JPS6148570A - 樹脂への導体層形成方法 - Google Patents
樹脂への導体層形成方法Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は樹脂に導体層を形成する方法に関するもので
ある。
ある。
従来、この種の方法としては、蒸着、スパッタリング等
の薄膜形成技術を用いて、樹脂表面に金属薄膜を形成す
る方法、樹脂表面に無電解めっきを析出させるための触
媒核を付着させ、無電解めっき浴に浸漬することにより
樹脂表面に金属厄を形成する方法などが周知である。薄
膜形成技術によって形成された導体層は、膜厚が最大で
も数μｍ程度であり、回路基板の導体として用いる場合
、インピーダンスを低く出来ない。また一般的に薄膜形
成プロセスは他の膜形成プロセス、例えば厚膜法に比較
して生産性、コストの面で劣るため、高精度、微細パタ
ーンなどの要求さする分野、例えば産業用電子機器に用
いらする回路基板、磁気ヘッドなどに代表さ釘る電子デ
バイスなどに適用される。
の薄膜形成技術を用いて、樹脂表面に金属薄膜を形成す
る方法、樹脂表面に無電解めっきを析出させるための触
媒核を付着させ、無電解めっき浴に浸漬することにより
樹脂表面に金属厄を形成する方法などが周知である。薄
膜形成技術によって形成された導体層は、膜厚が最大で
も数μｍ程度であり、回路基板の導体として用いる場合
、インピーダンスを低く出来ない。また一般的に薄膜形
成プロセスは他の膜形成プロセス、例えば厚膜法に比較
して生産性、コストの面で劣るため、高精度、微細パタ
ーンなどの要求さする分野、例えば産業用電子機器に用
いらする回路基板、磁気ヘッドなどに代表さ釘る電子デ
バイスなどに適用される。
また、無電解めっきによる導体層の形成は、樹脂系プリ
ント基板のスルーホール部へのめつきなどが代表的であ
り、基材上の必要な部分のみに無電解めっきにより１０
μｍ以上の膜厚を有する導体層を形成して回路形成する
フルアディティブ法等が周知である。
ント基板のスルーホール部へのめつきなどが代表的であ
り、基材上の必要な部分のみに無電解めっきにより１０
μｍ以上の膜厚を有する導体層を形成して回路形成する
フルアディティブ法等が周知である。
このように、樹脂に無電解めっきによって導体層を形成
する場合、こ１らの間のＷカを向上させるために、樹脂
表面を粗面化することが為される。粗面化の方法として
は、機械的に表面を粗面化する方法、薬品によるエツチ
ング、プラズマによるエツチングなどにより粗面化する
方法がある。
する場合、こ１らの間のＷカを向上させるために、樹脂
表面を粗面化することが為される。粗面化の方法として
は、機械的に表面を粗面化する方法、薬品によるエツチ
ング、プラズマによるエツチングなどにより粗面化する
方法がある。
機械的な方法は、粗面化状態の均一性に劣りかつそのス
ケールが比較的太きいため、微細パターンに対しては密
着力のばらつきにつながる。また、薬品、あるいはプラ
ズマによるエツチングによる方法は、生産性が劣り、か
つ粗面化の稈度も低いという問題点を有する。
ケールが比較的太きいため、微細パターンに対しては密
着力のばらつきにつながる。また、薬品、あるいはプラ
ズマによるエツチングによる方法は、生産性が劣り、か
つ粗面化の稈度も低いという問題点を有する。
この発明は十Ｆの様な従来のものの問題点を除去するた
めに為されたもので、樹脂に密着力が高く、膜厚の大き
い導体層を生産性良く形成することを目的としている。
めに為されたもので、樹脂に密着力が高く、膜厚の大き
い導体層を生産性良く形成することを目的としている。
この発明の樹脂への導体層形成方法は、基板に感光性樹
脂層を形成する工程、透光部と遮光部が！ □、
７□オ、１６□７．ウヶヨい、よ、□性樹脂を露光し、
現像・硬化して十Ｆ樹脂層を凹凸化する工程、上記凹凸
化された樹脂層を有する基板に無電解めっきに対する触
媒核を形成する工程、及び触媒核が形成された基板に金
属を無電解めっきする工程を施すものである。
脂層を形成する工程、透光部と遮光部が！ □、
７□オ、１６□７．ウヶヨい、よ、□性樹脂を露光し、
現像・硬化して十Ｆ樹脂層を凹凸化する工程、上記凹凸
化された樹脂層を有する基板に無電解めっきに対する触
媒核を形成する工程、及び触媒核が形成された基板に金
属を無電解めっきする工程を施すものである。
〔問題点を解決するための手段の作用〕この発明におけ
る透光部と遮光部が混在して分布する露光用マスクを用
いて感光性樹脂層を露光し、現像・硬化して上記樹脂、
雫を凹凸化する工程は、従来のものより生産性が良く、
露光用マスクの透光部と遮光部の大きさ、パターン等や
現像・露光条件等を変えることにより樹脂層の凹凸、粗
面化の稈度をコントロールして、均一な粗面を形成でき
る従って樹脂層と密着力が高くなり、そのため膜厚の大
きい導体層を生産性良く形成できる。
る透光部と遮光部が混在して分布する露光用マスクを用
いて感光性樹脂層を露光し、現像・硬化して上記樹脂、
雫を凹凸化する工程は、従来のものより生産性が良く、
露光用マスクの透光部と遮光部の大きさ、パターン等や
現像・露光条件等を変えることにより樹脂層の凹凸、粗
面化の稈度をコントロールして、均一な粗面を形成でき
る従って樹脂層と密着力が高くなり、そのため膜厚の大
きい導体層を生産性良く形成できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
＠１図は基板上に感光性を有する液状樹脂を塗布し、乾
燥、硬化をした士に、更に同じ液状樹脂を塗布、乾燥し
ｔ、：ところを示す断面図、第２図は微細な透光部及び
こ１と同程度に微細な遮光部とが混在して分布する露光
用マスクを示す部分拡大図、第８図は、感光性樹脂を露
光し、現像・硬化すること番こより凹凸化したところを
示す断面図、第４図は無電解めっきによって導体層を形
成したところを示す断面図である。図において、（１）
は基板、この場合はアルミナセラミック基板、（２１は
アルミナセラミック基板（１）士に塗布、乾燥硬化さ第
１た樹脂、この場合はポリイミド樹脂、（３）はこのポ
リイミド樹脂（２）上に塗布、乾燥された感光性を有す
る樹脂層、この場合は感光性ポリイミド前駆体、（４）
は微細な透光部及びこむと同程度に微細な遮光部とが混
在して分布してなる露光用マスク、（５）は露光用マス
ク（４）に形成さ１ている遮光部、（６）は感光性ポリ
イミド前駆体（３）を露光、現像、硬化することにより
形成さｎた凹凸化されたポリイミド樹脂、（７） １．
を無電解めっきによる導体層、この場合はニッケル層で
ある。
燥、硬化をした士に、更に同じ液状樹脂を塗布、乾燥し
ｔ、：ところを示す断面図、第２図は微細な透光部及び
こ１と同程度に微細な遮光部とが混在して分布する露光
用マスクを示す部分拡大図、第８図は、感光性樹脂を露
光し、現像・硬化すること番こより凹凸化したところを
示す断面図、第４図は無電解めっきによって導体層を形
成したところを示す断面図である。図において、（１）
は基板、この場合はアルミナセラミック基板、（２１は
アルミナセラミック基板（１）士に塗布、乾燥硬化さ第
１た樹脂、この場合はポリイミド樹脂、（３）はこのポ
リイミド樹脂（２）上に塗布、乾燥された感光性を有す
る樹脂層、この場合は感光性ポリイミド前駆体、（４）
は微細な透光部及びこむと同程度に微細な遮光部とが混
在して分布してなる露光用マスク、（５）は露光用マス
ク（４）に形成さ１ている遮光部、（６）は感光性ポリ
イミド前駆体（３）を露光、現像、硬化することにより
形成さｎた凹凸化されたポリイミド樹脂、（７） １．
を無電解めっきによる導体層、この場合はニッケル層で
ある。
まず、アルミナセラミック基板（１）±１ζ感光性ポリ
イミド前駆体（例えば、東し株式会社、商品名、フォト
ニース）を塗布し、８０℃で８０分乾燥後、窒累中で８
５０℃で１時間加熱することにより硬化し、ポリイミド
樹脂（２）とする。続いて同様に感光性ポリイミド前駆
体を、ポリイミド樹脂（２１上１ζ？ｉ［＋、、８０
℃で８０分乾燥する。これを、露光用マスク（４）を
用いて露光才ろ。
イミド前駆体（例えば、東し株式会社、商品名、フォト
ニース）を塗布し、８０℃で８０分乾燥後、窒累中で８
５０℃で１時間加熱することにより硬化し、ポリイミド
樹脂（２）とする。続いて同様に感光性ポリイミド前駆
体を、ポリイミド樹脂（２１上１ζ？ｉ［＋、、８０
℃で８０分乾燥する。これを、露光用マスク（４）を
用いて露光才ろ。
この露光用マスク（４）は、微細な遮光部（５）が第２
図に示すようＣζ密に形成さねている。この露光用マス
ク（４）の作成法として、この場合透明なプラスティッ
クフィルムにカーボン粉末を付着させる方法を用いた。
図に示すようＣζ密に形成さねている。この露光用マス
ク（４）の作成法として、この場合透明なプラスティッ
クフィルムにカーボン粉末を付着させる方法を用いた。
こ釘は、例えば乾式複写機を用い、込明プラスティッ々
フィルムに複写を行なうことで容易に達成さｊ、遮光部
（５）の大きさは、２０ｆｔｍ程度となる。
フィルムに複写を行なうことで容易に達成さｊ、遮光部
（５）の大きさは、２０ｆｔｍ程度となる。
こうして得られた犀光用マスク（４）を用いて、感光性
ポリイミド前駆体（３）を露光する。Ｐ？光条件は感光
性ポリイミド前駆体（３）として′東しフオトニース′
を用いた場合、２５０ワツト超高圧水銀灯で６０秒番と
設定した。次に現佇工ｐと１．て、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンとメタノールの混合溶液（Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン／メ々ノール−７／３）を２８’ｅｉｒｊ、、
こ１に９０秒浸清すること番こより、露光工程ｌζおい
て光の照射されなかまた部分＜ ：：、：光用マスタ（
４）の遮光部（５）に対応する）の感光性ポリイミドミ
ツ＋駆体（３）が除去さ灯、引き続き窒素中で３５０℃
、１詩間加熱すること番こより、パターン４ｆ ＋で残
されたポリイミド前駆体小ポリイミドに変化させること
にょＩ）、９４’ｉ ３図に示すような凹凸化さ釘た初
脂層が得らｌる。
ポリイミド前駆体（３）を露光する。Ｐ？光条件は感光
性ポリイミド前駆体（３）として′東しフオトニース′
を用いた場合、２５０ワツト超高圧水銀灯で６０秒番と
設定した。次に現佇工ｐと１．て、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンとメタノールの混合溶液（Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン／メ々ノール−７／３）を２８’ｅｉｒｊ、、
こ１に９０秒浸清すること番こより、露光工程ｌζおい
て光の照射されなかまた部分＜ ：：、：光用マスタ（
４）の遮光部（５）に対応する）の感光性ポリイミドミ
ツ＋駆体（３）が除去さ灯、引き続き窒素中で３５０℃
、１詩間加熱すること番こより、パターン４ｆ ＋で残
されたポリイミド前駆体小ポリイミドに変化させること
にょＩ）、９４’ｉ ３図に示すような凹凸化さ釘た初
脂層が得らｌる。
次に、この凹凸化さ灯た椿１脂層上に無９ノ解めっきに
対する触媒核（図示せず）を付着させる。こ１を、蕪？
■解めっき浴、この場合は無電解ニッケル浴ｌこ浸漬す
ること番こより樹脂表面に導体層（７）が得られる。
対する触媒核（図示せず）を付着させる。こ１を、蕪？
■解めっき浴、この場合は無電解ニッケル浴ｌこ浸漬す
ること番こより樹脂表面に導体層（７）が得られる。
この様【と構成することにより、樹脂と導体との界面【
ζおいては、その接触面積を大きくすることができ、か
つ機械的投錨効果も働くことがら、両者の密着力を高め
ることができ、そのため、導体１ の膜厚を
大きくできる樹脂表面の凹凸（粗面）化の程度は、現像
及び露光条件を変化させることにより〕コントロールで
き、塗布さねた膜厚【ζ相当する凹凸までＩｎることが
でき、池の方法と比１咬して粗面化の程度は大きくでき
る。
ζおいては、その接触面積を大きくすることができ、か
つ機械的投錨効果も働くことがら、両者の密着力を高め
ることができ、そのため、導体１ の膜厚を
大きくできる樹脂表面の凹凸（粗面）化の程度は、現像
及び露光条件を変化させることにより〕コントロールで
き、塗布さねた膜厚【ζ相当する凹凸までＩｎることが
でき、池の方法と比１咬して粗面化の程度は大きくでき
る。
上＝を実施例においては、透明なプラスティゾクフィル
ム上Ｃζカーボン粉末を付着させたものを用いたが、必
要とする１」白化の程度に応じて透光部と遮光部が形力
ＶさＩたものであれば良く、粗面化の程度のコントロー
ルは容易ｌ？′達成される。例えば、１１九部（フォト
ニースでは凹部に相当する）の形状として長方形、円形
あるいは多角形を規則的に配置したものなどが使用され
る。
ム上Ｃζカーボン粉末を付着させたものを用いたが、必
要とする１」白化の程度に応じて透光部と遮光部が形力
ＶさＩたものであれば良く、粗面化の程度のコントロー
ルは容易ｌ？′達成される。例えば、１１九部（フォト
ニースでは凹部に相当する）の形状として長方形、円形
あるいは多角形を規則的に配置したものなどが使用され
る。
また、樹脂と導体との密着力の同士は、導体層の膜厚を
太きくしていったと六に、はく離を生ずる可能性を減少
させ、無電解めっきによる厚付け、あるいは丁ツ気め−
きによる仰１↓解めっき層上への厚付けも容易に達成で
きる。
太きくしていったと六に、はく離を生ずる可能性を減少
させ、無電解めっきによる厚付け、あるいは丁ツ気め−
きによる仰１↓解めっき層上への厚付けも容易に達成で
きる。
次にこの究明の他の実施例を第５図、第６図を用いて説
明する。
明する。
第５図はこの実施例に用いた４１−光用マスクの部分拡
大図、第６図はこの実施例によって形成された樹脂層を
示す断面図である。
大図、第６図はこの実施例によって形成された樹脂層を
示す断面図である。
図において、ｏｌは露光用マスク、ａＢは円形の遮光部
、０２は比較的大形の遮光部、ｏ３は円形の遮光部の形
成さねてぃない遮光部、才た。わ、い、岨ま露光用マス
クｏｏの遮光Ｗｆ！６１４．（ｙＪ）、透光ｔ’！ （
１３１ζそゎぞ１対応して形成されたぢ（脂の部分を示
している。
、０２は比較的大形の遮光部、ｏ３は円形の遮光部の形
成さねてぃない遮光部、才た。わ、い、岨ま露光用マス
クｏｏの遮光Ｗｆ！６１４．（ｙＪ）、透光ｔ’！ （
１３１ζそゎぞ１対応して形成されたぢ（脂の部分を示
している。
第５図に示した９光用マスクを用い、前記実施例と同様
の工程を施すことにより、芭６図１（示しりｇ ｃこ、
必要とする部分のみを凹凸（ｈ＋’１面）化できかつ樹
脂部分（２）の様に所定のパターンニンゲも同時に実施
できる。
の工程を施すことにより、芭６図１（示しりｇ ｃこ、
必要とする部分のみを凹凸（ｈ＋’１面）化できかつ樹
脂部分（２）の様に所定のパターンニンゲも同時に実施
できる。
さらζζ、無電解めっきに対する勉媒核を形成する工程
において、水洗あるい１オ酸沈浄等外行ない表面の粗さ
の違いにより凹凸（１１面）化された部分のみ番こ触媒
核を残した役、（＋！（電解めっきを行なうことに、ｌ
：す、パターン状ｔと導体層を得ろこともでき、アディ
ティヴ法による回路基板の形成が可能となる。
において、水洗あるい１オ酸沈浄等外行ない表面の粗さ
の違いにより凹凸（１１面）化された部分のみ番こ触媒
核を残した役、（＋！（電解めっきを行なうことに、ｌ
：す、パターン状ｔと導体層を得ろこともでき、アディ
ティヴ法による回路基板の形成が可能となる。
さらに、樹脂層に貫通孔を形成する場合、樹脂表面を凹
凸（粗面）化する工程において、下部構ｌ旨層に形成さ
ｎた貫通孔よりも若干大きな貫通孔を形成し、貫通孔畔
面に傾斜を持たせ、後の工程で形成さする導体−の段差
での切断等の不良を防ぐことも同時に達成される。
凸（粗面）化する工程において、下部構ｌ旨層に形成さ
ｎた貫通孔よりも若干大きな貫通孔を形成し、貫通孔畔
面に傾斜を持たせ、後の工程で形成さする導体−の段差
での切断等の不良を防ぐことも同時に達成される。
また、樹脂ａ卆はさんで導体層が形成さ１ている場合、
導体間の静画容量を樹脂、響を適当なパターン形状ζζ
形成することにより制御でＡる利点をも有する。
導体間の静画容量を樹脂、響を適当なパターン形状ζζ
形成することにより制御でＡる利点をも有する。
こ１まで述べてきた実施例においてｌオ、樹脂層を二、
咽で形成し、両者とも感光性ポリイミド前駆体を甲いた
場合について述べたが、−ｅ目は必ずし７も感光性卆有
する必要はなく、例えばポリアミドカルボン酸系ワンス
等でも良い。
咽で形成し、両者とも感光性ポリイミド前駆体を甲いた
場合について述べたが、−ｅ目は必ずし７も感光性卆有
する必要はなく、例えばポリアミドカルボン酸系ワンス
等でも良い。
また、上記実施例において１′！、基板としてア・ルミ
ナセラミック基板を用いた場合について述べたが、使用
する＃Ａ詣の硬化温度において安定な物で６１は良く、
例えばガラスエポキシ基板等に適用することも可能であ
る。
ナセラミック基板を用いた場合について述べたが、使用
する＃Ａ詣の硬化温度において安定な物で６１は良く、
例えばガラスエポキシ基板等に適用することも可能であ
る。
以上のようにこの発明にょ１ば、基板番ご感光性拐肥層
を形成する工程、透光部と遮光部が混在して分布する１
曙光、用マスクを用いて士Ｎｒ ＩＣＪｊ光性ｒ−１脂
Ｈテをｆミ光し７、屈伸・硬化しで上１２本“ｄ脂層み
・凹凸化するＴ声、上記凹凸化された樹脂：１Ｍを介す
る基板に′！′！′軍角７？ｂＩつきに対する触媒核を
形成する工程、及び炉媒核が形成さｆまた那仮に金属を
「電炉めっきする工稈ス・ｂ才ことにより、ｊｊ４肛上
に化Ｐη性良く密着力の大きなｉ１体層を７１′″成せ
ろことができる。
を形成する工程、透光部と遮光部が混在して分布する１
曙光、用マスクを用いて士Ｎｒ ＩＣＪｊ光性ｒ−１脂
Ｈテをｆミ光し７、屈伸・硬化しで上１２本“ｄ脂層み
・凹凸化するＴ声、上記凹凸化された樹脂：１Ｍを介す
る基板に′！′！′軍角７？ｂＩつきに対する触媒核を
形成する工程、及び炉媒核が形成さｆまた那仮に金属を
「電炉めっきする工稈ス・ｂ才ことにより、ｊｊ４肛上
に化Ｐη性良く密着力の大きなｉ１体層を７１′″成せ
ろことができる。
なお、適当な露光用マスクを用いるなら（え、樹ｒＪｒ
Ｊ表面をｒ択的！ｒ粗面化でき、かっ：阻面牛の程度も
容易に変化させることができ、さらに、ｉ￥ＪＩＩＲの
パ々−ンニングと１ｉ７１時ζζ租而化を達成すること
がでよる。
Ｊ表面をｒ択的！ｒ粗面化でき、かっ：阻面牛の程度も
容易に変化させることができ、さらに、ｉ￥ＪＩＩＲの
パ々−ンニングと１ｉ７１時ζζ租而化を達成すること
がでよる。
？Ａ１図、鎖、８図、第４ ｉ’７１はこの発明の−実
り４例の樹脂への導体層形房：方法を工程順に示す断面
図、第２ダはこの発明の一実施使１＋ｒ用いるユ″充用
マスクを示す平面図。また第５図はこの発明の他の実！
疵例に用いる露光用マスクを示す平面図、第
６図はこの発明の他の実施例に誹って形成さ：″また樹
脂層形状を示す断面図である。 （１）・・・基板、（３）・・・イｌＪ脂１ｎ、（４）
・・・露光用マスク、（５）・・・ 硬 先部 、
（７） ・・・ 導イ木 Ｐｉなお、Ｍ中、同一符号は
同−又ｌ」シロ当部勿を示す。
り４例の樹脂への導体層形房：方法を工程順に示す断面
図、第２ダはこの発明の一実施使１＋ｒ用いるユ″充用
マスクを示す平面図。また第５図はこの発明の他の実！
疵例に用いる露光用マスクを示す平面図、第
６図はこの発明の他の実施例に誹って形成さ：″また樹
脂層形状を示す断面図である。 （１）・・・基板、（３）・・・イｌＪ脂１ｎ、（４）
・・・露光用マスク、（５）・・・ 硬 先部 、
（７） ・・・ 導イ木 Ｐｉなお、Ｍ中、同一符号は
同−又ｌ」シロ当部勿を示す。
Claims (1)
- 基板に感光性樹脂層を形成する工程、透光部と遮光部が
混在して分布する露光用マスクを用いて上記感光性樹脂
層を露光し、現像・硬化して上記樹脂層を凹凸化する工
程、上記凹凸化された樹脂層を有する基板に無電解めっ
きに対する触媒核を形成する工程、及び触媒核が形成さ
れた基板に金属を無電解めっきする工程を施す樹脂への
導体層形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168235A JPS6148570A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 樹脂への導体層形成方法 |
| US06/726,588 US4645734A (en) | 1984-08-10 | 1985-04-23 | Composite having conductive layer on resin layer and method of manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59168235A JPS6148570A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 樹脂への導体層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148570A true JPS6148570A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15864276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59168235A Pending JPS6148570A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 樹脂への導体層形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4645734A (ja) |
| JP (1) | JPS6148570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100802U (ja) * | 1986-07-07 | 1988-06-30 | ||
| JP2016113688A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | めっき皮膜付樹脂製品及びその製造方法、並びにエンコーダ |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194794A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | 三菱電機株式会社 | 混成集積回路基板の製造方法 |
| US5137461A (en) * | 1988-06-21 | 1992-08-11 | International Business Machines Corporation | Separable electrical connection technology |
| US5185073A (en) * | 1988-06-21 | 1993-02-09 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating nendritic materials |
| US5242713A (en) * | 1988-12-23 | 1993-09-07 | International Business Machines Corporation | Method for conditioning an organic polymeric material |
| US5006488A (en) * | 1989-10-06 | 1991-04-09 | International Business Machines Corporation | High temperature lift-off process |
| US5275693A (en) * | 1990-03-30 | 1994-01-04 | Yamato Kako Kabushiki Kaisha | Film forming process |
| DE69112277T2 (de) * | 1990-05-31 | 1996-03-07 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | Mehrfarbiges Produkt und Verfahren zur Herstellung desselben. |
| KR0131179B1 (ko) * | 1993-02-22 | 1998-04-14 | 슌뻬이 야마자끼 | 전자회로 제조프로세스 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929458A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-15 | ||
| JPS568515A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-28 | Toshiba Corp | Level gauge |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE56093C (de) * | Firma FRIED. KRUPP in Essen a. d. Ruhr, Rheinpreufsen | Senkrechter Keilverschlufs für Schnellfeuer-Geschütze | ||
| US3979549A (en) * | 1972-09-25 | 1976-09-07 | Rostone Corporation | Composite of metal and thermoset plastic |
| US4218283A (en) * | 1974-08-23 | 1980-08-19 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor device and etchant for polymer resin |
| NL7806773A (nl) * | 1978-06-23 | 1979-12-28 | Philips Nv | Additieve werkwijze voor het vervaardigen van metaal- patronen op kunststofsubstraten. |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59168235A patent/JPS6148570A/ja active Pending
-
1985
- 1985-04-23 US US06/726,588 patent/US4645734A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4645734A (en) | 1987-02-24 |
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