JPS62150539A - 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 - Google Patents
情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法Info
- Publication number
- JPS62150539A JPS62150539A JP60295065A JP29506585A JPS62150539A JP S62150539 A JPS62150539 A JP S62150539A JP 60295065 A JP60295065 A JP 60295065A JP 29506585 A JP29506585 A JP 29506585A JP S62150539 A JPS62150539 A JP S62150539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- photoresist
- substrate
- amorphous
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野)
本発明は、たとえばCD(コンパクトディスク)、VD
(ビデオディスク)等の情報記憶媒体用の基盤に関する
。
(ビデオディスク)等の情報記憶媒体用の基盤に関する
。
光デイスクメモリは、再生専用のCD、VDにおいて半
導体レーザーを光源とした光関連技術が確立され、現在
市販されている。また、光メモリの最大の特徴である高
密度大容量記録性を生かし、所望の情報を記録し、かつ
再生のできるDRAW(Direct Read Af
ter Write)型の光デイスクメモリが、画像
、文自等のファイリングシステム用として既に市販に至
っている。さらに、消去機能を持った所謂イレーサブル
光ディスクの開発が現在急速に進行している。
導体レーザーを光源とした光関連技術が確立され、現在
市販されている。また、光メモリの最大の特徴である高
密度大容量記録性を生かし、所望の情報を記録し、かつ
再生のできるDRAW(Direct Read Af
ter Write)型の光デイスクメモリが、画像
、文自等のファイリングシステム用として既に市販に至
っている。さらに、消去機能を持った所謂イレーサブル
光ディスクの開発が現在急速に進行している。
ところで、前記最大の特徴である高密度記録性を生かし
た光ディスク(情報記憶媒体)は、光学ヘッドを案内す
る案内溝(グループ)を付けた透明の基盤に記録媒体膜
を成膜することにより構成されており、現在実用化され
ている基盤としては、量産性、低コスト性を考慮して、
アクリル系樹脂(MMA)、ポリカーボネイト樹脂(P
C)等の透明な有機樹脂基板が用いられている。
た光ディスク(情報記憶媒体)は、光学ヘッドを案内す
る案内溝(グループ)を付けた透明の基盤に記録媒体膜
を成膜することにより構成されており、現在実用化され
ている基盤としては、量産性、低コスト性を考慮して、
アクリル系樹脂(MMA)、ポリカーボネイト樹脂(P
C)等の透明な有機樹脂基板が用いられている。
しかし、前記アクリル系樹脂は吸湿性が大きいことから
吸湿膨潤による変形の問題があり、一方、ポリカーボネ
イト樹脂は吸湿膨潤は小さいが、光学的異法性が大きく
、成形時の内部歪みによって複屈折率が大きくなるとい
う問題がある。しかも、両者とも有機樹脂であるがため
に基本的に熱に弱いという問題がある。
吸湿膨潤による変形の問題があり、一方、ポリカーボネ
イト樹脂は吸湿膨潤は小さいが、光学的異法性が大きく
、成形時の内部歪みによって複屈折率が大きくなるとい
う問題がある。しかも、両者とも有機樹脂であるがため
に基本的に熱に弱いという問題がある。
特に、記録媒体膜として光磁気効果を利用したイレーサ
ブル光ディスクでは、カー回転角またはファラデー回転
角が微小であるがために、再生時に出力信号S/Nが通
常のDRAW型ディスクと比べて小さいので、前記有機
樹脂系基板の問題が顕著である。
ブル光ディスクでは、カー回転角またはファラデー回転
角が微小であるがために、再生時に出力信号S/Nが通
常のDRAW型ディスクと比べて小さいので、前記有機
樹脂系基板の問題が顕著である。
以上のような問題は光ディスクの基盤にガラス基板を用
いることによって基本的に解決するが、ガラス基板に約
1.6μmのピッチでスパイラル状の案内溝(グループ
)を直接形成する技術は未だ開発されていない。また、
ガラス基板上にフォトレジストを塗布して1枚1枚レー
ザーカッティングする方法も考えられるが、1枚のカッ
ティングに約3時間も要し、量産には全く不向きである
。
いることによって基本的に解決するが、ガラス基板に約
1.6μmのピッチでスパイラル状の案内溝(グループ
)を直接形成する技術は未だ開発されていない。また、
ガラス基板上にフォトレジストを塗布して1枚1枚レー
ザーカッティングする方法も考えられるが、1枚のカッ
ティングに約3時間も要し、量産には全く不向きである
。
そこで、近年、フォトレジストをマスクとしたガラス基
板のプラズマエツチング法が提案されている。
板のプラズマエツチング法が提案されている。
この方法は、先ず、ガラス基板上にフォトレジストを均
一に塗布した後、案内溝の形状に対応した紫外線露光を
行ない、これを現像することにより、ガラス基板表面の
案内溝に対応した部分にフォトレジス]・が存在しない
ように選択的にフォトレジストをパターニングする。つ
いで、このガラス基板をCHF3ガスのプラズマにさら
して、ガラス基板のフォトレジストの存在しない部分の
みドライエツチングを行なった後、フォトレジストを剥
離し、このようにして光ディスクの基盤を形成するもの
である。
一に塗布した後、案内溝の形状に対応した紫外線露光を
行ない、これを現像することにより、ガラス基板表面の
案内溝に対応した部分にフォトレジス]・が存在しない
ように選択的にフォトレジストをパターニングする。つ
いで、このガラス基板をCHF3ガスのプラズマにさら
して、ガラス基板のフォトレジストの存在しない部分の
みドライエツチングを行なった後、フォトレジストを剥
離し、このようにして光ディスクの基盤を形成するもの
である。
この方法によれば、レーザー光によって1枚1枚ガラス
基板に案内溝形状をカッティングしていく方法に比べれ
ば、案内溝の形成時間が短くて済み、一度に犬山に処理
が行なえるという利点を有するが、一方では、CHF3
ガスによるガラス基板の表面のエツチング速度が20人
/1nと遅いこと、およびCHF3のプラズマ中に生ず
るHFラジカルの排気処理等で量産時にはなお問題があ
る。
基板に案内溝形状をカッティングしていく方法に比べれ
ば、案内溝の形成時間が短くて済み、一度に犬山に処理
が行なえるという利点を有するが、一方では、CHF3
ガスによるガラス基板の表面のエツチング速度が20人
/1nと遅いこと、およびCHF3のプラズマ中に生ず
るHFラジカルの排気処理等で量産時にはなお問題があ
る。
本発明は前記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、ガラス基板の利点を損うことなく、
量産性に優れ、かつ安全に製造できるようにした情報記
憶媒体用の基盤を提供することにある。
的とするところは、ガラス基板の利点を損うことなく、
量産性に優れ、かつ安全に製造できるようにした情報記
憶媒体用の基盤を提供することにある。
本発明は、前記問題点を解決するために、ガラス基板上
にSi原子を含む透明なアモルファス部材を設け、この
アモルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝
を形成したことを特徴とするものである。
にSi原子を含む透明なアモルファス部材を設け、この
アモルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝
を形成したことを特徴とするものである。
案内溝をガラス基板でなくガラス基板上に設けたアモル
ファス部材に形成する。
ファス部材に形成する。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第1図は光ディスクの基盤を示すもので、図中1は円板
状のガラス基板であり、このガラス基板1上にはS1原
子を含む透明なアモルファス部材2が設けられている。
状のガラス基板であり、このガラス基板1上にはS1原
子を含む透明なアモルファス部材2が設けられている。
すなわち、このアモルファス部材2は、たとえば水素化
アモルファスシリコン窒化nQ、水素化アモルファスシ
リコン炭化膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のい
ずれかの材料か、または、Si原子とH原子を含み、が
っN、C,O原子のうら2つ以上の原子を含む材料で構
成され、ガラス基板1上に均一に設けられている。
アモルファスシリコン窒化nQ、水素化アモルファスシ
リコン炭化膜、水素化アモルファスシリコン酸化膜のい
ずれかの材料か、または、Si原子とH原子を含み、が
っN、C,O原子のうら2つ以上の原子を含む材料で構
成され、ガラス基板1上に均一に設けられている。
また、このアモルファス部材rlには図示しない光学ヘ
ッドを案内するための案内溝3がたとえばスパイラル状
に形成されている。
ッドを案内するための案内溝3がたとえばスパイラル状
に形成されている。
次に、このような構成の基盤の製造方法を説明する。
先ず、第2図(a)に示すように、ガラス基板1上にグ
ロー放電CVD法によって透明な例えば水素化アモルフ
ァスシリコン炭化F (a−8i C:H膜)、アモル
ファスシリコン窒化膜 (a−8i N : Hl) 、アモルファスシリコン
窒化111(a−8iO;H膜)のいずれかで構成され
るアモルファス部材2を約100人−,5ooo人の厚
さに成膜する。
ロー放電CVD法によって透明な例えば水素化アモルフ
ァスシリコン炭化F (a−8i C:H膜)、アモル
ファスシリコン窒化膜 (a−8i N : Hl) 、アモルファスシリコン
窒化111(a−8iO;H膜)のいずれかで構成され
るアモルファス部材2を約100人−,5ooo人の厚
さに成膜する。
ついで、第2図(b)に示すように、ネガ型のフォトレ
ジスト4の液をスピンナーによって前記アモルファス部
材2上に均一にコートする。
ジスト4の液をスピンナーによって前記アモルファス部
材2上に均一にコートする。
ついで、第2図(C)に示すように、Or等で所望の案
内溝3の形状にパターニングされたマスク5の上から紫
外線で露光した後、第2図(d)に示すように、ネガ型
の現像液(図示せず)により露光されなかった部分のフ
ォトレジスト4を選択的に取除く。
内溝3の形状にパターニングされたマスク5の上から紫
外線で露光した後、第2図(d)に示すように、ネガ型
の現像液(図示せず)により露光されなかった部分のフ
ォトレジスト4を選択的に取除く。
ついで、第2図(e)に示すように、フォトレジスト4
をマスクとしてCF4ガスと02ガスの混合ガス中で前
記アモルファス部材2のプラズマエツチングを行なった
後、第2図(f)に示すように、剥11′mを用いてフ
ォトレジスト4の剥離を行なう。
をマスクとしてCF4ガスと02ガスの混合ガス中で前
記アモルファス部材2のプラズマエツチングを行なった
後、第2図(f)に示すように、剥11′mを用いてフ
ォトレジスト4の剥離を行なう。
以上の構成によれば、アモルファス部材2を構成する水
素化アモルファスシリコン炭化Ill (a−8iC:
H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−8i N
: H躾) 、またはアモルファスシリコン窒化11!
(a−8iO:H膜)は、3NC対してN、C,Oの量
を変えることによって容易に光学バンドギャップを変化
することができ、また一般にSiに対しN、C,Oの原
子%が多くなるにつれて透明になるので、光学バンドギ
ャップおよび透明度の調整が容易に行なえる。
素化アモルファスシリコン炭化Ill (a−8iC:
H膜)、アモルファスシリコン窒化膜(a−8i N
: H躾) 、またはアモルファスシリコン窒化11!
(a−8iO:H膜)は、3NC対してN、C,Oの量
を変えることによって容易に光学バンドギャップを変化
することができ、また一般にSiに対しN、C,Oの原
子%が多くなるにつれて透明になるので、光学バンドギ
ャップおよび透明度の調整が容易に行なえる。
また、水素化アモルファスシリコン炭化膜(a−8i
C: Hll) 、アモルファスシリコン窒化膜(a−
8iN:H膜)、アモルファスシリコン窒化11IJ(
a−8i○;H膜)はガラスと同様に非吸湿性で複屈折
率が小さいので、ガラス基板1と全く同じ取扱いができ
る。
C: Hll) 、アモルファスシリコン窒化膜(a−
8iN:H膜)、アモルファスシリコン窒化11IJ(
a−8i○;H膜)はガラスと同様に非吸湿性で複屈折
率が小さいので、ガラス基板1と全く同じ取扱いができ
る。
また、水素化アモルファスシリ:コン炭化膜<a−8i
C: Hll> 、アモルファスシリコン窒化11!
J (a−8i N ; H1l!> 、7モル77ス
シ’Jコン窒化111(a−8iO:H膜)は、CF4
ガスと02ガスの混合ガス中でのブラズー?エツチング
によって、極めて速い速度で(5ooo入/1n)でエ
ツチングができるので、量産性に侵れる。
C: Hll> 、アモルファスシリコン窒化11!
J (a−8i N ; H1l!> 、7モル77ス
シ’Jコン窒化111(a−8iO:H膜)は、CF4
ガスと02ガスの混合ガス中でのブラズー?エツチング
によって、極めて速い速度で(5ooo入/1n)でエ
ツチングができるので、量産性に侵れる。
さらに、CF4ガスおよび02ガスのラジカルは基本的
に無害なので、排気は通常のダクトで行なっても問題は
なく、したがって安全に製造ができる。
に無害なので、排気は通常のダクトで行なっても問題は
なく、したがって安全に製造ができる。
次に、実験例を説明する。
先ず、コーニング性強化ガラス祷板1を容量結合型グロ
ー放電CVD装置内(図示せず)にセットし、基板温度
230℃、5it−(+ガス流量508 CCM、N2
ガス流ω5008 CCM、対向電極に投入するR、F
、パワー 300W、成膜時間約2分間(Pa厚1oo
o人)の各条件で、a−8iN:H膜(アモルファス部
材2)を成膜した。このa−8iN:H膜の光学バンド
ギャップは3,5eVでほとんど透明である。
ー放電CVD装置内(図示せず)にセットし、基板温度
230℃、5it−(+ガス流量508 CCM、N2
ガス流ω5008 CCM、対向電極に投入するR、F
、パワー 300W、成膜時間約2分間(Pa厚1oo
o人)の各条件で、a−8iN:H膜(アモルファス部
材2)を成膜した。このa−8iN:H膜の光学バンド
ギャップは3,5eVでほとんど透明である。
ついで、第2図(b)〜(d)に示したフォトレジスト
4の塗布、露光、現像の各工程を行ない、幅0.9μm
1ピッチ1.6μmの案内溝3の形状部分を除いた部分
にフォトレジスト4を残した。
4の塗布、露光、現像の各工程を行ない、幅0.9μm
1ピッチ1.6μmの案内溝3の形状部分を除いた部分
にフォトレジスト4を残した。
ついで、再度同じグロー放電CVD装置内に前記ガラス
基板1をセットし、基板湿度常温、CF4ガス流量11
008CC,02ガス流吊1105CC,R,F、パワ
ー300W、エツチング時間約10秒、溝深さ 750
人の各条件で、プラズマエツチングを行なった。
基板1をセットし、基板湿度常温、CF4ガス流量11
008CC,02ガス流吊1105CC,R,F、パワ
ー300W、エツチング時間約10秒、溝深さ 750
人の各条件で、プラズマエツチングを行なった。
ついで、このサンプル上のフォトレジスト4を剥離液を
用いて剥離した。
用いて剥離した。
以上の工程により製造された本発明に係る基盤と、ガラ
ス基板上にフォトレジストを塗布してレーザーカッティ
ングを行なった従来の通常の基盤とのノイズレベルの測
定を行なったところ、両者には有意差がなく、光磁気デ
ィスク用の基盤として十分実用に耐え得ることが確認さ
れた。
ス基板上にフォトレジストを塗布してレーザーカッティ
ングを行なった従来の通常の基盤とのノイズレベルの測
定を行なったところ、両者には有意差がなく、光磁気デ
ィスク用の基盤として十分実用に耐え得ることが確認さ
れた。
以上説明したように本発明によれば、ガラス基板上にS
i原子を含む透明なアモルファス部材を設け、このアモ
ルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝を形
成したから、ガラス基板の利点を損うことなく、量産性
に(れ、かつ安全に製造できる等の優れた効果を奏する
。
i原子を含む透明なアモルファス部材を設け、このアモ
ルファス部材に光学ヘッドを案内するための案内溝を形
成したから、ガラス基板の利点を損うことなく、量産性
に(れ、かつ安全に製造できる等の優れた効果を奏する
。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は断面図
、第2図は製造工程を示す説明図である。 1・・・ガラス基板、2・・・アモルファス部材、3・
・・案内溝、4・・・フォトレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1凹 第2国 第20
、第2図は製造工程を示す説明図である。 1・・・ガラス基板、2・・・アモルファス部材、3・
・・案内溝、4・・・フォトレジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1凹 第2国 第20
Claims (4)
- (1)ガラス基板上にSi原子を含む透明なアモルファ
ス部材を設け、このアマモルフアス部材に光学ヘッドを
案内するための案内溝を形成したことを特徴とする情報
記憶媒体用の基盤。 - (2)案内溝は、アモルファス部材上にフォトレジスト
を形成し、このフォトレジストをマスクとして前記アモ
ルファス部材をプラズマエッチングすることによって形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の情
報記憶媒体用の基盤。 - (3)アモルファス部材は、水素化アモルファスシリコ
ン窒化膜、水素化アモルファスシリコン炭化膜、水素化
アモルファスシリコン酸化膜のいずれかの材料か、また
は、Si原子とH原子を含み、かつN、C、O原子のう
ち2つ以上の原子を含むアモルファス材料で構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の情報記憶媒
体用の基盤。 - (4)プラズマエッチングは、CF_4ガス、またはC
F_4ガスとO_2ガスとの混合ガスを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第2項記載の情報記憶媒体用の
基盤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60295065A JPH0664757B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60295065A JPH0664757B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62150539A true JPS62150539A (ja) | 1987-07-04 |
JPH0664757B2 JPH0664757B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=17815860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60295065A Expired - Fee Related JPH0664757B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0664757B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171134A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
JPH07214427A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Sakae Denshi Kogyo Kk | 放電処理方法 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60295065A patent/JPH0664757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01171134A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
JPH01235044A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスク基板およびその製造方法 |
JPH07214427A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-15 | Sakae Denshi Kogyo Kk | 放電処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0664757B2 (ja) | 1994-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6126952A (ja) | 情報記録担体の製造法 | |
JP3016256B2 (ja) | 高密度記録ディスク用スタンパとその製造方法 | |
JPH04935B2 (ja) | ||
EP0552943B1 (en) | Master plate for optical memory device and manfacturing method thereof | |
JPS62241149A (ja) | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 | |
JPS62150539A (ja) | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 | |
JP2000280255A (ja) | 原盤の製造方法 | |
JP2708847B2 (ja) | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 | |
JPH11120626A (ja) | 光ディスク作製用マスタディスクの製造方法 | |
JPH10241213A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
JP3223548B2 (ja) | 情報ガラス原盤の製造方法 | |
JPS60173737A (ja) | 光学デイスク用スタンパ−の製造方法 | |
JPS60226042A (ja) | 情報ガラス基板およびその製造方法 | |
JPH01205744A (ja) | スタンパ複製用原盤とその製造方法 | |
JPS59210547A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
JPS61160850A (ja) | 光デイスク | |
JPS60217544A (ja) | ディジタル信号再生用テストディスクの製造方法 | |
JPS63308745A (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH05250745A (ja) | 光ディスク媒体の製造方法 | |
JPS62130290A (ja) | 光デイスク用アルミニウム原盤の製造方法 | |
JPS60202555A (ja) | 光デイスク用溝原版およびその製造方法 | |
JPH04307442A (ja) | 光学式記録媒体の製造方法 | |
JPS6275952A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
JPH05135413A (ja) | 光情報記録媒体形成用ロール状スタンパー | |
JPH06349115A (ja) | スタンパーの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |