JPH0437187A - 電子回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度でファインな回路パターンを有する電
子回路基板の製造方法に関する。

（従来技術〕 近年、電子回路基板は、ファイン化の傾向が顕著となり
、所定面積の基板上に出来る限り多くのパターン１　ス
ルーホールを形成しなければならない 上記電子回路基板は、一般に半田剥離法により。

製造されている（実施例参照）。

ところで、パターンの間隔を小さくするにはめっき層の
厚さを出来る限り薄くすることが有効な手段の一つとな
る。例えば、パターン間隔が１００μｍ以下の高密度で
ファインな電子回路基板の製造方法において、無電解Ｎ
１めっき層の厚さを２μｍ程度にすれば、ブリッジ８０
の発生（第１４図及び第１５図）を回避することが知ら
れている。ここで、ブリッジ８０とは、隣接するパター
ン８．８の基部相互間において、その端部が無電解ニッ
ケルめっき又は金めつき工程時に生ずる現象をいう。こ
のブリソノ８０により、パターン８．８間は短絡し、絶
縁不良となる。

即ち、ｗ４′ｆ３８１の上に形成された銅めっき層８２
には、その上に更にＮｉめっき層８３及びＡｕめっき層
８４のＮｉ−Ａｕめっき層等のパターンめっき層が形成
される。このとき　ｇｌ　Ｎｉめっき層８３の膜厚が厚
くなるに伴い、上記ブリッジ８０が起こり易くなる。

反面、該Ｎｉめっき層８３の厚さが１例えば２μｍ以下
と薄くなると、上記ブリッジ８０は起こらなくなること
が知られている。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら　上記従来技術には１次の問題点がある。

即ち、上記高密度でファインなパターンは。

窓以上の膜厚を必要とする場合がある。例えば半導体又
は発光ダイオード（ＬＥＤ）とのワイヤボンディングに
より電気的に接続するパターン８又は端子、導体ランド
８５及びこれに連結するスルーホール９０の内壁８６で
ある。これらにおいては、ワイヤーボンディングに耐え
る強度、つまりワイヤーボンディング耐久性が要求され
る。そのため、上記Ｎｉめっき層８３の膜厚は９例えば
５μｍ程度が最低必要である。したがって４例えば無電
解めっき法によるパターン８．ＬＥＤ端子等の形成に当
っては、第１４図及び第１５図に示すごとく、ブリッジ
８０を生し易い。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、金属めっき時にブリッジを生じない高密度でファイン
な回路パターンを有する電子回路基板の製造方法を提供
しようとするものである。

（課題の解決手段〕 本発明は、絶縁回路基板上の回路パターンを形成するに
当たり、絶縁回路基板上に半田を用いたパターンめっき
を行い、その後エツチング、半田剥離、金属めっきを行
う電子回路基板の製造方法において、上記エツチングの
後に絶縁回路基板の全面に樹脂を塗布し、硬化し、その
後接樹脂層の表面を除去して上記半田を露出させ、その
後上記半田剥離を行うことを特徴とする電子回路基板の
製造方法にある。

本発明において、Ｎｋも注目すべきことは、上記エツチ
ングの後に絶縁回路基板の全面に樹脂を塗布し、硬化し
、その後に該樹脂層の表面を除去して上記半田を露出さ
せ、その後上記半田剥離を行うことにある。

上記回路パターンは１例えば無電解めっきにより、一定
の膜厚のＣｕ又はＮ１めっき層を形成する。

また、上記樹脂層を形成するに当たっては９例えば半田
を用いたパターンめっき部を含む絶縁回路基板全面に、
スプレー塗布方法、ロールコータ−塗布方法、印刷法等
により、所望の厚さの樹脂膜を形成する。また、該樹脂
膜を硬化するに当たっては２例えば露光、電子線照射、
熱風乾燥等を用いる。また、樹脂としては１例えばエポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂を用いる。

また、樹脂層の表面を除去する方法としては例えばサン
ドベーパーを用いる研磨加工、樹脂塗布面を磨くボリッ
シャ加工、グリッド（小粒子）を樹脂塗布面に投射する
ショツトブラスト加工法がある。

また、上記半田剥離法としては、上記パターンめっきの
表面に形成した半田層を、半田剥離液（＃液）を用いて
除去する方法がある。

〔作用及び効果〕

本発明においては、先ず絶縁回路基板上に無電解銅メン
キにより１回路パターンを形成する。次に、該回路パタ
ーン以外の部分に、めっきレノスト膜を被覆する。次い
で、該回路パターン部分に電解銅めっきを行う。そして
、該回路パターンの表面に半田を電解半田めっきにより
、被覆しパターンめっきを行う。その理由は１咳パター
ンめっき層を形成した以腎に工、チングを行い、不要な
銅張り部分を除去する必要があるからである。

また、上記金属めっきとしては、上記半田剥離した後の
パターンめっき層の表面に、更に無電解めっきによりＮ
ｉ−Ａｕめっき層を形成する。

また２上記Ｎｉ−Ａｕめっき層は、上記Ｎｉめっき層の
上に形成したＡｕめっき層を有する。そのため、耐久性
、導電性、ワイヤーボンディング性に優れる。

また、上記Ｎｉめっき層は、樹脂層を隔てて形成するた
め５回路パターン間にブリッジを生ずることがない。そ
の理由は、上記樹脂層によって形成された凹部に、上記
Ｎｉめっき層を形成することになるからである。

したがって１本製造方法によれば、金属めっき時にブリ
ッジを生しない、高密度でファインな回路パターンを有
する電子回路基板を容易に製造することができる。

〔実施例〕

第１実施例 本発明の実施例にかかる電子回路基板の製造方法につき
　第１図〜第１３図を用いて説明する。

本例の製造方法は、第２図〜第６図に示すごとく、半田
剥離法により絶縁回路基板９上に電解半田めっき層１６
を用いたパターンめっきを行う。

その後、第７図及び第８図に示すごとく、剥膜。

エツチングを行い、更に第１１図〜第１３図に示すごと
く、半田剥離、Ｎｉ　−Ａｕ等の金属めっきを行うもの
である。

また、上記エツチングの後に、第９図及び第１０図に示
すごとく、上記絶縁回路基板９の全面に樹脂層４を塗布
、硬化し１その後接樹脂層４の表面を除去して上記電解
半田めっき層１６を露出させ、その後上記半田剥離を行
うものである。

本例によって得られる電子回路基板は、第１図に模式的
に示すごとく、基板９上に回路パターンｌを形成したも
のである。ここで、上記回路パターン１は、銅箔１１と
１その上に順次形成された化学銅めっき層１２と、電解
Ｃｕめっき層１３（膜厚が約１０μｍ）と１無電解Ｎｉ
めっき層１４（膜厚が約５μｍ）と、Ａｕめっき層１５
（膜厚が約０．５μｍ）とよりなる。

次に、電子回路基板の製造方法につき、第１図〜第１３
図を用いて説明する。

まず、第１工程においては、第２図に示すごとく、銅箔
１１張りガラスエポキシ基板９の表面に。

塩酸系パラジウム溶液を用いて活性化処理１０を行う。

次に、第２工程においては、第３図に示すごとく、上記
銅箔１１の上に無電解銅めっきにより化学銅めっき層１
２を形成する。また５第３工程においては、第４図に示
すごとく、スクリーン印刷によりめっきレジスト１７を
形成し、露光現像する。

次いで、第４工程においては、電解Ｃｕめっきにより、
上記めっきレジスト１７により覆われない化学銅めっき
層１２の上に、第５図に示すごとく、電解Ｃｕめっき層
１３（膜厚１０μｍ）を形成する。

そして、第５工程においては、第６１１Ｑこ示すごとく
、上記電解Ｃｕめっき層１３上に、電解半田めっき膜１
６を被覆する。更に、第７図に示すごとく５上記めっき
レジスト１７を剥離する。

次に、エツチング除去においては、第８図に示すごとく
、上記電解Ｃｕめっき層１３上に形成した電解半田めっ
き膜１６以外の部分をエツチング除去する。

上記電解半田めっき膜Ｉ６は、後述するごとく膜厚さを
１０〜１５μｍにする。

その後、第９図に示すごとく、絶縁回路基板９に、樹脂
４を塗布する。即ち、上記絶縁回路基板９の回路パター
ン１上に電解半田めっき層１６も覆われるように、樹脂
４を塗布し、硬化する。該樹脂４は、エポキシ樹脂を用
いる。そして、該樹脂４の硬化は、加熱硬化により行う
。

次に、第１０及び１１図に示すごとく、樹脂層の表面を
−・ルトサンダーのごとき研磨機（−示略）により除去
し、電解半田めっき層１６を露出させる。部ち、まず樹
脂層４が電解半田めっき膜１６と同一面になるまで研磨
しく第１０図）１次いで、電解半田めっき層１６を酸ｅ
、により除去する（第１１圀）。

そして１その表面に２第１同に示すごとく、ソルダーレ
ジス］・膜５を被覆する。

その後、第１図及び第１３図に示すごとく１電解めっき
により、Ｎｉ　−Ａｕめっきを行う。

即ち、上記電解半田めっき層１６を剥離した部分に、第
１３図に示すごとく、まずＮ１めっき層１４を無電解め
っきにより形成する。次に、第１図に示すごとく２その
上にＡｕめっき層１５を同しく無電解めっきにより１形
成する。これにより２回路パターン１．１を有する電子
回路基板を得る。

次に、効果につき説明する。

本例においては、上記Ｎｉめっき層１４及びＡＵめっき
層１５の形成に当たり、第９図〜第１３図に示すごとく
、上記回路パターン１と回路パターン１の間に、該回路
パターンｌの膜厚さよりも厚い樹脂層４を形成している
。そのため、膜厚が５〜７μｍのＮｉめっき層１４及び
膜厚が０．５〜１．０μｍと比較的厚いＡｕめっき層１
５を形成することができる。このとき回路パターン１相
互間には、樹脂層４が形成されているため、ＮｉＡｕめ
っき時に１回路パターン１．１相互間にブリッジを生ず
ることがない。

したがって２本製造方法によれば、Ｎｉ　−Ａｕめっき
層の金属めっき時に１回路パターン間１゜ｌにブリッジ
を生じない、高密度でファインな電子回路基板を容易に
製造することができる。

なお、上記においては１回路パターン１の相互間隔は５
０〜６０ｐｍとしたが、この範囲であればいずれの場合
も、ブリッジを生ずることがなかった。

また、上記半田めっき２の膜の厚みを１０〜１５μｍと
し、上記Ｎｉめっき層１４の膜厚さを５〜７μｍ２また
Ａｕめっき層１５の膜厚さを０゜５〜１．０μｍとした
ときにも、ブリッジを生ずることがなかった。

第２実施例 上記第１実施例の方法において、第１表に示すごとく、
各種基板を用い、電解半田めっき層の厚み１半田剥離後
のＮｉめっき層、Ａｕめっき層の厚みを種々に変えて、
を子回路基板を作製した。

なお、上記基板において、化学銅めっき層Ｉ２と電解Ｃ
ｕめっき層の合計膜厚さは、いずれも１０μｍである。

第１表から明らかなごと（、Ｎｉめっき層とＡＵめっき
層との金属めっきの層の厚さは、剥離した半田層の膜厚
さよりも薄く形成しである。しかし、Ｎｌめっき層、Ａ
ｕめっき層の厚みは通常よりも厚くすることができる。

また、パターンのＮｉ−Ａｕめっき層間には、ブリッジ
は形成されていなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１３図は本発明の実施例を示し、第１図は本
例によって得られる電子回路基板の断面図、第２図〜第
７図はパターンめっき形成の工程概要図、第８図〜第１
３図はブリッジのない金属めっき層を有する電子回路基
板の製造工程図、第１４図及び第１５図は従来例を示し
、第１４図はプリント配線板の断面図、第１５図はプリ
ント配線板における金属めっき層の断面図である。 １０１５回路パターン Ｉｎ、、、活性化処理 １１、　、　、銅箔 １２、、、化学銅めっき層 １３４．電解Ｃｕめっき層 １４、、、Ｎｉめっき層 １．５．、、Ａｕめっき層 １６、、、電解半田めっき層 ４９．、樹脂層 ５　　、ソルダーレノ゛スト膜 ９０．、絶縁回路基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁回路基板上の回路パターンを形成するに当たり，絶
   縁回路基板上に半田を用いたパターンめっきを行い，そ
   の後エッチング，半田剥離，金属めっきを行う電子回路
   基板の製造方法において，上記エッチングの後に絶縁回
   路基板の全面に樹脂を塗布し，硬化し，その後該樹脂層
   の表面を除去して上記半田を露出させ，その後上記半田
   剥離を行うことを特徴とする電子回路基板の製造方法。