CN108821229A - 一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,依次经过ZnS基底清洗、Al膜层制备/高分子膜层涂布、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列、等离子体刻蚀和去除膜层。该方法首先在ZnS表面制备Al膜层或高分子膜层(PMMA或光刻胶),然后采用超快脉冲激光直写技术在膜层中制备微孔阵列,最后采用等离子体刻蚀技术把膜层中的图形刻蚀到ZnS基底上,去除膜层后即可获得具有增透效果的减反微结构表面。该方法具有工艺稳定性及可控性高,可在大面积基底上制备几何尺寸匀称、排列整齐的微孔整列。
Description
技术领域
本发明涉及红外光学窗口技术领域,特别是一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法。
背景技术
硫化锌(ZnS)是用于8~12μm长波红外波段的最有前途的红外光学窗口材料,但其折射率比较高,为2.2,表面反射太大,最终透射率只有74%左右,不能满足使用需求。所以必须对ZnS进行表面减反处理。与传统的减反薄膜相比,减反微结构表面是在基底材料表面上直接加工而成,可以通过调节结构几何尺寸达到良好的光学匹配效果,从而起到减反作用。所以,减反微结构表面能够克服减反薄膜所面临的界面结合、折射率匹配、热匹配、材料选择有限等问题。
与本发明最接近的现有技术,是文献①“红外透射材料抗反射表面织构的设计、制备和测量性能”(Douglas S.Hobbs and Bruce D.MacLeod.“Design,fabrication,andmeasured performance of anti-reflecting surface textures in infraredtransmitting materials”。Proceedings of SPIE,2005,5786:349-364)和“高性能抗反射表面浮雕微结构的最新发展”(Douglas S.Hobbs,Bruce D.MacLeod and JuanitaR.Riccobono.“Update on the development of high performance anti-reflectingsurface relief micro-structures”.Proceedings of SPIE,2007,6545:65450Y)中所公开报道的结果,采用激光干涉光刻技术在光刻胶上制备了掩模图形,然后采用等离子体刻蚀技术把掩模图形刻蚀到ZnS基底上;②“ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备”(徐启远,刘正堂,李阳平,武倩,张淼,ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备,物理学报,2011,60(1):014103-1-4)中所公开报道的结果,采用传统紫外光刻技术制备了光刻胶掩模图形,然后采用反应离子刻蚀技术把掩模图形刻蚀到ZnS基底上;③文献《红外窗口用硫化锌表面亚波长结构的制备与保护》(李林翰,哈尔滨工业大学硕士学位论文,2015年)中所公开报道的结果,以Ni自组装纳米颗粒作为掩模图形,采用等离子体刻蚀技术把掩模图形刻蚀到ZnS基底上;④“超快脉冲激光扫描技术在CVD ZnS基底上制备减反微孔结构阵列”(Yangping Li,Tianhui Zhang,Siling Fan,Guanghua Cheng.“Fabrication of microhole array on the surface of CVD ZnS by scanning ultrafast pulse laser forantireflection”.Optical Materials,2017,66:356-360.)中所公开报道的结果,采用脉冲激光扫描技术在ZnS基底上直写微孔结构阵列,用作减反表面。
在上述现有技术中,文献①中所用到的激光干涉光刻技术对制备条件要求苛刻,所形成的激光干涉图案对噪音、振动非常敏感,所以不稳定,因此难度比较大;文献②中所用到的传统紫外光刻技术由于衍射极限的限制,很难在大面积范围内制备处尺寸分布及形状匀称的图形阵列;文献③中所用到的自组装技术不能形成结构尺寸匀称的周期性阵列;文献④中用到的激光直写技术不能很好的控制所制备微孔的深度,所以减反效果有限。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的不足,提供一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法。该方法首先在ZnS基底表面制备Al膜层或高分子膜层(PMMA或光刻胶),然后采用超快脉冲激光直写技术在膜层中制备微孔阵列,最后采用等离子体刻蚀技术把膜层中的图形刻蚀到ZnS基底上,去除膜层后即可获得具有增透效果的减反微结构表面。该方法具有工艺稳定性及可控性高,可在大面积基底上制备几何尺寸匀称、排列整齐的微孔整列。
为达到上述目的,本发明是按照以下技术方案实施的:
一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、ZnS基底清洗:将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,获得表面洁净的ZnS基底;
步骤二、Al膜层制备/高分子膜层涂布:在ZnS基底表面通过溅射工艺沉积一层厚度为100~200nm的Al膜层或在ZnS基底表面通过旋转涂胶工艺涂布一层厚度为800nm~1.5μm的高分子膜层,所述高分子膜层为PMMA或光刻胶;
步骤三、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列:通过超快脉冲激光直写工艺在Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构参数为周期3.6~4.0μm、孔径1.2~2.0μm的微孔结构阵列;
步骤四、等离子体刻蚀:通过等离子体刻蚀工艺把Al膜/高分子膜层中的微孔结构阵列刻蚀到ZnS基底上,刻蚀深度800nm~2.0μm;
步骤五、去除膜层:用丙酮清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底,以去除高分子膜层;或者用草酸清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底,以去除Al膜层。
进一步的技术方案为:所述步骤二中,溅射工艺参数为:Al靶,Ar工作气体,背景真空度优于6×10-4Pa,工作压强0.3~0.5Pa,射频功率80~100W,氩气流量10~15SCCM,镀膜时间10~30min。
进一步的技术方案为:所述步骤二中,旋转涂胶工艺参数为:采用静态滴胶,然后在800r/min转速下匀胶时间为3s,接着提高转速到3000~4000r/min,匀胶时间为30~50s,最后在110℃下烘焙10min。
进一步的技术方案为:所述步骤三中,超快脉冲激光直写工艺参数为:脉冲激光功率3mW~6mW,脉冲宽度1ps~3ps,聚焦物镜倍数10X~20X,脉冲重复频率325~342Hz/s Hz/s,样品台移动速率1.2~1.3mm/s。
进一步的技术方案为:所述步骤四中,等离子体刻蚀工艺参数为:刻蚀气体为CH4、H2、Ar的混合气体;气体流量为Ar 16sccm、CH44sccm、H228sccm,工作气压为1.0Pa,功率为500W,刻蚀时间50~150min;微孔结构阵列的的参数为:周期3.6~4.0μm,孔径1.2~2.0μm。
本发明的原理为:
(1)采用单脉冲贝塞尔激光直写技术在ZnS衬底上预制的Al膜或高分子(PMMA或光刻胶)膜层中制备微孔阵列作为刻蚀掩模图形,通过调整及匹配脉冲重复频率和样品台在x、y方向(即垂直于激光束的平面内的二维方向)的移动速度,可以制备出平面内二维分布的周期性孔洞阵列,其周期大小在3.6~4.0μm范围内变化;
(2)采用单脉冲贝塞尔激光直写技术在ZnS衬底上预制的Al膜或高分子(PMMA或光刻胶)膜层中制备微孔阵列作为刻蚀掩模图形,通过调整脉冲激光功率、脉冲宽度、聚焦物镜倍数,可以调控孔洞直径,其孔径大小在1.2~2.0μm范围内变化;
(3)采用等离子体刻蚀技术把掩模图形刻蚀到ZnS衬底上,在优化的刻蚀工艺条件下(刻蚀气体及气体流量为Ar(16sccm)、CH4(4sccm)、H2(28sccm),工作气压为1Pa,功率为500W),通过调整刻蚀时间(50~150min)可以调控ZnS上孔洞的深度,其深度在800nm~2.0μm范围内变化。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
(1)本发明把脉冲激光直写技术和等离子体刻蚀技术结合,采用单脉冲贝塞尔激光直写技术在ZnS衬底上预制的Al膜或高分子(PMMA或光刻胶)膜层中制备微孔阵列作为刻蚀掩模图形,克服了前述激光干涉光刻、传统紫外光刻、自组装等技术制作掩模图形的不足;而采用刻蚀技术把Al膜或高分子(PMMA或光刻胶)膜层中的掩模图形刻蚀到ZnS基底上,可以很好的调控刻蚀图形的深度,克服了ZnS衬底上激光直写所制备孔洞的深度难以控制、热效应对孔洞形貌的影响等不足。
(2)本发明把脉冲激光直写与精密平移平台联合使用,通过调整及匹配脉冲重复频率和样品台在x、y方向(即垂直于激光束的平面内的二维方向)的移动速度,即可扫描加工大面积ZnS基底,并可灵活调控周期性孔洞阵列的周期及孔径,制备出几何尺寸匀称、排列整齐的微孔整列。
附图说明
图1是Al膜层上超快脉冲激光直写制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期4.0μm,孔径1.2μm。
图2是Al膜层上超快脉冲激光直写制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期3.6μm,孔径1.4μm。
图3是Al膜层上超快脉冲激光直写制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期3.8μm,孔径2.0μm。
图4是光刻胶膜层上超快脉冲激光直写制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期4.0μm,孔径1.2μm。
图5是PMMA膜层上超快脉冲激光直写制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期3.8μm,孔径2.0μm。
图6是ZnS基底上等离子体刻蚀制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期3.6μm,孔径1.4μm,深度1.1μm。
图7是ZnS基底上等离子体刻蚀制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期4.0μm,孔径1.2μm,深度800nm。
图8是ZnS基底上等离子体刻蚀制备的微孔结构阵列,结构参数为:周期3.8μm,孔径2.0μm,深度2.0μm。
图9是ZnS基底上等离子体刻蚀制备的微孔结构阵列后的红外透射率曲线,微孔阵列结构参数为:周期4.0μm,孔径1.2μm,深度800nm。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步描述,在此发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明,但并不作为对本发明的限定。
实施例1
(1)ZnS基底清洗
将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,以去除表面污染物,获得表面洁净的ZnS衬底。
(2)ZnS基底沉积Al膜层
采用磁控溅射法在ZnS表面沉积一层Al膜层。其溅射工艺参数为:Al靶,Ar工作气体,背景真空度优于6×10-4Pa,工作压强0.5Pa,射频功率90W,氩气流量15SCCM,镀膜时间30min;得到镀有Al膜层的ZnS衬底,Al膜层厚度为200nm。
(3)Al膜层中超快脉冲激光直写微孔结构阵列
激光直写工艺参数为:脉冲激光功率3mW,脉冲宽度1ps,聚焦物镜倍数20X,脉冲重复频率325Hz/s,样品台移动速率1.3mm/s;Al膜上制备的微孔结构参数为:周期4.0μm,孔径1.2μm;激光制备Al硬质掩模的图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致性好,而且微结构周围的熔融物产物很少,如图1。
(4)等离子体刻蚀
用CH4、H2、Ar的混合气体,采用反应离子刻蚀工艺把掩模版图形刻蚀到ZnS基底上。刻蚀工艺参数为:气体流量为Ar(16sccm)、CH4(4sccm)、H2(28sccm),刻蚀气压为1.0Pa,刻蚀功率为500W,刻蚀时间为50min。刻蚀微孔结构深度为800nm。
(5)去除膜层
用草酸浸泡、擦拭刻蚀后的ZnS基底,以除去Al膜层,获得干净的结构表面。ZnS基底上的刻蚀图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致。
实施例2
(1)ZnS基底清洗
将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,以去除表面污染物,获得表面洁净的ZnS衬底。
(2)ZnS基底沉积Al膜层
采用磁控溅射法在ZnS表面沉积一层Al膜层。其溅射工艺参数为:Al靶,Ar工作气体,背景真空度优于6×10-4Pa,工作压强0.3Pa,射频功率100W,氩气流量13SCCM,镀膜时间20min;得到镀有Al膜层的ZnS衬底,Al膜层厚度为150nm。
(3)Al膜层中超快脉冲激光直写微孔结构阵列
激光直写工艺参数为:脉冲激光功率4mW,脉冲宽度2ps,聚焦物镜倍数15X,脉冲重复频率334Hz/s,样品台移动速率1.2mm/s;Al膜上制备的微孔结构参数为周期3.6μm,孔径1.4μm;激光制备Al硬质掩模的图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致性好,而且微结构周围的熔融物产物很少,如图2。
(4)等离子体刻蚀
用CH4、H2、Ar的混合气体,采用反应离子刻蚀工艺把掩模版图形刻蚀到ZnS基底上。刻蚀工艺参数为:刻蚀气体及气体流量为Ar(16sccm)、CH4(4sccm)、H2(28sccm),刻蚀气压为1.0Pa,刻蚀功率为500W,刻蚀时间为80min。刻蚀微孔结构深度为1.1μm。
(5)去除膜层
用草酸浸泡、擦拭刻蚀后的ZnS基底,以除去Al膜层,获得干净的结构表面。ZnS基底上的刻蚀图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致;其结构参数为:周期3.6μm,孔径1.4μm,深度1.1μm,如图6。
实施例3
(1)ZnS基底清洗
将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,以去除表面污染物,获得表面洁净的ZnS衬底。
(2)ZnS基底沉积Al膜层
采用磁控溅射法在ZnS表面沉积一层Al膜层。其溅射工艺参数为:Al靶,Ar工作气体,背景真空度优于6×10-4Pa,工作压强0.4Pa,射频功率80W,氩气流量10SCCM,镀膜时间10min;得到镀有Al膜层的ZnS衬底,Al膜层厚度为100nm。
(3)Al膜层中超快脉冲激光直写微孔结构阵列
激光直写工艺参数为:脉冲激光功率5mW,脉冲宽度3ps,聚焦物镜倍数10X,脉冲重复频率342Hz/s,样品台移动速率1.3mm/s;Al膜上制备的微孔结构参数为周期3.8μm,孔径2.0μm;激光制备Al硬质掩模的图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致性好,而且微结构周围的熔融物产物很少,如图3。
(4)等离子体刻蚀
用CH4、H2、Ar的混合气体,采用反应离子刻蚀工艺把掩模版图形刻蚀到ZnS基底上。刻蚀工艺参数为:刻蚀气体及气体流量为Ar(16sccm)、CH4(4sccm)、H2(28sccm),刻蚀气压为1.0Pa,刻蚀功率为500W,刻蚀时间为150min。刻蚀微孔结构深度为2.0μm。
(5)去除膜层
用草酸浸泡、擦拭刻蚀后的ZnS基底,以除去Al膜层,获得干净的结构表面。ZnS基底上的刻蚀图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致。
实施例4
(1)ZnS基底清洗
将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,以去除表面污染物,获得表面洁净的ZnS衬底。
(2)ZnS基底涂布光刻胶
采用旋转涂胶技术在ZnS表面涂布一层光刻胶,本实施例所用光刻胶为EPG-535;涂胶工艺参数为:采用静态滴胶,然后在800r/min转速下匀胶3s,接着提高转速到4000r/min,匀胶时间为30s,最后在110℃下烘焙10min;得到涂有光刻胶膜层的ZnS衬底,胶层厚度为1.5μm。
(3)光刻胶膜层中超快脉冲激光直写微孔结构阵列
激光直写工艺参数为:脉冲激光功率6mW,脉冲宽度1ps,聚焦物镜倍数20X,脉冲重复频率325Hz/s,样品台移动速率1.3mm/s;光刻胶膜上制备的微孔结构参数为周期4.0μm,孔径1.2μm;激光制备光刻胶掩模的图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致性好,而且微结构周围的熔融物产物很少,如图4。
(4)等离子体刻蚀
用CH4、H2、Ar的混合气体,采用反应离子刻蚀工艺把掩模版图形刻蚀到ZnS基底上。刻蚀工艺参数为:刻蚀气体及气体流量为Ar(16sccm)、CH4(4sccm)、H2(28sccm),刻蚀气压为1.0Pa,刻蚀功率为500W,刻蚀时间为50min。刻蚀微孔结构深度为800nm。
(5)去除膜层
用丙酮浸泡、擦拭刻蚀后的ZnS基底,以除去残留光刻胶,获得干净的结构表面。ZnS基底上的刻蚀图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致;其结构参数为:周期4.0μm,孔径1.2μm,深度800nm,如图7。
实施例5
(1)ZnS基底清洗
将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,以去除表面污染物,获得表面洁净的ZnS衬底。
(2)ZnS基底涂布PMMA
采用旋转涂胶技术在ZnS表面涂布一层PMMA,涂布工艺参数为:采用静态滴胶,然后在800r/min转速下匀胶时间为3s,接着提高转速到3000r/min,匀胶时间为50s,最后在110℃下烘焙10min;得到涂有PMMA膜层的ZnS衬底,PMMA膜层厚度为800nm。
(3)PMMA膜层中超快脉冲激光直写微孔结构阵列
激光直写工艺参数为:脉冲激光功率6mW,脉冲宽度3ps,聚焦物镜倍数10X,脉冲重复频率342Hz/s,样品台移动速率1.3mm/s;PMMA膜上制备的微孔结构参数为周期3.8μm,孔径2.0μm;激光制备PMMA掩模的图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致性好,而且微结构周围的熔融物产物很少,如图5。
(4)等离子体刻蚀
用CH4、H2、Ar的混合气体,采用反应离子刻蚀工艺把掩模版图形刻蚀到ZnS基底上,刻蚀工艺参数为:刻蚀气体及气体流量为Ar(16sccm)、CH4(4sccm)、H2(28sccm),刻蚀气压为1.0Pa,刻蚀功率为500W,刻蚀时间为150min;刻蚀微孔结构深度为2.0μm。
(5)去除膜层
用丙酮浸泡、擦拭刻蚀后的ZnS基底,以除去残留PMMA,获得干净的结构表面。ZnS基底上的刻蚀图案排列整齐、分布均匀,形状及尺寸一致;其结构参数为:周期3.8μm,孔径2.0μm,深度2.0μm,如图8。
以上实施例中所制备的刻蚀微结构后的ZnS在8~12μm的长波红外波段均具有明显的增透效果,如图9所示为ZnS基底上刻蚀周期4.0μm、孔径1.2μm、深度800nm的微结构后在8μm~12μm波段的增透效果,从图中可以得出,在8μm~12μm波段,ZnS的平均透射率增加量为5.32%,在波长为9.55μm处透射率最高增加量为7.95%。本发明的技术方案不限于上述具体实施例的限制,凡是根据本发明的技术方案做出的技术变形,均落入本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、ZnS基底清洗:将双面抛光的ZnS基底依次置于丙酮、无水乙醇、蒸馏水中进行超声清洗,获得表面洁净的ZnS基底;
步骤二、Al膜层制备/高分子膜层涂布:在ZnS基底表面通过溅射工艺沉积一层厚度为100~200nm的Al膜层或在ZnS基底表面通过旋转涂胶工艺涂布一层厚度为800nm~1.5μm的高分子膜层,所述高分子膜层为PMMA或光刻胶;
步骤三、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列:通过超快脉冲激光直写工艺在Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构参数为周期3.6~4.0μm、孔径1.2~2.0μm的微孔结构阵列;
步骤四、等离子体刻蚀:通过等离子体刻蚀工艺把Al膜层/高分子膜层中的微孔结构阵列刻蚀到ZnS基底上,刻蚀深度800nm~2.0μm;
步骤五、去除膜层:用丙酮清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底,以去除高分子膜层;或者用草酸清洗等离子体刻蚀后的ZnS基底,以去除Al膜层。
2.根据权利要求1所述的ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,溅射工艺参数为:Al靶,Ar工作气体,背景真空度优于6×10-4Pa,工作压强0.3~0.5Pa,射频功率80~100W,氩气流量10~15SCCM,镀膜时间10~30min。
3.根据权利要求1所述的ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,旋转涂胶工艺参数为:采用静态滴胶,然后在800r/min转速下匀胶时间为3s,接着提高转速到3000~4000r/min,匀胶时间为30~50s,最后在110℃下烘焙10min。
4.根据权利要求1所述的ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,其特征在于:所述步骤三中,超快脉冲激光直写工艺参数为:脉冲激光功率3mW~6mW,脉冲宽度1ps~3ps,聚焦物镜倍数10X~20X,脉冲重复频率325~342Hz/s,样品台移动速率1.2~1.3mm/s。
5.根据权利要求1所述的ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法,其特征在于:所述步骤四中,等离子体刻蚀工艺参数为:刻蚀气体为CH4、H2、Ar的混合气体;气体流量为Ar16sccm、CH4 4sccm、H2 28sccm,工作气压为1.0Pa,功率为500W,刻蚀时间50~150min;微孔结构阵列的参数为:周期3.6~4.0μm,孔径1.2~2.0μm。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04307442A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式記録媒体の製造方法 |
CN1448755A (zh) * | 2003-05-09 | 2003-10-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 飞秒激光在金属薄膜上制备周期性微结构的方法 |
CN101827783A (zh) * | 2007-06-21 | 2010-09-08 | 3M创新有限公司 | 制备层次制品的方法 |
US20110263129A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Postech Academy-Industry Foundation | Method of etching semiconductor nanocrystals |
CN102253434A (zh) * | 2011-04-28 | 2011-11-23 | 西北工业大学 | 一种具有抗反射表面的ZnS红外光学窗口及其制备方法 |
CN102320553A (zh) * | 2011-07-04 | 2012-01-18 | 中国科学院理化技术研究所 | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 |
CN103042375A (zh) * | 2013-01-08 | 2013-04-17 | 中国人民解放军装甲兵工程学院 | 一种金属基体或涂层表面制备规则微织构的加工方法 |
CN105470341A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种廉价无序宽谱广角减反结构及其制作方法 |
CN107555396A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种微纳图形的制备方法及其制备系统 |
-
2018
- 2018-06-15 CN CN201810620095.5A patent/CN108821229B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04307442A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式記録媒体の製造方法 |
CN1448755A (zh) * | 2003-05-09 | 2003-10-15 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 飞秒激光在金属薄膜上制备周期性微结构的方法 |
CN101827783A (zh) * | 2007-06-21 | 2010-09-08 | 3M创新有限公司 | 制备层次制品的方法 |
US20110263129A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Postech Academy-Industry Foundation | Method of etching semiconductor nanocrystals |
CN102253434A (zh) * | 2011-04-28 | 2011-11-23 | 西北工业大学 | 一种具有抗反射表面的ZnS红外光学窗口及其制备方法 |
CN102320553A (zh) * | 2011-07-04 | 2012-01-18 | 中国科学院理化技术研究所 | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 |
CN103042375A (zh) * | 2013-01-08 | 2013-04-17 | 中国人民解放军装甲兵工程学院 | 一种金属基体或涂层表面制备规则微织构的加工方法 |
CN105470341A (zh) * | 2014-09-05 | 2016-04-06 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种廉价无序宽谱广角减反结构及其制作方法 |
CN107555396A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种微纳图形的制备方法及其制备系统 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114890685A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-08-12 | 嘉兴学院 | 一种近红外光响应的非均匀浸润性表面及制备方法 |
CN114890685B (zh) * | 2022-05-20 | 2023-06-23 | 嘉兴学院 | 一种近红外光响应的非均匀浸润性表面及制备方法 |
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Publication number | Publication date |
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