JPS59213043A - 光デイスク原盤の型製造方法 - Google Patents
光デイスク原盤の型製造方法Info
- Publication number
- JPS59213043A JPS59213043A JP8533783A JP8533783A JPS59213043A JP S59213043 A JPS59213043 A JP S59213043A JP 8533783 A JP8533783 A JP 8533783A JP 8533783 A JP8533783 A JP 8533783A JP S59213043 A JPS59213043 A JP S59213043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- thickness
- depth
- photoresist layer
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａ１８１発明術分野
本発明は光ディスクの製造方法に係り、とくに光デイス
クプリグループ原盤用の型の製造方法に関する。
クプリグループ原盤用の型の製造方法に関する。
（ｂｌ技術の背景
光ディスクは従来の磁気記録方式に比して高密度、高品
質の記録・再生が可能なものとして近年注目されており
、情報処理の分野においてもデジタル信号の記録・再生
用装置の開発が進められている。
質の記録・再生が可能なものとして近年注目されており
、情報処理の分野においてもデジタル信号の記録・再生
用装置の開発が進められている。
該光ディスクにおいては、通當、情報が書込まれる前の
ディスクをプリグループと称している。
ディスクをプリグループと称している。
すなわち、該プリグループは第１図に示すような樹脂等
から成る円盤１であって、その表面には情報が書込まれ
る溝１１部分と、書込み情報の該光デイスク上における
位置情報を与えるためのピット１２から成るビット列部
分とがあらかしめ形成されている。ちなみに、該ｆ１１
１は深さがλ／８ （λは光ビームの波壜）、幅が０．
８μｍ、また該ピットＩ２は深さがλ／４、幅（すなわ
ち短径）が約０．８μｍの楕円孔である。
から成る円盤１であって、その表面には情報が書込まれ
る溝１１部分と、書込み情報の該光デイスク上における
位置情報を与えるためのピット１２から成るビット列部
分とがあらかしめ形成されている。ちなみに、該ｆ１１
１は深さがλ／８ （λは光ビームの波壜）、幅が０．
８μｍ、また該ピットＩ２は深さがλ／４、幅（すなわ
ち短径）が約０．８μｍの楕円孔である。
なお、実際の書込み情報ば該溝１１の底面に、該底面の
光反射率が変化するようにしてビ・ノド状に形成される
のである。
光反射率が変化するようにしてビ・ノド状に形成される
のである。
（ｃｌ従来技術と問題点
」１記のようなプリグループ板は、これに対する蝿１１
１型となる原盤を用いて多数複製されるのであるが、該
原盤の製造方法の概要を第２図を用いて簡単に説明する
。
１型となる原盤を用いて多数複製されるのであるが、該
原盤の製造方法の概要を第２図を用いて簡単に説明する
。
まず、ガラス等の円盤１にフォトレジストＭ２を形成す
る〔第２図（Ａ）〕。この場合、該フ第１・レジスト層
２の厚さは少なくとも前記プリグループにおける溝ある
いはピントの深さ以上であることが必要である。つぎに
該フォトレジスト層２にり１して所定の太さの光ビーム
３を所定時間照射し、前記溝部分および前記ピント部分
に対応する部分の露光を行う〔第２図（Ｂ）〕。この場
合、前記溝部分と前記ビット部分に対応するそれぞれの
部分が、例えば前記のような深さと幅で易溶性となるよ
うに露光条件、すなわち光ビーム強度と照射時間を制御
する。図において４は易溶性となった部分を示す。
る〔第２図（Ａ）〕。この場合、該フ第１・レジスト層
２の厚さは少なくとも前記プリグループにおける溝ある
いはピントの深さ以上であることが必要である。つぎに
該フォトレジスト層２にり１して所定の太さの光ビーム
３を所定時間照射し、前記溝部分および前記ピント部分
に対応する部分の露光を行う〔第２図（Ｂ）〕。この場
合、前記溝部分と前記ビット部分に対応するそれぞれの
部分が、例えば前記のような深さと幅で易溶性となるよ
うに露光条件、すなわち光ビーム強度と照射時間を制御
する。図において４は易溶性となった部分を示す。
ついでフォトレジスト層２全体を現像液により処理して
該易溶性部分４を溶解除去する（第２図〈Ｃ）〕。この
フォトレジスト層２面に対して、例えばニッケル等の厚
メッキ層５ （厚さ３００μｍ〜１ ｍｍ）を施し〔第
２図（Ｄ）） 、そののちフォトレジスト層２全体を溶
剤によって熔解除去して原盤６を得る〔第２図（Ｅ）〕
。
該易溶性部分４を溶解除去する（第２図〈Ｃ）〕。この
フォトレジスト層２面に対して、例えばニッケル等の厚
メッキ層５ （厚さ３００μｍ〜１ ｍｍ）を施し〔第
２図（Ｄ）） 、そののちフォトレジスト層２全体を溶
剤によって熔解除去して原盤６を得る〔第２図（Ｅ）〕
。
第２図（Ｅ）においてｔおよびＷがプリグループ板にお
げろ前記溝部分あるいはピント部分のそれぞれ深さおよ
び幅を決めることになり、これらの値は第２図（Ｂ）に
おいて形成されたフォトレジストＭ２の易溶性部分４の
形状によって決まる。
げろ前記溝部分あるいはピント部分のそれぞれ深さおよ
び幅を決めることになり、これらの値は第２図（Ｂ）に
おいて形成されたフォトレジストＭ２の易溶性部分４の
形状によって決まる。
従来、この種のフォトレジストは半導体素子のパターン
形成におけるエツチング用マスクとして用いられていた
ものであり、この場合には該フォトレジスト１％の厚さ
は１μｍ以上、またパターン幅は１〜数μｍ、程度の比
較的大きな厚さと幅で扱われており、また、非露光部分
の溶解によるフォトレジスト層厚の減少は実質的に問題
とされないような使用条件にあった。
形成におけるエツチング用マスクとして用いられていた
ものであり、この場合には該フォトレジスト１％の厚さ
は１μｍ以上、またパターン幅は１〜数μｍ、程度の比
較的大きな厚さと幅で扱われており、また、非露光部分
の溶解によるフォトレジスト層厚の減少は実質的に問題
とされないような使用条件にあった。
しかしながら、上記のような光デイスクプリグループ原
盤の型を対象とする場合には、前記のように厚さがλ／
）３ （信号読出し用光ビームとして、例えば波長が約
８００ｎｍの半導体レーザ光を用いた場合で１０１００
ｎ 、また前記溝幅等が０．８μｍ程度と、従来の使用
条件に比べて極端に薄く、かつ細い幅を扱うことになり
、前記非露光部分の溶解を無視することができなくなる
のである。すなわち、本発明を適用する分野においては
、従来技術においては問題とされなかった非露光部分の
熔解を考慮して、実際に得られる最終深さおよび幅が所
定深さおよび幅となるような露光および現像条件を新た
に開発することが必要とされていたのである。
盤の型を対象とする場合には、前記のように厚さがλ／
）３ （信号読出し用光ビームとして、例えば波長が約
８００ｎｍの半導体レーザ光を用いた場合で１０１００
ｎ 、また前記溝幅等が０．８μｍ程度と、従来の使用
条件に比べて極端に薄く、かつ細い幅を扱うことになり
、前記非露光部分の溶解を無視することができなくなる
のである。すなわち、本発明を適用する分野においては
、従来技術においては問題とされなかった非露光部分の
熔解を考慮して、実際に得られる最終深さおよび幅が所
定深さおよび幅となるような露光および現像条件を新た
に開発することが必要とされていたのである。
（ｄｉ発明の目的
本発明の目的とするところは、光デイスクプリグループ
原盤用の型の製造に適したフォトレジスト層厚、露光お
よび現像条件を開示することにある。
原盤用の型の製造に適したフォトレジスト層厚、露光お
よび現像条件を開示することにある。
（ｅ１発明の構成
本発明における第一の発明は、平面基板表面にフォトレ
ジスト層を形成し、該フォトレジスト層に光ビームによ
って所定形状のパターンを露光したのちこれを現像する
ことによって、光デイスクプリグループ原盤用の型を製
造する方法において、該フオトレジスｌ−Ｈの厚さおよ
び該光ビームの太さのそれぞれをプリグループにおける
溝の深さより大および該溝の幅より小とし、高濃度の現
像液を用いることを特徴とし、第二の発明は、平面基板
表面にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層
に光ビームによって所定形状のパターンを露光したのら
これを現像することによって、光デイスクプリグループ
原盤用の型を製造する方法において、該フォトレジスト
層の厚さおよび該光ビームの太さのそれぞれをプリグル
ープにおりる溝の深さおよび幅と等しくし、低濃度の現
像液を用いることを特徴とする。
ジスト層を形成し、該フォトレジスト層に光ビームによ
って所定形状のパターンを露光したのちこれを現像する
ことによって、光デイスクプリグループ原盤用の型を製
造する方法において、該フオトレジスｌ−Ｈの厚さおよ
び該光ビームの太さのそれぞれをプリグループにおける
溝の深さより大および該溝の幅より小とし、高濃度の現
像液を用いることを特徴とし、第二の発明は、平面基板
表面にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層
に光ビームによって所定形状のパターンを露光したのら
これを現像することによって、光デイスクプリグループ
原盤用の型を製造する方法において、該フォトレジスト
層の厚さおよび該光ビームの太さのそれぞれをプリグル
ープにおりる溝の深さおよび幅と等しくし、低濃度の現
像液を用いることを特徴とする。
ｆｆ１発明の実施例
以下に本発明の実施例の詳細を説明する。
本発明の要旨は、現像液が高濃度の場合には前記非露光
部分の溶解速度が大きいために、熔解除去されるツメｌ
−レジスト層の溝幅ば露光部分を超えて現像時間ととも
に増大するので、露光には該溝幅より小さい径の光ビー
ムを用い、また、溝の深さについては、現像中における
該露光部分と光露光部分との溶解速度の差によって決定
されるので、非露光部分の溶解量をあらかじめ見積って
おき、少なくともこの分を溝の所定の深さに加算した厚
さにフォトレジスト層を形成しておくことによって所定
の深さおよび幅を有する光デイスクプリグループ原盤用
の型を得、一方、現像液が、前記非露光部分の／８解が
無視できる程度に低い濃度の場合には、露光には所定溝
幅と等しい径の光ビームを用い、また、フォトレジスト
層を溝の所定深さと同厚に形成することによって所定深
さおよび幅を有する光デイスクプリグループ原盤用の型
を得るのである。
部分の溶解速度が大きいために、熔解除去されるツメｌ
−レジスト層の溝幅ば露光部分を超えて現像時間ととも
に増大するので、露光には該溝幅より小さい径の光ビー
ムを用い、また、溝の深さについては、現像中における
該露光部分と光露光部分との溶解速度の差によって決定
されるので、非露光部分の溶解量をあらかじめ見積って
おき、少なくともこの分を溝の所定の深さに加算した厚
さにフォトレジスト層を形成しておくことによって所定
の深さおよび幅を有する光デイスクプリグループ原盤用
の型を得、一方、現像液が、前記非露光部分の／８解が
無視できる程度に低い濃度の場合には、露光には所定溝
幅と等しい径の光ビームを用い、また、フォトレジスト
層を溝の所定深さと同厚に形成することによって所定深
さおよび幅を有する光デイスクプリグループ原盤用の型
を得るのである。
上記のような現像液の濃度の違いによって現像されたフ
ォトレジスト層の溶解除去部分の性状に相違が現れるの
で、該型における溝の深さ、幅に対する要求条件ととも
に、前記のような溶解除去部分の性状を考慮して上記の
いずれかを彦択し、該型の製造条件を設定すればよいの
である。
ォトレジスト層の溶解除去部分の性状に相違が現れるの
で、該型における溝の深さ、幅に対する要求条件ととも
に、前記のような溶解除去部分の性状を考慮して上記の
いずれかを彦択し、該型の製造条件を設定すればよいの
である。
実施例１゜
厚さ６ｍｍ 、直径１４インチ（約３６ｍｍ）の研磨ガ
ラス円板の片面に、マイクロポジット３３００−３１
（シソプレイ社製）をスピンコード法により３０００人
の厚さに塗布してフォトレジスト層′層を形成した。該
フォトレジスト層に対して、アルゴンレーザを光源とし
、レンズ系を用いて集束された径ｏ、４μｍの光ビーム
（波長４５７ｎｍ）を照射して露光を行った。この場合
の露光エネルギー量は３５町ｏ ｕ Ｉ ［！ ／ Ｃ
ＩＡであった。
ラス円板の片面に、マイクロポジット３３００−３１
（シソプレイ社製）をスピンコード法により３０００人
の厚さに塗布してフォトレジスト層′層を形成した。該
フォトレジスト層に対して、アルゴンレーザを光源とし
、レンズ系を用いて集束された径ｏ、４μｍの光ビーム
（波長４５７ｎｍ）を照射して露光を行った。この場合
の露光エネルギー量は３５町ｏ ｕ Ｉ ［！ ／ Ｃ
ＩＡであった。
これをマイクロポジット３１２：水−１，２： １の容
積比で希釈した高濃度現像液を用いて現像し、上記露光
部分を熔解除去した。この場合の現像時間は約６０ｓｅ
ｃであった。
積比で希釈した高濃度現像液を用いて現像し、上記露光
部分を熔解除去した。この場合の現像時間は約６０ｓｅ
ｃであった。
上記の結果、所定値通りの溝深さ７００人と溝幅０．１
１ｔｍを有する型が得られた。
１ｔｍを有する型が得られた。
実施例２゜
実施例１．と四槌の研磨ガラス円板の片面に、マイクロ
ポジット３３００−３１ （同」−）をスピンコー［法
により７００人の厚さに塗布してフォトレジスト層を形
成した。該フォトレジスト層に対して、アルゴンレーザ
を光源とし、レンス系をも１Ｆ束された１条０．７μｍ
の光ビーム（波長４５７ｎｍ）を照射して露光を行った
。この場合の露光エネルギー量は３５ｍｊ ｏｕ Ｉｅ
／ ｃＡであった。
ポジット３３００−３１ （同」−）をスピンコー［法
により７００人の厚さに塗布してフォトレジスト層を形
成した。該フォトレジスト層に対して、アルゴンレーザ
を光源とし、レンス系をも１Ｆ束された１条０．７μｍ
の光ビーム（波長４５７ｎｍ）を照射して露光を行った
。この場合の露光エネルギー量は３５ｍｊ ｏｕ Ｉｅ
／ ｃＡであった。
これをマイクロポジット３１２：水−１５の容積比で希
釈した低濃度現像液を用い゛（現像し、」１記露光部分
を／８解除去した。この場合の現像時間は約１８０ｓｅ
ｃであった◇ 上記の結果、所定値通りの溝深さ７００人と溝幅０．７
μｍを有する型が得られた。
釈した低濃度現像液を用い゛（現像し、」１記露光部分
を／８解除去した。この場合の現像時間は約１８０ｓｅ
ｃであった◇ 上記の結果、所定値通りの溝深さ７００人と溝幅０．７
μｍを有する型が得られた。
（ｇ１発明の効果
本発明によれば、光デイスクプリグループ原盤用の高精
度の型を再現性よく製造可能とする効果がある。
度の型を再現性よく製造可能とする効果がある。
第１図は光デイスクプリグループの綱要構成を示す図、
第２図は光デイスクプリグループ原盤の製造工程の概要
を説明するための図である。 図において、１ば円盤、２は〕第１・レシスＩＪ？；１
．３は光ビーム、４ば易溶性部分、５は厚メ・ツキ層、
６は原盤、１１は溝、１２はピットである。
第２図は光デイスクプリグループ原盤の製造工程の概要
を説明するための図である。 図において、１ば円盤、２は〕第１・レシスＩＪ？；１
．３は光ビーム、４ば易溶性部分、５は厚メ・ツキ層、
６は原盤、１１は溝、１２はピットである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１，１平面基板表面にツメ１−レジスト層を形成し、
該ソ、ｉトレジス１一層に光ビームによっ゛Ｃ所定形状
のパターンを露光したのぢこれを現像することによって
、光デイスクプリグループ原盤用の型を製造する方法に
おいて、該フメトレジスト層の厚さおよび該光ヒームの
太さのそれぞれをプリグループにおりる溝の深さより大
および該溝の幅より小とし、高濃度の現像液を用いるこ
とを特徴とする光デイスク原盤の型製造方法。。 （２）甲面基鈑表面にツメ１−レジスト層を形成し、該
フＡトレジヌ１一層に光ビームによっ゛ζ所定形状のパ
ターンを露光したのちこれを現ｆ象することによっζ、
光デイスクプリグループ原盤用の型を製造する方法にお
いて、該フォトレジス１−１−の厚さおよび該光ヒーム
の太さのそれぞれをプリグループにお＆Ｊる溝の深さお
よび幅と等しくし、低濃度の現像液を用いることを特徴
とする光デイスク原盤の型製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8533783A JPS59213043A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 光デイスク原盤の型製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8533783A JPS59213043A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 光デイスク原盤の型製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213043A true JPS59213043A (ja) | 1984-12-01 |
Family
ID=13855823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8533783A Pending JPS59213043A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 光デイスク原盤の型製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213043A (ja) |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8533783A patent/JPS59213043A/ja active Pending
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