JPH09219230A - 異方導電性フィルム及びその製造方法 - Google Patents
異方導電性フィルム及びその製造方法Info
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- JPH09219230A JPH09219230A JP2630796A JP2630796A JPH09219230A JP H09219230 A JPH09219230 A JP H09219230A JP 2630796 A JP2630796 A JP 2630796A JP 2630796 A JP2630796 A JP 2630796A JP H09219230 A JPH09219230 A JP H09219230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁フイルムの貫通孔両側に形成されたバンプ
状の導通電極の形状（大きさ及び高さ）のバラツキが少
なく、いずれか一方の電極の先端形状がフラットな面を
有する異方導電性フィルム及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】金属板上に中間層、絶縁フィルムを貼り合
わせる工程、前記金属板上の絶縁フィルム及び中間層に
レーザ加工にて貫通孔を形成する工程、前記中間層の貫
通孔を前記絶縁フィルムの貫通孔より大きくする工程、
前記絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極を
形成する工程、前記中間層を膨潤・溶解して、バンプ状
の導通電極を形成した絶縁フィルムと金属板とを剥離す
る工程を備えた一連の工程で異方導電性フィルムを製造
する。ここで、中間層には感光性の樹脂を使用する。
状の導通電極の形状（大きさ及び高さ）のバラツキが少
なく、いずれか一方の電極の先端形状がフラットな面を
有する異方導電性フィルム及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】金属板上に中間層、絶縁フィルムを貼り合
わせる工程、前記金属板上の絶縁フィルム及び中間層に
レーザ加工にて貫通孔を形成する工程、前記中間層の貫
通孔を前記絶縁フィルムの貫通孔より大きくする工程、
前記絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極を
形成する工程、前記中間層を膨潤・溶解して、バンプ状
の導通電極を形成した絶縁フィルムと金属板とを剥離す
る工程を備えた一連の工程で異方導電性フィルムを製造
する。ここで、中間層には感光性の樹脂を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置ならび
に半導体装置搭載用の配線回路基板の検査に用いられる
異方導電性フィルム及びその製造方法に関するものであ
る。異方導電性フィルムは配線基板の導通検査時に検査
用の治具と被検査体である半導体装置ならびに半導体装
置搭載用の配線回路基板との間に挟み込みこれらの電気
的接触を確保するために用いられている。検査用治具の
電極部と被検査体の電極部のみを接触するため異方性が
必要となる。
に半導体装置搭載用の配線回路基板の検査に用いられる
異方導電性フィルム及びその製造方法に関するものであ
る。異方導電性フィルムは配線基板の導通検査時に検査
用の治具と被検査体である半導体装置ならびに半導体装
置搭載用の配線回路基板との間に挟み込みこれらの電気
的接触を確保するために用いられている。検査用治具の
電極部と被検査体の電極部のみを接触するため異方性が
必要となる。
【０００２】
【従来技術】従来の異方導電性フィルムは図３に示すよ
うな工程で製造されている。アルカリ性エッチング液に
よって腐食可能な金属板２１上に絶縁フイルム２２を貼
り合わせる（図３（ａ）参照）。次に、絶縁フィルムに
レーザ加工、あるいはエッチングにて貫通孔２３を形成
する（図３（ｂ）参照）。次に、貫通孔２３の絶縁フィ
ルムをマスクレジストにして金属板２１を化学腐食し
て、金属板２１に窪み２４を形成する（図３（ｃ）参
照）。次に、電解めっきにより金属板の窪み、絶縁フイ
ルムの貫通孔部にバンプ状の導通電極２５を形成する。
ここで、バンプ状の導通電極はアルカリに対して耐性の
ある金属を使用する（図３（ｄ）参照）。最後に、アル
カリ性の腐食液で支持基板である金属板２１ａを腐食、
除去して、異方導電性フィルムが作製される（図３
（ｅ）参照）。
うな工程で製造されている。アルカリ性エッチング液に
よって腐食可能な金属板２１上に絶縁フイルム２２を貼
り合わせる（図３（ａ）参照）。次に、絶縁フィルムに
レーザ加工、あるいはエッチングにて貫通孔２３を形成
する（図３（ｂ）参照）。次に、貫通孔２３の絶縁フィ
ルムをマスクレジストにして金属板２１を化学腐食し
て、金属板２１に窪み２４を形成する（図３（ｃ）参
照）。次に、電解めっきにより金属板の窪み、絶縁フイ
ルムの貫通孔部にバンプ状の導通電極２５を形成する。
ここで、バンプ状の導通電極はアルカリに対して耐性の
ある金属を使用する（図３（ｄ）参照）。最後に、アル
カリ性の腐食液で支持基板である金属板２１ａを腐食、
除去して、異方導電性フィルムが作製される（図３
（ｅ）参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の異方導電性フィ
ルムの製造方法では、バンプ状の導通下部電極２５ｂは
金属板２１をエッチングして窪み２４を形成して、電解
めっきにて作製されるので、バンプ状の導通下部電極２
５ｂの形状は窪み２４を形成するエッチングの条件によ
って、大きさや深さにバラツキが発生し、電極形成時の
バンプ状の導通電極形状のバラツキとなるため、検査用
治具の電極部と被検査体の電極部のコンタクト時に接触
不良が発生するという不具合があった。また、バンプ状
の導通電極が形成された絶縁フイルムと金属板を分離す
るために、アルカリ性エッチング液を用いるためバンプ
状の導通電極を形成する電極材としては耐アルカリ性の
ものに限定されてしまうという問題があった。本発明は
上記のような問題点を解決するためになされたもので、
絶縁フイルムの両面に形成されたバンプ状の導通電極の
形状（大きさ及び高さ）のバラツキの少ない異方導電性
フィルム及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
ルムの製造方法では、バンプ状の導通下部電極２５ｂは
金属板２１をエッチングして窪み２４を形成して、電解
めっきにて作製されるので、バンプ状の導通下部電極２
５ｂの形状は窪み２４を形成するエッチングの条件によ
って、大きさや深さにバラツキが発生し、電極形成時の
バンプ状の導通電極形状のバラツキとなるため、検査用
治具の電極部と被検査体の電極部のコンタクト時に接触
不良が発生するという不具合があった。また、バンプ状
の導通電極が形成された絶縁フイルムと金属板を分離す
るために、アルカリ性エッチング液を用いるためバンプ
状の導通電極を形成する電極材としては耐アルカリ性の
ものに限定されてしまうという問題があった。本発明は
上記のような問題点を解決するためになされたもので、
絶縁フイルムの両面に形成されたバンプ状の導通電極の
形状（大きさ及び高さ）のバラツキの少ない異方導電性
フィルム及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、請求項１では、絶縁フィルムの貫通
孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導電性フ
ィルムにおいて、バンプ状の導通電極のいずれか一方の
電極先端形状がフラットな面になっていることを特徴と
する異方導電性フィルムとしたものである。
を達成するために、請求項１では、絶縁フィルムの貫通
孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導電性フ
ィルムにおいて、バンプ状の導通電極のいずれか一方の
電極先端形状がフラットな面になっていることを特徴と
する異方導電性フィルムとしたものである。
【０００５】また、請求項２では、絶縁フィルムの貫通
孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導電性フ
ィルムにおいて、（ａ）金属板上に中間層、絶縁フィル
ムを貼り合わせる工程、（ｂ）前記金属板上の絶縁フィ
ルム及び中間層にレーザ加工にて貫通孔を形成する工
程、（ｃ）前記中間層の貫通孔を前記絶縁フィルムの貫
通孔より大きくする工程、（ｄ）前記絶縁フィルムの貫
通孔両側にバンプ状の導通電極を形成する工程、（ｅ）
前記中間層を膨潤・溶解して、バンプ状の導通電極を形
成した絶縁フィルムと金属板とを剥離する工程、を備え
た一連の工程で異方導電性フィルムを製造するようにし
たものである。
孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導電性フ
ィルムにおいて、（ａ）金属板上に中間層、絶縁フィル
ムを貼り合わせる工程、（ｂ）前記金属板上の絶縁フィ
ルム及び中間層にレーザ加工にて貫通孔を形成する工
程、（ｃ）前記中間層の貫通孔を前記絶縁フィルムの貫
通孔より大きくする工程、（ｄ）前記絶縁フィルムの貫
通孔両側にバンプ状の導通電極を形成する工程、（ｅ）
前記中間層を膨潤・溶解して、バンプ状の導通電極を形
成した絶縁フィルムと金属板とを剥離する工程、を備え
た一連の工程で異方導電性フィルムを製造するようにし
たものである。
【０００６】また、請求項３では、絶縁フィルムの貫通
孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導電性フ
ィルムにおいて、（Ａ）絶縁フイルムにレーザ加工にて
貫通孔を形成する工程、（Ｂ）金属板上に中間層を形成
し、前記貫通孔を形成した絶縁フィルムを貼り合わせる
工程、（Ｃ）前記中間層に絶縁フィルムの貫通孔よりも
大きい貫通孔を形成する工程、（Ｄ）前記絶縁フィルム
の貫通孔両側にバンプ状の導通電極を形成する工程、
（Ｅ）前記中間層を膨潤・溶解して、バンプ状の導通電
極を形成した絶縁フィルムと金属板とを剥離する工程、
を備えた一連の工程で異方導電性フィルムを製造するよ
うにしたものである。
孔両側にバンプ状の導通電極が形成された異方導電性フ
ィルムにおいて、（Ａ）絶縁フイルムにレーザ加工にて
貫通孔を形成する工程、（Ｂ）金属板上に中間層を形成
し、前記貫通孔を形成した絶縁フィルムを貼り合わせる
工程、（Ｃ）前記中間層に絶縁フィルムの貫通孔よりも
大きい貫通孔を形成する工程、（Ｄ）前記絶縁フィルム
の貫通孔両側にバンプ状の導通電極を形成する工程、
（Ｅ）前記中間層を膨潤・溶解して、バンプ状の導通電
極を形成した絶縁フィルムと金属板とを剥離する工程、
を備えた一連の工程で異方導電性フィルムを製造するよ
うにしたものである。
【０００７】さらにまた、請求項４では、絶縁フィルム
と金属板とを貼り合わせている中間層に感光性樹脂を使
用するようにしたものである。
と金属板とを貼り合わせている中間層に感光性樹脂を使
用するようにしたものである。
【０００８】以上のように、エッチング工程を必要とせ
ず、異方導電性フイルムを作製することができる。また
本発明の異方導電性フイルムのバンプ状の導通下部電極
は中間層の貫通孔にて形成されるので、バンプ状の導通
下部電極の高さは中間層の厚みで制御することができ、
且つ電極先端の形状をフラットな面にすることができ
る。このため電極の高さにバラツキがなく検査用治具の
電極部と被検査体の電極部のコンタクト時に接触不良が
発生するという不具合を解消することができる。また、
めっき電極として用いる金属板の除去にエッチングを用
いていないため、製造効率の向上につながり、また電極
の材料選択の幅が広がり、コスト低減にもつながる。さ
らにまた、電極形成部の貫通孔の形成にレーザ加工を用
いているため微細で狭ピッチの電極形成が可能である。
ず、異方導電性フイルムを作製することができる。また
本発明の異方導電性フイルムのバンプ状の導通下部電極
は中間層の貫通孔にて形成されるので、バンプ状の導通
下部電極の高さは中間層の厚みで制御することができ、
且つ電極先端の形状をフラットな面にすることができ
る。このため電極の高さにバラツキがなく検査用治具の
電極部と被検査体の電極部のコンタクト時に接触不良が
発生するという不具合を解消することができる。また、
めっき電極として用いる金属板の除去にエッチングを用
いていないため、製造効率の向上につながり、また電極
の材料選択の幅が広がり、コスト低減にもつながる。さ
らにまた、電極形成部の貫通孔の形成にレーザ加工を用
いているため微細で狭ピッチの電極形成が可能である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による異方導電性フイルム
及びその製造方法について、図面を用いて詳細に説明す
る（図１（ａ）〜（ｆ）、図２（ａ）〜（ｇ）参照）。
図１（ａ）〜（ｆ）は請求項１の実施例を示すもので、
まず金属板上に中間層を形成し、絶縁フイルムを貼り合
わせした後レーザ加工にて中間層、絶縁フイルムに貫通
孔を形成するものである。ここで、中間層としては、膜
厚の制御が容易にできること、貫通孔の径を制御するた
めのパターン加工性に優れていること、電極製造プロセ
スでは金属板と絶縁フィルムを接着できて、電極形成後
は金属板と絶縁フィルムを比較的容易に分離できるこ
と、の諸特性を満足する必要がある。具体的にはフォト
リソグラフィープロセスに一般に使用されるフォトレジ
スト、ドライフィルム等が使用できる。さらに、金属板
としては銅、真鍮、ニッケル、鉄、ステンレス等が使用
できるが好ましくはステンレスである。さらにまた、絶
縁フイルムとしてはポリエステル系、ポリイミド系、ウ
レタン系、エポキシ系等のフイルムが使用できるが耐熱
性、機械的強度、絶縁性でポリイミドフイルムが好まし
い。パターン化したポリイミドフィルムをマスクレジス
トとして紫外線を露光して中間層である感光性レジスト
をパターニングする場合には好都合である。
及びその製造方法について、図面を用いて詳細に説明す
る（図１（ａ）〜（ｆ）、図２（ａ）〜（ｇ）参照）。
図１（ａ）〜（ｆ）は請求項１の実施例を示すもので、
まず金属板上に中間層を形成し、絶縁フイルムを貼り合
わせした後レーザ加工にて中間層、絶縁フイルムに貫通
孔を形成するものである。ここで、中間層としては、膜
厚の制御が容易にできること、貫通孔の径を制御するた
めのパターン加工性に優れていること、電極製造プロセ
スでは金属板と絶縁フィルムを接着できて、電極形成後
は金属板と絶縁フィルムを比較的容易に分離できるこ
と、の諸特性を満足する必要がある。具体的にはフォト
リソグラフィープロセスに一般に使用されるフォトレジ
スト、ドライフィルム等が使用できる。さらに、金属板
としては銅、真鍮、ニッケル、鉄、ステンレス等が使用
できるが好ましくはステンレスである。さらにまた、絶
縁フイルムとしてはポリエステル系、ポリイミド系、ウ
レタン系、エポキシ系等のフイルムが使用できるが耐熱
性、機械的強度、絶縁性でポリイミドフイルムが好まし
い。パターン化したポリイミドフィルムをマスクレジス
トとして紫外線を露光して中間層である感光性レジスト
をパターニングする場合には好都合である。
【００１０】具体的には、０．５ｍｍ厚のステンレス製
の金属板１上に中間層２としてネガ型感光性レジスト
（ＰＭＥＲ：東京応化工業（株）製）を塗布し空気中で
３０分乾燥した後、絶縁フィルム３として２５μｍ厚の
ポリイミドフィルムを貼り合わした後、７０℃、４５分
間プリベーキングし、貼り合わせ基板１０を作製する
（図１（ａ）、図１（ｂ）参照）。次に、貼り合わせ基
板１０にエキシマレーザ加工機を用いて絶縁フィルム３
及び中間層２に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔
４及び貫通孔５を形成する。
の金属板１上に中間層２としてネガ型感光性レジスト
（ＰＭＥＲ：東京応化工業（株）製）を塗布し空気中で
３０分乾燥した後、絶縁フィルム３として２５μｍ厚の
ポリイミドフィルムを貼り合わした後、７０℃、４５分
間プリベーキングし、貼り合わせ基板１０を作製する
（図１（ａ）、図１（ｂ）参照）。次に、貼り合わせ基
板１０にエキシマレーザ加工機を用いて絶縁フィルム３
及び中間層２に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔
４及び貫通孔５を形成する。
【００１１】次に、中間層２の貫通孔５の孔径を広げる
ため、ネガ型感光性レジストの現像液をスプレー（スプ
レー圧０．３Ｋｇ／ｃｍ2 、１０秒間）によって貫通孔
４を通して貫通孔５に吹き付け、現像処理した後、１１
０℃、４５分間ポストベーキングして、絶縁フィルムの
貫通孔４よりも大きい貫通孔６を形成した加工基板２０
を作製する。ここで、貫通孔６の孔径は現像条件で調整
可能である。
ため、ネガ型感光性レジストの現像液をスプレー（スプ
レー圧０．３Ｋｇ／ｃｍ2 、１０秒間）によって貫通孔
４を通して貫通孔５に吹き付け、現像処理した後、１１
０℃、４５分間ポストベーキングして、絶縁フィルムの
貫通孔４よりも大きい貫通孔６を形成した加工基板２０
を作製する。ここで、貫通孔６の孔径は現像条件で調整
可能である。
【００１２】次に、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ
状の導通電極を形成するため加工基板２０を１０容量％
の硫酸溶液に３０秒間浸せきし、酸処理を行い金属板１
をめっき電極として電解銅めっき（（電解銅めっき浴：
硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）
（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、絶縁フィルムの
貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成した加工基板
３０を作製する。
状の導通電極を形成するため加工基板２０を１０容量％
の硫酸溶液に３０秒間浸せきし、酸処理を行い金属板１
をめっき電極として電解銅めっき（（電解銅めっき浴：
硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）
（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、絶縁フィルムの
貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成した加工基板
３０を作製する。
【００１３】バンプ状の導通電極形成後に５ｗｔ％の水
酸化ナトリウム溶液に加工基板３０を浸せきし、中間層
２ｂを膨潤、溶解させて、金属板１と絶縁フィルム３ａ
を剥離し、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通
電極が形成された本発明の異方導電性フィルムを作製す
る。
酸化ナトリウム溶液に加工基板３０を浸せきし、中間層
２ｂを膨潤、溶解させて、金属板１と絶縁フィルム３ａ
を剥離し、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通
電極が形成された本発明の異方導電性フィルムを作製す
る。
【００１４】図２（ａ）〜（ｇ）は請求項２の実施例を
示すもので、予めレーザ加工で貫通孔４を形成した絶縁
フィルム３ａを金属板１上に形成した中間層２の上に貼
り合わせる。ここで、中間層２にはポジ型の感光性レジ
ストを使用する。
示すもので、予めレーザ加工で貫通孔４を形成した絶縁
フィルム３ａを金属板１上に形成した中間層２の上に貼
り合わせる。ここで、中間層２にはポジ型の感光性レジ
ストを使用する。
【００１５】次に、貫通孔４が形成された絶縁フィルム
３ａをパターンマスクにして紫外線で全面露光、現像処
理して、中間層２に貫通孔４よりも大きい貫通孔６を形
成した加工基板４０を作製する。ここで、貫通孔６の孔
径は露光量と現像条件で調整可能である。
３ａをパターンマスクにして紫外線で全面露光、現像処
理して、中間層２に貫通孔４よりも大きい貫通孔６を形
成した加工基板４０を作製する。ここで、貫通孔６の孔
径は露光量と現像条件で調整可能である。
【００１６】次に、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ
状の導通電極を形成するため加工基板４０を１０容量％
の硫酸溶液に３０秒間浸せきし、酸処理を行い金属板１
をめっき電極として電解銅めっき（（電解銅めっき浴：
硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）
（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、絶縁フィルムの
貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成した加工基板
５０を作製する。
状の導通電極を形成するため加工基板４０を１０容量％
の硫酸溶液に３０秒間浸せきし、酸処理を行い金属板１
をめっき電極として電解銅めっき（（電解銅めっき浴：
硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）
（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、絶縁フィルムの
貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成した加工基板
５０を作製する。
【００１７】次に、加工基板５０を５ｗｔ％の水酸化ナ
トリウム溶液に浸せきし、中間層２ｂを膨潤、溶解させ
て、金属板１と絶縁フィルム３ａを剥離し、絶縁フイル
ムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極を形成した本発明
の異方導電性フィルムを作製する。
トリウム溶液に浸せきし、中間層２ｂを膨潤、溶解させ
て、金属板１と絶縁フィルム３ａを剥離し、絶縁フイル
ムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極を形成した本発明
の異方導電性フィルムを作製する。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例に係わ
る異方導電性フィルムの製造方法を説明する。
る異方導電性フィルムの製造方法を説明する。
【００１９】＜実施例１＞まず、０．５ｍｍ厚のステン
レス製の金属板１に中間層２として２５μｍ厚のネガ型
感光性ドライフィルムレジスト（Ｈ８２５：日立化成工
業（株）製）をラミネートする（図１（ａ）参照）。さ
らに、絶縁フィルム３としてポリイミドフィルム（２５
μｍ厚）をラミネートによって接着し、貼り合わせ基板
１０を作製した（図１（ｂ）参照）。ラミネート条件
は、温度１００℃、圧力４Ｋｇｆ／ｃｍ2 、ラミネート
速度０. ３ｍ／ｍｉｎで行う。
レス製の金属板１に中間層２として２５μｍ厚のネガ型
感光性ドライフィルムレジスト（Ｈ８２５：日立化成工
業（株）製）をラミネートする（図１（ａ）参照）。さ
らに、絶縁フィルム３としてポリイミドフィルム（２５
μｍ厚）をラミネートによって接着し、貼り合わせ基板
１０を作製した（図１（ｂ）参照）。ラミネート条件
は、温度１００℃、圧力４Ｋｇｆ／ｃｍ2 、ラミネート
速度０. ３ｍ／ｍｉｎで行う。
【００２０】貼り合わせ基板１０にエキシマレーザ加工
機（ＥＸＣＩＭＥＲ ＷＯＲＫＳＳＹＳＴＥＭ ＭＥＸ
ー２４：三菱電機（株）製）を用いて絶縁フィルム３及
び中間層２に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔４
及び貫通孔５を形成した（図１（ｃ）参照）。
機（ＥＸＣＩＭＥＲ ＷＯＲＫＳＳＹＳＴＥＭ ＭＥＸ
ー２４：三菱電機（株）製）を用いて絶縁フィルム３及
び中間層２に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔４
及び貫通孔５を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００２１】中間層２の貫通孔５の孔径を広げるため、
５ｗｔ％の炭酸ナトリウム溶液（スプレー圧０．３Ｋｇ
／ｃｍ2 ）を中間層２の貫通孔５に１０秒間吹き付け、
貫通孔５の中間層の一部を溶解、除去した後、エアブロ
ーにて乾燥し、絶縁フィルムの貫通孔４より大きい貫通
孔６を形成した加工基板２０を作製した（図１（ｄ）参
照）。
５ｗｔ％の炭酸ナトリウム溶液（スプレー圧０．３Ｋｇ
／ｃｍ2 ）を中間層２の貫通孔５に１０秒間吹き付け、
貫通孔５の中間層の一部を溶解、除去した後、エアブロ
ーにて乾燥し、絶縁フィルムの貫通孔４より大きい貫通
孔６を形成した加工基板２０を作製した（図１（ｄ）参
照）。
【００２２】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極を形成するため、加工基板２０を１０容量％の硫
酸溶液に３０秒間浸せきすることによって酸処理を行
い、金属板１をめっき電極として電解銅めっき（（電解
銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸
５０ｐｐｍ）（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、絶
縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成
した加工基板３０を作製した（図１（ｄ）参照）。
通電極を形成するため、加工基板２０を１０容量％の硫
酸溶液に３０秒間浸せきすることによって酸処理を行
い、金属板１をめっき電極として電解銅めっき（（電解
銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸
５０ｐｐｍ）（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、絶
縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成
した加工基板３０を作製した（図１（ｄ）参照）。
【００２３】バンプ状の導通電極形成後に５ｗｔ％の水
酸化ナトリウム溶液に加工基板３０を浸せきし、中間層
２ｂを膨潤、溶解させ、金属板１と絶縁フイルム３を剥
離して、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電
極７を形成した異方導電性フィルムを作製することがで
きた（図１（ｆ）参照）。
酸化ナトリウム溶液に加工基板３０を浸せきし、中間層
２ｂを膨潤、溶解させ、金属板１と絶縁フイルム３を剥
離して、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電
極７を形成した異方導電性フィルムを作製することがで
きた（図１（ｆ）参照）。
【００２４】＜実施例２＞まず、０．５ｍｍ厚のステン
レス製の金属板１上に、中間層２としてポジ型感光性レ
ジスト（ＯＦＰＲ：東京応化工業（株）製）を塗布す
る。レジスト塗布後５０℃で１０分間乾燥させる（図１
（ａ）参照）。乾燥した後、絶縁フイルム３としてポリ
イミドフィルム（２５μｍ厚）を貼り付け、さらにプレ
ベーキング（１２０℃、４５ｍｉｎ）を行ない、貼り合
わせ基板１０を作成した（図１（ｂ）参照）。
レス製の金属板１上に、中間層２としてポジ型感光性レ
ジスト（ＯＦＰＲ：東京応化工業（株）製）を塗布す
る。レジスト塗布後５０℃で１０分間乾燥させる（図１
（ａ）参照）。乾燥した後、絶縁フイルム３としてポリ
イミドフィルム（２５μｍ厚）を貼り付け、さらにプレ
ベーキング（１２０℃、４５ｍｉｎ）を行ない、貼り合
わせ基板１０を作成した（図１（ｂ）参照）。
【００２５】貼り合わせ基板１０にエキシマレーザ加工
機（ＥＸＣＩＭＥＲ ＷＯＲＫＳＳＹＳＴＥＭ ＭＥＸ
−２４：三菱電機（株）製）を用いて絶縁フィルム３及
び中間層３に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔４
及び貫通孔５を形成した（図１（ｃ）参照）。
機（ＥＸＣＩＭＥＲ ＷＯＲＫＳＳＹＳＴＥＭ ＭＥＸ
−２４：三菱電機（株）製）を用いて絶縁フィルム３及
び中間層３に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔４
及び貫通孔５を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００２６】中間層２の貫通孔５の孔径を広げるため、
紫外線露光装置（ＯＲＣ ＨＭＷ−６Ｎ：オーク製作所
製）を用いて、３００ｍｊ／ｃｍ2 の全面露光を行い、
現像液（ＮＭＤ−３：東京応化工業（株）製）に９０秒
間浸せきし、貫通孔５周辺の中間層を一部溶解、除去
し、１３０℃、４５分間ポストベーキングを行ない、絶
縁フィルムの貫通孔４より大きい貫通孔６を中間層２に
形成した加工基板２０を作製した（図１（ｄ）参照）。
紫外線露光装置（ＯＲＣ ＨＭＷ−６Ｎ：オーク製作所
製）を用いて、３００ｍｊ／ｃｍ2 の全面露光を行い、
現像液（ＮＭＤ−３：東京応化工業（株）製）に９０秒
間浸せきし、貫通孔５周辺の中間層を一部溶解、除去
し、１３０℃、４５分間ポストベーキングを行ない、絶
縁フィルムの貫通孔４より大きい貫通孔６を中間層２に
形成した加工基板２０を作製した（図１（ｄ）参照）。
【００２７】絶縁フイルム３ａの貫通孔両側にバンプ状
の導通電極を形成するため、加工基板２０を１０容量％
の硫酸溶液に３０秒間浸せきすることによって酸処理を
行い、金属板１をめっき電極として電解銅めっき（（電
解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩
酸５０ｐｐｍ）（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、
絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形
成した加工基板３０を作製した（図１（ｅ）参照）。
の導通電極を形成するため、加工基板２０を１０容量％
の硫酸溶液に３０秒間浸せきすることによって酸処理を
行い、金属板１をめっき電極として電解銅めっき（（電
解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩
酸５０ｐｐｍ）（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を行い、
絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極７を形
成した加工基板３０を作製した（図１（ｅ）参照）。
【００２８】バンプ状の導通電極形成後にレジスト剥離
液（剥離液ー１０：東京応化工業（株）製）に加工基板
３０を浸せきし、中間層２ｂを膨潤、溶解させ、金属板
１と絶縁フィルム３ａの剥離を行い、絶縁フィルムの貫
通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成した異方導電性
フィルムを作製することができた（図１（ｆ）参照）。
液（剥離液ー１０：東京応化工業（株）製）に加工基板
３０を浸せきし、中間層２ｂを膨潤、溶解させ、金属板
１と絶縁フィルム３ａの剥離を行い、絶縁フィルムの貫
通孔両側にバンプ状の導通電極７を形成した異方導電性
フィルムを作製することができた（図１（ｆ）参照）。
【００２９】＜実施例３＞絶縁フィルム３としてポリイ
ミドフィルム（２５μｍ厚）を用い、エキシマレーザ加
工機（ＥＸＣＩＭＥＲ ＷＯＲＫＳ ＳＹＳＴＥＭ Ｍ
ＥＸ−２４：三菱電機（株）製）を用いて絶縁フィルム
３に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔４を形成し
た絶縁フィルム３ａを作製した（図２（ｂ）参照）。
ミドフィルム（２５μｍ厚）を用い、エキシマレーザ加
工機（ＥＸＣＩＭＥＲ ＷＯＲＫＳ ＳＹＳＴＥＭ Ｍ
ＥＸ−２４：三菱電機（株）製）を用いて絶縁フィルム
３に穴径３０μｍ、ピッチ６０μｍの貫通孔４を形成し
た絶縁フィルム３ａを作製した（図２（ｂ）参照）。
【００３０】次に０．５ｍｍ厚のステンレス製の金属板
１上に、ポジ型感光性レジスト（ＯＦＰＲ：東京応化工
業（株）製）を塗布し、５０℃で１０分間乾燥して、２
５μｍ厚の中間層２を形成した後、貫通孔４を設けたポ
リイミドフィルム３ａをラミネートによって接着した
（図２（ｃ）参照）。ラミネート条件は、温度１００
℃、圧力４Ｋｇｆ／ｃｍ2 、速度０．３ｍ／ｍｉｎで行
った。
１上に、ポジ型感光性レジスト（ＯＦＰＲ：東京応化工
業（株）製）を塗布し、５０℃で１０分間乾燥して、２
５μｍ厚の中間層２を形成した後、貫通孔４を設けたポ
リイミドフィルム３ａをラミネートによって接着した
（図２（ｃ）参照）。ラミネート条件は、温度１００
℃、圧力４Ｋｇｆ／ｃｍ2 、速度０．３ｍ／ｍｉｎで行
った。
【００３１】次に、中間層２に貫通孔を形成するため、
紫外線露光装置（ＯＲＣ ＨＭＷ−６Ｎ：オーク製作所
製）を用いて、ポリイミドフィルム３ａの貫通孔４を通
して３００ｍｊ／ｃｍ2 の全面露光を行い（図２（ｄ）
参照）、現像液（ＮＭＤ−３：東京応化工業（株）製）
に９０秒間浸せき、現像処理して、１３０℃、４５分間
ポストベーキングを行ない、絶縁フィルムの貫通孔４よ
りも大きい貫通孔６を形成した加工基板４０を作製した
（図２（ｅ）参照）。
紫外線露光装置（ＯＲＣ ＨＭＷ−６Ｎ：オーク製作所
製）を用いて、ポリイミドフィルム３ａの貫通孔４を通
して３００ｍｊ／ｃｍ2 の全面露光を行い（図２（ｄ）
参照）、現像液（ＮＭＤ−３：東京応化工業（株）製）
に９０秒間浸せき、現像処理して、１３０℃、４５分間
ポストベーキングを行ない、絶縁フィルムの貫通孔４よ
りも大きい貫通孔６を形成した加工基板４０を作製した
（図２（ｅ）参照）。
【００３２】次に、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ
状の導通電極を形成するため、加工基板４０を１０容量
％の硫酸溶液に３０秒間浸せきすることによって酸処理
を行い、金属板１をめっき電極として電解銅めっき
（（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／
ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を
行い、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極
７を形成した加工基板５０を作製することができた（図
２（ｆ）参照）。
状の導通電極を形成するため、加工基板４０を１０容量
％の硫酸溶液に３０秒間浸せきすることによって酸処理
を行い、金属板１をめっき電極として電解銅めっき
（（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／
ｌ、塩酸５０ｐｐｍ）（電流密度：２Ａ／ｄｍ2 ））を
行い、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導通電極
７を形成した加工基板５０を作製することができた（図
２（ｆ）参照）。
【００３３】バンプ状の導通電極形成後に、５ｗｔ％の
水酸化ナトリウム溶液に加工基板５０を浸せきし、中間
層２ｂを膨潤・溶解させて、金属板１と絶縁フィルム３
ａの剥離を行い、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状
の導通電極７を形成した異方導電性フィルムを作製した
（図２（ｇ）参照）。
水酸化ナトリウム溶液に加工基板５０を浸せきし、中間
層２ｂを膨潤・溶解させて、金属板１と絶縁フィルム３
ａの剥離を行い、絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状
の導通電極７を形成した異方導電性フィルムを作製した
（図２（ｇ）参照）。
【００３４】
【発明の効果】本発明による異方導電性フィルム及びそ
の製造方法によれば、バンプ状の導通下部電極の大き
さ、形状は中間層の膜厚と貫通孔径により決定されるの
で、従来の金属に窪みを形成して電極を作製する方式に
比べて、電極の形状（特に電極の高さ）のばらつきが減
少し、検査用治具の電極部と被検査体の電極部のコンタ
クト時に接触不良が発生するという不具合を解消するこ
とができる。また、本発明の製造法では金属板とバンプ
状の導通電極を形成した絶縁フィルムの分離を中間層の
膨潤・溶解方式で行っているいるため、バンプ状の導通
電極に使用できる材質の選択幅が広がり、製造効率の向
上、コスト低減につなげることができる。
の製造方法によれば、バンプ状の導通下部電極の大き
さ、形状は中間層の膜厚と貫通孔径により決定されるの
で、従来の金属に窪みを形成して電極を作製する方式に
比べて、電極の形状（特に電極の高さ）のばらつきが減
少し、検査用治具の電極部と被検査体の電極部のコンタ
クト時に接触不良が発生するという不具合を解消するこ
とができる。また、本発明の製造法では金属板とバンプ
状の導通電極を形成した絶縁フィルムの分離を中間層の
膨潤・溶解方式で行っているいるため、バンプ状の導通
電極に使用できる材質の選択幅が広がり、製造効率の向
上、コスト低減につなげることができる。
【図１】本発明の実施例に係わる異方導電性フィルムの
製造工程を示す異方導電性フィルムの断面図である。
製造工程を示す異方導電性フィルムの断面図である。
【図２】本発明の実施例に係わる異方導電性フィルムの
製造工程を示す異方導電性フィルムの断面図である。
製造工程を示す異方導電性フィルムの断面図である。
【図３】従来の異方導電性フィルムの製造工程を示す異
方導電性フィルムの断面図である。
方導電性フィルムの断面図である。
１、２１………金属板 ２………中間層 ２ａ、２ｂ………孔開け加工された中間層 ３、２２………絶縁フィルム ３ａ，２２ａ………孔開け加工された絶縁フィルム ４………絶縁フィルムの貫通孔 ５………中間層の貫通孔 ６………後処理された中間層の貫通孔 ７、２５………バンプ状導通電極 ７ａ、２５ａ………バンプ状導通上部電極 ７ｂ、２５ｂ………バンプ状導通下部電極 １０………貼り合わせ基板 ２０、３０、４０、５０………加工基板 ２１ａ………窪みが形成された金属板 ２４………窪み
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、バン
プ状の導通電極のいずれか一方の電極先端形状がフラッ
トな面になっていることを特徴とする異方導電性フィル
ム。 - 【請求項２】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、
（ａ）金属板上に中間層を形成し絶縁フィルムを貼り合
わせる工程、（ｂ）前記金属板上の中間層及び絶縁フィ
ルムにレーザ加工にて貫通孔を形成する工程、（ｃ）前
記中間層の貫通孔を前記絶縁フィルムの貫通孔より大き
くする工程、（ｄ）前記絶縁フィルムの貫通孔両側にバ
ンプ状の導通電極を形成する工程、（ｅ）前記中間層を
膨潤・溶解して、バンプ状の導通電極を形成した絶縁フ
ィルムと金属板とを剥離する工程、を備えたことを特徴
とする異方導電性フィルムの製造方法。 - 【請求項３】絶縁フィルムの貫通孔両側にバンプ状の導
通電極が形成された異方導電性フィルムにおいて、
（Ａ）絶縁フイルムにレーザ加工にて貫通孔を形成する
工程、（Ｂ）金属板上に中間層を形成し、前記貫通孔を
形成した絶縁フィルムを貼り合わせる工程、（Ｃ）前記
中間層に絶縁フィルムの貫通孔よりも大きい貫通孔を形
成する工程、（Ｄ）前記絶縁フィルムの貫通孔両側にバ
ンプ状の導通電極を形成する工程、（Ｅ）前記中間層を
膨潤・溶解して、前記バンプ状の導通電極を形成した絶
縁フィルムと金属板とを剥離する工程、を備えたことを
特徴とする異方導電性フィルムの製造方法。 - 【請求項４】前記中間層に感光性樹脂を用いたことを特
徴とする請求項２または３記載の異方導電性フィルムの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2630796A JPH09219230A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 異方導電性フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2630796A JPH09219230A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 異方導電性フィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219230A true JPH09219230A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12189721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2630796A Pending JPH09219230A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 異方導電性フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219230A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007430A1 (en) * | 2001-07-09 | 2003-01-23 | Tokyo Electron Limited | Feed-through manufacturing method and feed-through |
| TWI623426B (zh) * | 2013-03-12 | 2018-05-11 | 兆科學公司 | 用於雷射燒蝕之具有影像加強的微孔載體 |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP2630796A patent/JPH09219230A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007430A1 (en) * | 2001-07-09 | 2003-01-23 | Tokyo Electron Limited | Feed-through manufacturing method and feed-through |
| TWI623426B (zh) * | 2013-03-12 | 2018-05-11 | 兆科學公司 | 用於雷射燒蝕之具有影像加強的微孔載體 |
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