JPS62150539A - 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 - Google Patents
情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法Info
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- JPS62150539A JPS62150539A JP60295065A JP29506585A JPS62150539A JP S62150539 A JPS62150539 A JP S62150539A JP 60295065 A JP60295065 A JP 60295065A JP 29506585 A JP29506585 A JP 29506585A JP S62150539 A JPS62150539 A JP S62150539A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、たとえばＣＤ（コンパクトディスク）、ＶＤ
（ビデオディスク）等の情報記憶媒体用の基盤に関する
。
（ビデオディスク）等の情報記憶媒体用の基盤に関する
。
光デイスクメモリは、再生専用のＣＤ、ＶＤにおいて半
導体レーザーを光源とした光関連技術が確立され、現在
市販されている。また、光メモリの最大の特徴である高
密度大容量記録性を生かし、所望の情報を記録し、かつ
再生のできるＤＲＡＷ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅａｄ Ａｆ
ｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）型の光デイスクメモリが、画像
、文自等のファイリングシステム用として既に市販に至
っている。さらに、消去機能を持った所謂イレーサブル
光ディスクの開発が現在急速に進行している。
導体レーザーを光源とした光関連技術が確立され、現在
市販されている。また、光メモリの最大の特徴である高
密度大容量記録性を生かし、所望の情報を記録し、かつ
再生のできるＤＲＡＷ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅａｄ Ａｆ
ｔｅｒ Ｗｒｉｔｅ）型の光デイスクメモリが、画像
、文自等のファイリングシステム用として既に市販に至
っている。さらに、消去機能を持った所謂イレーサブル
光ディスクの開発が現在急速に進行している。
ところで、前記最大の特徴である高密度記録性を生かし
た光ディスク（情報記憶媒体）は、光学ヘッドを案内す
る案内溝（グループ）を付けた透明の基盤に記録媒体膜
を成膜することにより構成されており、現在実用化され
ている基盤としては、量産性、低コスト性を考慮して、
アクリル系樹脂（ＭＭＡ）、ポリカーボネイト樹脂（Ｐ
Ｃ）等の透明な有機樹脂基板が用いられている。
た光ディスク（情報記憶媒体）は、光学ヘッドを案内す
る案内溝（グループ）を付けた透明の基盤に記録媒体膜
を成膜することにより構成されており、現在実用化され
ている基盤としては、量産性、低コスト性を考慮して、
アクリル系樹脂（ＭＭＡ）、ポリカーボネイト樹脂（Ｐ
Ｃ）等の透明な有機樹脂基板が用いられている。
しかし、前記アクリル系樹脂は吸湿性が大きいことから
吸湿膨潤による変形の問題があり、一方、ポリカーボネ
イト樹脂は吸湿膨潤は小さいが、光学的異法性が大きく
、成形時の内部歪みによって複屈折率が大きくなるとい
う問題がある。しかも、両者とも有機樹脂であるがため
に基本的に熱に弱いという問題がある。
吸湿膨潤による変形の問題があり、一方、ポリカーボネ
イト樹脂は吸湿膨潤は小さいが、光学的異法性が大きく
、成形時の内部歪みによって複屈折率が大きくなるとい
う問題がある。しかも、両者とも有機樹脂であるがため
に基本的に熱に弱いという問題がある。
特に、記録媒体膜として光磁気効果を利用したイレーサ
ブル光ディスクでは、カー回転角またはファラデー回転
角が微小であるがために、再生時に出力信号Ｓ／Ｎが通
常のＤＲＡＷ型ディスクと比べて小さいので、前記有機
樹脂系基板の問題が顕著である。
ブル光ディスクでは、カー回転角またはファラデー回転
角が微小であるがために、再生時に出力信号Ｓ／Ｎが通
常のＤＲＡＷ型ディスクと比べて小さいので、前記有機
樹脂系基板の問題が顕著である。
以上のような問題は光ディスクの基盤にガラス基板を用
いることによって基本的に解決するが、ガラス基板に約
１．６μｍのピッチでスパイラル状の案内溝（グループ
）を直接形成する技術は未だ開発されていない。また、
ガラス基板上にフォトレジストを塗布して１枚１枚レー
ザーカッティングする方法も考えられるが、１枚のカッ
ティングに約３時間も要し、量産には全く不向きである
。
いることによって基本的に解決するが、ガラス基板に約
１．６μｍのピッチでスパイラル状の案内溝（グループ
）を直接形成する技術は未だ開発されていない。また、
ガラス基板上にフォトレジストを塗布して１枚１枚レー
ザーカッティングする方法も考えられるが、１枚のカッ
ティングに約３時間も要し、量産には全く不向きである
。
そこで、近年、フォトレジストをマスクとしたガラス基
板のプラズマエツチング法が提案されている。
板のプラズマエツチング法が提案されている。
この方法は、先ず、ガラス基板上にフォトレジストを均
一に塗布した後、案内溝の形状に対応した紫外線露光を
行ない、これを現像することにより、ガラス基板表面の
案内溝に対応した部分にフォトレジス］・が存在しない
ように選択的にフォトレジストをパターニングする。つ
いで、このガラス基板をＣＨＦ３ガスのプラズマにさら
して、ガラス基板のフォトレジストの存在しない部分の
みドライエツチングを行なった後、フォトレジストを剥
離し、このようにして光ディスクの基盤を形成するもの
である。
一に塗布した後、案内溝の形状に対応した紫外線露光を
行ない、これを現像することにより、ガラス基板表面の
案内溝に対応した部分にフォトレジス］・が存在しない
ように選択的にフォトレジストをパターニングする。つ
いで、このガラス基板をＣＨＦ３ガスのプラズマにさら
して、ガラス基板のフォトレジストの存在しない部分の
みドライエツチングを行なった後、フォトレジストを剥
離し、このようにして光ディスクの基盤を形成するもの
である。
この方法によれば、レーザー光によって１枚１枚ガラス
基板に案内溝形状をカッティングしていく方法に比べれ
ば、案内溝の形成時間が短くて済み、一度に犬山に処理
が行なえるという利点を有するが、一方では、ＣＨＦ３
ガスによるガラス基板の表面のエツチング速度が２０人
／１ｎと遅いこと、およびＣＨＦ３のプラズマ中に生ず
るＨＦラジカルの排気処理等で量産時にはなお問題があ
る。
基板に案内溝形状をカッティングしていく方法に比べれ
ば、案内溝の形成時間が短くて済み、一度に犬山に処理
が行なえるという利点を有するが、一方では、ＣＨＦ３
ガスによるガラス基板の表面のエツチング速度が２０人
／１ｎと遅いこと、およびＣＨＦ３のプラズマ中に生ず
るＨＦラジカルの排気処理等で量産時にはなお問題があ
る。
本発明は前記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、ガラス基板の利点を損うことなく、
量産性に優れ、かつ安全に製造できるようにした情報記
憶媒体用の基盤を提供することにある。
的とするところは、ガラス基板の利点を損うことなく、
量産性に優れ、かつ安全に製造できるようにした情報記
憶媒体用の基盤を提供することにある。
本発明は、前記問題点を解決するために、ガラス基板上
にＳｉ原子を含む透明なアモルファス部材を設け、この
アモルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝
を形成したことを特徴とするものである。
にＳｉ原子を含む透明なアモルファス部材を設け、この
アモルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝
を形成したことを特徴とするものである。
案内溝をガラス基板でなくガラス基板上に設けたアモル
ファス部材に形成する。
ファス部材に形成する。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は光ディスクの基盤を示すもので、図中１は円板
状のガラス基板であり、このガラス基板１上にはＳ１原
子を含む透明なアモルファス部材２が設けられている。
状のガラス基板であり、このガラス基板１上にはＳ１原
子を含む透明なアモルファス部材２が設けられている。
すなわち、このアモルファス部材２は、たとえば水素化
アモルファスシリコン窒化ｎＱ、水素化アモルファスシ
リコン炭化膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のい
ずれかの材料か、または、Ｓｉ原子とＨ原子を含み、が
っＮ、Ｃ，Ｏ原子のうら２つ以上の原子を含む材料で構
成され、ガラス基板１上に均一に設けられている。
アモルファスシリコン窒化ｎＱ、水素化アモルファスシ
リコン炭化膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のい
ずれかの材料か、または、Ｓｉ原子とＨ原子を含み、が
っＮ、Ｃ，Ｏ原子のうら２つ以上の原子を含む材料で構
成され、ガラス基板１上に均一に設けられている。
また、このアモルファス部材ｒｌには図示しない光学ヘ
ッドを案内するための案内溝３がたとえばスパイラル状
に形成されている。
ッドを案内するための案内溝３がたとえばスパイラル状
に形成されている。
次に、このような構成の基盤の製造方法を説明する。
先ず、第２図（ａ）に示すように、ガラス基板１上にグ
ロー放電ＣＶＤ法によって透明な例えば水素化アモルフ
ァスシリコン炭化Ｆ （ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ膜）、アモル
ファスシリコン窒化膜 （ａ−８ｉ Ｎ ： Ｈｌ） 、アモルファスシリコン
窒化１１１（ａ−８ｉＯ；Ｈ膜）のいずれかで構成され
るアモルファス部材２を約１００人−，５ｏｏｏ人の厚
さに成膜する。
ロー放電ＣＶＤ法によって透明な例えば水素化アモルフ
ァスシリコン炭化Ｆ （ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ膜）、アモル
ファスシリコン窒化膜 （ａ−８ｉ Ｎ ： Ｈｌ） 、アモルファスシリコン
窒化１１１（ａ−８ｉＯ；Ｈ膜）のいずれかで構成され
るアモルファス部材２を約１００人−，５ｏｏｏ人の厚
さに成膜する。
ついで、第２図（ｂ）に示すように、ネガ型のフォトレ
ジスト４の液をスピンナーによって前記アモルファス部
材２上に均一にコートする。
ジスト４の液をスピンナーによって前記アモルファス部
材２上に均一にコートする。
ついで、第２図（Ｃ）に示すように、Ｏｒ等で所望の案
内溝３の形状にパターニングされたマスク５の上から紫
外線で露光した後、第２図（ｄ）に示すように、ネガ型
の現像液（図示せず）により露光されなかった部分のフ
ォトレジスト４を選択的に取除く。
内溝３の形状にパターニングされたマスク５の上から紫
外線で露光した後、第２図（ｄ）に示すように、ネガ型
の現像液（図示せず）により露光されなかった部分のフ
ォトレジスト４を選択的に取除く。
ついで、第２図（ｅ）に示すように、フォトレジスト４
をマスクとしてＣＦ４ガスと０２ガスの混合ガス中で前
記アモルファス部材２のプラズマエツチングを行なった
後、第２図（ｆ）に示すように、剥１１′ｍを用いてフ
ォトレジスト４の剥離を行なう。
をマスクとしてＣＦ４ガスと０２ガスの混合ガス中で前
記アモルファス部材２のプラズマエツチングを行なった
後、第２図（ｆ）に示すように、剥１１′ｍを用いてフ
ォトレジスト４の剥離を行なう。
以上の構成によれば、アモルファス部材２を構成する水
素化アモルファスシリコン炭化Ｉｌｌ （ａ−８ｉＣ：
Ｈ膜）、アモルファスシリコン窒化膜（ａ−８ｉ Ｎ
： Ｈ躾） 、またはアモルファスシリコン窒化１１！
（ａ−８ｉＯ：Ｈ膜）は、３ＮＣ対してＮ、Ｃ，Ｏの量
を変えることによって容易に光学バンドギャップを変化
することができ、また一般にＳｉに対しＮ、Ｃ，Ｏの原
子％が多くなるにつれて透明になるので、光学バンドギ
ャップおよび透明度の調整が容易に行なえる。
素化アモルファスシリコン炭化Ｉｌｌ （ａ−８ｉＣ：
Ｈ膜）、アモルファスシリコン窒化膜（ａ−８ｉ Ｎ
： Ｈ躾） 、またはアモルファスシリコン窒化１１！
（ａ−８ｉＯ：Ｈ膜）は、３ＮＣ対してＮ、Ｃ，Ｏの量
を変えることによって容易に光学バンドギャップを変化
することができ、また一般にＳｉに対しＮ、Ｃ，Ｏの原
子％が多くなるにつれて透明になるので、光学バンドギ
ャップおよび透明度の調整が容易に行なえる。
また、水素化アモルファスシリコン炭化膜（ａ−８ｉ
Ｃ： Ｈｌｌ） 、アモルファスシリコン窒化膜（ａ−
８ｉＮ：Ｈ膜）、アモルファスシリコン窒化１１ＩＪ（
ａ−８ｉ○；Ｈ膜）はガラスと同様に非吸湿性で複屈折
率が小さいので、ガラス基板１と全く同じ取扱いができ
る。
Ｃ： Ｈｌｌ） 、アモルファスシリコン窒化膜（ａ−
８ｉＮ：Ｈ膜）、アモルファスシリコン窒化１１ＩＪ（
ａ−８ｉ○；Ｈ膜）はガラスと同様に非吸湿性で複屈折
率が小さいので、ガラス基板１と全く同じ取扱いができ
る。
また、水素化アモルファスシリ：コン炭化膜＜ａ−８ｉ
Ｃ： Ｈｌｌ＞ 、アモルファスシリコン窒化１１！
Ｊ （ａ−８ｉ Ｎ ； Ｈ１ｌ！＞ 、７モル７７ス
シ’Ｊコン窒化１１１（ａ−８ｉＯ：Ｈ膜）は、ＣＦ４
ガスと０２ガスの混合ガス中でのブラズー？エツチング
によって、極めて速い速度で（５ｏｏｏ入／１ｎ）でエ
ツチングができるので、量産性に侵れる。
Ｃ： Ｈｌｌ＞ 、アモルファスシリコン窒化１１！
Ｊ （ａ−８ｉ Ｎ ； Ｈ１ｌ！＞ 、７モル７７ス
シ’Ｊコン窒化１１１（ａ−８ｉＯ：Ｈ膜）は、ＣＦ４
ガスと０２ガスの混合ガス中でのブラズー？エツチング
によって、極めて速い速度で（５ｏｏｏ入／１ｎ）でエ
ツチングができるので、量産性に侵れる。
さらに、ＣＦ４ガスおよび０２ガスのラジカルは基本的
に無害なので、排気は通常のダクトで行なっても問題は
なく、したがって安全に製造ができる。
に無害なので、排気は通常のダクトで行なっても問題は
なく、したがって安全に製造ができる。
次に、実験例を説明する。
先ず、コーニング性強化ガラス祷板１を容量結合型グロ
ー放電ＣＶＤ装置内（図示せず）にセットし、基板温度
２３０℃、５ｉｔ−（＋ガス流量５０８ ＣＣＭ、Ｎ２
ガス流ω５００８ ＣＣＭ、対向電極に投入するＲ、Ｆ
、パワー ３００Ｗ、成膜時間約２分間（Ｐａ厚１ｏｏ
ｏ人）の各条件で、ａ−８ｉＮ：Ｈ膜（アモルファス部
材２）を成膜した。このａ−８ｉＮ：Ｈ膜の光学バンド
ギャップは３，５ｅＶでほとんど透明である。
ー放電ＣＶＤ装置内（図示せず）にセットし、基板温度
２３０℃、５ｉｔ−（＋ガス流量５０８ ＣＣＭ、Ｎ２
ガス流ω５００８ ＣＣＭ、対向電極に投入するＲ、Ｆ
、パワー ３００Ｗ、成膜時間約２分間（Ｐａ厚１ｏｏ
ｏ人）の各条件で、ａ−８ｉＮ：Ｈ膜（アモルファス部
材２）を成膜した。このａ−８ｉＮ：Ｈ膜の光学バンド
ギャップは３，５ｅＶでほとんど透明である。
ついで、第２図（ｂ）〜（ｄ）に示したフォトレジスト
４の塗布、露光、現像の各工程を行ない、幅０．９μｍ
１ピッチ１．６μｍの案内溝３の形状部分を除いた部分
にフォトレジスト４を残した。
４の塗布、露光、現像の各工程を行ない、幅０．９μｍ
１ピッチ１．６μｍの案内溝３の形状部分を除いた部分
にフォトレジスト４を残した。
ついで、再度同じグロー放電ＣＶＤ装置内に前記ガラス
基板１をセットし、基板湿度常温、ＣＦ４ガス流量１１
００８ＣＣ，０２ガス流吊１１０５ＣＣ，Ｒ，Ｆ、パワ
ー３００Ｗ、エツチング時間約１０秒、溝深さ ７５０
人の各条件で、プラズマエツチングを行なった。
基板１をセットし、基板湿度常温、ＣＦ４ガス流量１１
００８ＣＣ，０２ガス流吊１１０５ＣＣ，Ｒ，Ｆ、パワ
ー３００Ｗ、エツチング時間約１０秒、溝深さ ７５０
人の各条件で、プラズマエツチングを行なった。
ついで、このサンプル上のフォトレジスト４を剥離液を
用いて剥離した。
用いて剥離した。
以上の工程により製造された本発明に係る基盤と、ガラ
ス基板上にフォトレジストを塗布してレーザーカッティ
ングを行なった従来の通常の基盤とのノイズレベルの測
定を行なったところ、両者には有意差がなく、光磁気デ
ィスク用の基盤として十分実用に耐え得ることが確認さ
れた。
ス基板上にフォトレジストを塗布してレーザーカッティ
ングを行なった従来の通常の基盤とのノイズレベルの測
定を行なったところ、両者には有意差がなく、光磁気デ
ィスク用の基盤として十分実用に耐え得ることが確認さ
れた。
以上説明したように本発明によれば、ガラス基板上にＳ
ｉ原子を含む透明なアモルファス部材を設け、このアモ
ルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝を形
成したから、ガラス基板の利点を損うことなく、量産性
に（れ、かつ安全に製造できる等の優れた効果を奏する
。
ｉ原子を含む透明なアモルファス部材を設け、このアモ
ルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝を形
成したから、ガラス基板の利点を損うことなく、量産性
に（れ、かつ安全に製造できる等の優れた効果を奏する
。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は断面図
、第２図は製造工程を示す説明図である。 １・・・ガラス基板、２・・・アモルファス部材、３・
・・案内溝、４・・・フォトレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１凹 第２国 第２０
、第２図は製造工程を示す説明図である。 １・・・ガラス基板、２・・・アモルファス部材、３・
・・案内溝、４・・・フォトレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１凹 第２国 第２０
Claims (4)
- （１）ガラス基板上にＳｉ原子を含む透明なアモルファ
ス部材を設け、このアマモルフアス部材に光学ヘッドを
案内するための案内溝を形成したことを特徴とする情報
記憶媒体用の基盤。 - （２）案内溝は、アモルファス部材上にフォトレジスト
を形成し、このフォトレジストをマスクとして前記アモ
ルファス部材をプラズマエッチングすることによって形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情
報記憶媒体用の基盤。 - （３）アモルファス部材は、水素化アモルファスシリコ
ン窒化膜、水素化アモルファスシリコン炭化膜、水素化
アモルファスシリコン酸化膜のいずれかの材料か、また
は、Ｓｉ原子とＨ原子を含み、かつＮ、Ｃ、Ｏ原子のう
ち２つ以上の原子を含むアモルファス材料で構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記憶媒
体用の基盤。 - （４）プラズマエッチングは、ＣＦ＿４ガス、またはＣ
Ｆ＿４ガスとＯ＿２ガスとの混合ガスを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の情報記憶媒体用の
基盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295065A JPH0664757B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295065A JPH0664757B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150539A true JPS62150539A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0664757B2 JPH0664757B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17815860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60295065A Expired - Fee Related JPH0664757B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664757B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171134A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
| JPH07214427A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Sakae Denshi Kogyo Kk | 放電処理方法 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60295065A patent/JPH0664757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171134A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
| JPH07214427A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Sakae Denshi Kogyo Kk | 放電処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664757B2 (ja) | 1994-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |