルコンタミ非発
散性の材料をルーバー状に加工したものが使用される。
上述の空調機４８の背面には制御ユニット４６が設けら
れている。この制御ユニット４６には被覆電線４７が接
続されており、電源等を供給するようになされる。被覆
電線４７にはポリオレフィン系又は／及びテフロン
（Ｒ）系の材料で被覆した電線が使用されている。

【００７９】この露光装置２０２では光学ユニット４５
によって半導体ウエハ３０Ａを露光する過程で、空調機
４８のファン４１から送られてくる空気をケミカルフィ
ルタ４２及びＵＬＰＡフィルタ４３を通して露光エリア
４０に送り循環させている。これは光学ユニット４５へ
のケミカルコンタミ汚染を防ぐためである。

【００８０】このように、本発明に係る第２の実施例と
しての露光装置２０２によれば、筐体６０やガラリ５４
等をケミカルコンタミ非発散性の材料を使用して構成さ
れるので、空調機４８で空気を循環させる場合に、筐体
６０内でのケミカルコンタミの発散を無くすことができ
る。

【００８１】従って、クリーンルーム内を清浄純粋な雰
囲気の状態に維持することができ、ケミカルコンタミ発
散性の材料を使用した露光装置を使用して半導体ウエハ
３０Ａを露光する場合に比べて、ケミカルコンタミ汚染
に起因する不良発生、品質低下、信頼性低下及び、製造
ラインの稼働率低下を少なくすることができる。 ［第３の実施例］図５は本発明に係る第３の実施例とし
ての半導体製造装置２０３の構成例を示す模式図であ
る。この実施例では第３の半導体製造システムを構成す
るに当たり、ケミカルコンタミを発散する恐れのある構
成部材を包囲体により囲み、この包囲体に排気口を備
え、この排気口に適当な排気手段を接続してその囲い内
部の空気を当該製造装置外に排出できるにしたものであ
る。つまり、この第３の半導体製造システムではクリー
ンルーム内で半導体製造装置２０３を使用して半導体装
置を製造する方法であって、半導体製造装置２０３の一
部あるいは全部を包囲体で覆う工程と、この包囲体内の
ケミカルコンタミをクリーンルーム外へ排気する工程と
を有する（第２の半導体製造方法）。

【００８２】図５に示す半導体製造装置２０３は第１の
実施例で説明したような化学気相成長装置であり、この
装置本体には制御ユニット３７Ａ，３７Ｂが取り付けら
れる。この制御ユニット３７Ａ，３７Ｂには、包囲体の
一例となる密閉パネルケース５０でその全部を覆うよう
に設けられ、この密閉パネルケース５０にはダクト５１
やそのダクト５１の先には排気手段５２が取り付けられ
る。この密閉パネルケース５０には例えばクリーンルー
ム外に至るダクト５１が接続され、このダクト５１の途
中又は終端にファン等の排気手段５２が取り付けられ、
制御ユニット３７Ａ及び３７Ｂ内のケミカルコンタミを
クリーンルーム外に排気するようになされる。

【００８３】この例でケミカルコンタミはイオン成分、
有機物及び無機物のうち少なくとも一つを含むものであ
る。このイオン成分はＦ^-基、Ｃｌ^-基、ＮＯ３^-基、Ｓ
Ｏ４^{2 -}基、ＰＯ４^3-基、ＮＨ４⁺基のうち少なくとも一
つを含み、有機物はフタル酸ジブチル（ＤＢＰ）、フタ
ル酸ジオクチル（ＤＯＰ）、フタル酸ジエチル（ＤＥ
Ｐ）、シロキサン、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨ
Ｔ）、アジピン酸エステル、リン酸エステル、有機アミ
ンのうち少なくとも一つを含み、無機物はリン（Ｐ）、
ホウ素（Ｂ）のうち少なくとも一つを含むものである。

【００８４】この密閉パネルケース（排気を引く箇所）
５０は制御ユニット３７Ａ，３７Ｂのように半導体製造
装置２０３の一部分である必要はなく、半導体製造装置
全体を囲って内部全体を排気することでも良い。また、
排気は装置構成部材から発散するケミカルコンタミをク
リーンルーム気中に出さないことを目的としたものであ
る。このことで排気先は必ずしもクリーンルーム外であ
る必要はなく、その排気を適当なケミカルフィルタに通
すなどして、ケミカルコンタミを除去する処理を施して
クリーンルーム気中に戻すようにしても構わない。

【００８５】このように、本発明に係る第３の実施例と
しての半導体製造装置２０３によれば、本体装置の一部
あるいは制御ユニット３７Ａ，３７Ｂの全部にケミカル
コンタミ発散性の材料をやむを得ず使用した場合でも、
本体装置の一部あるいは制御ユニット３７Ａ，３７Ｂの
全部を覆うように密閉パネルケース５０が取り付けられ
るので、密閉パネルケース５０内のケミカルコンタミを
排気手段５２によってクリーンルーム外又はクリーンル
ーム内のフィルタ設置個所へ排気することができる。従
って、クリーンルーム内を清浄純粋な雰囲気の状態に維
持することができる。

【００８６】これにより、当該半導体製造装置２０３か
らクリーンルーム気中に発散するケミカルコンタミを低
減し、ケミカルコンタミに起因する不良発生、品質低
下、信頼性低下、製造ラインの稼働率低下を少なくする
ことができる。しかも、半導体装置の製造コストを低減
できる。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造システムによれば、ケミカルコンタミ非発散性の
材料を使用した半導体製造装置が当該クリーンルーム内
に設置されるものである。この構成によって、半導体製
造装置からクリーンルームへのケミカルコンタミの発散
を無くすことができるので、クリーンルーム内を清浄純
粋な雰囲気の状態に維持することができる。従って、ケ
ミカルコンタミ発散性の材料を使用した半導体製造装置
を使用して半導体装置を製造する場合に比べて、ケミカ
ルコンタミ汚染に起因する不良発生、品質低下、信頼性
低下及び、製造ラインの稼働率低下を少なくすることが
できる。

【００８８】本発明に係る第１の半導体製造装置によれ
ば、装置本体に取り付けられ又は／及び当該装置本体に
接続された装置部品にはケミカルコンタミ非発散性の材
料を使用するようになされる。この構成によって、当該
装置からクリーンルーム等へのケミカルコンタミの発散
を無くすことができるので、クリーンルーム内を清浄純
粋な雰囲気の状態に維持することができる。従って、ケ
ミカルコンタミ汚染に起因する不良発生、品質低下、信
頼性低下及び、製造ラインの稼働率低下を少なくするこ
とができる。

【００８９】本発明に係る第２の半導体製造装置によれ
ば、本体装置又は／及び装置部品の一部あるいは全部を
覆う包囲体内を排気する排気手段を備えるものである。
この構成によって、本体装置又は／及び装置部品の一部
あるいは全部にケミカルコンタミ発散性の材料をやむえ
ず使用した場合でも、排気手段によってケミカルコンタ
ミをクリーンルーム外へ排気することができるので、ク
リーンルーム内を清浄純粋な雰囲気の状態に維持するこ
とができる。

【００９０】本発明に係る第１の半導体製造方法によれ
ば、予めケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した半
導体製造装置を製造し、その後、この半導体製造装置を
クリーンルーム内に設置し、このクリーンルーム内でこ
の半導体製造装置を使用して半導体装置を製造するよう
になされる。この構成によって、清浄純粋な雰囲気の状
態に維持されたクリーンルームで半導体装置を製造する
ことができる。従って、クリーンルーム内でケミカルコ
ンタミ発散性の材料を使用した半導体製造装置を使用し
て半導体装置を製造する場合に比べて、ケミカルコンタ
ミに影響されない高品質かつ高信頼度の半導体装置を製
造することができる。

【００９１】本発明に係る第２の半導体製造方法によれ
ば、クリーンルーム内で半導体製造装置を使用して半導
体装置を製造する場合に、この半導体製造装置の一部あ
るいは全部を包囲体で覆った後に、この包囲体内のケミ
カルコンタミをクリーンルーム外へ排気するようになさ
れる。この構成によって、半導体製造装置の一部あるい
は全部にケミカルコンタミ発散性の材料が使用された場
合でも、クリーンルーム内を清浄純粋な雰囲気の状態に
維持することができる。

【００９２】本発明に係る半導体装置によれば、ケミカ
ルコンタミ非発散性の材料を使用して製造された半導体
製造装置により半導体基板及び／又は電子回路素子が製
造されて成るものである。この構成によって、ケミカル
コンタミ発散性の材料を使用した半導体製造装置を使用
して半導体装置を製造する場合に比べて、ケミカルコン
タミに依存されない高品質かつ高信頼度の半導体装置を
提供することができる。

【００９３】この発明はクリーンルーム内での液晶表示
装置や、半導体集積回路装置等の製造に適用して極めて
好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施形態としての半導体製
造システム１００の構成例を示す模式図である。

【図２】本発明に係る第２の実施形態としての半導体製
造システム２００の構成例を示すクリーンルームの模式
図である。

【図３】本発明に係る第１の実施例としての半導体製造
装置２０１の構成例を示す模式図である。

【図４】本発明に係る第２の実施例としての半導体製造
装置２０２の構成例を示す模式図である。

【図５】本発明に係る第３の実施例としての半導体製造
装置２０３の構成例を示す模式図である。

【符号の説明】 １，２・・・クリーンルーム、１７，４８・・・空調
機、３７Ａ，３７Ｂ，４６・・・制御ユニット、３８，
４７・・・被覆電線、５０・・・密閉パネルケース（包
囲体）、４２・・・ケミカルフィルタ、４３・・・ＵＬ
ＰＡフィルタ、１００，２００・・・半導体製造システ
ム、２０，２０１〜２０３・・・半導体製造装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 郡山 広久 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3L058 BF01 BG03

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置を製造するためのクリーンル
   ームと、 ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した半導体製造
   装置とを備え、 前記半導体製造装置は当該クリーンルーム内に設置され
   ることを特徴とする半導体製造システム。
2. 【請求項２】 前記クリーンルームはケミカルコンタミ
   非発散性の材料を使用して建築されて成ることを特徴す
   る請求項１に記載の半導体製造システム。
3. 【請求項３】 前記半導体製造装置は筐体、被覆電線、
   シール材、樹脂製パネル、樹脂製シート、バンドヒー
   タ、塗料、空調用フィルタ、断熱材、接着剤、プリント
   基板、プリント基板用レジスト、接着テープ、配管のう
   ち少なくとも一つ又はこれらを組み合わせた本体装置又
   は／及び装置部品を有していることを特徴する請求項１
   に記載の半導体製造システム。
4. 【請求項４】 前記半導体製造装置の一部あるいは全部
   を覆う包囲体と、 前記包囲体内を排気する排気手段とを備えることを特徴
   とする請求項１に記載の半導体製造システム。
5. 【請求項５】 前記半導体製造装置は、 露光装置、塗布装置、現像装置、洗浄装置、測定装置、
   化学気相成長装置、プラズマ製膜装置、拡散炉装置、エ
   ッチング装置、メッキ装置、ラッピング装置、アッシン
   グ装置、イオン注入装置、ＣＭＰ装置、搬送装置、保管
   装置のうち少なくとも一つを構成することを特徴とする
   請求項１に記載の半導体製造システム。
6. 【請求項６】 半導体装置を製造する装置であって、 装置本体と、 前記装置本体に取り付けられ又は／及び当該装置本体に
   接続された装置部品とを備え、 前記装置本体又は／及び装置部品にはケミカルコンタミ
   非発散性の材料を使用することを特徴とする半導体製造
   装置。
7. 【請求項７】 前記装置本体又は／及び装置部品は、 前記ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用した、筐
   体、被覆電線、シール材、樹脂製パネル、樹脂製シー
   ト、バンドヒータ、塗料、空調用フィルタ、断熱材、接
   着剤、プリント基板、プリント基板用レジスト、接着テ
   ープ、配管のうち少なくとも一つ又はこれらを有してい
   ることを特徴する請求項６に記載の半導体製造装置。
8. 【請求項８】 前記ケミカルコンタミ非発散性の材料に
   は、ポリオレフィン系、テフロン（Ｒ）系、ポリエチレ
   ンテレフタレート系又は／及びポリカーボネート系の素
   材を使用することを特徴とする請求項６に記載の半導体
   製造装置。
9. 【請求項９】 前記本体装置又は／及び装置部品に被覆
   電線が使用され、 前記被覆電線にはポリオレフィン系又は／及びテフロン
   （Ｒ）系の材料で被覆した電線を使用することを特徴と
   する請求項６に記載の半導体製造装置。
10. 【請求項１０】 前記本体装置又は／及び装置部品にフ
    ィルタが使用され、 前記フィルタには低ホウ素使用量の濾材及び前記濾材を
    シールするために低有機物発散性のシール材が使用され
    ることを特徴とする請求項６に記載の半導体製造装置。
11. 【請求項１１】 前記本体装置又は／及び装置部品に透
    明樹脂製パネルが使用され、 前記透明樹脂製パネルには、ポリエチレンテレフタレー
    ト系あるいはポリカーボネート系の板材が使用されるこ
    とを特徴とする請求項６に記載の半導体製造装置。
12. 【請求項１２】 前記板材のシールには低シロキサン揮
    散性のシール剤を使用することを特徴とする請求項１１
    に記載の半導体製造装置。
13. 【請求項１３】 前記本体装置又は／及び装置部品に駆
    動部が使用され、 前記駆動部には密閉型のモータが使用され、該モータは
    充分にエージングした後に使用されることを特徴とする
    請求項６に記載の半導体製造装置。
14. 【請求項１４】 前記本体装置又は／及び装置部品の一
    部あるいは全部を覆う包囲体と、 前記包囲体内を排気する排気手段とを備えることを特徴
    とする請求項６に記載の半導体製造装置。
15. 【請求項１５】 半導体装置を製造する装置であって、 装置本体と、 前記装置本体に取り付けられ又は／及び当該装置本体に
    接続された装置部品と、 前記本体装置又は／及び装置部品の一部あるいは全部を
    覆う包囲体と、 前記包囲体内を排気する排気手段とを備えることを特徴
    とする半導体製造装置。
16. 【請求項１６】 前記本体装置又は／及び装置部品は、 露光装置、塗布装置、現像装置、洗浄装置、測定装置、
    化学気相成長装置、物理気相成長装置、拡散炉装置、エ
    ッチング装置、メッキ装置、ラッピング装置、アッシン
    グ装置、イオン注入装置、化学機械的研磨装置、搬送装
    置、保管装置のうち少なくとも一つを構成することを特
    徴とする請求項１５に記載の半導体製造装置。
17. 【請求項１７】 予めケミカルコンタミ非発散性の材料
    を使用した半導体製造装置を製造する工程と、 前記半導体製造装置をクリーンルーム内に設置する工程
    と、 前記クリーンルーム内で前記半導体製造装置を使用して
    半導体装置を製造することを特徴とする半導体製造方
    法。
18. 【請求項１８】 前記クリーンルームをケミカルコンタ
    ミ非発散性の材料を使用して建築することを特徴する請
    求項１７に記載の半導体製造方法。
19. 【請求項１９】 前記ケミカルコンタミ非発散性の材料
    には、ポリオレフィン系、テフロン（Ｒ）系、ポリエチ
    レンテレフタレート系又は／及びポリカーボネート系の
    素材を使用することを特徴とする請求項１７に記載の半
    導体製造方法。
20. 【請求項２０】 前記半導体製造装置の一部あるいは全
    部を包囲体で覆う工程と、 前記包囲体内を排気する行程とを含むことを特徴とする
    請求項１７に記載の半導体製造方法。
21. 【請求項２１】 前記半導体製造装置は、 露光装置、塗布装置、現像装置、洗浄装置、測定装置、
    化学気相成長装置、物理気相成長装置、拡散炉装置、エ
    ッチング装置、メッキ装置、ラッピング装置、アッシン
    グ装置、イオン注入装置、化学機械的研磨装置、搬送装
    置、保管装置のうち少なくとも一つを構成することを特
    徴とする請求項１７に記載の半導体製造方法。
22. 【請求項２２】 クリーンルーム内で半導体製造装置を
    使用して半導体装置を製造する方法であって、 前記半導体製造装置の一部あるいは全部を包囲体で覆う
    工程と、 前記包囲体内のケミカルコンタミをクリーンルーム外へ
    排気する工程とを有することを特徴とする半導体製造方
    法。
23. 【請求項２３】 前記ケミカルコンタミは、 イオン成分、有機物及び無機物のうち少なくとも一つを
    含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体製造方
    法。
24. 【請求項２４】 前記イオン成分は、 Ｆ^-基、Ｃｌ^-基、ＮＯ３^-基、ＳＯ４^2-基、ＰＯ４
    ^3-基、ＮＨ４⁺基のうち少なくとも一つを含み、 前記有機物は、 フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジエ
    チル、シロキサン、ジブチルヒドロキシトルエン、アジ
    ピン酸エステル、リン酸エステル、有機アミンのうち少
    なくとも一つを含み、 前記無機物は、 リン、ホウ素のうち少なくとも一つを含むことを特徴と
    する請求項２３に記載の半導体製造方法。
25. 【請求項２５】 前記半導体製造装置は、 露光装置、塗布装置、現像装置、洗浄装置、測定装置、
    化学気相成長装置、物理気相成長装置、拡散炉装置、エ
    ッチング装置、メッキ装置、ラッピング装置、アッシン
    グ装置、イオン注入装置、化学機械的研磨装置、搬送装
    置、保管装置のうち少なくとも一つを構成することを特
    徴とする請求項２２に記載の半導体製造方法。
26. 【請求項２６】 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された電子回路素子とを備え、 ケミカルコンタミ非発散性の材料を使用して製造された
    半導体製造装置により前記半導体基板及び／又は電子回
    路素子が製造されて成ることを特徴とする半導体装置。
27. 【請求項２７】 前記半導体製造装置をクリーンルーム
    内に設置し、 前記クリーンルーム内で前記半導体製造装置を使用して
    前記半導体基板及び／又は電子回路素子が製造されたこ
    とを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置。
28. 【請求項２８】 前記半導体製造装置が液晶表示装置を
    製造する装置であって、 前記電子回路素子は液晶表示素子であることを特徴とす
    る請求項２６に記載の半導体装置。