JPH1098250A - 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 - Google Patents
検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法Info
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- JPH1098250A JPH1098250A JP8253390A JP25339096A JPH1098250A JP H1098250 A JPH1098250 A JP H1098250A JP 8253390 A JP8253390 A JP 8253390A JP 25339096 A JP25339096 A JP 25339096A JP H1098250 A JPH1098250 A JP H1098250A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】微細ピッチの検査に対応した検査電極及び形成
方法を改良した検査電極を有する配線回路基板及びその
形成方法を提供する。 【解決手段】配線回路に接続された検査電極であって、
該検査電極の形状が電極先端部に向かうほど表面積が小
さくなっており、且つ先端部が平坦になっていることを
特徴とする検査電極を有する配線回路基板である。その
形成法としては、ベース基板１１上の絶縁樹脂層１２に
開口部１３をレーザー加工により形成し、開口部１３に
導体電極１４を電解めっきにて形成し、導体電極１４上
に配線回路１８及び第３絶縁樹脂層１９を形成した後ベ
ース基板１１、絶縁樹脂層１２ａ及び導体薄膜層１５を
除去して検査電極２０及び配線回路基板４０を作製す
る。
方法を改良した検査電極を有する配線回路基板及びその
形成方法を提供する。 【解決手段】配線回路に接続された検査電極であって、
該検査電極の形状が電極先端部に向かうほど表面積が小
さくなっており、且つ先端部が平坦になっていることを
特徴とする検査電極を有する配線回路基板である。その
形成法としては、ベース基板１１上の絶縁樹脂層１２に
開口部１３をレーザー加工により形成し、開口部１３に
導体電極１４を電解めっきにて形成し、導体電極１４上
に配線回路１８及び第３絶縁樹脂層１９を形成した後ベ
ース基板１１、絶縁樹脂層１２ａ及び導体薄膜層１５を
除去して検査電極２０及び配線回路基板４０を作製す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や配線
回路基板の導通検査をするために用いられる検査治具基
板に関する。
回路基板の導通検査をするために用いられる検査治具基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置や配線回路基板の導通
検査には、ウェハプローブや布線検査で知られるように
被検査体の電極部に針状の検査電極を接触させ導通テス
トを行っていた。また、比較的配線密度の低い配線回路
基板では電極を有する検査用の配線回路基板を形成し、
異方性導電シートを介して被検査体である配線回路基板
との接触を採り、導通テストを行っている。
検査には、ウェハプローブや布線検査で知られるように
被検査体の電極部に針状の検査電極を接触させ導通テス
トを行っていた。また、比較的配線密度の低い配線回路
基板では電極を有する検査用の配線回路基板を形成し、
異方性導電シートを介して被検査体である配線回路基板
との接触を採り、導通テストを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェハプローブ
や布線検査による半導体装置や配線回路基板の導通検査
の方法では、針状の検査電極を接触させるため、被検査
体に検査痕を残し損傷を与える可能性がある。また、配
線密度の増加や高集積化によっては、検査用のプローブ
の形成が困難になってきた。検査基板を用いる方法で
は、異方性導電シートの導通ピッチの関係などから２０
０μｍピッチ程度の被検査体には対応できるが、それ以
上の微細ピッチの検査には対応することが出来ない。本
発明は上記問題を解決するためになされたもので、微細
ピッチの検査に対応した検査電極及び形成方法を改良し
た検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法を提
供する。
や布線検査による半導体装置や配線回路基板の導通検査
の方法では、針状の検査電極を接触させるため、被検査
体に検査痕を残し損傷を与える可能性がある。また、配
線密度の増加や高集積化によっては、検査用のプローブ
の形成が困難になってきた。検査基板を用いる方法で
は、異方性導電シートの導通ピッチの関係などから２０
０μｍピッチ程度の被検査体には対応できるが、それ以
上の微細ピッチの検査には対応することが出来ない。本
発明は上記問題を解決するためになされたもので、微細
ピッチの検査に対応した検査電極及び形成方法を改良し
た検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法を提
供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するため、請求項１においては、配線回路に接続
された検査電極であって、該検査電極の形状が電極先端
部に向かうほど表面積が小さくなっており、且つ先端部
が平坦になっていることを特徴とする検査電極を有する
配線回路基板としたものである。上記の構造を採ること
によって今まで対応することが出来なかった微細ピッチ
にも対応することができ、さらに電極先端部を平坦にし
たことで、検査時の被検査体への損傷を防止することが
できる。
を解決するため、請求項１においては、配線回路に接続
された検査電極であって、該検査電極の形状が電極先端
部に向かうほど表面積が小さくなっており、且つ先端部
が平坦になっていることを特徴とする検査電極を有する
配線回路基板としたものである。上記の構造を採ること
によって今まで対応することが出来なかった微細ピッチ
にも対応することができ、さらに電極先端部を平坦にし
たことで、検査時の被検査体への損傷を防止することが
できる。
【０００５】また、請求項２においては、下記の一連の
工程からなる検査電極を有する配線回路基板の形成方法
としたものである。 （ａ）ベース基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。 （ｂ）前記絶縁樹脂層に開口部を形成する工程。 （ｃ）前記開口部に導体電極を形成する工程。 （ｄ）前記導体電極及び前記絶縁樹脂層上に導体薄膜層
を形成する工程。 （ｅ）前記導体薄膜層上に第２絶縁樹脂層を形成する工
程。 （ｆ）前記第２絶縁樹脂層に配線パターン状に第２開口
部を形成する工程。 （ｇ）前記第２絶縁樹脂層の第２開口部に導体層を形成
し、配線回路を形成する工程。 （ｈ）前記配線回路及び前記第２絶縁樹脂層上に第３絶
縁樹脂層を形成する工程。 （ｉ）ベース基板及び絶縁樹脂層及び導体電極部以外の
導体薄膜層を除去し、検査電極及び配線回路基板を形成
する工程。 これらの工程によって微細ピッチで、電極先端部が平滑
な検査電極を有する配線回路基板を形成することができ
る。
工程からなる検査電極を有する配線回路基板の形成方法
としたものである。 （ａ）ベース基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。 （ｂ）前記絶縁樹脂層に開口部を形成する工程。 （ｃ）前記開口部に導体電極を形成する工程。 （ｄ）前記導体電極及び前記絶縁樹脂層上に導体薄膜層
を形成する工程。 （ｅ）前記導体薄膜層上に第２絶縁樹脂層を形成する工
程。 （ｆ）前記第２絶縁樹脂層に配線パターン状に第２開口
部を形成する工程。 （ｇ）前記第２絶縁樹脂層の第２開口部に導体層を形成
し、配線回路を形成する工程。 （ｈ）前記配線回路及び前記第２絶縁樹脂層上に第３絶
縁樹脂層を形成する工程。 （ｉ）ベース基板及び絶縁樹脂層及び導体電極部以外の
導体薄膜層を除去し、検査電極及び配線回路基板を形成
する工程。 これらの工程によって微細ピッチで、電極先端部が平滑
な検査電極を有する配線回路基板を形成することができ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の検査電極を有する配線回
路基板の構造は、ベース基板１１上に絶縁樹脂層１２を
形成し、開口部１３を形成する。次に開口部１３に導体
電極１４を形成する。さらに基板全面に導体薄膜層１５
及び第２絶縁樹脂層１６を形成する。第２絶縁樹脂層１
６に配線パターン状の第２開口部１７を形成する。さら
に第２開口部１７に導体層を形成し、配線回路１８を形
成する。配線回路１８及び第２絶縁樹脂層１６ａ上に第
３絶縁樹脂層１９を形成する。その後ベース基板１１及
び絶縁樹脂層１２ａ及び導体電極１４以外の導体薄膜層
１５を除去することで本発明の検査電極を有する配線回
路基板が得られる（図１参照）。以下、検査電極を有す
る配線回路基板及びその形成方法について述べる。
路基板の構造は、ベース基板１１上に絶縁樹脂層１２を
形成し、開口部１３を形成する。次に開口部１３に導体
電極１４を形成する。さらに基板全面に導体薄膜層１５
及び第２絶縁樹脂層１６を形成する。第２絶縁樹脂層１
６に配線パターン状の第２開口部１７を形成する。さら
に第２開口部１７に導体層を形成し、配線回路１８を形
成する。配線回路１８及び第２絶縁樹脂層１６ａ上に第
３絶縁樹脂層１９を形成する。その後ベース基板１１及
び絶縁樹脂層１２ａ及び導体電極１４以外の導体薄膜層
１５を除去することで本発明の検査電極を有する配線回
路基板が得られる（図１参照）。以下、検査電極を有す
る配線回路基板及びその形成方法について述べる。
【０００７】ベース基板１１は、導体電極１４を形成す
るためのめっき電極として使用するので、導電性を有
し、平滑性のある金属板が好ましく、具体的には、０．
２〜１．０ｍｍ厚の銅板や鉄・ニッケル合金板が使用で
きる。
るためのめっき電極として使用するので、導電性を有
し、平滑性のある金属板が好ましく、具体的には、０．
２〜１．０ｍｍ厚の銅板や鉄・ニッケル合金板が使用で
きる。
【０００８】次に、ベース基板１１上に絶縁樹脂層１２
を形成する（図１（ａ）参照）。絶縁樹脂層１２は絶縁
性を有する樹脂層であれば特に制限はなく、後工程の開
口部１３の形成方法によって選択する。開口部１３をフ
ォトリソグラフィー法を用いて形成する場合は、感光性
を有し、電極のピッチによって解像度の良いものを選択
する必要がある。また、この場合はドライフィルムレジ
ストを選択しても良い。厚みの均一なドライフィルムの
使用によって電極高さの制御が容易になる。
を形成する（図１（ａ）参照）。絶縁樹脂層１２は絶縁
性を有する樹脂層であれば特に制限はなく、後工程の開
口部１３の形成方法によって選択する。開口部１３をフ
ォトリソグラフィー法を用いて形成する場合は、感光性
を有し、電極のピッチによって解像度の良いものを選択
する必要がある。また、この場合はドライフィルムレジ
ストを選択しても良い。厚みの均一なドライフィルムの
使用によって電極高さの制御が容易になる。
【０００９】次に、絶縁樹脂層１２に開口部１３を形成
する（図１（ｂ）参照）。開口部１３の形成法としては
フォトリソグラフィー法、レーザー加工法等が使用で
き、開口部の開口径、形状制御性、加工精度等により適
宜選択することができるが微細加工性、形状制御性から
レーザー加工法が好ましい。レーザ加工の場合絶縁樹脂
層１２としては特に感光性を必要としないため、幅広い
材料の選択が可能である。レーザ加工には、エキシマレ
ーザ加工あるいは短パルスの炭酸ガスレーザ加工などが
使用できる。特にこれらに限定されるものではなく、有
機物質が除去できるものであれば良い。また、加工法は
開口部の加工精度（この場合は開口径）によって選択す
ることが望ましい。開口径が１００〜２００μｍの場合
には炭酸ガスレーザ加工が良いが、１００μｍ以下の場
合にはエキシマレーザ加工が適している。レーザ加工の
場合、光学系にマスクを入れることにより様々な形の開
口部を形成できるため、これによって電極形状を選択す
ることができる。
する（図１（ｂ）参照）。開口部１３の形成法としては
フォトリソグラフィー法、レーザー加工法等が使用で
き、開口部の開口径、形状制御性、加工精度等により適
宜選択することができるが微細加工性、形状制御性から
レーザー加工法が好ましい。レーザ加工の場合絶縁樹脂
層１２としては特に感光性を必要としないため、幅広い
材料の選択が可能である。レーザ加工には、エキシマレ
ーザ加工あるいは短パルスの炭酸ガスレーザ加工などが
使用できる。特にこれらに限定されるものではなく、有
機物質が除去できるものであれば良い。また、加工法は
開口部の加工精度（この場合は開口径）によって選択す
ることが望ましい。開口径が１００〜２００μｍの場合
には炭酸ガスレーザ加工が良いが、１００μｍ以下の場
合にはエキシマレーザ加工が適している。レーザ加工の
場合、光学系にマスクを入れることにより様々な形の開
口部を形成できるため、これによって電極形状を選択す
ることができる。
【００１０】次に、開口部１３に導体電極１４を形成す
る（図１（ｃ）参照）。導体電極１４の形成法としては
電解めっき法、無電解めっき法、導電ペーストを使った
印刷法または注入法があるが、導体電極１４の形状再現
性、配線回路基板との電気的導通信頼性等により適宜選
択して使い分けることができる。ここでは、形状再現性
及び導通信頼性に優れた電解めっき法にて導体電極１４
を形成する。さらに、検査電極の接触信頼性を向上させ
るために導体電極の先端に金めっき層２４を形成した電
極構造もある（図２（ｂ）参照）。
る（図１（ｃ）参照）。導体電極１４の形成法としては
電解めっき法、無電解めっき法、導電ペーストを使った
印刷法または注入法があるが、導体電極１４の形状再現
性、配線回路基板との電気的導通信頼性等により適宜選
択して使い分けることができる。ここでは、形状再現性
及び導通信頼性に優れた電解めっき法にて導体電極１４
を形成する。さらに、検査電極の接触信頼性を向上させ
るために導体電極の先端に金めっき層２４を形成した電
極構造もある（図２（ｂ）参照）。
【００１１】次に、基板表面に導体薄膜層１５を形成す
る（図１（ｄ）参照）。導体薄膜層１５の形成法として
は、スパッタ法、蒸着法、無電解めっき法及び電解めっ
き法等が使用できる。
る（図１（ｄ）参照）。導体薄膜層１５の形成法として
は、スパッタ法、蒸着法、無電解めっき法及び電解めっ
き法等が使用できる。
【００１２】次に、導体薄膜層１５上に配線回路を形成
するための第２絶縁樹脂層１６を形成する（図１（ｅ）
参照）。第２絶縁樹脂層１６は感光性の絶縁樹脂層か、
非感光性の絶縁樹脂層の２種類に大別され、後工程の加
工法によって適宜選択する。絶縁樹脂層の形成法として
は、熱硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を主成分
とする樹脂溶液または感光性樹脂溶液などをスクリーン
印刷、スピンコート、ロールコートするかあるいはドラ
イフィルムをラミネートすることにより形成される。
するための第２絶縁樹脂層１６を形成する（図１（ｅ）
参照）。第２絶縁樹脂層１６は感光性の絶縁樹脂層か、
非感光性の絶縁樹脂層の２種類に大別され、後工程の加
工法によって適宜選択する。絶縁樹脂層の形成法として
は、熱硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を主成分
とする樹脂溶液または感光性樹脂溶液などをスクリーン
印刷、スピンコート、ロールコートするかあるいはドラ
イフィルムをラミネートすることにより形成される。
【００１３】次に、第２絶縁樹脂層１６に配線パターン
状の第２開口部１７を形成する（図１（ｆ）参照）。第
２開口部１７の形成法としてはフォトリソグラフィー法
またはレーザ加工法等が適用できる。
状の第２開口部１７を形成する（図１（ｆ）参照）。第
２開口部１７の形成法としてはフォトリソグラフィー法
またはレーザ加工法等が適用できる。
【００１４】次に、第２開口部１７に、ベース基板を電
極として、電解めっきにより導体層を形成し、配線回路
１８を形成する（図１（ｇ）参照）。
極として、電解めっきにより導体層を形成し、配線回路
１８を形成する（図１（ｇ）参照）。
【００１５】次に、第３絶縁樹脂層１９を形成する（図
１（ｈ）参照）。第３絶縁樹脂層は前記絶縁樹脂層及び
第２絶縁樹脂層と同様のものを使用することができる
が、電極が被検査体と接触した時に被検査体の凹凸を吸
収するために、第３絶縁樹脂層１９に柔軟性を持たせる
ことが望ましい。具体的には、上記の樹脂にゴムフィラ
ーを入れることで改善が見られる。
１（ｈ）参照）。第３絶縁樹脂層は前記絶縁樹脂層及び
第２絶縁樹脂層と同様のものを使用することができる
が、電極が被検査体と接触した時に被検査体の凹凸を吸
収するために、第３絶縁樹脂層１９に柔軟性を持たせる
ことが望ましい。具体的には、上記の樹脂にゴムフィラ
ーを入れることで改善が見られる。
【００１６】次に、ベース基板１１をエッチングによっ
て除去する。さらに絶縁樹脂層１２ａを除去し、さら
に、導体電極１４と接触している部分１５ａ以外の導体
薄膜層１５をエッチングで除去して、検査電極２０及び
配線回路基板４０が形成される（図１（ｉ）参照）。こ
れらの工程によって、本発明の検査電極を有する配線回
路基板を形成することができる。
て除去する。さらに絶縁樹脂層１２ａを除去し、さら
に、導体電極１４と接触している部分１５ａ以外の導体
薄膜層１５をエッチングで除去して、検査電極２０及び
配線回路基板４０が形成される（図１（ｉ）参照）。こ
れらの工程によって、本発明の検査電極を有する配線回
路基板を形成することができる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例について図を用いて詳細に説明
する。 ＜実施例１＞ベース基板１１には、０．２ｍｍ厚の銅板
を用いる。ベース基板１１上にドライフィルム（ＤＦ
Ｒ：日立化成工業（株）製）をラミネートによって形成
し、加熱硬化して絶縁樹脂層１２を形成した（図１
（ａ）参照）。
する。 ＜実施例１＞ベース基板１１には、０．２ｍｍ厚の銅板
を用いる。ベース基板１１上にドライフィルム（ＤＦ
Ｒ：日立化成工業（株）製）をラミネートによって形成
し、加熱硬化して絶縁樹脂層１２を形成した（図１
（ａ）参照）。
【００１８】次に、絶縁樹脂層１２にエキシマレーザ加
工機を用いて５０μｍφの開口部１３を形成した（図１
（ｂ）参照）。エキシマレーザ加工の条件は、エネルギ
密度１．０Ｊ／ｃｍ2 であった。
工機を用いて５０μｍφの開口部１３を形成した（図１
（ｂ）参照）。エキシマレーザ加工の条件は、エネルギ
密度１．０Ｊ／ｃｍ2 であった。
【００１９】次に、開口部１３にベース基板１１をめっ
き電極にして電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫酸銅２
０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電流密度
２Ａ／ｄｍ2 ）を行い、導体電極１４を形成した（図１
（ｃ）参照）。
き電極にして電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫酸銅２
０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電流密度
２Ａ／ｄｍ2 ）を行い、導体電極１４を形成した（図１
（ｃ）参照）。
【００２０】次に、基板表面上にスパッタリングにより
銅をスパッタした後電解銅めっきして導体薄膜層１５を
形成した（図１（ｄ）参照）。銅スパッタ層は３０００
Å程度の膜厚で形成し、さらに電解銅めっきを行って、
１〜３μｍ厚の導体薄膜層１５を形成した。
銅をスパッタした後電解銅めっきして導体薄膜層１５を
形成した（図１（ｄ）参照）。銅スパッタ層は３０００
Å程度の膜厚で形成し、さらに電解銅めっきを行って、
１〜３μｍ厚の導体薄膜層１５を形成した。
【００２１】次に、導体薄膜層１５上に熱硬化型のエポ
キシ樹脂溶液をスクリーン印刷して塗膜を形成し、加熱
硬化して第２絶縁樹脂層１６を形成した（図１（ｅ）参
照）。
キシ樹脂溶液をスクリーン印刷して塗膜を形成し、加熱
硬化して第２絶縁樹脂層１６を形成した（図１（ｅ）参
照）。
【００２２】次に、第２絶縁樹脂層１６をエキシマレー
ザ加工にて配線パターン状に加工し、第２開口部１７を
形成した（図１（ｆ）参照）。
ザ加工にて配線パターン状に加工し、第２開口部１７を
形成した（図１（ｆ）参照）。
【００２３】次に、第２開口部１７にベース基板１１を
めっき電極にして、電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫
酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電
流密度２Ａ／ｄｍ2 ）を行い、配線回路１８を形成した
（図１（ｆ）参照）。配線回路１８を形成した後、配線
回路１８の表面を黒化（酸化）処理することで次に形成
する第３絶縁樹脂層１９との密着性を向上することがで
きる。
めっき電極にして、電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫
酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電
流密度２Ａ／ｄｍ2 ）を行い、配線回路１８を形成した
（図１（ｆ）参照）。配線回路１８を形成した後、配線
回路１８の表面を黒化（酸化）処理することで次に形成
する第３絶縁樹脂層１９との密着性を向上することがで
きる。
【００２４】次に、熱硬化型のエポキシ樹脂溶液ををス
クリーン印刷して塗膜を形成し、加熱硬化して、５０μ
ｍ厚の第３絶縁樹脂層１９を形成した（図１（ｇ）参
照）。
クリーン印刷して塗膜を形成し、加熱硬化して、５０μ
ｍ厚の第３絶縁樹脂層１９を形成した（図１（ｇ）参
照）。
【００２５】次に、ベース基板１１をエッチングによっ
て除去した後、絶縁樹脂層１２ａを所定の剥離液によっ
て剥離除去した。さらに、導体電極１４と接触している
部分１５ａ以外の導体薄膜層１５をエッチングで除去し
て、検査電極２０及び配線回路基板４０を作製した（図
１（ｉ）参照）。これらの工程によって本発明の検査電
極を有する配線基板を得ることができた。
て除去した後、絶縁樹脂層１２ａを所定の剥離液によっ
て剥離除去した。さらに、導体電極１４と接触している
部分１５ａ以外の導体薄膜層１５をエッチングで除去し
て、検査電極２０及び配線回路基板４０を作製した（図
１（ｉ）参照）。これらの工程によって本発明の検査電
極を有する配線基板を得ることができた。
【００２６】＜実施例２＞実施例１と同様の工程で、ベ
ース基板２１として０．２ｍｍ厚のＣｕ板を用い、ベー
ス基板２１上にめっきレジスト（ＰＭＥＲ：東京応化工
業( 株) 製）をスピンコートによってコーティングし、
絶縁樹脂層２２を形成した（図２（ａ）参照）。 次
に、エキシマレーザ加工機を用いて３０μｍφの開口部
２３を形成した。加工条件は実施例１と同様な工程で行
った。次に、開口部２３の底部に、ベース基板２１を電
極とし、電解金めっきによって１μｍの金めっき層２４
を形成した（図２（ｂ）参照）。
ース基板２１として０．２ｍｍ厚のＣｕ板を用い、ベー
ス基板２１上にめっきレジスト（ＰＭＥＲ：東京応化工
業( 株) 製）をスピンコートによってコーティングし、
絶縁樹脂層２２を形成した（図２（ａ）参照）。 次
に、エキシマレーザ加工機を用いて３０μｍφの開口部
２３を形成した。加工条件は実施例１と同様な工程で行
った。次に、開口部２３の底部に、ベース基板２１を電
極とし、電解金めっきによって１μｍの金めっき層２４
を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００２７】さらに、実施例１と同様な工程で、導体電
極２５、導体薄膜層２６、第２絶縁樹脂層２７を形成
し、第２絶縁樹脂層２７を配線パターン状に加工して第
２開口部２８を形成し、第２開口部に電解銅めっきによ
って配線回路２９を形成し、第３絶縁樹脂層３０を形成
した（図２（ｃ）〜図２（ｈ）参照）。
極２５、導体薄膜層２６、第２絶縁樹脂層２７を形成
し、第２絶縁樹脂層２７を配線パターン状に加工して第
２開口部２８を形成し、第２開口部に電解銅めっきによ
って配線回路２９を形成し、第３絶縁樹脂層３０を形成
した（図２（ｃ）〜図２（ｈ）参照）。
【００２８】最後に、実施例１と同様な工程で、ベース
基板２１をエッチングによって除去した後、絶縁樹脂層
２２ａを所定の剥離液によって剥離除去した。さらに、
導体電極２５と接触している部分２６ａ以外の導体薄膜
層２６をエッチングで除去して、導体電極２５の先端に
金めき層２４が形成された検査電極３１及び配線回路基
板５０を作製した（図２（ｉ）参照）。これらの工程に
よって、実施例２の検査電極を有する配線回路基板を得
ることができた。
基板２１をエッチングによって除去した後、絶縁樹脂層
２２ａを所定の剥離液によって剥離除去した。さらに、
導体電極２５と接触している部分２６ａ以外の導体薄膜
層２６をエッチングで除去して、導体電極２５の先端に
金めき層２４が形成された検査電極３１及び配線回路基
板５０を作製した（図２（ｉ）参照）。これらの工程に
よって、実施例２の検査電極を有する配線回路基板を得
ることができた。
【００２９】
【発明の効果】本発明の検査電極を有する配線回路基板
を用いることにより、被検査基板との接触時に被検査基
板を損傷させることなく導通をとることができる。ま
た、本発明の検査電極の形成法では検査電極高さにバラ
ツキがないため接触精度を上げることが可能である。基
板自体が被検査体の凹凸を吸収するため従来のように異
方性導電シートを必要としない。これによって微細ピッ
チの被検査体にも対応することが可能になる。また、電
極の形状も比較的自由に設定できるため、従来よりも基
板設計の自由度を向上することができる。
を用いることにより、被検査基板との接触時に被検査基
板を損傷させることなく導通をとることができる。ま
た、本発明の検査電極の形成法では検査電極高さにバラ
ツキがないため接触精度を上げることが可能である。基
板自体が被検査体の凹凸を吸収するため従来のように異
方性導電シートを必要としない。これによって微細ピッ
チの被検査体にも対応することが可能になる。また、電
極の形状も比較的自由に設定できるため、従来よりも基
板設計の自由度を向上することができる。
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、本発明の検査電極を有する
配線回路基板の実施例１の製造工程を示す部分断面図で
ある。
配線回路基板の実施例１の製造工程を示す部分断面図で
ある。
【図２】（ａ）〜（ｉ）は、本発明の検査電極を有する
配線回路基板の実施例２の製造工程を示す部分断面図で
ある。
配線回路基板の実施例２の製造工程を示す部分断面図で
ある。
１１、２１……ベース基板 １２、２２……絶縁樹脂層 １２ａ、２２ａ……開口部が形成された絶縁樹脂層 １３、２３……開口部 １４、２５……導体電極 １５、２６……導体薄膜層 １５ａ、２６ａ……エッチング処理された導体薄膜層 １６、２７……第２絶縁樹脂層 １６ａ、２７ａ……第２開口部が形成された第２絶縁樹
脂層 １７、２８……第２開口部 １８、２９……配線回路 １９、３０……第３絶縁樹脂層 ２０、３１……検査電極 ２４……金めっき層 ４０、５０……配線回路基板
脂層 １７、２８……第２開口部 １８、２９……配線回路 １９、３０……第３絶縁樹脂層 ２０、３１……検査電極 ２４……金めっき層 ４０、５０……配線回路基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/24 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】配線回路に接続された検査電極であって、
該検査電極の形状が電極先端部に向かうほど表面積が小
さくなっており、且つ前記電極先端部が平坦になってい
ることを特徴とする検査電極を有する配線回路基板。 - 【請求項２】下記の一連の工程からなる検査電極を有す
る配線回路基板の形成方法。 （ａ）ベース基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。 （ｂ）前記絶縁樹脂層に開口部を形成する工程。 （ｃ）前記開口部に導体電極を形成する工程。 （ｄ）前記導体電極及び前記絶縁樹脂層上に導体薄膜層
を形成する工程。 （ｅ）前記導体薄膜層上に第２絶縁樹脂層を形成する工
程。 （ｆ）前記第２絶縁樹脂層に配線パターン状に第２開口
部を形成する工程。 （ｇ）前記第２絶縁樹脂層の第２開口部に導体層を形成
し、配線回路を形成する工程。 （ｈ）前記配線回路及び前記第２絶縁樹脂層上に第３絶
縁樹脂層を形成する工程。 （ｉ）ベース基板及び絶縁樹脂層及び検査電極部以外の
導体薄膜層を除去し、検査電極及び配線回路基板を形成
する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25339096A JP3562166B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 検査電極を有する配線回路基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25339096A JP3562166B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 検査電極を有する配線回路基板の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098250A true JPH1098250A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3562166B2 JP3562166B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=17250712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25339096A Expired - Fee Related JP3562166B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 検査電極を有する配線回路基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3562166B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196018A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具及びその製造方法 |
| JP2005533263A (ja) * | 2002-07-15 | 2005-11-04 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 超小型電子ばね接触子の基準位置合わせ目標 |
| US8802454B1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-08-12 | Xilinx, Inc. | Methods of manufacturing a semiconductor structure |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP25339096A patent/JP3562166B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196018A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具及びその製造方法 |
| JP2005533263A (ja) * | 2002-07-15 | 2005-11-04 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 超小型電子ばね接触子の基準位置合わせ目標 |
| US8802454B1 (en) * | 2011-12-20 | 2014-08-12 | Xilinx, Inc. | Methods of manufacturing a semiconductor structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3562166B2 (ja) | 2004-09-08 |
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