JPS58185018A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS58185018A JPS58185018A JP6528282A JP6528282A JPS58185018A JP S58185018 A JPS58185018 A JP S58185018A JP 6528282 A JP6528282 A JP 6528282A JP 6528282 A JP6528282 A JP 6528282A JP S58185018 A JPS58185018 A JP S58185018A
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- Japan
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- magnetic
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- pattern
- thin film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の対象
本発明は誘導型薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り１％に
磁気コアをブレーナマグネトロン方式を用いて形成する
場合に１段差部での磁気コアの平坦部に対する膜厚比（
以下付きまわりと称す）を向上させ磁気ヘッドの性能を
改善するのに好適な製造方法に関する。
磁気コアをブレーナマグネトロン方式を用いて形成する
場合に１段差部での磁気コアの平坦部に対する膜厚比（
以下付きまわりと称す）を向上させ磁気ヘッドの性能を
改善するのに好適な製造方法に関する。
従来技術
一般に誘導型薄膜磁気ヘッドは第１図の断面図に示す如
く導体コイル２と絶縁層うによりフロノドギャップ８と
バックギャップ部７近傍で段差が生じ、この段差部５．
６での磁性膜４の付きまわりが磁気ヘッドとしての性能
を大きく左右する事が知られている。一方この磁性膜４
の形成方法として最近では従来のメッキ法、蒸着法に比
べ、膜の均一性、再現性が優れ、又従来のＲＦスパッタ
法に比べ生産性が優れているという理由から、プレーナ
マグネトロン式スパッタ法が多く用いられる様になって
いる。しかしながらこのスパッタ法は前記段差部５，６
での膜の付きまわりがメッキ法に比べ劣る欠点がある。
く導体コイル２と絶縁層うによりフロノドギャップ８と
バックギャップ部７近傍で段差が生じ、この段差部５．
６での磁性膜４の付きまわりが磁気ヘッドとしての性能
を大きく左右する事が知られている。一方この磁性膜４
の形成方法として最近では従来のメッキ法、蒸着法に比
べ、膜の均一性、再現性が優れ、又従来のＲＦスパッタ
法に比べ生産性が優れているという理由から、プレーナ
マグネトロン式スパッタ法が多く用いられる様になって
いる。しかしながらこのスパッタ法は前記段差部５，６
での膜の付きまわりがメッキ法に比べ劣る欠点がある。
この付芦まゎりを向上させる方法として既に発明者らは
基板１を任意の角度で傾斜させてスパッタする方法を提
案しているがこの方法には基板１を傾ける為、８１！の
異方性分散が大きくなりヘッド特性にバラツキが生じゃ
すい等の問題があった。
基板１を任意の角度で傾斜させてスパッタする方法を提
案しているがこの方法には基板１を傾ける為、８１！の
異方性分散が大きくなりヘッド特性にバラツキが生じゃ
すい等の問題があった。
発明の目的
本発明の目的は、プレーナマグネトロン式スパッタ法を
用いて磁性膜を形成する方法に於て。
用いて磁性膜を形成する方法に於て。
段差部での局部的な磁気飽和を低減させ、薄膜ヘッドの
性能を向上させる方法を提供することにある。
性能を向上させる方法を提供することにある。
薄膜ヘッドの性能は第１図に示す前後部段差部５．６の
内、構造上、％に前部段差部５での磁性膜４の付きまわ
りＫよって大きく左右されることか知られている。−力
筒２図はプレーナマグネトロ／スパッタ法を用いた場合
のターゲット９と基板１の位置関係を示す簡略図である
が１本スパッタ法では図に示す様にターゲット９下のマ
グネット１ｏによりターゲット９が特に集中してスパッ
タリングされる領域（工０−ジｌノエリア１１）が存在
する。発明者らはこのスパッタ法で上記エロージ厘ノエ
リア１１の中＋ｌｙ ｉＢ −Ｂ’上に位置する基板１
の中心に対し基板上の段差の内＠Ａと外９ＡＢで膜の付
きまわりが異なっており内側段差部Ａの方が付きまわり
が良い事を実験的に確認した。
内、構造上、％に前部段差部５での磁性膜４の付きまわ
りＫよって大きく左右されることか知られている。−力
筒２図はプレーナマグネトロ／スパッタ法を用いた場合
のターゲット９と基板１の位置関係を示す簡略図である
が１本スパッタ法では図に示す様にターゲット９下のマ
グネット１ｏによりターゲット９が特に集中してスパッ
タリングされる領域（工０−ジｌノエリア１１）が存在
する。発明者らはこのスパッタ法で上記エロージ厘ノエ
リア１１の中＋ｌｙ ｉＢ −Ｂ’上に位置する基板１
の中心に対し基板上の段差の内＠Ａと外９ＡＢで膜の付
きまわりが異なっており内側段差部Ａの方が付きまわり
が良い事を実験的に確認した。
本発明はこの特徴を利用して前記薄膜ヘッドの前部段差
部５での付きまわりを向上させる為に基板１の中心に対
し互いに前部段差部５が内ｍＫ位置する様にホトマスク
パターンを設計し。
部５での付きまわりを向上させる為に基板１の中心に対
し互いに前部段差部５が内ｍＫ位置する様にホトマスク
パターンを設計し。
このマスクを用いてスパッタ磁性膜をパターニングする
ものである。
ものである。
発明の実施例
以下１本発明の一実施例を図を用いて説明する。第２図
は本実験で用いたプレーナマグネトロ７式スパッタ法の
ターケラト９と基板１の位置関係を示す図であり、エロ
ージ冒ンエリア１１間の距離はＬ＝２００ｍｍ、基板１
とターゲット９間の距離はｈ＝８５■である。第３図は
段差部類斜角Ｉと付きまわりの関係を基板中心から／＝
４０ｍの位置圧ついて調べた結果を示す。一般に薄膜ヘ
ッドの構造上上記傾斜角θは６５度〜５０度が適してい
る事が知られており１本実験もθ−６５〜５０度の範囲
で実際にスパッタし付きまわりを測定した。第６図より
段差内＠（ＳＩＤＥ Ａ）では０８以上の付きまわり
が得られるが、外側（ＳＩＤＥ、□Ｂ）では０５〜０７
程度しか付ぎまわりが得られない事がわかる。又一般に
薄膜・＼ラドの性能を満足するには第１図に示す前部段
差部５での付ぎまわりが少なくとも０８（第３図破＠
ｃ’で示す）以上は必要である事が知られており。
は本実験で用いたプレーナマグネトロ７式スパッタ法の
ターケラト９と基板１の位置関係を示す図であり、エロ
ージ冒ンエリア１１間の距離はＬ＝２００ｍｍ、基板１
とターゲット９間の距離はｈ＝８５■である。第３図は
段差部類斜角Ｉと付きまわりの関係を基板中心から／＝
４０ｍの位置圧ついて調べた結果を示す。一般に薄膜ヘ
ッドの構造上上記傾斜角θは６５度〜５０度が適してい
る事が知られており１本実験もθ−６５〜５０度の範囲
で実際にスパッタし付きまわりを測定した。第６図より
段差内＠（ＳＩＤＥ Ａ）では０８以上の付きまわり
が得られるが、外側（ＳＩＤＥ、□Ｂ）では０５〜０７
程度しか付ぎまわりが得られない事がわかる。又一般に
薄膜・＼ラドの性能を満足するには第１図に示す前部段
差部５での付ぎまわりが少なくとも０８（第３図破＠
ｃ’で示す）以上は必要である事が知られており。
この条件を満足する膜形成方法が要求されている。
以上の検討結果を踏まえると、第４図に示す様にパター
ンが全て四一方向を回いているホトマスクバター７１２
を用いると基板内の約半分の素子が前部段差部５での付
きまわりの最低値０８以上を満足する事ができず、薄膜
ヘッドの性能が低下する事になる。即ち薄膜ヘッドとし
ての製造歩留が５０％以下に低下し生産性の点からも問
題となる。
ンが全て四一方向を回いているホトマスクバター７１２
を用いると基板内の約半分の素子が前部段差部５での付
きまわりの最低値０８以上を満足する事ができず、薄膜
ヘッドの性能が低下する事になる。即ち薄膜ヘッドとし
ての製造歩留が５０％以下に低下し生産性の点からも問
題となる。
本発明はこの問題点を解決しうるものであり第５図にそ
の一実施例を示す。第５図のホトマスクパター７１２は
基板下のターゲットエＯ−ジ覆ノエリ了１１の長辺方向
と平行な基板中心線Ｄ−Ｄに対し素子パターン形状が互
いに対称（向き合う形）Ｋなる様に設計されている。こ
のパターンを用いて磁性膜４をバタ一二ノグすれば第１
図の前部段差部５での磁性膜付きまわりが基板内全域で
０８以上を満足し歩留も向上する事になる。即ち磁性膜
の形成方法として、膜の磁気特性の均一性、再現性等の
点で優れたプレーナマグネトロ７方式スパッタ法を用い
ることかでき、しかもメッキ法に比べ比較的劣る段差部
５での付きまわりを薄膜ヘッドの性能を得るのに必要な
程度まで改善することができる。即ち総合的に歩留りを
向上させる事が可能な製造方法を提供できる。
の一実施例を示す。第５図のホトマスクパター７１２は
基板下のターゲットエＯ−ジ覆ノエリ了１１の長辺方向
と平行な基板中心線Ｄ−Ｄに対し素子パターン形状が互
いに対称（向き合う形）Ｋなる様に設計されている。こ
のパターンを用いて磁性膜４をバタ一二ノグすれば第１
図の前部段差部５での磁性膜付きまわりが基板内全域で
０８以上を満足し歩留も向上する事になる。即ち磁性膜
の形成方法として、膜の磁気特性の均一性、再現性等の
点で優れたプレーナマグネトロ７方式スパッタ法を用い
ることかでき、しかもメッキ法に比べ比較的劣る段差部
５での付きまわりを薄膜ヘッドの性能を得るのに必要な
程度まで改善することができる。即ち総合的に歩留りを
向上させる事が可能な製造方法を提供できる。
尚−例として用いた第５図に示す如きホトマスクパター
ン１２は同図に示す様な長方形型の工ロージ習ンエリア
１１（又は蒸発源）を有する装置を用いる場合に適して
いる。
ン１２は同図に示す様な長方形型の工ロージ習ンエリア
１１（又は蒸発源）を有する装置を用いる場合に適して
いる。
さらに発明者らは基板中心軸に対し放射状に対称に配置
したパターンを有するホトマスクを用いて同様の効果を
得ているが、この様に放射状に配置したパターンでは加
工時に数個の素子をブロック単位として加工する事が出
来ない為加工工数が増加するという問題があることがわ
かった。
したパターンを有するホトマスクを用いて同様の効果を
得ているが、この様に放射状に配置したパターンでは加
工時に数個の素子をブロック単位として加工する事が出
来ない為加工工数が増加するという問題があることがわ
かった。
発明の効果
本発明によれば、薄膜ヘッドの性能を左右する第１図前
部段差部５での磁性膜の付きまわりを向上させる事がで
きるので１歩留りが向上し生産性の高い薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することができる。
部段差部５での磁性膜の付きまわりを向上させる事がで
きるので１歩留りが向上し生産性の高い薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することができる。
第１図は誘導型薄膜磁気ヘッドの平面図及び断面図、第
２図はプレーナマグネトロ７式スパッタ法に於ける基板
、ターゲットの位置関係を示す簡略図、第３図はプレー
ナマグネトロン式スパッタ法を用いた場合の段差部での
膜の付きまわりを実験により求めた結果を示す図、第４
図は従来の製造方法で用いたホトマスクパターンを示す
図、第５図は本発明の一実施例によるホトマスクパター
／を示す図である。 １・・・基板、 ２・・・導体コイル。 ３・・・絶縁層、 ４・・・磁性膜。 ５・・・前部段差部、 ６・・・後部段差部。 ７・・・パックギャップ、 ８・・・フロノドギャッ
プ９・・・ターゲット、１０・・・マグネット。 １１・・・工Ｏ−ジ、ノエリア。 １２・・ホトマスクパｐ−７゜ 才 １（２１ １−２図 ′ｆｆ−１ 才 ３ 図 １−４− 図 才 ５ 図 ／ｌ
２図はプレーナマグネトロ７式スパッタ法に於ける基板
、ターゲットの位置関係を示す簡略図、第３図はプレー
ナマグネトロン式スパッタ法を用いた場合の段差部での
膜の付きまわりを実験により求めた結果を示す図、第４
図は従来の製造方法で用いたホトマスクパターンを示す
図、第５図は本発明の一実施例によるホトマスクパター
／を示す図である。 １・・・基板、 ２・・・導体コイル。 ３・・・絶縁層、 ４・・・磁性膜。 ５・・・前部段差部、 ６・・・後部段差部。 ７・・・パックギャップ、 ８・・・フロノドギャッ
プ９・・・ターゲット、１０・・・マグネット。 １１・・・工Ｏ−ジ、ノエリア。 １２・・ホトマスクパｐ−７゜ 才 １（２１ １−２図 ′ｆｆ−１ 才 ３ 図 １−４− 図 才 ５ 図 ／ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に下部磁性膜、ｆＢ気ギャップ材、導体コイ
ル、磁性膜と導体コイルを電気的に絶縁する絶縁層、上
部磁性膜、保饅膜をホ） ＩＪングラフィー技術を用い
て積層して成る誘導型薄膜磁気ヘッドに於て、上記磁性
膜を基板よりも外側に蒸発源を有する装置で付着し、そ
の後基板面内で基板中心＠に対し対称な向きに配置した
パターンを有するホトマスクを用いて磁気コアパターン
を形成する事を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の磁性膜の被着をプレー
ナマグネトロン型スパッタ装置で行う事を特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 ６ 特許請求の範囲第１墳及び第２項記載の方法に於て
基板面内でターゲットのエローシーンエリア長辺方向に
平行な基板中心線に対し対称な向きに配置したパターン
を有するホトマスクを用いて磁気コアパターンを形成す
る事を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6528282A JPS58185018A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6528282A JPS58185018A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185018A true JPS58185018A (ja) | 1983-10-28 |
| JPH0361242B2 JPH0361242B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=13282412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6528282A Granted JPS58185018A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02249116A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6528282A patent/JPS58185018A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02249116A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2713758B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1998-02-16 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361242B2 (ja) | 1991-09-19 |
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