JPH07105513A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH07105513A JPH07105513A JP27129593A JP27129593A JPH07105513A JP H07105513 A JPH07105513 A JP H07105513A JP 27129593 A JP27129593 A JP 27129593A JP 27129593 A JP27129593 A JP 27129593A JP H07105513 A JPH07105513 A JP H07105513A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変
動するのを防止する。 【構成】 下部磁性膜を磁気回路の一部として含むこと
のある多数の磁気変換素子を、ウエハー１０１上に形成
する工程を含む。ウエハー１０１上に下部磁性膜１１３
を形成した後、下部磁性膜１１３の上に、薄膜磁気変換
素子を形成し、その後、下部磁性膜のパターニングを行
う。
動するのを防止する。 【構成】 下部磁性膜を磁気回路の一部として含むこと
のある多数の磁気変換素子を、ウエハー１０１上に形成
する工程を含む。ウエハー１０１上に下部磁性膜１１３
を形成した後、下部磁性膜１１３の上に、薄膜磁気変換
素子を形成し、その後、下部磁性膜のパターニングを行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、半導体製造工程と同
様のフォトリソグラフィ工程や薄膜形成工程により、ウ
エハー上に多数の薄膜磁気変換素子を整列して設け、そ
の後に薄膜磁気変換素子のそれぞれを個別に取り出す工
程を経て製造される。薄膜磁気ヘッドを製造する場合の
一般的な工程は次のようなものである。
様のフォトリソグラフィ工程や薄膜形成工程により、ウ
エハー上に多数の薄膜磁気変換素子を整列して設け、そ
の後に薄膜磁気変換素子のそれぞれを個別に取り出す工
程を経て製造される。薄膜磁気ヘッドを製造する場合の
一般的な工程は次のようなものである。
【０００３】まず、ウエハー上に下部磁性膜を所定のパ
ターンとなるように形成する。下部磁性膜は、薄膜磁気
変換素子が磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）である場合
は、ＭＲ素子の下側に位置する下部シールド膜となり、
薄膜磁気変換素子が誘導型素子である場合は上部磁性膜
との間で一つの薄膜磁気回路及び変換ギャップを構成す
る下部磁性膜となる。
ターンとなるように形成する。下部磁性膜は、薄膜磁気
変換素子が磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）である場合
は、ＭＲ素子の下側に位置する下部シールド膜となり、
薄膜磁気変換素子が誘導型素子である場合は上部磁性膜
との間で一つの薄膜磁気回路及び変換ギャップを構成す
る下部磁性膜となる。
【０００４】次に、ウエハーの全面に、パターン化され
た下部磁性膜を覆うように、絶縁膜を成膜する。この絶
縁膜は無機質絶縁膜であり、例えばアルミナ等によって
構成されている。
た下部磁性膜を覆うように、絶縁膜を成膜する。この絶
縁膜は無機質絶縁膜であり、例えばアルミナ等によって
構成されている。
【０００５】次に、下部磁性膜の領域上で、ＭＲ素子ま
たは誘導素子として必要な内部素子を、フォトリソグラ
フィ工程及び薄膜工程によって積層する。次に、保護膜
形成等の必要な工程を経た後、薄膜磁気変換素子のそれ
ぞれを個別に取り出す。
たは誘導素子として必要な内部素子を、フォトリソグラ
フィ工程及び薄膜工程によって積層する。次に、保護膜
形成等の必要な工程を経た後、薄膜磁気変換素子のそれ
ぞれを個別に取り出す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の薄膜磁気ヘッド載せ遺贈方法は、既にパターニングさ
れた下部磁性膜の上に、薄膜磁気変換素子を構成する内
部素子を集積するので、フォトリソグラフィ工程によっ
て内部素子を形成する際、下部磁性膜の膜厚の影響を受
けて、ウエハー内での内部素子のパターニングにバラツ
キを生じ易い。例えば、誘導型薄膜磁気変換素子を形成
する場合を想定すると、パターニングされた下部磁性膜
を多数個整列して設けたウエハーに、下部磁性膜を覆う
ように、無機質絶縁膜を形成した後、内部素子形成のた
めの工程において、ウエハー上にフォトリソグラフィ工
程に必要なレジストを塗布する。レジストは、ウエハー
の上にレジストを滴下し、かつ、ウエハーを面回転させ
るスピンコート法によって塗布される。この後、内部素
子形成に必要なパターンを有するフォトマスクを当て
て、露光し、現像する。ここで、レジスト塗布工程は、
既にパターニングされている下部磁性膜の上で行われる
ので、下部磁性膜の膜厚の影響を受けて、レジスト膜厚
がある素子では厚くなり、他の素子では薄くなる等、ウ
エハーの面内で変動する。このため、薄膜磁気変換素子
のパターンがウエハー面内で変動してしまう。磁気誘導
型ヘッドにおいては、特開昭５８ー１７５２３号公報に
上部磁極をパターニング後下部磁極をパターニングする
方法が開示されているが、これは目的が上下磁極が実質
的に等しい幅を持ち完全に整列される磁気ヘッドの製造
である。本発明は上下の磁極を揃えることではなく、上
下に挟まれた薄膜磁気変換素子をウエハー内で精度良く
製造し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することで
ある。
の薄膜磁気ヘッド載せ遺贈方法は、既にパターニングさ
れた下部磁性膜の上に、薄膜磁気変換素子を構成する内
部素子を集積するので、フォトリソグラフィ工程によっ
て内部素子を形成する際、下部磁性膜の膜厚の影響を受
けて、ウエハー内での内部素子のパターニングにバラツ
キを生じ易い。例えば、誘導型薄膜磁気変換素子を形成
する場合を想定すると、パターニングされた下部磁性膜
を多数個整列して設けたウエハーに、下部磁性膜を覆う
ように、無機質絶縁膜を形成した後、内部素子形成のた
めの工程において、ウエハー上にフォトリソグラフィ工
程に必要なレジストを塗布する。レジストは、ウエハー
の上にレジストを滴下し、かつ、ウエハーを面回転させ
るスピンコート法によって塗布される。この後、内部素
子形成に必要なパターンを有するフォトマスクを当て
て、露光し、現像する。ここで、レジスト塗布工程は、
既にパターニングされている下部磁性膜の上で行われる
ので、下部磁性膜の膜厚の影響を受けて、レジスト膜厚
がある素子では厚くなり、他の素子では薄くなる等、ウ
エハーの面内で変動する。このため、薄膜磁気変換素子
のパターンがウエハー面内で変動してしまう。磁気誘導
型ヘッドにおいては、特開昭５８ー１７５２３号公報に
上部磁極をパターニング後下部磁極をパターニングする
方法が開示されているが、これは目的が上下磁極が実質
的に等しい幅を持ち完全に整列される磁気ヘッドの製造
である。本発明は上下の磁極を揃えることではなく、上
下に挟まれた薄膜磁気変換素子をウエハー内で精度良く
製造し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することで
ある。
【０００７】そこで、本発明の課題は、工数を増やすこ
となく薄膜磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変
動するのを防止し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することである。
となく薄膜磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変
動するのを防止し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下部磁
性膜を磁気回路の一部として含むことのある多数の薄膜
磁気変換素子を、ウエハー上に形成する工程を含んでお
り、前記ウエハー上に、前記下部磁性膜を形成した後、
前記下部磁性膜の上に、前記薄膜磁気変換素子を形成
し、その後、前記下部磁性膜のパターニングを行う。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下部磁
性膜を磁気回路の一部として含むことのある多数の薄膜
磁気変換素子を、ウエハー上に形成する工程を含んでお
り、前記ウエハー上に、前記下部磁性膜を形成した後、
前記下部磁性膜の上に、前記薄膜磁気変換素子を形成
し、その後、前記下部磁性膜のパターニングを行う。
【０００９】
【作用】ウエハー上に、下部磁性膜を形成した後、下部
磁性膜の上に、薄膜磁気変換素子を形成し、その後、下
部磁性膜のパターニングを行うので、薄膜磁気変換素子
を形成するフォトリソグラフィ工程において、下部磁性
膜の膜厚によるレジスト膜厚の変動を回避できる。この
ため、薄膜磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変
動するのを防止し得る。
磁性膜の上に、薄膜磁気変換素子を形成し、その後、下
部磁性膜のパターニングを行うので、薄膜磁気変換素子
を形成するフォトリソグラフィ工程において、下部磁性
膜の膜厚によるレジスト膜厚の変動を回避できる。この
ため、薄膜磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変
動するのを防止し得る。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係る製造方法が適用され得る
薄膜磁気ヘッドの断面図、図２は図１のＡ２−Ａ２線上
における断面図である。図示の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ１００の上にＭＲ素子で構成された読み出し素子１
１０及び誘導型薄膜磁気変換素子でなる書き込み素子１
２０を有する。
薄膜磁気ヘッドの断面図、図２は図１のＡ２−Ａ２線上
における断面図である。図示の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ１００の上にＭＲ素子で構成された読み出し素子１
１０及び誘導型薄膜磁気変換素子でなる書き込み素子１
２０を有する。
【００１１】スライダ１００はセラミック構造体で構成
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
【００１２】読み出し素子１１０は、ＭＲ素子１１１を
絶縁膜１０２の内部に層状に埋設してある。一般的なＭ
Ｒ素子１１１は、磁気検出膜と、一対の磁区制御膜とを
含む。磁気検出膜は、磁気抵抗効果膜を含んでいる。磁
区制御膜のそれぞれは、磁気検出膜の相対する両側に互
いに間隔を隔てて積層されている。磁区制御膜は反強磁
性膜である。そして、反強磁性層と磁気抵抗効果膜との
間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気
抵抗効果膜に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動
きに起因するバルクハウゼンノイズを防止するようにな
っている。このような技術は例えば米国特許第4,103,31
5号に開示されている。
絶縁膜１０２の内部に層状に埋設してある。一般的なＭ
Ｒ素子１１１は、磁気検出膜と、一対の磁区制御膜とを
含む。磁気検出膜は、磁気抵抗効果膜を含んでいる。磁
区制御膜のそれぞれは、磁気検出膜の相対する両側に互
いに間隔を隔てて積層されている。磁区制御膜は反強磁
性膜である。そして、反強磁性層と磁気抵抗効果膜との
間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気
抵抗効果膜に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動
きに起因するバルクハウゼンノイズを防止するようにな
っている。このような技術は例えば米国特許第4,103,31
5号に開示されている。
【００１３】参照符号１１２はＭＲ素子１１１に給電す
るリード電極膜である。リード電極膜１１２は、磁気検
出膜上では相互に電極間隔を有して磁区制御膜の表面に
付着されている。ＭＲ素子１１１及びリード電極膜１１
２は、スライダ１００のＡＢＳ面１０３に現れており、
これにより、スペーシングロスをできるだけ減少させる
ようにしてある。参照符号１１３は下部磁性膜であり、
ＭＲ膜１１１に対する下部シールド膜として働く。
るリード電極膜である。リード電極膜１１２は、磁気検
出膜上では相互に電極間隔を有して磁区制御膜の表面に
付着されている。ＭＲ素子１１１及びリード電極膜１１
２は、スライダ１００のＡＢＳ面１０３に現れており、
これにより、スペーシングロスをできるだけ減少させる
ようにしてある。参照符号１１３は下部磁性膜であり、
ＭＲ膜１１１に対する下部シールド膜として働く。
【００１４】書き込み素子１２０は、下部磁性膜１２
１、上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等で
なるギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有し
て、絶縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１
２１及び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャッ
プ膜１２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっ
ており、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部
であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部
のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形
成してある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
１、上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等で
なるギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有し
て、絶縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１
２１及び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャッ
プ膜１２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっ
ており、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部
であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部
のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形
成してある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
【００１５】図３は本発明に係る製造方法の適用可能な
薄膜磁気ヘッドの他の例を示す断面図である。図におい
て、図１及び図２と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。図３に示す薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素
子による読み出し素子を用いていない点で図１及び図２
の薄膜磁気ヘッドと異なるだけであるので、説明は省略
する。
薄膜磁気ヘッドの他の例を示す断面図である。図におい
て、図１及び図２と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。図３に示す薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素
子による読み出し素子を用いていない点で図１及び図２
の薄膜磁気ヘッドと異なるだけであるので、説明は省略
する。
【００１６】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法について、図４〜図１７を参照して説明する。実施
例は図１及び図２に図示された薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部シールド膜となる下部磁性膜１１３の上にＭＲ
型薄膜磁気変換素子を形成する場合を示している。
方法について、図４〜図１７を参照して説明する。実施
例は図１及び図２に図示された薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部シールド膜となる下部磁性膜１１３の上にＭＲ
型薄膜磁気変換素子を形成する場合を示している。
【００１７】まず、図４に示すように、薄膜磁気ヘッド
のスライダ部材として適した材料、例えばAl2O3-TiCで
なるウエハー１０１を用意する。次に、図５に示すよう
に、ウエハー１０１の一面の全面に下部磁性膜１１３を
成膜する。下部磁性膜１１３は例えばFeAlSi膜であり、
スパッタによって形成できる。これにより、均一厚みを
有する下部磁性膜１１３がウエハー１の全面に形成され
る。
のスライダ部材として適した材料、例えばAl2O3-TiCで
なるウエハー１０１を用意する。次に、図５に示すよう
に、ウエハー１０１の一面の全面に下部磁性膜１１３を
成膜する。下部磁性膜１１３は例えばFeAlSi膜であり、
スパッタによって形成できる。これにより、均一厚みを
有する下部磁性膜１１３がウエハー１の全面に形成され
る。
【００１８】次に、図６に示すように、下部磁性膜１１
３の全面に無機質の絶縁膜１０２を形成する。絶縁膜１
０２は例えばAl2O3膜であり、スパッタによって形成す
ることができる。
３の全面に無機質の絶縁膜１０２を形成する。絶縁膜１
０２は例えばAl2O3膜であり、スパッタによって形成す
ることができる。
【００１９】次に、図７に示すように、絶縁膜１０２の
平坦な表面上に、その全面を覆うように、ＭＲ膜１１１
を形成する。ＭＲ膜１１１はスパッタによって形成でき
る。ＭＲ膜１１１は磁気抵抗効果膜の他、磁区制御膜、
横方向バイアス膜及び磁気分離膜等を含むことができ
る。
平坦な表面上に、その全面を覆うように、ＭＲ膜１１１
を形成する。ＭＲ膜１１１はスパッタによって形成でき
る。ＭＲ膜１１１は磁気抵抗効果膜の他、磁区制御膜、
横方向バイアス膜及び磁気分離膜等を含むことができ
る。
【００２０】次に、図８に示すように、ウエハー１０１
上にフォトリソグラフィ工程に必要なレジスト３を塗布
する。レジスト３は塗布装置４を用いてウエハー１０１
の上に滴下される。このとき、ウエハー１０１を矢印ａ
の如く面回転させる。レジスト３は面回転の遠心力によ
ってウエハー１０１の面上に均一に拡散される。これに
より、図９に示すように、ＭＲ膜１１１の全表面にレジ
スト３が形成される。ここで、レジスト３の塗布される
ウエハー１０１の一面は、下部磁性膜１１３、絶縁膜１
０２及びＭＲ膜１１１によって形成された凹凸のない平
坦な平面であるから、ウエハー１０１の面内におけるレ
ジスト３の膜厚分布が均等化される。
上にフォトリソグラフィ工程に必要なレジスト３を塗布
する。レジスト３は塗布装置４を用いてウエハー１０１
の上に滴下される。このとき、ウエハー１０１を矢印ａ
の如く面回転させる。レジスト３は面回転の遠心力によ
ってウエハー１０１の面上に均一に拡散される。これに
より、図９に示すように、ＭＲ膜１１１の全表面にレジ
スト３が形成される。ここで、レジスト３の塗布される
ウエハー１０１の一面は、下部磁性膜１１３、絶縁膜１
０２及びＭＲ膜１１１によって形成された凹凸のない平
坦な平面であるから、ウエハー１０１の面内におけるレ
ジスト３の膜厚分布が均等化される。
【００２１】次に、ＭＲ素子のパターンに従ったマスク
（図示しない）をレジスト膜３の上に当て、露光し、現
像することにより、図１０に示すように、必要なＭＲ素
子のパターンに対応したマスク３ｎ，３ｎ＋１等が得ら
れる。図１０はウエハー１０１上の任意の領域（ｎ）ま
たは（ｎ＋１）におけるＭＲ素子Ｑｎ及びＱｎ＋１を示
している。
（図示しない）をレジスト膜３の上に当て、露光し、現
像することにより、図１０に示すように、必要なＭＲ素
子のパターンに対応したマスク３ｎ，３ｎ＋１等が得ら
れる。図１０はウエハー１０１上の任意の領域（ｎ）ま
たは（ｎ＋１）におけるＭＲ素子Ｑｎ及びＱｎ＋１を示
している。
【００２２】次に、図１１に示すように、マスク３ｎ，
３ｎ＋１によって覆われた領域以外の不要な領域のＭＲ
膜１１１を、イオンミリング等の手段によって除去す
る。これにより、図１２に示すように、所定パターンの
ＭＲ膜１１１が得られる。
３ｎ＋１によって覆われた領域以外の不要な領域のＭＲ
膜１１１を、イオンミリング等の手段によって除去す
る。これにより、図１２に示すように、所定パターンの
ＭＲ膜１１１が得られる。
【００２３】次に、図１３に示すように、ＭＲ膜１１１
のパターンニングと同様のフォトリソグラフィ工程によ
って、リード電極膜１１２を形成する。リードを形成す
る手段としてリフトオフによる形成でも構わない。
のパターンニングと同様のフォトリソグラフィ工程によ
って、リード電極膜１１２を形成する。リードを形成す
る手段としてリフトオフによる形成でも構わない。
【００２４】次に、図１４に示すように、ＭＲ膜１１１
及びリード電極膜１１２を覆うようにマスク５１、５２
を形成する。そして、図１５に示すように、マスク５
１、５２によって覆われている領域以外の絶縁膜１０２
及び下部磁性膜１１３をミリング等の手段によってエッ
チングし、その後、マスク５１、５２を除去することに
より、図１７に示すように、ＭＲ薄膜磁気変換素子Ｑ
ｎ，Ｑｎ＋１が得られる。
及びリード電極膜１１２を覆うようにマスク５１、５２
を形成する。そして、図１５に示すように、マスク５
１、５２によって覆われている領域以外の絶縁膜１０２
及び下部磁性膜１１３をミリング等の手段によってエッ
チングし、その後、マスク５１、５２を除去することに
より、図１７に示すように、ＭＲ薄膜磁気変換素子Ｑ
ｎ，Ｑｎ＋１が得られる。
【００２５】図３に示した薄膜磁気ヘッドにおいて、下
部磁性膜１２１を形成する場合も、前述した製造工程を
取ることができる。
部磁性膜１２１を形成する場合も、前述した製造工程を
取ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、薄
膜磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変動するの
を防止し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
ができる。
膜磁気変換素子のパターンがウエハー面内で変動するの
を防止し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明に係る製造方法の適用可能な薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図２】図１のＡ２−Ａ２線上における断面図である。
【図３】本発明に係る製造方法の適用可能な薄膜磁気ヘ
ッドの別の例を示す断面図である。
ッドの別の例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
図である。
図である。
【図５】図４の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図６】図５の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図７】図６の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図８】図７の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図９】図８の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図１０】図９の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【図１１】図１０の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
【図１２】図１１の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
【図１３】図１２の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
【図１４】図１３の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
【図１５】図１４の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
【図１６】図１５の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
【図１７】図１６の工程後の本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す図である。
ドの製造工程を示す図である。
１０１ ウエハー １１０ 薄膜磁気変換素子 １１３ 下部磁性膜 １２０ 薄膜磁気変換素子 １２１ 下部磁性膜
Claims (3)
- 【請求項１】 下部磁性膜を有する多数の薄膜磁気変換
素子を、ウエハー上に形成する工程を含む薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、 前記ウエハー上に、前記下部磁性膜を形成した後、前記
下部磁性膜の上に、前記薄膜磁気変換素子を形成し、そ
の後、前記下部磁性膜のパターニングを行う薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記薄膜磁気変換素子は、磁気抵抗効果
素子を含んでおり、 前記下部磁性膜は前記磁気抵抗効果素子に対する下部シ
ールド膜を構成する請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項３】 前記薄膜磁気変換素子は、誘導型薄膜磁
気変換素子を含んでおり、 前記下部磁性膜は、前記誘導型薄膜磁気変換素子の薄膜
磁気回路の一部を構成している請求項１に記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27129593A JPH07105513A (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27129593A JPH07105513A (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105513A true JPH07105513A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17498061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27129593A Withdrawn JPH07105513A (ja) | 1993-10-04 | 1993-10-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731475B2 (en) | 2001-04-18 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Current-perpendicular-to-the-plane structure electromagnetic transducer element having reduced path for electric current |
-
1993
- 1993-10-04 JP JP27129593A patent/JPH07105513A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731475B2 (en) | 2001-04-18 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Current-perpendicular-to-the-plane structure electromagnetic transducer element having reduced path for electric current |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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