JPH0951165A - 有機膜およびその加工方法 - Google Patents
有機膜およびその加工方法Info
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- JPH0951165A JPH0951165A JP20296195A JP20296195A JPH0951165A JP H0951165 A JPH0951165 A JP H0951165A JP 20296195 A JP20296195 A JP 20296195A JP 20296195 A JP20296195 A JP 20296195A JP H0951165 A JPH0951165 A JP H0951165A
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- organic
- organic material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の凹部の影響による現像液のしみこみを
防止し、感光性材料の現像不良を防止する有機膜を提供
する。 【構成】 基板上に第一層目に有機材料６を塗布して加
熱硬化させ、さらに第二層目に感光性の有機材料４を塗
布し、前記加熱硬化温度より低い温度で加熱硬化させ
る。次に、第二層目の感光性有機材料４を露光して、さ
らに第二層目の感光性の有機材料を現像する。その後、
残った第１層目の有機材料をエッチングで除去する。こ
れにより歩留まりの向上と二層構造の有機膜の簡略化し
た工程を実現することができる。
防止し、感光性材料の現像不良を防止する有機膜を提供
する。 【構成】 基板上に第一層目に有機材料６を塗布して加
熱硬化させ、さらに第二層目に感光性の有機材料４を塗
布し、前記加熱硬化温度より低い温度で加熱硬化させ
る。次に、第二層目の感光性有機材料４を露光して、さ
らに第二層目の感光性の有機材料を現像する。その後、
残った第１層目の有機材料をエッチングで除去する。こ
れにより歩留まりの向上と二層構造の有機膜の簡略化し
た工程を実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機膜およびその加工
方法に係り、特に、有機膜に生ずるピンホールを防止
し、基板上の凹部の影響を除去したパターンやスルホー
ルを形成するための有機膜およびその加工方法に関する
ものである。
方法に係り、特に、有機膜に生ずるピンホールを防止
し、基板上の凹部の影響を除去したパターンやスルホー
ルを形成するための有機膜およびその加工方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、二層構造からなる有機膜の加工で
は、特開平５−３４３８５３号公報記載技術のように、
下層と上層の有機膜にそれぞれ二回のフォトリソ工程に
より加工するか、特開平５−１９１０４３号公報、特開
平５−１６７２３０号公報、特開平４−１０３１９６号
公報記載技術のように、下層の有機膜を塗布してベーキ
ングし、その上に上層の有機膜を塗布し、そのあとに、
一回のフォトリソ工程でも二層のポリイミドを同時に、
現像液で加工していた。
は、特開平５−３４３８５３号公報記載技術のように、
下層と上層の有機膜にそれぞれ二回のフォトリソ工程に
より加工するか、特開平５−１９１０４３号公報、特開
平５−１６７２３０号公報、特開平４−１０３１９６号
公報記載技術のように、下層の有機膜を塗布してベーキ
ングし、その上に上層の有機膜を塗布し、そのあとに、
一回のフォトリソ工程でも二層のポリイミドを同時に、
現像液で加工していた。
【０００３】上記従来技術について、図２を参照して説
明する。図２は、従来技術における有機膜の加工方法の
説明図である。説明を簡単にするため、まず、一層の有
機膜、一回のフォトリソ工程での有機膜の加工について
説明する。図２において、１は薄膜電子回路基板のセラ
ミックス、２は基板の銅導体、３は圧膜薄膜整合メタ
ル、４ａは感光性ポリイミド、５は感光性ポリイミドの
光硬化部分、７はスルホールである。図２（ａ）に示す
如く、前記セラミックス１と銅導体２とからなる圧膜基
板上に、圧膜薄膜整合メタル３をスパッタ成膜し、パタ
ーニングした表面に感光性ポリイミド４を塗布し、所定
の温度で加熱して成膜していた。次ぎに、図２（ｂ）に
示す如く、フォトマスクを用いて露光を行い、感光性ポ
リイミド４膜の光硬化部分５を形成させていた。次ぎ
に、図２（ｃ）に示す如く、現像を行い、エッチング液
により不要な感光性ポリイミド４膜を除き、スルホール
７を形成させていた。
明する。図２は、従来技術における有機膜の加工方法の
説明図である。説明を簡単にするため、まず、一層の有
機膜、一回のフォトリソ工程での有機膜の加工について
説明する。図２において、１は薄膜電子回路基板のセラ
ミックス、２は基板の銅導体、３は圧膜薄膜整合メタ
ル、４ａは感光性ポリイミド、５は感光性ポリイミドの
光硬化部分、７はスルホールである。図２（ａ）に示す
如く、前記セラミックス１と銅導体２とからなる圧膜基
板上に、圧膜薄膜整合メタル３をスパッタ成膜し、パタ
ーニングした表面に感光性ポリイミド４を塗布し、所定
の温度で加熱して成膜していた。次ぎに、図２（ｂ）に
示す如く、フォトマスクを用いて露光を行い、感光性ポ
リイミド４膜の光硬化部分５を形成させていた。次ぎ
に、図２（ｃ）に示す如く、現像を行い、エッチング液
により不要な感光性ポリイミド４膜を除き、スルホール
７を形成させていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、感
光性材料のうち、特に表面光硬化型の材料、例えばネガ
型レジストでは、基板に近い部分の光硬化が十分でな
く、そのため基板の凹部にエッチング液の浸透し、エッ
チングが前記基板の凹部上部より早めにおきるため、感
光性材料の現像不良を生じ、予定した形状にスルホール
のエッチング加工が行われないということがあった。図
２（ｃ）には、スルホール７の形状が変形することを示
している。また、前記図２（ｂ）に示すフォトマスクを
用いた露光では、フォトマスクに汚れや塵埃が付着して
いると、その箇所の露光が不十分となり、感光性ポリイ
ミド４膜の光硬化部分５を形成せず、エッチング液によ
りピンホールを生じ、前記スルホール７以外の余計な導
通部分が生じ、所定の配線路が形成されなくなることに
なる。
光性材料のうち、特に表面光硬化型の材料、例えばネガ
型レジストでは、基板に近い部分の光硬化が十分でな
く、そのため基板の凹部にエッチング液の浸透し、エッ
チングが前記基板の凹部上部より早めにおきるため、感
光性材料の現像不良を生じ、予定した形状にスルホール
のエッチング加工が行われないということがあった。図
２（ｃ）には、スルホール７の形状が変形することを示
している。また、前記図２（ｂ）に示すフォトマスクを
用いた露光では、フォトマスクに汚れや塵埃が付着して
いると、その箇所の露光が不十分となり、感光性ポリイ
ミド４膜の光硬化部分５を形成せず、エッチング液によ
りピンホールを生じ、前記スルホール７以外の余計な導
通部分が生じ、所定の配線路が形成されなくなることに
なる。
【０００４】上記のような欠点に対し、次ぎのような改
良技術が提案されている。前記一層の感光性ポリイミド
膜の代わりに、非感光性ポリイミド材よりなる第一層の
絶縁薄膜と、その上層に感光性ポリイミド材よりなる第
二層の絶縁薄膜とを形成させ、第二層の絶縁薄膜の膜厚
を前記第一層の絶縁薄膜の膜厚の数倍にするとともに、
前記第一層の絶縁薄膜はドライエッチングにより、前記
第二層の絶縁薄膜はウエットエッチングにより加工する
ものである。これに関連するものとして、特開平１−１
２００９２号記載の技術がある。
良技術が提案されている。前記一層の感光性ポリイミド
膜の代わりに、非感光性ポリイミド材よりなる第一層の
絶縁薄膜と、その上層に感光性ポリイミド材よりなる第
二層の絶縁薄膜とを形成させ、第二層の絶縁薄膜の膜厚
を前記第一層の絶縁薄膜の膜厚の数倍にするとともに、
前記第一層の絶縁薄膜はドライエッチングにより、前記
第二層の絶縁薄膜はウエットエッチングにより加工する
ものである。これに関連するものとして、特開平１−１
２００９２号記載の技術がある。
【０００５】上記技術は、ピンホールを防ぎ、スルホー
ルの変形を防止し、スルホール以外の余計な導通部分に
よるパータン間の短絡を防止できる優れたものであり、
品質の向上が図れるものであった。しかしながら、第一
層の有機絶縁薄膜と第二層の有機絶縁薄膜の膜厚を変え
たり、ドライエッチングとウエットエッチングとを区別
して用いたりしなければならず、工程が複雑、かつ煩瑣
であり、コストも高くなるという問題点があった。
ルの変形を防止し、スルホール以外の余計な導通部分に
よるパータン間の短絡を防止できる優れたものであり、
品質の向上が図れるものであった。しかしながら、第一
層の有機絶縁薄膜と第二層の有機絶縁薄膜の膜厚を変え
たり、ドライエッチングとウエットエッチングとを区別
して用いたりしなければならず、工程が複雑、かつ煩瑣
であり、コストも高くなるという問題点があった。
【０００６】本発明は、かかる従来の問題点を解決する
ためになされたもので、基板の凹部、ピンホール、異物
の影響による感光性材料の現像不良を防止し、スルホー
ルの形状の変形を防止し、歩留まりの向上と有機膜の二
層構造での工程を簡略化することができる有機膜および
その加工方法を提供することをその目的とする。
ためになされたもので、基板の凹部、ピンホール、異物
の影響による感光性材料の現像不良を防止し、スルホー
ルの形状の変形を防止し、歩留まりの向上と有機膜の二
層構造での工程を簡略化することができる有機膜および
その加工方法を提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る有機膜の構成は、基板の所定面に形成
した導体薄膜上に有機材料を塗布して加熱硬化させ絶縁
薄膜を成膜させ、前記成膜を露光、現像し、前記導体薄
膜と導通するスルホールをエッチングにより形成させる
有機膜において、前記有機膜は、第一層目に有機材料を
塗布して加熱硬化させ絶縁薄膜を形成し、第二層目に感
光性の有機材料を塗布し、前記第一層目の有機材料の加
熱硬化温度より低い温度で加熱硬化させ絶縁薄膜を形成
し、前記加熱硬化させた第二層目の絶縁薄膜のみを露
光、現像しエッチングで除去し、前記第一層目の絶縁薄
膜をエッチングで除去することを特徴とするものであ
る。前項記載の有機膜において、前記第一層目の有機材
料を、ポリイミドを用いることを特徴とするものであ
る。前項記載の有機膜において、前記第一層目の有機材
料を、感光性ポリイミドを用いることを特徴とするもの
である。前項記載のいずれかの有機膜において、前記第
二層目の感光性の有機材料を、感光性ポリイミドを用い
ることを特徴とするものである。
に、本発明に係る有機膜の構成は、基板の所定面に形成
した導体薄膜上に有機材料を塗布して加熱硬化させ絶縁
薄膜を成膜させ、前記成膜を露光、現像し、前記導体薄
膜と導通するスルホールをエッチングにより形成させる
有機膜において、前記有機膜は、第一層目に有機材料を
塗布して加熱硬化させ絶縁薄膜を形成し、第二層目に感
光性の有機材料を塗布し、前記第一層目の有機材料の加
熱硬化温度より低い温度で加熱硬化させ絶縁薄膜を形成
し、前記加熱硬化させた第二層目の絶縁薄膜のみを露
光、現像しエッチングで除去し、前記第一層目の絶縁薄
膜をエッチングで除去することを特徴とするものであ
る。前項記載の有機膜において、前記第一層目の有機材
料を、ポリイミドを用いることを特徴とするものであ
る。前項記載の有機膜において、前記第一層目の有機材
料を、感光性ポリイミドを用いることを特徴とするもの
である。前項記載のいずれかの有機膜において、前記第
二層目の感光性の有機材料を、感光性ポリイミドを用い
ることを特徴とするものである。
【０００８】上記目的を達成するために、本発明に係る
有機膜の加工方法の構成は、基板の所定面に形成した導
体薄膜上に有機材料を塗布して加熱硬化させ成膜させ、
前記成膜を露光、現像し、前記導体薄膜と導通するスル
ホールをエッチングにより形成する有機膜の形成方法に
おいて、前記有機膜は、第一層目に有機材料を塗布して
加熱硬化し成膜させ、第二層目に感光性の有機材料を塗
布し、前記第一層目の有機材料の加熱硬化温度より低い
温度で加熱硬化し成膜させ、前記加熱硬化させた第二層
目の感光性有機材料膜のみを露光して現像しエッチング
で除去し、前記第一層目の有機材料膜をエッチングで除
去することを特徴とするものである。
有機膜の加工方法の構成は、基板の所定面に形成した導
体薄膜上に有機材料を塗布して加熱硬化させ成膜させ、
前記成膜を露光、現像し、前記導体薄膜と導通するスル
ホールをエッチングにより形成する有機膜の形成方法に
おいて、前記有機膜は、第一層目に有機材料を塗布して
加熱硬化し成膜させ、第二層目に感光性の有機材料を塗
布し、前記第一層目の有機材料の加熱硬化温度より低い
温度で加熱硬化し成膜させ、前記加熱硬化させた第二層
目の感光性有機材料膜のみを露光して現像しエッチング
で除去し、前記第一層目の有機材料膜をエッチングで除
去することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】上記各技術的手段の働きはつぎのとおりであ
る。本発明の有機膜及びそのの加工方法の発明によれ
ば、下層導体を有する基板上に、第一層目の有機材料を
塗布して加熱硬化させ絶縁膜を成膜し、第二層目に感光
性の有機材料を塗布し、前記加熱硬化温度より低い温度
で加熱硬化させて絶縁膜を成膜することにより、第一層
目の有機材料の絶縁膜の硬化度を高くさせ、第二層目の
絶縁膜を硬化度を低くくさせたので、第二層目の感光性
有機材料のみを露光、現像、エッチングの際にピンホー
ルを生じても、前記第一層目の有機材料の絶縁膜の硬化
度が高いのでエッチングレートが遅く、前記生じたピン
ホールが前記下層導体まで貫通することが防がれ、スル
ホール以外の余計な導通部分によるパータン間の短絡を
防止できる。また、第一層目の有機材料の絶縁膜の硬化
度が高いので、ピンホール、異物、基板の凹部の影響に
よる現像液のしみこみを防がれ、感光性材料の現像不良
を防止し、スルホールの形状の変形を防止することがで
きる。このようにして、製品の歩留まりの向上と有機膜
の二層構造での工程を簡略化し、コストを低減すること
ができる。
る。本発明の有機膜及びそのの加工方法の発明によれ
ば、下層導体を有する基板上に、第一層目の有機材料を
塗布して加熱硬化させ絶縁膜を成膜し、第二層目に感光
性の有機材料を塗布し、前記加熱硬化温度より低い温度
で加熱硬化させて絶縁膜を成膜することにより、第一層
目の有機材料の絶縁膜の硬化度を高くさせ、第二層目の
絶縁膜を硬化度を低くくさせたので、第二層目の感光性
有機材料のみを露光、現像、エッチングの際にピンホー
ルを生じても、前記第一層目の有機材料の絶縁膜の硬化
度が高いのでエッチングレートが遅く、前記生じたピン
ホールが前記下層導体まで貫通することが防がれ、スル
ホール以外の余計な導通部分によるパータン間の短絡を
防止できる。また、第一層目の有機材料の絶縁膜の硬化
度が高いので、ピンホール、異物、基板の凹部の影響に
よる現像液のしみこみを防がれ、感光性材料の現像不良
を防止し、スルホールの形状の変形を防止することがで
きる。このようにして、製品の歩留まりの向上と有機膜
の二層構造での工程を簡略化し、コストを低減すること
ができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。 〔実施例 １〕図１は、本発明の一実施例に係る有機膜
加工方法の説明図である。図中、図２と同一符号は同等
部分であるので、再度の説明を省略する。新たな符号の
みを説明する。図１において、６は第一層目の感光性ポ
リイミド、４は第二層目の感光性ポリイミドである。
する。 〔実施例 １〕図１は、本発明の一実施例に係る有機膜
加工方法の説明図である。図中、図２と同一符号は同等
部分であるので、再度の説明を省略する。新たな符号の
みを説明する。図１において、６は第一層目の感光性ポ
リイミド、４は第二層目の感光性ポリイミドである。
【００１１】図１（ａ）に示す如く、第一の工程で、セ
ラミックス１と銅導体２とからなる基板上に、圧膜薄膜
整合メタル３をスパッタ成膜し、パターニングした表面
に感光性ポリイミド６を塗布し、１４０℃、一時間加熱
して硬化させ、３．５μｍ膜厚の第一層目の有機絶縁薄
膜を成膜した。
ラミックス１と銅導体２とからなる基板上に、圧膜薄膜
整合メタル３をスパッタ成膜し、パターニングした表面
に感光性ポリイミド６を塗布し、１４０℃、一時間加熱
して硬化させ、３．５μｍ膜厚の第一層目の有機絶縁薄
膜を成膜した。
【００１２】次ぎに、図１（ｂ）に示す如く、第二の工
程で、感光性ポリイミド４を塗布し、８５℃で１時間加
熱して硬化させ、１２μｍ膜厚の第二層目の有機絶縁薄
膜を成膜した。この場合の加熱硬化温度８５℃は、第一
の工程の加熱硬化温度１４０℃より低くなっているの
で、第二層目の有機絶縁薄膜の硬化度は、低くなる。
程で、感光性ポリイミド４を塗布し、８５℃で１時間加
熱して硬化させ、１２μｍ膜厚の第二層目の有機絶縁薄
膜を成膜した。この場合の加熱硬化温度８５℃は、第一
の工程の加熱硬化温度１４０℃より低くなっているの
で、第二層目の有機絶縁薄膜の硬化度は、低くなる。
【００１３】次ぎに、図１（ｃ）に示す如く、第三の工
程で、前記加熱硬化させた第二層目の感光性ポリイミド
４の有機絶縁薄膜のみをフォトマスクを用いて露光し
て、感光性ポリイミド４の有機絶縁薄膜に光硬化部分５
を形成させる。
程で、前記加熱硬化させた第二層目の感光性ポリイミド
４の有機絶縁薄膜のみをフォトマスクを用いて露光し
て、感光性ポリイミド４の有機絶縁薄膜に光硬化部分５
を形成させる。
【００１４】次いで、図１（ｄ）に示す如く、現像液で
現像を行い、同時にスルホール７を形成させる。なお、
感光性ポリイミド４を溶解するよう現像液を用い、エッ
チングをかねる作用をさせる。次ぎに、第四の工程で、
図１（ｅ）に示す如く、酸素アッシングを３０分行い圧
膜薄膜整合メタル３上の第一層目の感光性ポリイミド６
の有機絶縁薄膜を除去して良形状のスルホール７を形成
させる。
現像を行い、同時にスルホール７を形成させる。なお、
感光性ポリイミド４を溶解するよう現像液を用い、エッ
チングをかねる作用をさせる。次ぎに、第四の工程で、
図１（ｅ）に示す如く、酸素アッシングを３０分行い圧
膜薄膜整合メタル３上の第一層目の感光性ポリイミド６
の有機絶縁薄膜を除去して良形状のスルホール７を形成
させる。
【００１５】上記のように、本実施例によれば、第一層
目の有機材料の絶縁膜と、第二層目に感光性の有機材料
の絶縁膜の加熱硬化温度に高低をつけることにより、硬
化度の異なる絶縁膜を成膜させることにより、スルホー
ル以外の導通部分の形成、基板の凹部、絶縁膜のピンホ
ール、異物の影響による感光性材料の現像不良、スルホ
ールの形状変形等を防止し、歩留まりの向上とその工程
の簡略化することができる。
目の有機材料の絶縁膜と、第二層目に感光性の有機材料
の絶縁膜の加熱硬化温度に高低をつけることにより、硬
化度の異なる絶縁膜を成膜させることにより、スルホー
ル以外の導通部分の形成、基板の凹部、絶縁膜のピンホ
ール、異物の影響による感光性材料の現像不良、スルホ
ールの形状変形等を防止し、歩留まりの向上とその工程
の簡略化することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の有
機膜およびその加工方法に構成によれば、基板の凹部、
ピンホール、異物の影響による感光性材料の現像不良を
防止し、スルホールの形状の変形を防止し、歩留まりの
向上と有機膜の二層構造での工程を簡略化することがで
きる有機膜およびその加工方法を提供することができ
る。
機膜およびその加工方法に構成によれば、基板の凹部、
ピンホール、異物の影響による感光性材料の現像不良を
防止し、スルホールの形状の変形を防止し、歩留まりの
向上と有機膜の二層構造での工程を簡略化することがで
きる有機膜およびその加工方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る有機膜の加工方法の説
明図である。
明図である。
【図２】従来技術における有機膜加工方法の説明図であ
る。
る。
１…セラミックス ２…基板の銅導体 ３…厚膜薄膜整合メタル ４ａ…感光性ポリイミド ４…第二層目の感光性ポリイミド ５…感光性ポリイミドの光硬化部分 ６…第一層目の感光性ポリイミド ７…スールホール
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の所定面に形成した導体薄膜上に有
機材料を塗布して加熱硬化させ絶縁薄膜を成膜させ、前
記成膜を露光、現像し、前記導体薄膜と導通するスルホ
ールをエッチングにより形成させる有機膜において、 前記有機膜は、第一層目に有機材料を塗布して加熱硬化
させ絶縁薄膜を形成し、第二層目に感光性の有機材料を
塗布し、前記第一層目の有機材料の加熱硬化温度より低
い温度で加熱硬化させ絶縁薄膜を形成し、前記加熱硬化
させた第二層目の絶縁薄膜のみを露光、現像しエッチン
グで除去し、前記第一層目の絶縁薄膜をエッチングで除
去することを特徴とする有機膜。 - 【請求項２】 請求項１記載の有機膜において、 前記第一層目の有機材料を、ポリイミドを用いることを
特徴とする有機膜。 - 【請求項３】 請求項１記載の有機膜において、 前記第一層目の有機材料を、感光性ポリイミドを用いる
ことを特徴とする有機膜。 - 【請求項４】 請求項１ないし３記載のいずれかの有機
膜において、 前記第二層目の感光性の有機材料を、感光性ポリイミド
を用いることを特徴とする有機膜。 - 【請求項５】 基板の所定面に形成した導体薄膜上に有
機材料を塗布して加熱硬化させ成膜し、前記成膜を露
光、現像し、前記導体薄膜と導通するスルホールをエッ
チングにより形成する有機膜の形成方法において、 前記有機膜は、第一層目に有機材料を塗布して加熱硬化
し成膜させ、第二層目に感光性の有機材料を塗布し、前
記第一層目の有機材料の加熱硬化温度より低い温度で加
熱硬化し成膜させ、前記加熱硬化させた第二層目の感光
性有機材料膜のみを露光して現像しエッチングで除去
し、前記第一層目の有機材料膜をエッチングで除去する
ことを特徴とする有機膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20296195A JPH0951165A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 有機膜およびその加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20296195A JPH0951165A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 有機膜およびその加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0951165A true JPH0951165A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16466037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20296195A Pending JPH0951165A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | 有機膜およびその加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0951165A (ja) |
-
1995
- 1995-08-09 JP JP20296195A patent/JPH0951165A/ja active Pending
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