JPS63308745A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報を光学的に記録・再生する光デイスクメ
モリシステムに好適な情報記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来の媒体は、ガラス基板上にホトレジスト膜を形成し
、露光・現像によりホトレジスト膜に深さの異なった案
内溝とピットを形成し、ガラス基板をプラズマを用いて
エツチングをしていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、例えば案内溝の深さがピットより浅い
場合、ホトレジスト膜中の案内溝の深さを露光・現像条
件で制御してい友。しかし、案内溝の深さは、再現性が
低くくまた均一性に乏しいため、その都度案内溝の深さ
を測定しエッチ／グ条件の見直しをしなければならなか
った。そして、案内溝とピットを同時にエツチングする
ので、両方を最適深さにすることが困離であった。また
、案内溝はホトレジスト膜厚方向の中間に形成されてい
るので、現像時の溶解性の不均一によりホトレジスト特
有の表面粗れが生じ、これがエツチングされた表面にも
存在するため、Ｓ／Ｎが低下するという問題があった。

本発明の目的は、深さの異なったものを各々独立に制御
し、常に最適深さを達成させ、′！た表面粗れの少ない
情報記録媒体にすることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、ガラス基板上に誘電体膜を形成したものを
エツチングすることと、エツチングされた案内溝に追従
しながら再記録をする追加記録方式とすることにより、
達成される。

〔作用〕

ホトレジスト膜に案内溝を形成した情報原盤を化学的な
エツチング溶液中にまたはプラズマ中に放置してエツチ
ングすると、ホトレジスト膜の除去された部分に対応し
た下層の誘電体膜が除去され、誘電体膜に案内溝が形成
される。エツチング深さは、エツチング条件を適当に変
えることによシ任意の深さに制御される。次に残ったレ
ジスト膜を除去する。そしてもう１度レジスト膜を形成
し、追加記録を行う。追加記録は、前述の誘電体膜の案
内溝を再生し、記録光を案内溝に追従する制御をしなが
ら、ピットを露光するため、案内溝とピットの位置関係
は常に一定に保たれる。現像処理後、再びエツチングを
行うと誘電体膜にピットも形成される。エツチング深さ
は、エツチング条件を適当に制御するによシ任意の深さ
が得られる。したがって、誘電体膜には、案内溝とピッ
トが任意の異なった深さで形成される。

〔実施例〕

以下５本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する
。

第１図は％記録原盤の構造を示す。精度よく研磨加工さ
れたガラス基板１上に誘電体膜２を形成し、さらにその
上に厚さ１０００人〜２０００人のホトレジスト膜３を
形成する。誘電体膜２は、酸化物、窒化化合物、硫化物
からなる誘電体膜であり、例えばＳｉｎ、８ｉ３Ｎ４．
ｚｎｓ等でおる。

ホトレジスト膜３は、シラブレー社のポジ型ホトレジス
トＡＺ１３５０である念め、露光・現像を行うと、露光
された部分が現像により除去され、案内溝４が形成され
る。第２図は、エツチングされた記録原盤の構造を示す
。案内溝が形成された第１図の記録原盤をエツチング装
置内に放置し。

真空度が１０１〜１０−６Ｔｏｒｒに達したらアルゴン
ガスを導入する。アルゴンガス圧は１０−ｊ〜１０　’
　Ｔｏｒｒ　である。そして、高周波放電を行ない、プ
ラズマを発生させてエツチングを行う。この時、現像で
ホトレジスト膜３の除去された案内溝４の部分に対応し
た誘電体膜２がエツチングされ案内溝５が得られる。エ
ツチング深さｄ２は、エツチング条件を制御することに
より任意の深さが得られる。例えば、一般に案内溝の深
さは７００人であるから、エツチング時間を制御するこ
とにより得られる。

第３図は、追加記録原盤の構造を示す。第２図の記録原
盤上のホトレジスト膜３を除去した後に。

新たにホトレジスト膜７を形成する。ホトレジスト膜７
は、ホトレジスト膜３と全く同じものでよい。そして、
案内溝５を再生し、追従しながらピットの追加記録の露
光を行う。次いで現像を行なって露光された部分のホト
レジスト膜７を除去して、ピット６を形成する。追加記
録時における再生・追従する念めの光源は、ホトレジス
ト膜７の感光に影響の与えないこと、ホトレジスト膜７
に対して透過性であることの条件に適した波長が必要で
ある。前記条件を具備する波長は、例えば）（ｅ−Ｎｅ
ｖ−ザ（６３２，８ｎｍ）が適している。また、ホトレ
ジスト膜７と誘電体膜２の屈折率にその差がない場合、
案内溝５からの回折光が得られないので、追加記録時に
案内ｇ５を再生し追従することができなくなる。したが
って、ホトレジスト膜７と誘電体膜の屈折率が異なって
いる必要がある。望“ましい屈折率差は、０．４以上で
ある。

第４図は、エツチングされた追加記録原盤の構造を示す
。エツチングは案内溝形成時と同様の迅理を行うことに
より、誘電体膜２にピット８を形成できる。エツチング
深さｄ３は、エツチング条件を制御することにより任意
の深さとすることができ、案内溝５の深さｄ２と独立に
異なった深さとすることができる。ここで、誘電体膜厚
ｄ１はエツチング深さｄ２またはｄ３の大きい方の深さ
と同じかまたは厚くしておく。その後、ホトレジスト膜
７を除去することにより情報記録媒体を得る、 なお、ピット６の追加記録の案内溝との位置関係は、案
内溝５上であれ、案内溝と案内溝の間であれ、前述のエ
ツチングによりピット８の形成は可能である。

さらに、本発明を用いれば、異方性エツチングとなるた
めエツジがやや傾斜をもったシャープな案内溝５とピッ
ト８を得ることができ、ｔた表面粗れの少ないエツチン
グ面となるため、案内溝５やピット８からの雑音が低下
するという特長がある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、案内溝とピットを各々独立に形成させ
るため、任意の深さを有する案内溝やピットを形成する
ことができ、また表面粗れを少なくすることができるの
で、最適かつ信頼性の高い情報記録媒体を得る効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における情報原盤の断面図、第
２図はエツチング後の情報原盤の断面図。 第３図は追加記録原盤の断面図、第４図はエツチング後
の追加記録原盤の断面図を示す。 １・・・ガラス基板、２・・・誘電体膜、３，７・・・
ホトレジスト膜、４，６・・・案内溝およびピット、　
　５．　８・・・誘電体膜に形成された案内溝およびピ
ット。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に誘電体膜を被覆し、さらにレジスト膜を形
   成した後レーザ光等の光を照射して案内溝を記録し、レ
   ジスト膜を現像し、エッチングにより前記誘電体膜に任
   意の深さの案内溝を形成し、レジスト膜を除去後、さら
   にレジスト膜を形成し、前記案内溝を追従しながら、所
   定部に任意の信号を記録し、レジスト膜を現像し、さら
   にエッチングすることにより誘電体膜に任意の深さのピ
   ットを形成したことを特徴とする情報記録媒体。 ２、誘電体膜の屈折率とレジスト膜の屈折率が異なるこ
   とを特徴とする第１項記載の情報記録媒体。