JPS627878A - 金属パタ−ン形成方法 - Google Patents
金属パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS627878A JPS627878A JP14741485A JP14741485A JPS627878A JP S627878 A JPS627878 A JP S627878A JP 14741485 A JP14741485 A JP 14741485A JP 14741485 A JP14741485 A JP 14741485A JP S627878 A JPS627878 A JP S627878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- film
- pattern
- aspect ratio
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１丘欠１
本発明は微細金属パターンの形成方法に関し、特に薄膜
磁気ヘッドにおける巻線のための金属パターン形成方法
に関する。
磁気ヘッドにおける巻線のための金属パターン形成方法
に関する。
従来技術
薄膜磁気ヘッドにおいては、書込み時に比較的大電流（
数１０ｍＡ）を流す必要がある。そこで磁気回路の抵抗
を小さくすることが要求され、そのためには巻線を形成
する金属パターンの幅を数ミクロン程度に抑える必要が
あり、書込み時の発熱を防くためには金属パターンの縦
横比は大きくなければならない。縦横比を大きくするた
めに、従来ではフォトレジストマスクを用いて金属パタ
ーンを電気メッキする方法がある（特公昭５７−３３７
０３）。
数１０ｍＡ）を流す必要がある。そこで磁気回路の抵抗
を小さくすることが要求され、そのためには巻線を形成
する金属パターンの幅を数ミクロン程度に抑える必要が
あり、書込み時の発熱を防くためには金属パターンの縦
横比は大きくなければならない。縦横比を大きくするた
めに、従来ではフォトレジストマスクを用いて金属パタ
ーンを電気メッキする方法がある（特公昭５７−３３７
０３）。
厚い金属パターンを得るためにはフォトレジストマスク
を厚くする必要がある。ところがフォトレジストマスク
が厚くなると露光に用いる紫外線が７オトレジスト自身
により吸収・散乱される度 。
を厚くする必要がある。ところがフォトレジストマスク
が厚くなると露光に用いる紫外線が７オトレジスト自身
により吸収・散乱される度 。
合が大きくなり、基板付近とフォトレジスト表面付近で
はフォトレジストマスクのパターン幅に大きな差が現れ
る。したがって上述した従来の金属パターン形成方法で
は金属パターンの縦横比を１＝１以上にすることは困難
であり、巻線数の多い薄ＰＩＡ磁気ヘッドを製造する際
の障害になっていた。
はフォトレジストマスクのパターン幅に大きな差が現れ
る。したがって上述した従来の金属パターン形成方法で
は金属パターンの縦横比を１＝１以上にすることは困難
であり、巻線数の多い薄ＰＩＡ磁気ヘッドを製造する際
の障害になっていた。
発明の目的
本発明はかかる従来の問題点を解決すべくなされたもの
であり、そ°の目的とするところは、微細金属パタ′−
ンの縦横比を容易に大とすることが可能な微細金属パタ
ーンの形成方法を提供すること、′ 膚 。
であり、そ°の目的とするところは、微細金属パタ′−
ンの縦横比を容易に大とすることが可能な微細金属パタ
ーンの形成方法を提供すること、′ 膚 。
にある。
発明の構成
本発明によれば、所定基板上に金属膜を付着してこの金
属膜上に第１層のフォトレジストマスクを選択的に被着
する工程と、選択的に形成されたこの第１層のフォトレ
ジストマスク上に更に第２層のフォトレジストマスクを
選択的に被着する工程と、これ等積層されたフォトレジ
ストマスクの存在しない当該金属膜の露出部分上に更に
金属膜を被着する工程とを含むことを特徴とする金属パ
ターン形成方法が得られる。
属膜上に第１層のフォトレジストマスクを選択的に被着
する工程と、選択的に形成されたこの第１層のフォトレ
ジストマスク上に更に第２層のフォトレジストマスクを
選択的に被着する工程と、これ等積層されたフォトレジ
ストマスクの存在しない当該金属膜の露出部分上に更に
金属膜を被着する工程とを含むことを特徴とする金属パ
ターン形成方法が得られる。
実施例
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の実施例を示す製造工程順の
各断面図であり、（Ａ）に示す如＜Ａｌ２Ｏ３などの無
機絶縁物またはハードベークしたフォトレジストなどの
有機絶縁物からなる基板１上に電気メッキをするための
金属膜３およびこの金属膜３と基板層の密着膜２をスパ
ッタリング等によって付着する。電気メッキをする金属
がＣｕの場合には金属膜３もＣｕであることが好ましい
。
各断面図であり、（Ａ）に示す如＜Ａｌ２Ｏ３などの無
機絶縁物またはハードベークしたフォトレジストなどの
有機絶縁物からなる基板１上に電気メッキをするための
金属膜３およびこの金属膜３と基板層の密着膜２をスパ
ッタリング等によって付着する。電気メッキをする金属
がＣｕの場合には金属膜３もＣｕであることが好ましい
。
またこの場合密着膜２はＯｒが好ましい。
更に、金属膜３上の全面に７オトレジスト４を塗布する
。フォトレジストとしては、シブレイ社マイクロポジッ
ト１３００−３７を用いた場合、スピンコード回転数・
を２５０Ｏｒｐｍにすれば容易に３μｍ以上の膜厚が得
られる。
。フォトレジストとしては、シブレイ社マイクロポジッ
ト１３００−３７を用いた場合、スピンコード回転数・
を２５０Ｏｒｐｍにすれば容易に３μｍ以上の膜厚が得
られる。
（Ｂ）は、露光現像の後ボストベークによりフォトレジ
スト中の溶剤を揮発させてフォトレジスト４を選択的に
残して所定のパターンを形成したものである。ボストベ
ークは１００〜１２０℃で３０分程度行う。このボスト
ベークの温度が低すぎると、次に塗布するフォトレジス
ト膜中の溶剤により、このフォトレジスト４の一部が溶
けると共にメッキ後のフォトレジストのパターン剥離が
困難となる。
スト中の溶剤を揮発させてフォトレジスト４を選択的に
残して所定のパターンを形成したものである。ボストベ
ークは１００〜１２０℃で３０分程度行う。このボスト
ベークの温度が低すぎると、次に塗布するフォトレジス
ト膜中の溶剤により、このフォトレジスト４の一部が溶
けると共にメッキ後のフォトレジストのパターン剥離が
困難となる。
（Ｃ）は第層のフォトレジスト４の上に更に第２の７オ
トレジスト５をスピンコードにより被着形成したもので
あり、（Ｄ）は２度目の露光現像及びボストベークによ
って第２のフォトレジスト５を先の第層のフォトレジス
ト４の上に選択的に残す様に形成した状態である。
トレジスト５をスピンコードにより被着形成したもので
あり、（Ｄ）は２度目の露光現像及びボストベークによ
って第２のフォトレジスト５を先の第層のフォトレジス
ト４の上に選択的に残す様に形成した状態である。
（Ｅ）はこれ等積層されたフォトレジスト４゜５の存在
しない金属層３の露出部分上に約４μｍのメッキ層６を
付着形成した状態を示している。
しない金属層３の露出部分上に約４μｍのメッキ層６を
付着形成した状態を示している。
（Ｆ）は有機溶剤あるいは専用の７オトレジスト除去剤
を用いてフォトレジスト４．５を除去した状態である。
を用いてフォトレジスト４．５を除去した状態である。
（Ｇ）はウェットエツチングあるいはドライエツチング
によりメッキ層間の密着膜２および金属膜３を除去した
状態を示す。フォトレジストマスクのパターン間隔を４
μｍにすれば以上の製造方法により縦横比１：層の微細
金属パターンが得られる。尚、図では縦方向をより拡大
して描いている。
によりメッキ層間の密着膜２および金属膜３を除去した
状態を示す。フォトレジストマスクのパターン間隔を４
μｍにすれば以上の製造方法により縦横比１：層の微細
金属パターンが得られる。尚、図では縦方向をより拡大
して描いている。
図の（Ｄ）の工程の後に続いてフォトレジストを順次積
層していくプロセスを繰返せばさらに縦横比の大きい微
細金属パターンを得ることも可能である。
層していくプロセスを繰返せばさらに縦横比の大きい微
細金属パターンを得ることも可能である。
発明の効果
叙上の如く、本発明によれば、フォトレジストを多層化
することにより、微細金属パターンの縦横比を大とする
ことができるようになり、磁気回路の抵抗を小として発
熱を防止し得ることになる。
することにより、微細金属パターンの縦横比を大とする
ことができるようになり、磁気回路の抵抗を小として発
熱を防止し得ることになる。
よって、薄膜磁気ヘッドに用いて効果的となるものであ
る。
る。
図（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の一実施例の製造工程順の各
断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・基板 ３・・・・・・金属膜 ４．５・・・・・・フォトレジスト ６・・・・・・金属メッキ層
断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・基板 ３・・・・・・金属膜 ４．５・・・・・・フォトレジスト ６・・・・・・金属メッキ層
Claims (1)
- 所定基板上に金属膜を付着してこの金属膜上に第１層の
フォトレジストマスクを選択的に被着する工程と、選択
的に形成された前記第１層のフォトレジストマスク上に
更に第２層のフォトレジストマスクを選択的に被着する
工程と、これ等積層されたフォトレジストマスクの存在
しない前記金属膜の露出部分上に更に金属膜を被着する
工程とを含むことを特徴とする金属パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14741485A JPS627878A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 金属パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14741485A JPS627878A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 金属パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627878A true JPS627878A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15429761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14741485A Pending JPS627878A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 金属パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10103117B2 (en) | 2015-08-24 | 2018-10-16 | Sfa Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing fan-out type wafer level package |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP14741485A patent/JPS627878A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10103117B2 (en) | 2015-08-24 | 2018-10-16 | Sfa Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing fan-out type wafer level package |
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