JPH03280492A - 多層絶縁膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ？概　要〕 多層絶縁膜の形成方法に関し、 基板表面に対して多層構造に積層した絶縁膜が反って変
形するのを防ぐような絶縁膜の形成方法を目的とし、 基板上に絶縁膜を多層構造に積層形成する方法に於いて
、 前記積層する各々の絶縁膜の端部の位置を、下層側に積
層する絶縁膜の端部の位置から互いに位置ずれさせた状
態で多層構造に積層することで構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は多層プリント配線基板の製造に用いる多層絶縁
膜の形成方法に関する。

多層プリント配線基板の製造に於いて、導体層パターン
を形成した例えばセラミック基板の上にポリイミドのよ
うな感光性樹脂を基板上に塗布した後、露光後、現像し
て所定のピアホールを形成後、加熱硬化して絶縁膜とし
、該硬化した絶縁膜上に導体層パターンを形成し、更に
その上に上記のようにして絶縁膜を形成し、これ等の工
程を多数回繰り返して多層プリント配線基板を製造する
工程が採られている。

〔従来の技術〕

従来、このような多層絶縁膜の形成方法について述べる
と、第４図に示すように例えばセラミ・７り基板１上に
第１層導体層パターン２を形成後、該基板上に絶縁膜の
ポリイミド膜形成材料をスピンコード法を用いて所定の
厚さに塗布した後、マスク（図示せず）を用いて露光し
た後、現像液で未露光部を除去して所定のピアホール４
に形成する。

次いでこのピアホール形成されたポリイミド膜を加熱硬
化して第１層絶縁膜３を形成する。

次いで該第１層絶縁膜３に第２層導体層パターン５を形
成後、更に第２層のポリイミド膜形成材料を前記したよ
うに塗布した後、前記した工程を繰り返して第２層絶縁
膜６を形成する。

このような工程を多数回行って多層構造に積層された絶
縁膜を有するプリント配線基板を形成している。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで上記したポリイミド膜とセラミック基板とは互
いに熱膨張係数が異なっており、また上記ポリイミド膜
は加熱して硬化させる工程で、収縮しようとし、またセ
ラミック基板は加熱する際に膨張する。そのため、セラ
ミック基板と絶縁膜が接触する点Ｐに集中応力が掛り、
第５図に示すように第１層絶縁膜３が上部に向かって剥
離するような不都合が生しる。

そして上記多層絶縁膜の各々の端部を揃えて積層形成し
た場合、何れの絶縁膜も基板の水平方向に対して矢印Ａ
に示すように、該絶縁膜の各々の端部より収縮力が働く
ようになり、この端部Ｐに応力が集中するようになり、
該端部Ｐより剥離する問題があり、多層構造に積層する
程、剥離する量が大となる問題がある。

本発明は上記した問題点を解決し、基板と熱膨張係数の
異なる絶縁膜を多層構造に積層した場合でも、基板表面
より剥離せずに平坦に積層できるような多層絶縁膜の形
成方法を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記した目的を達成する本発明の多層絶縁膜の形成方法
は、基板上に絶縁膜を多層構造に積層形成する方法に於
いて、 前記積層する各々の絶縁膜の端部の位置を、下層側に積
層する絶縁膜の端部の位置から互いに位置ずれさせた状
態で多層構造に積層することを特徴とする。

〔作　用〕

本発明の方法は第１図に示すように基板１上に積層する
各々の絶縁膜の端部の位置ｔ＋、　Ｌｚ、　ｊ：＋・・
・を、下層側に積層する絶縁膜の端部の位置から互いに
位置ずれさせた状態で多層構造に積層する。

このようにすると同様な厚さで積層したポリイミド膜の
端部の位置をｔ、、　　ｔｚ、　　ｔ３・・・と変化さ
せるため、各絶縁膜の応力の集中する位置はＰ、、　Ｐ
２＋Ｐ３・・・・・・のように分散することになる。

そのため、従来のように基板の水平方向の所定位置Ｐに
応力が集中して各々の絶縁膜が剥離することが無くなり
、各々の絶縁膜の応力が加算されなくなり、基板表面で
の応力が減少されて剥離しない状態で多層絶縁膜が形成
で゛きる。

〔実　施　例〕

以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。

第１図は本発明の第１実施例の説明図である。

図示するように、セラミック基板１上に所定の第１層導
体層パターン２を形成した後、第１層のポリイミドの絶
縁膜形成材料を約２０μｍの厚さに塗布して所定のピア
ホールを露光後、現像した後、加熱硬化して第１層絶縁
膜３を形成する。そして該第１層絶縁膜３上に第２層導
体層パターン５を形成した後、その上に第２層のポリイ
ミドの絶縁膜形成材料を塗布して所定のパターンに露光
後、現像した後、加熱硬化して第２層絶縁膜６を形成す
る。

ここで第２層絶縁膜６の端部の位置ｔ２は、第１層絶縁
膜３の端部の位置ｔ１より０．１　ｎ程度の寸法β、た
け内部に入るようにする。

また第３層絶縁膜７の端部の位置ｔ３は、第２層絶縁膜
６の端部の位置ｔ２より０．１　ｗ程度の寸法の１２だ
け内部に入るように形成する。このようにして多層構造
に積層する各絶縁膜の端部の位置は、その下層に形成す
る絶縁膜の端部の位置より内部に入り込むように順次積
層形成する。このようにすると各絶縁層の収縮する量は
同等であるので、各絶縁膜の端部の位置より絶縁膜が収
縮するための応力の集中位置は各絶縁膜によって異なり
、そのため応力の集中が分散されるので、加熱硬化工程
によって基板表面から剥離しない平坦な絶縁膜が形成で
きる。

また第２図の第２実施例のように、積層する各第１層絶
縁膜３、第２層絶縁膜６、第３層絶縁膜７・・・の端部
の位置ｔＩ＋　ｔ２．　ｔ、・・・が、基板の所定の位
置Ｐより基板の内部側、或いは外部側に順次交互に積層
形成する構造を採っても良い。

このようにすると多層構造に積層された全体の絶縁膜の
端部の位置は基板上で所定の位置に揃えることができ、
しかも基板表面より反らない高信転度の多層絶縁膜が形
成できる。

また第３図の第３実施例のように、積層する各第１層絶
縁膜３、第２Ｎ絶縁膜６、第３層絶縁膜７・・・の端部
の位置ｊｌ＋　ｔ２．　ｔ３・・・が、基板の所定の位
置Ｐより順次外側に延びる方向に絶縁膜を多層構造に積
層形成しても良い。

以上述べたように、本発明の方法によれば、多層構造に
積層された各々の絶縁膜が加熱硬化する際の収縮による
応力の集中位置が分散されるので、多層構造に絶縁膜を
積層しても応力の集中がなくなり基板より剥離しない多
層絶縁膜が得られる。

なお、本実施例では多層プリント配線基板の製造に例を
用いて述べたが、その他、熱処理工程を必要とする半導
体装置の製造方法に於いて、Ｓｉ基板上に該基板と熱膨
張率の異なる絶縁膜を多層構造に積層形成する場合でも
、本発明の方法が適用できるのは熱論で、その他基板と
熱膨張係数の異なる絶縁膜を多層構造に積層形成する場
合には総て適用できる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなよう乙こ本発明によれば、基板
と熱膨張係数の異なる絶縁膜を多層構造に積層して熱処
理する場合、応力の集中が避けられるので基板より剥離
しない多層構造の絶縁膜が得られ、本発明の方法を用い
て多層プリント配線基板、或いは半導体装置を形成すれ
ば、高信顛度、高品質の製品が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を説明する断面図、第２図
は本発明の第２実施例を説明する断面図、第３図は本発
明の第３実施例を説明する断面図、第４図は従来の方法
を説明する断面図、第５図は従来の不都合な状態を示す
断面図である。 図において、 １はセラミック基板、２は第１層導体層パターン、３は
第１層絶縁膜、４はピアホール、５は第２層導体層パタ
ーン、 は第２層絶縁膜、 は第 ３層絶縁膜を示す。 第２図 第３図 ）・・４Ｌ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板（１）上に絶縁膜（３、６、７・・・）を多層構造
   に積層形成する方法に於いて、 前記積層する各々の絶縁膜（３、６、７・・・）の端部
   の位置（ｔ＿１、ｔ＿２、ｔ＿３・・・）を、下層側に
   積層する絶縁膜の端部の位置から互いに位置ずれさせた
   状態で多層構造に積層することを特徴とする多層絶縁膜
   の形成方法。