JP2001085567A

JP2001085567A - 電子部材および電子部材の製造方法

Info

Publication number: JP2001085567A
Application number: JP2000208458A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kuramochi; 悟倉持; Masashi Sato; 真史佐藤
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-07-12
Filing date: 2000-07-10
Publication date: 2001-03-30
Anticipated expiration: 2020-07-10
Also published as: JP4712940B2

Abstract

(57)【要約】【課題】配線の高精細化を達成でき、低ノイズ化、あ
るいは高放熱性の電子部材を提供する。更に、多層配線
を比較的に簡単にできる電子部材と、その製造方法を提
供する。【解決手段】外形加工あるいは孔開け加工され、且つ
表面部が絶縁性の樹脂からなる基材をベース基材とする
電子部材であって、前記絶縁性の樹脂の表面部の全面に
あるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からな
る導電性層を設けている。特に、エッチング加工法、プ
レス加工法めっき加工法等により、外形加工あるいは孔
開け加工された導電性の基材をベース基材とする電子部
材であって、導電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被
膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にあるいは一部
に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を
設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレーム、半導体装置用基板、各種接続端子部等を形
成するための電子部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体技術の進歩と、小型化、薄
型化という電子部品のマーケットトレンドにより、半導
体素子の高密度化、微細化を含む半導体パケージの小型
化、多端子化が益々進み、所謂、高密度実装の時代へと
入ってきた。

【０００３】これに伴い、半導体周辺電子部材、即ち、
半導体装置用リードフレーム、半導体装置用基板など
は、配線の高精化とともに、信号高速化対応、低ノイズ
化、高放熱性が求められるようになってきた。しかし、
電子部材そのものに構造的対策を施すことは難しく、そ
の対応が求められていた。

【０００４】一方、プリント配線基板への高密度配線を
実現するものとして、ビルトアップ多層配線基板が開発
されつつある。ビルトアップ法は、基材上に、一面にめ
っきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチン
グすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁
層とを順次積層して、図７にその断面を示すような構造
の多層配線基板を作製するもので、この方法により作製
された多層配線基板をビルトアップ多層配線基板であ
る。尚、図７中、７００は多層配線基板、７１０は配線
基板、７１１はベース基材、７１５は配線、７１７はス
ルーホール、７２０は１層目の絶縁樹脂層、７２５は配
線、７２７はビア、７３０は２層目の絶縁樹脂層、７３
５は配線、７３７はビアである。この方法の場合には、
高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能
となる。ＢＴレジン等からなる絶縁性のベース基材７１
１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上への金属層
（銅めっき層）からなる配線（７１５、７２５、７３
５）およびビア７２７、７３７の形成は、通常、絶縁性
の基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上へ
スパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる
金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に
厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを
所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスク
としてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチ
ングすることにより行う。しかし、このビルトアップ法
による多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工
程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交
互に複数回行うため、工程が複雑となる。基材上に金属
配線（配線部）と、絶縁層とを１層づつ積み上げる直接
プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製
品の再生が困難となり、且つ、製造コストが割高となる
という問題がある。

【０００５】また、このビルトアップ法による多層配線
基板の作製方法においては、層間絶縁膜や配線保護膜を
得るのに一般印刷によるパターン形成は安価で量産的な
方法であるが、この方法は、得られるパターンの精度が
悪く、細線の印刷ができず、高精度、高密度のパターン
の形成には適していない。この為、高精細、高密度のパ
ターンの層間絶縁膜や配線保護膜を得るための、高精
細、高密度のパターンの形成には、印刷法でなく、感光
性絶縁材料（樹脂）を用いたフォトリソグラフィー法に
よる形成が用いられるが、フォトリソグラフィー法の場
合、工程が長くなり、設備も高価となり、パターン形成
に長時間を要し、生産コストが高くなる。更に、現像に
より捨てる感光性絶縁材料の量が多く、コスト高の一因
となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、高密度
実装が進む中、半導体周辺部材である電子部材において
は、高精細化が求められ、更に、信号高速化対応、低ノ
イズ化、あるいは高放熱性が求められてていたが、電子
部材そのものに構造的対策を施すことは難しくその対応
が求められていた。また、プリント配線への高密度実装
を実現するものとして、図７に示すようなビルトアップ
多層配線基板が開発されつつあるが、種々問題があり、
この対応も求められていた。本発明は、これらに対応す
るもので、特に、半導体周辺部材である電子部材である
電子部材において、低ノイズ化、あるいは高放熱性の電
子部材を提供しようとするものである。また同時に、多
層配線を比較的に簡単にできる電子部材を提供しようと
するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部材は、外
形加工あるいは孔開け加工され、且つ表面部が絶縁性の
樹脂からなる基材をベース基材とする電子部材であっ
て、前記絶縁性の樹脂の表面部の全面にあるいは一部
に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を
設けていることを特徴とするものである。

【０００８】特に、本発明の電子部材は、エッチング加
工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工
あるいは孔開け加工された導電性の基材をベース基材と
する電子部材であって、導電性の基材は、絶縁性の樹脂
層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にある
いは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導
電性層を設けていることを特徴とするものである。

【０００９】そして、上記絶縁性の樹脂または樹脂層
の、無電解めっき層と接する面は、その表面粗度をウエ
ットブラスト処理により調整されていることを特徴とす
るものであり、更に、上記において、調整された表面
粗度が、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範
囲であることを特徴とするものである。そしてまた、上
記において、半導体装置用リードフレーム、半導体装置
用基板、各種接続端子部の１つを形成するための電子部
材であることを特徴とするものである。

【００１０】本発明の電子部材の製造方法は、外形加工
あるいは孔開け加工され、且つ表面部が絶縁性の樹脂か
らなる基材をベース基材とする電子部材で、前記絶縁性
の樹脂の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき
層、電解めっき層からなる導電性層を設けている電子部
材を、製造するための電子部材の製造方法であって、
（Ａ）絶縁性の樹脂の表面粗度を調整するウエットブラ
スト処理を施す、ウエットブラスト処理工程と、（Ｂ）
基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっき層
を形成する無電解めっき処理工程と、（Ｃ）無電解めっ
き層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解めっ
き層を形成する電解めっき処理工程とを有することを特
徴とするものである。

【００１１】特に、本発明の電子部材の製造方法は、エ
ッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等によ
り、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材を
ベース基材とする電子部材で、導電性の基材は、絶縁性
の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面
にあるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層から
なる導電性層を設けている電子部材を、製造するための
電子部材の製造方法であって、（ａ）エッチング加工
法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あ
るいは孔開け加工された導電性の基材の表面部に、絶縁
性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、（ｂ）導電性
の基材の表面部に形成された樹脂層の表面粗度を調整す
るウエットブラスト処理を施す、ウエットブラスト処理
工程と、（ｃ）絶縁性の樹脂層により被膜された導電性
の基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっき
層を形成する無電解めっき処理工程と、（ｄ）無電解め
っき層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解め
っき層を形成する電解めっき処理工程とを有することを
特徴とするものである。そして、上記において、無電解
めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層
上に所定領域を開口した耐めっき性のレジストを設ける
レジストパターニング工程と、レジストの開口からな露
出した無電解めっき層上に電解めっきを施す、電解めっ
き処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程
と、露出している無電解めっき層をエッチング除去する
エッチング工程とを行うことを特徴とするものである。
尚、樹脂層形成工程における、絶縁性も樹脂層形成に
は、塗布、ラミネート、印刷、その他公知のさまざまな
手法を用いることができる。そしてまた、上記におい
て、孔開け加工された導電性の基材をベース基材とし、
基材を被膜する樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき
層、電解めっき層からなる導電性層を配線とする配線部
を設けている配線基板を形成するもので、無電解めっき
処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に、
形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を
開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパター
ニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっ
き層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解め
っき処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離
するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層
をエッチング除去するエッチング工程とを行うことを特
徴とするものである。また、上記において、配線基板
は、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層
をビアホールとして、該配線基板同志を複数層積層する
ための、多層配線基板作製用の配線基板であることを特
徴とするものである。また、上記において、配線基板
は、配線部形成側と反対側の、孔部の無電解めっきと電
解めっきからなる導電性層形成部分を外部端子とする半
導体装置用配線基板であることを特徴とするものであ
る。

【００１２】そして、上記において、ウエットブラスト
処理は、上記絶縁性の樹脂または上記絶縁性の樹脂層の
表面粗度を、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍ
の範囲に調整するものであることを特徴とするものであ
る。更に、上記において、露出している無電解めっき層
をエッチング除去するエッチング工程の後に、ウエット
ブラスト処理を施すことを特徴とするものである。

【００１３】尚、ここでは、ウエットブラスト処理と
は、アルミナビーズ（＃１５０〜＃１２００程度）、球
状シリカ砥材（粒径２０μｍ程度）の砥粒等を、水等に
混ぜ、樹脂層１２０の面に吹きつけて、機械的に表面粗
度を調整する処理のことである。

【００１４】

【作用】本発明の電子部材は、このような構成にするこ
とにより、半導体周辺部材である電子部材等の電子部材
において、高精細化を達成するとともに、更に、低ノイ
ズ化、あるいは高放熱性の電子部材の提供を可能とする
ものである。あるいは、多層配線を比較的に簡単にでき
る電子部材の提供を可能とするものである。具体的に
は、エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等
により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基
材をベース基材とする電子部材であって、導電性の基材
は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表
面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電解め
っき層からなる導電性層を設けていることにより、これ
を達成している。特に、絶縁性の樹脂の表面粗度が、中
心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲であるこ
とにより、樹脂層と無電解めっき層との密着性を実用的
なものとしている。また、半導体装置用リードフレー
ム、半導体装置用基板、各種接続端子部の１つを形成す
るための電子部材の場合には有効である。

【００１５】本発明の電子部材の製造方法は、このよう
な構成にすることにより、高精細化を達成するととも
に、更に、低ノイズ化、あるいは高放熱性の半導体周辺
部材である電子部材等の電子部材の製造方法の提供を可
能とするものである。具体的には、（ａ）エッチング加
工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工
あるいは孔開け加工された導電性の基材の表面部に、絶
縁性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、（ｂ）導電
性の基材の表面部に形成された樹脂層の表面粗度を調整
するウエットブラスト処理を施す、ウエットブラスト処
理工程と、（ｃ）絶縁性の樹脂層により被膜された導電
性の基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっ
き層を形成する無電解めっき処理工程と、（ｄ）無電解
めっき層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解
めっき層を形成する電解めっき処理工程とを有すること
により、これを達成している。

【００１６】特に、孔開け加工された導電性の基材をベ
ース基材とし、且つ、基材を被膜する樹脂層の表面部の
一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性
層を配線とする配線部を設けている、多層配線基板作製
用の配線基板を作製するに際し、無電解めっき処理工程
の後、導電性の基材の一面の、無電解めっき層上に、形
成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開
口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニ
ング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき
層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解めっ
き処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離す
るレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層を
エッチング除去するエッチング工程とを行うことによ
り、配線間の電気的接続の信頼性に優れ、且つ、配線の
高精細化、高密度化に対応できる配線基板を、従来のビ
ルトアップ法による多層配線基板の製造よりも、簡単に
作製することを可能としている。勿論、このような配線
基板の形成方法は半導体装置用配線基板の製造に適用で
き、二次元的に外部端子を配列させたＢＧＡタイプ（ア
レイタイプ）の半導体装置の提供を可能としている。

【００１７】ウエットブラスト処理は機械的研磨のよう
な、研磨方向に沿う方向に強い力を受けず樹脂層の剥が
れが発生することも無く、孔開け加工された基材の側面
部を覆う樹脂層の表面部をも処理できる。特に、絶縁性
の樹脂がポリイミドである場合、化学的研磨は難しく、
実用的なものはなく、ウエットブラスト処理は有効であ
る。

【００１８】更に、露出している無電解めっき層をエッ
チング除去するエッチング工程の後に、ウエットブラス
ト処理を施すことにより、無電解めっきの触媒の除去を
可能としている。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図に基づい
て説明する。図１は本発明の電子部材の実施の形態の第
１の例の、多層配線基板作製用の配線基板を示した一部
断面図で、図２は多層配線基板の作製を説明するための
断面図で、図３（ａ）は本発明の電子部材の実施の形態
の第２の例の半導体装置用の配線基板を示した断面図
で、図３（ｂ）は半導体装置の断面図で、図４は第１の
例の配線基板の製造するための工程断面図で、図５は本
発明の電子部材の実施の形態の第３の例のリードフレー
ムの、インナーリード先端部の図で、図６は本発明の電
子部材の実施の形態の第４の例の接続用ピンを説明する
ための図である。また、図８（ｈ）は本発明の電子部材
の実施の形態の第５の例の配線部材を示した一部断面図
で、図８（ａ）〜図８（ｈ）はその工程断面図で、図９
（ｈ）は本発明の電子部材の実施の形態の第６の例の配
線部材を示した一部断面図で、図９（ａ）〜図９（ｈ）
はその工程断面図である。尚、図６（ａ）は接続端子部
の断面図、図６（ｂ）は接続端子部の上面図（下面
図）、図６（ｃ）は図６（ａ）のＡ１−Ａ２におけるピ
ン５００の一断面図である。図１〜図６中、１００、１
０５は配線基板、１１０、１１０Ｂはベース基材（単に
基材ともう言う）、１１０Ａは基材、１１５、１１５Ｂ
は基材の孔部、１２０、１２０Ｂは樹脂層、１３０、１
３０Ｂは導電性層、１３１、１３１Ｂは無電解めっき
層、１３２、１３２Ｂは電解めっき層、１３５、１３５
Ａ、１３５Ｂは配線部、１３６、１３６Ｂはビアホー
ル、１３７は端子部、１５０は絶縁性樹脂シート、１７
０は多層配線基板、１８０はレジスト、１８５は開口、
２１０は配線基板、２１１は半導体素子、２１２は端子
部、４１０はインナーリード、４１１はワイヤボンディ
ング面、４２０は樹脂層、４３０は配線（リード）、５
００はピン、５０５は端面、５１０はベース基材（基
材）、５２０は樹脂層、５３０は導電性層、５４０は封
止用樹脂である。また、図８、図９中、８１０はベース
基材、８１０Ａは基材、８２０は金属層、８３０はウエ
ットブラスト、８４０は導電性層、８４１は無電解めっ
き層、８４２は電解めっき層、８５０はレジスト、９１
０はベース基材、９１０Ａは基材、９２０は金属層、９
３０はウエットブラスト、９４０は導電性層、９４１は
無電解めっき層、９４２は電解めっき層、９５０はレジ
スト、９３６はビアホール、９３７は端子部である。

【００２０】本発明の電子部材の実施の形態の第１の例
の配線基板を図１に基づいて説明する。図１（ａ）、図
１（ｂ）は、それぞれ、孔開け加工された導電性の基材
１１０をベース基材とした、本例の多層配線基板形成用
の配線基板である。図１（ａ）、図１（ｂ）に示す配線
基板の導電性の基材１１０は、絶縁性の樹脂層１２０に
より被膜され、更に、樹脂層の表面部の一部に、無電解
めっき層１３１、電解めっき層１３２からなる導電性層
１３０で配線部１３５（１３５Ａ）を設け、且つ、基材
の孔部１１５を無電解めっき層１３１、電解めっき層１
３２からなる導電性層１３０で埋めるように設けられた
ビアホール１３６を備えたものである。配線部１３５
（１３５Ａ）の材質としては、導電性の面、コスト面か
ら銅を主材とするものが用いられるのが通常で、導電性
層１３０としては、無電解めっき層１３１をニッケル
層、電解めっき層１３２を銅層を主材とし、ニッケル
層、銅層からなるものが挙げられるが、これに限定はさ
れない。ベース基材１１０としては、配線部１３５（１
３５Ａ）やビアホール１３６を形成する材質と熱膨張係
数が近いものが好ましく、ステンレス材が挙げられる。
ステンレス材の熱膨張係数は、ほぼ１７ｐｐｍと銅に近
い。絶縁性の樹脂層１２０としては、例えば、天然系樹
脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アルキッド
樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等
が挙げられる。特に、絶縁性、化学的安定性、強度等か
らポリイミド樹脂であることが好ましい。

【００２１】ここで、本例の配線部材１００、１０５の
使用方法を簡単に説明しておく。本例の配線部材１０
０、１０５は、図２（ａ）に示すように、絶縁性樹脂シ
ート１５０を両者の間に挟むようにして、且つ、両者を
位置合わせして、加圧して、積層して、図２（ｂ）に示
すような配線層を２層とする配線基板１７０を形成する
ことができる。配線基板１００の配線部１３５はビアホ
ール１３６を介して配線基板１０５の配線１３５Ａに電
気的に接続される。このようにして、更に別の配線基板
（配線基板１００、１０５と同様の配線基板）を１７０
の上およびまたは下に積層することにより、更に配線層
を増やした多層の配線基板を得ることができる。このよ
うにして、本例の配線部材は多層配線基板を作製する際
に用いられる。尚、本例の配線基板においては、ビアホ
ール１３６の配線部（１３５、１３５Ａ）側でない端子
１３７がめっきにより突出したものである。

【００２２】次に、配線基板１００の製造方法を図４に
基づいて説明しておく。尚、これを以て、本発明の配線
基板の製造方法の実施の形態の１例の説明とする。ま
ず、ステンレス等からなる基材１１０Ａ（図４（ａ））
に所定の孔１１５を開け、配線基板形成用のベース基板
１１０を得る。（図４（ｂ））孔１１５の形成方法は、エッチング加工、プレス加工、
めっき加工法等の機械加工により行う。次いで、ベース
基板１１０の表面部に、樹脂層１２０を形成する。（図
４（ｃ））樹脂層１２０の機械的強度、安定性の面から、ポリイミ
ド樹脂が選択される。そして、形成された樹脂層を、必
要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施して樹脂層１２
０を形成する。尚、樹脂層形成工程における、絶縁性も
樹脂層形成には、塗布、ラミネート、印刷、その他公知
のさまざまな手法が用いることができるが、必要に応
じ、レジスト製版、エッチング、レーザ加工等による余
分の樹脂部の除去も行なう。

【００２３】次いで、樹脂層１２０の表面を、ウエット
ブラスト法により、所望の粗度に調整する。前にも述べ
たように、ここでは、ウエットブラスト処理とは、アル
ミナビーズ（＃１５０〜＃１２００程度）、球状シリカ
砥材（粒径２０μｍ程度）の砥粒等を、水等に混ぜ、樹
脂層１２０の面に吹きつけて、機械的に表面粗度を調整
する処理のことである。表面粗度の調整は、無電解めっ
き（ニッケルめっき）をして、めっき層の十分な密着性
を得るためのもので、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ
〜５μｍの範囲に調整する。無電解めっきとしては、成
膜が比較的簡易で安定という理由から、無電解めっきニ
ッケルめっきが挙げられる。

【００２４】樹脂層１２０の表面粗度を調整した後、無
電解めっき処理（ニッケルめっき）を施し、その表面部
に無電解めっき層（ニッケルめっき層）を形成する。無
電解めっきは、触媒にて活性化処理を行った後、所定の
めっき液にて行う。

【００２５】無電解めっき処理工程の後、導電性の基材
の両面の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、
導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性の
レジスト１８０を設ける。（図４（ｅ））レジスト１８０としては、所望の解像性があり、耐めっ
き性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされ
ない。次いで、レジスト１８０の開口１８５から露出し
た無電解めっき層１３１上に電解めっきにより電解めっ
き１３２を形成する。（図４（ｆ））無電解めっきとして、無電解めっきニッケルめっきを行
った場合には、例えば、電解ニッケルめっき、電解銅め
っきの順に電解めっきを行う。電解銅めっき層は、導電
性、コスト面から主材とするもので、電解ニッケルめっ
き層は、無電解ニッケルめっき層と電解銅めっきとの密
着性の面から行う。尚、電解銅めっき層、電解ニッケル
めっき層を形成する際の、それぞれののめっき浴、めっ
き条件としては、公知のものが適用できる。この後、レ
ジスト１８０を剥離し、必要に応じて、洗浄、乾燥処理
等を施す。（図４（ｇ））更に、露出している無電解ニッケルめっき層を専用の剥
離液で除去し、ウエットブラスト処理を両面に行い、残
留した触媒を除去して、配線基板１００を得る。（図４
（ｈ））

【００２６】本例では、電解めっきにより、配線部１３
５形成側と反対側のビアホール１３６の端子面（端子１
３７）を外側に突出させているが、必ずしも、電解めっ
きにより突出させる必要はない。半田ボール等を端子面
に付けて突出させても良い。この場合、電解めっきは一
面側（配線１３５形成側）からのみでも良く、電解めっ
き領域をきめるレジストの製版はベース基材１１０の一
面側のみで、他面側を押さえ用の基材で覆っても良い。

【００２７】次に、本発明の電子部材の実施の形態の第
２の例として、半導体装置用の配線基板を挙げる。図３
に基づいて説明する。図３（ａ）に示す配線基板２００
も、第１の例の配線基板と同様、導電性の基材１１０Ｂ
は、絶縁性の樹脂層１２０Ｂにより被膜され、更に、樹
脂層の表面部の一部に、無電解めっき層１３１Ｂ、電解
めっき層１３２Ｂからなる導電性層１３０Ｂで配線部１
３５Ｂを設け、且つ、基材の孔部１１５Ｂを無電解めっ
き層１３１Ｂ、電解めっき層１３２Ｂからなる導電性層
１３０Ｂで埋めるようにに設けられたビアホール１３６
Ｂを備えたものであるが、その適用を外部端子を二次元
的に配置する半導体装置用の配線基板としたものであ
る。本例の場合、ビアホール１３６Ｂの端子部１３７Ｂ
は、外部回路と接続するためのもので、二次元的に配列
されている。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す配線基板
を用いた半導体装置２１０の断面図である。図３（ｂ）
に示す半導体装置２１０においては、ビアホール１３６
Ｂの端子部１３７Ｂは、電解めっき層１３２Ｂ上に半田
ボールを設けている。半導体素子２１１は、その端子部
２１２を介して、配線部１３５Ｂと電気的に接続されて
いる。配線部１３５Ｂを基材１１０Ｂ側から、無電解ニ
ッケルメッキ層、電解ニッケル層、電解銅めっき層、電
解ニッケルめっき層、電解金めっき層とし、最表層を金
めっき層とすることにより、半導体素子２１１の端子と
金−金共晶で接合できる。場合によっては、最表層を錫
層として、金−錫共晶で接合することもできる。

【００２８】本例の配線基板の製造方法における電解め
っきは、第１の例と同様に行うことができるが、本例の
場合、第１の例のように、配線部１３５Ｂ形成側と反対
側のビアホールの端子面を外側に突出させる必要はない
ので（半田ボールを付けて半導体装置の端子とするた
め）、電解めっき領域をきめるレジストの製版をベース
基材１１０Ｂの一面側のみに施し、他面側を押さえ用の
基材で覆って、一面側から行っても良い。

【００２９】次に、本発明の電子部材の実施の形態の第
３の例を図５に挙げて説明する。本例は、エッチング加
工あるいはプレス加工により外形加工されたリードフレ
ームに対して、その表面部に絶縁性の樹脂層４２０を設
けた、更に、リードの樹脂層４２０の一部に配線４３０
を設けたものである。図５（ａ）はインナーリード先端
部の上面を示したもので、図５（ｂ）はその一断面を示
したものであり、４１１、４３１はワイヤボンディング
部である。このようにすることにより、リードの本数を
増やすことができ（多ピンと同等）、各リード（インナ
ーリード４１０）は、樹脂層に覆われ、ノイズの影響が
受けにくい。本例の製造は、外形加工後に、第１の例
と、同様に、樹脂層４３０を形成し、この上に無電解め
っき層を形成した後、レジスト製版を行い、電解めっき
を施すことにより、配線層４３０、樹脂層４２０を形成
出来る。各部の材質については、第１の例、第２の例と
同様なものが使用できる。ワイヤボンディング部４１１
の露出はレーザ照射により行うことができる。

【００３０】次に、本発明の電子部材の実施の形態の第
４の例を図６に挙げて説明する。本例は、エッチング加
工あるいはプレス加工により外形加工した断面が四角状
のピン５００の端面５０５を、接続端子とするもので、
ピン５００は、その断面を図６（ｃ）に示すように、基
材５１０の表面部に樹脂層５２０を設け、更に、その表
面を無電解めっき層と電解めっき層をこの順に設けて形
成された導電性層５３０で覆っているものである。図６
（ａ）に示すように、ピン５００は封止用樹脂５４０等
により固定され、その端面側を端子部として、所定の接
続用端子として用いられる。この作製は、例えば、ピン
５００を多数、エッチングして外形加工した後、これを
束ね、ピン部分全体を樹脂封止し、更に両側を切断まて
は研磨することにより作製できる。尚、形状はこれに限
定はされない。ピン５００の端面５０５の配列は、図６
（ｂ）のように二次元的に配列される。各部の材質につ
いては、第１の例、第２の例と同様なものが使用でき
る。

【００３１】次に、本発明の電子部材の実施の形態の第
５の例の配線部材を図８（ｈ）に挙げて説明する。本例
の配線部材は、外形加工、孔開け加工された絶縁性の樹
脂層からなる基材をベース基材８１０とする電子部材
で、ベース基材８１０の一方面に無電解めっき層８４
１、電解めっき層８４２からなる導電性層８４０の配線
を設け、更に、ベース基材８１０の他方面にエッチング
形成された金属層８２０からなる配線を設け、且つ、導
電性層８４０の配線と、エッチング形成された金属層８
２０とを絶縁性の樹脂層の貫通孔部に設けられた導電性
層８４０を介して接続しているものである。本例の配線
部材は、半導体装置用基板や、各種インターポーザ等と
して使用することができる。本例の場合も、絶縁性の樹
脂層としては、例えば、天然系樹脂、アクリル系樹脂、
ポリエステル系樹脂、アルキッド樹脂、マレイン化油系
樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリア
ミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられるが、特
に、絶縁性、化学的安定性、強度等からポリイミド樹脂
であることが好ましい。金属層８２０としては、導電
性、コストの面から、銅単層あるいは銅を主体とするも
のが好ましいがこれに限定はされない。

【００３２】次いで、本例の配線部材の製造方法の１例
を図８に基づいて簡単に説明する。先ず、絶縁性の基材
８１０Ａの一面に金属層８２０を配設した積層材を用意
し（図８（ａ））、フォトリソ技術を用いたエッチング
加工により、絶縁性の基材８１０Ａに所定の外形加工、
孔開け加工を施し、ベース基材８１０を形成する。（図
８（ｂ））次いで、ベース基材８１０側表面部にウエットブラスト
処理を施した（図８（ｃ））後、ベース基材８１０側表
面部に無電解めっきを施し、無電解めっき層８４１を形
成する。（図８（ｄ））次いで、無電解めっき層８４１上に形成する配線形状に
合せた開口を有するレジスト８５０を形成した（図８
（ｅ））後、無電解めっき層８４１を給電層として、レ
ジストの開口部に電解めっきを施し、電解めっき層８４
２を形成する。（図８（ｆ））次いで、レジスト８５０を除去した（図８（ｇ））後、
ソフトエッチングにより、配線８４０を傷めないよう
に、露出した無電解めっき層８４１のみを除去し、目的
とする配線部材を形成する。（図８（ｈ））

【００３３】次に、本発明の電子部材の実施の形態の第
６の例の配線部材を図９（ｈ）に挙げて説明する。本例
の配線部材は、外形加工、孔開け加工された絶縁性の樹
脂からなる基材をベース基材９１０とする電子部材で、
ベース基材９１０の両面に無電解めっき層９４１を設
け、更にベース基材９１０の一面側に電解めっき層９４
２からなる導電性層９４０の配線を設け、且つ、電解め
っき層９４２にてベース基材９１０の貫通孔部を充填
し、配線形成側とは反対側に突き出る電解めっき層９４
２からなる端子部９４７を設けたものである。本例の配
線部材は、エリアアレイタイプの半導体装置用基板や、
各種インターポーザ、多層基板用部材等として使用する
ことができる。本例の場合も、絶縁性の樹脂としては、
例えば、天然系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系
樹脂、アルキッド樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタ
ジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポ
リイミド系樹脂等が挙げられるが、特に、絶縁性、化学
的安定性、強度等からポリイミド樹脂であることが好ま
しい。

【００３４】次いで、本例の配線部材の製造方法の１例
を図９に基づいて簡単に説明する。先ず、絶縁性の基材
９１０Ａを用意し（図９（ａ））、フォトリソ技術を用
いたエッチング加工により、絶縁性の基材９１０Ａに所
定の外形加工、孔開け加工を施し、ベース基材９１０を
形成する。（図９（ｂ））次いで、ベース基材９１０の両表面部にウエットブラス
ト処理９３０を施した（図９（ｃ））後、ベース基材９
１０の両表面部に無電解めっきを施し、無電解めっき層
９４１を形成する。（図９（ｄ））尚、図９（ｃ）では、ウエットブラスト処理９３０をベ
ース基材９１０の片面側から施す図を示してあるが、ベ
ース基材９１０の向きを替え両面にウエットブラスト処
理９３０を施す。次いで、無電解めっき層９４１上に形
成する配線形状、端子形状に合せた開口を有するレジス
ト９５０を形成した（図９（ｅ））後、無電解めっき層
９４１を給電層として、レジストの開口部に電解めっき
を施し、電解めっき層９４２を形成する。（図９
（ｆ））次いで、レジスト９５０を除去した（図９（ｇ））後、
ソフトッチングにより、配線９４０、端子９３７を傷め
ないように、露出した無電解めっき層９４１のみを除去
し、目的とする配線部材を形成する。（図９（ｈ））

【００３５】

【実施例】（実施例１）実施例１は、図１に示す、多層
配線基板作製用の配線基板１００、１０５を、図４に示
す製造方法により作製したものである。ここでは、配線
基板１００の作製のみを図１、図４に基づいて説明す
る。厚さ０．１ｍｍのステンレス基材１１０Ａ（図４
（ａ））を、エッチング加工にて、所定の形状に、且つ
所定の位置に所望の貫通孔（１１５）を設けたベース基
板１１０を用意しておく。（図４（ｂ））エッチング加工は、重クロム酸カリウムを感光剤とする
カゼインレジストを用い、ステンレス基材１１０Ａの両
面を覆った後、これを所定のパターン版を用い、高圧水
銀灯で所定の領域のみ露光し、現像し、硬膜処理、乾燥
等を経て、所定形状のレジストパターンを形成した後、
レジストの開口部に、塩化第二鉄溶液（４１ボーメ）を
吹き付けて、外形加工と孔開け加工を行ったものであ
る。次いで、洗浄処理等を経て、ベース基板１１０の表
面に、厚さ１２μｍのポリイミドフィルム（カネッカ
製、アピカリ）に４μｍの厚みでポリイミドワニス（三
井化学製、ＰＡＡ）を塗布したフィルムをベース基板に
ラミネートした。さらに、両面にポリイミドワニスをコ
ーティング、乾燥したのち、余分な樹脂を取り除くため
に、ドライフィルムを両面に設け、製版を行い、熱アル
カリでウェットエッチングを行なった。

【００３６】次いで、以下のウエットブラスト処理条件
により、ウエットブラスト処理を行い、樹脂層１２０の
表面を中心線平均粗さＲａが１μｍとなるように調整し
た。（ウエットブラスト処理条件）使用砥材アルミナビーズ＃１０００砥材濃度２０％ポンプ圧力２．０ｋｇ／ｃｍ² エアー圧力２．０ｋｇ／ｃｍ² 処理速度１５ｍｍ／ｓｅｃ投射距離２０ｍｍ投射角度９０°

【００３７】洗浄処理を施した後、表面粗度を調整され
た樹脂層１２０の表面部に以下〜のようにして、無
電解ニッケルめっきを行い厚さ０．３μｍのニッケル層
を得た。（図４（ｄ））センシタイザーＳ−１０Ｘ、５％水溶液（上村工業
製）、浸漬３分アクチベータＡ−１０Ｘ、５％水溶液（上村工業
製）、浸漬３分無電解Ｎｉめっき、ＮＰＲ−４（上村工業製）、８
０°Ｃ、浸漬１分

【００３８】次いで、耐めっき性のレジスト、ＰＭＥＲ
ＡＲ−９００（東京応化株式会社製）を用い、レジス
ト製版をベース基板の両面に施し、所定の形状に開口部
１８５を有するレジストパターン１８０を得た。（図４
（ｅ））配線部を形成するための領域と、ビアホールとその端子
を形成するための領域のみを開口１８５とした。製版条
件は以下の通りであった。塗布ディップコート、膜厚１５μｍプリベーク８５°Ｃ、３０分露光２００カウント現像５分リンス５分

【００３９】次いで、レジストパターンの開口から露出
した無電解めっき層（ニッケルめっき層）１３１上に、
下記のめっき条件にて、電解ニッケルめっきを施し、１
μｍの厚さの電解めっき層を形成し、更にその上に、下
記の条件にて、電解銅めっきを施し、１０μｍの厚さの
銅めっき層を形成し、無電解めっき層１３１と電解めっ
き層１３２とからなる導電性層１３０を得た。（図４
（ｆ））（ニッケルめっき条件）・ニッケルめっき浴組成硫酸ニッケル２８０ｇ／ｌ塩化ニッケル４５ｇ／ｌ硫酸３４ｇ／ｌｐＨ２．２〜５．５温度５０°Ｃ電流密度５分間５Ａ／ｄｍ² （硫酸銅めっき浴の組成）ＣｕＳｏ₄・５Ｈ₂Ｏ２００ｇ／ｌＨ₂Ｓｏ₄ ５０ｇ／ｌＨＣｌ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）電流密度１２分間４Ａ／ｄｍ²

【００４０】この後、レジスト１８０を所定の剥離液
（アセトン）にて剥離して、洗浄処理等を施した。（図
４（ｇ））

【００４１】次いで、無電解ニッケルめっき層をニムデ
ンリップＣ−１１により剥離した後、両面、０．５Ｋｇ
／ｃｍ²のエアー圧で、ウエットブラスト処理を行い、
表面に吸着している、触媒層を除去した。再度、無電解
めっきを施し、触媒の残留の有無を確認したところ、残
留は見られなかった。配線のピール強度を（アークテッ
ク社製、ＢＴ２４００）により、５００μｍ／ｓｅｃの
速度で９０°剥離させたところ、平均６ｇ／１００μｍ
の引張強度が得られた。

【００４２】次いで、露出した無電解ニッケルめっき層
を、エッチング液で除去し、所望の配線基板１００を得
た（図４（ｈ））同様にして、所望の配線基板１０５も得た。

【００４３】更に、得られた配線基板１００、１０５を
絶縁シート（プリプレグ）を用い、図２（ａ）に示すよ
うに重ね、位置合わせした後、真空型加熱加圧プレスを
用いて、１７０°Ｃ、４０Ｋｇ／ｃｍ²（樹脂圧）でプ
レスし積層体化して、多層配線基板１７０を得た。（図
２（ｂ））配線１３５と配線１３５Ａとの接続を確認したが、特に
異常は見られず、所望の多層配線基板１７０が得られ
た。

【００４４】（実施例２〜実施例５）実施例１におい
て、無電解ニッケルめっきを行うためのウエットブラス
ト条件を変えて、種々の樹脂層の粗さを得て、無電解め
っきを行い配線を形成した結果、以下の表１のようにな
った。尚、ウエットブラスト条件と、これに対応する樹
脂層の粗さ以外は、実施例１のように行った。ウエット
ブラスト液は実施例１と同じものを使用した。ピール強
度の測定も実施例１と同様に行った。

【００４５】

【表１】

【００４６】これより、ウエットブラスト処理により、
樹脂層の中心線平均粗さ０．１〜５μｍの範囲に制御す
ることにより、配線基板への配線形成が可能であること
が分かった。

【００４７】尚、参考として、市販のユーピレックスを
用いて、ウエットブラスト処理を同様にして行い、その
表面粗さと、ピール強度を確認した結果、表２に示すよ
うになった。ウエットブラスト液は実施例１と同じもの
を使用した。ピール強度の測定も実施例１と同様に行っ
た。

【００４８】

【表２】

【００４９】これより、ユーピレックスを配線用基板に
塗布して用いた場合にも、その上への配線形成は、上記
実施例１と同様可能と判断される。

【００５０】（実施例６）実施例６は、実施例１におけ
る樹脂層の形成に代え、以下のようにして、ベース基材
の表面に絶縁性の樹脂層を形成したものである。他の各
処理は実施例１と同じである。下記のポリイミドワニス
を、ベース基材の両面からスクリーン印刷し、温度２５
０℃で６０分間熱処理して、ベース基材の表裏を覆い、
所定の貫通孔部を埋めるように、ポリイミド層からなる
絶縁性の樹脂層を形成し、更に、前記所定の貫通孔部を
レーザ光（ＹＡＧレーザ光）にて、孔部壁面を絶縁性の
樹脂層が覆うようにして、且つ孔開けして、図４（ｃ）
に示すようにベース基材の表面に絶縁性の樹脂層を形成
した。尚、ウエットブラストによる絶縁性の樹脂層の中
心線平均粗さはＲａ＝０. ２μｍとした。その他につい
ては実施例１と同様に各処理を行なった。ポリイミド印刷ワニスセントラル硝子製ＦＰＰ−３０１０作製された配線部材については、実施例１と同様、良好
なピール強度判定（配線状態○）が得られた。

【００５１】（実施例７）実施例７は、図８（ｈ）に示
す配線部材を作製した例で、厚さ２５μｍのポリイミド
フィルムの一面に、厚さ１８μｍの銅箔を積層した基材
（株式会社東レ製、銅貼りポリイミドフィルム）を用
い、配線部材を形成したものである。図８に基づいて説
明する。先ず、上記ポリイミドフィルムからなる絶縁性
の基材８１０Ａの一面に銅層からなる金属層８２０を配
設した積層基材を用意し（図８（ａ））、その絶縁性の
基材８１０Ａに対し、レジスト製版によるエッチング加
工を行い、所定の外形加工、孔開け加工を施し、ベース
基材８１０を形成した。（図８（ｂ））レジストとしては、ＡＸ−１１０−４０（旭化成株式会
社製）を用い、エッチング液としては、熱アルカリ（８
０℃、５％水酸化ナトリウム）を用いた。次いで、実施
例１と同様に、ベース基材８１０側表面部にウエットブ
ラスト処理を施した（図８（ｃ））後、ベース基材８１
０側表面部に無電解めっきを施し、無電解めっき層８４
１を形成した。（図８（ｄ））本例では、ウエットブラストによる絶縁性の樹脂層の中
心線平均粗さＲａは０. １５μｍとした。無電解めっき
条件は実施例１と同じとした。次いで、形成する配線に
合せた開口を有するレジスト８５０（ＰＭＥＲＡＲ−
９００（東京応化株式会社製）を厚さ２０μｍに無電解
めっき層上に形成した（図８（ｅ））後、電解めっきを
行い、無電解メッキ層８４１上に電解めっき層８４２を
形成した。（図８（ｆ））電解めっきも実施例１と同様に行い、１μｍの厚さの電
解ニッケルめっき層を下引きとし、その上に、１０μｍ
の厚さの電解銅めっき層を形成した。尚、実施３例で
は、レジスト８５０の塗布は実施例１と同様にディッピ
ングにて行い、金属層８２０表面はレジスト８５０で覆
ったまま電解めっきを行なった。次いで、レジスト８５
０を所定液で剥離除去した後、耐エッチング性のレジス
トとして、ドライフィルムレジストＡＸ１１０、３０μ
ｍ厚（旭化成工業製）をその両面に配設し、金属層８２
０側を形成する配線にあわせた開口を有するレジストと
し、反対側（電解めっき層８４２側）を覆った状態とし
て、塩化第二鉄液でエッチングを行い、レジストの下記
項から露出している金属層を除去し、配線を形成した。
（図８（ｇ））次いで、耐エッチング性のレジストを所定液で除去し、
目的とする配線部材を得た。（図８（ｈ））作製された配線部材の電解めっき層８４２を含む配線に
ついては、実施例１と同様、良好なピール強度判定（配
線状態○）が得られた。

【００５２】（実施例８）実施例８は、図９（ｈ）に示
す配線部材を作製した例で、厚さ２５μｍのポリイミド
フィルム（カネカ製、アピカル）の両面に三井化学製、
ＰＡＡを４μｍの厚みで、それぞれ塗布し、２５０℃、
６０分乾燥した基材９１０Ａを用い、配線部材を形成し
たものである。図９に基づいて説明する。先ず、上記絶
縁性の基材９１０Ａを用意し（図９（ａ））、実施例７
と同様にして、その絶縁性の基材９１０Ａに対し、レジ
スト製版によるエッチング加工を行い、所定の外形加
工、孔開け加工を施し、ベース基材８１０を形成した。
（図９（ｂ））図９（ｂ）が図４（ｃ）に対応するもので、以下、実施
例１と同様にして、各処理を行い、図９（ｈ）に示す配
線部材を形成した。ウエットブラスト処理によるベース
基材９１０の表面を中心線平均粗さＲａは実施例とほぼ
同じ約１μｍとなった。作製された配線部材について
は、実施例１と同様、良好なピール強度判定（配線状態
○）が得られた。

【００５３】

【発明の効果】本発明は、上記のように、第１には、半
導体周辺部材である電子部材において、配線の高精細化
を可能とするとともに、低ノイズ化、あるいは高放熱性
の電子部材の提供を可能とした。そして、第２には、多
層配線を比較的に簡単にできる電子部材の提供を可能と
した。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部材の実施の形態の第１の例の、
多層配線基板作製用の配線基板示した一部断面図

【図２】多層配線基板の作製を説明するための断面図

【図３】図３（ａ）は本発明の電子部材の実施の形態の
第２の例の半導体装置用の配線基板を示した断面図で、
図３（ｂ）は半導体装置の断面図である。

【図４】第１の例の配線基板の製造するための工程断面
図

【図５】本発明の電子部材の実施の形態の第３の例のリ
ードフレームの、インナーリード先端部の図

【図６】本発明の電子部材の実施の形態の第４の例の接
続用ピンを説明するための図

【図７】ビルトアップ基板の一部断面図

【図８】図８（ｈ）は本発明の電子部材の実施の形態の
第７の例の配線部材を示した一部断面図で、図８（ａ）
〜図８（ｈ）はその工程断面図である。

【図９】図９（ｈ）は本発明の電子部材の実施の形態の
第８の例の配線部材を示した一部断面図で、図９（ａ）
〜図９（ｈ）はその工程断面図である。

【符号の説明】

１００、１０５配線基板１１０、１１０Ｂベース基材（単に基材と
もう言う）１１０Ａ基材１１５、１１５Ｂ基材の孔部１２０、１２０Ｂ樹脂層１３０、１３０Ｂ導電性層１３１、１３１Ｂ無電解めっき層１３２、１３２Ｂ電解めっき層１３５、１３５Ａ、１３５Ｂ配線部１３６、１３６Ｂビアホール１３７、１３７Ｂ端子部１５０絶縁性樹脂シート１７０多層配線基板１８０レジスト１８５開口２１０配線基板２１１半導体素子２１２端子部４１０インナーリード４１１ワイヤボンディング面４２０樹脂層４３０配線（リード）５００ピン５０５端面５１０ベース基材（基材）５２０樹脂層５３０導電性層５４０封止用樹脂８１０ベース基材８１０Ａ基材８２０金属層８３０ウエットブラスト８４０導電性層８４１無電解めっき層８４２電解めっき層８５０レジスト９１０ベース基材９１０Ａ基材９２０金属層９３０ウエットブラスト９４０導電性層９４１無電解めっき層９４２電解めっき層９５０レジスト９３６ビアホール９３７端子部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ａ 3/46 3/46 ＧＮ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外形加工あるいは孔開け加工され、且つ
表面部が絶縁性の樹脂からなる基材をベース基材とする
電子部材であって、前記絶縁性の樹脂の表面部の全面に
あるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からな
る導電性層を設けていることを特徴とする電子部材。
【請求項２】エッチング加工法、プレス加工法、めっ
き加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された
導電性の基材をベース基材とする電子部材であって、導
電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、
樹脂層の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき
層、電解めっき層からなる導電性層を設けていることを
特徴とする電子部材。
【請求項３】請求項１の絶縁性の樹脂、あるいは請求
項２における絶縁性の樹脂層の、無電解めっき層と接す
る面は、その表面粗度をウエットブラスト処理により調
整されていることを特徴とする電子部材。
【請求項４】請求項３において、調整された表面粗度
が、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲で
あることを特徴とする電子部材。
【請求項５】請求項１ないし４において、半導体装置
用リードフレーム、半導体装置用基板、各種接続端子部
の１つを形成するための電子部材であることを特徴とす
る電子部材。
【請求項６】外形加工あるいは孔開け加工され、且つ
表面部が絶縁性の樹脂からなる基材をベース基材とする
電子部材で、前記絶縁性の樹脂の表面部の全面にあるい
は一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電
性層を設けている電子部材を、製造するための電子部材
の製造方法であって、（Ａ）絶縁性の樹脂の表面粗度を
調整するウエットブラスト処理を施す、ウエットブラス
ト処理工程と、（Ｂ）基材の表面部に、無電解めっきを
施し、無電解めっき層を形成する無電解めっき処理工程
と、（Ｃ）無電解めっき層上全面にあるいは一部に電解
めっきにより電解めっき層を形成する電解めっき処理工
程とを有することを特徴とする電子部材の製造方法。
【請求項７】エッチング加工法、プレス加工法、めっ
き加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された
導電性の基材をベース基材とする電子部材で、導電性の
基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層
の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電
解めっき層からなる導電性層を設けている電子部材を、
製造するための電子部材の製造方法であって、（ａ）エ
ッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等によ
り、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材の
表面部に、絶縁性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程
と、（ｂ）導電性の基材の表面部に形成された樹脂層の
表面粗度を調整するウエットブラスト処理を施す、ウエ
ットブラスト処理工程と、（ｃ）絶縁性の樹脂層により
被膜された導電性の基材の表面部に、無電解めっきを施
し、無電解めっき層を形成する無電解めっき処理工程
と、（ｄ）無電解めっき層上全面にあるいは一部に電解
めっきにより電解めっき層を形成する電解めっき処理工
程とを有することを特徴とする電子部材の製造方法。
【請求項８】請求項６ないし７において、無電解めっ
き処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に
所定領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジ
ストパターニング工程と、レジストの開口から露出した
無電解めっき層上に電解めっきを施す、電解めっき処理
工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出
している無電解めっき層をエッチング除去するエッチン
グ工程とを行うことを特徴とする電子部材の製造方法。
【請求項９】請求項８において、孔開け加工された導
電性の基材をベース基材とし、基材を被膜する樹脂層の
表面部の一部に、無電解めっき層、電解めっき層からな
る導電性層を配線とする配線部を設けている配線基板を
形成するもので、無電解めっき処理工程の後、導電性の
基材の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導
電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレ
ジストを設けるレジストパターニング工程と、レジスト
の開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施
し、基材の孔部を埋める電解めっき処理を施す電解めっ
き処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程
と、露出している無電解めっき層をエッチング除去する
エッチング工程とを行うことを特徴とする電子部材の製
造方法。
【請求項１０】請求項９において、配線基板は、孔部
の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層をビアホ
ールとして、該配線基板同志を複数層積層するための、
多層配線基板作製用の配線基板であることを特徴とする
電子部材の製造方法。
【請求項１１】請求項９において、配線基板は、配線
部形成側と反対側の、孔部の無電解めっきと電解めっき
からなる導電性層形成部分を外部端子とする半導体装置
用配線基板であることを特徴とする電子部材の製造方
法。
【請求項１２】請求項６ないし１１において、ウエッ
トブラスト処理は、請求項６あるいは８の絶縁性の樹
脂、あるいは請求項７ないし１１における絶縁性の樹脂
層の表面粗度を、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５
μｍの範囲に調整するものであることを特徴とする電子
部材の製造方法。
【請求項１３】請求項８ないし１２において、露出し
ている無電解めっき層をエッチング除去するエッチング
工程の後に、更に、ウエットブラスト処理を施すことを
特徴とする電子部材の製造方法。