JPS60202555A - 光デイスク用溝原版およびその製造方法 - Google Patents
光デイスク用溝原版およびその製造方法Info
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- JPS60202555A JPS60202555A JP5921884A JP5921884A JPS60202555A JP S60202555 A JPS60202555 A JP S60202555A JP 5921884 A JP5921884 A JP 5921884A JP 5921884 A JP5921884 A JP 5921884A JP S60202555 A JPS60202555 A JP S60202555A
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- JP
- Japan
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- groove
- thin film
- forming
- disk
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的分野〕
本発明は光ビームにより情報の記録、再生を行なう光デ
ィスクのトラック案内溝原版およびその製造方法に関す
るものである。
ィスクのトラック案内溝原版およびその製造方法に関す
るものである。
従来、光デイスク用溝原版としては、ガラス基板上に塗
布したフォトレジストに溝を形成して得られてきた。こ
の従来の溝原版の製造方法を以下に示す。
布したフォトレジストに溝を形成して得られてきた。こ
の従来の溝原版の製造方法を以下に示す。
先ず、ガラス円板上にスピンコードによりフォトレジス
トを所定の厚さに塗布する０次に、このガラス原版を回
転しながら集光レーザビームによって溝形成位置を露光
する。これを現像液につけ現像することにより、溝が形
成され、瀦原版が作られる。
トを所定の厚さに塗布する０次に、このガラス原版を回
転しながら集光レーザビームによって溝形成位置を露光
する。これを現像液につけ現像することにより、溝が形
成され、瀦原版が作られる。
このように、従来の溝原版の製造方法においては、スピ
ンコードによりフォトレジストを塗布するため、膜厚す
なわち溝深さの均一性が悪く、また、湿式プロセスで現
像を行なうため、溝寸法の再現性が悪く現像過程でごみ
の付着等により、溝に欠陥が発生するという欠点を有し
ている。
ンコードによりフォトレジストを塗布するため、膜厚す
なわち溝深さの均一性が悪く、また、湿式プロセスで現
像を行なうため、溝寸法の再現性が悪く現像過程でごみ
の付着等により、溝に欠陥が発生するという欠点を有し
ている。
本発明はガラス基板上に溝形成薄膜および金属薄膜を積
層させ、金属薄膜をレーザ光照射により蒸発させ、さら
に金属薄膜をマスクとしてプラズマエツチングにより溝
形成薄膜に溝を形成することを特徴とし、その目的は溝
寸法の均一性が良（しかも欠陥の少ない良質の溝原版を
提供することにある。
層させ、金属薄膜をレーザ光照射により蒸発させ、さら
に金属薄膜をマスクとしてプラズマエツチングにより溝
形成薄膜に溝を形成することを特徴とし、その目的は溝
寸法の均一性が良（しかも欠陥の少ない良質の溝原版を
提供することにある。
次に、本発明の実施例を図面について説明す墨。
第１１１！！ｉは本発明による光デイスク用溝原版の構
造図であり、図中１はガラスなどよりなるディスク基板
、２は溝形成薄膜、３は金属薄膜、４は形成された溝を
示す。
造図であり、図中１はガラスなどよりなるディスク基板
、２は溝形成薄膜、３は金属薄膜、４は形成された溝を
示す。
この第１図より明らかなように、本発明による光ディス
クは、基板１上に溝形成薄１１！２が積層され、この溝
形成薄膜２上にさｄに金属薄ｙＩ３が積層された形状を
有し、この溝形成薄１１１２および金属薄膜３の積層体
の間に溝４が形成された構造を有している。
クは、基板１上に溝形成薄１１！２が積層され、この溝
形成薄膜２上にさｄに金属薄ｙＩ３が積層された形状を
有し、この溝形成薄１１１２および金属薄膜３の積層体
の間に溝４が形成された構造を有している。
前記基板１としては、従来この種の光デイスク用溝原版
として用いられるものを有効に用いることができる。た
とえば、上述のガラスの他、ＲＭＭ＾、ポリカーネート
などのプラスティックなどを良好に使用可能である。
として用いられるものを有効に用いることができる。た
とえば、上述のガラスの他、ＲＭＭ＾、ポリカーネート
などのプラスティックなどを良好に使用可能である。
次に、前記溝形成薄１ｍ！２としては、たとえば、Ｓｉ
Ｏ嘗、５１ａＮａ、あるいはＳｉなどを用いることがで
きる。このような溝形成薄１１１２の厚さは、好ましく
は３５〜１４０ｎｍであることが好ましい。３５ｎ−未
満であると、レーザ光を照射したとき回折光を検出しに
くい、一方、１４０ｎ−を越えると、前述と同様に回折
光を検出しにくいからである。
Ｏ嘗、５１ａＮａ、あるいはＳｉなどを用いることがで
きる。このような溝形成薄１１１２の厚さは、好ましく
は３５〜１４０ｎｍであることが好ましい。３５ｎ−未
満であると、レーザ光を照射したとき回折光を検出しに
くい、一方、１４０ｎ−を越えると、前述と同様に回折
光を検出しにくいからである。
さらに、金属薄１１１３としては、本発明においては、
たとえば、Ａ１、轟ｕｓ ＭＯ％ Ｔｌ、Ｇｒなどを用
いることができる。
たとえば、Ａ１、轟ｕｓ ＭＯ％ Ｔｌ、Ｇｒなどを用
いることができる。
次ぎに本発明による光デイスク用溝原版の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、ガラスなどの基板上に溝形成薄膜を形成し、次ぎ
に金属薄膜をこの溝形成薄膜上に形成する。
に金属薄膜をこの溝形成薄膜上に形成する。
前述の溝形成＊ｉ＊の形成方法は、本発明において基本
的に限定されるものではなく、この種の薄膜を形成する
従来の方法を有効に用いることができる。たとえば、Ｒ
Ｐスパッタ法あるいはＣＶＤ法などにより形成すること
ができる。
的に限定されるものではなく、この種の薄膜を形成する
従来の方法を有効に用いることができる。たとえば、Ｒ
Ｐスパッタ法あるいはＣＶＤ法などにより形成すること
ができる。
また、前記溝形成薄膜上に積層される金属薄膜の形成方
法も基本的に限定されるものではなく、たとえば、真空
蒸着あるいはＲＰスパッタにより形成することができる
。
法も基本的に限定されるものではなく、たとえば、真空
蒸着あるいはＲＰスパッタにより形成することができる
。
このように溝形成薄膜および金属薄膜を形成した基板を
回転させながら、Ａｒレーザ光などを集束し、金属薄膜
上の溝形成位置に照射して金属薄膜を溶融蒸発させる。
回転させながら、Ａｒレーザ光などを集束し、金属薄膜
上の溝形成位置に照射して金属薄膜を溶融蒸発させる。
次ぎにレーザ未照射の残存した金属ｇｇ＊をマスクとし
て溝形成薄膜の溝形成位置をエツチングすることにより
溝４が形成され、本発明による光ディスク溝原版が製造
できる。
て溝形成薄膜の溝形成位置をエツチングすることにより
溝４が形成され、本発明による光ディスク溝原版が製造
できる。
本発明では、溝形成薄膜のエツチング方法としてプラズ
マエツチング法を用いた。また、溝幅の制御は金属薄膜
３に照射するＡｒレーザ光のパワーを変えることにより
行った。
マエツチング法を用いた。また、溝幅の制御は金属薄膜
３に照射するＡｒレーザ光のパワーを変えることにより
行った。
次ぎに、本発明の具体的な実施例を示す。
実施例１ 、
ガラス基板上にＳｉＯ＊をＲＦスパンタにより６０ｒｖ
の厚さに形成した。次ぎにＴｉを真空蒸着により１゜ｒ
ｏｍの厚さに形成した。次に、この基板を３００回転
７分で回転しながら波長４８８ｎ−のＡｒレーザ光をＴ
ｉ 、薄膜上に集束して照射し、スパイラル状にＴ ｉ
ＩＩ ＩＩＩを蒸発させた。Ａｒレーザ光のパワーは
薄膜上で３０１Ｉ−とした。
の厚さに形成した。次ぎにＴｉを真空蒸着により１゜ｒ
ｏｍの厚さに形成した。次に、この基板を３００回転
７分で回転しながら波長４８８ｎ−のＡｒレーザ光をＴ
ｉ 、薄膜上に集束して照射し、スパイラル状にＴ ｉ
ＩＩ ＩＩＩを蒸発させた。Ａｒレーザ光のパワーは
薄膜上で３０１Ｉ−とした。
次ぎに、ＣＦ４ガス中でのプラズマエツチングにヨｊ）
ＳｉＯｔをエツチングし溝を形成した。この際、Ｔｉ＠
ｌｌｉはほとんどエツチングされず、幅０．５μ纏のほ
ぼ矩形の溝が形成された。かくして得た光デイスク用溝
原版をマスター版としてニッケル電鋳によりスタンパを
作製し、さらに、射出成形法によりＰＭＭ＾基板に溝を
転写した後、記録膜としてＣ５＊−Ｔｏ薄膜をプラズマ
重合法により形成し、光ディスクを作製した。
ＳｉＯｔをエツチングし溝を形成した。この際、Ｔｉ＠
ｌｌｉはほとんどエツチングされず、幅０．５μ纏のほ
ぼ矩形の溝が形成された。かくして得た光デイスク用溝
原版をマスター版としてニッケル電鋳によりスタンパを
作製し、さらに、射出成形法によりＰＭＭ＾基板に溝を
転写した後、記録膜としてＣ５＊−Ｔｏ薄膜をプラズマ
重合法により形成し、光ディスクを作製した。
かくして得た光ディスクを１８００回転／回転面転しな
がら半導体レーザ光を照射し、トランク信号を検出した
結果良質のトラック信号を得た。また半導体レーザを用
いた記録、再生装置によりビデオ信号の記録再生を行な
ったところ、トラッキング動作および溝に沿った記録再
生の動作を確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を得
た。
がら半導体レーザ光を照射し、トランク信号を検出した
結果良質のトラック信号を得た。また半導体レーザを用
いた記録、再生装置によりビデオ信号の記録再生を行な
ったところ、トラッキング動作および溝に沿った記録再
生の動作を確認し、かつ良好な品質のビデオ再生像を得
た。
さらに、フォトレジストを用いた従来の溝原版から本実
施例と同様の方法により作製した光ディスクによるビデ
オ再生像と比較したところ、本発明の溝原版から作製し
た光ディスクによる再生像の方がドロップアウトが少な
く、信号対雑音比が高かった。また、金属膜としてＡＩ
、Ａｕｓ ＭｏあるいはＣｒを形成して作製した溝原版
についても同様の結果を得た。
施例と同様の方法により作製した光ディスクによるビデ
オ再生像と比較したところ、本発明の溝原版から作製し
た光ディスクによる再生像の方がドロップアウトが少な
く、信号対雑音比が高かった。また、金属膜としてＡＩ
、Ａｕｓ ＭｏあるいはＣｒを形成して作製した溝原版
についても同様の結果を得た。
実施例２
ガラス基板上にＳｉ３Ｎ４をプラズマＣＶＤ法により１
００ｎａ＋の厚さに形成した。次に、ＣｒをＲＦスパッ
タにより１０ｎｍの厚さに形成した。以下実施例１と同
様の方法により溝を形成した。 Ａｒレーザのパワーを
３０ａ＋Ｗとしたところ、幅０．８μ膳の矩形溝が得ら
れた。か（して得た溝原版から、実施例１と同様の方法
により光ディスクを作製し記録再生実験を行なったとこ
ろ、溝に沿った記録および再生の動作を確認し、かつ良
好な品質のビデオ再生像を得た。また、金属膜としてＡ
Ｉ、 Ａｕ、 ＭｏあるいはＴｉを形成して作製した溝
膿版についても同様の結果を得た。
００ｎａ＋の厚さに形成した。次に、ＣｒをＲＦスパッ
タにより１０ｎｍの厚さに形成した。以下実施例１と同
様の方法により溝を形成した。 Ａｒレーザのパワーを
３０ａ＋Ｗとしたところ、幅０．８μ膳の矩形溝が得ら
れた。か（して得た溝原版から、実施例１と同様の方法
により光ディスクを作製し記録再生実験を行なったとこ
ろ、溝に沿った記録および再生の動作を確認し、かつ良
好な品質のビデオ再生像を得た。また、金属膜としてＡ
Ｉ、 Ａｕ、 ＭｏあるいはＴｉを形成して作製した溝
膿版についても同様の結果を得た。
実施例３
ガラス基板上に多結晶ＳｉをＣＶＤ法により？０ｎｍの
厚さに形成した。次にＡＩを真空蒸着により１０ｎｍの
厚さに形成した。以下、実施例１と同様の方法により溝
を形成した。Ａｒレーザのパワーを１０ｍＷとしたとこ
ろ、幅０．５μ−の矩形溝が得られた。かくして得た溝
原版から実施例１と同様の方法により作製した光ディス
クおよびフォトレジストを用いた従来の溝原版から本実
施例と同様の方法により作製した光ディスクについてデ
ィジタル信号の記録再生実験を行ない、符合誤り率を測
定したところ、本発明の溝原版から作製した光ディスク
の方が誤り率が低かった。また、金属膜としてＡｕ、
Ｎ。
厚さに形成した。次にＡＩを真空蒸着により１０ｎｍの
厚さに形成した。以下、実施例１と同様の方法により溝
を形成した。Ａｒレーザのパワーを１０ｍＷとしたとこ
ろ、幅０．５μ−の矩形溝が得られた。かくして得た溝
原版から実施例１と同様の方法により作製した光ディス
クおよびフォトレジストを用いた従来の溝原版から本実
施例と同様の方法により作製した光ディスクについてデ
ィジタル信号の記録再生実験を行ない、符合誤り率を測
定したところ、本発明の溝原版から作製した光ディスク
の方が誤り率が低かった。また、金属膜としてＡｕ、
Ｎ。
ＴｉあるいはＣｒを形成して作製した溝原版についても
同様の結果を得た。
同様の結果を得た。
以上説明したように本発明によれば、乾式プロセスだけ
で溝原版が作製できるため、溝寸法の百現性が良く欠陥
発生の少ない溝原版を作製することができ、高い信号対
雑音比あるいは低い誤り率で情報を記録再生できる光デ
ィスクを提供することが可能となる。
で溝原版が作製できるため、溝寸法の百現性が良く欠陥
発生の少ない溝原版を作製することができ、高い信号対
雑音比あるいは低い誤り率で情報を記録再生できる光デ
ィスクを提供することが可能となる。
第１図は本発明の光デイスク用溝原版の構造図である。
１・・・ディスク基板、２・・・溝形成薄膜、３・・・
金属薄膜、４・・・溝。 出願人代理人 雨 宮 正 季
金属薄膜、４・・・溝。 出願人代理人 雨 宮 正 季
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ディスク状の基板上に溝形成薄膜および金属薄膜
を積層させ、これらの薄膜に溝を形成することを特徴と
する光デイスク用溝原版。 （２） 溝形成薄膜が酸化珪素、窒化珪素あるいは珪素
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
デイスク用溝原版。 （３） 基板上に溝形成薄膜および金属薄膜を順次形成
し、溝形成位置に光照射を行なって、金属薄膜を蒸発さ
せ、次いで金属１［ＩＪ！をマスクとして前記溝形成薄
膜をプラズマエツチングすることにより溝を形成するこ
とを特徴とする光デイスク用溝原版の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5921884A JPS60202555A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 光デイスク用溝原版およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5921884A JPS60202555A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 光デイスク用溝原版およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202555A true JPS60202555A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13107018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5921884A Pending JPS60202555A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 光デイスク用溝原版およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202555A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040008367A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 엘지전자 주식회사 | 광 디스크 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352104A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of disc recording disc |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5921884A patent/JPS60202555A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352104A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of disc recording disc |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040008367A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 엘지전자 주식회사 | 광 디스크 제조 방법 |
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