JPH10197557A - 検査部材及びその製造方法 - Google Patents
検査部材及びその製造方法Info
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- JPH10197557A JPH10197557A JP9004763A JP476397A JPH10197557A JP H10197557 A JPH10197557 A JP H10197557A JP 9004763 A JP9004763 A JP 9004763A JP 476397 A JP476397 A JP 476397A JP H10197557 A JPH10197557 A JP H10197557A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被検査体の回路基板等のうねりや段差等があ
っても接触不良を起こさずに導通検査ができる検査部材
及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 金属基板（１）の片面に開口部（３）を
有する絶縁層（２）を形成し、開口部（３）より金属基
板（１）をエッチングして窪み（５）を形成し、窪み
（５）に２層の樹脂層（６、７）を形成し、金属基板
（１）をエッチング、除去して樹脂バンプ（１３）を形
成し、樹脂バンプ（１３）上に渦巻き状の導体層１５を
形成して検査電極を形成し、検査部材を得る。
っても接触不良を起こさずに導通検査ができる検査部材
及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 金属基板（１）の片面に開口部（３）を
有する絶縁層（２）を形成し、開口部（３）より金属基
板（１）をエッチングして窪み（５）を形成し、窪み
（５）に２層の樹脂層（６、７）を形成し、金属基板
（１）をエッチング、除去して樹脂バンプ（１３）を形
成し、樹脂バンプ（１３）上に渦巻き状の導体層１５を
形成して検査電極を形成し、検査部材を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ、ＶＬＳＩ、
ダイシング前の半導体素子が形成されたウェハなどの半
導体素子集合体、ＴＡＢ、半導体装置などの導通検査及
び半導体装置搭載用回路基板、ＬＣＤ用回路基板などの
配線回路の導通検査に使用される検査部材に関する。
ダイシング前の半導体素子が形成されたウェハなどの半
導体素子集合体、ＴＡＢ、半導体装置などの導通検査及
び半導体装置搭載用回路基板、ＬＣＤ用回路基板などの
配線回路の導通検査に使用される検査部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の検査部材は、図５に示すように、
絶縁フィルム３１の片面に配線パターン３２と絶縁層３
４が、もう一方の面に検査電極３３が設けられており、
配線パターン３２と検査電極３３はビアホール又はスル
ーホールにて電気的に接続された構造の検査部材が使用
されていた。
絶縁フィルム３１の片面に配線パターン３２と絶縁層３
４が、もう一方の面に検査電極３３が設けられており、
配線パターン３２と検査電極３３はビアホール又はスル
ーホールにて電気的に接続された構造の検査部材が使用
されていた。
【０００３】上記したような検査部材では、検査電極に
弾性が無いため、回路基板等のうねりや段差等にプロー
ブの先端が追従できず、接触不良を起こし、テストが不
可能になるといった問題があった。また、検査電極内部
を樹脂で構成し表面を金属で覆った構造の場合は、検査
電極表面が全て導体金属で覆われているため、弾性の効
果は少なく、やはり同様に、接触不良を起こし、テスト
が不可能になるといった問題があった。
弾性が無いため、回路基板等のうねりや段差等にプロー
ブの先端が追従できず、接触不良を起こし、テストが不
可能になるといった問題があった。また、検査電極内部
を樹脂で構成し表面を金属で覆った構造の場合は、検査
電極表面が全て導体金属で覆われているため、弾性の効
果は少なく、やはり同様に、接触不良を起こし、テスト
が不可能になるといった問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
を鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
被検査体の回路基板等のうねりや段差等があっても接触
不良を起こさずに導通検査ができる検査部材を提供する
ことにある。
を鑑みなされたものであり、その目的とするところは、
被検査体の回路基板等のうねりや段差等があっても接触
不良を起こさずに導通検査ができる検査部材を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、多層配線
板等の導通検査時に用いられる検査部材において、前記
検査部材の検査電極が樹脂バンプと該樹脂バンプ表面に
形成された渦巻き状の導体層とで形成されていることを
特徴とする検査部材としたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、多層配線
板等の導通検査時に用いられる検査部材において、前記
検査部材の検査電極が樹脂バンプと該樹脂バンプ表面に
形成された渦巻き状の導体層とで形成されていることを
特徴とする検査部材としたものである。
【０００６】また、請求項２においては、以下の工程を
備えることを特徴とする検査部材の製造方法としたもの
である。 （ａ）金属基板（１）の片面に開口部（３）を有する絶
縁層（２）を、もう一方の面にレジスト層（４）を形成
する工程。 （ｂ）絶縁層（２）の開口部（３）より金属基板（１）
をエッチングして窪み（５）を形成する工程。 （ｃ）金属基板（１）の窪み（５）に２種類の樹脂溶液
を埋め込み、２層の樹脂層（６、７）を形成する工程。 （ｄ）絶縁層（２）上に配線パターン（１０）及びビア
ホール（１１）を形成する工程。 （ｅ）絶縁層（２）及び配線パターン（１０）上にレジ
スト層（１２）を形成し、金属基板（１）のもう一方の
面のレジスト層（４）を剥離して金属基板（１）をエッ
チング、除去して、樹脂バンプ（１３）を形成する工
程。 （ｆ）樹脂バンプ（１３）上に渦巻き状の導体層（１
５）を形成する工程。
備えることを特徴とする検査部材の製造方法としたもの
である。 （ａ）金属基板（１）の片面に開口部（３）を有する絶
縁層（２）を、もう一方の面にレジスト層（４）を形成
する工程。 （ｂ）絶縁層（２）の開口部（３）より金属基板（１）
をエッチングして窪み（５）を形成する工程。 （ｃ）金属基板（１）の窪み（５）に２種類の樹脂溶液
を埋め込み、２層の樹脂層（６、７）を形成する工程。 （ｄ）絶縁層（２）上に配線パターン（１０）及びビア
ホール（１１）を形成する工程。 （ｅ）絶縁層（２）及び配線パターン（１０）上にレジ
スト層（１２）を形成し、金属基板（１）のもう一方の
面のレジスト層（４）を剥離して金属基板（１）をエッ
チング、除去して、樹脂バンプ（１３）を形成する工
程。 （ｆ）樹脂バンプ（１３）上に渦巻き状の導体層（１
５）を形成する工程。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明の検査部材は、検査部材の検査電極を樹
脂バンプと該樹脂バンプ表面に形成された渦巻き状の導
体層とで形成することにより、被検査体に検査部材の検
査電極を押し当てた場合、被検査体の回路基板等のうね
りや段差等があっても、樹脂バンプの弾性を利用して確
実な電気的導通がとれるようにしたものである。
明する。本発明の検査部材は、検査部材の検査電極を樹
脂バンプと該樹脂バンプ表面に形成された渦巻き状の導
体層とで形成することにより、被検査体に検査部材の検
査電極を押し当てた場合、被検査体の回路基板等のうね
りや段差等があっても、樹脂バンプの弾性を利用して確
実な電気的導通がとれるようにしたものである。
【０００８】まず、金属基板１の片面に樹脂溶液を塗布
し、加熱硬化して例えば厚さ５０μｍの絶縁層２を形成
する。さらに、金属基板１の反対の面に、感光性樹脂を
塗布し、加熱乾燥してレジスト層４を形成する。ここ
で、絶縁層２の材料としては、電気絶縁特性を有するも
ので、具体的には、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹
脂、ウレタン系樹脂、アミド系樹脂、ポリイミド系樹
脂、アクリロニトルーブタジエンースチレン共重合体樹
脂、ポリカボネート系樹脂、フッ素樹脂等の熱硬化性樹
脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。また、レジスト層
４に使用される感光性樹脂は公知のものが使用でき、後
工程の開口部３よりの金属エッチングに耐える耐酸性と
レジスト層の剥膜処理での剥膜容易性とを兼ね備えた感
光性樹脂を適宜選定すれば良い。
し、加熱硬化して例えば厚さ５０μｍの絶縁層２を形成
する。さらに、金属基板１の反対の面に、感光性樹脂を
塗布し、加熱乾燥してレジスト層４を形成する。ここ
で、絶縁層２の材料としては、電気絶縁特性を有するも
ので、具体的には、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹
脂、ウレタン系樹脂、アミド系樹脂、ポリイミド系樹
脂、アクリロニトルーブタジエンースチレン共重合体樹
脂、ポリカボネート系樹脂、フッ素樹脂等の熱硬化性樹
脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。また、レジスト層
４に使用される感光性樹脂は公知のものが使用でき、後
工程の開口部３よりの金属エッチングに耐える耐酸性と
レジスト層の剥膜処理での剥膜容易性とを兼ね備えた感
光性樹脂を適宜選定すれば良い。
【０００９】次に、エキシマレーザにより、バンプを形
成すべき位置の絶縁層２に開口部３を形成し、開口部３
より金属基板１ををエッチングして窪み５を形成する
（図２（ｂ）参照）。尚、窪み５の形成にあたって、工
程は増えるが、樹脂バンプ表面の渦巻き状の導体層の終
端が絶縁層２上に電極として形成される場合樹脂バンプ
と絶縁層の境界部分を図４に示すような２段形状の窪み
２５にして、渦巻き状の導体層と電極との接続信頼性を
向上させることもできる。
成すべき位置の絶縁層２に開口部３を形成し、開口部３
より金属基板１ををエッチングして窪み５を形成する
（図２（ｂ）参照）。尚、窪み５の形成にあたって、工
程は増えるが、樹脂バンプ表面の渦巻き状の導体層の終
端が絶縁層２上に電極として形成される場合樹脂バンプ
と絶縁層の境界部分を図４に示すような２段形状の窪み
２５にして、渦巻き状の導体層と電極との接続信頼性を
向上させることもできる。
【００１０】次に、窪み５にスクリーン印刷にて樹脂溶
液を埋め込み熱乾燥させて第１の樹脂層６を形成する
（図２（ｃ）参照）。さらに、窪み５の第１の樹脂層６
の上に樹脂層６よりも弾性率の高い樹脂溶液を再度スク
リーン印刷し、熱乾燥して第２の樹脂層７を形成し、窪
み５に２層の樹脂層を形成する（図２（ｄ）参照）。こ
こで、窪み５の樹脂層を２層構成にしたのは、一つは、
第２樹脂層の表面を平滑にするためと、渦巻き状導体層
の曲げに対する信頼性を確保するためである。さらに、
樹脂バンプ材料としては、ブタジエンゴム、シリコーン
ゴム、ウレタン系樹脂、イソプロピルゴム、フッ素ゴ
ム、発砲ポリエチレン等のゴム弾性を有するものが挙げ
られる。
液を埋め込み熱乾燥させて第１の樹脂層６を形成する
（図２（ｃ）参照）。さらに、窪み５の第１の樹脂層６
の上に樹脂層６よりも弾性率の高い樹脂溶液を再度スク
リーン印刷し、熱乾燥して第２の樹脂層７を形成し、窪
み５に２層の樹脂層を形成する（図２（ｄ）参照）。こ
こで、窪み５の樹脂層を２層構成にしたのは、一つは、
第２樹脂層の表面を平滑にするためと、渦巻き状導体層
の曲げに対する信頼性を確保するためである。さらに、
樹脂バンプ材料としては、ブタジエンゴム、シリコーン
ゴム、ウレタン系樹脂、イソプロピルゴム、フッ素ゴ
ム、発砲ポリエチレン等のゴム弾性を有するものが挙げ
られる。
【００１１】次に、樹脂バンプの渦巻き状の導体層電極
と配線パターンとの電気的導通をとるために、エキシマ
レーザにより、絶縁層２の所定位置にビアホール形成孔
８を形成する（図２（ｅ）参照）。
と配線パターンとの電気的導通をとるために、エキシマ
レーザにより、絶縁層２の所定位置にビアホール形成孔
８を形成する（図２（ｅ）参照）。
【００１２】次に、ビアホール形成孔８を形成した絶縁
層２側の基板表面に無電解銅めっきを行い、約０. ５μ
ｍの銅薄膜導体層を形成する。
層２側の基板表面に無電解銅めっきを行い、約０. ５μ
ｍの銅薄膜導体層を形成する。
【００１３】次に、銅薄膜導体層を形成した絶縁層２側
の基板表面に感光層を形成し、所定のパターンで露光、
現像処理して、レジストパターン９を形成する（図２
（ｆ）参照）。
の基板表面に感光層を形成し、所定のパターンで露光、
現像処理して、レジストパターン９を形成する（図２
（ｆ）参照）。
【００１４】次に、銅薄膜導体層をめっき電極にしてレ
ジストパターン９を除いた部分に電解めっきを行い、配
線パターン１０及びビアホール１１を形成する（図３
（ｇ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、配線パターンの
膜厚は約１０μｍであった。
ジストパターン９を除いた部分に電解めっきを行い、配
線パターン１０及びビアホール１１を形成する（図３
（ｇ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、配線パターンの
膜厚は約１０μｍであった。
【００１５】次に、専用の剥離液により、レジストパタ
ーン９及びレジスト層４を剥離し、レジストパターン９
の下部に形成されている銅薄膜導体層をエッチングする
ことにより、配線パターン１０及びビアホール１１が形
成されたことになる（図３（ｈ）参照）。
ーン９及びレジスト層４を剥離し、レジストパターン９
の下部に形成されている銅薄膜導体層をエッチングする
ことにより、配線パターン１０及びビアホール１１が形
成されたことになる（図３（ｈ）参照）。
【００１６】次に、配線パターン１０が形成された基板
全面にソルダレジスト１２を形成し、金属基板１を全て
エッチングして、金属基板１に埋め込まれていた樹脂バ
ンプ１３を生じせしめる（図３（ｉ）参照）。
全面にソルダレジスト１２を形成し、金属基板１を全て
エッチングして、金属基板１に埋め込まれていた樹脂バ
ンプ１３を生じせしめる（図３（ｉ）参照）。
【００１７】次に、樹脂バンプ１３と絶縁層上に無電解
銅めっきを行い、例えば約０. ５μｍの銅薄膜導体層を
形成する。さらに、銅薄膜導体層の上に感光性樹脂を塗
布し感光層を形成し、所定のパターンを露光、現像処理
して、１０μｍ厚のレジストパターン１４を形成する
（図３（ｊ）参照）。
銅めっきを行い、例えば約０. ５μｍの銅薄膜導体層を
形成する。さらに、銅薄膜導体層の上に感光性樹脂を塗
布し感光層を形成し、所定のパターンを露光、現像処理
して、１０μｍ厚のレジストパターン１４を形成する
（図３（ｊ）参照）。
【００１８】次に、銅薄膜導体層をめっき電極にしてレ
ジストパターン１４を除いた部分に電解めっきを行い、
渦巻き状の導体層１５及び電極１６を形成する（図３
（ｋ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、渦巻き状の導体
層１５の膜厚は約１０μｍであった。ここで、電極１６
はビアホール１１にて配線パターン１０に電気的に接続
される。
ジストパターン１４を除いた部分に電解めっきを行い、
渦巻き状の導体層１５及び電極１６を形成する（図３
（ｋ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、渦巻き状の導体
層１５の膜厚は約１０μｍであった。ここで、電極１６
はビアホール１１にて配線パターン１０に電気的に接続
される。
【００１９】次に、専用の剥離液により、レジストパタ
ーン１４を剥離した後レジストパターン１４の下部に形
成されている銅薄膜導体層をエッチングすることによ
り、樹脂バンプ１３上に渦巻き状の導体層１５及び電極
１６が形成され、本発明の検査部材が得られる（図３
（ｌ）参照）。
ーン１４を剥離した後レジストパターン１４の下部に形
成されている銅薄膜導体層をエッチングすることによ
り、樹脂バンプ１３上に渦巻き状の導体層１５及び電極
１６が形成され、本発明の検査部材が得られる（図３
（ｌ）参照）。
【００２０】本発明の検査部材によると、弾性率の低い
樹脂バンプ表面に渦巻き状の導体層を形成するので、ほ
ぼ樹脂に近いクッション性が得られ、回路基板等のうね
りや段差等があっても接触不良を起こさない導通検査を
行うことができる。
樹脂バンプ表面に渦巻き状の導体層を形成するので、ほ
ぼ樹脂に近いクッション性が得られ、回路基板等のうね
りや段差等があっても接触不良を起こさない導通検査を
行うことができる。
【００２１】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
図１（ａ）は本発明の一実施例に係わる検査部材の構成
を示す断面図である。図１（ｂ）は本発明の一実施例に
係わる検査部材の検査電極を示す正面図である。図１
（ｃ）は本発明の一実施例に係わる検査部材の検査電極
を示す平面図である。図２（ａ）〜（ｆ）は本発明の一
実施例に係わる検査部材の製造工程を示す断面図であ
る。図３（ｇ）〜（ｌ）は本発明の一実施例に係わる検
査部材の製造工程を示す断面図である。図４は本発明に
係わる検査部材の検査電極を形成する際の金属基板の窪
み形状の一実施例を示す断面図である。
図１（ａ）は本発明の一実施例に係わる検査部材の構成
を示す断面図である。図１（ｂ）は本発明の一実施例に
係わる検査部材の検査電極を示す正面図である。図１
（ｃ）は本発明の一実施例に係わる検査部材の検査電極
を示す平面図である。図２（ａ）〜（ｆ）は本発明の一
実施例に係わる検査部材の製造工程を示す断面図であ
る。図３（ｇ）〜（ｌ）は本発明の一実施例に係わる検
査部材の製造工程を示す断面図である。図４は本発明に
係わる検査部材の検査電極を形成する際の金属基板の窪
み形状の一実施例を示す断面図である。
【００２２】板厚０. ０７５ｍｍ厚のＣｕ合金からなる
金属基板１の片面にポリイミド樹脂溶液をロールコータ
ーで塗布し、加熱硬化して５０μｍ厚の絶縁層２を形成
した。さらに、金属基板のもう一方の面に感光性樹脂
（ＡＺ（商品名）：ヘキスト）を塗布し、加熱乾燥して
レジスト層４を形成した。次に、エキシマレーザ（ビー
ム強度３０ｍｊ、周波数５００Ｈｚ）により、バンプを
形成すべき位置の絶縁層２に４０μｍφの開口部３を形
成した（図２（ａ）参照）。
金属基板１の片面にポリイミド樹脂溶液をロールコータ
ーで塗布し、加熱硬化して５０μｍ厚の絶縁層２を形成
した。さらに、金属基板のもう一方の面に感光性樹脂
（ＡＺ（商品名）：ヘキスト）を塗布し、加熱乾燥して
レジスト層４を形成した。次に、エキシマレーザ（ビー
ム強度３０ｍｊ、周波数５００Ｈｚ）により、バンプを
形成すべき位置の絶縁層２に４０μｍφの開口部３を形
成した（図２（ａ）参照）。
【００２３】次に、開口部３より金属基板１をエッチン
グして、窪み５を形成した（図２（ｂ）参照）。
グして、窪み５を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００２４】次に、スクリーン印刷にてシリコーンゴム
溶液を窪み５に埋め込み熱乾燥させて第１の樹脂層６を
形成した（図２（ｃ）参照）。さらに、窪み５の第１の
樹脂層６の上にシリコン系樹脂溶液を再度スクリーン印
刷し、熱乾燥して第２の樹脂層７を形成した（図２
（ｄ）参照）。
溶液を窪み５に埋め込み熱乾燥させて第１の樹脂層６を
形成した（図２（ｃ）参照）。さらに、窪み５の第１の
樹脂層６の上にシリコン系樹脂溶液を再度スクリーン印
刷し、熱乾燥して第２の樹脂層７を形成した（図２
（ｄ）参照）。
【００２５】次に、樹脂バンプの渦巻き状の導体層電極
と配線パターンとの電気的導通をはかるために、エキシ
マレーザ（ビーム強度３０ｍｊ、周波数５００Ｈｚ）に
より、絶縁層２の所定位置にビアホール形成孔８を形成
した（図２（ｅ）参照）。
と配線パターンとの電気的導通をはかるために、エキシ
マレーザ（ビーム強度３０ｍｊ、周波数５００Ｈｚ）に
より、絶縁層２の所定位置にビアホール形成孔８を形成
した（図２（ｅ）参照）。
【００２６】次に、ビアホール形成孔８が形成された絶
縁層２側の基板表面に無電解銅めっきを行い、約０. ５
μｍの銅薄膜導体層を形成した。
縁層２側の基板表面に無電解銅めっきを行い、約０. ５
μｍの銅薄膜導体層を形成した。
【００２７】次に、銅薄膜導体層を形成した絶縁層２側
の基板表面に、感光性樹脂（ＡＺ（商品名）；ヘキス
ト）を塗布し、９０℃、３０分乾燥して１５μｍ厚の感
光層を形成した。さらに、感光層に所定のパターンを１
５０ｍｊ／ｃｍ2 の露光量で露光し、専用の現像液で現
像処理して、１００℃、３０分加熱してレジストパター
ン９を形成した（図２（ｆ）参照）。
の基板表面に、感光性樹脂（ＡＺ（商品名）；ヘキス
ト）を塗布し、９０℃、３０分乾燥して１５μｍ厚の感
光層を形成した。さらに、感光層に所定のパターンを１
５０ｍｊ／ｃｍ2 の露光量で露光し、専用の現像液で現
像処理して、１００℃、３０分加熱してレジストパター
ン９を形成した（図２（ｆ）参照）。
【００２８】次に、銅薄膜導体層をめっき電極にしてレ
ジストパターン９を除いた部分に電解めっきを行い、配
線パターン１０及びビアホール１１を形成した（図３
（ｇ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、配線パターンの
膜厚は約１０μｍであった。
ジストパターン９を除いた部分に電解めっきを行い、配
線パターン１０及びビアホール１１を形成した（図３
（ｇ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、配線パターンの
膜厚は約１０μｍであった。
【００２９】次に、専用の剥離液により、レジストパタ
ーン９及びレジスト層４を剥離し、レジストパターン９
の下部に形成されている銅薄膜導体層をエッチングする
ことにより、配線パターン１０及びビアホール１１を形
成した（図３（ｈ）参照）。
ーン９及びレジスト層４を剥離し、レジストパターン９
の下部に形成されている銅薄膜導体層をエッチングする
ことにより、配線パターン１０及びビアホール１１を形
成した（図３（ｈ）参照）。
【００３０】次に、配線パターン１０が形成された基板
側全面にソルダレジスト１２を形成し、金属基板１を全
てエッチングして、樹脂バンプ１３を形成した（図３
（ｉ）参照）。
側全面にソルダレジスト１２を形成し、金属基板１を全
てエッチングして、樹脂バンプ１３を形成した（図３
（ｉ）参照）。
【００３１】次に、樹脂バンプ１３が形成された基板側
全面に無電解銅めっきを行い、約０. ５μｍ厚の銅薄膜
導体層を形成した。さらに、銅薄膜導体層の上に感光性
樹脂を塗布し感光層を形成し、所定のパターンを露光、
現像処理して、１０μｍ厚のレジストパターン１４を形
成した（図３（ｊ）参照）。
全面に無電解銅めっきを行い、約０. ５μｍ厚の銅薄膜
導体層を形成した。さらに、銅薄膜導体層の上に感光性
樹脂を塗布し感光層を形成し、所定のパターンを露光、
現像処理して、１０μｍ厚のレジストパターン１４を形
成した（図３（ｊ）参照）。
【００３２】次に、銅薄膜導体層をめっき電極にしてレ
ジストパターン１４を除いた部分に電解めっきを行い、
渦巻き状の導体層１５及び電極１６を形成した（図３
（ｋ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、渦巻き状の導体
層１５及び電極１６の膜厚は約１０μｍであった。
ジストパターン１４を除いた部分に電解めっきを行い、
渦巻き状の導体層１５及び電極１６を形成した（図３
（ｋ）参照）。この時の電解めっき条件は、硫酸銅めっ
き浴にて電流密度５Ａ／ｄｍ2で行い、渦巻き状の導体
層１５及び電極１６の膜厚は約１０μｍであった。
【００３３】次に、専用の剥離液により、レジストパタ
ーン１４を剥離した後レジストパターン１４の下部に形
成されている銅薄膜導体層をエッチングすることによ
り、樹脂バンプ１３上に渦巻き状の導体層１５及び電極
１６が形成された（図３（ｌ）参照）。
ーン１４を剥離した後レジストパターン１４の下部に形
成されている銅薄膜導体層をエッチングすることによ
り、樹脂バンプ１３上に渦巻き状の導体層１５及び電極
１６が形成された（図３（ｌ）参照）。
【００３４】最後に、吹き上げ式めっき装置を用い、必
要な部分にニッケルめっきを５μｍ、金めっきを０. ５
μｍつけることで、本発明の検査部材が得られた。
要な部分にニッケルめっきを５μｍ、金めっきを０. ５
μｍつけることで、本発明の検査部材が得られた。
【００３５】
【発明の効果】上記したように、本発明に係わる検査部
材によると、弾性率の低い樹脂からなるバンプ表面に渦
状の電極を形成するので、電極がバネ構造となり、ほぼ
樹脂に近いクッション性が得られ、回路基板等のうねり
や段差等があっても接触不良を起こさない導通検査を行
うことができる。
材によると、弾性率の低い樹脂からなるバンプ表面に渦
状の電極を形成するので、電極がバネ構造となり、ほぼ
樹脂に近いクッション性が得られ、回路基板等のうねり
や段差等があっても接触不良を起こさない導通検査を行
うことができる。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例に係わる検査部材
の構成を示す断面図である。（ｂ）は、本発明の一実施
例に係わる検査部材の検査電極を示す正面図である。
（ｃ）は、本発明の一実施例に係わる検査部材の検査電
極を示す平面図である。
の構成を示す断面図である。（ｂ）は、本発明の一実施
例に係わる検査部材の検査電極を示す正面図である。
（ｃ）は、本発明の一実施例に係わる検査部材の検査電
極を示す平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例に係わる
検査部材の製造工程を示す断面図である。
検査部材の製造工程を示す断面図である。
【図３】（ｇ）〜（ｌ）は、本発明の一実施例に係わる
検査部材の製造工程を示す断面図である。
検査部材の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明に係わる検査部材の検査電極の樹脂バン
プを形成する際の金属基板の窪み形状の一実施例を示す
断面図である。
プを形成する際の金属基板の窪み形状の一実施例を示す
断面図である。
【図５】従来の検査部材の構成を示す断面図である。
１……金属基板 ２……絶縁層 ３……開口部 ４……レジスト層 ５……窪み ６……第１の樹脂層 ７……第２の樹脂層 ８……ビアホール形成孔 ９……レジストパターン １０……配線パターン １１……ビアホール １２……ソルダレジスト １３……樹脂バンプ １４……レジストパターン １５……渦巻き状の導体層 １６……電極 ２５……２段形状の窪み ３１……絶縁フィルム ３２……配線パターン ３３……検査電極 ３４……絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】多層配線板等の導通検査に用いられる検査
部材において、前記検査部材の検査電極が樹脂バンプと
該樹脂バンプ表面に形成された渦巻き状の導体層とで形
成されていることを特徴とする検査部材。 - 【請求項２】以下の工程を備えることを特徴とする請求
項１記載の検査部材の製造方法。 （ａ）金属基板（１）の片面に開口部（３）を有する絶
縁層（２）を、もう一方の面にレジスト層（４）を形成
する工程。 （ｂ）絶縁層（２）の開口部（３）より金属基板（１）
をエッチングして窪み（５）を形成する工程。 （ｃ）金属基板（１）の窪み（５）に２種類の樹脂溶液
を埋め込み、２層の樹脂層（６、７）を形成する工程。 （ｄ）絶縁層（２）上に配線パターン（１０）及びビア
ホール（１１）を形成する工程。 （ｅ）絶縁層（２）及び配線パターン（１０）上にレジ
スト層（１２）を形成し、金属基板（１）のもう一方の
面のレジスト層（４）を剥離して金属基板（１）をエッ
チング、除去して、樹脂バンプ（１３）を形成する工
程。 （ｆ）樹脂バンプ（１３）上に渦巻き状の導体層（１
５）を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9004763A JPH10197557A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 検査部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9004763A JPH10197557A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 検査部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197557A true JPH10197557A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11592924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9004763A Pending JPH10197557A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 検査部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10197557A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001056345A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Tokyo Electron Ltd | プロービングカード及びその製造方法 |
| JP2002175859A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-06-21 | Yukihiro Hirai | スパイラルコンタクタ、これを用いた半導体検査装置及び電子部品 |
| JP2003078075A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-03-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 電気接点を製造するための方法 |
| JP2003149293A (ja) * | 2000-09-26 | 2003-05-21 | Yukihiro Hirai | スパイラルコンタクタ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体検査装置、及び電子部品 |
| JP2005209419A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Advanced Systems Japan Inc | 電子部品用接続端子、コネクタおよびその製造方法 |
| WO2006101039A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Alps Electric Co., Ltd. | スパイラル接触子 |
| US7312533B2 (en) | 2000-03-31 | 2007-12-25 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible contacting pads and method for producing the electronic component |
| US7321169B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-01-22 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, mounting structure, electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
-
1997
- 1997-01-14 JP JP9004763A patent/JPH10197557A/ja active Pending
Cited By (10)
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| KR100932872B1 (ko) | 2005-03-23 | 2009-12-21 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 스파이럴 접촉자 |
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