JPH0556570B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜発明の技術分野＞ 本発明は光により情報の記録、再生、消去の少
くとも一つの動作を行なう光メモリ素子の製造方
法に関するものであり、更に詳細には光メモリ素
子のガイドトラツク溝部及びトラツク番地の形成
方法に関するものである。

＜発明の技術的背景とその問題点＞ 近年、光メモリ素子は高密度大容量のメモリ素
子として注目されている。この光メモリ素子はそ
の使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可
能メモリ及び書き換え可能メモリの３種に分ける
ことが出来る。

このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可
能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の
記録、再生を行う光ビームを光メモリ素子の所定
の位置に案内するためにガイドトラツク番地及び
ガイドトラツクを通常備えている。

例えば、第５図に示す如き光デイスクメモリで
はその基板１にガイドトラツク３及びそのガイド
トラツクの番地信号部２が同心もしくは螺旋状に
形成されている。なお、第５図においては簡略化
して１本のトラツク３及び番地２のみを示してい
る。

第６図は上記した第５図に示した光デイスクメ
モリのトラツク３に沿つたデイスク断面の一部拡
大図である。

第６図においてデイスク基板１は例えばガラス
あるいはPMMA等の樹脂製の透明基板であり、
また４は光硬化性樹脂層であり、この樹脂層４に
番地信号部２及びガイドトラツク３が形成されて
いる。この番地信号部２及びガイドトラツク３の
深さはそれぞれ通常λ／4n及びλ／8nに設定さ
れている（但し、λは光メモリ素子に使用するレ
ーザ光等の波長であり、通常は780nｍあるいは
830nｍの半導体レーザの波長であり、またｎは
樹脂層４の屈折率であり、通常1.4〜1.6の値であ
る）。このように番地信号に対してはその再生信
号を最大にするためにガイドトラツクに対しては
トラツキングサーボ出力が最大になるように各々
の深さが設定されている。

このガイドトラツク３および番地信号部２はデ
イスク基板１がPMMA等の樹脂製の場合には射
出成型で基板作製と同時に形成してしまうか、第
６図のように光硬化樹脂を用いて2P法で形成す
るかが一般的である。

一方、デイスク基板１としてガラス基板を用い
た場合には2P法で形成するのが、普通である。

本出願人は先に特願昭58−84613「光メモリ素子
の製造方法」でガラス基板に直接ガイド番地２お
よびガイドトラツク３を形成する方法を提案し
た。この本出願人が先に提案した方法によると基
板と記録媒体の間に樹脂層が介在しないため樹脂
層に含まれる水分による記録媒体の劣化を考える
必要がないため、光メモリ素子の長期に渡る信頼
性が確立される。

＜発明の目的＞ 本発明は先に提案したガラス基板にガイド番地
およびガイドトラツクを形成する方法を改良し番
地信号とガイドトラツクの深さと異ならせるよう
にした光メモリ素子の製造方法を提供するこを目
的とし、この目的を達成するため、本発明の光メ
モリ素子の製造法は光メモリ素子の基板となるガ
ラス基板にレジストを塗布し、このレジストの塗
布されたガラス基板にガイドトラツク溝部を１度
露光すると共にトラツク番地部を二度露光するこ
とにより上記のガイドトラツク溝部とトラツク番
地部の深さが異なるレジスト付ガラス板を形成
し、このレジスト付ガラス板を形成した後、リア
クテイブイオンエツチングを行なつて上記のガラ
ス基板に深さの異なるガイドトラツク溝部及びト
ラツク番地部を形成するように成されている。

＜発明の実施例＞ 以下、本発明に係る光メモリ素子の製造方法の
一実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図ａ〜ｆは本発明に係る光メモリ素子の製
造方法の特に基板の製法を工程順に示す説明図で
あり、同図に従い本発明に係る光メモリ素子基板
の製法を一実施例を工程順に説明する。

工程(i)…第１図ａに示すように酸素水分等の通
過に対して信頼性の高い（酸素水分等を通過させ
たりしたい）ガラス基板１′の上にポジ型すなわ
ち光のあたつた部分が現像により除去されるレジ
ストを塗布する。

工程(ii)…第１図ｂに示すように上記ガラス基板
１′上に塗布したレジスト膜５にCr等によりガイ
ド番地あるいはガイドトラツクを形成したマスク
（基板が６でCr部分が７で表わされている）を密
着させ、紫外線９を照射させる。この第１図ｂの
断面は第６図と同じくガイドトラツクに沿つた部
分の断面であり、８の部分がガイドトラツクに、
Crの部分７が番地信号になる。

工程(iii)…工程(ii)の終了後第１図ｃに示すように
他のマスク６′を用い、ガイド番地部にのみ紫外
線９を照射する。たとえばこの時のマスクは第２
図に示すように番地信号部２１だけ紫外線が通る
ようになつている。

工程(iv)…工程(iii)を経過した後、第１図にひ示す
ようにレジスト付き基板１′を現像してレジスト
に番地信号２とガイドトラツク３を形成する。こ
の時、ガイドトラツク部３には約70nｍのレジス
ト１０が残り番地信号部２はガラス基板が露出す
るよう、時間コントロールを行なう。

工程(v)…工程(iv)を通過した後の基板１′をCF₄、
CHE₃等のエツチングガス中でリアクテイブイオ
ンエツチングを行なつて基板１′に第１図にｅに
示すように番地信号部２およびガイドトラツク部
３を形成する。この時ガイドトラツク部３をλ／
8nの深さにし番地信号部をλ／4nの深さにする。
なお１１はリアクテイブイオンエツチング後も残
つたレジスト部分である。

工程(vi)…第１図ｆに示すように上記レジスト膜
１１をアセトン等の溶剤で除去するか又はO₂中
でスパツタリングして除去する。この結果ガラス
基板１′の所望の番地信号部２及びガイドトラツ
ク部３げ形成される。

上記各工程における諸条件は製造装置の性能に
より大きく異なるがたとえば次の点に注意をはか
らえば良い。

レジスト膜厚 工程(v)のリアクテイブイオンエツチング後も
番地信号部の凹部は残る必要がある。又、現像
工程(iv)で一部はガラス面が露出する位が良い。

露光工程および現像工程 原理的には高原を出来るだけ弱くし、現像液
をできるだけ薄くしておくと、露出時間、現像
時間が長くなり、時間設定が容易となる。

エツチング速度はガラスとレジストがほぼ同
程度が良い。

たとえば第３図にCHF₃ガスでエツチングした
時のエツチングレートを、自己バイアスの関数と
して示している。

この第３図から明らかなようにCHF₃ガス用い
真空度27mTorr程度でエツチングすると、ほぼ
この条件は充たされる。

第１図の本発明の一実施例の説明では第２と第
３の工程で２枚のマスクを用いているが、この時
２枚のマスクの位置精度は図に示すごとく正確で
なくても良い。たとえば第２の工程終了後、第４
図に示すごとく紫外線をカツトするフイルム１１
をマスク６に重ねても良い。このような構成によ
り紫外線はマスク基板６の通過の際回折によつて
ガイドトラツク上に回り込むがトラツク番地領域
は数100μｍの精度で良いため特に問題は生じな
い。

又、第４の工程でトラツク番地部分をガラス面
まで現像したがエツチング条件さえコントロール
出来ればレジスト面の深さがトラツク番地部の方
が深く、ガイドトラツク部が浅くしておけば良
い。

＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、光メモリ素子の
ガラス基板にガイド番地部及びガイドトラツク部
を深さを異ならせて容易に形成することが出来る
ため、サーボ信号を良好に取り出し得る光メモリ
素子を得ることが出来ると共に、ガイド番地部及
びガイドトラツク部の形成に樹脂材を用いないた
め、酸素あるいは水分等が記録媒体に達すること
を防止することが出来るため、信頼性の高い光メ
モリ素子を作成することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ乃至ｆはそれぞれ本発明に係る光メモ
リ素子の基板の製法の一実施例を説明するための
図、第２図は本発明の実施に際して用いられるマ
スクの一例を示す図、第３図はガラスとレジスト
のエツチング速度の一例を示す図、第４図は本発
明の他の実施例を示す図、第５図は光メモリ円板
に設けられたガイドトラツク部と番地部を示す概
念図、第６図は従来の光メモリ素子のガイドトラ
ツクに沿つた断面の一部拡大図である。 ２……トラツク番地部、３……ガイドトラツク
溝部、５……レジスト膜、６……マスク基板、９
……紫外線、１′……ガラス基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 光メモリ素子の基板となるガラス基板にレジ
   ストを塗布し、該レジストの塗布されたガラス基
   板にガイドトラツク溝部を一度露光すると共にト
   ラツク番地部を二度露光することにより上記ガイ
   ドトラツク溝部とトラツク番地部の深さが異なる
   レジスト付ガラス板を形成し、該レジスト付ガラ
   ス板を形成した後リアクテイブイオンエツチング
   を行なつて上記ガラス基板に深さの異なるガイド
   トラツク溝部及びトラツク番地部を形成するよう
   に成したことを特徴とする光メモリ素子の製造方
   法。