JPH10154655A - 密閉構造の露光装置 - Google Patents
密閉構造の露光装置Info
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- JPH10154655A JPH10154655A JP8329184A JP32918496A JPH10154655A JP H10154655 A JPH10154655 A JP H10154655A JP 8329184 A JP8329184 A JP 8329184A JP 32918496 A JP32918496 A JP 32918496A JP H10154655 A JPH10154655 A JP H10154655A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置内に外部の有害な成分を含む気体の
侵入を防止でき、光学系に曇りや照度ムラが発生しない
ようにする。 【解決手段】 密閉構造の筐体１により構成されたチャ
ンバー１ａ内に露光ユニット４が配設されている。フィ
ルタ２で仕切られた天井空間部２ａには、図示しない温
調手段を備えた気体補充機７の吐出側が連通されてお
り、該気体補充機７により、図示しない気体供給源から
供給ダクト８を介して供給される所定の圧力に加圧され
た酸化作用を持たない気体を所定の温度に温調して天井
空間部２ａ内へ供給し、筐体内の気圧を外部の気圧より
も高い気圧に維持する。また、筐体１の側壁に、原版用
ロードロック室１５および基板用ロードロック室１１を
配設することにより、レチクル等の原版および／または
ウエハ等の基板を出し入れする際に、筐体内の気圧が変
動しないように構成されている。
侵入を防止でき、光学系に曇りや照度ムラが発生しない
ようにする。 【解決手段】 密閉構造の筐体１により構成されたチャ
ンバー１ａ内に露光ユニット４が配設されている。フィ
ルタ２で仕切られた天井空間部２ａには、図示しない温
調手段を備えた気体補充機７の吐出側が連通されてお
り、該気体補充機７により、図示しない気体供給源から
供給ダクト８を介して供給される所定の圧力に加圧され
た酸化作用を持たない気体を所定の温度に温調して天井
空間部２ａ内へ供給し、筐体内の気圧を外部の気圧より
も高い気圧に維持する。また、筐体１の側壁に、原版用
ロードロック室１５および基板用ロードロック室１１を
配設することにより、レチクル等の原版および／または
ウエハ等の基板を出し入れする際に、筐体内の気圧が変
動しないように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示基板等の製造に用いられるウエハや液晶表示基板等
の基板に微細パターンを露光するための露光ユニットが
内部に配設された露光装置に関するものである。
表示基板等の製造に用いられるウエハや液晶表示基板等
の基板に微細パターンを露光するための露光ユニットが
内部に配設された露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示基板等の製造に用
いられるウエハや液晶基板等の基板に微細パターンを露
光するための露光ユニットは、精度および歩留りを向上
させるために、塵埃等の微小異物が混在しない清浄な雰
囲気気体中に配設する必要がある。このため、従来は次
に説明するような露光装置が用いられていた。
いられるウエハや液晶基板等の基板に微細パターンを露
光するための露光ユニットは、精度および歩留りを向上
させるために、塵埃等の微小異物が混在しない清浄な雰
囲気気体中に配設する必要がある。このため、従来は次
に説明するような露光装置が用いられていた。
【０００３】図７に示すように、露光装置Ｅ0 は、筐体
１０１によって構成されたチャンバー１０１ａ内に、図
示しない照明光学系、投影レンズ系、レチクルステージ
およびウエハステージ等を備えた露光ユニット１１４
と、前記露光ユニット１１４の側傍に配設されたレチク
ルライブラリー１１３、ウエハキャリヤ１１２を載置す
るためのキャリヤ台１１１等を備えている。
１０１によって構成されたチャンバー１０１ａ内に、図
示しない照明光学系、投影レンズ系、レチクルステージ
およびウエハステージ等を備えた露光ユニット１１４
と、前記露光ユニット１１４の側傍に配設されたレチク
ルライブラリー１１３、ウエハキャリヤ１１２を載置す
るためのキャリヤ台１１１等を備えている。
【０００４】また、筐体１０１の一方の側壁には、レチ
クルライブラリー１１３に対応する部位に開閉扉１０９
ａが付設されたレチクル用出入口１０９が開口されてい
るとともに、キャリヤ台１１１に対応する部位には開閉
扉１１０ａが付設されたウエハ用出入口１１０が開口さ
れている。
クルライブラリー１１３に対応する部位に開閉扉１０９
ａが付設されたレチクル用出入口１０９が開口されてい
るとともに、キャリヤ台１１１に対応する部位には開閉
扉１１０ａが付設されたウエハ用出入口１１０が開口さ
れている。
【０００５】さらに、チャンバー１０１ａの図示上方部
には清浄な空気をダウンフローで吹出すためのフィルタ
１０２ａによって仕切られた天井空間部１０２が形成さ
れているとともに、チャンバー１０１ａの図示下方部に
は複数の排気口を有する床１０３で仕切られた床下空間
部１０４が形成されており、天井空間部１０２と床下空
間部１０４とは温調器１０６が介在された循環ダクト１
０５によって連通されている。これにより、空気導入フ
ァン１０７により天井空間部１０２に導入された空気
は、フィルタ１０２ａによって清浄な空気となってダウ
ンフローで吹出され、排気ファン１０８によって床下空
間部１０４内に集められた空気は、循環ダクト１０５の
温調器１０６により所定の温度に温調されたのち循環フ
ァン１０９によって天井空間部１０２へ送られて再循環
される。
には清浄な空気をダウンフローで吹出すためのフィルタ
１０２ａによって仕切られた天井空間部１０２が形成さ
れているとともに、チャンバー１０１ａの図示下方部に
は複数の排気口を有する床１０３で仕切られた床下空間
部１０４が形成されており、天井空間部１０２と床下空
間部１０４とは温調器１０６が介在された循環ダクト１
０５によって連通されている。これにより、空気導入フ
ァン１０７により天井空間部１０２に導入された空気
は、フィルタ１０２ａによって清浄な空気となってダウ
ンフローで吹出され、排気ファン１０８によって床下空
間部１０４内に集められた空気は、循環ダクト１０５の
温調器１０６により所定の温度に温調されたのち循環フ
ァン１０９によって天井空間部１０２へ送られて再循環
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の露光装置においては、レチクル等の原版やウエハ等
の基板を搬入および搬出する際、レチクル用出入口およ
び／またはウエハ用出入口を開く必要があり、この際に
チャンバー内へチャンバー外部の空気が流入してしま
う。
来の露光装置においては、レチクル等の原版やウエハ等
の基板を搬入および搬出する際、レチクル用出入口およ
び／またはウエハ用出入口を開く必要があり、この際に
チャンバー内へチャンバー外部の空気が流入してしま
う。
【０００７】半導体素子製造工場の場合、露光装置を塵
埃等の微小異物が混在しないクリーンルーム中に配設し
たとしても、該クリーンルーム中には半導体素子の製造
に用いられる各種薬液の気化雰囲気や、配線被覆材料、
プリント基板の絶縁用レジスト等からの揮発ガス、ある
いは、機械的動作部の潤滑剤の飛散粒子等の有機または
無機成分からなる有害な気体成分が僅かな濃度であるが
存在しており、これらの有害な気体成分を僅かに含む外
部の空気がチャンバー内へ流入する。
埃等の微小異物が混在しないクリーンルーム中に配設し
たとしても、該クリーンルーム中には半導体素子の製造
に用いられる各種薬液の気化雰囲気や、配線被覆材料、
プリント基板の絶縁用レジスト等からの揮発ガス、ある
いは、機械的動作部の潤滑剤の飛散粒子等の有機または
無機成分からなる有害な気体成分が僅かな濃度であるが
存在しており、これらの有害な気体成分を僅かに含む外
部の空気がチャンバー内へ流入する。
【０００８】特に、露光ユニットの露光光源として波長
３６５ｎｍ（ｉ線）や波長２４６ｎｍや１９３ｎｍ（Ｕ
Ｖ光）等の短波長の露光光源を用いた場合、露光光源が
短波長になればなるほど、露光光源の持つエネルギーが
高くなるため、上述した有機または無機成分からなる有
害な気体成分と空気中の酸素とが化学反応して、結果的
に酸化シリコン等が生成される。この酸化シリコンは、
露光ユニットにおける光学系に付着すると露光ムラや焦
点ボケを発生させる要因になるため、定期的に半導体素
子の製造を中断して前記光学系のクリーニングや交換を
行なう必要があり、その結果、半導体素子等の製造コス
ト高を招くという未解決の課題があった。
３６５ｎｍ（ｉ線）や波長２４６ｎｍや１９３ｎｍ（Ｕ
Ｖ光）等の短波長の露光光源を用いた場合、露光光源が
短波長になればなるほど、露光光源の持つエネルギーが
高くなるため、上述した有機または無機成分からなる有
害な気体成分と空気中の酸素とが化学反応して、結果的
に酸化シリコン等が生成される。この酸化シリコンは、
露光ユニットにおける光学系に付着すると露光ムラや焦
点ボケを発生させる要因になるため、定期的に半導体素
子の製造を中断して前記光学系のクリーニングや交換を
行なう必要があり、その結果、半導体素子等の製造コス
ト高を招くという未解決の課題があった。
【０００９】本発明は、上記従来の技術の有する未解決
の課題に鑑みてなされたものであって、基板および／ま
たは原版を出し入れする際においても、露光装置内に外
部の有害な成分を含む気体の侵入を防止でき、光学系に
曇りや照度ムラが発生するおそれのない露光装置を実現
することを目的とするものである。
の課題に鑑みてなされたものであって、基板および／ま
たは原版を出し入れする際においても、露光装置内に外
部の有害な成分を含む気体の侵入を防止でき、光学系に
曇りや照度ムラが発生するおそれのない露光装置を実現
することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の密閉構造の露光装置は、密閉構造の筐体
と、前記筐体内に酸化作用を持たない気体を供給して外
部の気圧よりも高い気圧に維持するための気体供給手段
を備え、前記筐体内には基板に微細パターンを露光する
ための露光ユニットを配設したことを特徴とするもので
ある。
め、本発明の密閉構造の露光装置は、密閉構造の筐体
と、前記筐体内に酸化作用を持たない気体を供給して外
部の気圧よりも高い気圧に維持するための気体供給手段
を備え、前記筐体内には基板に微細パターンを露光する
ための露光ユニットを配設したことを特徴とするもので
ある。
【００１１】また、筐体に、開閉扉がそれぞれ付設され
た外部へ通じる外部出入口および内部へ通じる内部出入
口を有する基板用ロードロック室を配設し、前記基板用
ロードロック室に侵入した外気を酸化作用を持たない気
体によりガス置換するための給排気手段を設ける。
た外部へ通じる外部出入口および内部へ通じる内部出入
口を有する基板用ロードロック室を配設し、前記基板用
ロードロック室に侵入した外気を酸化作用を持たない気
体によりガス置換するための給排気手段を設ける。
【００１２】さらに、筐体に、開閉扉がそれぞれ付設さ
れた外部へ通じる外部出入口および内部へ通じる内部出
入口を有する原版用ロードロック室を配設し、前記原版
用ロードロック室に侵入した外気を酸化作用を持たない
気体によりガス置換するための給排気手段を設ける。
れた外部へ通じる外部出入口および内部へ通じる内部出
入口を有する原版用ロードロック室を配設し、前記原版
用ロードロック室に侵入した外気を酸化作用を持たない
気体によりガス置換するための給排気手段を設ける。
【００１３】加えて、気体供給手段が、酸化作用を持た
ない気体を温調するための温調手段を備えたものとす
る。
ない気体を温調するための温調手段を備えたものとす
る。
【００１４】本発明において、酸化作用を持たない気体
として、窒素ガス、アルゴンガス等を用いる。
として、窒素ガス、アルゴンガス等を用いる。
【００１５】
【作用】筐体内が酸化作用を持たない気体により外部の
気圧よりも高い気圧に維持されるため、有害な気体成分
が混在した外部の気体が侵入することがなく、露光ユニ
ットの光源のエネルギーによる光ＣＶＤ現象の発生する
おそれがない。
気圧よりも高い気圧に維持されるため、有害な気体成分
が混在した外部の気体が侵入することがなく、露光ユニ
ットの光源のエネルギーによる光ＣＶＤ現象の発生する
おそれがない。
【００１６】また、酸化作用を持たない気体が筐体内に
充満しているため、電気回路の短絡等が発生した場合で
も火災になるおそれがない。
充満しているため、電気回路の短絡等が発生した場合で
も火災になるおそれがない。
【００１７】請求項２または３の発明は、ウエハ等の基
板やレチクル等の原版を出し入れする際に、筐体内の酸
化作用を持たない気体の筐体外への流出量が極めて小量
になるため、筐体内の酸化作用を持たない気体の気圧変
動がほとんど発生しなくなる。
板やレチクル等の原版を出し入れする際に、筐体内の酸
化作用を持たない気体の筐体外への流出量が極めて小量
になるため、筐体内の酸化作用を持たない気体の気圧変
動がほとんど発生しなくなる。
【００１８】さらに、請求項４の発明は、導入する酸化
作用を持たない気体の温度を、筐体内の雰囲気温度と同
一の温度に温度調節できるため、気温差に起因するゆら
ぎの発生を防止することができる。
作用を持たない気体の温度を、筐体内の雰囲気温度と同
一の温度に温度調節できるため、気温差に起因するゆら
ぎの発生を防止することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００２０】先ず、本発明に係る密閉構造の露光装置の
第１実施例について説明する。
第１実施例について説明する。
【００２１】図１に示すように、本実施例の密閉構造の
露光装置Ｅ1 は、密閉構造の筐体１により構成されたチ
ャンバー１ａ内に露光ユニット４を配設したものであっ
て、チャンバー１ａの図示下方部には複数の通気孔を有
する床部材３により仕切られた床下空間部３ａが形成さ
れているとともに、チャンバー１ａの図示上方部にはフ
ィルタ２によって仕切られた天井空間部２ａが形成され
ており、床下空間部３ａと天井空間部２ａとは、筐体１
の一方の側壁側に配設された温調器６を備えた循環ダク
ト５を介して互いに連通されている。
露光装置Ｅ1 は、密閉構造の筐体１により構成されたチ
ャンバー１ａ内に露光ユニット４を配設したものであっ
て、チャンバー１ａの図示下方部には複数の通気孔を有
する床部材３により仕切られた床下空間部３ａが形成さ
れているとともに、チャンバー１ａの図示上方部にはフ
ィルタ２によって仕切られた天井空間部２ａが形成され
ており、床下空間部３ａと天井空間部２ａとは、筐体１
の一方の側壁側に配設された温調器６を備えた循環ダク
ト５を介して互いに連通されている。
【００２２】天井空間部２ａには、図示しない温調手段
を備えた気体補充機７の吐出側が連通されており、該気
体補充機７は、筐体１の外部に配設された図示しない気
体供給源から供給ダクト８を介して供給される所定の圧
力に加圧された窒素ガス、アルゴンガス等の酸化作用を
持たない気体を所定の温度に温調して天井空間部２ａ内
へ導入できるように構成されている。この説明から明ら
かなように、気体供給源から供給ダクト８を介し供給さ
れる酸化作用を持たない気体を天井空間部２ａに導入す
るための気体補充機７により、筐体内に酸化作用を持た
ない気体を供給して外部の気圧よりも高い気圧に維持す
るための気体供給手段が構成されている。
を備えた気体補充機７の吐出側が連通されており、該気
体補充機７は、筐体１の外部に配設された図示しない気
体供給源から供給ダクト８を介して供給される所定の圧
力に加圧された窒素ガス、アルゴンガス等の酸化作用を
持たない気体を所定の温度に温調して天井空間部２ａ内
へ導入できるように構成されている。この説明から明ら
かなように、気体供給源から供給ダクト８を介し供給さ
れる酸化作用を持たない気体を天井空間部２ａに導入す
るための気体補充機７により、筐体内に酸化作用を持た
ない気体を供給して外部の気圧よりも高い気圧に維持す
るための気体供給手段が構成されている。
【００２３】筐体１の他方の側壁には、開閉扉１７ａが
付設された筐体外部へ通じる外部出入口１７および開閉
扉１６ａが付設された筐体内部へ通じる内部出入口１６
を有する原版用ロードロック室１５が配設されており、
該原版用ロードロック室１５から間隔をおいた下方側部
位には、開閉扉１４ａが付設された筐体外部へ通じる外
部出入口１４および開閉扉１３ａが付設された筐体内部
へ通じる内部出入口１３を有する基板用ロードロック室
１１が配設されている。
付設された筐体外部へ通じる外部出入口１７および開閉
扉１６ａが付設された筐体内部へ通じる内部出入口１６
を有する原版用ロードロック室１５が配設されており、
該原版用ロードロック室１５から間隔をおいた下方側部
位には、開閉扉１４ａが付設された筐体外部へ通じる外
部出入口１４および開閉扉１３ａが付設された筐体内部
へ通じる内部出入口１３を有する基板用ロードロック室
１１が配設されている。
【００２４】ここで、原版用ロードロック室１５および
基板用ロードロック室１１に侵入した外気を酸化作用を
持たない気体によりガス置換するための給排気手段につ
いて説明する。
基板用ロードロック室１１に侵入した外気を酸化作用を
持たない気体によりガス置換するための給排気手段につ
いて説明する。
【００２５】気体補充機７には気体補充ダクト１８が分
岐して設けられており、該気体補充ダクト１８の他端側
は、給気制御弁１９を介して原版用ロードロック室１５
に通じる第１分岐給気ダクト２０と基板用ロードロック
室１１に通じる第２分岐給気ダクト２１に選択的に接続
されるように構成されているとともに、両分岐給気ダク
ト２０，２１の吐出部にはそれぞれ特殊なフィルタ２０
ａ，２１ａが設けられている。また、原版用ロードロッ
ク室１５には第１排気分岐ダクト２２の一端側が連通さ
れているとともに、基板用ロードロック室１１には第２
排気分岐ダクト２３の一端側が連通されており、両排気
分岐ダクト２２，２３の他端側は、排気制御弁２４を介
して外部へ通じる排気ダクト２５に選択的に接続される
ように構成されている。
岐して設けられており、該気体補充ダクト１８の他端側
は、給気制御弁１９を介して原版用ロードロック室１５
に通じる第１分岐給気ダクト２０と基板用ロードロック
室１１に通じる第２分岐給気ダクト２１に選択的に接続
されるように構成されているとともに、両分岐給気ダク
ト２０，２１の吐出部にはそれぞれ特殊なフィルタ２０
ａ，２１ａが設けられている。また、原版用ロードロッ
ク室１５には第１排気分岐ダクト２２の一端側が連通さ
れているとともに、基板用ロードロック室１１には第２
排気分岐ダクト２３の一端側が連通されており、両排気
分岐ダクト２２，２３の他端側は、排気制御弁２４を介
して外部へ通じる排気ダクト２５に選択的に接続される
ように構成されている。
【００２６】なお、本実施例においては、チャンバー１
ａ内の原版用ロードロック室１５と露光ユニット４の間
には原版搬送ロボット２７および原版ストッカ２６が配
設されており、基板用ロードロック室１１と露光ユニッ
ト４の間には基板搬送ロボット２８が配設されている。
ａ内の原版用ロードロック室１５と露光ユニット４の間
には原版搬送ロボット２７および原版ストッカ２６が配
設されており、基板用ロードロック室１１と露光ユニッ
ト４の間には基板搬送ロボット２８が配設されている。
【００２７】次に、本実施例の動作について説明する。
【００２８】 基板用ロードロック室１１および原版
用ロードロック室１５におけるすべての開閉扉を閉じて
おき、気体補充機７により、所定の圧力（筐体１が配設
されているクリーンルーム等の室内の気圧よりも高圧）
に加圧された酸化作用を持たない気体を所定の温度に温
調して筐体１内の天井空間部２ａに導入する。
用ロードロック室１５におけるすべての開閉扉を閉じて
おき、気体補充機７により、所定の圧力（筐体１が配設
されているクリーンルーム等の室内の気圧よりも高圧）
に加圧された酸化作用を持たない気体を所定の温度に温
調して筐体１内の天井空間部２ａに導入する。
【００２９】 上記により天井空間部２ａ内に導入
された酸化作用を持たない気体は、図１の矢印で示すよ
うに、フィルタ２により清浄化されてダウンフローでチ
ャンバー１ａ内に吹出され、吸気ファン９によって床部
材３の複数の通気孔から床下空間部３ａに集められたの
ち、循環ダクト５へ送られて該循環ダクト５の温調器６
により所定の温度（チャンバー１ａ内の気体温度）に温
調され、循環ファン１０により天井空間部２ａに循環さ
れる。
された酸化作用を持たない気体は、図１の矢印で示すよ
うに、フィルタ２により清浄化されてダウンフローでチ
ャンバー１ａ内に吹出され、吸気ファン９によって床部
材３の複数の通気孔から床下空間部３ａに集められたの
ち、循環ダクト５へ送られて該循環ダクト５の温調器６
により所定の温度（チャンバー１ａ内の気体温度）に温
調され、循環ファン１０により天井空間部２ａに循環さ
れる。
【００３０】これにより、チャンバー１ａ内は、筐体１
の外部の気圧よりも高い気圧の酸化作用を持たない気体
で満たされた状態になり、上述した如き有害な成分を含
む外部の気体が侵入しない状態に維持される。
の外部の気圧よりも高い気圧の酸化作用を持たない気体
で満たされた状態になり、上述した如き有害な成分を含
む外部の気体が侵入しない状態に維持される。
【００３１】なお、気体補充機７は、公知の制御手段を
用い、チャンバー１ａ内の気圧をチャンバー１ａ内に配
設された１個または複数個の圧力センサ２９より検出す
るとともに筐体１の外部の気圧を筐体外部に配設された
圧力センサ３０で検出し、チャンバー１ａ内の圧力セン
サ２９により検出されたチャンバー１ａ内の気圧が外部
の圧力センサ３０で検出された外部の気圧よりも所定の
圧力差だけ高い気圧に維持できるように、酸化作用を持
たない気体の導入量を制御することができる。
用い、チャンバー１ａ内の気圧をチャンバー１ａ内に配
設された１個または複数個の圧力センサ２９より検出す
るとともに筐体１の外部の気圧を筐体外部に配設された
圧力センサ３０で検出し、チャンバー１ａ内の圧力セン
サ２９により検出されたチャンバー１ａ内の気圧が外部
の圧力センサ３０で検出された外部の気圧よりも所定の
圧力差だけ高い気圧に維持できるように、酸化作用を持
たない気体の導入量を制御することができる。
【００３２】続いて、露光作業のために、レチクル等の
原版を原版用ロードロック室１５を通して出し入れした
り、ウエハ等の基板を基板用ロードロック室１１を通し
て出し入れする場合の動作について説明するが、両者の
動作は同様であるので、以下、基板用ロードロック室１
１を通してウエハ等の基板の搬入および搬出を行なう場
合を例に挙げて説明する。
原版を原版用ロードロック室１５を通して出し入れした
り、ウエハ等の基板を基板用ロードロック室１１を通し
て出し入れする場合の動作について説明するが、両者の
動作は同様であるので、以下、基板用ロードロック室１
１を通してウエハ等の基板の搬入および搬出を行なう場
合を例に挙げて説明する。
【００３３】（基板用ロードロック室の場合） 内部出入口１３の開閉扉１３ａを閉じておき、外部
出入口１４の開閉扉１４ａを開いて外部出入口１４より
基板を搬入してバッファ台１２上に載置したのち、外部
出入口１４の開閉扉１４ａを閉じる。
出入口１４の開閉扉１４ａを開いて外部出入口１４より
基板を搬入してバッファ台１２上に載置したのち、外部
出入口１４の開閉扉１４ａを閉じる。
【００３４】 上記ののち、給気制御弁１９を切換
えて気体補充ダクト１８と第２給気分岐ダクト２１とを
接続させて、窒素ガス、アルゴンガス等の酸化作用を持
たない気体を基板用ロードロック室１１内へ供給すると
同時に、排気制御弁２４を切換えて第２排気分岐ダクト
２３を排気ダクト２５に接続することによって基板用ロ
ードロック室１１内に侵入した外部の気体を外部へ排気
する、いわゆるガス置換を所定時間行なう。
えて気体補充ダクト１８と第２給気分岐ダクト２１とを
接続させて、窒素ガス、アルゴンガス等の酸化作用を持
たない気体を基板用ロードロック室１１内へ供給すると
同時に、排気制御弁２４を切換えて第２排気分岐ダクト
２３を排気ダクト２５に接続することによって基板用ロ
ードロック室１１内に侵入した外部の気体を外部へ排気
する、いわゆるガス置換を所定時間行なう。
【００３５】この場合、排気ダクト２５の吐出側を筐体
１が配設されているクリーンルーム等の室外へ突出させ
て、該室外へ排気できるようにしておくと、該クリーン
ルーム等の室内を汚染するおそれがない。
１が配設されているクリーンルーム等の室外へ突出させ
て、該室外へ排気できるようにしておくと、該クリーン
ルーム等の室内を汚染するおそれがない。
【００３６】 上記により、基板用ロードロック室
１１内のガス置換が完了したら、給気制御弁１９および
排気制御弁２４をともに閉鎖し、ついで内部出入口１３
の開閉扉１３ａを開き基板搬送ロボット２８によって基
板を露光ユニット４の基板ステージに受け渡し、基板に
微細パターンの露光を行なう。
１１内のガス置換が完了したら、給気制御弁１９および
排気制御弁２４をともに閉鎖し、ついで内部出入口１３
の開閉扉１３ａを開き基板搬送ロボット２８によって基
板を露光ユニット４の基板ステージに受け渡し、基板に
微細パターンの露光を行なう。
【００３７】 露光が終了したら基板の搬出を行なう
が、この基板の搬出は、基板を基板用ロードロック室１
１内へ基板搬送ロボット２８によって戻したのち内部出
入口１３の開閉扉１３ａを閉じ、ついで外部出入口１４
の開閉扉１４ａを開いて外部出入口１４を通して搬出す
る。
が、この基板の搬出は、基板を基板用ロードロック室１
１内へ基板搬送ロボット２８によって戻したのち内部出
入口１３の開閉扉１３ａを閉じ、ついで外部出入口１４
の開閉扉１４ａを開いて外部出入口１４を通して搬出す
る。
【００３８】なお、本実施例の一変形例として、基板用
ロードロック室１１に搬入用バッファ台と搬出用バッフ
ァ台とを配設しておき、上記の工程時における内側扉
１３ａを開いている間に搬入用バッファ台への基板の搬
入作業と搬出用バッファ台への露光済基板の搬出作業と
を平行して行なうことができるようにすることができ
る。
ロードロック室１１に搬入用バッファ台と搬出用バッフ
ァ台とを配設しておき、上記の工程時における内側扉
１３ａを開いている間に搬入用バッファ台への基板の搬
入作業と搬出用バッファ台への露光済基板の搬出作業と
を平行して行なうことができるようにすることができ
る。
【００３９】また、本実施例の他の変形例として、図２
に示すように、ウエハ等の基板をキャリヤ３１単位で基
板用ロードロック室１１を介して出し入れするように構
成してもよく、この場合、全基板の露光中は内部出入口
１３の開閉扉１３ａを開けたままの状態にしておくとと
もに、給気制御弁１９および排気制御弁２４は閉じてお
くことはいうまでもない。これ以外は上記第１実施例と
同様であるので説明は省略する。
に示すように、ウエハ等の基板をキャリヤ３１単位で基
板用ロードロック室１１を介して出し入れするように構
成してもよく、この場合、全基板の露光中は内部出入口
１３の開閉扉１３ａを開けたままの状態にしておくとと
もに、給気制御弁１９および排気制御弁２４は閉じてお
くことはいうまでもない。これ以外は上記第１実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００４０】続いて、本発明に係る密閉構造の露光装置
の第２実施例および第３実施例について説明する。
の第２実施例および第３実施例について説明する。
【００４１】図３に示すように、第２実施例の密閉構造
の露光装置Ｅ2 は、図１に示した第１実施例における基
板用ロードロック室１１の替わりに、密閉型キャリヤ４
１を着脱自在に装着できるキャリヤ装着口４４を筐体１
の他方の側壁に設けた凹部５０の側面に形成したもので
あって、該キャリヤ装着口４４に駆動機構４３ａによっ
て開閉される扉４３を付設するとともに、装着された密
閉型キャリヤ４１のふた４２をチャンバー１ａ側から開
閉するための開閉機構４２ａを設けたものである。
の露光装置Ｅ2 は、図１に示した第１実施例における基
板用ロードロック室１１の替わりに、密閉型キャリヤ４
１を着脱自在に装着できるキャリヤ装着口４４を筐体１
の他方の側壁に設けた凹部５０の側面に形成したもので
あって、該キャリヤ装着口４４に駆動機構４３ａによっ
て開閉される扉４３を付設するとともに、装着された密
閉型キャリヤ４１のふた４２をチャンバー１ａ側から開
閉するための開閉機構４２ａを設けたものである。
【００４２】本実施例の場合、原版用ロードロック室１
５に侵入した外気を酸化作用を持たない気体によりガス
置換するための給排気手段は、次に説明するように構成
されている。
５に侵入した外気を酸化作用を持たない気体によりガス
置換するための給排気手段は、次に説明するように構成
されている。
【００４３】給気制御弁４６が介在された気体補充ダク
ト１８を原版用ロードロック室１５に接続してその吐出
口に特殊なフィルタ２０ａを設けるとともに、排気制御
弁４２が介在された排気ダクト４５の一端側を原版用ロ
ードロック室１５に接続するだけでよい。
ト１８を原版用ロードロック室１５に接続してその吐出
口に特殊なフィルタ２０ａを設けるとともに、排気制御
弁４２が介在された排気ダクト４５の一端側を原版用ロ
ードロック室１５に接続するだけでよい。
【００４４】本実施例によれば、扉４３を閉じた状態で
密閉型キャリヤ４１をキャリヤ装着口４４に装着したの
ち扉４３を開き、ついでふた４２をふた開閉機構４２ａ
によりチャンバー１ａ側へ開く。そして全基板の露光中
はふた４２を開いた状態にして基板搬送ロボット２８に
より密閉型キャリヤ４１への基板の出し入れを行なう。
露光終了後は、先ず密閉型キャリヤ４１のふた４２を閉
じ、ついで扉４３を閉じたのち密閉型キャリヤ４１をキ
ャリヤ装着口４４から外す。これにより、基板の出し入
れ時における外気の侵入およびチャンバー１ａ内の酸化
作用を持たない気体の流出を防止し、チャンバー１ａ内
の気圧および温度の変動を防止することができる。
密閉型キャリヤ４１をキャリヤ装着口４４に装着したの
ち扉４３を開き、ついでふた４２をふた開閉機構４２ａ
によりチャンバー１ａ側へ開く。そして全基板の露光中
はふた４２を開いた状態にして基板搬送ロボット２８に
より密閉型キャリヤ４１への基板の出し入れを行なう。
露光終了後は、先ず密閉型キャリヤ４１のふた４２を閉
じ、ついで扉４３を閉じたのち密閉型キャリヤ４１をキ
ャリヤ装着口４４から外す。これにより、基板の出し入
れ時における外気の侵入およびチャンバー１ａ内の酸化
作用を持たない気体の流出を防止し、チャンバー１ａ内
の気圧および温度の変動を防止することができる。
【００４５】図４に示すように、第３実施例の密閉構造
の露光装置Ｅ3 は、図３に示した第２実施例におけるキ
ャリヤ装着口４４の替わりに、密閉型キャリヤ５３を収
納するキャリヤ収納箱５１を着脱自在に装着できるキャ
リヤ収納箱装着口５１ａを筐体１の他方の側壁に形成し
た凹部５０の上向きの面に形成したものであって、装着
されたキャリヤ収納箱５１から密閉型キャリヤ５３を床
部材側に配設されたエレベータ５２上に載置してキャリ
ヤ収納箱５１とチャンバー１ａ間における搬入および搬
出を行なうように構成されている。
の露光装置Ｅ3 は、図３に示した第２実施例におけるキ
ャリヤ装着口４４の替わりに、密閉型キャリヤ５３を収
納するキャリヤ収納箱５１を着脱自在に装着できるキャ
リヤ収納箱装着口５１ａを筐体１の他方の側壁に形成し
た凹部５０の上向きの面に形成したものであって、装着
されたキャリヤ収納箱５１から密閉型キャリヤ５３を床
部材側に配設されたエレベータ５２上に載置してキャリ
ヤ収納箱５１とチャンバー１ａ間における搬入および搬
出を行なうように構成されている。
【００４６】本実施例によれば、キャリヤ収納箱５１を
キャリヤ収納箱装着口５１ａに装着したのち、エレベー
タ５２を上昇させてふた５３ａの下面にエレベータ５２
の上面を当接させ、ついでエレベータ５２を下降させて
ふた５３ａとともにキャリヤ５３をチャンバー１ａ内に
引き込む。そしてこの状態で全基板の露光中、基板搬送
ロボット２８によってキャリヤ５３と露光ユニットとの
基板の受け渡しを逐次行なう。露光終了後、エレベータ
５２を上昇させてふた５３ａとともにキャリヤ５３をキ
ャリヤ収納箱５１内へ戻してふた５３ａを閉じると同時
にキャリヤ収納箱装着口５１ａを閉鎖する。これによ
り、基板の出し入れ時における外気の侵入およびチャン
バー１ａ内の酸化作用を持たない気体の流出を防止し、
チャンバー１ａ内の気圧および温度の変動を抑制するこ
とができる。
キャリヤ収納箱装着口５１ａに装着したのち、エレベー
タ５２を上昇させてふた５３ａの下面にエレベータ５２
の上面を当接させ、ついでエレベータ５２を下降させて
ふた５３ａとともにキャリヤ５３をチャンバー１ａ内に
引き込む。そしてこの状態で全基板の露光中、基板搬送
ロボット２８によってキャリヤ５３と露光ユニットとの
基板の受け渡しを逐次行なう。露光終了後、エレベータ
５２を上昇させてふた５３ａとともにキャリヤ５３をキ
ャリヤ収納箱５１内へ戻してふた５３ａを閉じると同時
にキャリヤ収納箱装着口５１ａを閉鎖する。これによ
り、基板の出し入れ時における外気の侵入およびチャン
バー１ａ内の酸化作用を持たない気体の流出を防止し、
チャンバー１ａ内の気圧および温度の変動を抑制するこ
とができる。
【００４７】次に上述した密閉構造の露光装置を利用し
た半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図５
は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
た半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図５
は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あ
るいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウエ
ハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００４８】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体
デバイスを製造することができる。
【００４９】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載するような効果を奏する。
ので、次に記載するような効果を奏する。
【００５０】筐体内へ外部の有害な成分を含む気体の侵
入するおそれがなく、清浄な酸化作用を持たない気体中
において露光を行なうことができる。その結果、エネル
ギーの大きな露光光源を用いた場合であっても、露光ユ
ニットの光学系に光ＣＶＤ現象による曇りや焦点ボケが
発生しなくなり、露光作業を中断して光学系のクリーニ
ングや交換を行なわなくても長時間にわたる連続運転が
可能となる。
入するおそれがなく、清浄な酸化作用を持たない気体中
において露光を行なうことができる。その結果、エネル
ギーの大きな露光光源を用いた場合であっても、露光ユ
ニットの光学系に光ＣＶＤ現象による曇りや焦点ボケが
発生しなくなり、露光作業を中断して光学系のクリーニ
ングや交換を行なわなくても長時間にわたる連続運転が
可能となる。
【００５１】請求項２および請求項３の発明は、レチク
ル等の原版および／またはウエハ等の基板の搬入および
搬出時において、筐体内の酸化作用を持たない気体の流
出量が極めて微量になるため、筐体内における気圧およ
び温度の変動がなくなり、高精度な露光を行なうことが
できる。
ル等の原版および／またはウエハ等の基板の搬入および
搬出時において、筐体内の酸化作用を持たない気体の流
出量が極めて微量になるため、筐体内における気圧およ
び温度の変動がなくなり、高精度な露光を行なうことが
できる。
【００５２】請求項４記載の発明は、補充される酸化作
用を持たない気体の温度を筐体内の気体温度とほぼ同一
温度にできるため、温度差に起因するゆらぎの発生を防
止することができる。
用を持たない気体の温度を筐体内の気体温度とほぼ同一
温度にできるため、温度差に起因するゆらぎの発生を防
止することができる。
【図１】本発明に係る密閉型の露光装置の第１実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】図１に示す第１実施例の一変形例を示す説明図
である。
である。
【図３】本発明に係る密閉型の露光装置の第２実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】本発明に係る密閉型の露光装置の第３実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】従来の露光装置の説明図である。
１ 筐体 １ａ チャンバー ２ フィルタ ２ａ 天井空間部 ３ 床部材 ３ａ 床下空間部 ４ 露光ユニット ５ 循環ダクト ６ 温調器 ７ 気体補充機 ８ 供給ダクト ９ 吸気ファン １０ 循環ファン １１ 基板用ロードロック室 １２ バッファ台 １３，１６ 内部出入口 １３ａ，１４ａ，１６ａ，１７ａ 開閉扉 １４，１７ 外部出入口 １５ 原版用ロードロック室 １８ 気体補充ダクト １９，４６ 給気制御弁 ２０ 第１給気分岐ダクト ２１ 第２給気分岐ダクト ２２ 第１排気分岐ダクト ２３ 第２排気分岐ダクト ２４，４２ 排気制御弁 ２５，４５ 排気ダクト ２６ 原版ストッカ ２７ 原版搬送ロボット ２８ 基板搬送ロボット ２９，３０ 圧力センサ ３１ キャリヤ ４１，５３ 密閉型キャリヤ ５０ 凹部 ５１ キャリヤ収納箱 ５２ エレベータ ５３ａ ふた
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 密閉構造の筐体と、前記筐体内に酸化作
用を持たない気体を供給して外部の気圧よりも高い気圧
に維持するための気体供給手段を備え、前記筐体内には
基板に微細パターンを露光するための露光ユニットを配
設したことを特徴とする密閉構造の露光装置。 - 【請求項２】 筐体に、開閉扉がそれぞれ付設された外
部へ通じる外部出入口および内部へ通じる内部出入口を
有する基板用ロードロック室を配設し、前記基板用ロー
ドロック室に侵入した外気を酸化作用を持たない気体に
よりガス置換するための給排気手段を設けたことを特徴
とする請求項１記載の密閉構造の露光装置。 - 【請求項３】 筐体に、開閉扉がそれぞれ付設された外
部へ通じる外部出入口および内部へ通じる内部出入口を
有する原版用ロードロック室を配設し、前記原版用ロー
ドロック室に侵入した外気を酸化作用を持たない気体に
よりガス置換するための給排気手段を設けたことを特徴
とする請求項１または２記載の密閉構造の露光装置。 - 【請求項４】 気体供給手段が、酸化作用を持たない気
体を温調するための温調手段を備えたことを特徴とする
請求項１ないし３いずれか１項記載の密閉構造の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8329184A JPH10154655A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 密閉構造の露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8329184A JPH10154655A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 密閉構造の露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154655A true JPH10154655A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18218597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8329184A Pending JPH10154655A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 密閉構造の露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154655A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001073825A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement, appareil et procede servant a transferer une tranche, puce et son procede de fabrication |
| JP2002313714A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-10-25 | Nikon Corp | デバイス製造装置、配線ユニット、及びフィルタユニット |
| US6795161B2 (en) * | 2000-03-24 | 2004-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method of manufacturing semiconductor devices and plant therefor |
| JP2005175344A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Toppan Printing Co Ltd | 窒素循環型クリーンユニット |
| US6982782B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus for processing object in vessel |
| JP2016004857A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP2016207746A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
| CN116300324A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-06-23 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种光刻机 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8329184A patent/JPH10154655A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6795161B2 (en) * | 2000-03-24 | 2004-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, method of manufacturing semiconductor devices and plant therefor |
| WO2001073825A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement, appareil et procede servant a transferer une tranche, puce et son procede de fabrication |
| JP2002313714A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-10-25 | Nikon Corp | デバイス製造装置、配線ユニット、及びフィルタユニット |
| US6982782B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus for processing object in vessel |
| US7978304B2 (en) | 2003-03-10 | 2011-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus for processing object in vessel |
| JP2005175344A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Toppan Printing Co Ltd | 窒素循環型クリーンユニット |
| JP4645029B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2011-03-09 | 凸版印刷株式会社 | 窒素循環型クリーンユニット |
| JP2016004857A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP2016207746A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体製造装置 |
| CN116300324A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-06-23 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种光刻机 |
| CN116300324B (zh) * | 2022-12-01 | 2024-02-09 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种光刻机 |
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