JPS6343396A - 配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、配線板の製造方法に係るものであり、特に高
萱度配線が可能な層間接続力法て関する。

（従来の技術） 従来、高ｖＩｊ度配線を有する配線板は、信号伝送の高
速化をはかるため、信号の遅延が少ない低誘を率材料（
例えば誘電率が３〜Ｓ５であるポリイミド樹脂）をＰ２
縁層として使い、層間後続は小径バイアホール成るいは
スルーホールポストなどにより行った。

（発明が解決しようとする問題点） 前記配線板忙おいては、低訪電率材料から成る絶縁層は
厚い力が良い。しかしながら、例えばポリイミド塗膜に
バイアホール加工をする場合、ウェットエツチングでは
サイドエツチングの影響で厚い塗膜に精度良く穴加工す
ることは困難である。また、プラズマ成るいはＲＩＥ等
によるドライエツチングは、異方性に富み精度良（穴加
工できるが、エツチング速度が遅く、さらにドライエツ
チング用マスク形式１程が必要であり、スルーブツトが
者しく低下してしまう。

以上の理由から、絶縁層をノ：ｙ−くするには、小径バ
イアホールに代えて、先づめつき等で金炙性ボスト（以
後スルーホールポストと称す）全形成しておぎ、ポリイ
ミド樹脂等を塗膜してスルーホールポストを埋め、熱硬
化した後研摩等ｉＣよってスルーホールポストの頭頂部
を出ｆ７ｊ法がある。しかし、この方法によっても、ス
ルーホールポスト形状にそ扛を形成するめつきレジスト
形状に依存するが、めっきレジストにおいてアスペクト
比の大ぎい穴加工すなわち小径スルーホールポスト形状
は非常に困難である。

（問題点を解決するための手段） 本発明者は、以上のような従来の層間接続力法の問題点
にかんがみ、種々考察研究の結果、本発明を完反するに
至った。

本発明は、層間接続にスルーホールポストとバイアホー
ルを併用する。すなわち、従来のレジスト形成及びめっ
き方法で容易に形成できる程度のアスペクト比を持った
スルーホールポストを形成した後、ポリイミド４■脂等
を塗りする。

さらに熱硬化した後、研摩等に工ってスルーホールポス
ト頭頂部を露出させ第２の樹脂を塗）良して、スルーホ
ールポスト頭頂部面積より小さい径のバイアホールをエ
ツチング加工する。

実施例 本発明の実施例を図によって説明する。７１図はバイア
ホール形成の部分拡大断面図である。

グリーン７−ト法により所望する多層配線アルミナ基板
（ＡｌｚＯ３クロート）１の全面に組紐いてクロムを蒸
着後エツチングで所望ノくターン２を形成し、さらに０
ｚａｔｅｅ　Ｒ２２５ポジ型ドライフイルム（ヘキスト
社製膜厚２５μｍ）ｆ２回圧着した後、露光、現像に工
つてめつぎレジストパターン３（膜厚５０μｍ）を得た
。次ＶＣ電気めっきにより高さ５０８ｍ直径１００μｍ
のスルーホールポスト４を形成し、めっきレジストパタ
ーン６を溶剤によって除去した。久にＰＩＱ−３２００
（日豆化成社＃）を６回塗布し、９累気流中で３５０°
Ｃ１４０分間加熱して第１？縁層５を得た。この第１１
ＩＡ縁層表面を研摩してスルーホールポスト４の頭頂部
全露出させ（Ｈ２＝４０μｍ）、さらに感光性ポリイミ
ドＲＬ−１１００（日文化成社製）を１回塗布して膜′
４３μｍの第２？３縁層６とし、所望する径のバイアホ
ール７を形成し℃。次にスノくツタリング装置ＭＬＨ−
６５１５Ｄ（日本真空技術社ｌＡ）を用いて、以下に示
す条件でクロムに続いて調音バイアホール７の内部及び
第２、絶縁／１６の表面にスパッタリングし、さらにエ
ツチングによって必要な回路パターン８を形成した。ス
パッタリング条件を；、出力１５　ｋ？、基板加熱１２
０”Ｃ４５分、圧力５　Ｘ　１０””　ｔｏｒｒ　ｓ　
アルゴンガスｆｉ景３５ＳＣＣＭである。

以上の工程を数回繰返して、多層配線を形成しても工い
。

前記アルミナ暴仮罠代えて、鋼張積層法、片面銅箔付き
ポリイミドフィルムの所望部分全エツチングして導体パ
ターンを形成したもの、アルミナ系セラミック、Ｐｚ系
セラミック、フォルステライトなどの基板に無電解めっ
きに工りパターン形成し１こもの、更に後工程で除去可
能な保持体上にめっき等でパターン形成したものを使う
ことができる。

又、前記第１，２絶縁層に用いたポリイミド系樹脂に代
えて、フッ素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂を使用可能
である。

（作用） 第１絶Ｒ層５の厚さく第１因（ｄ）Ｈｚ）　　は形成し
たスルーホールポスト４の高さＨｌ　　と研摩の程度に
よって調整できろ。筐た、バイアホール７の上部径は、
第２絶縁層乙の厚さによって微細化できる。この場合、
全体の絶縁層厚さのうち殆どを第１絶縁層で占めろこと
ができろため、第２．絶縁層は薄膜化可能である。更に
、第２絶縁層乙の種類を適宜選択することで、後工程の
金属配線及び第５絶縁層との接層性を向上させることも
できる。なお、Ａ面（第１図（ｄＪＫ示す）でのＱＭｅ
化に、スルーホールポスト頭頂部径よりも小径のバイア
ホール７を形成することで達成できる。

（発明の効果） 本発明による層間接続法は以上の工うな構成ＶＣよりな
るものであり、配線の鍋密度化？達成しつつ、低誘電材
料からなる絶縁層の厚さを従来以上に厚く形成可能とな
った。

また、スルーホールポストを研摩で露出させろ際、平坦
化が困難であったが、第２絶縁層を形成することで容易
に解決でき、後工程のパターン形成時の信頼性が大幅に
向上し１こ。

以上のことから、本発明にかかる層間接続方法は極めて
産業上１曲値の問いものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ｆａｔ〜渇ヱ、本発明の方法を示す酊■囲図であ
る。 １　配線基板　　　　２　パターン ３　めっきレジスト　４　スルーホールポストー−二＼
、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、次の各工程からなる配線板の製造方法。 （イ）基板上の所望部分に所望厚さのめっきレジストを
   形成する。 （ロ）該めっきレジスト以外の部分にめっき金属のポス
   トを形成する。 （ハ）該めっきレジストを除去する。 （ニ）第１絶縁層として樹脂を所望厚さに塗膜して熱硬
   化させ研摩してポスト頭頂部を露 出させる。 （ホ）第２絶縁層として樹脂を所望厚さに塗膜後、直径
   が該ポスト頭頂部より小さくかつ 深さが頭頂部に達する穴を加工する。 （ヘ）全面に金属層を設け、さらにエッチングによって
   所望の回路パターンを形成する。