JP2000182946A - レーザ加工装置 - Google Patents
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ加工装置に対して、レーザ照射中を含
む任意の時期に、処理済の被照射体の搬出および処理予
定の被照射体の搬入を可能にして、装置の運用効率の向
上を図る。 【解決手段】 レーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経
路を、被照射体または被照射体を収納したケース２２２
が移動する経路を含む特定の形状を有する平面または空
間に限定する散乱光限定手段２５０と、前記平面または
空間に係合してレーザ光の散乱光を遮光しながら前記被
照射体または前記ケースを保持して移動することによ
り、レーザ光を照射する空間とその外部との間で前記被
照射体または前記ケースを移動する搬入出手段２５１と
を設ける。
む任意の時期に、処理済の被照射体の搬出および処理予
定の被照射体の搬入を可能にして、装置の運用効率の向
上を図る。 【解決手段】 レーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経
路を、被照射体または被照射体を収納したケース２２２
が移動する経路を含む特定の形状を有する平面または空
間に限定する散乱光限定手段２５０と、前記平面または
空間に係合してレーザ光の散乱光を遮光しながら前記被
照射体または前記ケースを保持して移動することによ
り、レーザ光を照射する空間とその外部との間で前記被
照射体または前記ケースを移動する搬入出手段２５１と
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置に
関するもので、特に装置外部の安全を確保するために処
理中のレーザ光の散乱光を装置外部に洩らさないように
装置の周囲をチャンバなどで覆って遮光しているレーザ
加工装置に適する。
関するもので、特に装置外部の安全を確保するために処
理中のレーザ光の散乱光を装置外部に洩らさないように
装置の周囲をチャンバなどで覆って遮光しているレーザ
加工装置に適する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ加工装置、例えば半導体露
光装置においては、装置全体をチャンバで覆うことによ
り、装置の温度制御を可能にし、同時に該装置のオペレ
ータおよび装置の周囲の他の作業者の人体に対する安全
性を確立している。このようなレーザ加工装置のチャン
バには通常、レチクル等の被照射体を装置に対して出し
入れするためのドアが設けられていて、ドアが閉じられ
ている場合に限ってレーザ光の照射が行なわれるような
仕組みを有している。
光装置においては、装置全体をチャンバで覆うことによ
り、装置の温度制御を可能にし、同時に該装置のオペレ
ータおよび装置の周囲の他の作業者の人体に対する安全
性を確立している。このようなレーザ加工装置のチャン
バには通常、レチクル等の被照射体を装置に対して出し
入れするためのドアが設けられていて、ドアが閉じられ
ている場合に限ってレーザ光の照射が行なわれるような
仕組みを有している。
【０００３】通常、このようなレーザ加工装置において
被照射体は、一個以上の被照射体を収納可能なケースに
収納した上で、装置に対して出し入れされる。また、こ
のようなレーザ加工装置の内部には、前記ケースを複数
個保持する手段が備わっていて、現在処理中のケースに
加え、処理済のケースまたは以後に処理される予定のケ
ースを同時に装置内に保持しておくことができる。
被照射体は、一個以上の被照射体を収納可能なケースに
収納した上で、装置に対して出し入れされる。また、こ
のようなレーザ加工装置の内部には、前記ケースを複数
個保持する手段が備わっていて、現在処理中のケースに
加え、処理済のケースまたは以後に処理される予定のケ
ースを同時に装置内に保持しておくことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例では、前記ケースを装置内に対して出し入れする機会
がレーザ光の照射されていないときに限定されているた
め、前記ケースを出し入れする際には心ず前記装置上の
処理が中断されることになり、装置の運用効率の低下を
招く。さらに上記従来例では、レーザ光などに対する充
分な安全性を確保するために、前記ドアを解放するたび
にレーザ光照射を無効にするインターロックが作動し、
それ以降、レーザ光の照射ができなくなる。ここで、前
記インターロックを解除してレーザ光の照射を可能にす
るためには、前記ドアを閉じてからさらにレーザ発振開
始ボタンを押さなければならない。つまり、上記従来例
において前記ドアを閉じるたびに前記ボタンを押さなけ
ればならない。前記ドアを閉じた後に前記ボタンを押し
忘れた場合、レーザ光照射を伴う前記装置に対する操作
を実行したときにエラーが発生して初めて、前記ボタン
の押し忘れに気付くことになる。しかしながら、このと
き該エラーに対する復旧作業が必要になるため、装置の
運用効率の低下を招く。
例では、前記ケースを装置内に対して出し入れする機会
がレーザ光の照射されていないときに限定されているた
め、前記ケースを出し入れする際には心ず前記装置上の
処理が中断されることになり、装置の運用効率の低下を
招く。さらに上記従来例では、レーザ光などに対する充
分な安全性を確保するために、前記ドアを解放するたび
にレーザ光照射を無効にするインターロックが作動し、
それ以降、レーザ光の照射ができなくなる。ここで、前
記インターロックを解除してレーザ光の照射を可能にす
るためには、前記ドアを閉じてからさらにレーザ発振開
始ボタンを押さなければならない。つまり、上記従来例
において前記ドアを閉じるたびに前記ボタンを押さなけ
ればならない。前記ドアを閉じた後に前記ボタンを押し
忘れた場合、レーザ光照射を伴う前記装置に対する操作
を実行したときにエラーが発生して初めて、前記ボタン
の押し忘れに気付くことになる。しかしながら、このと
き該エラーに対する復旧作業が必要になるため、装置の
運用効率の低下を招く。
【０００５】本発明の目的は上記従来技術の問題点に鑑
み、レーザ加工装置に対して、レーザ照射中を含む任意
の時期に、処理済の被照射体（ケースに収納されている
場合はケースごと）の搬出あるいは処理予定の被照射体
の搬入を可能にし、かつ前記被照射体を前記装置に出し
入れするたびに必要とされていたボタン押下などの付加
的な作業を不要にすることにより、前記被照射体の出し
入れに関する装置の運用効率の低下を防ぐことである。
み、レーザ加工装置に対して、レーザ照射中を含む任意
の時期に、処理済の被照射体（ケースに収納されている
場合はケースごと）の搬出あるいは処理予定の被照射体
の搬入を可能にし、かつ前記被照射体を前記装置に出し
入れするたびに必要とされていたボタン押下などの付加
的な作業を不要にすることにより、前記被照射体の出し
入れに関する装置の運用効率の低下を防ぐことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、レーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経路を、被照
射体または被照射体を収納したケースが移動する経路を
含む特定の形状を有する平面または空間に限定する散乱
光限定手段と、前記平面または空間に係合してレーザ光
の散乱光を遮光しながら前記被照射体または前記ケース
を保持して移動することにより、レーザ光を照射する空
間とその外部との間で前記被照射体または前記ケースを
移動する搬入出手段とを備えることを特徴とする。
め、レーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経路を、被照
射体または被照射体を収納したケースが移動する経路を
含む特定の形状を有する平面または空間に限定する散乱
光限定手段と、前記平面または空間に係合してレーザ光
の散乱光を遮光しながら前記被照射体または前記ケース
を保持して移動することにより、レーザ光を照射する空
間とその外部との間で前記被照射体または前記ケースを
移動する搬入出手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記の構成によれば、前記散乱光限定手段によ
ってレーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経路が限定さ
れ、かつその経路を通過しようとする散乱光は前記搬入
出手段によって遮光されるため、レーザ光が照射中であ
るか否かにかかわらずレーザ加工装置に対して処理済の
被照射体を搬出したり、処理予定の被照射体を搬入する
ことができる。
ってレーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経路が限定さ
れ、かつその経路を通過しようとする散乱光は前記搬入
出手段によって遮光されるため、レーザ光が照射中であ
るか否かにかかわらずレーザ加工装置に対して処理済の
被照射体を搬出したり、処理予定の被照射体を搬入する
ことができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 （第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例に係る半
導体露光装置のチャンバの斜視図である。同図に示すよ
うに、装置本体を覆うことにより該装置本体の環境温度
制御を行なう温調チャンバ１０１の正面には、装置に対
してウエハカセットの出し入れを行なうウエハカセット
交換用ドア１０２、タッチパネル付きディスプレイ１０
３、操作パネル１０４、およびレチクルカセット交換用
開口部１０５が設けられている。レチクルカセット交換
用開口部１０５にはレチクルカセット交換用ドア１０５
が設けられている。ウエハカセット交換用ドア１０２お
よびレチクルカセット交換用ドア１０５には、必要に応
じて施錠および解錠の制御が行なわれるドアロックが備
わっている。操作パネル１０４には、停止したレーザの
発振を再開させるレーザ発振開始ボタン１０６が備わっ
ている。
る。 （第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例に係る半
導体露光装置のチャンバの斜視図である。同図に示すよ
うに、装置本体を覆うことにより該装置本体の環境温度
制御を行なう温調チャンバ１０１の正面には、装置に対
してウエハカセットの出し入れを行なうウエハカセット
交換用ドア１０２、タッチパネル付きディスプレイ１０
３、操作パネル１０４、およびレチクルカセット交換用
開口部１０５が設けられている。レチクルカセット交換
用開口部１０５にはレチクルカセット交換用ドア１０５
が設けられている。ウエハカセット交換用ドア１０２お
よびレチクルカセット交換用ドア１０５には、必要に応
じて施錠および解錠の制御が行なわれるドアロックが備
わっている。操作パネル１０４には、停止したレーザの
発振を再開させるレーザ発振開始ボタン１０６が備わっ
ている。
【０００９】図２は図１のチャンバの内部構造を示す図
である。同図においては、半導体露光装置としてのステ
ッパが示されている。図中の２０２はレチクル、２０３
はウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光
学系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投
影光学レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターン
をウエハ２０３上の感光層に転写することができる。レ
チクル２０２はレチクルステージ２０７により支持され
ている。ウエハ２０３はウエハチャック２９１により支
持された状態で露光される。ウエハチャック２９１はウ
エハステージ２０９上に固定されて、該ウエハステージ
２０９の可動範囲内での移動が可能である。レチクル２
０２の上側には主にレチクルの位置ずれ量を検出するた
めのレチクル光学系２８１が配置される。ウエハステー
ジ２０９の上方に、投影光学レンズ２０６に隣接してオ
フアクシス顕微鏡２８２が配置されている。
である。同図においては、半導体露光装置としてのステ
ッパが示されている。図中の２０２はレチクル、２０３
はウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光
学系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投
影光学レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターン
をウエハ２０３上の感光層に転写することができる。レ
チクル２０２はレチクルステージ２０７により支持され
ている。ウエハ２０３はウエハチャック２９１により支
持された状態で露光される。ウエハチャック２９１はウ
エハステージ２０９上に固定されて、該ウエハステージ
２０９の可動範囲内での移動が可能である。レチクル２
０２の上側には主にレチクルの位置ずれ量を検出するた
めのレチクル光学系２８１が配置される。ウエハステー
ジ２０９の上方に、投影光学レンズ２０６に隣接してオ
フアクシス顕微鏡２８２が配置されている。
【００１０】オフアクシス顕微鏡２８２は装置上の基準
マークとウエハ２０３上のアライメントマークとの相対
位置検出を行なうのが主たる役割である。また、これら
本体ユニットに隣接してレチクルライブラリ２２０やレ
チクルロボット２２１などから構成されるレチクル搬送
ユニットおよびウエハカセットエレベータ２３０やウエ
ハ搬入出ロボット２３１などから構成されるウエハ搬送
ユニットが配置される。散乱光限定手段２５０および搬
入出手段２５１は、チャンバ１０１のレチクル搬入出用
開口部に係合するように実装され、搬入出手段２５１
は、レチクルケース２２２を装置外部と装置内部の間で
搬入出する。
マークとウエハ２０３上のアライメントマークとの相対
位置検出を行なうのが主たる役割である。また、これら
本体ユニットに隣接してレチクルライブラリ２２０やレ
チクルロボット２２１などから構成されるレチクル搬送
ユニットおよびウエハカセットエレベータ２３０やウエ
ハ搬入出ロボット２３１などから構成されるウエハ搬送
ユニットが配置される。散乱光限定手段２５０および搬
入出手段２５１は、チャンバ１０１のレチクル搬入出用
開口部に係合するように実装され、搬入出手段２５１
は、レチクルケース２２２を装置外部と装置内部の間で
搬入出する。
【００１１】図３は上記散乱光限定手段２５０および搬
入出手段２５１の詳細を示す図である。図３の（ａ）
（ｂ）（ｃ）は、散乱光限定手段２５０と搬入出手段２
５１を上面、正面および側面から見たところを示してい
る。また図３の（ｄ）（ｅ）は、散乱光限定手段２５０
と搬入出手段２５１を分離した状態を斜視図で示してい
る。ただし、見易さから斜視図の角度は、散乱光限定手
段２５０と搬入出手段２５１で変えている。また２５２
は搬入出手段２５１の回転軸を示している。散乱光限定
手段２５０には正面と裏面のそれぞれ同じ位置に開口部
がある。また搬入出手段２５１には一か所に開口部があ
り、内部にレチクルケース２２２を収めることができる
ようになっている。
入出手段２５１の詳細を示す図である。図３の（ａ）
（ｂ）（ｃ）は、散乱光限定手段２５０と搬入出手段２
５１を上面、正面および側面から見たところを示してい
る。また図３の（ｄ）（ｅ）は、散乱光限定手段２５０
と搬入出手段２５１を分離した状態を斜視図で示してい
る。ただし、見易さから斜視図の角度は、散乱光限定手
段２５０と搬入出手段２５１で変えている。また２５２
は搬入出手段２５１の回転軸を示している。散乱光限定
手段２５０には正面と裏面のそれぞれ同じ位置に開口部
がある。また搬入出手段２５１には一か所に開口部があ
り、内部にレチクルケース２２２を収めることができる
ようになっている。
【００１２】図４は本実施例に係る作用を示す図であ
る。温調チャンバ１０１のレチクルカセット交換用開口
部１０５には散乱光限定手段２５０の一方の開口部およ
び搬入出手段２５１の開口部が係合するように取り付け
られていて、搬入出手段２５１は散乱光限定手段２５０
の内部で回転軸２５２の回りを回転する。図４（ａ）
は、搬入出手段２５１の開口部が温調チャンバ１０１側
の位置にある状態を示し、この状態において温調チャン
バ１０１の外部にいるオペレータが搬入出手段２５１の
内部に対してレチクルケース２２２を出し入れすること
ができる。図４（ｂ）は、搬入出手段２５１の開口部が
温調チャンバ１０１の反対側にある状態を示し、この状
態においてレチクルロボット２２１が搬入出手段２５１
の内部に対してレチクルケース２２２を出し入れするこ
とができる。
る。温調チャンバ１０１のレチクルカセット交換用開口
部１０５には散乱光限定手段２５０の一方の開口部およ
び搬入出手段２５１の開口部が係合するように取り付け
られていて、搬入出手段２５１は散乱光限定手段２５０
の内部で回転軸２５２の回りを回転する。図４（ａ）
は、搬入出手段２５１の開口部が温調チャンバ１０１側
の位置にある状態を示し、この状態において温調チャン
バ１０１の外部にいるオペレータが搬入出手段２５１の
内部に対してレチクルケース２２２を出し入れすること
ができる。図４（ｂ）は、搬入出手段２５１の開口部が
温調チャンバ１０１の反対側にある状態を示し、この状
態においてレチクルロボット２２１が搬入出手段２５１
の内部に対してレチクルケース２２２を出し入れするこ
とができる。
【００１３】（第２の実施例）本発明の第２の実施例
は、前記第１の実施例と同様な構成の半導体露光装置に
対して実装可能であって前記第１の実施例とは異なる散
乱光限定手段および搬入出手段に関するものである。
は、前記第１の実施例と同様な構成の半導体露光装置に
対して実装可能であって前記第１の実施例とは異なる散
乱光限定手段および搬入出手段に関するものである。
【００１４】図５は本発明の第２の実施例に係る散乱光
限定手段２５５および搬入出手段２５６の詳細を示す図
である。図５（ａ）に斜視図を示す散乱光限定手段２５
５の正面には、下部に開口部を備える。図５（ｂ）に斜
視図を示す散乱光限定手段２５５の裏面には、上部に開
口部を備える。図５（ｃ）においては、搬入出手段２５
６およびその内部に置かれたレチクルケース２２３を示
している。
限定手段２５５および搬入出手段２５６の詳細を示す図
である。図５（ａ）に斜視図を示す散乱光限定手段２５
５の正面には、下部に開口部を備える。図５（ｂ）に斜
視図を示す散乱光限定手段２５５の裏面には、上部に開
口部を備える。図５（ｃ）においては、搬入出手段２５
６およびその内部に置かれたレチクルケース２２３を示
している。
【００１５】図６は本実施例に係る作用を示す図であ
る。同図において、温調チャンバ１０１の開口部１０５
（図１参照）には散乱光限定手段２５５の正面下部の開
口部が係合するように取り付けられていて、搬入出手段
２５６は散乱光限定手段２５５の内部で上下に移動す
る。
る。同図において、温調チャンバ１０１の開口部１０５
（図１参照）には散乱光限定手段２５５の正面下部の開
口部が係合するように取り付けられていて、搬入出手段
２５６は散乱光限定手段２５５の内部で上下に移動す
る。
【００１６】図６（ａ）は、搬入出手段２５６がレチク
ルケース２２３を載せた状態で散乱光限定手段２５５内
部を移動している状態を示している。図６（ｂ）は、搬
入出手段２５６がレチクルケース２２３を載せた状態で
散乱光限定手段２５５の内部の最上端に停止している状
態を示している。装置外部のオペレータは搬入出手段２
５６が散乱光限定手段２５５の内部で最下端に停止して
いるとき、搬入出手段２５６の内部に対してレチクルケ
ース２２３を出し入れすることができる。また、レチク
ルロボット２２１は搬入出手段２５６が散乱光限定手段
２５５の内部で最上端に停止しているとき、搬入出手段
２５６の内部に対してレチクルケース２２３を出し入れ
することができる。
ルケース２２３を載せた状態で散乱光限定手段２５５内
部を移動している状態を示している。図６（ｂ）は、搬
入出手段２５６がレチクルケース２２３を載せた状態で
散乱光限定手段２５５の内部の最上端に停止している状
態を示している。装置外部のオペレータは搬入出手段２
５６が散乱光限定手段２５５の内部で最下端に停止して
いるとき、搬入出手段２５６の内部に対してレチクルケ
ース２２３を出し入れすることができる。また、レチク
ルロボット２２１は搬入出手段２５６が散乱光限定手段
２５５の内部で最上端に停止しているとき、搬入出手段
２５６の内部に対してレチクルケース２２３を出し入れ
することができる。
【００１７】（デバイス生産方法の実施例）次に上記説
明したレーザ加工装置のひとつである露光装置を利用し
たデバイスの生産方法の実施例を説明する。図７は微小
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイ
スのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）
では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。
明したレーザ加工装置のひとつである露光装置を利用し
たデバイスの生産方法の実施例を説明する。図７は微小
デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイ
スのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）
では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。
【００１８】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したレーザ加工装置のひ
とつである露光装置によってマスクの回路パターンをウ
エハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光し
たウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では
現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１
９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形
成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明したレーザ加工装置のひ
とつである露光装置によってマスクの回路パターンをウ
エハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光し
たウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では
現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１
９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となっ
たレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行
なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形
成される。
【００１９】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、被照射体をレーザ光に
よって照射中のレーザ加工装置に対しても、他の被照射
体を搬入あるいは搬出することができる。
よって照射中のレーザ加工装置に対しても、他の被照射
体を搬入あるいは搬出することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の概
観を示す斜視図である。
観を示す斜視図である。
【図２】 図１の装置の内部構造を示す図である。
【図３】 本発明の第１の実施例の詳細を示す図であ
る。
る。
【図４】 本発明の第１の実施例の作用を示す図であ
る。
る。
【図５】 本発明の第２の実施例の詳細を示す図であ
る。
る。
【図６】 本発明の第２の実施例の作用を示す図であ
る。
る。
【図７】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図８】 図７におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１０１：温調チャンバ、１０２：ウエハカセット交換用
ドア、１０３：タッチパネル付きディスプレイ、１０
４：操作パネル、１０５：レチクルカセット交換用開口
部、１０６：レーザ発振開始ボタン、２０２：レチク
ル、２０３：ウエハ、２０４：レーザ光源装置、２０
５：照明光学系、２０６：投影光学レンズ、２０７：レ
チクルステージ、２０９：ウエハステージ、２２０：レ
チクルライブラリ、２２１：レチクルロボット、２２
２：レチクルケース、２２３：レチクルケース、２３
０：ウエハカセットエレベータ、２３１：ウエハ搬入出
ロボット、２３２：プリアライメントユニット、２３
３：ウエハ供給ハンド、２３４：インラインステーショ
ン、２５０：散乱光限定手段、２５１：搬入出手段、２
５２：搬入出手段２５１の回転軸、２５５：散乱光限定
手段、２５６：搬入出手段、２８１：レチクル光学系、
２８２：オフアクシス顕微鏡、２９１：ウエハチャッ
ク、３５０：散乱光限定手段、３５１：搬入出手段。２
ドア、１０３：タッチパネル付きディスプレイ、１０
４：操作パネル、１０５：レチクルカセット交換用開口
部、１０６：レーザ発振開始ボタン、２０２：レチク
ル、２０３：ウエハ、２０４：レーザ光源装置、２０
５：照明光学系、２０６：投影光学レンズ、２０７：レ
チクルステージ、２０９：ウエハステージ、２２０：レ
チクルライブラリ、２２１：レチクルロボット、２２
２：レチクルケース、２２３：レチクルケース、２３
０：ウエハカセットエレベータ、２３１：ウエハ搬入出
ロボット、２３２：プリアライメントユニット、２３
３：ウエハ供給ハンド、２３４：インラインステーショ
ン、２５０：散乱光限定手段、２５１：搬入出手段、２
５２：搬入出手段２５１の回転軸、２５５：散乱光限定
手段、２５６：搬入出手段、２８１：レチクル光学系、
２８２：オフアクシス顕微鏡、２９１：ウエハチャッ
ク、３５０：散乱光限定手段、３５１：搬入出手段。２
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ光の散乱光が装置外部に洩れる経
路を、被照射体または被照射体を収納するケースが移動
する経路を含む特定の形状を有する平面または空間に限
定する散乱光限定手段と、前記散乱光限定手段が限定す
る平面または空間に係合してレーザ光の散乱光を遮光し
つつ前記被照射体または前記ケースを保持して移動する
ことにより、レーザ光を照射する空間とその外部との間
で前記被照射体または前記ケースを搬入出する搬入出手
段とを備えることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 回路パターンを形成されたレチクルを前
記被照射体とし、前記レーザ光をこの被照射体に照射し
て前記回路パターンを感光基板に転写する露光装置であ
ることを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のレーザ加工装
置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10362206A JP2000182946A (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | レーザ加工装置 |
| US09/310,993 US6466838B1 (en) | 1998-05-14 | 1999-05-13 | Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| US10/202,904 US20020191167A1 (en) | 1998-05-14 | 2002-07-26 | Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10362206A JP2000182946A (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182946A true JP2000182946A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18476264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10362206A Pending JP2000182946A (ja) | 1998-05-14 | 1998-12-21 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182946A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009536580A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | トルンプ・レーザー・ウント・システムテクニーク・ゲーエムベーハー | 工作機械、具体的には、レーザ工作機械の分散化制御のための方法 |
-
1998
- 1998-12-21 JP JP10362206A patent/JP2000182946A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009536580A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | トルンプ・レーザー・ウント・システムテクニーク・ゲーエムベーハー | 工作機械、具体的には、レーザ工作機械の分散化制御のための方法 |
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