JPH0312838A - 光ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0312838A JPH0312838A JP14689589A JP14689589A JPH0312838A JP H0312838 A JPH0312838 A JP H0312838A JP 14689589 A JP14689589 A JP 14689589A JP 14689589 A JP14689589 A JP 14689589A JP H0312838 A JPH0312838 A JP H0312838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- substrate
- optical disk
- film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 5
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はあらかじめ情報信号を記録する光ディスク基板
の製造方法に関し、詳しくは、ユーザなどが該情報信号
の再生を行う再生専用型の光ディスク用基板叉はプリフ
ォーマット信号付きの追記型光ディスク用基板の製造方
法に関する。
の製造方法に関し、詳しくは、ユーザなどが該情報信号
の再生を行う再生専用型の光ディスク用基板叉はプリフ
ォーマット信号付きの追記型光ディスク用基板の製造方
法に関する。
第２図は従来の光ディスク基板の製造工程を示すブロッ
ク図である。まず、ガラス基板を洗浄し、フォトレジス
トの付着力を強化するための下地処理をそのガラス基板
に施した後、スピンコードによりフォトレジストを塗布
する。次に情報信号で変調したＡｒレーザ光などにより
、フォトレジストを露光し、その後現像することにより
光ディスク原版を得る。
ク図である。まず、ガラス基板を洗浄し、フォトレジス
トの付着力を強化するための下地処理をそのガラス基板
に施した後、スピンコードによりフォトレジストを塗布
する。次に情報信号で変調したＡｒレーザ光などにより
、フォトレジストを露光し、その後現像することにより
光ディスク原版を得る。
このようにして得られただ光ディスク原版の情報信号形
成面にＮｉ蒸着等により導体化処理を行った後に、Ｎｉ
メツキを施してＮｉスタンバを作製する。
成面にＮｉ蒸着等により導体化処理を行った後に、Ｎｉ
メツキを施してＮｉスタンバを作製する。
そして必要に応じて３段階のメツキを行い、Ｎｉマスタ
ーおよびＮｉマザーを作製した後に、複数のＮｉスタン
パを作製する。
ーおよびＮｉマザーを作製した後に、複数のＮｉスタン
パを作製する。
次にこのＮｉスタンパを、射出成形あるいは２１法等に
よる基板成形型として、アクリル樹脂あるいはポリカー
ボネート樹脂等に情報信号ピットを転写し光ディスク基
板を得ている。
よる基板成形型として、アクリル樹脂あるいはポリカー
ボネート樹脂等に情報信号ピットを転写し光ディスク基
板を得ている。
ところが上記の光ディスク基板の製造法では、射出成形
あるいは２ｐ法等により信号パターンを光ディスク基板
面に転写していため成形歪み等が発生し易く、信号パタ
ーンが正確に転写されないことがあり、また信号列の蛇
行発生によりトラッキングあるいは信号再生性能が低下
するという欠点があった。
あるいは２ｐ法等により信号パターンを光ディスク基板
面に転写していため成形歪み等が発生し易く、信号パタ
ーンが正確に転写されないことがあり、また信号列の蛇
行発生によりトラッキングあるいは信号再生性能が低下
するという欠点があった。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、案内溝及びプレピットの寸法精度が高く、ま
たその均一性も高く、更に歪みも少ない高品質な光ディ
スク基板を得ることができる製造方法を提供することで
ある。
の目的は、案内溝及びプレピットの寸法精度が高く、ま
たその均一性も高く、更に歪みも少ない高品質な光ディ
スク基板を得ることができる製造方法を提供することで
ある。
このために本発明は、第１の基板上に無機薄膜及びフォ
トレジストを順次積層形成し、該フォトレジストに光ビ
ーム叉は電子ビームによりＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ叉は追記
型光ディスクのプリフォーマツ１への信号の潜像を記録
し、その後にこれを現像し、現像後のフォトレジストを
マスクとして上記無ａ薄膜をエツチングし、このエツチ
ングにより形成した信号ピッ］・部分を光透過部分とす
るマスクを形成する第１の工程と、第２の基板上に感光
体を形成する第２の工程と、該第２の工程で得た上記感
光体を上記第１の工程で得たマスクを用いて露光し、そ
の後にこれを現像して上記感光体にＣＤ、、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ叉は追記型光ディスクのプリフォーマットの信号のピ
ットを形成する第３の工程とを含むようにした。
トレジストを順次積層形成し、該フォトレジストに光ビ
ーム叉は電子ビームによりＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ叉は追記
型光ディスクのプリフォーマツ１への信号の潜像を記録
し、その後にこれを現像し、現像後のフォトレジストを
マスクとして上記無ａ薄膜をエツチングし、このエツチ
ングにより形成した信号ピッ］・部分を光透過部分とす
るマスクを形成する第１の工程と、第２の基板上に感光
体を形成する第２の工程と、該第２の工程で得た上記感
光体を上記第１の工程で得たマスクを用いて露光し、そ
の後にこれを現像して上記感光体にＣＤ、、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ叉は追記型光ディスクのプリフォーマットの信号のピ
ットを形成する第３の工程とを含むようにした。
この構成により射出成形等の転写方法によらず、マスク
露光により光ディスク基板にピットを形成することがで
きる。
露光により光ディスク基板にピットを形成することがで
きる。
以下、本発明の一実施例の光ディスク基板の製造方法つ
いて説明する。第１図はその製造方法の工程ブロック図
である。本例の工程は大きく分けて３段階の製造工程か
らなってなる。
いて説明する。第１図はその製造方法の工程ブロック図
である。本例の工程は大きく分けて３段階の製造工程か
らなってなる。
まず、第１の製造工程では、クロムマスク用に研磨した
ガラス基板を洗浄した後、該ガラス基板面に高周波スパ
ッタリング法により無機薄膜としてのクロム膜を形成す
る。このクロム膜の膜厚は後述する光ディスク基板上の
フォトレジスト露光用のマスクとして機能する厚さがあ
ればよく、例えば１１００ｎ程度あればよい。なお、ク
ロム膜はフォトレジストのガラス基板上への付着力を高
める役割も果たしている。
ガラス基板を洗浄した後、該ガラス基板面に高周波スパ
ッタリング法により無機薄膜としてのクロム膜を形成す
る。このクロム膜の膜厚は後述する光ディスク基板上の
フォトレジスト露光用のマスクとして機能する厚さがあ
ればよく、例えば１１００ｎ程度あればよい。なお、ク
ロム膜はフォトレジストのガラス基板上への付着力を高
める役割も果たしている。
次に該クロム膜上にフォトレジストを塗布する。
このフォトレジストとしては紫外線叉は電子ビーム用の
ポジ型のものを用いる。次に光ビーム又は電子ビームに
よりフォトレジストにＣＤ（コンバク１−ディスク）
、ＣＤ−ＲＯＭ叉ば追記型光ディスクのプレピットの潜
像を露光記録し、その後に現像する。さらに現像したフ
ォトレジストをマスクとしてクロム膜をエツチングし、
この後に残留レジストを除去することにより、ピット部
分を光透過部分とするクロムマスクを得る。
ポジ型のものを用いる。次に光ビーム又は電子ビームに
よりフォトレジストにＣＤ（コンバク１−ディスク）
、ＣＤ−ＲＯＭ叉ば追記型光ディスクのプレピットの潜
像を露光記録し、その後に現像する。さらに現像したフ
ォトレジストをマスクとしてクロム膜をエツチングし、
この後に残留レジストを除去することにより、ピット部
分を光透過部分とするクロムマスクを得る。
次に第２の製造工程では、クロムマスク用の研磨したガ
ラス基板を洗浄した後、フォトレジストのガラス基板へ
の付着力を高めるための下地処理として、スピンコード
によりシランカップリング剤を塗布し、叉は高周波スパ
ックリグ法を使用することによりクロム膜を５ｎｍ程度
の厚さに形成する。次に下地処理した面にフォトレジス
トをスピンコードにより塗布する。フォトレジストの膜
厚は、ピットの深さに相当するため、かつトラッキング
特性を得ると共にピットからの信号値を大きくとるため
に、現像後に例えば１１０ｎｍ程度となるように選ぶ。
ラス基板を洗浄した後、フォトレジストのガラス基板へ
の付着力を高めるための下地処理として、スピンコード
によりシランカップリング剤を塗布し、叉は高周波スパ
ックリグ法を使用することによりクロム膜を５ｎｍ程度
の厚さに形成する。次に下地処理した面にフォトレジス
トをスピンコードにより塗布する。フォトレジストの膜
厚は、ピットの深さに相当するため、かつトラッキング
特性を得ると共にピットからの信号値を大きくとるため
に、現像後に例えば１１０ｎｍ程度となるように選ぶ。
最後に第３の製造工程では、上記第１の製造工程で得た
クロムマスクを用い、上記第２の製造工程で得たフォト
レジストを密着露光してピットの潜像を記録し、この後
に現像することにより、ピソトを形成したフォトレジス
；・を有する光ディスク基板を得る。
クロムマスクを用い、上記第２の製造工程で得たフォト
レジストを密着露光してピットの潜像を記録し、この後
に現像することにより、ピソトを形成したフォトレジス
；・を有する光ディスク基板を得る。
なお、上記したマスク用の薄膜としては、」二記のクロ
ムの代わりにシリコン、モリブデン、タンタルが使用可
能である。
ムの代わりにシリコン、モリブデン、タンタルが使用可
能である。
次に本発明の具体的試験例について述べる。
試験例１
外形１５０ｍｍ 、厚さ２鰭の研磨した円形のガラス基
板を洗浄した後、高周波スパッタリング法によりクロム
膜を１１００ｎの厚さに形成した。次に、このクロム膜
上にスピンコードによりフォトレジストを３００ｎｍの
厚さに形成した。
板を洗浄した後、高周波スパッタリング法によりクロム
膜を１１００ｎの厚さに形成した。次に、このクロム膜
上にスピンコードによりフォトレジストを３００ｎｍの
厚さに形成した。
次に、このガラス基板をアルゴンレーザを用いたマスク
リング装置に装着して上記フォトレジストにＣＤの音楽
信号を記録し、この後に現像した。
リング装置に装着して上記フォトレジストにＣＤの音楽
信号を記録し、この後に現像した。
次に、この現像後のフォトレジス１〜をマスクとしてク
ロム膜を硝酸と塩酸の混合液中でエツチングした後、残
留レジストを除去することにより、ピット部分を光透過
部分とするクロムマスクを得た。
ロム膜を硝酸と塩酸の混合液中でエツチングした後、残
留レジストを除去することにより、ピット部分を光透過
部分とするクロムマスクを得た。
一方、外形１２０ｍｍ 、内径１５龍、厚さ１，２１１
１の研磨したガラス基板を洗浄した後、下地処理として
高周波スパッタリング方法により、クロム膜を５鰭ｍの
厚さに形成し、続いて、スピンコードによりフォトレジ
スＩ・を１４０ｎｍの厚さに形成した。次に該基板を紫
外線露光装置に装着し、先に作製したクロムマスクを用
いてフォトレジストを密着露光した後、現像することに
より、フォトレジストにＣＤ信号のピットを形成した光
ディスクを得た。
１の研磨したガラス基板を洗浄した後、下地処理として
高周波スパッタリング方法により、クロム膜を５鰭ｍの
厚さに形成し、続いて、スピンコードによりフォトレジ
スＩ・を１４０ｎｍの厚さに形成した。次に該基板を紫
外線露光装置に装着し、先に作製したクロムマスクを用
いてフォトレジストを密着露光した後、現像することに
より、フォトレジストにＣＤ信号のピットを形成した光
ディスクを得た。
このようにして得た光ディスク基板について、ＳＥＭに
よる観察を行ったところ、幅０．６μｍ。
よる観察を行ったところ、幅０．６μｍ。
深さ０．１１μｍのＣＤ信号のピットが形成されていた
。次にこの基板のピット形成面に真空蒸着によりアルミ
膜を形成した後、ＣＤプレーヤに装着し、音楽信号の再
生を行ったところ、良好な再生信号を得ることができた
。
。次にこの基板のピット形成面に真空蒸着によりアルミ
膜を形成した後、ＣＤプレーヤに装着し、音楽信号の再
生を行ったところ、良好な再生信号を得ることができた
。
また、同時にエラー率の測定を行ったところ補正前のエ
ラーが１０−８以下と従来の成形法により製作したＣＤ
よりも良好な特性を得た。さらに基板がガラス製である
ため、面ぶれ等の歪が少なく、トラッキング特性も従来
のＣＤより良好であった。
ラーが１０−８以下と従来の成形法により製作したＣＤ
よりも良好な特性を得た。さらに基板がガラス製である
ため、面ぶれ等の歪が少なく、トラッキング特性も従来
のＣＤより良好であった。
試験例２
外形１５０ｍｍ 、内径１５Ｉ１１、厚さ２龍の研磨し
たガラス基板を洗浄した後、高周波スパッタリング法に
よりシリコン膜を１１００ｎの厚さに形成した。次に、
このシリコン膜上にスピンコードによりフォトレジスト
を３００ｎｍの厚さに形成した。次に、このガラス基板
をアルゴンレーザを用いたマスクリング装置に装着して
、フォトレジスト上に１．６ μｍピンチのスパイラル
状の案内溝と共にその延長」二にプレピットを記録し、
その後に現像した。次に上記フォトレジストをマスクと
して、ＣＦ、雰囲気中でのプラズマエツチングによりシ
リコン膜をエツチングした後、残留フォトレジストを除
去することにより、案内溝及びプレピット部分を光透過
部分とするシリコンマスクを得た。
たガラス基板を洗浄した後、高周波スパッタリング法に
よりシリコン膜を１１００ｎの厚さに形成した。次に、
このシリコン膜上にスピンコードによりフォトレジスト
を３００ｎｍの厚さに形成した。次に、このガラス基板
をアルゴンレーザを用いたマスクリング装置に装着して
、フォトレジスト上に１．６ μｍピンチのスパイラル
状の案内溝と共にその延長」二にプレピットを記録し、
その後に現像した。次に上記フォトレジストをマスクと
して、ＣＦ、雰囲気中でのプラズマエツチングによりシ
リコン膜をエツチングした後、残留フォトレジストを除
去することにより、案内溝及びプレピット部分を光透過
部分とするシリコンマスクを得た。
一方、外形１３０１１Ｉｍ、内径１５鰭、厚さ１ 、２
ｍｍの研磨したガラス基板を洗浄した後、試験例１と同
じ条件により該基ガラス板にクロム膜を形成し、さらに
フォトレジストを塗布した。
ｍｍの研磨したガラス基板を洗浄した後、試験例１と同
じ条件により該基ガラス板にクロム膜を形成し、さらに
フォトレジストを塗布した。
次に該ガラス基板を紫外線露光装置に装着し、先に作製
したシリコンマスクを用いて該フォトレジストを密着露
光し、その後に現像することにより光ディスク基板を得
た。
したシリコンマスクを用いて該フォトレジストを密着露
光し、その後に現像することにより光ディスク基板を得
た。
このようにして得た光ディスク基板について、ＳＥＭに
よる観察を行ったところ、幅０．６μｍ、深さ０．１１
μｍの案内溝と共に、最短ピット長が０．６μｍのプレ
ピットが形成されていた。
よる観察を行ったところ、幅０．６μｍ、深さ０．１１
μｍの案内溝と共に、最短ピット長が０．６μｍのプレ
ピットが形成されていた。
次にこの光ディスク基板を半導体レーザを用いた記録再
生装置に装着してトラッキング実験を行ったところ、安
定なトラッキング動作を得ると共に、プレピットからは
良好な再生信号を得ることができた。
生装置に装着してトラッキング実験を行ったところ、安
定なトラッキング動作を得ると共に、プレピットからは
良好な再生信号を得ることができた。
さらに、この光ディスク基板に記録膜としてＣ５ｚＴｅ
膜を２０鰭ｍの厚さに形成した後、記録再生実験を行っ
たところ、２ Ｍ Ｉｔ ｚにおいてＣ／Ｎ比５５ｄＢ
以上の良好な特性が得られた。
膜を２０鰭ｍの厚さに形成した後、記録再生実験を行っ
たところ、２ Ｍ Ｉｔ ｚにおいてＣ／Ｎ比５５ｄＢ
以上の良好な特性が得られた。
以上から本発明によれば、基板に反射膜又は記録膜を形
成することにより、基板転写工程を経ることなく、ＣＤ
、ＣＤ−ＲＯＭ叉は記録可能な光０ ディスク基板を作製可能であるため、高品質の光ディス
クが得られる。また、光ディスク基板上のフォトレジス
トの露光をマスクを用いた密着露光により行うため、生
産性が高いという利点もある。
成することにより、基板転写工程を経ることなく、ＣＤ
、ＣＤ−ＲＯＭ叉は記録可能な光０ ディスク基板を作製可能であるため、高品質の光ディス
クが得られる。また、光ディスク基板上のフォトレジス
トの露光をマスクを用いた密着露光により行うため、生
産性が高いという利点もある。
第１図は本発明の光ディスク基板の製造工程を示すブロ
ック図、第２図は従来の光ディスク基板の製造工程を示
すプロ・ツク図である。
ック図、第２図は従来の光ディスク基板の製造工程を示
すプロ・ツク図である。
Claims (1)
- （１）、第１の基板上に無機薄膜及びフォトレジストを
順次積層形成し、該フォトレジストに光ビーム叉は電子
ビームによりＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ叉は追記型光ディスク
のプリフォーマットの信号の潜像を記録し、その後にこ
れを現像し、現像後のフォトレジストをマスクとして上
記無機薄膜をエッチングし、このエッチングにより形成
した信号ピット部分を光透過部分とするマスクを形成す
る第１の工程と、 第２の基板上に感光体を形成する第２の工程と、該第２
の工程で得た上記感光体を上記第１の工程で得たマスク
を用いて露光し、その後にこれを現像して上記感光体に
ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ叉は追記型光ディスクのプリフォー
マットの信号のピットを形成する第３の工程と を含むことを特徴とする光ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14689589A JPH0312838A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14689589A JPH0312838A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312838A true JPH0312838A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15418004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14689589A Pending JPH0312838A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 光ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1152417A2 (en) * | 2000-03-02 | 2001-11-07 | Sony Corporation | Electron beam irradiation apparatus, electron beam irradiation method, original disk, stamper, and recording medium |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP14689589A patent/JPH0312838A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1152417A2 (en) * | 2000-03-02 | 2001-11-07 | Sony Corporation | Electron beam irradiation apparatus, electron beam irradiation method, original disk, stamper, and recording medium |
| EP1152417A3 (en) * | 2000-03-02 | 2001-11-28 | Sony Corporation | Electron beam irradiation apparatus, electron beam irradiation method, original disk, stamper, and recording medium |
| US7034319B2 (en) | 2000-03-02 | 2006-04-25 | Sony Corporation | Electron beam irradiation apparatus, electron beam irradiation method, original disk, stamper, and recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6126952A (ja) | 情報記録担体の製造法 | |
| JP3058062B2 (ja) | 光ディスク用記録原盤の製造方 | |
| JP2000280255A (ja) | 原盤の製造方法 | |
| JP3448661B2 (ja) | 光ディスク用合成石英型及び光ディスク | |
| TWI251233B (en) | Optical information recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPH0312838A (ja) | 光ディスク基板の製造方法 | |
| JPH10241213A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| WO2002101738A1 (fr) | Procede de fabrication d'un disque-maitre destine a la fabrication de support d'enregistrement optique presentant des depressions regulieres et des saillies, matrice de pressage et support d'enregistrement optique | |
| JP2708847B2 (ja) | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 | |
| JP3014065B2 (ja) | 光ディスク，ガラスマスタ，ガラススタンパ，ガラス基板，それらの製造方法 | |
| JPH11102541A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JP2004046997A (ja) | 光ディスク及びスタンパー | |
| JPH11350181A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH01235044A (ja) | 光ディスク基板およびその製造方法 | |
| JPH10241214A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JPS60173737A (ja) | 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 | |
| JPH01307035A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| US20040051052A1 (en) | Method for manufacturing original disk for recording medium, and stamper manufacturing method | |
| JPH08106656A (ja) | 光ディスク用スタンパおよび基板の作製方法 | |
| JP3129419B2 (ja) | 光ディスク用ガラスマスタの製造方法及び光ディスク用ガラスマスタ | |
| KR100188922B1 (ko) | 광디스크 제조용 유리기판 및 포토마스크의 제조방법 | |
| JPH0827998B2 (ja) | 情報記録担体の成形スタンパとその製造方法 | |
| JPH04307442A (ja) | 光学式記録媒体の製造方法 | |
| JPH06302018A (ja) | 凸型パターンを有するスタンパーの製造方法 | |
| JPH0714218A (ja) | 光ディスク作成用原盤の作成方法 |