JPS6362327A - 絶縁層の形成方法 - Google Patents
絶縁層の形成方法Info
- Publication number
- JPS6362327A JPS6362327A JP61208164A JP20816486A JPS6362327A JP S6362327 A JPS6362327 A JP S6362327A JP 61208164 A JP61208164 A JP 61208164A JP 20816486 A JP20816486 A JP 20816486A JP S6362327 A JPS6362327 A JP S6362327A
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- Japan
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- photoresist pattern
- insulating layer
- formation
- resistant resin
- heat resistant
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁層の形成方法に関し、特に信頼性の良好な
絶縁層ｒ選択的に形成する絶縁層の形成方法に関する。
絶縁層ｒ選択的に形成する絶縁層の形成方法に関する。
従来、この種の絶縁層の形成方法としては、絶縁耐圧の
向上やピンホール等の欠陥発生の防止のために、絶縁被
膜の形成とフォトエツチングによるパターン形成とｔ少
なくとも２回以上繰シ返すことが行われていた。
向上やピンホール等の欠陥発生の防止のために、絶縁被
膜の形成とフォトエツチングによるパターン形成とｔ少
なくとも２回以上繰シ返すことが行われていた。
上述した従来の絶縁層の形成方法では、複数回のフォト
エツチング工程に於いて同一のフォトマスクを用いてい
ることから次のよりな欠点を有する。
エツチング工程に於いて同一のフォトマスクを用いてい
ることから次のよりな欠点を有する。
同一のフォトマスクによる複数回のフォトエツチングを
行りので、少くともフォトマスクの目合わせ誤差のオー
ダーで絶縁層の寸法精度が低下する。また２回目以降の
フォトエツチングに於いて被エツチ部分には、平坦な部
分に形成された絶縁被膜と段差部分に形成された絶縁被
膜とが混在し、両者のエツチング時間は必ずしも同一で
はなく、特に後者のエツチング時間は前者のそれに比べ
て再現性が劣るのでエツチング時間にバラツキを生じる
要因となることから、例えばバッチ処理でエツチングを
行う場合エツチング残シ等の不良発生の可能性が高くな
るために量産化の妨げとなる。
行りので、少くともフォトマスクの目合わせ誤差のオー
ダーで絶縁層の寸法精度が低下する。また２回目以降の
フォトエツチングに於いて被エツチ部分には、平坦な部
分に形成された絶縁被膜と段差部分に形成された絶縁被
膜とが混在し、両者のエツチング時間は必ずしも同一で
はなく、特に後者のエツチング時間は前者のそれに比べ
て再現性が劣るのでエツチング時間にバラツキを生じる
要因となることから、例えばバッチ処理でエツチングを
行う場合エツチング残シ等の不良発生の可能性が高くな
るために量産化の妨げとなる。
上述した従来の絶縁層の形成方法に対し、本発明は２回
目以降のフォトエツチングに於いても、被エツチ部分に
は、平坦な部分に形成された絶縁被膜のみが現れるより
にする事でエツチング時間の安定性が増すために、信頼
性の良好な絶縁層を選択的に形成するにあたり、より寸
法精度の高いエツチング加工が実現できる独創的内８に
有する。
目以降のフォトエツチングに於いても、被エツチ部分に
は、平坦な部分に形成された絶縁被膜のみが現れるより
にする事でエツチング時間の安定性が増すために、信頼
性の良好な絶縁層を選択的に形成するにあたり、より寸
法精度の高いエツチング加工が実現できる独創的内８に
有する。
本発明の絶縁層の形成方法では、絶縁被膜の形成とフォ
トエツチングによるパターン形成とを少なくとも２回以
上繰シ返して絶縁層を選択的に形成する絶縁層の形成方
法において、２回目以降の前記フォトエツチング工程で
用いるフォトマスクは下部に形成した前記絶縁層を覆う
ように漸次広い領域に７オトレジストパターンを形成す
るようになっている。
トエツチングによるパターン形成とを少なくとも２回以
上繰シ返して絶縁層を選択的に形成する絶縁層の形成方
法において、２回目以降の前記フォトエツチング工程で
用いるフォトマスクは下部に形成した前記絶縁層を覆う
ように漸次広い領域に７オトレジストパターンを形成す
るようになっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明全混成集積回路の樹脂絶縁層の形成に
適用した第一の実施例の縦断面図である。
適用した第一の実施例の縦断面図である。
アルミナセラミック基板１上に公知の成膜技術とフォト
リングラフィ技術を用いて膜回路パターンを形成する。
リングラフィ技術を用いて膜回路パターンを形成する。
第１図（ａ）にはその一部分としてチップ部品搭載ラン
ド２ａの間に１００μｍ幅の導体配線２ｂが３本横切っ
ているパターンの断面を示す。次に、絶縁被膜を形成す
るために、粘度１２００ｃｐｓの耐熱性樹脂３をスピン
コード法で２０００ ｒ ｐｍ ｓ６０秒の条件で塗布
する。１４０℃、３０分の乾燥処理を行い、次にポジ型
フォトレジストの塗布、乾燥、露光をした後、フォトレ
ジストパターン４の形成と耐熱性樹脂３のエツチングを
、ポジレジストの現像液を用いて同時に行つ（第１図（
ｂ））。
ド２ａの間に１００μｍ幅の導体配線２ｂが３本横切っ
ているパターンの断面を示す。次に、絶縁被膜を形成す
るために、粘度１２００ｃｐｓの耐熱性樹脂３をスピン
コード法で２０００ ｒ ｐｍ ｓ６０秒の条件で塗布
する。１４０℃、３０分の乾燥処理を行い、次にポジ型
フォトレジストの塗布、乾燥、露光をした後、フォトレ
ジストパターン４の形成と耐熱性樹脂３のエツチングを
、ポジレジストの現像液を用いて同時に行つ（第１図（
ｂ））。
フォトレジストパターン４の剥離と２００°Ｃ１３０分
の乾燥処理を行い、続いて第二の絶縁被膜を形成するた
めに同様の条件で耐熱性樹脂５を塗布して、フォトレジ
ストパターン６の形成と耐熱性樹脂５のエツチングを同
様の方法を用いて行う。ここて、フォトレジストパター
ン６は、フォトレジストパターン４によりて加工された
耐熱性樹脂３を覆うように、フォトレジストパターン４
よりも片側５０μｍずつ広くとっである（第１図（Ｃ）
）。フ乙 オドレジストパターン６の剥罰００℃、６０分の樹脂キ
ュアを行って樹脂絶縁層の形成が完了する（第１図（ｄ
））。
の乾燥処理を行い、続いて第二の絶縁被膜を形成するた
めに同様の条件で耐熱性樹脂５を塗布して、フォトレジ
ストパターン６の形成と耐熱性樹脂５のエツチングを同
様の方法を用いて行う。ここて、フォトレジストパター
ン６は、フォトレジストパターン４によりて加工された
耐熱性樹脂３を覆うように、フォトレジストパターン４
よりも片側５０μｍずつ広くとっである（第１図（Ｃ）
）。フ乙 オドレジストパターン６の剥罰００℃、６０分の樹脂キ
ュアを行って樹脂絶縁層の形成が完了する（第１図（ｄ
））。
第２図は、本発明を薄膜抵抗体のパシベーション膜の形
成に適用した第二の実施例の断面図である。
成に適用した第二の実施例の断面図である。
アルミノ硼珪酸ガラス基板７上に公知の成膜技術とフォ
トリングラフィ技術を用いて薄膜抵抗体８と外部接続用
電極９を形成する（第２図（ａ））。
トリングラフィ技術を用いて薄膜抵抗体８と外部接続用
電極９を形成する（第２図（ａ））。
次に、絶縁波Ｈｘヲ形成するために粘度１８００ｃｐｓ
の耐熱性樹脂１０ｔ−スピンコード法で１５０Ｏｒｐｍ
。
の耐熱性樹脂１０ｔ−スピンコード法で１５０Ｏｒｐｍ
。
６０秒の条件で塗布する。１４０”Ｃ，３０分の乾燥処
理を行い、次にポジ型フォトレジストの塗布、乾燥、露
光をした後、フォトレジストパターン１１の形成と耐熱
性樹脂１０のエツチングを、ポジレジストの現像液を用
いて同時に行う（第２図（ｂ））。
理を行い、次にポジ型フォトレジストの塗布、乾燥、露
光をした後、フォトレジストパターン１１の形成と耐熱
性樹脂１０のエツチングを、ポジレジストの現像液を用
いて同時に行う（第２図（ｂ））。
フォトレジストパターン１１の剥離と２００℃、３０分
の乾燥処理を行い、続いて第二の絶縁被膜全形成するた
めに同様の条件で耐熱性樹脂１２を塗布してフォトレジ
ストパターン１３の形成と耐熱性の 樹脂Ｊ１エツチングを同様の方法を用いて行う。
の乾燥処理を行い、続いて第二の絶縁被膜全形成するた
めに同様の条件で耐熱性樹脂１２を塗布してフォトレジ
ストパターン１３の形成と耐熱性の 樹脂Ｊ１エツチングを同様の方法を用いて行う。
ここで、フォトレジストパターン１３はフォトレジスト
パターン１１によって加工された耐熱性樹脂１０を覆う
ように、フォトレジストパターン１１よシも片側５０μ
ｍずつ広くとっである（第２図（Ｃ））。
パターン１１によって加工された耐熱性樹脂１０を覆う
ように、フォトレジストパターン１１よシも片側５０μ
ｍずつ広くとっである（第２図（Ｃ））。
フォトレジストパターン１３の剥離と３５０”Ｃ１６０
分の樹脂キュア全行ってパシベーション膜の形成が完了
する（第２図（ｄ））。
分の樹脂キュア全行ってパシベーション膜の形成が完了
する（第２図（ｄ））。
以上説明したように本発明は、絶縁層を選択的に形成す
る方法として、絶縁被膜の形成とフォトエツチングによ
るパターン形成とが少なくとも２回以上繰シ返されるこ
と、さらに２回目以降のフォトエツチング工程で用いら
れるフォトマスクは下部に形成された絶縁層を覆りより
に漸次広い領域に７オトレジストパターンを形成するよ
うにしたフォトマスクであることによシ、信頼性が良好
な絶縁層を高い寸法精度金もって選択的に形成すること
が容易に実現できる効果がある。
る方法として、絶縁被膜の形成とフォトエツチングによ
るパターン形成とが少なくとも２回以上繰シ返されるこ
と、さらに２回目以降のフォトエツチング工程で用いら
れるフォトマスクは下部に形成された絶縁層を覆りより
に漸次広い領域に７オトレジストパターンを形成するよ
うにしたフォトマスクであることによシ、信頼性が良好
な絶縁層を高い寸法精度金もって選択的に形成すること
が容易に実現できる効果がある。
第１図は、本発明の第一の実施例を適用した混成集積回
路の樹脂絶縁層の形成工程を示す縦断面図、第２図は、
本発明の第二の実施例を適用した薄膜抵抗体のパシベー
ション膜の形成工程を示す縦断面図である。 １・・・アルミナセラミック基板、２ａ・・・チップ部
品搭載ランド、２ｂ・・・導体配線、３・５・・・耐熱
性樹脂、４・６・・・フォトレジストパターン、７・・
・アルミノ硼珪酸ガラス基板、８・・・薄膜抵抗体、９
・・・外部接続用電極、１０・１２・・・耐熱性樹脂、
１１・１３・・・フォトレジストパターン。
路の樹脂絶縁層の形成工程を示す縦断面図、第２図は、
本発明の第二の実施例を適用した薄膜抵抗体のパシベー
ション膜の形成工程を示す縦断面図である。 １・・・アルミナセラミック基板、２ａ・・・チップ部
品搭載ランド、２ｂ・・・導体配線、３・５・・・耐熱
性樹脂、４・６・・・フォトレジストパターン、７・・
・アルミノ硼珪酸ガラス基板、８・・・薄膜抵抗体、９
・・・外部接続用電極、１０・１２・・・耐熱性樹脂、
１１・１３・・・フォトレジストパターン。
Claims (1)
- 絶縁被膜の形成とフォトエッチングによるパターン形成
とを少なくとも２回以上繰り返して絶縁層を選択的に形
成する絶縁層の形成方法において、２回目以降の前記フ
ォトエッチング工程で用いるフォトマスクは下部に形成
した前記絶縁層を覆うように漸次広い領域にフォトレジ
ストパターンを形成するようにしたフォトマスクである
ことを特徴とする絶縁層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208164A JPS6362327A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 絶縁層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61208164A JPS6362327A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 絶縁層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6362327A true JPS6362327A (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16551712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61208164A Pending JPS6362327A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 絶縁層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6362327A (ja) |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61208164A patent/JPS6362327A/ja active Pending
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