JP2002196018A - 検査治具及びその製造方法 - Google Patents
検査治具及びその製造方法Info
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- JP2002196018A JP2002196018A JP2000392238A JP2000392238A JP2002196018A JP 2002196018 A JP2002196018 A JP 2002196018A JP 2000392238 A JP2000392238 A JP 2000392238A JP 2000392238 A JP2000392238 A JP 2000392238A JP 2002196018 A JP2002196018 A JP 2002196018A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高密度な被検査体の検査を行うことが可能な検
査治具及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】絶縁基材１１の両面に第一金属層１２及び
第二金属層１３を形成し、第一金属層１１側からレーザ
ーにより穴開け加工を行い、開口部１４を形成し、絶縁
基材１１の開口部１４内の穴底部の第二金属層１３上に
金属層１５を形成する。さらに、電解めっきにて、絶縁
基材１１の開口部１４内に導体電極１６を、第一金属層
１２上に導体層１７を形成し、第一金属層１２及び導体
層１７をパターニング処理して配線層１８を形成し、絶
縁基材１１の一方の面及び配線層上にレジスト層１９を
形成し、絶縁基材１１の他方の面を所定の厚さエッチン
グにて除去し、絶縁基材１１ａを形成し、絶縁基材１１
ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属層
を有する検査電極が形成された検査治具を得る。
査治具及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】絶縁基材１１の両面に第一金属層１２及び
第二金属層１３を形成し、第一金属層１１側からレーザ
ーにより穴開け加工を行い、開口部１４を形成し、絶縁
基材１１の開口部１４内の穴底部の第二金属層１３上に
金属層１５を形成する。さらに、電解めっきにて、絶縁
基材１１の開口部１４内に導体電極１６を、第一金属層
１２上に導体層１７を形成し、第一金属層１２及び導体
層１７をパターニング処理して配線層１８を形成し、絶
縁基材１１の一方の面及び配線層上にレジスト層１９を
形成し、絶縁基材１１の他方の面を所定の厚さエッチン
グにて除去し、絶縁基材１１ａを形成し、絶縁基材１１
ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属層
を有する検査電極が形成された検査治具を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や半導
体装置用基板の電気的検査を行う際に用いられる検査治
具及びその製造方法に関する。
体装置用基板の電気的検査を行う際に用いられる検査治
具及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップや半導体チップをフィルム
キャリア等の半導体装置用基板に搭載した半導体装置、
あるいは半導体装置用基板自体の品質を保証するため
に、電気的検査が行われている。電気的検査の方法の一
つとして、上記のような被検査体の電極に検査治具を接
触させ、電気的なオープンやショートを検査することが
行われている。近年求められている電子機器の小型化、
薄型化に伴い、被検査体の電極の狭ピッチ化がすすみ、
用いられる検査治具にもより高密度で、かつ高精度なも
のが求められている。そのような検査治具として、特開
平１１−３２６３７８号公報記載のものが知られてい
る。
キャリア等の半導体装置用基板に搭載した半導体装置、
あるいは半導体装置用基板自体の品質を保証するため
に、電気的検査が行われている。電気的検査の方法の一
つとして、上記のような被検査体の電極に検査治具を接
触させ、電気的なオープンやショートを検査することが
行われている。近年求められている電子機器の小型化、
薄型化に伴い、被検査体の電極の狭ピッチ化がすすみ、
用いられる検査治具にもより高密度で、かつ高精度なも
のが求められている。そのような検査治具として、特開
平１１−３２６３７８号公報記載のものが知られてい
る。
【０００３】従来の検査治具の製造方法の一例を図６
（ａ）〜（ｆ）に示す。まず、０．３ｍｍ厚のステンレ
ス板からなる金属基板１０１上にドライフィルムレジス
トをラミネートしてレジスト層１０２を、さらに、２０
μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレックス：宇部興
産（株）製）からなる絶縁基材１０３をを貼着する（図
６（ａ）参照）。
（ａ）〜（ｆ）に示す。まず、０．３ｍｍ厚のステンレ
ス板からなる金属基板１０１上にドライフィルムレジス
トをラミネートしてレジスト層１０２を、さらに、２０
μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレックス：宇部興
産（株）製）からなる絶縁基材１０３をを貼着する（図
６（ａ）参照）。
【０００４】次に、絶縁基材１０３上にスパッタリング
にて３００ｎｍ厚のクロム薄膜層１０４を、さらに、銅
をスパッタリングして３００ｎｍ厚の薄膜導体層１０５
を形成する（図６（ｂ）参照）。次に、エキシマレーザ
ーを用いて、薄膜導体層１０５、クロム薄膜層１０４、
絶縁基材１０３及びレジスト層１０２を孔開け加工し
て、４０μｍφの円錐台状の開口部１０６を形成する
（図６（ｃ）参照）。
にて３００ｎｍ厚のクロム薄膜層１０４を、さらに、銅
をスパッタリングして３００ｎｍ厚の薄膜導体層１０５
を形成する（図６（ｂ）参照）。次に、エキシマレーザ
ーを用いて、薄膜導体層１０５、クロム薄膜層１０４、
絶縁基材１０３及びレジスト層１０２を孔開け加工し
て、４０μｍφの円錐台状の開口部１０６を形成する
（図６（ｃ）参照）。
【０００５】次に、金属基板１０１をカソードとし、電
解銅めっきを行って、導体電極１０７及び１５〜２０μ
ｍ厚の導体層１０８を連続して形成する（図６（ｄ）参
照）。次に、導体層１０８、薄膜導体層１０５及びクロ
ム薄膜層１０４をフォトエッチングプロセスにてパター
ニング処理して配線層１０８ａを形成する（図６（ｅ）
参照）。
解銅めっきを行って、導体電極１０７及び１５〜２０μ
ｍ厚の導体層１０８を連続して形成する（図６（ｄ）参
照）。次に、導体層１０８、薄膜導体層１０５及びクロ
ム薄膜層１０４をフォトエッチングプロセスにてパター
ニング処理して配線層１０８ａを形成する（図６（ｅ）
参照）。
【０００６】次に、導体電極１０７及び配線層１０８ａ
が形成された基板を剥離液に浸漬して、金属基板１０１
及びレジスト層１０２を剥離することで、絶縁基材１０
３の一方の面に検査電極１０９が、他方の面に配線層１
０８ａが形成された検査治具を作製するものである（図
６（ｆ）参照）。
が形成された基板を剥離液に浸漬して、金属基板１０１
及びレジスト層１０２を剥離することで、絶縁基材１０
３の一方の面に検査電極１０９が、他方の面に配線層１
０８ａが形成された検査治具を作製するものである（図
６（ｆ）参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような検査治具に
おいて、さらに検査時の被検査体との接触信頼性を高め
るために、検査電極先端に接触信頼性を高める金属層を
形成することが求められていた。上記のような金属層を
従来検査治具の製造工程の後で検査電極にめっきを施す
という方法もあるが、露出する検査電極全体にめっきが
付着し、電極が太くなってしまう、という問題がある。
さらに、太くなる量はめっき厚によることになるが、こ
のように凸状の形状を有する検査電極に均一なめっきを
施し、且つその厚さを制御するということは難しく、従
ってどの程度太くなるかを制御できず、高密度な検査を
行う検査治具としては適さない。また、導体層を電解銅
めっきで形成しているため、めっき時間やめっき液の管
理を正確に行わないと配線層の厚さにばらつきが生ずる
恐れがある。さらに、めっきに時間を要するという問題
がある。
おいて、さらに検査時の被検査体との接触信頼性を高め
るために、検査電極先端に接触信頼性を高める金属層を
形成することが求められていた。上記のような金属層を
従来検査治具の製造工程の後で検査電極にめっきを施す
という方法もあるが、露出する検査電極全体にめっきが
付着し、電極が太くなってしまう、という問題がある。
さらに、太くなる量はめっき厚によることになるが、こ
のように凸状の形状を有する検査電極に均一なめっきを
施し、且つその厚さを制御するということは難しく、従
ってどの程度太くなるかを制御できず、高密度な検査を
行う検査治具としては適さない。また、導体層を電解銅
めっきで形成しているため、めっき時間やめっき液の管
理を正確に行わないと配線層の厚さにばらつきが生ずる
恐れがある。さらに、めっきに時間を要するという問題
がある。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、高密度な被検査体の検査を行うことが可能な検査
治具及びその製造方法を提供することを目的とする。
あり、高密度な被検査体の検査を行うことが可能な検査
治具及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、請求項１においては、絶縁基材の一
方の面に配線層が、他方の面に前記絶縁基材を介して検
査電極が形成されており、前記検査電極の一端は配線層
に接続され、前記検査電極の他端の形状は先端に向かっ
てしだいに細くなり、先端が平面状となっている前記検
査電極を有する検査治具において、前記検査電極の先端
部に接触信頼性を高める金属層が形成されていることを
特徴とする検査治具としたものである。
を解決するために、請求項１においては、絶縁基材の一
方の面に配線層が、他方の面に前記絶縁基材を介して検
査電極が形成されており、前記検査電極の一端は配線層
に接続され、前記検査電極の他端の形状は先端に向かっ
てしだいに細くなり、先端が平面状となっている前記検
査電極を有する検査治具において、前記検査電極の先端
部に接触信頼性を高める金属層が形成されていることを
特徴とする検査治具としたものである。
【００１０】また、請求項２においては、以下の工程を
少なくとも備えることを特徴とする請求項１記載の検査
治具の製造方法としたものである。 （ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に
第二金属層を形成する工程。 （ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行
い、第一金属層及び絶縁基材の所定位置に開口部を形成
し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。 （ｃ）絶縁基材の開口部内の穴底部の第二金属層上に、
第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっ
きにより形成する工程。 （ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行
い、絶縁基材の開口部内に導体電極を、第一金属上に導
体層を形成する工程。 （ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配
線層を形成し、第二金属層を除去する工程。 （ｆ）絶縁基材の一方の面及び配線層上にレジスト層を
形成し、絶縁基材の他方の面をエッチングにて所定の厚
さ除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて検査
電極を形成する工程。 （ｇ）レジスト層を剥離し、絶縁基材の一方の面に配線
層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成
された検査治具を作製する工程。
少なくとも備えることを特徴とする請求項１記載の検査
治具の製造方法としたものである。 （ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に
第二金属層を形成する工程。 （ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行
い、第一金属層及び絶縁基材の所定位置に開口部を形成
し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。 （ｃ）絶縁基材の開口部内の穴底部の第二金属層上に、
第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっ
きにより形成する工程。 （ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行
い、絶縁基材の開口部内に導体電極を、第一金属上に導
体層を形成する工程。 （ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配
線層を形成し、第二金属層を除去する工程。 （ｆ）絶縁基材の一方の面及び配線層上にレジスト層を
形成し、絶縁基材の他方の面をエッチングにて所定の厚
さ除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて検査
電極を形成する工程。 （ｇ）レジスト層を剥離し、絶縁基材の一方の面に配線
層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成
された検査治具を作製する工程。
【００１１】また、請求項３においては、以下の工程を
少なくとも備えることを特徴とする請求項１記載の検査
治具の製造方法としたものである。 （ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に
除去容易な接着層を介して第二金属層を形成する工程。 （ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行
い、第一金属層及び絶縁の所定位置に開口部を形成し、
開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。 （ｃ）絶縁基材の開口部内の第二金属層上に、第二金属
層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより
形成する工程。 （ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行
い、絶縁基材及び接着層の開口部内に導体電極を、第一
金属層上に導体層を形成する工程。 （ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配
線層を形成し、第二金属層を除去する工程。 （ｆ）前記接着層を除去し、金属層及び導体電極の一部
を露出させて、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の
面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治
具を作製する工程。
少なくとも備えることを特徴とする請求項１記載の検査
治具の製造方法としたものである。 （ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に
除去容易な接着層を介して第二金属層を形成する工程。 （ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行
い、第一金属層及び絶縁の所定位置に開口部を形成し、
開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。 （ｃ）絶縁基材の開口部内の第二金属層上に、第二金属
層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより
形成する工程。 （ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行
い、絶縁基材及び接着層の開口部内に導体電極を、第一
金属層上に導体層を形成する工程。 （ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配
線層を形成し、第二金属層を除去する工程。 （ｆ）前記接着層を除去し、金属層及び導体電極の一部
を露出させて、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の
面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治
具を作製する工程。
【００１２】さらにまた、請求項４においては、前記第
一金属層側からレーザーにより前記絶縁基材を穴開け加
工する際、あらかじめ前記第一金属層をパターニング処
理して開口マスクを形成し、レーザービームを照射して
穴開け加工することを特徴とする請求項２または請求項
３記載の検査治具の製造方法としたものである。
一金属層側からレーザーにより前記絶縁基材を穴開け加
工する際、あらかじめ前記第一金属層をパターニング処
理して開口マスクを形成し、レーザービームを照射して
穴開け加工することを特徴とする請求項２または請求項
３記載の検査治具の製造方法としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１（ａ）に本発明の検査治具の模式斜視図
を、図１（ｂ）に、Ａ−Ａ’線で切断した検査治具の模
式構成断面図を、それぞれ示す。本発明の検査治具は絶
縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に検査電極が形
成されており、検査電極の先端平坦部に金属層が形成さ
れたものである。
明する。図１（ａ）に本発明の検査治具の模式斜視図
を、図１（ｂ）に、Ａ−Ａ’線で切断した検査治具の模
式構成断面図を、それぞれ示す。本発明の検査治具は絶
縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に検査電極が形
成されており、検査電極の先端平坦部に金属層が形成さ
れたものである。
【００１４】以下請求項２記載の検査治具の製造方法に
ついて図２（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材１１の両面に第一金属層１２及び第二金属層１３
を形成する（図２（ａ）参照）。絶縁基材１１には一般
にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が使用で
きる。第一金属層１２及び第二金属層１３には通常銅箔
が使用される。
ついて図２（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材１１の両面に第一金属層１２及び第二金属層１３
を形成する（図２（ａ）参照）。絶縁基材１１には一般
にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が使用で
きる。第一金属層１２及び第二金属層１３には通常銅箔
が使用される。
【００１５】次に、第一金属層１２にレーザービームを
照射して穴明け加工を行い、第一金属層１２及び絶縁基
材１１に開口部１４を形成し、開口部１４の穴底部で第
二金属層１３を露出させる（図２（ｂ）参照）。開口部
１４は第２金属層１３に近づくにつれ径が細くなる円錐
台状の形状になり、開口部１４の穴底部で第２金属層１
３の表面が露出するように、加工条件を設定する。レー
ザーとしては穴の形状からエキシマレーザーやＵＶ−Ｙ
ＡＧレーザーが適している。
照射して穴明け加工を行い、第一金属層１２及び絶縁基
材１１に開口部１４を形成し、開口部１４の穴底部で第
二金属層１３を露出させる（図２（ｂ）参照）。開口部
１４は第２金属層１３に近づくにつれ径が細くなる円錐
台状の形状になり、開口部１４の穴底部で第２金属層１
３の表面が露出するように、加工条件を設定する。レー
ザーとしては穴の形状からエキシマレーザーやＵＶ−Ｙ
ＡＧレーザーが適している。
【００１６】次に、開口部１４の穴底部の第二金属層１
３上に、接触信頼性を高め、且つ第二金属層１３をエッ
チングする際のエッチング液に耐性のある金属をめっき
して、金属層１５を形成する（図２（ｃ）参照）。金属
層１５の金属材料としては、金、パラジウム、ニッケル
をあげることができる。金やパラジウムの場合は、さら
に上層にニッケルめっきを施し、２層構造にすることが
好ましい。なお、エッチング液によってエッチング耐性
が異なるが、エッチング液に塩化第二鉄液を使用する場
合には金めっきが適している。金めっきは接触抵抗を下
げる効果もあるため金の使用が望ましい。金属層１５の
厚さは、１〜２μｍ程度が好ましい。薄すぎると、ピン
ホール等の欠陥が生じ、接触信頼性を高める効果が低下
したり、第二金属層をエッチングする際に、エッチング
液が侵入し、電極にダメージを与える恐れがある。厚す
ぎると、材料が高価なことからコストが上昇する。ま
た、金の場合は柔らかいため、電極の硬度が不足する可
能性もある。
３上に、接触信頼性を高め、且つ第二金属層１３をエッ
チングする際のエッチング液に耐性のある金属をめっき
して、金属層１５を形成する（図２（ｃ）参照）。金属
層１５の金属材料としては、金、パラジウム、ニッケル
をあげることができる。金やパラジウムの場合は、さら
に上層にニッケルめっきを施し、２層構造にすることが
好ましい。なお、エッチング液によってエッチング耐性
が異なるが、エッチング液に塩化第二鉄液を使用する場
合には金めっきが適している。金めっきは接触抵抗を下
げる効果もあるため金の使用が望ましい。金属層１５の
厚さは、１〜２μｍ程度が好ましい。薄すぎると、ピン
ホール等の欠陥が生じ、接触信頼性を高める効果が低下
したり、第二金属層をエッチングする際に、エッチング
液が侵入し、電極にダメージを与える恐れがある。厚す
ぎると、材料が高価なことからコストが上昇する。ま
た、金の場合は柔らかいため、電極の硬度が不足する可
能性もある。
【００１７】次に、第二金属層１３をめっき電極にして
開口部１４及び第一金属層１２上に電解銅めっきを行
い、開口部１４に導体電極１６、第一金属層１２上に導
体層１７を形成する（図２（ｄ）参照）。めっきの方法
にはダイレクトプレーティングシステムを使用すると工
程の簡略化になる。ダイレクトプレーティングシステム
は、あらかじめ樹脂層の壁に例えばパラジウム粒子等の
触媒層を形成しておくことにより、電解めっきによって
直接樹脂に電解めっきをすることを可能にする方法であ
る。また、開口部１４の金属のめっきには、穴埋めめっ
きを使用し、導体電極１６内にボイドが発生しないよう
にする。
開口部１４及び第一金属層１２上に電解銅めっきを行
い、開口部１４に導体電極１６、第一金属層１２上に導
体層１７を形成する（図２（ｄ）参照）。めっきの方法
にはダイレクトプレーティングシステムを使用すると工
程の簡略化になる。ダイレクトプレーティングシステム
は、あらかじめ樹脂層の壁に例えばパラジウム粒子等の
触媒層を形成しておくことにより、電解めっきによって
直接樹脂に電解めっきをすることを可能にする方法であ
る。また、開口部１４の金属のめっきには、穴埋めめっ
きを使用し、導体電極１６内にボイドが発生しないよう
にする。
【００１８】次に、第一金属層１２及び導体層１７をパ
ターニング処理して第一金属層パターン１２ａ及び導体
層パターン１７ａからなる配線層１８を形成し、同時に
第二金属層３４をエッチングにて除去する（図２（ｅ）
参照）。
ターニング処理して第一金属層パターン１２ａ及び導体
層パターン１７ａからなる配線層１８を形成し、同時に
第二金属層３４をエッチングにて除去する（図２（ｅ）
参照）。
【００１９】次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層
１８上に保護用のレジスト層１９を形成し、絶縁基材１
１を所定の厚さになるまでエッチングにて除去して絶縁
基材１１ａを形成し、金属層１５及び導体電極の一部を
露出させ、検査電極２１を形成する（図２（ｆ）参
照）。
１８上に保護用のレジスト層１９を形成し、絶縁基材１
１を所定の厚さになるまでエッチングにて除去して絶縁
基材１１ａを形成し、金属層１５及び導体電極の一部を
露出させ、検査電極２１を形成する（図２（ｆ）参
照）。
【００２０】次に、レジスト層１９を剥離処理して、絶
縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先
端に金属層１５を有する検査電極２１が形成された検査
治具１００を得ることができる（図２（ｇ）参照）。
縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先
端に金属層１５を有する検査電極２１が形成された検査
治具１００を得ることができる（図２（ｇ）参照）。
【００２１】以下請求項３記載の検査治具の製造方法に
ついて図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材３１の一方の面に第一金属層３３を、他方の面に
除去容易な接着層３２を介して第二金属層３４を形成す
る（図３（ａ）参照）。絶縁基材３１には一般にＴＡＢ
に使用されているポリイミド等の材料が、接着層３２に
は熱可塑性の樹脂材料が使用できる。第一金属層３３及
び第二金属層３４には通常銅箔が使用される。
ついて図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材３１の一方の面に第一金属層３３を、他方の面に
除去容易な接着層３２を介して第二金属層３４を形成す
る（図３（ａ）参照）。絶縁基材３１には一般にＴＡＢ
に使用されているポリイミド等の材料が、接着層３２に
は熱可塑性の樹脂材料が使用できる。第一金属層３３及
び第二金属層３４には通常銅箔が使用される。
【００２２】次に、第一金属層３３にレーザーを照射し
て穴明け加工を行い、第一金属層３３、絶縁基材３１及
び接着層３２に開口部３５を形成し、開口部３５の穴底
部で第二金属層３４を露出させる（図３（ｂ）参照）。
開口部３５は第２金属層３４に近づくにつれ径が細くな
る円錐台状の形状になり、開口部３５の穴底部で第２金
属層３４の表面が露出するように、加工条件を設定す
る。レーザーとしては穴の形状からエキシマレーザーや
ＵＶ−ＹＡＧレーザーが適している。
て穴明け加工を行い、第一金属層３３、絶縁基材３１及
び接着層３２に開口部３５を形成し、開口部３５の穴底
部で第二金属層３４を露出させる（図３（ｂ）参照）。
開口部３５は第２金属層３４に近づくにつれ径が細くな
る円錐台状の形状になり、開口部３５の穴底部で第２金
属層３４の表面が露出するように、加工条件を設定す
る。レーザーとしては穴の形状からエキシマレーザーや
ＵＶ−ＹＡＧレーザーが適している。
【００２３】次に、開口部３５の穴底部の第二金属層３
４上に、接触信頼性を高め、且つ第二金属層３４をエッ
チングする際のエッチング液に耐性のある金属をめっき
して、金属層３６を形成する（図３（ｃ）参照）。金属
層３６の金属材料としては、金、パラジウム、ニッケル
をあげることができる。金やパラジウムの場合は、さら
に上層にニッケルめっきを施し、２層構造にすることが
好ましい。なお、エッチング液によってエッチング耐性
が異なるが、エッチング液に塩化第二鉄液を使用する場
合には金めっきが適している。金めっきは接触抵抗を下
げる効果もあるため金の使用が望ましい。金属層３６の
厚さは、１〜２μｍ程度が好ましい。薄すぎると、ピン
ホール等の欠陥が生じ、接触信頼性を高める効果が低下
したり、第二金属層をエッチングする際に、エッチング
液が侵入し、電極にダメージを与える恐れがある。厚す
ぎると、材料が高価なことからコストが上昇する。ま
た、金の場合は柔らかいため、電極の硬度が不足する可
能性もある。
４上に、接触信頼性を高め、且つ第二金属層３４をエッ
チングする際のエッチング液に耐性のある金属をめっき
して、金属層３６を形成する（図３（ｃ）参照）。金属
層３６の金属材料としては、金、パラジウム、ニッケル
をあげることができる。金やパラジウムの場合は、さら
に上層にニッケルめっきを施し、２層構造にすることが
好ましい。なお、エッチング液によってエッチング耐性
が異なるが、エッチング液に塩化第二鉄液を使用する場
合には金めっきが適している。金めっきは接触抵抗を下
げる効果もあるため金の使用が望ましい。金属層３６の
厚さは、１〜２μｍ程度が好ましい。薄すぎると、ピン
ホール等の欠陥が生じ、接触信頼性を高める効果が低下
したり、第二金属層をエッチングする際に、エッチング
液が侵入し、電極にダメージを与える恐れがある。厚す
ぎると、材料が高価なことからコストが上昇する。ま
た、金の場合は柔らかいため、電極の硬度が不足する可
能性もある。
【００２４】次に、第二金属層３４をめっき電極にして
開口部３５及び第一金属層３３上に電解銅めっきを行
い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層３３上に導
体層３８を形成する（図３（ｄ）参照）。めっきの方法
にはダイレクトプレーティングシステムを使用すると工
程の簡略化になる。ダイレクトプレーティングシステム
は、あらかじめ樹脂層の壁に例えばパラジウム粒子等の
触媒層を形成しておくことにより、電解めっきによって
直接樹脂に電解めっきをすることを可能にする方法であ
る。また、開口部３５の金属のめっきには、穴埋めめっ
きを使用し、導体電極３７内にボイドが発生しないよう
にする。
開口部３５及び第一金属層３３上に電解銅めっきを行
い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層３３上に導
体層３８を形成する（図３（ｄ）参照）。めっきの方法
にはダイレクトプレーティングシステムを使用すると工
程の簡略化になる。ダイレクトプレーティングシステム
は、あらかじめ樹脂層の壁に例えばパラジウム粒子等の
触媒層を形成しておくことにより、電解めっきによって
直接樹脂に電解めっきをすることを可能にする方法であ
る。また、開口部３５の金属のめっきには、穴埋めめっ
きを使用し、導体電極３７内にボイドが発生しないよう
にする。
【００２５】次に、第一金属層３３及び導体層３８をパ
ターニング処理して第一金属層パターン３３ａ及び導体
層パターン３８ａからなる配線層３９を形成し、同時に
第二金属層３４をエッチングにて除去する（図３（ｅ）
参照）。
ターニング処理して第一金属層パターン３３ａ及び導体
層パターン３８ａからなる配線層３９を形成し、同時に
第二金属層３４をエッチングにて除去する（図３（ｅ）
参照）。
【００２６】次に、接着層３２を溶剤等で溶解除去し、
金属層３６及び導体電極３７の一部を露出させ、検査電
極４１を形成し、絶縁基材３１の一方の面に配線層３９
が、他方の面に先端に金属層３６を有する検査電極４１
が形成された検査治具２００を得ることができる（図３
（ｆ）参照）。
金属層３６及び導体電極３７の一部を露出させ、検査電
極４１を形成し、絶縁基材３１の一方の面に配線層３９
が、他方の面に先端に金属層３６を有する検査電極４１
が形成された検査治具２００を得ることができる（図３
（ｆ）参照）。
【００２７】以下請求項４記載の検査治具の製造方法に
ついて図４（ａ）〜（ｈ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材１１の両面に第一金属層１２及び第二金属層１３
を形成する（図４（ａ）参照）。絶縁基材１１には一般
にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が使用で
きる。第一金属層１２及び第二金属層１３には通常銅箔
が使用される。
ついて図４（ａ）〜（ｈ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材１１の両面に第一金属層１２及び第二金属層１３
を形成する（図４（ａ）参照）。絶縁基材１１には一般
にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が使用で
きる。第一金属層１２及び第二金属層１３には通常銅箔
が使用される。
【００２８】次に、第一金属層１２をパターニング処理
して、第一金属層１２の所定位置に開口マスク２２を形
成する（図４（ｂ）参照）。
して、第一金属層１２の所定位置に開口マスク２２を形
成する（図４（ｂ）参照）。
【００２９】次に、第一金属層１２の開口マスク２２に
レーザーを照射して穴開け加工を行い、絶縁基材１１に
開口部１４を形成し、開口部１４の穴底部で第二金属層
１３を露出させる（図４（ｃ）参照）。この第一金属層
１２の開口マスク２２にレーザーを照射して開口部１４
を形成する方法では、レーザー加工条件の設定がし易
く、特に開口部１４の穴底部での終点制御がし易い特徴
がある。レーザーとしてはエキシマレーザーが適してい
る。
レーザーを照射して穴開け加工を行い、絶縁基材１１に
開口部１４を形成し、開口部１４の穴底部で第二金属層
１３を露出させる（図４（ｃ）参照）。この第一金属層
１２の開口マスク２２にレーザーを照射して開口部１４
を形成する方法では、レーザー加工条件の設定がし易
く、特に開口部１４の穴底部での終点制御がし易い特徴
がある。レーザーとしてはエキシマレーザーが適してい
る。
【００３０】以下、上記と同様な工程で、金属層１５、
導体電極１６、導体層１７を形成し（図４（ｄ）〜
（ｅ）参照）、第一金属層１２及び導体層１７をパター
ニング処理して配線層１８を形成し、同時に第二金属層
１３をエッチングして除去する（図４（ｆ）参照）。次
に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層１８上に保護用
のレジスト層１９を形成し、絶縁基材１１を所定の厚さ
になるまでエッチングにて除去して絶縁基材１１ａを形
成し、金属層１５及び導体電極１６の一部を露出させ、
検査電極２１を形成する（図４（ｇ）参照）。
導体電極１６、導体層１７を形成し（図４（ｄ）〜
（ｅ）参照）、第一金属層１２及び導体層１７をパター
ニング処理して配線層１８を形成し、同時に第二金属層
１３をエッチングして除去する（図４（ｆ）参照）。次
に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層１８上に保護用
のレジスト層１９を形成し、絶縁基材１１を所定の厚さ
になるまでエッチングにて除去して絶縁基材１１ａを形
成し、金属層１５及び導体電極１６の一部を露出させ、
検査電極２１を形成する（図４（ｇ）参照）。
【００３１】次に、レジスト層１９を剥離処理して、絶
縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先
端に金属層１５を有する検査電極２１が形成された検査
治具３００を得ることができる（図４（ｈ）参照）。
縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先
端に金属層１５を有する検査電極２１が形成された検査
治具３００を得ることができる（図４（ｈ）参照）。
【００３２】以下請求項４記載の検査治具の製造方法に
ついて図５（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材３１の一方の面に第一金属層３３を、他方の面に
除去容易な接着層３２を介して第二金属層３４を形成す
る（図５（ａ）参照）。絶縁基材３１には一般にＴＡＢ
に使用されているポリイミド等の材料が、接着層３２に
は熱可塑性の樹脂材料が使用できる。第一金属層３３及
び第二金属層３４には通常銅箔が使用される。
ついて図５（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶
縁基材３１の一方の面に第一金属層３３を、他方の面に
除去容易な接着層３２を介して第二金属層３４を形成す
る（図５（ａ）参照）。絶縁基材３１には一般にＴＡＢ
に使用されているポリイミド等の材料が、接着層３２に
は熱可塑性の樹脂材料が使用できる。第一金属層３３及
び第二金属層３４には通常銅箔が使用される。
【００３３】次に、第一金属層３３をパターニング処理
して、第一金属層３３の所定位置に開口マスク４２を形
成する（図５（ｂ）参照）。
して、第一金属層３３の所定位置に開口マスク４２を形
成する（図５（ｂ）参照）。
【００３４】次に、第一金属層３３の開口マスク４２に
レーザーを照射して穴開け加工を行い、絶縁基材３１及
び接着層３２に開口部３５を形成し、開口部３５の穴底
部で第二金属層３４を露出させる（図５（ｃ）参照）。
この第一金属層３３の開口マスク４２にレーザーを照射
して開口部３５を形成する方法では、レーザー加工条件
の設定がし易く、特に開口部３５の穴底部での終点制御
がし易い特徴がある。レーザーとしてはエキシマレーザ
ーが適している。
レーザーを照射して穴開け加工を行い、絶縁基材３１及
び接着層３２に開口部３５を形成し、開口部３５の穴底
部で第二金属層３４を露出させる（図５（ｃ）参照）。
この第一金属層３３の開口マスク４２にレーザーを照射
して開口部３５を形成する方法では、レーザー加工条件
の設定がし易く、特に開口部３５の穴底部での終点制御
がし易い特徴がある。レーザーとしてはエキシマレーザ
ーが適している。
【００３５】以下、上記と同様な工程で、金属層３６、
導体電極３７、導体層３８を形成し（図５（ｄ）〜
（ｅ）参照）、第一金属層３３及び導体層３８をパター
ニング処理して配線層３９を形成し、同時に第二金属層
１３をエッチングして除去する（図５（ｆ）参照）。次
に、接着層３２を溶剤等で剥離処理し、絶縁基材３１の
一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３６
を有する検査電極４１が形成された検査治具４００を得
ることができる（図５（ｇ）参照）。
導体電極３７、導体層３８を形成し（図５（ｄ）〜
（ｅ）参照）、第一金属層３３及び導体層３８をパター
ニング処理して配線層３９を形成し、同時に第二金属層
１３をエッチングして除去する（図５（ｆ）参照）。次
に、接着層３２を溶剤等で剥離処理し、絶縁基材３１の
一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３６
を有する検査電極４１が形成された検査治具４００を得
ることができる（図５（ｇ）参照）。
【００３６】以下実施例により本発明を詳細に説明す
る。 ＜実施例１＞まず、５０μｍ厚のポリイミドからなる絶
縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔を積層して第一金属
層１２及び第二金属層１３を形成した（図２（ａ）参
照）。
る。 ＜実施例１＞まず、５０μｍ厚のポリイミドからなる絶
縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔を積層して第一金属
層１２及び第二金属層１３を形成した（図２（ａ）参
照）。
【００３７】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友
重機械工業（製））を用いて、第一金属層１２にレーザ
ーを照射し、開口部１４を形成した（図２（ｂ）参
照）。加工条件は、1パルスのエネルギーが０．２ｍＪ
／ｃｍ2を５ショット、０．０３ｍＪ／ｃｍ2を５０ショ
ット照射した。
重機械工業（製））を用いて、第一金属層１２にレーザ
ーを照射し、開口部１４を形成した（図２（ｂ）参
照）。加工条件は、1パルスのエネルギーが０．２ｍＪ
／ｃｍ2を５ショット、０．０３ｍＪ／ｃｍ2を５０ショ
ット照射した。
【００３８】次に、第二金属層１３をめっき電極にし
て、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、電解金
めっきにて１〜２μｍ厚の金属層１５を形成した（図２
（ｃ）参照）。
て、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、電解金
めっきにて１〜２μｍ厚の金属層１５を形成した（図２
（ｃ）参照）。
【００３９】次に、第二金属層１３をめっき電極にして
開口部１４及び第二金属層１３上の金属層１５上に電解
銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属
層１２上に導体層１７を形成した（図２（ｄ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレー
ティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を
付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液
で電解めっきを施し導体電極１６を形成し、穴埋めめっ
きは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこ
とで導体電極１６内にボイドのないめっきを行うことが
できた。
開口部１４及び第二金属層１３上の金属層１５上に電解
銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属
層１２上に導体層１７を形成した（図２（ｄ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレー
ティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を
付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液
で電解めっきを施し導体電極１６を形成し、穴埋めめっ
きは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこ
とで導体電極１６内にボイドのないめっきを行うことが
できた。
【００４０】次に、導体層１７上に感光層を形成し、一
連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導
体層１７及び第一金属層１２をエッチング処理して第一
金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａからな
る配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッチ
ングして除去した（図２（ｅ）参照）。エッチング条件
は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、
エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2
であった。
連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導
体層１７及び第一金属層１２をエッチング処理して第一
金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａからな
る配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッチ
ングして除去した（図２（ｅ）参照）。エッチング条件
は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、
エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2
であった。
【００４１】次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層
１８上に５０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネ
ータによって貼り付け、レジスト層１９を形成した。さ
らに、絶縁基材１１を２０μｍの厚さになるまでエッチ
ングして２０μｍ厚の絶縁基材１１ａを形成し、金属層
１５及び導体電極の一部を露出させ、検査電極２１を形
成した（図２（ｆ）参照）。絶縁基材１１のエッチング
は７０℃の水酸化ナトリウム溶液（２００ｇ／Ｌ）をス
プレーして行った。
１８上に５０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネ
ータによって貼り付け、レジスト層１９を形成した。さ
らに、絶縁基材１１を２０μｍの厚さになるまでエッチ
ングして２０μｍ厚の絶縁基材１１ａを形成し、金属層
１５及び導体電極の一部を露出させ、検査電極２１を形
成した（図２（ｆ）参照）。絶縁基材１１のエッチング
は７０℃の水酸化ナトリウム溶液（２００ｇ／Ｌ）をス
プレーして行った。
【００４２】次に、水酸化ナトリウム１０％溶液にてレ
ジスト層１９を剥離処理して、２０μｍ厚の絶縁基材１
１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属
層１５を有する高さ３０μｍの検査電極２１が形成され
た本発明の検査治具１００を得た（図２（ｇ）参照）。
ジスト層１９を剥離処理して、２０μｍ厚の絶縁基材１
１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属
層１５を有する高さ３０μｍの検査電極２１が形成され
た本発明の検査治具１００を得た（図２（ｇ）参照）。
【００４３】＜実施例２＞まず、２５μｍ厚のポリイミ
ドからなる絶縁基材３１の一方の面に９μｍ厚の銅箔を
積層して第一金属層３３を、他方の面に３０μｍ厚のエ
ポキシ系の接着フィルムを貼り付けて接着層３２を形成
し、１２μｍ厚の銅箔を積層して第二金属層３４を形成
した（図３（ａ）参照）。
ドからなる絶縁基材３１の一方の面に９μｍ厚の銅箔を
積層して第一金属層３３を、他方の面に３０μｍ厚のエ
ポキシ系の接着フィルムを貼り付けて接着層３２を形成
し、１２μｍ厚の銅箔を積層して第二金属層３４を形成
した（図３（ａ）参照）。
【００４４】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友
重機械工業（製））を用いて、第一金属層３３にレーザ
ーを照射し、開口部３５を形成した（図３（ｂ）参
照）。加工条件は、1パルスのエネルギーが０．２ｍＪ
／ｃｍ2を５ショット、０．０３ｍＪ／ｃｍ2を５０ショ
ット照射した。
重機械工業（製））を用いて、第一金属層３３にレーザ
ーを照射し、開口部３５を形成した（図３（ｂ）参
照）。加工条件は、1パルスのエネルギーが０．２ｍＪ
／ｃｍ2を５ショット、０．０３ｍＪ／ｃｍ2を５０ショ
ット照射した。
【００４５】次に、開口部３５の穴底部の第二金属層３
４上に、エッチング液に耐性のある金を電解めっきし
て、１〜２μｍ厚の金属層３６を形成した（図３（ｃ）
参照）。
４上に、エッチング液に耐性のある金を電解めっきし
て、１〜２μｍ厚の金属層３６を形成した（図３（ｃ）
参照）。
【００４６】次に、第二金属層３４をめっき電極にして
開口部３５及び第二金属層３４上の金属層３６上に電解
銅めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属
層３３上に導体層３８を形成した（図３（ｄ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレー
ティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を
付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液
で電解めっきを施し導体電極３７を形成し、穴埋めめっ
きは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこ
とで導体電極３７内にボイドのないめっきを行うことが
できた。
開口部３５及び第二金属層３４上の金属層３６上に電解
銅めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属
層３３上に導体層３８を形成した（図３（ｄ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレー
ティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を
付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液
で電解めっきを施し導体電極３７を形成し、穴埋めめっ
きは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこ
とで導体電極３７内にボイドのないめっきを行うことが
できた。
【００４７】次に、導体層３８上に感光層を形成し、一
連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導
体層３８及び第一金属層３３をエッチング処理して第一
金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからな
る配線層３９を形成し、同時に第２金属層３４をエッチ
ングして除去した（図３（ｅ）参照）。エッチング条件
は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、
エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2
であった。
連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導
体層３８及び第一金属層３３をエッチング処理して第一
金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからな
る配線層３９を形成し、同時に第２金属層３４をエッチ
ングして除去した（図３（ｅ）参照）。エッチング条件
は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、
エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2
であった。
【００４８】次に、接着層３２をアセトン等の溶剤で溶
解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出さ
せて検査電極４１を形成し、２５μｍ厚の絶縁基材３１
の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３
６を有する高さ３０μｍの検査電極４１が形成された本
発明の検査治具２００を得ることができた（図３（ｆ）
参照）。
解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出さ
せて検査電極４１を形成し、２５μｍ厚の絶縁基材３１
の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３
６を有する高さ３０μｍの検査電極４１が形成された本
発明の検査治具２００を得ることができた（図３（ｆ）
参照）。
【００４９】＜実施例３＞まず、５０μｍ厚のポリイミ
ドからなる絶縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔を積層
して第一金属層１２及び第二金属層１３を形成した（図
４（ａ）参照）。
ドからなる絶縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔を積層
して第一金属層１２及び第二金属層１３を形成した（図
４（ａ）参照）。
【００５０】次に、第一金属層１２をパターニング処理
して、第一金属層１２の所定位置に開口マスク２２を形
成した（図４（ｂ）参照）。
して、第一金属層１２の所定位置に開口マスク２２を形
成した（図４（ｂ）参照）。
【００５１】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友
重機械工業（製））を用いて、第一金属層１２の開口マ
スク２２にレーザーを照射し、開口部１４を形成した
（図４（ｃ）参照）。加工条件は、１．５Ｊ／ｃｍ2で
あった。
重機械工業（製））を用いて、第一金属層１２の開口マ
スク２２にレーザーを照射し、開口部１４を形成した
（図４（ｃ）参照）。加工条件は、１．５Ｊ／ｃｍ2で
あった。
【００５２】次に、第二金属層１３をめっき電極にし
て、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、電解金
めっきにて１〜２μｍ厚の金属層１５を形成した（図４
（ｄ）参照）。
て、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、電解金
めっきにて１〜２μｍ厚の金属層１５を形成した（図４
（ｄ）参照）。
【００５３】次に、第二金属層１３をめっき電極にして
開口部１４及び第二金属層１３上の金属層１５上に電解
銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属
層１２上に導体層１７を形成した（図４（ｅ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレー
ティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を
付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液
で電解めっきを施し導体電極１６を形成し、穴埋めめっ
きは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこ
とで導体電極１６内にボイドのないめっきを行うことが
できた。
開口部１４及び第二金属層１３上の金属層１５上に電解
銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属
層１２上に導体層１７を形成した（図４（ｅ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレー
ティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を
付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液
で電解めっきを施し導体電極１６を形成し、穴埋めめっ
きは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこ
とで導体電極１６内にボイドのないめっきを行うことが
できた。
【００５４】次に、導体層１７上に感光層を形成し、一
連のフォトプロセスによりパターニング処理してレジス
トパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして
導体層１７及び第一金属層１２をエッチング処理して第
一金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａから
なる配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッ
チングして除去した（図４（ｆ）参照）。エッチング条
件は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行
い、エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃ
ｍ2であった。
連のフォトプロセスによりパターニング処理してレジス
トパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして
導体層１７及び第一金属層１２をエッチング処理して第
一金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａから
なる配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッ
チングして除去した（図４（ｆ）参照）。エッチング条
件は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行
い、エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃ
ｍ2であった。
【００５５】次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層
１８上に５０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネ
ータによって貼り付け、レジスト層１９を形成した。さ
らに、絶縁基材１１を２０μｍの厚さになるまでエッチ
ングして、金属層１５及び導体電極の一部を露出させ、
検査電極２１を形成した（図４（ｇ）参照）。絶縁基材
１１のエッチングは７０℃の水酸化ナトリウム溶液（２
００ｇ／Ｌ）をスプレーして行った。
１８上に５０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネ
ータによって貼り付け、レジスト層１９を形成した。さ
らに、絶縁基材１１を２０μｍの厚さになるまでエッチ
ングして、金属層１５及び導体電極の一部を露出させ、
検査電極２１を形成した（図４（ｇ）参照）。絶縁基材
１１のエッチングは７０℃の水酸化ナトリウム溶液（２
００ｇ／Ｌ）をスプレーして行った。
【００５６】次に、水酸化ナトリウム１０％溶液にてレ
ジスト層１９を剥離処理して、２０μｍ厚の絶縁基材１
１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属
層１５を有する高さ３０μｍの検査電極２１が形成され
た本発明の検査治具３００を得ることができた（図４
（ｈ）参照）。
ジスト層１９を剥離処理して、２０μｍ厚の絶縁基材１
１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属
層１５を有する高さ３０μｍの検査電極２１が形成され
た本発明の検査治具３００を得ることができた（図４
（ｈ）参照）。
【００５７】＜実施例４＞まず、２５μｍ厚のポリイミ
ドからなる絶縁基材３１の一方の面に９μｍ厚の銅箔を
積層して第一金属層３３を、他方の面に３０μｍ厚のエ
ポキシ系の接着フィルムを貼り付けて接着層３２を形成
し、さらに１２μｍ厚の銅箔を積層して第二金属層３４
を形成した（図５（ａ）参照）。
ドからなる絶縁基材３１の一方の面に９μｍ厚の銅箔を
積層して第一金属層３３を、他方の面に３０μｍ厚のエ
ポキシ系の接着フィルムを貼り付けて接着層３２を形成
し、さらに１２μｍ厚の銅箔を積層して第二金属層３４
を形成した（図５（ａ）参照）。
【００５８】次に、第一金属層３３をパターニング処理
して、第一金属層３３の所定位置に開口マスク４２を形
成した（図５（ｂ）参照）。
して、第一金属層３３の所定位置に開口マスク４２を形
成した（図５（ｂ）参照）。
【００５９】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友
重機械工業（製））を用いて、第一金属層３３の開口マ
スク４２よりレーザーを照射し、開口部３５を形成した
（図５（ｃ）参照）。加工条件は、１．５Ｊ／ｃｍ2で
あった。
重機械工業（製））を用いて、第一金属層３３の開口マ
スク４２よりレーザーを照射し、開口部３５を形成した
（図５（ｃ）参照）。加工条件は、１．５Ｊ／ｃｍ2で
あった。
【００６０】次に、開口部３５の穴底部の第二金属層３
４上に、エッチング液に耐性のある金を電解めっきし
て、１〜２μｍ厚の金属層３６を形成した（図５（ｄ）
参照）。
４上に、エッチング液に耐性のある金を電解めっきし
て、１〜２μｍ厚の金属層３６を形成した（図５（ｄ）
参照）。
【００６１】次に、第二金属層３４をめっき電極にして
開口部３５及び第二金属層３４の金属層３６上に電解銅
めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層
３３上に導体層３８を形成した（図５（ｅ）参照）。電
解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレーテ
ィングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を付
与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液で
電解めっきを施し導体電極３７を形成し、穴埋めめっき
は、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこと
で導体電極３７内にボイドのないめっきを行うことがで
きた。
開口部３５及び第二金属層３４の金属層３６上に電解銅
めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層
３３上に導体層３８を形成した（図５（ｅ）参照）。電
解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレーテ
ィングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を付
与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液で
電解めっきを施し導体電極３７を形成し、穴埋めめっき
は、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すこと
で導体電極３７内にボイドのないめっきを行うことがで
きた。
【００６２】次に、導体層３８上に感光層を形成し、一
連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導
体層３８及び第一金属層３３をエッチング処理して第一
金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからな
る配線層３９を形成し、同時に第２金属層３４をエッチ
ングして除去した（図５（ｆ）参照）。エッチング条件
は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、
エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2
であった。
連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジスト
パターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導
体層３８及び第一金属層３３をエッチング処理して第一
金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからな
る配線層３９を形成し、同時に第２金属層３４をエッチ
ングして除去した（図５（ｆ）参照）。エッチング条件
は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、
エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2
であった。
【００６３】次に、接着層３２をアセトン等の溶剤で溶
解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出さ
せ、検査電極４１を形成し、２５μｍ厚の絶縁基材３１
の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３
６を有する高さ３０μｍの検査電極４１が形成された本
発明の検査治具４００を得ることができた（図５（ｇ）
参照）。
解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出さ
せ、検査電極４１を形成し、２５μｍ厚の絶縁基材３１
の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３
６を有する高さ３０μｍの検査電極４１が形成された本
発明の検査治具４００を得ることができた（図５（ｇ）
参照）。
【００６４】
【発明の効果】本発明の請求項1記載の発明によれば、
検査治具の検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属
層が形成されているため、接触信頼性の高い正確な検査
を行うことができる。従って高密度な被検査体を検査す
ることができる。本発明の請求項２記載の発明によれ
ば、検査電極の高さ制御が正確にできるため、正確な検
査を行うことができる検査治具を製造可能である。ま
た、めっき時間も短縮することができ、高い製造効率で
検査治具を製造可能である。さらに、検査電極先端部を
細い径にすることが容易になり、しかも良好な接触が維
持でき、接触信頼性が高く、高密度な被検査体を検査す
ることができる検査治具を製造可能である。本発明の請
求項３記載の発明によれば、請求項２によって得られる
効果に加え、検査電極の突出量を安定させることが可能
であり、また簡易な工程で行うことができる。本発明の
請求項４記載の発明によれば、あらかじめ第一金属層に
開口マスクを設けて、開口マスクよりレーザーを照射し
て穴明け加工するため、レーザーによる開口部の加工を
より容易に、精度良く行うことができる。
検査治具の検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属
層が形成されているため、接触信頼性の高い正確な検査
を行うことができる。従って高密度な被検査体を検査す
ることができる。本発明の請求項２記載の発明によれ
ば、検査電極の高さ制御が正確にできるため、正確な検
査を行うことができる検査治具を製造可能である。ま
た、めっき時間も短縮することができ、高い製造効率で
検査治具を製造可能である。さらに、検査電極先端部を
細い径にすることが容易になり、しかも良好な接触が維
持でき、接触信頼性が高く、高密度な被検査体を検査す
ることができる検査治具を製造可能である。本発明の請
求項３記載の発明によれば、請求項２によって得られる
効果に加え、検査電極の突出量を安定させることが可能
であり、また簡易な工程で行うことができる。本発明の
請求項４記載の発明によれば、あらかじめ第一金属層に
開口マスクを設けて、開口マスクよりレーザーを照射し
て穴明け加工するため、レーザーによる開口部の加工を
より容易に、精度良く行うことができる。
【図１】（ａ）は、本発明の検査治具の一実施例を示す
検査治具１００の模式斜視図である。（ｂ）は、Ａ−
Ａ’線で切断した検査治具１００の模式構成断面図であ
る。
検査治具１００の模式斜視図である。（ｂ）は、Ａ−
Ａ’線で切断した検査治具１００の模式構成断面図であ
る。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具１００の
製造方法の一実施例を工程順に示す検査治具の模式構成
断面図である。
製造方法の一実施例を工程順に示す検査治具の模式構成
断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の検査治具２００の
製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構
成断面図である。
製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構
成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の検査治具３００の
製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構
成断面図である。
製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構
成断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具４００の
製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構
成断面図である。
製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構
成断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、従来の検査治具の製造方法
の一例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図であ
る。
の一例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図であ
る。
１１、１１ａ、３１……絶縁基材 １２、３３……第一金属層 １２ａ、３３ａ……第一金属パターン層 １３、３４……第二金属層 １４、３５……開口部 １５、３６……金属層 １６、３７……導体電極 １７、３８……導体層 １７ａ、３８ａ……導体パターン層 １８、３９……配線層 １９……レジスト層 ２１、４１……検査電極 ２２、４２……開口マスク ３２……接着層 １０１……金属基板 １０２……レジスト層 １０３……絶縁基材 １０４……クロム薄膜層 １０５……薄膜導体層 １０６……開口部 １０７……導体電極 １０８……導体層 １０８ａ……配線層 １０９……検査電極
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面
に前記絶縁基材を介して検査電極が形成されており、前
記検査電極の一端は配線層に接続され、前記検査電極の
他端の形状は先端に向かってしだいに細くなり、先端が
平面状となっている前記検査電極を有する検査治具にお
いて、 前記検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属層が形
成されていることを特徴とする検査治具。 - 【請求項２】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
とする請求項１記載の検査治具の製造方法。 （ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に
第二金属層を形成する工程。 （ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行
い、第一金属層及び絶縁基材の所定位置に開口部を形成
し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。 （ｃ）絶縁基材の開口部内の穴底部の第二金属層上に、
第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっ
きにより形成する工程。 （ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行
い、絶縁基材の開口部内に導体電極を、絶縁基材上に導
体層を形成する工程。 （ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配
線層を形成し、第二金属層を除去する工程。 （ｆ）絶縁基材の一方の面及び配線層上にレジスト層を
形成し、絶縁基材の他方の面をエッチングにて所定の厚
さ除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて検査
電極を形成する工程。 （ｇ）レジスト層を剥離し、絶縁基材の一方の面に配線
層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成
された検査治具を作製する工程。 - 【請求項３】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
とする請求項１記載の検査治具の製造方法。 （ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に
除去容易な接着層を介して第二金属層を形成する工程。 （ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行
い、第一金属層及び絶縁の所定位置に開口部を形成し、
開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。 （ｃ）絶縁基材の開口部内の第二金属層上に、第二金属
層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより
形成する工程。 （ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行
い、絶縁基材及び接着層の開口部内に導体電極を、第一
金属層上に導体層を形成する工程。 （ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配
線層を形成し、第二金属層を除去する工程。 （ｆ）前記接着層を除去し、金属層及び導体電極の一部
を露出させて、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の
面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治
具を作製する工程。 - 【請求項４】前記第一金属層側からレーザーにより前記
絶縁基材を穴開け加工する際、あらかじめ前記第一金属
層をパターニング処理して開口マスクを形成し、レーザ
ーを照射して穴開け加工することを特徴とする請求項２
または請求項３記載の検査治具の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000392238A JP4556327B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 検査治具の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000392238A JP4556327B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 検査治具の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002196018A true JP2002196018A (ja) | 2002-07-10 |
| JP4556327B2 JP4556327B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=18858257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000392238A Expired - Fee Related JP4556327B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 検査治具の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4556327B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006105933A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付きメンブレンおよびその製造方法およびウエハの検査方法 |
| WO2008123075A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Advantest Corporation | 貫通エッチング方法及びコンタクタ製造方法 |
| US7671609B2 (en) | 2004-04-27 | 2010-03-02 | Jsr Corporation | Sheet-like probe, method of producing the probe, and application of the probe |
| JP2013113849A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Gigalane Co Ltd | コンタクトフィルム、コンタクトフィルムの製造方法、プローブユニット及びｌｃｄパネル検査装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1098250A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 |
| JPH11295339A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具 |
-
2000
- 2000-12-25 JP JP2000392238A patent/JP4556327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1098250A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 |
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| US7737707B2 (en) | 2004-04-27 | 2010-06-15 | Jsr Corporation | Sheet-like probe, method of producing the probe, and application of the probe |
| JP2006105933A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付きメンブレンおよびその製造方法およびウエハの検査方法 |
| KR100989482B1 (ko) * | 2004-10-08 | 2010-10-22 | 파나소닉 주식회사 | 범프를 갖는 멤브레인, 그 제조 방법 및 전기 회로 검사방법 |
| WO2008123075A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Advantest Corporation | 貫通エッチング方法及びコンタクタ製造方法 |
| JP2013113849A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Gigalane Co Ltd | コンタクトフィルム、コンタクトフィルムの製造方法、プローブユニット及びｌｃｄパネル検査装置 |
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