JPH1064341A - 異方導電性フィルム及びその製造方法 - Google Patents
異方導電性フィルム及びその製造方法Info
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- JPH1064341A JPH1064341A JP21736996A JP21736996A JPH1064341A JP H1064341 A JPH1064341 A JP H1064341A JP 21736996 A JP21736996 A JP 21736996A JP 21736996 A JP21736996 A JP 21736996A JP H1064341 A JPH1064341 A JP H1064341A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁フィルムの貫通孔の断面形状を所定の形状
にすることにより電気的接続信頼性の高い構成の異方導
電性フィルム及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、絶縁
フィルム１に形成された貫通孔２の断面中央部の孔径
（２ａ）が、貫通孔表面の孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面
の孔径（２ｃ）よりも小さくなるようにしたことを特徴
とする異方導電性フィルムであり、絶縁フィルム１の両
面よりレーザー加工にて、貫通孔２の断面中央部の孔径
（２ａ）が貫通孔表面の孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面の
孔径（２ｃ）よりも小さくなるように前記貫通孔２を加
工してバンプ状の導通電極６を形成したことを特徴とす
る異方導電性フィルムの製造方法としたものである。
にすることにより電気的接続信頼性の高い構成の異方導
電性フィルム及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、絶縁
フィルム１に形成された貫通孔２の断面中央部の孔径
（２ａ）が、貫通孔表面の孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面
の孔径（２ｃ）よりも小さくなるようにしたことを特徴
とする異方導電性フィルムであり、絶縁フィルム１の両
面よりレーザー加工にて、貫通孔２の断面中央部の孔径
（２ａ）が貫通孔表面の孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面の
孔径（２ｃ）よりも小さくなるように前記貫通孔２を加
工してバンプ状の導通電極６を形成したことを特徴とす
る異方導電性フィルムの製造方法としたものである。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は、電子機器等に使用
される半導体装置並びに半導体装置搭載用の多層配線基
板の検査に用いられる異方導電性フィルムに関するもの
である。
される半導体装置並びに半導体装置搭載用の多層配線基
板の検査に用いられる異方導電性フィルムに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】異方導電性フィルムは多層配線基板の導
通検査時検査用の治具と被検査体である半導体装置並び
に半導体装置搭載用の多層配線基板との間に挟み込みこ
れらの電気的接触を確保するために用いられている。検
査用治具の電極部と検査体の電極部のみを接触するた
め、異方性が必要となる。従来の異方導電性フィルムの
一例を図４に示す。この構成の異方導電性フィルムは絶
縁フィルム３１に貫通孔を形成し、バンプ状の導通電極
３２を形成して異方導電性フィルムとしているのが一般
的である。
通検査時検査用の治具と被検査体である半導体装置並び
に半導体装置搭載用の多層配線基板との間に挟み込みこ
れらの電気的接触を確保するために用いられている。検
査用治具の電極部と検査体の電極部のみを接触するた
め、異方性が必要となる。従来の異方導電性フィルムの
一例を図４に示す。この構成の異方導電性フィルムは絶
縁フィルム３１に貫通孔を形成し、バンプ状の導通電極
３２を形成して異方導電性フィルムとしているのが一般
的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような異
方導電性フィルムは形成された導通電極と絶縁フィルム
との密着性が充分でなく、バンプ状の導通電極を形成す
る製造工程または異方導電性フィルムを検査用治具とし
て使用する検査工程で、一部の導通電極が外れてしま
い、不良が発生するという問題点があった。本発明は上
記のような問題点を解決するためになされたもので、絶
縁フィルムの貫通孔の断面形状を所定の形状にすること
により電気的接続信頼性の高い構成の異方導電性フィル
ム及びその製造方法を提供することを目的とする。
方導電性フィルムは形成された導通電極と絶縁フィルム
との密着性が充分でなく、バンプ状の導通電極を形成す
る製造工程または異方導電性フィルムを検査用治具とし
て使用する検査工程で、一部の導通電極が外れてしま
い、不良が発生するという問題点があった。本発明は上
記のような問題点を解決するためになされたもので、絶
縁フィルムの貫通孔の断面形状を所定の形状にすること
により電気的接続信頼性の高い構成の異方導電性フィル
ム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、絶縁フィ
ルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異
方導電性フィルムにおいて、該絶縁フィルムに形成され
た前記貫通孔の断面中央部の孔径（２ａ）が、貫通孔表
面孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面孔径（２ｃ）よりも小さ
くなっていることを特徴とする異方導電性フィルムとし
たものである。
を解決するために、まず請求項１においては、絶縁フィ
ルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異
方導電性フィルムにおいて、該絶縁フィルムに形成され
た前記貫通孔の断面中央部の孔径（２ａ）が、貫通孔表
面孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面孔径（２ｃ）よりも小さ
くなっていることを特徴とする異方導電性フィルムとし
たものである。
【０００５】また、請求項２においては、絶縁フィルム
の貫通孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導
電性フィルムにおいて、前記絶縁フィルムの両面よりレ
ーザービーム加工にて、前記貫通孔断面中央部の孔径
（２ａ）が貫通孔表面孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面孔径
（２ｃ）よりも小さくなるように貫通孔を形成して、前
記貫通孔にバンプ状の導通電極を形成したことを特徴と
する異方導電性フィルムの製造方法としたものである。
の貫通孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導
電性フィルムにおいて、前記絶縁フィルムの両面よりレ
ーザービーム加工にて、前記貫通孔断面中央部の孔径
（２ａ）が貫通孔表面孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面孔径
（２ｃ）よりも小さくなるように貫通孔を形成して、前
記貫通孔にバンプ状の導通電極を形成したことを特徴と
する異方導電性フィルムの製造方法としたものである。
【０００６】以上のように、絶縁フィルムの貫通孔を図
２（ｂ）に示すような形状にすることにより導通電極が
絶縁フィルムにしっかりと固定され、異方導電性フィル
ムとしての電気的接続信頼性が得られる。また、貫通孔
の加工についてはレーザービームを使用することにより
任意の加工形状が得られ、特に孔径３０μｍ前後の微細
な貫通孔の加工には有効である。
２（ｂ）に示すような形状にすることにより導通電極が
絶縁フィルムにしっかりと固定され、異方導電性フィル
ムとしての電気的接続信頼性が得られる。また、貫通孔
の加工についてはレーザービームを使用することにより
任意の加工形状が得られ、特に孔径３０μｍ前後の微細
な貫通孔の加工には有効である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて詳細に
説明する。図１は本発明の異方導電性フィルムの構成を
示す断面図であり、図２（ａ）〜（ｆ）、図３（ａ）〜
（ｇ）は本発明の異方導電性フィルムの一実例の製造工
程を示す断面図である。本発明の異方導電性フィルムの
基本構成は絶縁フィルム１に所定の形状を有する貫通孔
２を形成し、バンプ状の導通電極６を形成したものであ
る。
説明する。図１は本発明の異方導電性フィルムの構成を
示す断面図であり、図２（ａ）〜（ｆ）、図３（ａ）〜
（ｇ）は本発明の異方導電性フィルムの一実例の製造工
程を示す断面図である。本発明の異方導電性フィルムの
基本構成は絶縁フィルム１に所定の形状を有する貫通孔
２を形成し、バンプ状の導通電極６を形成したものであ
る。
【０００８】絶縁フィルム１は電気絶縁性を有するフィ
ルムであれば特に制限はなく、ポリエステル系、ポリイ
ミド系、ウレタン系、エポキシ系等のフィルムが使用で
きるが耐熱性、機械的強度、絶縁性等でポリイミドフィ
ルムが好適である。貫通孔２はレーザービームにより絶
縁フィルム１の両面から加工すると、貫通孔表面孔径２
ｂ、貫通孔裏面孔径２ｃ及び貫通孔断面中央部の孔径２
ａが容易に制御可能である。バンプ状の導通電極６は無
電解めっき、電解めっき、導電ペースト埋め込み法等が
利用できるが、導通電極の導電性、バンプ状の形状再現
性から無電解、電解めっき法が一般的である。
ルムであれば特に制限はなく、ポリエステル系、ポリイ
ミド系、ウレタン系、エポキシ系等のフィルムが使用で
きるが耐熱性、機械的強度、絶縁性等でポリイミドフィ
ルムが好適である。貫通孔２はレーザービームにより絶
縁フィルム１の両面から加工すると、貫通孔表面孔径２
ｂ、貫通孔裏面孔径２ｃ及び貫通孔断面中央部の孔径２
ａが容易に制御可能である。バンプ状の導通電極６は無
電解めっき、電解めっき、導電ペースト埋め込み法等が
利用できるが、導通電極の導電性、バンプ状の形状再現
性から無電解、電解めっき法が一般的である。
【０００９】以上述べたように、本発明の異方導電性フ
ィルムはバンプ状の導通電極が形成された絶縁フィルム
の貫通孔の形状に特徴を有し、貫通孔を図２（ｂ）に示
すように貫通孔断面中央部の孔径２ａが貫通孔表面孔径
２ｂ及び貫通孔裏面孔径２ｃよりも小さい鼓型の形状に
することにより、バンプ状の導通電極の形成法、電極形
状の如何を問わずかなり安定した状態で貫通孔に固定さ
れ、製造プロセス中または検査工程中にバンプ状の導通
電極が外れるようなことはない。
ィルムはバンプ状の導通電極が形成された絶縁フィルム
の貫通孔の形状に特徴を有し、貫通孔を図２（ｂ）に示
すように貫通孔断面中央部の孔径２ａが貫通孔表面孔径
２ｂ及び貫通孔裏面孔径２ｃよりも小さい鼓型の形状に
することにより、バンプ状の導通電極の形成法、電極形
状の如何を問わずかなり安定した状態で貫通孔に固定さ
れ、製造プロセス中または検査工程中にバンプ状の導通
電極が外れるようなことはない。
【００１０】
【実施例】以下、実施例について図面を参照しながら説
明する。図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ａ）〜（ｇ）に
本発明の異方導電性フィルムの一実施例の製造工程を示
す断面図である。
明する。図２（ａ）〜（ｆ）及び図３（ａ）〜（ｇ）に
本発明の異方導電性フィルムの一実施例の製造工程を示
す断面図である。
【００１１】＜実施例１＞絶縁フィルム１として厚さ２
５μｍのポリイミドフィルムを使用し（図２（ａ）参
照）、ＫｒＦエキシマレーザー加工機を用いて、縮小率
１／２．６のレンズを通して０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザ
ービームを絶縁フィルム１の表裏面より照射して、貫通
孔表面孔径２ｂ及び貫通孔裏面孔径２ｃが３０μｍφ、
貫通孔断面中央部の孔径２ａが２５μｍφの貫通孔２が
形成された絶縁フィルム１ａを作製した（図２（ｂ）参
照）。
５μｍのポリイミドフィルムを使用し（図２（ａ）参
照）、ＫｒＦエキシマレーザー加工機を用いて、縮小率
１／２．６のレンズを通して０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザ
ービームを絶縁フィルム１の表裏面より照射して、貫通
孔表面孔径２ｂ及び貫通孔裏面孔径２ｃが３０μｍφ、
貫通孔断面中央部の孔径２ａが２５μｍφの貫通孔２が
形成された絶縁フィルム１ａを作製した（図２（ｂ）参
照）。
【００１２】次に、ベース基板３として厚さ０．５ｍｍ
のステンレス製の金属板を用い、ベース基板３上にポジ
型の感光性レジストを塗布し、５０℃１０分間加熱乾燥
して感光性の中間層４を形成した。さらに、貫通孔２を
形成した絶縁フィルム１ａを感光性の中間層４上に貼り
付けた後１２０℃で加熱・圧着して、貼り合わせ基板７
を作製した（図２（ｃ）参照）。
のステンレス製の金属板を用い、ベース基板３上にポジ
型の感光性レジストを塗布し、５０℃１０分間加熱乾燥
して感光性の中間層４を形成した。さらに、貫通孔２を
形成した絶縁フィルム１ａを感光性の中間層４上に貼り
付けた後１２０℃で加熱・圧着して、貼り合わせ基板７
を作製した（図２（ｃ）参照）。
【００１３】次に、感光性の中間層４に絶縁フィルム１
の貫通孔２をマスクとして紫外線露光を行い、専用の現
像液（ＮＭＤ−３：東京応化工業（株）製）にてスプレ
ー現像処理し、１３０℃４５分間加熱乾燥して開口部５
が形成された中間層４ａを有する加工基板８を作製した
（図２（ｄ）参照）。
の貫通孔２をマスクとして紫外線露光を行い、専用の現
像液（ＮＭＤ−３：東京応化工業（株）製）にてスプレ
ー現像処理し、１３０℃４５分間加熱乾燥して開口部５
が形成された中間層４ａを有する加工基板８を作製した
（図２（ｄ）参照）。
【００１４】次に、貫通孔２及び中間層４ａの開口部５
に導通電極を形成するため加工基板８を１０容量％の硫
酸溶液に３０秒間浸せきし、酸処理を行いベース基板３
をめっき電極として電解銅めっき（（電解銅めっき浴：
硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）
（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、バンプ状の導通
電極６を形成した加工基板９を作製した（図２（ｅ）参
照）。
に導通電極を形成するため加工基板８を１０容量％の硫
酸溶液に３０秒間浸せきし、酸処理を行いベース基板３
をめっき電極として電解銅めっき（（電解銅めっき浴：
硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）
（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、バンプ状の導通
電極６を形成した加工基板９を作製した（図２（ｅ）参
照）。
【００１５】次に、加工基板９を５ｗｔ％の水酸化ナト
リウム溶液に浸せきし、中間層４ａを膨潤、溶解させ、
ベース基板３と絶縁フィルム１ａを剥離して、絶縁フィ
ルム１ａの貫通孔両側にバンプ状の導通電極６が形成さ
れた本発明の異方導電性フィルムを作製した（図１
（ｆ）参照）。
リウム溶液に浸せきし、中間層４ａを膨潤、溶解させ、
ベース基板３と絶縁フィルム１ａを剥離して、絶縁フィ
ルム１ａの貫通孔両側にバンプ状の導通電極６が形成さ
れた本発明の異方導電性フィルムを作製した（図１
（ｆ）参照）。
【００１６】＜実施例２＞絶縁フィルム１１として厚さ
２５μｍのポリイミドフィルムを使用し（図３（ａ）参
照）、ＫｒＦエキシマレーザー加工機を用いて、縮小率
１／２．６のレンズを通して０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザ
ービームを絶縁フィルム１１の片面より照射して、貫通
孔裏面孔径２ｃが３０μｍφの貫通孔１２を形成した絶
縁フィルム１１ａを作製した（図３（ｂ）参照）。
２５μｍのポリイミドフィルムを使用し（図３（ａ）参
照）、ＫｒＦエキシマレーザー加工機を用いて、縮小率
１／２．６のレンズを通して０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザ
ービームを絶縁フィルム１１の片面より照射して、貫通
孔裏面孔径２ｃが３０μｍφの貫通孔１２を形成した絶
縁フィルム１１ａを作製した（図３（ｂ）参照）。
【００１７】次に、ベース基板１３として厚さ０．５ｍ
ｍのステンレス製の金属板を用い、ベース基板１３上に
ポジ型の感光性レジストを塗布し、５０℃１０分間加熱
乾燥して感光性の中間層１４を形成した。さらに、貫通
孔１２を形成した絶縁フィルム１１ａを感光性の中間層
１４上に貼り付けた後１２０℃で加熱・圧着して貼り合
わせ基板２０を作製した（図３（ｃ）参照）。
ｍのステンレス製の金属板を用い、ベース基板１３上に
ポジ型の感光性レジストを塗布し、５０℃１０分間加熱
乾燥して感光性の中間層１４を形成した。さらに、貫通
孔１２を形成した絶縁フィルム１１ａを感光性の中間層
１４上に貼り付けた後１２０℃で加熱・圧着して貼り合
わせ基板２０を作製した（図３（ｃ）参照）。
【００１８】次に、貼り合わせ基板２０の絶縁フィルム
１１ａの表面側より貫通孔１２に位置合わせを行って、
ＫｒＦエキシマレーザー加工機を用いて、縮小率１／
２．６のレンズを通して０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザービ
ームを照射して、貫通孔表面孔径２ｂが３０μｍφ、貫
通孔断面中央部の孔径２ａが２１μｍφの貫通孔１５を
形成した絶縁フィルム１１ｂを有する加工基板２１を作
製した（図３（ｄ）参照）。ここで感光性の中間層１４
にもレーザービームで開口部１６が形成されるが、この
開口部１６は後工程で除去される箇所なので後工程から
見た場合何ら支障はない。
１１ａの表面側より貫通孔１２に位置合わせを行って、
ＫｒＦエキシマレーザー加工機を用いて、縮小率１／
２．６のレンズを通して０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザービ
ームを照射して、貫通孔表面孔径２ｂが３０μｍφ、貫
通孔断面中央部の孔径２ａが２１μｍφの貫通孔１５を
形成した絶縁フィルム１１ｂを有する加工基板２１を作
製した（図３（ｄ）参照）。ここで感光性の中間層１４
にもレーザービームで開口部１６が形成されるが、この
開口部１６は後工程で除去される箇所なので後工程から
見た場合何ら支障はない。
【００１９】次に、実施例１と同様の工程で感光性の中
間層１４ａに絶縁フィルム１１ｂの貫通孔１５をマスク
として紫外線露光を行い、専用の現像液（ＮＭＤ−３：
東京応化工業（株）製）にてスプレー現像処理し、１３
０℃４５分間加熱乾燥して開口部１７が形成された中間
層１４ｂを有する加工基板２２を作製した（図３（ｅ）
参照）。
間層１４ａに絶縁フィルム１１ｂの貫通孔１５をマスク
として紫外線露光を行い、専用の現像液（ＮＭＤ−３：
東京応化工業（株）製）にてスプレー現像処理し、１３
０℃４５分間加熱乾燥して開口部１７が形成された中間
層１４ｂを有する加工基板２２を作製した（図３（ｅ）
参照）。
【００２０】次に、実施例１と同様の工程で貫通孔１５
及び中間層１４ｂの開口部１７に導通電極を形成するた
め加工基板２２を１０容量％の硫酸溶液に３０秒間浸せ
きし、酸処理を行い、ベース基板１３をめっき電極とし
て電解銅めっき（（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／
ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）（電流密度：２
Ａ／ｄｍ2 ））を行い、バンプ状の導通電極１８を形成
した加工基板２３を作製した（図３（ｆ）参照）。
及び中間層１４ｂの開口部１７に導通電極を形成するた
め加工基板２２を１０容量％の硫酸溶液に３０秒間浸せ
きし、酸処理を行い、ベース基板１３をめっき電極とし
て電解銅めっき（（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／
ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）（電流密度：２
Ａ／ｄｍ2 ））を行い、バンプ状の導通電極１８を形成
した加工基板２３を作製した（図３（ｆ）参照）。
【００２１】次に、実施例１と同様の工程で加工基板２
３を５ｗｔ％の水酸化ナトリウム溶液に浸せきし、中間
層１４ｂを膨潤、溶解させ、ベース基板１３と絶縁フィ
ルム１１ｂを剥離して、絶縁フィルム１１ｂの貫通孔両
側にバンプ状の導通電極１８が形成された本発明の異方
導電性フィルムを作製した（図３（ｇ）参照）。
３を５ｗｔ％の水酸化ナトリウム溶液に浸せきし、中間
層１４ｂを膨潤、溶解させ、ベース基板１３と絶縁フィ
ルム１１ｂを剥離して、絶縁フィルム１１ｂの貫通孔両
側にバンプ状の導通電極１８が形成された本発明の異方
導電性フィルムを作製した（図３（ｇ）参照）。
【００２２】
【発明の効果】本発明による異方導電性フィルム及びそ
の製造方法によれば、貫通孔２の断面形状を図２（ｂ）
に示すように貫通孔断面中央部の孔径２ａが貫通孔表面
孔径２ｂ及び貫通孔裏面孔径２ｃよりも小さい鼓型の形
状にすることにより、貫通孔２に形成されたバンプ状の
導通電極は導通電極の形成法、電極形状の如何を問わず
かなり安定した状態で絶縁フィルム１ａの貫通孔２に固
定され、導電性フィルムの製造プロセス中または実際の
検査工程中にバンプ状の導通電極が外れるようなことは
ない。さらに、絶縁フィルムの貫通孔の形成をレーザー
ビームを使用して加工するため、貫通孔表面孔径２ｂ、
貫通孔裏面孔径２ｃ及び貫通孔断面中央部の孔径２ａの
形状設定が容易で、かつ形状再現性に優れており、バン
プ状の導通電極の絶縁フィルムの貫通孔への固定が安定
する。結果的に、当初目的とした電気的接続信頼性の高
い構成の異方導電性フィルムが作製できる。
の製造方法によれば、貫通孔２の断面形状を図２（ｂ）
に示すように貫通孔断面中央部の孔径２ａが貫通孔表面
孔径２ｂ及び貫通孔裏面孔径２ｃよりも小さい鼓型の形
状にすることにより、貫通孔２に形成されたバンプ状の
導通電極は導通電極の形成法、電極形状の如何を問わず
かなり安定した状態で絶縁フィルム１ａの貫通孔２に固
定され、導電性フィルムの製造プロセス中または実際の
検査工程中にバンプ状の導通電極が外れるようなことは
ない。さらに、絶縁フィルムの貫通孔の形成をレーザー
ビームを使用して加工するため、貫通孔表面孔径２ｂ、
貫通孔裏面孔径２ｃ及び貫通孔断面中央部の孔径２ａの
形状設定が容易で、かつ形状再現性に優れており、バン
プ状の導通電極の絶縁フィルムの貫通孔への固定が安定
する。結果的に、当初目的とした電気的接続信頼性の高
い構成の異方導電性フィルムが作製できる。
【図１】本発明の異方導電性フィルムの構成を示す断面
図である。
図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の異方導電性フィル
ムの一実施例の製造工程を示す断面図である。
ムの一実施例の製造工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の異方導電性フィル
ムの他の実施例の製造工程を示す断面図である。
ムの他の実施例の製造工程を示す断面図である。
【図４】従来の異方導電性フィルムの構成を示す断面図
である。
である。
１、１１……絶縁フィルム １ａ、１１ａ、１１ｂ、３１……貫通孔が形成された絶
縁フィルム ２、１２、１５……貫通孔 ２ａ……貫通孔断面中央部の孔径 ２ｂ……貫通孔表面孔径 ２ｃ……貫通孔裏面孔径 ３、１３……ベース基板 ４、１４……中間層 ４ａ、１４ａ、１４ｂ……開口部が形成された中間層 ５、１６、１７……中間層に形成された開口部 ６、１８、３２……バンプ状の導通電極 ７、２０……貼り合わせ基板 ８、９、２１、２２、２３……加工基板
縁フィルム ２、１２、１５……貫通孔 ２ａ……貫通孔断面中央部の孔径 ２ｂ……貫通孔表面孔径 ２ｃ……貫通孔裏面孔径 ３、１３……ベース基板 ４、１４……中間層 ４ａ、１４ａ、１４ｂ……開口部が形成された中間層 ５、１６、１７……中間層に形成された開口部 ６、１８、３２……バンプ状の導通電極 ７、２０……貼り合わせ基板 ８、９、２１、２２、２３……加工基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 かおる 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、該絶
縁フィルムに形成された前記貫通孔の断面中央部の孔径
（２ａ）が、貫通孔表面孔径（２ｂ）及び貫通孔裏面孔
径（２ｃ）よりも小さくなっていることを特徴とする異
方導電性フィルム。 - 【請求項２】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、前記
絶縁フィルムの両面よりレーザービーム加工にて、前記
貫通孔の断面中央部（２ａ）が貫通孔表面孔径（２ｂ）
及び貫通孔裏面孔径（２ｃ）よりも小さくなるように貫
通孔を形成して、前記貫通孔にバンプ状の導通電極を形
成したことを特徴とする異方導電性フィルムの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21736996A JPH1064341A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 異方導電性フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21736996A JPH1064341A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 異方導電性フィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064341A true JPH1064341A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16703102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21736996A Pending JPH1064341A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 異方導電性フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064341A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003015155A1 (fr) * | 2001-08-07 | 2003-02-20 | Shinozaki Manufacturing Co., Ltd. | Procede de fabrication d'une feuille de film mince a bossages et feuille de film mince a bossages |
| JP2006352171A (ja) * | 1998-12-16 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| US7514045B2 (en) | 2002-01-18 | 2009-04-07 | Avery Dennison Corporation | Covered microchamber structures |
| JP2011018654A (ja) * | 2000-08-24 | 2011-01-27 | High Connection Density Inc | ランド・グリッド・アレイ・コネクタのためのキャリア |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP21736996A patent/JPH1064341A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352171A (ja) * | 1998-12-16 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP4497147B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2010-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP2011018654A (ja) * | 2000-08-24 | 2011-01-27 | High Connection Density Inc | ランド・グリッド・アレイ・コネクタのためのキャリア |
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