JPH04307442A - 光学式記録媒体の製造方法 - Google Patents
光学式記録媒体の製造方法Info
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- JPH04307442A JPH04307442A JP7112991A JP7112991A JPH04307442A JP H04307442 A JPH04307442 A JP H04307442A JP 7112991 A JP7112991 A JP 7112991A JP 7112991 A JP7112991 A JP 7112991A JP H04307442 A JPH04307442 A JP H04307442A
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- Japan
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- substrate
- photoresist
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- film
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオディスク、コン
パクトディスク等の光学式記録媒体の製造方法に関する
ものである。
パクトディスク等の光学式記録媒体の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来における光学式記録媒体の製造方法
は、例えば第３図のようにガラス原盤１の表面にフォト
レジスト２を塗布する第１工程と、フォトレジスト２に
情報信号に応じたレ−ザ光を照射しその感光部を現像に
より取り除く第２工程と、この第２工程で残存するフォ
トレジスト２の表面及びガラス原盤１の露出部に銀膜３
をスパッタリングにより形成する第３工程と、前記銀膜
３上にＮｉメッキによりＮｉ層４を形成する第４工程と
、前記Ｎｉ層４を剥離する第５工程とからなるものであ
るが、ここで前記Ｎｉ層４がスタンパ−となり、このス
タンパ−の形成には特に第４工程で７〜８時間が要求さ
れ、結果的にはこの製造方法では長時間を必要とされる
欠点があった。
は、例えば第３図のようにガラス原盤１の表面にフォト
レジスト２を塗布する第１工程と、フォトレジスト２に
情報信号に応じたレ−ザ光を照射しその感光部を現像に
より取り除く第２工程と、この第２工程で残存するフォ
トレジスト２の表面及びガラス原盤１の露出部に銀膜３
をスパッタリングにより形成する第３工程と、前記銀膜
３上にＮｉメッキによりＮｉ層４を形成する第４工程と
、前記Ｎｉ層４を剥離する第５工程とからなるものであ
るが、ここで前記Ｎｉ層４がスタンパ−となり、このス
タンパ−の形成には特に第４工程で７〜８時間が要求さ
れ、結果的にはこの製造方法では長時間を必要とされる
欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
解決するもので、Ｎｉメッキ工程を必要とせずに短い時
間で光学式記録媒体を成形できる製造方法を提供するも
のである。
解決するもので、Ｎｉメッキ工程を必要とせずに短い時
間で光学式記録媒体を成形できる製造方法を提供するも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の手段は、金属ま
たはＳｉの基板上にフォトレジストを塗布する第１工程
と、このフォトレジストに対してレ−ザ−カッティング
及び現像処理を行う第２工程と、第２工程で得られたフ
ォトレジストの残存部をマスクとしてハロゲン化炭素の
反応ガスを使用して反応性イオンエッチングにより基板
表面に情報信号ピットまたは案内溝を形成する第３工程
と、前記残存部を除去する第４工程と、前記基板表面に
Ｎｉ膜をスパッタリングにより形成する第５工程とでな
るものである。
たはＳｉの基板上にフォトレジストを塗布する第１工程
と、このフォトレジストに対してレ−ザ−カッティング
及び現像処理を行う第２工程と、第２工程で得られたフ
ォトレジストの残存部をマスクとしてハロゲン化炭素の
反応ガスを使用して反応性イオンエッチングにより基板
表面に情報信号ピットまたは案内溝を形成する第３工程
と、前記残存部を除去する第４工程と、前記基板表面に
Ｎｉ膜をスパッタリングにより形成する第５工程とでな
るものである。
【０００５】また、前記第１工程を金属またはＳｉの基
板上に設けられたＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌの表
面にフォトレジストを塗布する工程とするものである。
板上に設けられたＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌの表
面にフォトレジストを塗布する工程とするものである。
【０００６】
【作用】本発明によると、金属またはＳｉの基板からな
るスタンパ−、あるいは金属またはＳｉの基板上に形成
したＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌ膜からなるスタン
パ−は、従来のように長時間のメッキ工程を必要としな
いため、製造時間を大幅に短縮できるものである。
るスタンパ−、あるいは金属またはＳｉの基板上に形成
したＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌ膜からなるスタン
パ−は、従来のように長時間のメッキ工程を必要としな
いため、製造時間を大幅に短縮できるものである。
【０００７】そして、これらのスタンパ−は、プラスッ
チクスタンパ−と比較して長寿命であり、また石英製ス
タンパ−と比較して割れにくく薄くできるものである。
チクスタンパ−と比較して長寿命であり、また石英製ス
タンパ−と比較して割れにくく薄くできるものである。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を各図面に基づいて説明する
。
。
【０００９】図１において、１１は金属あるいはＳｉで
なる基板で、その上面にネガ型フォトレジスト膜１３を
塗布している。（第１工程）次に、前記ネガ型フォトレ
ジスト膜１３に１５ｍＷのアルゴンガスレ−ザ−光を集
光し、前記基板１１を線速１．２〜１．４ｍ／秒の一定
線速度で回転させながら、且つアルゴンガスレ−ザ−光
を基板１１の半径方向に移動させながら、幅０．６μｍ
、ピッチ１．６μｍのピット列あるいは案内溝１４を螺
旋上に記録し現像する。この現像によりレジスト膜１３
の感光部が残存することになる。（第２工程）レジスト
膜１３の残存部をマスクとして、ハロゲン化炭素（ＣＦ
４）プラズマを用い露出している基板１１を反応性イオ
ンエッチングする。このエッチングは、エッチング装置
を必要な真空度にしてＣＦ４ガスをこのエッチング装置
内に導入し、陰極に基板１１を設けて、高周波放電によ
りエッチング深さ１０００〜１５００Åにエッチングす
る。これにより基板１１表面に情報信号ピットあるいは
案内溝（プリグル−ブ）を形成するものである。（第３
工程）その後の残存しているフォトレジスト膜１３は、
前記エッチング装置内でＯ２プラズマにより灰化し除去
するものである。この工程もフォトレジスト材料によっ
て異なるが、数百〜数千Å／分のアッシング速度で処理
できるため、数分間で処理完成できる。（第４工程）前
記基板１１表面にＮｉ膜１５をスパッタリングにより約
５００Åの厚みに形成する。（第５工程）斯る工程によ
り、ピットあるいは案内溝１４を有するスパッタリング
が形成される。
なる基板で、その上面にネガ型フォトレジスト膜１３を
塗布している。（第１工程）次に、前記ネガ型フォトレ
ジスト膜１３に１５ｍＷのアルゴンガスレ−ザ−光を集
光し、前記基板１１を線速１．２〜１．４ｍ／秒の一定
線速度で回転させながら、且つアルゴンガスレ−ザ−光
を基板１１の半径方向に移動させながら、幅０．６μｍ
、ピッチ１．６μｍのピット列あるいは案内溝１４を螺
旋上に記録し現像する。この現像によりレジスト膜１３
の感光部が残存することになる。（第２工程）レジスト
膜１３の残存部をマスクとして、ハロゲン化炭素（ＣＦ
４）プラズマを用い露出している基板１１を反応性イオ
ンエッチングする。このエッチングは、エッチング装置
を必要な真空度にしてＣＦ４ガスをこのエッチング装置
内に導入し、陰極に基板１１を設けて、高周波放電によ
りエッチング深さ１０００〜１５００Åにエッチングす
る。これにより基板１１表面に情報信号ピットあるいは
案内溝（プリグル−ブ）を形成するものである。（第３
工程）その後の残存しているフォトレジスト膜１３は、
前記エッチング装置内でＯ２プラズマにより灰化し除去
するものである。この工程もフォトレジスト材料によっ
て異なるが、数百〜数千Å／分のアッシング速度で処理
できるため、数分間で処理完成できる。（第４工程）前
記基板１１表面にＮｉ膜１５をスパッタリングにより約
５００Åの厚みに形成する。（第５工程）斯る工程によ
り、ピットあるいは案内溝１４を有するスパッタリング
が形成される。
【００１０】図２において、１２は、基板１１の表面に
ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４または
Ａｌ膜である。
ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４または
Ａｌ膜である。
【００１１】また、図２における製造方法は基本的には
図１と同じであるが、出来上がりの基板１１の最終表面
とＮｉ膜１５との間にはこのＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４また
はＡｌ等の膜１２が存在することである。
図１と同じであるが、出来上がりの基板１１の最終表面
とＮｉ膜１５との間にはこのＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４また
はＡｌ等の膜１２が存在することである。
【００１２】この図２の実施例において、基板１１上に
Ａｌ膜を形成するときには、エッチング装置においてＣ
Ｆ４プラズマの代わりにＣＣｌ４プラズマを使用すれば
よい。この時には揮発性生成物としてＡｌＣｌ３が生じ
る。
Ａｌ膜を形成するときには、エッチング装置においてＣ
Ｆ４プラズマの代わりにＣＣｌ４プラズマを使用すれば
よい。この時には揮発性生成物としてＡｌＣｌ３が生じ
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、斯る構成を有するため、従来
必要とされていた長時間のメッキ工程が不要となり、全
体として記録媒体の製造時間の短縮化が計れるものであ
る。
必要とされていた長時間のメッキ工程が不要となり、全
体として記録媒体の製造時間の短縮化が計れるものであ
る。
【図１】本発明の製造方法を示す工程図で、Ａは第１工
程、Ｂは第２工程、Ｃは第３工程、Ｄは第４工程、Ｅは
第５工程である。
程、Ｂは第２工程、Ｃは第３工程、Ｄは第４工程、Ｅは
第５工程である。
【図２】本発明の他の実施例の製造方法を示す工程図で
、Ａは第１工程、Ｂは第２工程、Ｃは第３工程、Ｄは第
４工程、Ｅは第５工程である。
、Ａは第１工程、Ｂは第２工程、Ｃは第３工程、Ｄは第
４工程、Ｅは第５工程である。
【図３】従来の製造方法を示す工程図で、Ａは第１工程
、Ｂは第２工程、Ｃは第３工程、Ｄは第４工程、Ｅは第
５工程である。
、Ｂは第２工程、Ｃは第３工程、Ｄは第４工程、Ｅは第
５工程である。
１１ 基板
１２ ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌ膜１３ フ
ォトレジスト １４ ピット列あるいは案内溝 １５ Ｎｉ膜
ォトレジスト １４ ピット列あるいは案内溝 １５ Ｎｉ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 金属またはＳｉの基板上にフォトレジ
ストを塗布する第１工程と、このフォトレジストに対し
てレ−ザ−カッティング及び現像処理を行う第２工程と
、第２工程で得られたフォトレジストの残存部をマスク
としてハロゲン化炭素の反応ガスを使用して反応性イオ
ンエッチングにより基板表面に情報信号ピットまたは案
内溝を形成する第３工程と、前記残存部を除去する第４
工程と、前記基板表面にＮｉ膜をスパッタリングにより
形成する第５工程とでなる光学式記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 金属またはＳｉの基板上に設けられた
ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはＡｌの 表面にフォトレジ
ストを塗布する第１工程と、このフォトレジストに対し
てレ−ザ−カッティング及び現像処理を行う第２工程と
、第２工程で得られたフォトレジストの残存部をマスク
としてハロゲン化炭素の反応ガスを使用して反応性イオ
ンエッチングにより基板表面に情報信号ピットまたは案
内溝を形成する第３工程と、前記残存部を除去する第４
工程と、前記基板表面にＮｉ膜をスパッタリングにより
形成する第５工程とでなる請求項１の光学式記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112991A JPH04307442A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 光学式記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112991A JPH04307442A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 光学式記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307442A true JPH04307442A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13451658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7112991A Pending JPH04307442A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 光学式記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04307442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6971116B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-11-29 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| CN108821229A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-16 | 西北工业大学 | 一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法 |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP7112991A patent/JPH04307442A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6971116B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-11-29 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| US7171676B2 (en) | 2001-06-28 | 2007-01-30 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| CN108821229A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-16 | 西北工业大学 | 一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法 |
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