JPH10246736A - 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 - Google Patents
検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法Info
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- JPH10246736A JPH10246736A JP5051797A JP5051797A JPH10246736A JP H10246736 A JPH10246736 A JP H10246736A JP 5051797 A JP5051797 A JP 5051797A JP 5051797 A JP5051797 A JP 5051797A JP H10246736 A JPH10246736 A JP H10246736A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線回路基板に確実に保持され、且つ微細ピ
ッチの導通検査に対応できる検査電極を有する配線回路
基板及びその形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 導電性を有するベース基板１上にレジス
ト層２を形成し、レジスト層２に開口部３を形成する。
その後、開口部３に電解めっきによって電極４を形成す
る。さらに、電極４及びレジスト層２ａ上に絶縁層５を
形成する。電極４上の絶縁層５にバイアホール形成孔６
を形成し、セミアディティブ工程により電極４とバイア
接続された配線回路８を形成し、絶縁層２ａ及び配線回
路８上に絶縁層９を形成した後ベース基板１及びレジス
ト層２ａを除去することにより検査電極１０が形成さ
れ、本発明の検査電極を有する配線回路基板を作製す
る。
ッチの導通検査に対応できる検査電極を有する配線回路
基板及びその形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 導電性を有するベース基板１上にレジス
ト層２を形成し、レジスト層２に開口部３を形成する。
その後、開口部３に電解めっきによって電極４を形成す
る。さらに、電極４及びレジスト層２ａ上に絶縁層５を
形成する。電極４上の絶縁層５にバイアホール形成孔６
を形成し、セミアディティブ工程により電極４とバイア
接続された配線回路８を形成し、絶縁層２ａ及び配線回
路８上に絶縁層９を形成した後ベース基板１及びレジス
ト層２ａを除去することにより検査電極１０が形成さ
れ、本発明の検査電極を有する配線回路基板を作製す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や配線
回路基板の導通検査をするために用いられる検査治具基
板に関する。
回路基板の導通検査をするために用いられる検査治具基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置や配線回路基板の導通
検査には、ウェハプローブや布線検査で知られるように
被検査体の電極部に針状の検査電極を接触させ導通テス
トを行っていた。また、比較的配線密度の低い配線回路
基板では電極を有する検査用の配線回路基板を形成し、
異方性導電シートを介して被検査体である配線回路基板
との接触を採り、導通テストを行っている。
検査には、ウェハプローブや布線検査で知られるように
被検査体の電極部に針状の検査電極を接触させ導通テス
トを行っていた。また、比較的配線密度の低い配線回路
基板では電極を有する検査用の配線回路基板を形成し、
異方性導電シートを介して被検査体である配線回路基板
との接触を採り、導通テストを行っている。
【０００３】従来のウェハプローブや布線検査による半
導体装置や配線回路基板の導通検査の方法では、針状の
検査電極を接触させるため、被検査体に検査痕を残し、
さらには被検査体に電極の貫通のような重大な損傷を与
える可能性がある。また、配線密度の増加や高集積化に
よっては、検査用のプローブの形成が困難であった。検
査基板を用いる方法では、異方性導電シートの導通ピッ
チの関係などから２００μｍピッチ程度の被検査体には
対応できるが、それ以上の微細ピッチの検査には対応す
ることができない。また、検査電極を有する配線回路基
板を用いて検査する方法が開発されつつあるが、この場
合検査電極と配線回路基板との密着強度が問題となり、
検査中に検査電極が配線回路から剥離したり、脱落する
という問題があった。
導体装置や配線回路基板の導通検査の方法では、針状の
検査電極を接触させるため、被検査体に検査痕を残し、
さらには被検査体に電極の貫通のような重大な損傷を与
える可能性がある。また、配線密度の増加や高集積化に
よっては、検査用のプローブの形成が困難であった。検
査基板を用いる方法では、異方性導電シートの導通ピッ
チの関係などから２００μｍピッチ程度の被検査体には
対応できるが、それ以上の微細ピッチの検査には対応す
ることができない。また、検査電極を有する配線回路基
板を用いて検査する方法が開発されつつあるが、この場
合検査電極と配線回路基板との密着強度が問題となり、
検査中に検査電極が配線回路から剥離したり、脱落する
という問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題を解
決するためになされたもので、配線回路基板に確実に保
持され、且つ微細ピッチの導通検査に対応できる検査電
極を有する配線回路基板及びその形成方法を提供するこ
とを目的とする。
決するためになされたもので、配線回路基板に確実に保
持され、且つ微細ピッチの導通検査に対応できる検査電
極を有する配線回路基板及びその形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するため、請求項１においては、配線回路基板の
配線回路に接続された検査電極において、前記検査電極
は絶縁層を介して前記配線回路とバイア接続されてお
り、前記配線回路とバイア接続されている前記検査電極
の端部が前記絶縁層に埋め込まれていることを特徴とす
る検査電極を有する配線回路基板としたものである。上
記の構造を採ることによって、検査電極が配線回路基板
に確実に保持され、今まで対応することが出来なかった
微細ピッチの導通検査にも対応することができる。
を解決するため、請求項１においては、配線回路基板の
配線回路に接続された検査電極において、前記検査電極
は絶縁層を介して前記配線回路とバイア接続されてお
り、前記配線回路とバイア接続されている前記検査電極
の端部が前記絶縁層に埋め込まれていることを特徴とす
る検査電極を有する配線回路基板としたものである。上
記の構造を採ることによって、検査電極が配線回路基板
に確実に保持され、今まで対応することが出来なかった
微細ピッチの導通検査にも対応することができる。
【０００６】また、請求項２においては、下記の一連の
工程からなる請求項１記載の検査電極を有する配線回路
基板の形成方法としたものである。 （ａ）導電性を有するベース基板（１）上にレジスト層
（２）を形成する工程。 （ｂ）レジスト層（２）に開口部（３）を形成する工
程。 （ｃ）開口部（３）に電解めっきによって電極（４）を
形成する工程。 （ｄ）レジスト層（２ａ）及び電極（４）上に絶縁層
（５）を形成する工程。 （ｅ）電極（４）上方の絶縁層（５）にバイアホール形
成孔（６）を形成する工程。 （ｆ）バイアホール形成孔（６）が形成された絶縁層
（５ａ）上全面に薄膜導体層を形成し、該薄膜導体層上
の所定位置にレジストパターン（７）を形成する工程。 （ｇ）レジストパターン（７）をマスクにして電解めっ
きを行い、電極（４）とバイア接続された配線回路
（８）を形成する工程。 （ｈ）絶縁層（５ａ）及び配線回路（８）上に絶縁層
（９）を形成する工程。 （ｉ）ベース基板（１）及びレジスト層（２ａ）を除去
して検査電極（１０）を形成する工程。
工程からなる請求項１記載の検査電極を有する配線回路
基板の形成方法としたものである。 （ａ）導電性を有するベース基板（１）上にレジスト層
（２）を形成する工程。 （ｂ）レジスト層（２）に開口部（３）を形成する工
程。 （ｃ）開口部（３）に電解めっきによって電極（４）を
形成する工程。 （ｄ）レジスト層（２ａ）及び電極（４）上に絶縁層
（５）を形成する工程。 （ｅ）電極（４）上方の絶縁層（５）にバイアホール形
成孔（６）を形成する工程。 （ｆ）バイアホール形成孔（６）が形成された絶縁層
（５ａ）上全面に薄膜導体層を形成し、該薄膜導体層上
の所定位置にレジストパターン（７）を形成する工程。 （ｇ）レジストパターン（７）をマスクにして電解めっ
きを行い、電極（４）とバイア接続された配線回路
（８）を形成する工程。 （ｈ）絶縁層（５ａ）及び配線回路（８）上に絶縁層
（９）を形成する工程。 （ｉ）ベース基板（１）及びレジスト層（２ａ）を除去
して検査電極（１０）を形成する工程。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の電極を有する配線回路基
板の構造は、導電性を有するベース基板１上にレジスト
層２を形成し、レジスト層２に開口部３を形成する。そ
の後、開口部３に電解めっきによって電極４を形成す
る。ここで、電極４の端部がレジスト層２の上面より張
り出すようにめっきする。さらに、電極４及びレジスト
層２ａ上に絶縁層５を形成する。電極４上方の絶縁層５
にバイアホール形成孔６を形成し、セミアディティブ工
程により電極４とバイア接続された配線回路８を形成す
る。絶縁層５ａ及び配線回路８上に絶縁層９を形成した
後ベース基板１及びレジスト層２ａを除去することによ
り検査電極１０を形成し、本発明の検査電極を有する配
線回路基板を作製することができる。以下、検査電極を
有する配線回路基板の形成方法について述べる（図１
（ａ）〜（ｉ）参照）。
板の構造は、導電性を有するベース基板１上にレジスト
層２を形成し、レジスト層２に開口部３を形成する。そ
の後、開口部３に電解めっきによって電極４を形成す
る。ここで、電極４の端部がレジスト層２の上面より張
り出すようにめっきする。さらに、電極４及びレジスト
層２ａ上に絶縁層５を形成する。電極４上方の絶縁層５
にバイアホール形成孔６を形成し、セミアディティブ工
程により電極４とバイア接続された配線回路８を形成す
る。絶縁層５ａ及び配線回路８上に絶縁層９を形成した
後ベース基板１及びレジスト層２ａを除去することによ
り検査電極１０を形成し、本発明の検査電極を有する配
線回路基板を作製することができる。以下、検査電極を
有する配線回路基板の形成方法について述べる（図１
（ａ）〜（ｉ）参照）。
【０００８】まず、導電性を有するベース基板１上にレ
ジスト層２を形成する。（図１（ａ）参照）。導電性を
有するベース基板１は、電解めっきの電極として使用す
るため導電性が必要である。さらに、後工程で除去する
ことを考慮し、電極４はエッチングされないでベース基
板１はエッチングされやすい材質を選択する。具体的に
は、電極４の材質は一般的に銅が使用されるのでベース
基板１としてはアルミニウム製の基板を使用する。アル
ミニウム板の厚みは２０μｍから５０μｍ程度が望まし
い。
ジスト層２を形成する。（図１（ａ）参照）。導電性を
有するベース基板１は、電解めっきの電極として使用す
るため導電性が必要である。さらに、後工程で除去する
ことを考慮し、電極４はエッチングされないでベース基
板１はエッチングされやすい材質を選択する。具体的に
は、電極４の材質は一般的に銅が使用されるのでベース
基板１としてはアルミニウム製の基板を使用する。アル
ミニウム板の厚みは２０μｍから５０μｍ程度が望まし
い。
【０００９】ベース基板１上に形成するレジスト層２
は、一般にエッチングレジストとして知られているドラ
イフィルムレジストを使用することができる。厚みの均
一なドライフィルムを使用することによって電極４の高
さ制御が容易になる。電極４の高さに応じてドライフィ
ルムの厚みを選定する。
は、一般にエッチングレジストとして知られているドラ
イフィルムレジストを使用することができる。厚みの均
一なドライフィルムを使用することによって電極４の高
さ制御が容易になる。電極４の高さに応じてドライフィ
ルムの厚みを選定する。
【００１０】次に、レジスト層２に開口部３を形成する
（図１（ｂ）参照）。開口部３の形成には、レーザ加工
を使用する。レーザ加工には、エキシマレーザ加工ある
いは短パルスの炭酸ガスレーザ加工などが使用できる。
これらのレーザは形成する電極の大きさによって選択す
ることが望ましい。電極径が１００〜２００μｍの場合
には炭酸ガスレーザ加工が適しているが、１００μｍ以
下の場合にはエキシマレーザ加工が適している。レーザ
加工を用いた場合には、光学系にマスクを入れることに
より種々の形の開口部３を形成できるため、任意形状の
電極が作製出来る。
（図１（ｂ）参照）。開口部３の形成には、レーザ加工
を使用する。レーザ加工には、エキシマレーザ加工ある
いは短パルスの炭酸ガスレーザ加工などが使用できる。
これらのレーザは形成する電極の大きさによって選択す
ることが望ましい。電極径が１００〜２００μｍの場合
には炭酸ガスレーザ加工が適しているが、１００μｍ以
下の場合にはエキシマレーザ加工が適している。レーザ
加工を用いた場合には、光学系にマスクを入れることに
より種々の形の開口部３を形成できるため、任意形状の
電極が作製出来る。
【００１１】次に、ベース基板１をめっき電極として電
解めっきにより開口部３に電極４を形成する（図１
（ｃ）参照）。ここで、電極４の端部がレジスト層２ａ
の表面よりも張り出すように形成する。
解めっきにより開口部３に電極４を形成する（図１
（ｃ）参照）。ここで、電極４の端部がレジスト層２ａ
の表面よりも張り出すように形成する。
【００１２】次に、電極４及びレジスト層２ａ上に絶縁
層５を形成する（図１（ｄ）参照）。これは絶縁層５を
介して電極４とバイア接続された配線回路８を形成する
ためのもので、レジスト層２ａの表面より張り出した電
極４の端部は絶縁層５に埋め込まれる。ここで、この絶
縁層５は検査電極の高さのバラツキに影響を及ぼす部分
で均一な膜厚に仕上げる必要がある。絶縁層５の形成方
法としては樹脂溶液のスピンコートやスクリーン印刷、
または樹脂フイルムの貼着が利用でき、樹脂の材質とし
ては熱硬化性のエポキシやポリイミドが適している。
層５を形成する（図１（ｄ）参照）。これは絶縁層５を
介して電極４とバイア接続された配線回路８を形成する
ためのもので、レジスト層２ａの表面より張り出した電
極４の端部は絶縁層５に埋め込まれる。ここで、この絶
縁層５は検査電極の高さのバラツキに影響を及ぼす部分
で均一な膜厚に仕上げる必要がある。絶縁層５の形成方
法としては樹脂溶液のスピンコートやスクリーン印刷、
または樹脂フイルムの貼着が利用でき、樹脂の材質とし
ては熱硬化性のエポキシやポリイミドが適している。
【００１３】次に、電極４上方の絶縁層５にバイアホー
ル形成孔６を形成する（図１（ｅ）参照）。バイアホー
ル形成孔６の形成には開口部３の形成と同様なレーザ加
工を用いる。
ル形成孔６を形成する（図１（ｅ）参照）。バイアホー
ル形成孔６の形成には開口部３の形成と同様なレーザ加
工を用いる。
【００１４】バイアホール形成孔６を形成した後、バイ
アホール及び配線回路８を形成し、電極４とバイア接続
された配線回路８を作製する。バイアホール及び配線回
路８の形成にはサブトラクティブ工程或いはセミアディ
ティブ工程が利用できる。サブトラクティブ工程では絶
縁層５及びバイアホール形成孔６全面に導体層を形成
し、フォトリソグラフィ法によりパターニング処理する
ことにより電極４とバイア接続された配線回路８が形成
される。セミアディティブ工程では、絶縁層５及びバイ
アホール形成孔６全面に薄膜導体層を形成した後所定の
部分にレジストパターン７を形成する（図１（ｆ）参
照）。レジストパターン７をマスクにして電解めっきを
行って所定厚の導体層を形成した後レジストパターン７
及びレジストパターン７下部に形成されていた薄膜導体
層をエッチング除去することにより、電極４とバイア接
続された配線回路８が形成される（図１（ｇ）参照）。
ここでは、配線回路を一層の例で示したが、多層配線回
路板にも適用でき、その場合は絶縁層、配線回路及び層
間接属のバイアホールを一層ごとに所定の層数積層する
ことにより形成できる。
アホール及び配線回路８を形成し、電極４とバイア接続
された配線回路８を作製する。バイアホール及び配線回
路８の形成にはサブトラクティブ工程或いはセミアディ
ティブ工程が利用できる。サブトラクティブ工程では絶
縁層５及びバイアホール形成孔６全面に導体層を形成
し、フォトリソグラフィ法によりパターニング処理する
ことにより電極４とバイア接続された配線回路８が形成
される。セミアディティブ工程では、絶縁層５及びバイ
アホール形成孔６全面に薄膜導体層を形成した後所定の
部分にレジストパターン７を形成する（図１（ｆ）参
照）。レジストパターン７をマスクにして電解めっきを
行って所定厚の導体層を形成した後レジストパターン７
及びレジストパターン７下部に形成されていた薄膜導体
層をエッチング除去することにより、電極４とバイア接
続された配線回路８が形成される（図１（ｇ）参照）。
ここでは、配線回路を一層の例で示したが、多層配線回
路板にも適用でき、その場合は絶縁層、配線回路及び層
間接属のバイアホールを一層ごとに所定の層数積層する
ことにより形成できる。
【００１５】次に、絶縁層５ａ及び配線回路８上に絶縁
層９を形成する（図１（ｈ）参照）。
層９を形成する（図１（ｈ）参照）。
【００１６】次に、ベース基板１及びレジスト層２ａを
除去することによって、検査電極１０が形成され、本発
明の検査電極を有する配線基板を形成することができる
（図１（ｉ）参照）。ベース基板１の除去はエッチング
で行い、配線回路８及び電極４の材質によってエッチン
グ液を選定する必要がある。電極４及び配線回路８に銅
を、ベース基板１にアルミニウム板を用いた場合にはエ
ッチング液にはアルカリ溶液を用いることが望ましい。
レジスト層２ａの除去はベース基板１のエッチングと同
一工程で行えるのが工程簡略化の点でも望ましく、ベー
ス基板１のエッチング液が使えるようにレジスト材を選
定する。
除去することによって、検査電極１０が形成され、本発
明の検査電極を有する配線基板を形成することができる
（図１（ｉ）参照）。ベース基板１の除去はエッチング
で行い、配線回路８及び電極４の材質によってエッチン
グ液を選定する必要がある。電極４及び配線回路８に銅
を、ベース基板１にアルミニウム板を用いた場合にはエ
ッチング液にはアルカリ溶液を用いることが望ましい。
レジスト層２ａの除去はベース基板１のエッチングと同
一工程で行えるのが工程簡略化の点でも望ましく、ベー
ス基板１のエッチング液が使えるようにレジスト材を選
定する。
【００１７】
【実施例】以下、実施例について図１（ａ）〜（ｉ）を
用いて詳細に説明する。 ＜実施例１＞５０μｍ厚のアルミニウム板からなるベー
ス基板１上に４０μｍ厚のドライフィルム（ＤＦＲ：日
立化成（株）製）をラミネータによって貼り合わせして
レジスト層２を形成した（図１（ａ）参照）。このとき
の 貼り合わせ条件はラミネータのロール温度１００℃
で、貼り合わせ速度１ｍ／ｍｉｎであった。
用いて詳細に説明する。 ＜実施例１＞５０μｍ厚のアルミニウム板からなるベー
ス基板１上に４０μｍ厚のドライフィルム（ＤＦＲ：日
立化成（株）製）をラミネータによって貼り合わせして
レジスト層２を形成した（図１（ａ）参照）。このとき
の 貼り合わせ条件はラミネータのロール温度１００℃
で、貼り合わせ速度１ｍ／ｍｉｎであった。
【００１８】次に、レジスト層２に２００ｍＪ／ｃｍ2
の露光量で紫外線露光し、レジスト層２の硬化処理を行
った。露光後にレジストのカバーフィルムを除去し、エ
キシマレーザ加工機を用いて直径５０μｍφの開口部３
を形成した（図１（ｂ）参照）。エキシマレーザ加工条
件はエネルギ密度１．０Ｊ／ｃｍ2 、加工速度１２ｍ／
ｍｉｎであった。
の露光量で紫外線露光し、レジスト層２の硬化処理を行
った。露光後にレジストのカバーフィルムを除去し、エ
キシマレーザ加工機を用いて直径５０μｍφの開口部３
を形成した（図１（ｂ）参照）。エキシマレーザ加工条
件はエネルギ密度１．０Ｊ／ｃｍ2 、加工速度１２ｍ／
ｍｉｎであった。
【００１９】次に、ベース基板１をめっき電極として開
口部３に電解銅めっきを行い電極４を形成した（図１
（ｃ）参照）。電解銅めっき時にベース基板の裏面に銅
めっきが析出しないように耐めっき液性のカバーフィル
ムで保護を行う。電極４の上面はレジスト層２ａの表面
よりも高くなるように形成した。
口部３に電解銅めっきを行い電極４を形成した（図１
（ｃ）参照）。電解銅めっき時にベース基板の裏面に銅
めっきが析出しないように耐めっき液性のカバーフィル
ムで保護を行う。電極４の上面はレジスト層２ａの表面
よりも高くなるように形成した。
【００２０】次に、レジスト層２ａ及び電極４上に熱硬
化性のポリイミドを３００メッシュのスクリーン版を用
いてスクリーン印刷した後１６０℃のオーブンにて２時
間のベーキングを行って完全硬化した絶縁層５を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
化性のポリイミドを３００メッシュのスクリーン版を用
いてスクリーン印刷した後１６０℃のオーブンにて２時
間のベーキングを行って完全硬化した絶縁層５を形成し
た（図１（ｄ）参照）。
【００２１】次に、電極４上方の絶縁層５にバイアホー
ル形成孔６を形成した（図１（ｅ）参照）。バイアホー
ル形成孔６の形成には開口部３の形成と同様エキシマレ
ーザ加工を用いた。
ル形成孔６を形成した（図１（ｅ）参照）。バイアホー
ル形成孔６の形成には開口部３の形成と同様エキシマレ
ーザ加工を用いた。
【００２２】次に、バイアホール形成孔６が形成された
絶縁層５ａ上全面に約３０００Å厚の銅の薄膜導体層を
形成した（図示せず）。薄膜導体層はスパッタ装置を用
いて銅をスパッタリングして形成した。次に、薄膜導体
層上にめっきレジストとして２０μｍ厚のドライフィル
ムをラミネートして感光層を形成し、フォトリソグラフ
ィ工程にてパターニング処理してレジストパターン７を
形成した（図１（ｆ）参照）。
絶縁層５ａ上全面に約３０００Å厚の銅の薄膜導体層を
形成した（図示せず）。薄膜導体層はスパッタ装置を用
いて銅をスパッタリングして形成した。次に、薄膜導体
層上にめっきレジストとして２０μｍ厚のドライフィル
ムをラミネートして感光層を形成し、フォトリソグラフ
ィ工程にてパターニング処理してレジストパターン７を
形成した（図１（ｆ）参照）。
【００２３】次に、レジストパターン７をマスクにして
電解銅めっきを行い２５μｍ厚の銅の導体層を形成し
た。さらに、レジストパターン７を５％の水酸化ナトリ
ウム溶液に浸せきして剥膜処理した後１００ｇ／Ｌの過
硫酸アンモニウム溶液に浸せきして剥膜処理したレジス
トパターン７下部に形成されていた薄膜導体層をエッチ
ング除去して、電極４とバイア接続された配線回路８を
形成した（図１（ｇ）参照）。
電解銅めっきを行い２５μｍ厚の銅の導体層を形成し
た。さらに、レジストパターン７を５％の水酸化ナトリ
ウム溶液に浸せきして剥膜処理した後１００ｇ／Ｌの過
硫酸アンモニウム溶液に浸せきして剥膜処理したレジス
トパターン７下部に形成されていた薄膜導体層をエッチ
ング除去して、電極４とバイア接続された配線回路８を
形成した（図１（ｇ）参照）。
【００２４】次に、絶縁層５ａ及び配線回路８上に熱硬
化性のポリイミドを３００メッシュのスクリーン版を用
いてスクリーン印刷した後１６０℃のオーブンにて２時
間のベーキングを行って完全硬化した絶縁層９を形成し
た（図１（ｈ）参照）。
化性のポリイミドを３００メッシュのスクリーン版を用
いてスクリーン印刷した後１６０℃のオーブンにて２時
間のベーキングを行って完全硬化した絶縁層９を形成し
た（図１（ｈ）参照）。
【００２５】次に、めっき時のカバーフィルムを除去し
た後、１０％の水酸化ナトリウム溶液に浸せきし、ベー
ス基板１及びレジスト層２ａを溶解除去することで検査
電極１０が形成され、本発明の検査電極を有する配線基
板を形成することができた（図１（ｉ）参照）。
た後、１０％の水酸化ナトリウム溶液に浸せきし、ベー
ス基板１及びレジスト層２ａを溶解除去することで検査
電極１０が形成され、本発明の検査電極を有する配線基
板を形成することができた（図１（ｉ）参照）。
【００２６】＜実施例２＞実施例１と同様の工程により
導電性を有するベース基板１上にレジスト層２を形成し
た後、炭酸ガスレーザを用いて１００μｍφの開口部３
を形成し、実施例１と同様の工程で電極４及び配線回路
８を形成し、ベース基板１及びレジスト層２ａを除去す
ることで検査電極１０が形成され、検査電極を有する配
線回路基板を作製することができた。
導電性を有するベース基板１上にレジスト層２を形成し
た後、炭酸ガスレーザを用いて１００μｍφの開口部３
を形成し、実施例１と同様の工程で電極４及び配線回路
８を形成し、ベース基板１及びレジスト層２ａを除去す
ることで検査電極１０が形成され、検査電極を有する配
線回路基板を作製することができた。
【００２７】
【発明の効果】本発明の検査電極を有する配線回路基板
を用いることにより、検査電極は配線回路基板に確実に
保持されて被検査基板の電極との確実な接触が得られ、
微細ピッチの導通検査にも対応できるようになり、信頼
性のある導通検査ができる。さらに被検査基板との接触
時に接触圧力を絶縁層が吸収するため、被検査基板を損
傷させることなく導通をとることができる。
を用いることにより、検査電極は配線回路基板に確実に
保持されて被検査基板の電極との確実な接触が得られ、
微細ピッチの導通検査にも対応できるようになり、信頼
性のある導通検査ができる。さらに被検査基板との接触
時に接触圧力を絶縁層が吸収するため、被検査基板を損
傷させることなく導通をとることができる。
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、本発明の一実施例を示す検
査電極を有する配線回路基板の構成及び製造工程を示す
部分断面図である。
査電極を有する配線回路基板の構成及び製造工程を示す
部分断面図である。
１…… ベース基板( 金属板) ２……レジスト層 ２ａ……開口部が形成されたレジスト層 ３……開口部 ４……電極 ５、９……絶縁層 ５ａ……バイアホール形成孔が形成された絶縁層 ６……バイアホール形成孔 ７……レジストパターン ８……配線回路 １０……検査電極
Claims (2)
- 【請求項１】配線回路基板の配線回路に接続された検査
電極において、前記検査電極は絶縁層を介して前記配線
回路とバイア接続されており、前記配線回路とバイア接
続されている前記検査電極の端部が前記絶縁層に埋め込
まれていることを特徴とする検査電極を有する配線回路
基板。 - 【請求項２】下記の一連の工程からなる請求項１記載の
検査電極を有する配線回路基板の形成方法。 （ａ）導電性を有するベース基板（１）上にレジスト層
（２）を形成する工程。 （ｂ）レジスト層（２）に開口部（３）を形成する工
程。 （ｃ）開口部（３）に電解めっきによって電極（４）を
形成する工程。 （ｄ）レジスト層（２ａ）及び電極（４）上に絶縁層
（５）を形成する工程。 （ｅ）電極（４）上方の絶縁層（５）にバイアホール形
成孔（６）を形成する工程。 （ｆ）バイアホール形成孔（６）が形成された絶縁層
（５ａ）上全面に薄膜導体層を形成し、該薄膜導体層上
の所定位置にレジストパターン（７）を形成する工程。 （ｇ）レジストパターン（７）をマスクにして電解めっ
きを行い、電極（４）とバイア接続された配線回路
（８）を形成する工程。 （ｈ）絶縁層（５ａ）及び配線回路（８）上に絶縁層
（９）を形成する工程。 （ｉ）ベース基板（１）及びレジスト層（２ａ）を除去
して検査電極（１０）を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051797A JPH10246736A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051797A JPH10246736A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10246736A true JPH10246736A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12861174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5051797A Pending JPH10246736A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10246736A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346878A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-12-15 | Advantest Corp | 微細化工程により形成するコンタクトストラクチャ |
| EP1626284A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | Delphi Technologies, Inc. | Contact probe, mask and fabrication method thereof |
| JP2008089439A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Mikuni Kogyo:Kk | コンタクトプローブの製造方法 |
| US8802454B1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-08-12 | Xilinx, Inc. | Methods of manufacturing a semiconductor structure |
| KR101474770B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2014-12-22 | 삼성전자 주식회사 | 검사패턴을 구비하는 인쇄회로기판 |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP5051797A patent/JPH10246736A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346878A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-12-15 | Advantest Corp | 微細化工程により形成するコンタクトストラクチャ |
| EP1626284A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | Delphi Technologies, Inc. | Contact probe, mask and fabrication method thereof |
| US7553680B2 (en) | 2004-08-09 | 2009-06-30 | Delphi Technologies, Inc. | Methods to provide and expose a diagnostic connector on overmolded electronic packages |
| JP2008089439A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Mikuni Kogyo:Kk | コンタクトプローブの製造方法 |
| KR101474770B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2014-12-22 | 삼성전자 주식회사 | 검사패턴을 구비하는 인쇄회로기판 |
| US8802454B1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-08-12 | Xilinx, Inc. | Methods of manufacturing a semiconductor structure |
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