JPH1012619A - 外部接続用電極の製造方法及び外部接続用電極及び 半導体装置 - Google Patents
外部接続用電極の製造方法及び外部接続用電極及び 半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は半導体素子のアクティブ領域上に外
部接続用電極を形成する外部接続用電極の製造方法及び
外部接続用電極及び半導体装置に関し、外部接続用電極
を安価に形成することを課題とする。 【解決手段】第１の配線層４を有する半導体素子１上
に、第２の配線層５と電極形成部６とにより構成される
外部接続用電極１１を形成する外部接続用電極の製造方
法において、第１の配線層４を有する半導体素１子上に
第２の配線層５と接続される接続部８を除いて第１の絶
縁膜７を形成する第１の絶縁膜形成工程と、第１の絶縁
膜７上に第１の配線層４と接続する導体膜１０の少なく
とも一部を無電解めっき法にて形成した後、この導体膜
１０をパターニングを行うことにより第２の配線層５を
形成する第２の配線層形成工程と、電極形成部６を除い
て第２の配線層５上に第２の絶縁膜１３を形成する第２
の絶縁膜形成工程とを有する。
部接続用電極を形成する外部接続用電極の製造方法及び
外部接続用電極及び半導体装置に関し、外部接続用電極
を安価に形成することを課題とする。 【解決手段】第１の配線層４を有する半導体素子１上
に、第２の配線層５と電極形成部６とにより構成される
外部接続用電極１１を形成する外部接続用電極の製造方
法において、第１の配線層４を有する半導体素１子上に
第２の配線層５と接続される接続部８を除いて第１の絶
縁膜７を形成する第１の絶縁膜形成工程と、第１の絶縁
膜７上に第１の配線層４と接続する導体膜１０の少なく
とも一部を無電解めっき法にて形成した後、この導体膜
１０をパターニングを行うことにより第２の配線層５を
形成する第２の配線層形成工程と、電極形成部６を除い
て第２の配線層５上に第２の絶縁膜１３を形成する第２
の絶縁膜形成工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は外部接続用電極の製
造方法及び外部接続用電極及び半導体装置に係り、特に
半導体素子のアクティブ領域上に外部接続用電極を形成
する外部接続用電極の製造方法及び外部接続用電極及び
半導体装置に関する。
造方法及び外部接続用電極及び半導体装置に係り、特に
半導体素子のアクティブ領域上に外部接続用電極を形成
する外部接続用電極の製造方法及び外部接続用電極及び
半導体装置に関する。
【０００２】近年、半導体素子に設けられる外部接続用
電極の電極配置は半導体素子の高密度化に伴い狭ピッチ
化が進んでおり、よって隣接する外部接続端子間でショ
ートが発生しないよう外部接続用電極を配置する必要が
ある。一方、半導体素子の外部接続用電極をリード等に
接続する実装方式としては、一般にワイヤボンディング
方式またはフリップチップホンディング方式が用いられ
ている。しかるに、幅広いニーズに対応するため、ワイ
ヤボンディング方式にて使用する半導体素子のアクティ
ブ領域（即ち、回路形成領域）上にバンプ電極を形成す
ると共に、このバンプ電極と半導体素子外周に形成され
たワイヤボンディング用電極とを引出し用の配線層にて
接続することにより、フリップチップボンディングを可
能とする方法も提案されている。
電極の電極配置は半導体素子の高密度化に伴い狭ピッチ
化が進んでおり、よって隣接する外部接続端子間でショ
ートが発生しないよう外部接続用電極を配置する必要が
ある。一方、半導体素子の外部接続用電極をリード等に
接続する実装方式としては、一般にワイヤボンディング
方式またはフリップチップホンディング方式が用いられ
ている。しかるに、幅広いニーズに対応するため、ワイ
ヤボンディング方式にて使用する半導体素子のアクティ
ブ領域（即ち、回路形成領域）上にバンプ電極を形成す
ると共に、このバンプ電極と半導体素子外周に形成され
たワイヤボンディング用電極とを引出し用の配線層にて
接続することにより、フリップチップボンディングを可
能とする方法も提案されている。
【０００３】この方法によれば、同一の半導体素子に最
終工程でバンプ電極及び引出し用の配線層を形成する工
程を追加するだけで任意の実装方式を可能とすることが
でき、半導体素子に対する幅広いニーズに対応すること
ができる。
終工程でバンプ電極及び引出し用の配線層を形成する工
程を追加するだけで任意の実装方式を可能とすることが
でき、半導体素子に対する幅広いニーズに対応すること
ができる。
【０００４】
【従来の技術】一般にワイヤボンディング方式の半導体
素子は、アクティブ領域の外周位置に外部接続用電極
（電極パッド）が形成された構成とされている。これに
対し、フリップチップホンディング方式の半導体素子
は、電極ピッチを広くするためにアクティブ領域上にも
外部接続用電極（バンプ電極）が形成された構成とされ
ている。
素子は、アクティブ領域の外周位置に外部接続用電極
（電極パッド）が形成された構成とされている。これに
対し、フリップチップホンディング方式の半導体素子
は、電極ピッチを広くするためにアクティブ領域上にも
外部接続用電極（バンプ電極）が形成された構成とされ
ている。
【０００５】従って、ワイヤボンディング方式の半導体
素子にバンプ電極を形成するには、アクティブ領域上に
絶縁膜を形成すると共に、この絶縁膜上に電極パッドか
らバンプ電極形成位置まで引出し用の配線層を形成し、
この配線層上にバンプ電極を形成する。この配線層及び
バンプ電極の形成工程は、ワイヤボンディング方式の半
導体素子の製造工程が終了した後に追加工程として実施
される。
素子にバンプ電極を形成するには、アクティブ領域上に
絶縁膜を形成すると共に、この絶縁膜上に電極パッドか
らバンプ電極形成位置まで引出し用の配線層を形成し、
この配線層上にバンプ電極を形成する。この配線層及び
バンプ電極の形成工程は、ワイヤボンディング方式の半
導体素子の製造工程が終了した後に追加工程として実施
される。
【０００６】よって、この追加工程を選択的に実施する
ことにより、同一構造の半導体素子においてワイヤボン
ディング方式の半導体素子とフリップチップホンディン
グ方式の半導体素子とを選択的に形成することが可能と
なり、幅広いニーズに対応することができる。
ことにより、同一構造の半導体素子においてワイヤボン
ディング方式の半導体素子とフリップチップホンディン
グ方式の半導体素子とを選択的に形成することが可能と
なり、幅広いニーズに対応することができる。
【０００７】従来、この追加工程において外部接続用電
極を構成する配線層を形成する方法としてはスパッタリ
ング法が用いられていた。具体的には、半導体素子に形
成されたアクティブ領域上に先ず絶縁膜を形成し、続い
てこの絶縁膜上の全面にチタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎ
ｉ）等をスパッタにて形成し、その後にパターニング処
理（レジスト塗布，露光，エッチング，レジスト剥離等
の処理）を実施することにより、所定パターンを有した
配線層を形成する方法が採用されていた。
極を構成する配線層を形成する方法としてはスパッタリ
ング法が用いられていた。具体的には、半導体素子に形
成されたアクティブ領域上に先ず絶縁膜を形成し、続い
てこの絶縁膜上の全面にチタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎ
ｉ）等をスパッタにて形成し、その後にパターニング処
理（レジスト塗布，露光，エッチング，レジスト剥離等
の処理）を実施することにより、所定パターンを有した
配線層を形成する方法が採用されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来では上
記のようにスパッタリング法により配線層を形成する方
法が用いられていたため、設備的には高価なスパッタリ
ング装置が必要となり、かつランニングコスト的にも非
常に高価なプロセスとなってしまうという問題点があっ
た。
記のようにスパッタリング法により配線層を形成する方
法が用いられていたため、設備的には高価なスパッタリ
ング装置が必要となり、かつランニングコスト的にも非
常に高価なプロセスとなってしまうという問題点があっ
た。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、外部接続用電極を安価に形成しうる外部接続用電
極の製造方法及び外部接続用電極及び半導体装置を提供
することを目的とする。
あり、外部接続用電極を安価に形成しうる外部接続用電
極の製造方法及び外部接続用電極及び半導体装置を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題は、下記の
手段を講じることにより解決することができる。請求項
１記載の発明では、第１の配線層を有する半導体素子上
に、第２の配線層と電極形成部とにより構成される外部
接続用電極を形成する外部接続用電極の製造方法におい
て、前記第１の配線層を有する半導体素子上に前記第２
の配線層と接続される接続部を除いて第１の絶縁膜を形
成する第１の絶縁膜形成工程と、前記第１の絶縁膜上に
前記第１の配線層と接続する導体膜の少なくとも一部を
無電解めっき法にて形成した後、前記導体膜をパターニ
ングを行うことにより第２の配線層を形成する第２の配
線層形成工程と、電極形成部を除いて前記第２の配線層
上に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程とを
有することを特徴とするものである。
手段を講じることにより解決することができる。請求項
１記載の発明では、第１の配線層を有する半導体素子上
に、第２の配線層と電極形成部とにより構成される外部
接続用電極を形成する外部接続用電極の製造方法におい
て、前記第１の配線層を有する半導体素子上に前記第２
の配線層と接続される接続部を除いて第１の絶縁膜を形
成する第１の絶縁膜形成工程と、前記第１の絶縁膜上に
前記第１の配線層と接続する導体膜の少なくとも一部を
無電解めっき法にて形成した後、前記導体膜をパターニ
ングを行うことにより第２の配線層を形成する第２の配
線層形成工程と、電極形成部を除いて前記第２の配線層
上に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程とを
有することを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項２記載の発明では、請求項１
記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第２の
配線層形成工程の実施中又は実施した後に、前記第２の
配線層上の前記電極形成部に突起電極を形成する突起電
極形成工程を実施することを特徴とするものである。
記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第２の
配線層形成工程の実施中又は実施した後に、前記第２の
配線層上の前記電極形成部に突起電極を形成する突起電
極形成工程を実施することを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項３記載の発明では、請求項１
又は２記載の外部接続用電極の製造方法において、少な
くとも前記第２の配線層形成工程を実施する前に、前記
第１の配線層に第１の保護膜を形成することを特徴とす
るものである。
又は２記載の外部接続用電極の製造方法において、少な
くとも前記第２の配線層形成工程を実施する前に、前記
第１の配線層に第１の保護膜を形成することを特徴とす
るものである。
【００１３】また、請求項４記載の発明では、請求項１
乃至３のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第２の絶縁膜形成工程を実施した後に、前
記第２の配線層上の前記電極形成部に導電性材料よりな
る第２の保護膜を形成する保護膜形成工程を設けたこと
を特徴とするものである。
乃至３のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第２の絶縁膜形成工程を実施した後に、前
記第２の配線層上の前記電極形成部に導電性材料よりな
る第２の保護膜を形成する保護膜形成工程を設けたこと
を特徴とするものである。
【００１４】また、請求項５記載の発明では、請求項１
乃至３のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第２の配線層形成工程で前記導体膜を形成
した後、前記導体膜上に導電性材料よりなる第２の保護
膜を形成し、前記導体膜を前記第２の保護膜と共にパタ
ーニングを行うことにより第２の配線層を形成すること
を特徴とするものである。
乃至３のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第２の配線層形成工程で前記導体膜を形成
した後、前記導体膜上に導電性材料よりなる第２の保護
膜を形成し、前記導体膜を前記第２の保護膜と共にパタ
ーニングを行うことにより第２の配線層を形成すること
を特徴とするものである。
【００１５】また、請求項６記載の発明では、請求項１
乃至５のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第２の配線層形成工程で、先ず下地めっき
層を無電解めっきにより形成し、続いて前記下地めっき
層をめっき用電極として前記下地めっき層上に上部めっ
き層を電解めっきにより形成することにより第２の配線
層を形成することを特徴とするものである。
乃至５のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第２の配線層形成工程で、先ず下地めっき
層を無電解めっきにより形成し、続いて前記下地めっき
層をめっき用電極として前記下地めっき層上に上部めっ
き層を電解めっきにより形成することにより第２の配線
層を形成することを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項７記載の発明では、請求項１
乃至６のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第１の絶縁膜形成工程と前記第２の配線層
形成工程との間に、前記第１の絶縁膜形成工程において
形成された前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる粗化工
程を設けたことを特徴とするものである。
乃至６のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法に
おいて、前記第１の絶縁膜形成工程と前記第２の配線層
形成工程との間に、前記第１の絶縁膜形成工程において
形成された前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる粗化工
程を設けたことを特徴とするものである。
【００１７】また、請求項８記載の発明では、請求項７
記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗化工
程は、前記第１の絶縁膜を形成する樹脂材料を溶解する
溶液の希薄溶液を用いて前記第１の絶縁膜を浸食させる
ことにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる処理
であることを特徴とするものである。
記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗化工
程は、前記第１の絶縁膜を形成する樹脂材料を溶解する
溶液の希薄溶液を用いて前記第１の絶縁膜を浸食させる
ことにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる処理
であることを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項９記載の発明では、請求項７
記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗化工
程は、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後、形成さ
れた前記第１の絶縁膜の表面に対しブラスト加工を実施
することにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる
処理であることを特徴とするものである。
記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗化工
程は、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後、形成さ
れた前記第１の絶縁膜の表面に対しブラスト加工を実施
することにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる
処理であることを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項１０記載の発明では、請求項
１乃至９のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法
において、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後で、
かつ前記第２の配線層の実施前に、前記接続部における
前記第１の配線層の露出面積よりも狭い面積の接続用開
口部を有する第３の絶縁性膜を前記第１の絶縁膜上に形
成する第３の絶縁性膜形成工程を設けたことを特徴とす
るものである。
１乃至９のいずれかに記載の外部接続用電極の製造方法
において、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後で、
かつ前記第２の配線層の実施前に、前記接続部における
前記第１の配線層の露出面積よりも狭い面積の接続用開
口部を有する第３の絶縁性膜を前記第１の絶縁膜上に形
成する第３の絶縁性膜形成工程を設けたことを特徴とす
るものである。
【００２０】また、請求項１１記載の発明では、請求項
１０記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第
３の絶縁性膜としてアルカリ可溶性無機物を含有した樹
脂材を用いると共に、前記第２の配線層形成工程におい
て前記第２の配線層を無電解めっきする際に、前記アル
カリ可溶性無機物を溶解することを特徴とするものであ
る。
１０記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第
３の絶縁性膜としてアルカリ可溶性無機物を含有した樹
脂材を用いると共に、前記第２の配線層形成工程におい
て前記第２の配線層を無電解めっきする際に、前記アル
カリ可溶性無機物を溶解することを特徴とするものであ
る。
【００２１】また、請求項１２記載の発明に係る外部接
続用電極は、請求項１乃至１１の外部接続用電極の製造
方法により製造されることを特徴とするものである。ま
た、請求項１３記載の発明に係る半導体装置は、請求項
１２記載の外部接続用電極を具備することを特徴とする
ものである。
続用電極は、請求項１乃至１１の外部接続用電極の製造
方法により製造されることを特徴とするものである。ま
た、請求項１３記載の発明に係る半導体装置は、請求項
１２記載の外部接続用電極を具備することを特徴とする
ものである。
【００２２】また、請求項１４記載の発明では、第１の
配線層を有する半導体素子上に、第２の配線層と電極形
成部とにより構成される外部接続用電極を形成する外部
接続用電極の製造方法において、前記第１の配線層を有
する半導体素子上に前記第２の配線層と接続される接続
部を除いて第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工
程と、前記第１の絶縁膜上に、前記第２の配線層が形成
される第２の配線層形成位置を除きレジストを形成する
レジスト形成工程と、無電解めっき法にて前記第２の配
線層形成位置に第２の配線層を形成する第２の配線層形
成工程と、電極形成部を除いて前記第２の配線層上に第
２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程とを有する
ことを特徴とするものである。
配線層を有する半導体素子上に、第２の配線層と電極形
成部とにより構成される外部接続用電極を形成する外部
接続用電極の製造方法において、前記第１の配線層を有
する半導体素子上に前記第２の配線層と接続される接続
部を除いて第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工
程と、前記第１の絶縁膜上に、前記第２の配線層が形成
される第２の配線層形成位置を除きレジストを形成する
レジスト形成工程と、無電解めっき法にて前記第２の配
線層形成位置に第２の配線層を形成する第２の配線層形
成工程と、電極形成部を除いて前記第２の配線層上に第
２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【００２３】また、請求項１５記載の発明では、請求項
１４記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第
２の配線層形成工程の実施中又は実施した後に、前記第
２の配線層上の前記電極形成部に突起電極を形成する突
起電極形成工程を実施することを特徴とするものであ
る。
１４記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第
２の配線層形成工程の実施中又は実施した後に、前記第
２の配線層上の前記電極形成部に突起電極を形成する突
起電極形成工程を実施することを特徴とするものであ
る。
【００２４】また、請求項１６記載の発明では、請求項
１４又は１５記載の外部接続用電極の製造方法におい
て、少なくとも前記第２の配線層形成工程を実施する前
に、前記第１の配線層に第１の保護膜を形成することを
特徴とするものである。
１４又は１５記載の外部接続用電極の製造方法におい
て、少なくとも前記第２の配線層形成工程を実施する前
に、前記第１の配線層に第１の保護膜を形成することを
特徴とするものである。
【００２５】また、請求項１７記載の発明では、請求項
１４乃至１６のいずれかに記載の外部接続用電極の製造
方法において、前記第２の絶縁膜形成工程を実施した後
に、前記第２の配線層上の前記電極形成部に導電性材料
よりなる第２の保護膜を形成する保護膜形成工程を設け
たことを特徴とするものである。
１４乃至１６のいずれかに記載の外部接続用電極の製造
方法において、前記第２の絶縁膜形成工程を実施した後
に、前記第２の配線層上の前記電極形成部に導電性材料
よりなる第２の保護膜を形成する保護膜形成工程を設け
たことを特徴とするものである。
【００２６】また、請求項１８記載の発明では、請求項
１４乃至１７のいずれかに記載の外部接続用電極の製造
方法において、前記第１の絶縁膜形成工程と前記第２の
配線層形成工程との間に、前記第１の絶縁膜形成工程に
おいて形成された前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる
粗化工程を設けたことを特徴とするものである。
１４乃至１７のいずれかに記載の外部接続用電極の製造
方法において、前記第１の絶縁膜形成工程と前記第２の
配線層形成工程との間に、前記第１の絶縁膜形成工程に
おいて形成された前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる
粗化工程を設けたことを特徴とするものである。
【００２７】また、請求項１９記載の発明では、請求項
１８記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗
化工程は、前記第１の絶縁膜を形成する樹脂材料を溶解
する溶液の希薄溶液を用いて前記第１の絶縁膜を浸食さ
せることにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる
処理であることを特徴とするものである。
１８記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗
化工程は、前記第１の絶縁膜を形成する樹脂材料を溶解
する溶液の希薄溶液を用いて前記第１の絶縁膜を浸食さ
せることにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる
処理であることを特徴とするものである。
【００２８】また、請求項２０記載の発明では、請求項
１８記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗
化工程は、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後、形
成された前記第１の絶縁膜の表面に対しブラスト加工を
実施することにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化さ
せる処理であることを特徴とするものである。
１８記載の外部接続用電極の製造方法において、前記粗
化工程は、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後、形
成された前記第１の絶縁膜の表面に対しブラスト加工を
実施することにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化さ
せる処理であることを特徴とするものである。
【００２９】また、請求項２１記載の発明では、請求項
１４乃至２０のいずれかに記載の外部接続用電極の製造
方法において、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後
で、かつ前記第２の配線層の実施前に、前記電極形成部
における前記第１の配線層の露出面積よりも狭い面積の
接続用開口部を有する第３の絶縁性膜を前記第１の絶縁
膜上に形成する第３の絶縁性膜形成工程を設けたことを
特徴とするものである。
１４乃至２０のいずれかに記載の外部接続用電極の製造
方法において、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後
で、かつ前記第２の配線層の実施前に、前記電極形成部
における前記第１の配線層の露出面積よりも狭い面積の
接続用開口部を有する第３の絶縁性膜を前記第１の絶縁
膜上に形成する第３の絶縁性膜形成工程を設けたことを
特徴とするものである。
【００３０】また、請求項２２記載の発明では、請求項
２１記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第
３の絶縁性膜としてアルカリ可溶性無機物を含有した樹
脂材を用いると共に、前記第２の配線層形成工程におい
て前記第２の配線層を無電解めっきする際に、前記アル
カリ可溶性無機物を溶解することを特徴とするものであ
る。
２１記載の外部接続用電極の製造方法において、前記第
３の絶縁性膜としてアルカリ可溶性無機物を含有した樹
脂材を用いると共に、前記第２の配線層形成工程におい
て前記第２の配線層を無電解めっきする際に、前記アル
カリ可溶性無機物を溶解することを特徴とするものであ
る。
【００３１】また、請求項２２記載の発明に係る外部接
続用電極は、請求項１４乃至２２の外部接続用電極の製
造方法により製造されることを特徴とするものである。
更に、請求項２２記載の発明に係る半導体装置は、請求
項２３記載の外部接続用電極を具備することを特徴とす
るものである。
続用電極は、請求項１４乃至２２の外部接続用電極の製
造方法により製造されることを特徴とするものである。
更に、請求項２２記載の発明に係る半導体装置は、請求
項２３記載の外部接続用電極を具備することを特徴とす
るものである。
【００３２】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１，請求項１４，請求項１２，及び請求項２３記
載の発明によれば、第２の配線層形成工程において第２
の配線層となる導体膜を形成する方法として無電解めっ
き法を用いてる。めっき法（無電解めっき法及び電解め
っき法を含む）は、従来実施されていたスパッタリング
法に比べて製造設備が容易で、かつランニングコストが
安価である。このため、外部接続用電極を安価に製造す
ることが可能となる。
請求項１，請求項１４，請求項１２，及び請求項２３記
載の発明によれば、第２の配線層形成工程において第２
の配線層となる導体膜を形成する方法として無電解めっ
き法を用いてる。めっき法（無電解めっき法及び電解め
っき法を含む）は、従来実施されていたスパッタリング
法に比べて製造設備が容易で、かつランニングコストが
安価である。このため、外部接続用電極を安価に製造す
ることが可能となる。
【００３３】また、請求項２及び請求項１５記載の発明
によれば、突起電極形成工程において第２の配線層上の
電極形成部に突起電極を形成することにより、フリップ
チップ実装が可能な外部接続用電極を実現することがで
きる。
によれば、突起電極形成工程において第２の配線層上の
電極形成部に突起電極を形成することにより、フリップ
チップ実装が可能な外部接続用電極を実現することがで
きる。
【００３４】また、請求項３及び請求項１６記載の発明
によれば、少なくとも第２の配線層形成工程を実施する
前に第１の配線層に第１の保護膜を形成することによ
り、第２の配線層形成工程においてめっき処理を行う
際、めっき液により第１の配線層が損傷することを防止
することができる。
によれば、少なくとも第２の配線層形成工程を実施する
前に第１の配線層に第１の保護膜を形成することによ
り、第２の配線層形成工程においてめっき処理を行う
際、めっき液により第１の配線層が損傷することを防止
することができる。
【００３５】また、請求項４及び請求項１７記載の発明
によれば、第２の絶縁膜形成工程を実施した後に、保護
膜形成工程において第２の配線層上の電極形成部に導電
性材料よりなる第２の保護膜を形成することにより、第
２の配線層が酸化等により劣化することを防止すること
ができる。
によれば、第２の絶縁膜形成工程を実施した後に、保護
膜形成工程において第２の配線層上の電極形成部に導電
性材料よりなる第２の保護膜を形成することにより、第
２の配線層が酸化等により劣化することを防止すること
ができる。
【００３６】また、請求項５記載の発明によれば、第２
の配線層形成工程で形成される導体膜上に導電性材料よ
りなる第２の保護膜を形成し、導体膜を第２の保護膜と
共にパターニングを行うことにより、導体膜と第２の保
護膜とを別個にパターニング処理する方法に比べて工程
の簡略化を図ることができる。
の配線層形成工程で形成される導体膜上に導電性材料よ
りなる第２の保護膜を形成し、導体膜を第２の保護膜と
共にパターニングを行うことにより、導体膜と第２の保
護膜とを別個にパターニング処理する方法に比べて工程
の簡略化を図ることができる。
【００３７】また、請求項６記載の発明によれば、第２
の配線層形成工程で、先ず下地めっき層を無電解めっき
により形成し、続いてこの下地めっき層をめっき用電極
としてその上部に上部めっき層を電解めっきにより形成
することにより、第２の配線層の形成時間を短縮するこ
とができる。即ち、無電解めっきは電解めっきに比べて
析出速度が遅いため、第２の配線層全体を無電解めっき
により析出形成する方法では、第２の配線層の形成に長
い時間を要してしまう。これに対し、下地めっき層を無
電解めっきにより形成し、その後に電解めっきにより上
部めっき層を形成することにより、第２の配線層の形成
時間を短縮することができ、外部接続用電極の形成効率
を向上させることができる。
の配線層形成工程で、先ず下地めっき層を無電解めっき
により形成し、続いてこの下地めっき層をめっき用電極
としてその上部に上部めっき層を電解めっきにより形成
することにより、第２の配線層の形成時間を短縮するこ
とができる。即ち、無電解めっきは電解めっきに比べて
析出速度が遅いため、第２の配線層全体を無電解めっき
により析出形成する方法では、第２の配線層の形成に長
い時間を要してしまう。これに対し、下地めっき層を無
電解めっきにより形成し、その後に電解めっきにより上
部めっき層を形成することにより、第２の配線層の形成
時間を短縮することができ、外部接続用電極の形成効率
を向上させることができる。
【００３８】また、請求項７及び請求項１８記載の発明
によれば、第１の絶縁膜形成工程と第２の配線層形成工
程との間に、第１の絶縁膜の表面を粗化させる粗化工程
を設けたことにより、第１の絶縁膜の表面にアンカー効
果を持たせることができ、よって第２の配線層となる導
体膜と第１の絶縁膜との接合性を向上することができ
る。
によれば、第１の絶縁膜形成工程と第２の配線層形成工
程との間に、第１の絶縁膜の表面を粗化させる粗化工程
を設けたことにより、第１の絶縁膜の表面にアンカー効
果を持たせることができ、よって第２の配線層となる導
体膜と第１の絶縁膜との接合性を向上することができ
る。
【００３９】また、請求項８及び請求項１９記載の発明
のように、前記粗化工程として、第１の絶縁膜を形成す
る樹脂材料を溶解する溶液の希薄溶液を用いて第１の絶
縁膜を浸食させることにより第１の絶縁膜の表面を粗化
させる方法を用いてもよい。
のように、前記粗化工程として、第１の絶縁膜を形成す
る樹脂材料を溶解する溶液の希薄溶液を用いて第１の絶
縁膜を浸食させることにより第１の絶縁膜の表面を粗化
させる方法を用いてもよい。
【００４０】また、請求項９及び請求項２０記載の発明
のように、前記粗化工程として、第１の絶縁膜形成工程
を実施した後、形成された前記第１の絶縁膜の表面に対
しブラスト加工を実施することにより第１の絶縁膜の表
面を粗化させる方法を用いてもよい。
のように、前記粗化工程として、第１の絶縁膜形成工程
を実施した後、形成された前記第１の絶縁膜の表面に対
しブラスト加工を実施することにより第１の絶縁膜の表
面を粗化させる方法を用いてもよい。
【００４１】また、請求項１０及び請求項２１記載の発
明によれば、第１の絶縁膜形成工程を実施した後第２の
配線層の実施前に、第３の絶縁性膜形成工程を実施し、
接続部における第１の配線層の露出面積よりも狭い面積
の接続用開口部を有する第３の絶縁性膜を第１の絶縁膜
上に形成することにより、第２の配線層の形成を確実に
行うことができる。
明によれば、第１の絶縁膜形成工程を実施した後第２の
配線層の実施前に、第３の絶縁性膜形成工程を実施し、
接続部における第１の配線層の露出面積よりも狭い面積
の接続用開口部を有する第３の絶縁性膜を第１の絶縁膜
上に形成することにより、第２の配線層の形成を確実に
行うことができる。
【００４２】即ち、接続部はワイヤボンディング方法に
対応して形成されているためその面積は一般に広くなっ
ており、また半導体素子が高密度化されることにより第
１の配線層の数は増大し、よって隣接する接続部間のス
ペースは狭くなっている。従って、第１の配線層上に第
１の絶縁膜を形成しても、隣接する接続部間に形成され
るスペースが狭いため、第１の絶縁膜をこのスペースに
形成することができなくなってしまう。従って、第１の
絶縁膜上に形成される第２の配線層の形成も適正に行う
ことができなくなってしまう。
対応して形成されているためその面積は一般に広くなっ
ており、また半導体素子が高密度化されることにより第
１の配線層の数は増大し、よって隣接する接続部間のス
ペースは狭くなっている。従って、第１の配線層上に第
１の絶縁膜を形成しても、隣接する接続部間に形成され
るスペースが狭いため、第１の絶縁膜をこのスペースに
形成することができなくなってしまう。従って、第１の
絶縁膜上に形成される第２の配線層の形成も適正に行う
ことができなくなってしまう。
【００４３】しかるに、接続部における第１の配線層の
露出面積よりも狭い面積の接続用開口部を有する第３の
絶縁性膜を第１の絶縁膜上に形成することにより、即
ち、接続部全体を露出させずに接続部の上部に接続用開
口部を除き第３の絶縁性膜を形成することにより、実質
的に接続部間の間隔を広くすることが可能となり、よっ
て第２の配線層の形成を適正かつ容易に行うことができ
る。
露出面積よりも狭い面積の接続用開口部を有する第３の
絶縁性膜を第１の絶縁膜上に形成することにより、即
ち、接続部全体を露出させずに接続部の上部に接続用開
口部を除き第３の絶縁性膜を形成することにより、実質
的に接続部間の間隔を広くすることが可能となり、よっ
て第２の配線層の形成を適正かつ容易に行うことができ
る。
【００４４】また、請求項１１及び請求項２２記載の発
明によれば、アルカリ可溶性無機物を含有した樹脂材を
第３の絶縁性膜として用い、第２の配線層形成工程にお
いて無電解めっきを実施する際にアルカリ可溶性無機物
を溶解することにより、第３の絶縁性膜の表面は粗面化
しアンカー効果が発生する。よって、この第３の絶縁性
膜の上部に第２の配線層が形成される際、第３の絶縁性
膜と第２の配線層との接合性を向上させることができ
る。
明によれば、アルカリ可溶性無機物を含有した樹脂材を
第３の絶縁性膜として用い、第２の配線層形成工程にお
いて無電解めっきを実施する際にアルカリ可溶性無機物
を溶解することにより、第３の絶縁性膜の表面は粗面化
しアンカー効果が発生する。よって、この第３の絶縁性
膜の上部に第２の配線層が形成される際、第３の絶縁性
膜と第２の配線層との接合性を向上させることができ
る。
【００４５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１
実施例である外部接続用電極の製造方法を製造工程順に
示している。本実施例における外部接続用電極の製造方
法は、大略すると第１の絶縁膜形成工程，第２の配線層
形成工程，第２の絶縁膜形成工程，突起電極形成工程等
を有している。以下、各工程について説明する。
て図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１
実施例である外部接続用電極の製造方法を製造工程順に
示している。本実施例における外部接続用電極の製造方
法は、大略すると第１の絶縁膜形成工程，第２の配線層
形成工程，第２の絶縁膜形成工程，突起電極形成工程等
を有している。以下、各工程について説明する。
【００４６】図１（Ａ）は、第１の絶縁膜形成工程を示
している。同図に示される半導体素子１は、図３に合わ
せて示されるように、例えばシリコン製の基板２の中央
上部に回路形成されたアクティブ領域３を有しており、
またこのアクティブ領域３を囲繞するようにアルミニウ
ム又はアルミニウム合金にて形成された複数の第１の配
線層４が形成されている（尚、各図には第１の配線層４
の内、電極パッド部分のみを図示している）。この半導
体素子１は、周知の製造方法により製造されるものであ
る。
している。同図に示される半導体素子１は、図３に合わ
せて示されるように、例えばシリコン製の基板２の中央
上部に回路形成されたアクティブ領域３を有しており、
またこのアクティブ領域３を囲繞するようにアルミニウ
ム又はアルミニウム合金にて形成された複数の第１の配
線層４が形成されている（尚、各図には第１の配線層４
の内、電極パッド部分のみを図示している）。この半導
体素子１は、周知の製造方法により製造されるものであ
る。
【００４７】ところで、半導体素子１に形成された第１
の配線層４は、ワイヤボンディング用のパッドとして使
用できる構成とされている。従って、図３に示す状態の
半導体素子１は、ワイヤボンディング方法を用いること
により、外部接続部材と接続することが可能な構成とな
っている。しかるに、半導体素子１を使用するユーザに
おいては、半導体素子１をフリップチップボンディング
可能な構造としてほしいというニーズがある。
の配線層４は、ワイヤボンディング用のパッドとして使
用できる構成とされている。従って、図３に示す状態の
半導体素子１は、ワイヤボンディング方法を用いること
により、外部接続部材と接続することが可能な構成とな
っている。しかるに、半導体素子１を使用するユーザに
おいては、半導体素子１をフリップチップボンディング
可能な構造としてほしいというニーズがある。
【００４８】本発明では、このようなユーザのニーズに
対応するため、半導体素子１のアクティブ領域３（即
ち、回路形成領域）上に、第２の配線層５及び１極形成
部６とにより構成される外部接続用電極１１を形成する
方法を提供するものである。これによりフリップチップ
ボンディングを可能となり、半導体素子１に対する幅広
いニーズに対応することができる。
対応するため、半導体素子１のアクティブ領域３（即
ち、回路形成領域）上に、第２の配線層５及び１極形成
部６とにより構成される外部接続用電極１１を形成する
方法を提供するものである。これによりフリップチップ
ボンディングを可能となり、半導体素子１に対する幅広
いニーズに対応することができる。
【００４９】図１（Ａ）に示される第１の絶縁膜形成工
程では、上記した第１の配線層４が形成された半導体素
子１の上面に第１の絶縁膜７が形成される。この第１の
絶縁膜７の材質としては、例えばポリイミド等の絶縁性
樹脂が適用されている。また、第１の絶縁膜７の第１の
配線層４と対向する位置には開口が形成されることによ
り接続部８が設けられている。従って、接続部８におい
ては第１の配線層４は第１の絶縁膜７から露出した状態
となっている。
程では、上記した第１の配線層４が形成された半導体素
子１の上面に第１の絶縁膜７が形成される。この第１の
絶縁膜７の材質としては、例えばポリイミド等の絶縁性
樹脂が適用されている。また、第１の絶縁膜７の第１の
配線層４と対向する位置には開口が形成されることによ
り接続部８が設けられている。従って、接続部８におい
ては第１の配線層４は第１の絶縁膜７から露出した状態
となっている。
【００５０】第１の絶縁膜形成工程を実施することによ
り半導体素子１の上面に第１の絶縁膜７が形成される
と、本実施例では続いてパラジウム（Ｐｄ）析出工程が
実施される。図１（Ｂ）はＰｄ析出工程を示している。
Ｐｄ析出工程では、第１の絶縁膜７が形成された半導体
素子１を塩化パラジウム 1.5m mol/l,塩化錫 0.1 mol/
l, 塩酸 1.5 NからなるＰｄ活性化液に１２０秒間浸漬
し、Ｐｄ膜９（図には破線で示す）を半導体素子１の表
面に置換析出させる。
り半導体素子１の上面に第１の絶縁膜７が形成される
と、本実施例では続いてパラジウム（Ｐｄ）析出工程が
実施される。図１（Ｂ）はＰｄ析出工程を示している。
Ｐｄ析出工程では、第１の絶縁膜７が形成された半導体
素子１を塩化パラジウム 1.5m mol/l,塩化錫 0.1 mol/
l, 塩酸 1.5 NからなるＰｄ活性化液に１２０秒間浸漬
し、Ｐｄ膜９（図には破線で示す）を半導体素子１の表
面に置換析出させる。
【００５１】このＰｄ膜９は、次に述べる第２の配線層
形成工程において導体膜１０を無電解めっきする際の核
となるものである。即ち、ポリイミド等の樹脂よりなる
第１の絶縁膜７上に直接導電膜１０を無電解めっきによ
り析出させることは困難であるが、予め第１の絶縁膜７
上にＰｄ膜９を形成しておくことにより、導電膜１０の
無電解めっきによる析出を確実に行うことができる。
形成工程において導体膜１０を無電解めっきする際の核
となるものである。即ち、ポリイミド等の樹脂よりなる
第１の絶縁膜７上に直接導電膜１０を無電解めっきによ
り析出させることは困難であるが、予め第１の絶縁膜７
上にＰｄ膜９を形成しておくことにより、導電膜１０の
無電解めっきによる析出を確実に行うことができる。
【００５２】Ｐｄ析出工程を実施することにより第１の
絶縁膜７上にＰｄ膜９が形成されると、続いて第２の配
線層形成工程が実施される。図１（Ｃ）〜（Ｇ）は第２
の配線層形成工程を示している。第２の配線層形成工程
では、先ず図１（Ｃ）に示されるように、半導体素子１
の表面全面に導体膜１０を無電解めっき法により形成す
る。具体的には、半導体素子１を硫酸銅からなる無電解
銅（Ｃｕ）めっき液に浸漬し、半導体素子１の表面全体
に約２μｍの厚さで導体膜１０（Ｃｕ膜）を析出させ
る。
絶縁膜７上にＰｄ膜９が形成されると、続いて第２の配
線層形成工程が実施される。図１（Ｃ）〜（Ｇ）は第２
の配線層形成工程を示している。第２の配線層形成工程
では、先ず図１（Ｃ）に示されるように、半導体素子１
の表面全面に導体膜１０を無電解めっき法により形成す
る。具体的には、半導体素子１を硫酸銅からなる無電解
銅（Ｃｕ）めっき液に浸漬し、半導体素子１の表面全体
に約２μｍの厚さで導体膜１０（Ｃｕ膜）を析出させ
る。
【００５３】この際、前記したようにＰｄ析出工程にお
いて半導体素子１の表面にはＰｄ膜９が形成されている
ため、導体膜１０の析出を確実に行うことができる。ま
た、前記したように第１の絶縁膜７には開口部である接
続部８が形成されているため、この接続部８において第
１の配線層４は導体膜１０と電気的に接続する。
いて半導体素子１の表面にはＰｄ膜９が形成されている
ため、導体膜１０の析出を確実に行うことができる。ま
た、前記したように第１の絶縁膜７には開口部である接
続部８が形成されているため、この接続部８において第
１の配線層４は導体膜１０と電気的に接続する。
【００５４】このように、第２の配線層形成工程におい
て第２の配線層５となる導体膜１０を形成する方法とし
て無電解めっき法を用いることにより、第２の配線層５
を安価に形成することが可能となる。即ち、めっき法
（無電解めっき法及び電解めっき法を含む）は、従来実
施されていたスパッタリング法に比べて製造設備が容易
で、かつランニングコストが安価である。よって、導体
膜１０を無電解めっき法により形成することにより第２
の配線層５を安価に形成することができ、延いては外部
接続用電極１１を安価に製造することが可能となる。
て第２の配線層５となる導体膜１０を形成する方法とし
て無電解めっき法を用いることにより、第２の配線層５
を安価に形成することが可能となる。即ち、めっき法
（無電解めっき法及び電解めっき法を含む）は、従来実
施されていたスパッタリング法に比べて製造設備が容易
で、かつランニングコストが安価である。よって、導体
膜１０を無電解めっき法により形成することにより第２
の配線層５を安価に形成することができ、延いては外部
接続用電極１１を安価に製造することが可能となる。
【００５５】上記のように導体膜１０が形成されると、
続いて図１（Ｄ）に示されるように、導体膜１０の上面
全面にレジスト１２をスピンコートする。続いて、この
レジスト１２に対して第２の配線層５のパターンが形成
されたマスクを用いて露光処理を行うと共に、第２の配
線層５のパターン形成位置以外のレジスト１２を剥離す
る。図１（Ｅ）は、第２の配線層５のパターン形成位置
以外のレジスト１２が剥離された状態を示している。
続いて図１（Ｄ）に示されるように、導体膜１０の上面
全面にレジスト１２をスピンコートする。続いて、この
レジスト１２に対して第２の配線層５のパターンが形成
されたマスクを用いて露光処理を行うと共に、第２の配
線層５のパターン形成位置以外のレジスト１２を剥離す
る。図１（Ｅ）は、第２の配線層５のパターン形成位置
以外のレジスト１２が剥離された状態を示している。
【００５６】次に、図１（Ｆ）に示されるように、導体
膜１０（Ｃｕよりなる）の露出した部分を硫酸−過酸化
水素系のエッチャントによりエッチング除去することに
より、導体膜１０に対してパターニング処理を行う。続
いて、残存しているレジスト１２を剥離することによ
り、図２（Ｇ）に示されるように所望のパターンを有し
た第２の配線層５が第１の絶縁膜７上に形成される。
膜１０（Ｃｕよりなる）の露出した部分を硫酸−過酸化
水素系のエッチャントによりエッチング除去することに
より、導体膜１０に対してパターニング処理を行う。続
いて、残存しているレジスト１２を剥離することによ
り、図２（Ｇ）に示されるように所望のパターンを有し
た第２の配線層５が第１の絶縁膜７上に形成される。
【００５７】この際、この第２の配線層５は半導体素子
１のアクティブ領域３（図４参照）の上部まで延在する
よう形成されるが、アクティブ領域３の上部には第１の
絶縁膜７が存在しているため、第２の配線層５を形成し
てもアクティブ領域３に形成されている回路に何ら不都
合を与えるものではない。
１のアクティブ領域３（図４参照）の上部まで延在する
よう形成されるが、アクティブ領域３の上部には第１の
絶縁膜７が存在しているため、第２の配線層５を形成し
てもアクティブ領域３に形成されている回路に何ら不都
合を与えるものではない。
【００５８】以上説明してきた第２の配線層形成工程が
終了すると、続いて第２の絶縁膜形成工程が実施され
る。図２（Ｈ）及び図２（Ｉ）は第２の絶縁膜形成工程
を示している。第２の絶縁膜形成工程では、先ず図２
（Ｈ）に示されるように、第２の配線層５が形成された
半導体素子１の上面全体にポリイミド等の樹脂よりなる
第２の絶縁膜１３を形成する。続いて、図２（Ｉ）に示
されるように、電極形成部６が形成される位置（後にバ
ンプ電極１５が形成される位置）における第２の絶縁膜
１３を除去する。これにより、電極形成部６において第
２の配線層５は露出された状態となる。
終了すると、続いて第２の絶縁膜形成工程が実施され
る。図２（Ｈ）及び図２（Ｉ）は第２の絶縁膜形成工程
を示している。第２の絶縁膜形成工程では、先ず図２
（Ｈ）に示されるように、第２の配線層５が形成された
半導体素子１の上面全体にポリイミド等の樹脂よりなる
第２の絶縁膜１３を形成する。続いて、図２（Ｉ）に示
されるように、電極形成部６が形成される位置（後にバ
ンプ電極１５が形成される位置）における第２の絶縁膜
１３を除去する。これにより、電極形成部６において第
２の配線層５は露出された状態となる。
【００５９】尚、本実施例では、第２の絶縁膜形成工程
において、先ず半導体素子１の上面全体に第２の絶縁膜
１３を形成し、その後に電極形成部６における第２の絶
縁膜１３を除去することにより電極形成部６を形成する
方法を示したが、第２の絶縁膜１３を形成時に電極形成
部６の形成位置にレジストを設けておき、第２の絶縁膜
１３を形成後にこのレジストを除去することにより電極
形成部６を形成する方法を用いてもよい。
において、先ず半導体素子１の上面全体に第２の絶縁膜
１３を形成し、その後に電極形成部６における第２の絶
縁膜１３を除去することにより電極形成部６を形成する
方法を示したが、第２の絶縁膜１３を形成時に電極形成
部６の形成位置にレジストを設けておき、第２の絶縁膜
１３を形成後にこのレジストを除去することにより電極
形成部６を形成する方法を用いてもよい。
【００６０】第２の絶縁膜形成工程が終了すると、続い
て突起電極形成工程が実施される。突起電極形成工程で
は、先ず第２の配線層５の電極形成部６において露出し
た部分にニッケル（Ｎｉ）を無電解めっきすることによ
り電極用保護膜１６を形成する。この電極用保護膜１６
は、銅よりなる第２の配線層５が酸化等により劣化しな
いよう保護するために設けられるものであり、１〜２μ
ｍ程度の厚さで析出される。更に、電極用保護膜１６自
体の酸化を防止するために、この電極用保護膜１６上に
無電解めっきにより金を３００〜１０００Åの膜厚で析
出形成させてもよい。
て突起電極形成工程が実施される。突起電極形成工程で
は、先ず第２の配線層５の電極形成部６において露出し
た部分にニッケル（Ｎｉ）を無電解めっきすることによ
り電極用保護膜１６を形成する。この電極用保護膜１６
は、銅よりなる第２の配線層５が酸化等により劣化しな
いよう保護するために設けられるものであり、１〜２μ
ｍ程度の厚さで析出される。更に、電極用保護膜１６自
体の酸化を防止するために、この電極用保護膜１６上に
無電解めっきにより金を３００〜１０００Åの膜厚で析
出形成させてもよい。
【００６１】上記のように電極形成部６に電極用保護膜
１６が形成されると、続いてこの電極用保護膜１６上に
ハンダボールを転写され、これにより図２（Ｊ）に示さ
れるように、電極形成部６にバンプ電極１５（突起電
極）が形成される。ところで、バンプ電極１５の形成方
法は上記した転写法に限定されるものではなく、次のよ
うな方法によりバンプ電極１５を形成してもよい。即
ち、第２の配線層形成工程において導体膜１０を形成し
た後、この導体膜１０にめっき用レジストを塗布し、第
２の配線層５の電極形成部６と対応する位置に開口を形
成し、当該開口に電解めっき法によりバンプ電極１５を
形成する（必要があれば、下地バイアメタルも形成す
る）。
１６が形成されると、続いてこの電極用保護膜１６上に
ハンダボールを転写され、これにより図２（Ｊ）に示さ
れるように、電極形成部６にバンプ電極１５（突起電
極）が形成される。ところで、バンプ電極１５の形成方
法は上記した転写法に限定されるものではなく、次のよ
うな方法によりバンプ電極１５を形成してもよい。即
ち、第２の配線層形成工程において導体膜１０を形成し
た後、この導体膜１０にめっき用レジストを塗布し、第
２の配線層５の電極形成部６と対応する位置に開口を形
成し、当該開口に電解めっき法によりバンプ電極１５を
形成する（必要があれば、下地バイアメタルも形成す
る）。
【００６２】続いて、導体膜１０の第２の配線層５とし
て残す部分以外のめっき用レジストを除去した上で導体
膜１０をエッチング除去し、その後にバンプ電極１５を
除く第２の配線層５上に第２の絶縁膜１３を形成する。
以上説明した製造方法によっても、電極形成部６にバン
プ電極１５を形成することができる（いわゆる、めっき
法によるバンプ形成方法）。
て残す部分以外のめっき用レジストを除去した上で導体
膜１０をエッチング除去し、その後にバンプ電極１５を
除く第２の配線層５上に第２の絶縁膜１３を形成する。
以上説明した製造方法によっても、電極形成部６にバン
プ電極１５を形成することができる（いわゆる、めっき
法によるバンプ形成方法）。
【００６３】上記した製造方法により製造された外部接
続用電極１１を具備する半導体装置１７を図４に示す
（図４（Ａ）には第２の絶縁膜１３の図示は省略してい
る）。同図に示されるように、実施例に係る半導体装置
１７は、半導体素子１のアクティブ領域３上にバンプ電
極１５を形成すると共に、このバンプ電極１５と半導体
素子１の外周に形成された第１の配線層４（ワイヤボン
ディング用電極）とを引出し配線として機能する第２の
配線層５にて接続した構成とされた外部接続用電極１１
を有している。このため、半導体装置１７をフリップチ
ップボンディングにより実装することが可能となり、ユ
ーザの幅広いニーズに対応することが可能となる。
続用電極１１を具備する半導体装置１７を図４に示す
（図４（Ａ）には第２の絶縁膜１３の図示は省略してい
る）。同図に示されるように、実施例に係る半導体装置
１７は、半導体素子１のアクティブ領域３上にバンプ電
極１５を形成すると共に、このバンプ電極１５と半導体
素子１の外周に形成された第１の配線層４（ワイヤボン
ディング用電極）とを引出し配線として機能する第２の
配線層５にて接続した構成とされた外部接続用電極１１
を有している。このため、半導体装置１７をフリップチ
ップボンディングにより実装することが可能となり、ユ
ーザの幅広いニーズに対応することが可能となる。
【００６４】図１及び図２を用いて上述してきた外部接
続用電極１７の形成方法は、本発明の第１実施例におけ
る基本的な製造方法（以下、基本製造方法という）であ
るが、この基本製造方法に若干の変更或いは追加処理を
行うことにより、更に良好な外部接続用電極１７を製造
することが可能である。以下、基本製造方法に基づいた
変形例について説明する。
続用電極１７の形成方法は、本発明の第１実施例におけ
る基本的な製造方法（以下、基本製造方法という）であ
るが、この基本製造方法に若干の変更或いは追加処理を
行うことにより、更に良好な外部接続用電極１７を製造
することが可能である。以下、基本製造方法に基づいた
変形例について説明する。
【００６５】図５は第１の変形例を説明するための図で
ある。前記した基本製造方法の突起電極形成工程では
（図２（Ｊ）参照）、第２の配線層５を保護する電極用
保護膜１６は電極形成部６のみに形成された構成とされ
ていた。
ある。前記した基本製造方法の突起電極形成工程では
（図２（Ｊ）参照）、第２の配線層５を保護する電極用
保護膜１６は電極形成部６のみに形成された構成とされ
ていた。
【００６６】しかるに、銅膜により構成される第２の配
線層５は酸化しやすく、また第２の配線層５の上部に形
成される第２の絶縁膜１３はポリイミド等の樹脂である
ため第２の絶縁膜１３に水が含浸しているおそれがあ
る。また、電極形成部６の界面部分から第２の配線層５
と第２の絶縁膜１３との間に水分等が侵入するおそれが
ある。このような場合、第２の絶縁膜１３に保護されて
いても第２の配線層５に酸化が発生するおそれがある。
線層５は酸化しやすく、また第２の配線層５の上部に形
成される第２の絶縁膜１３はポリイミド等の樹脂である
ため第２の絶縁膜１３に水が含浸しているおそれがあ
る。また、電極形成部６の界面部分から第２の配線層５
と第２の絶縁膜１３との間に水分等が侵入するおそれが
ある。このような場合、第２の絶縁膜１３に保護されて
いても第２の配線層５に酸化が発生するおそれがある。
【００６７】そこで本変形例では、図２（Ｇ）に示され
るように第２の配線層形成工程において第２の配線層５
が形成された後、図５（Ａ）に示されるように、第２の
配線層５の上面全面に電極用保護膜１６Ａを形成し、そ
の後に図５（Ｂ）に示されるように、電極用保護膜１６
Ａの上部に第２の絶縁膜１３を形成する保護膜形成工程
を設けたことを特徴とするものである。
るように第２の配線層形成工程において第２の配線層５
が形成された後、図５（Ａ）に示されるように、第２の
配線層５の上面全面に電極用保護膜１６Ａを形成し、そ
の後に図５（Ｂ）に示されるように、電極用保護膜１６
Ａの上部に第２の絶縁膜１３を形成する保護膜形成工程
を設けたことを特徴とするものである。
【００６８】本変形例による製造方法によれば、第２の
配線層５の全面が電極用保護膜１６Ａにより保護される
ため、第２の配線層５が酸化等により劣化することを確
実に防止することができる。上記の電極用保護膜１６Ａ
の材質としては、ニッケル（Ｎｉ）或いは金（Ａｕ）の
適用が考えられる。また、電極用保護膜１６Ａとして先
ずニッケル膜を形成し、次にニッケル膜の上部に金膜を
形成した二層構造の電極用保護膜１６Ａとしてもよい。
また形成方法としては、無電解めっき法の適用、或いは
第２の配線層５をめっき電極として用いることにより電
解めっき法を適用することができる。
配線層５の全面が電極用保護膜１６Ａにより保護される
ため、第２の配線層５が酸化等により劣化することを確
実に防止することができる。上記の電極用保護膜１６Ａ
の材質としては、ニッケル（Ｎｉ）或いは金（Ａｕ）の
適用が考えられる。また、電極用保護膜１６Ａとして先
ずニッケル膜を形成し、次にニッケル膜の上部に金膜を
形成した二層構造の電極用保護膜１６Ａとしてもよい。
また形成方法としては、無電解めっき法の適用、或いは
第２の配線層５をめっき電極として用いることにより電
解めっき法を適用することができる。
【００６９】更に、図５に示した変形例に係る保護膜形
成工程では、電極用保護膜１６Ａを形成するために、半
導体素子１の上面全面に電極用保護膜１６Ａとなる金属
膜を形成し、その後に第２の配線層５と同一パターン形
状となるようパターニングを行う必要があり、電極用保
護膜１６Ａの形成工程が複雑になる。
成工程では、電極用保護膜１６Ａを形成するために、半
導体素子１の上面全面に電極用保護膜１６Ａとなる金属
膜を形成し、その後に第２の配線層５と同一パターン形
状となるようパターニングを行う必要があり、電極用保
護膜１６Ａの形成工程が複雑になる。
【００７０】よって、図１（Ｃ）に示した導体膜１０の
形成処理を行った後に、この導体膜１０上の全面に電極
用保護膜１６Ａとなる金属膜を形成し、続く図１
（Ｅ），（Ｆ）の処理で導体膜１０と金属膜を一括的に
パターニング処理し、第２の配線層５と電極用保護膜１
６Ａとを一括的に形成する方法を用いてもよい。この製
造方法によれば、電極用保護膜１６Ａの形成工程を簡単
化することができる。
形成処理を行った後に、この導体膜１０上の全面に電極
用保護膜１６Ａとなる金属膜を形成し、続く図１
（Ｅ），（Ｆ）の処理で導体膜１０と金属膜を一括的に
パターニング処理し、第２の配線層５と電極用保護膜１
６Ａとを一括的に形成する方法を用いてもよい。この製
造方法によれば、電極用保護膜１６Ａの形成工程を簡単
化することができる。
【００７１】図６は第２の変形例を説明するための図で
ある。前記した基本製造方法では、第１の絶縁膜形成工
程が終了した後、直ちに第２の配線層形成工程を実施す
る方法とされていた。即ち、第１の絶縁膜７の表面に何
ら処理を行うことなく、第１の絶縁膜７の表面に直接第
２の配線層５を形成する方法が用いられていた。
ある。前記した基本製造方法では、第１の絶縁膜形成工
程が終了した後、直ちに第２の配線層形成工程を実施す
る方法とされていた。即ち、第１の絶縁膜７の表面に何
ら処理を行うことなく、第１の絶縁膜７の表面に直接第
２の配線層５を形成する方法が用いられていた。
【００７２】しかるに、第１の絶縁膜７の表面は平滑な
面であり、このような平滑面を有する樹脂製の第１の絶
縁膜７に直接金属製の第２の配線層５を形成してもその
接合性は低く、最悪の場合には第２の配線層５が第１の
絶縁膜７から剥離するおそれがあり、外部接続用電極１
１の信頼性が低下してしまう。
面であり、このような平滑面を有する樹脂製の第１の絶
縁膜７に直接金属製の第２の配線層５を形成してもその
接合性は低く、最悪の場合には第２の配線層５が第１の
絶縁膜７から剥離するおそれがあり、外部接続用電極１
１の信頼性が低下してしまう。
【００７３】そこで本変形例では、第１の絶縁膜形成工
程が終了した後、かつ第２の配線層形成工程が実施され
る前に、第１の絶縁膜７の表面（本変形例では接続部８
も含む）を粗化させる粗化工程を設けたことを特徴とす
るものである。図６に示す例では、第１の絶縁膜形成工
程が終了した後、形成された第１の絶縁膜７に対して粒
径２０μｍ以下の研磨材を用いたドライ若しくはウェッ
トブラスト手法にて半導体素子１の上面全面をブラスト
加工する方法が示されている。
程が終了した後、かつ第２の配線層形成工程が実施され
る前に、第１の絶縁膜７の表面（本変形例では接続部８
も含む）を粗化させる粗化工程を設けたことを特徴とす
るものである。図６に示す例では、第１の絶縁膜形成工
程が終了した後、形成された第１の絶縁膜７に対して粒
径２０μｍ以下の研磨材を用いたドライ若しくはウェッ
トブラスト手法にて半導体素子１の上面全面をブラスト
加工する方法が示されている。
【００７４】このように、半導体素子１の上面全面に対
しブラスト加工を実施することにより、第１の絶縁膜７
の表面及び第１の配線層４の接続部８は粗面化される。
これにより、第１の絶縁膜７及び接続部８（第１の配線
層４）の表面にアンカー効果を持たせることができ、よ
って第２の配線層５となる導体膜１０と第１の絶縁膜７
及び第１の配線層４との接合性を向上させることができ
る。
しブラスト加工を実施することにより、第１の絶縁膜７
の表面及び第１の配線層４の接続部８は粗面化される。
これにより、第１の絶縁膜７及び接続部８（第１の配線
層４）の表面にアンカー効果を持たせることができ、よ
って第２の配線層５となる導体膜１０と第１の絶縁膜７
及び第１の配線層４との接合性を向上させることができ
る。
【００７５】尚、粗化工程は上記したブラスト加工に限
定されるものではなく、次の各方法を用いることが可能
である。例えば、第１の絶縁膜７の材料がポリイミド系
の樹脂であった場合には、ヒドラジン−水酸化カリウム
混合液等のポリイミドを溶解させる溶剤の希薄溶液を用
意し、この希薄溶液中に半導体素子１を浸漬させて第１
の絶縁膜７の表面をマイルドエッチングする方法を用い
てもよい。
定されるものではなく、次の各方法を用いることが可能
である。例えば、第１の絶縁膜７の材料がポリイミド系
の樹脂であった場合には、ヒドラジン−水酸化カリウム
混合液等のポリイミドを溶解させる溶剤の希薄溶液を用
意し、この希薄溶液中に半導体素子１を浸漬させて第１
の絶縁膜７の表面をマイルドエッチングする方法を用い
てもよい。
【００７６】このマイルドエッチングが実施されること
により、第１の絶縁膜７の表面は粗面化し、よって導体
膜１０と第１の絶縁膜７及び第１の配線層４との接合性
を向上させることができる。図７及び図８は第３の変形
例を説明するための図である。
により、第１の絶縁膜７の表面は粗面化し、よって導体
膜１０と第１の絶縁膜７及び第１の配線層４との接合性
を向上させることができる。図７及び図８は第３の変形
例を説明するための図である。
【００７７】前記した基本製造方法では、第１の絶縁膜
形成工程において、単に一層の第１の絶縁膜７を形成す
る構成とされていた。しかるに、この構成では第２の配
線層５の形成を適正に行うことができなくなるおそれが
ある。即ち、第１の配線層４に形成された接続部８は、
ワイヤボンディングが行えるように形成されているた
め、その面積は一般に広くなっている。また半導体素子
１の高密度化に伴い第１の配線層４の数は増大し、よっ
て隣接する接続部８間のスペースは狭くなっている。
形成工程において、単に一層の第１の絶縁膜７を形成す
る構成とされていた。しかるに、この構成では第２の配
線層５の形成を適正に行うことができなくなるおそれが
ある。即ち、第１の配線層４に形成された接続部８は、
ワイヤボンディングが行えるように形成されているた
め、その面積は一般に広くなっている。また半導体素子
１の高密度化に伴い第１の配線層４の数は増大し、よっ
て隣接する接続部８間のスペースは狭くなっている。
【００７８】従って、第１の配線層４上に第１の絶縁膜
７を直接形成しても、隣接する接続部８間に形成される
スペース（図７に矢印Ｐ１で示す）が狭いため、第１の
絶縁膜７をこのスペースに形成することができなくなっ
てしまう。従って、第２の配線層５を第１の絶縁膜７上
に形成する処理も適正に行うことができなくなるおそれ
が生じる。
７を直接形成しても、隣接する接続部８間に形成される
スペース（図７に矢印Ｐ１で示す）が狭いため、第１の
絶縁膜７をこのスペースに形成することができなくなっ
てしまう。従って、第２の配線層５を第１の絶縁膜７上
に形成する処理も適正に行うことができなくなるおそれ
が生じる。
【００７９】そこで本変形例では、第１の絶縁膜形成工
程を実施した後第２の配線層の実施前に、接続部８にお
ける第１の配線層４の露出面積（第１の絶縁膜７からの
露出面積）よりも狭い面積の接続用開口部１８を有する
第３の絶縁性膜１９（図８に梨地で示す）を第１の絶縁
膜７上に形成する第３の絶縁性膜形成工程を設けたこと
を特徴とするものである。
程を実施した後第２の配線層の実施前に、接続部８にお
ける第１の配線層４の露出面積（第１の絶縁膜７からの
露出面積）よりも狭い面積の接続用開口部１８を有する
第３の絶縁性膜１９（図８に梨地で示す）を第１の絶縁
膜７上に形成する第３の絶縁性膜形成工程を設けたこと
を特徴とするものである。
【００８０】上記のように、接続部８における第１の配
線層４の露出面積よりも狭い面積の接続用開口部１８を
有する第３の絶縁性膜１９を第１の絶縁膜７上に形成す
ることにより、即ち、接続部８の全体を露出させず、接
続部８の上部に接続用開口部１８を除き第３の絶縁性膜
１９を形成することにより、実質的に隣接する接続部間
の間隔（図８に矢印Ｐ２で示す）を広くすることが可能
となり（Ｐ２＞Ｐ１）、よって第２の配線層５の形成を
適正かつ容易に行うことができる。
線層４の露出面積よりも狭い面積の接続用開口部１８を
有する第３の絶縁性膜１９を第１の絶縁膜７上に形成す
ることにより、即ち、接続部８の全体を露出させず、接
続部８の上部に接続用開口部１８を除き第３の絶縁性膜
１９を形成することにより、実質的に隣接する接続部間
の間隔（図８に矢印Ｐ２で示す）を広くすることが可能
となり（Ｐ２＞Ｐ１）、よって第２の配線層５の形成を
適正かつ容易に行うことができる。
【００８１】一方、上記した第３の絶縁性膜形成工程で
用いる第３の絶縁性膜１９として、アルカリ可溶性無機
物を含有した樹脂材を用いることにより、第３の絶縁性
膜１９の表面にアンカー効果を持たせることができる。
即ち、第３の絶縁性膜１９に含有されたアルカリ可溶性
無機物は、第２の配線層形成工程において無電解めっき
が実施される際にめっき溶液により溶解する。よって、
アルカリ可溶性無機物が溶融した部分には微細な小孔が
発生し、これにより第３の絶縁性膜１９の表面は粗面化
しアンカー効果が発生する。
用いる第３の絶縁性膜１９として、アルカリ可溶性無機
物を含有した樹脂材を用いることにより、第３の絶縁性
膜１９の表面にアンカー効果を持たせることができる。
即ち、第３の絶縁性膜１９に含有されたアルカリ可溶性
無機物は、第２の配線層形成工程において無電解めっき
が実施される際にめっき溶液により溶解する。よって、
アルカリ可溶性無機物が溶融した部分には微細な小孔が
発生し、これにより第３の絶縁性膜１９の表面は粗面化
しアンカー効果が発生する。
【００８２】よって、第２の配線層形成工程において第
３の絶縁性膜１９の上部に第２の配線層５が形成される
際、第３の絶縁性膜１９と第２の配線層５との接合性を
向上させることができ、外部接続用電極１１の信頼性を
向上させることができる。図９（Ａ）は第４の変形例を
説明するための図である。
３の絶縁性膜１９の上部に第２の配線層５が形成される
際、第３の絶縁性膜１９と第２の配線層５との接合性を
向上させることができ、外部接続用電極１１の信頼性を
向上させることができる。図９（Ａ）は第４の変形例を
説明するための図である。
【００８３】前記した基本製造方法では、第２の配線層
形成工程において第２の配線層５を形成する際、第１の
配線層４の上部に直接第２の配線層５を形成する方法が
用いられていた。しかるに、前記したように第１の配線
層４はアルミニウム（Ａｌ）膜であるためアルカリ溶液
に対する耐蝕性が弱く、よって第２の配線層形成工程で
用いられるめっき溶液（強アルカリ性）により腐食，浸
食されるおそれがある。
形成工程において第２の配線層５を形成する際、第１の
配線層４の上部に直接第２の配線層５を形成する方法が
用いられていた。しかるに、前記したように第１の配線
層４はアルミニウム（Ａｌ）膜であるためアルカリ溶液
に対する耐蝕性が弱く、よって第２の配線層形成工程で
用いられるめっき溶液（強アルカリ性）により腐食，浸
食されるおそれがある。
【００８４】そこで本変形例では、図９（Ａ）に示され
るように、第１の配線層４を形成した後、第２の配線層
形成工程を実施する前に、この第１の配線層４上に保護
膜２０（第１の保護膜）を形成することを特徴とするも
のである。この保護膜２０は、例えばニッケルを無電解
めっき法を用いて形成することが考えられる。
るように、第１の配線層４を形成した後、第２の配線層
形成工程を実施する前に、この第１の配線層４上に保護
膜２０（第１の保護膜）を形成することを特徴とするも
のである。この保護膜２０は、例えばニッケルを無電解
めっき法を用いて形成することが考えられる。
【００８５】このように、第２の配線層形成工程を実施
する前に、アルミニウム（Ａｌ）膜である第１の配線層
４上に保護膜２０を形成することにより、第２の配線層
形成工程においてめっき液により第１の配線層４が損傷
することを確実に防止でき、外部接続用電極１１の信頼
性を向上させることができる。
する前に、アルミニウム（Ａｌ）膜である第１の配線層
４上に保護膜２０を形成することにより、第２の配線層
形成工程においてめっき液により第１の配線層４が損傷
することを確実に防止でき、外部接続用電極１１の信頼
性を向上させることができる。
【００８６】図９（Ｂ）〜（Ｇ）は第５の変形例を説明
するための図である。前記した基本製造方法では、第２
の配線層形成工程において第２の配線層５を無電解めっ
きのみで形成する方法を適用した。しかるに、無電解め
っきは電解めっきに比べて析出速度が遅いため、約２μ
ｍの厚さを有する第２の配線層５を全て無電解めっきの
みで形成すると、第２の配線層５を形成するのに長時間
を要し、外部接続用電極１１の製造効率が低下してしま
う。
するための図である。前記した基本製造方法では、第２
の配線層形成工程において第２の配線層５を無電解めっ
きのみで形成する方法を適用した。しかるに、無電解め
っきは電解めっきに比べて析出速度が遅いため、約２μ
ｍの厚さを有する第２の配線層５を全て無電解めっきの
みで形成すると、第２の配線層５を形成するのに長時間
を要し、外部接続用電極１１の製造効率が低下してしま
う。
【００８７】そこで本変形例では、第２の配線層形成工
程において、先ず下地めっき層５ａを無電解めっきによ
り形成し、続いてこの下地めっき層５ａをめっき用電極
としてその上部に上部めっき層５ｂを電解めっきにより
形成する方法としたことを特徴とするものである。
程において、先ず下地めっき層５ａを無電解めっきによ
り形成し、続いてこの下地めっき層５ａをめっき用電極
としてその上部に上部めっき層５ｂを電解めっきにより
形成する方法としたことを特徴とするものである。
【００８８】このように、下地めっき層５ａを無電解め
っきにより形成し、その後に電解めっきにより上部めっ
き層５ｂを形成することにより、第２の配線層５の形成
時間を短縮することができ、外部接続用電極１１の形成
効率を向上させることができる。以下、図９（Ｂ）〜
（Ｇ）に示す具体例について説明する。
っきにより形成し、その後に電解めっきにより上部めっ
き層５ｂを形成することにより、第２の配線層５の形成
時間を短縮することができ、外部接続用電極１１の形成
効率を向上させることができる。以下、図９（Ｂ）〜
（Ｇ）に示す具体例について説明する。
【００８９】図９（Ｂ）は、下地めっき層５ａとして銅
（Ｃｕ）を無電解めっきにより１０００〜３０００Åの
厚さで形成し、その後に同じく銅（Ｃｕ）を電解めっき
により析出して上部めっき層５ｂを形成したものであ
る。図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）に示した構成において、
電極形成部６に電極用保護膜１６Ｂを形成したものであ
る。この電極用保護膜１６Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）を無
電解めっきすることにより形成する。
（Ｃｕ）を無電解めっきにより１０００〜３０００Åの
厚さで形成し、その後に同じく銅（Ｃｕ）を電解めっき
により析出して上部めっき層５ｂを形成したものであ
る。図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）に示した構成において、
電極形成部６に電極用保護膜１６Ｂを形成したものであ
る。この電極用保護膜１６Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）を無
電解めっきすることにより形成する。
【００９０】図９（Ｄ）は、図９（Ｂ）に示した構成に
おいて、上部めっき層５ｂの上面全面にわたり電極用保
護膜１６Ｃを形成したものである。この電極用保護膜１
６Ｃは、ニッケル（Ｎｉ）を無電解めっき又は電解めっ
きすることにより形成する。図９（Ｅ）は、下地めっき
層５ｃとしてニッケル（Ｎｉ）を無電解めっきにより１
０００〜３０００Åの厚さで形成し、その後に銅（Ｃ
ｕ）を電解めっきにより析出して上部めっき層５ｂを形
成したものである。
おいて、上部めっき層５ｂの上面全面にわたり電極用保
護膜１６Ｃを形成したものである。この電極用保護膜１
６Ｃは、ニッケル（Ｎｉ）を無電解めっき又は電解めっ
きすることにより形成する。図９（Ｅ）は、下地めっき
層５ｃとしてニッケル（Ｎｉ）を無電解めっきにより１
０００〜３０００Åの厚さで形成し、その後に銅（Ｃ
ｕ）を電解めっきにより析出して上部めっき層５ｂを形
成したものである。
【００９１】図９（Ｆ）は、図９（Ｅ）に示した構成に
おいて、電極形成部６に電極用保護膜１６Ｂを形成した
ものである。この電極用保護膜１６Ｂは、ニッケル（Ｎ
ｉ）を無電解めっきすることにより形成する。図９
（Ｇ）は、図９（Ｅ）に示した構成において、上部めっ
き層５ｂの上面全面にわたり電極用保護膜１６Ｃを形成
したものである。この電極用保護膜１６Ｃは、ニッケル
（Ｎｉ）を無電解めっき又は電解めっきすることにより
形成する。
おいて、電極形成部６に電極用保護膜１６Ｂを形成した
ものである。この電極用保護膜１６Ｂは、ニッケル（Ｎ
ｉ）を無電解めっきすることにより形成する。図９
（Ｇ）は、図９（Ｅ）に示した構成において、上部めっ
き層５ｂの上面全面にわたり電極用保護膜１６Ｃを形成
したものである。この電極用保護膜１６Ｃは、ニッケル
（Ｎｉ）を無電解めっき又は電解めっきすることにより
形成する。
【００９２】続いて本発明の第２実施例について説明す
る。図１０及び図１１は、本発明の第２実施例である外
部接続用電極の製造方法を製造工程順に示している。本
実施例における外部接続用電極の製造方法は、大略する
と第１の絶縁膜形成工程，レジスト形成工程，第２の配
線層形成工程，第２の絶縁膜形成工程，突起電極形成工
程等を有している。
る。図１０及び図１１は、本発明の第２実施例である外
部接続用電極の製造方法を製造工程順に示している。本
実施例における外部接続用電極の製造方法は、大略する
と第１の絶縁膜形成工程，レジスト形成工程，第２の配
線層形成工程，第２の絶縁膜形成工程，突起電極形成工
程等を有している。
【００９３】尚、図１０及び図１１において、前記した
第１実施例に係る図１及び図２に示した構成と対応する
構成については同一符号を附して説明する。また、本実
施例において第１実施例で説明した各工程と同一処理を
行う工程については、その説明を省略する。以下、各工
程について説明する。
第１実施例に係る図１及び図２に示した構成と対応する
構成については同一符号を附して説明する。また、本実
施例において第１実施例で説明した各工程と同一処理を
行う工程については、その説明を省略する。以下、各工
程について説明する。
【００９４】図１０（Ａ）は第１の絶縁膜形成工程を示
しており、また図１０（Ｂ）はＰｄ析出工程を示してい
る。本実施例における第１の絶縁膜形成工程及びＰｄ析
出工程は、図１（Ａ），（Ｂ）を用いて説明した第１実
施例における第１の絶縁膜形成工程及びＰｄ析出工程と
同一処理であるため、その説明は省略する。
しており、また図１０（Ｂ）はＰｄ析出工程を示してい
る。本実施例における第１の絶縁膜形成工程及びＰｄ析
出工程は、図１（Ａ），（Ｂ）を用いて説明した第１実
施例における第１の絶縁膜形成工程及びＰｄ析出工程と
同一処理であるため、その説明は省略する。
【００９５】第１の絶縁膜形成工程を実施することによ
り半導体素子１に第１の絶縁膜７が形成されると共に、
Ｐｄ析出工程を実施することにより第１の絶縁膜７上に
Ｐｄ膜９が形成されると、続いてレジスト形成工程が実
施される。図１０（Ｃ），（Ｄ）はレジスト形成工程を
示している。
り半導体素子１に第１の絶縁膜７が形成されると共に、
Ｐｄ析出工程を実施することにより第１の絶縁膜７上に
Ｐｄ膜９が形成されると、続いてレジスト形成工程が実
施される。図１０（Ｃ），（Ｄ）はレジスト形成工程を
示している。
【００９６】レジスト形成工程では、図１０（Ｃ）に示
されるように、先ず半導体素子１の上面全面にレジスト
２１をスピンコートする。続いて、このレジスト２１に
対して第２の配線層５のパターンが形成されたマスクを
用いて露光処理を行うと共に、第２の配線層５のパター
ン形成位置におけるレジスト２１を剥離する。図１０
（Ｄ）は、第２の配線層５のパターン形成位置のレジス
ト２１が剥離された状態を示している。
されるように、先ず半導体素子１の上面全面にレジスト
２１をスピンコートする。続いて、このレジスト２１に
対して第２の配線層５のパターンが形成されたマスクを
用いて露光処理を行うと共に、第２の配線層５のパター
ン形成位置におけるレジスト２１を剥離する。図１０
（Ｄ）は、第２の配線層５のパターン形成位置のレジス
ト２１が剥離された状態を示している。
【００９７】上記のように、第２の配線層５のパターン
形成位置のレジスト２１が剥離されることにより、レジ
スト２１には第２の配線層５のパターンに対応した開口
部２２が形成される。この開口部２２が形成されること
により、第１の絶縁膜７及び接続部８を介して第１の配
線層４は露出した状態となっている。
形成位置のレジスト２１が剥離されることにより、レジ
スト２１には第２の配線層５のパターンに対応した開口
部２２が形成される。この開口部２２が形成されること
により、第１の絶縁膜７及び接続部８を介して第１の配
線層４は露出した状態となっている。
【００９８】レジスト形成工程を実施することにより、
第２の配線層５のパターンと同一形状の開口部２２が形
成されると、続いて第２の配線層形成工程が実施され
る。図１０（Ｅ）及び図１１（Ｆ）は第２の配線層形成
工程を示している。第２の配線層形成工程では、開口部
２２を有するレジスト２１が形成された半導体素子１を
硫酸銅からなる無電解銅（Ｃｕ）めっき液に浸漬し、開
口部２２内に約２μｍの厚さで銅膜（Ｃｕ膜）を析出さ
せる。これにより、図１０（Ｅ）に示されるように、開
口部２２内に第２の配線層５が形成される。続いて、レ
ジスト２１を溶解除去することにより、図１１（Ｆ）に
示されるように、半導体素子１上に所定パターンを有し
た第２の配線層５が形成される。
第２の配線層５のパターンと同一形状の開口部２２が形
成されると、続いて第２の配線層形成工程が実施され
る。図１０（Ｅ）及び図１１（Ｆ）は第２の配線層形成
工程を示している。第２の配線層形成工程では、開口部
２２を有するレジスト２１が形成された半導体素子１を
硫酸銅からなる無電解銅（Ｃｕ）めっき液に浸漬し、開
口部２２内に約２μｍの厚さで銅膜（Ｃｕ膜）を析出さ
せる。これにより、図１０（Ｅ）に示されるように、開
口部２２内に第２の配線層５が形成される。続いて、レ
ジスト２１を溶解除去することにより、図１１（Ｆ）に
示されるように、半導体素子１上に所定パターンを有し
た第２の配線層５が形成される。
【００９９】本実施例においては、上記のように開口部
２２は第２の配線層５のパターンと同一形状とされてい
るため、開口部２２内にＣｕ膜を無電解めっきすること
により、直ちに第２の配線層５が形成される。よって、
第１の実施例で示した製造方法に比べて、導体膜１０を
パターニングする処理が不要となるため、外部接続用電
極１１の形成工程を簡単化することができる。
２２は第２の配線層５のパターンと同一形状とされてい
るため、開口部２２内にＣｕ膜を無電解めっきすること
により、直ちに第２の配線層５が形成される。よって、
第１の実施例で示した製造方法に比べて、導体膜１０を
パターニングする処理が不要となるため、外部接続用電
極１１の形成工程を簡単化することができる。
【０１００】尚、前記したようにＰｄ析出工程において
半導体素子１の表面にはＰｄ膜９が形成されているため
第２の配線層５の析出を確実に行うことができ、また第
１の絶縁膜７には開口部である接続部８が形成されてい
るため、この接続部８において第１の配線層４は第２の
配線層５と電気的に接続する。
半導体素子１の表面にはＰｄ膜９が形成されているため
第２の配線層５の析出を確実に行うことができ、また第
１の絶縁膜７には開口部である接続部８が形成されてい
るため、この接続部８において第１の配線層４は第２の
配線層５と電気的に接続する。
【０１０１】本実施例における第２の配線層形成工程
は、前記した第１の実施例と同様に、第２の配線層５を
形成する方法として無電解めっき法を用いている。この
ため、第２の配線層５を安価に形成することができ、延
いては外部接続用電極１１を安価に製造することが可能
となる。
は、前記した第１の実施例と同様に、第２の配線層５を
形成する方法として無電解めっき法を用いている。この
ため、第２の配線層５を安価に形成することができ、延
いては外部接続用電極１１を安価に製造することが可能
となる。
【０１０２】以上説明してきた第２の配線層形成工程が
終了すると、図１１（Ｇ），（Ｈ）に示される第２の絶
縁膜形成工程が実施され、電極形成部６に開口部を有し
た第２の絶縁膜１３が形成され、また第２の絶縁膜形成
工程が終了すると図１１（Ｉ）に示す突起電極形成工程
が実施され、電極形成部６にバンプ電極１５（突起電
極）が形成される。
終了すると、図１１（Ｇ），（Ｈ）に示される第２の絶
縁膜形成工程が実施され、電極形成部６に開口部を有し
た第２の絶縁膜１３が形成され、また第２の絶縁膜形成
工程が終了すると図１１（Ｉ）に示す突起電極形成工程
が実施され、電極形成部６にバンプ電極１５（突起電
極）が形成される。
【０１０３】尚、第２の絶縁膜形成工程及び突起電極形
成工程は、前記した第１実施例における第２の絶縁膜形
成工程及び突起電極形成工程と同一処理であるため、そ
の詳細についての説明は省略する。上記した第２実施例
に係る製造方法により製造された外部接続用電極１１
は、その最終形態は第１実施例により形成された外部接
続用電極１１と同一形態となる。従って、第２実施例に
係る製造方法により製造された外部接続用電極１１を具
備する半導体装置１７は、図４に示されるようにフリッ
プチップボンディングにより実装可能な構成となり、ユ
ーザの幅広いニーズに対応することが可能となる。
成工程は、前記した第１実施例における第２の絶縁膜形
成工程及び突起電極形成工程と同一処理であるため、そ
の詳細についての説明は省略する。上記した第２実施例
に係る製造方法により製造された外部接続用電極１１
は、その最終形態は第１実施例により形成された外部接
続用電極１１と同一形態となる。従って、第２実施例に
係る製造方法により製造された外部接続用電極１１を具
備する半導体装置１７は、図４に示されるようにフリッ
プチップボンディングにより実装可能な構成となり、ユ
ーザの幅広いニーズに対応することが可能となる。
【０１０４】尚、第１実施例の説明において、図５を用
いて説明した第１の変形例、図６を用いて説明した第２
の変形例、図７及び図８を用いて説明した第３の変形
例、及び図９（Ａ）を用いて説明した第４の変形例は、
上記した第２実施例に係る外部接続用電極の形成方法に
も適用できることは勿論である。
いて説明した第１の変形例、図６を用いて説明した第２
の変形例、図７及び図８を用いて説明した第３の変形
例、及び図９（Ａ）を用いて説明した第４の変形例は、
上記した第２実施例に係る外部接続用電極の形成方法に
も適用できることは勿論である。
【０１０５】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１，請求項１
４，請求項１２，及び請求項２３記載の発明によれば、
第２の配線層となる導体膜を形成する方法として、従来
実施されていたスパッタリング法に比べて製造設備が容
易でかつランニングコストが安価なめっき法を用いてる
ため、外部接続用電極を安価に製造することができる。
の効果を実現することができる。請求項１，請求項１
４，請求項１２，及び請求項２３記載の発明によれば、
第２の配線層となる導体膜を形成する方法として、従来
実施されていたスパッタリング法に比べて製造設備が容
易でかつランニングコストが安価なめっき法を用いてる
ため、外部接続用電極を安価に製造することができる。
【０１０６】また、請求項２及び請求項１５記載の発明
によれば、フリップチップ実装が可能な外部接続用電極
を実現することができる。また、請求項３及び請求項１
６記載の発明によれば、第２の配線層形成工程において
めっき処理を行う際、めっき液により第１の配線層が損
傷することを防止することができる。
によれば、フリップチップ実装が可能な外部接続用電極
を実現することができる。また、請求項３及び請求項１
６記載の発明によれば、第２の配線層形成工程において
めっき処理を行う際、めっき液により第１の配線層が損
傷することを防止することができる。
【０１０７】また、請求項４及び請求項１７記載の発明
によれば、第２の保護膜を形成することにより第２の配
線層が酸化等により劣化することを防止することができ
る。また、請求項５記載の発明によれば、導体膜と第２
の保護膜とを別個にパターニング処理する方法に比べて
工程の簡略化を図ることができる。
によれば、第２の保護膜を形成することにより第２の配
線層が酸化等により劣化することを防止することができ
る。また、請求項５記載の発明によれば、導体膜と第２
の保護膜とを別個にパターニング処理する方法に比べて
工程の簡略化を図ることができる。
【０１０８】また、請求項６記載の発明によれば、第２
の配線層の形成時間を短縮することができ、外部接続用
電極の形成効率を向上させることができる。また、請求
項７乃至請求項９，及び請求項１８乃至請求項２０記載
の発明によれば、第１の絶縁膜の表面にアンカー効果を
持たせることができ、よって第２の配線層となる導体膜
と第１の絶縁膜との接合性を向上することができる。
の配線層の形成時間を短縮することができ、外部接続用
電極の形成効率を向上させることができる。また、請求
項７乃至請求項９，及び請求項１８乃至請求項２０記載
の発明によれば、第１の絶縁膜の表面にアンカー効果を
持たせることができ、よって第２の配線層となる導体膜
と第１の絶縁膜との接合性を向上することができる。
【０１０９】また、請求項１０及び請求項２１記載の発
明によれば、実質的に接続部間のピッチを広くすること
が可能となり、よって第２の配線層の形成を適正かつ容
易に行うことができる。また、請求項１１及び請求項２
２記載の発明によれば、第３の絶縁性膜の表面は粗面化
しアンカー効果が発生するため、第３の絶縁性膜の上部
に第２の配線層が形成される際に第３の絶縁性膜と第２
の配線層との接合性を向上させることができる。
明によれば、実質的に接続部間のピッチを広くすること
が可能となり、よって第２の配線層の形成を適正かつ容
易に行うことができる。また、請求項１１及び請求項２
２記載の発明によれば、第３の絶縁性膜の表面は粗面化
しアンカー効果が発生するため、第３の絶縁性膜の上部
に第２の配線層が形成される際に第３の絶縁性膜と第２
の配線層との接合性を向上させることができる。
【０１１０】更に、上記した各実施例においては、Ｐｄ
膜形成工程において形成されたＰｄ膜９をそのまま残し
た構成を示した。このＰｄ膜９は、そのまま残しておい
ても絶縁性に対しては問題はないが、除去したい場合に
は塩酸−過酸化水素水混合液に浸漬させることにより容
易に除去することができるものである。
膜形成工程において形成されたＰｄ膜９をそのまま残し
た構成を示した。このＰｄ膜９は、そのまま残しておい
ても絶縁性に対しては問題はないが、除去したい場合に
は塩酸−過酸化水素水混合液に浸漬させることにより容
易に除去することができるものである。
【図１】本発明の第１実施例である外部接続用電極の製
造方法を説明するための図（その１）である。
造方法を説明するための図（その１）である。
【図２】本発明の第１実施例である外部接続用電極の製
造方法を説明するための図（その２）である。
造方法を説明するための図（その２）である。
【図３】半導体素子を説明するための図であり、（Ａ）
は半導体素子の平面図であり、（Ｂ）は半導体素子の断
面図である。
は半導体素子の平面図であり、（Ｂ）は半導体素子の断
面図である。
【図４】本発明の第１実施例である外部接続用電極の製
造方法を用いて製造された外部接続用電極を有する半導
体装置を示す図であり、（Ａ）は半導体装置の平面図で
あり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図で
ある。
造方法を用いて製造された外部接続用電極を有する半導
体装置を示す図であり、（Ａ）は半導体装置の平面図で
あり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図で
ある。
【図５】本発明の第１実施例である外部接続用電極の製
造方法の変形例を説明するための図である。
造方法の変形例を説明するための図である。
【図６】粗化工程を説明するための図である。
【図７】第３の絶縁性膜形成工程を説明するための図で
ある。
ある。
【図８】第３の絶縁性膜形成工程を説明するための図で
ある。
ある。
【図９】本発明の第１実施例である外部接続用電極の製
造方法の各種変形例を説明するための図である。
造方法の各種変形例を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２実施例である外部接続用電極の
製造方法を説明するための図（その１）である。
製造方法を説明するための図（その１）である。
【図１１】本発明の第２実施例である外部接続用電極の
製造方法を説明するための図（その２）である。
製造方法を説明するための図（その２）である。
１ 半導体素子 ３ アクティブ領域 ４ 第１の配線層 ５ 第２の配線層 ６ 電極形成部 ７ 第１の絶縁膜 ８ 接続部 ９ Ｐｄ膜 １０ 導体膜 １１ 外部接続用電極 １２ レジスト １３ 第２の絶縁膜 １５ バンプ電極 １６，１６Ａ 電極用保護膜 １７ 半導体装置 １８ 接続用開口 １９ 第３の絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永重 健一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 依田 博行 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤森 城次 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 牧野 豊 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 仲田 実 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 水越 正孝 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (24)
- 【請求項１】 第１の配線層を有する半導体素子上に、
第２の配線層と電極形成部とにより構成される外部接続
用電極を形成する外部接続用電極の製造方法において、 前記第１の配線層を有する半導体素子上に前記第２の配
線層と接続される接続部を除いて第１の絶縁膜を形成す
る第１の絶縁膜形成工程と、 前記第１の絶縁膜上に前記第１の配線層と接続する導体
膜の少なくとも一部を無電解めっき法にて形成した後、
前記導体膜をパターニングを行うことにより第２の配線
層を形成する第２の配線層形成工程と、 電極形成部を除いて前記第２の配線層上に第２の絶縁膜
を形成する第２の絶縁膜形成工程とを有することを特徴
とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の外部接続用電極の製造方
法において、 前記第２の配線層形成工程の実施中又は実施した後に、
前記第２の配線層上の前記電極形成部に突起電極を形成
する突起電極形成工程を実施することを特徴とする外部
接続用電極の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の外部接続用電極の
製造方法において、 少なくとも前記第２の配線層形成工程を実施する前に、
前記第１の配線層に第１の保護膜を形成することを特徴
とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の外部
接続用電極の製造方法において、 前記第２の絶縁膜形成工程を実施した後に、前記第２の
配線層上の前記電極形成部に導電性材料よりなる第２の
保護膜を形成する保護膜形成工程を設けたことを特徴と
する外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかに記載の外部
接続用電極の製造方法において、 前記第２の配線層形成工程で前記導体膜を形成した後、
前記導体膜上に導電性材料よりなる第２の保護膜を形成
し、前記導体膜を前記第２の保護膜と共にパターニング
を行うことにより第２の配線層を形成することを特徴と
する外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の外部
接続用電極の製造方法において、 前記第２の配線層形成工程で、先ず下地めっき層を無電
解めっきにより形成し、続いて前記下地めっき層をめっ
き用電極として前記下地めっき層上に上部めっき層を電
解めっきにより形成することにより第２の配線層を形成
することを特徴とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の外部
接続用電極の製造方法において、 前記第１の絶縁膜形成工程と前記第２の配線層形成工程
との間に、前記第１の絶縁膜形成工程において形成され
た前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる粗化工程を設け
たことを特徴とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の外部接続用電極の製造方
法において、 前記粗化工程は、前記第１の絶縁膜を形成する樹脂材料
を溶解する溶液の希薄溶液を用いて前記第１の絶縁膜を
浸食させることにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化
させる処理であることを特徴とする外部接続用電極の製
造方法。 - 【請求項９】 請求項７記載の外部接続用電極の製造方
法において、 前記粗化工程は、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した
後、形成された前記第１の絶縁膜の表面に対しブラスト
加工を実施することにより、前記第１の絶縁膜の表面を
粗化させる処理であることを特徴とする外部接続用電極
の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれかに記載の外
部接続用電極の製造方法において、 前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後で、かつ前記第
２の配線層の実施前に、前記接続部における前記第１の
配線層の露出面積よりも狭い面積の接続用開口部を有す
る第３の絶縁性膜を前記第１の絶縁膜上に形成する第３
の絶縁性膜形成工程を設けたことを特徴とする外部接続
用電極の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の外部接続用電極の製
造方法において、 前記第３の絶縁性膜としてアルカリ可溶性無機物を含有
した樹脂材を用いると共に、前記第２の配線層形成工程
において前記第２の配線層を無電解めっきする際に、前
記アルカリ可溶性無機物を溶解することを特徴とする外
部接続用電極の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１の外部接続用電極の
製造方法により製造される外部接続用電極。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の外部接続用電極を具
備する半導体装置。 - 【請求項１４】 第１の配線層を有する半導体素子上
に、第２の配線層と電極形成部とにより構成される外部
接続用電極を形成する外部接続用電極の製造方法におい
て、 前記第１の配線層を有する半導体素子上に前記第２の配
線層と接続される接続部を除いて第１の絶縁膜を形成す
る第１の絶縁膜形成工程と、 前記第１の絶縁膜上に、前記第２の配線層が形成される
第２の配線層形成位置を除きレジストを形成するレジス
ト形成工程と、 無電解めっき法にて前記第２の配線層形成位置に第２の
配線層を形成する第２の配線層形成工程と、 電極形成部を除いて前記第２の配線層上に第２の絶縁膜
を形成する第２の絶縁膜形成工程とを有することを特徴
とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の外部接続用電極の製
造方法において、 前記第２の配線層形成工程の実施中又は実施した後に、
前記第２の配線層上の前記電極形成部に突起電極を形成
する突起電極形成工程を実施することを特徴とする外部
接続用電極の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１４又は１５記載の外部接続用
電極の製造方法において、 少なくとも前記第２の配線層形成工程を実施する前に、
前記第１の配線層に第１の保護膜を形成することを特徴
とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１４乃至１６のいずれかに記載
の外部接続用電極の製造方法において、 前記第２の絶縁膜形成工程を実施した後に、前記第２の
配線層上の前記電極形成部に導電性材料よりなる第２の
保護膜を形成する保護膜形成工程を設けたことを特徴と
する外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１４乃至１７のいずれかに記載
の外部接続用電極の製造方法において、 前記第１の絶縁膜形成工程と前記第２の配線層形成工程
との間に、前記第１の絶縁膜形成工程において形成され
た前記第１の絶縁膜の表面を粗化させる粗化工程を設け
たことを特徴とする外部接続用電極の製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の外部接続用電極の製
造方法において、 前記粗化工程は、前記第１の絶縁膜を形成する樹脂材料
を溶解する溶液の希薄溶液を用いて前記第１の絶縁膜を
浸食させることにより、前記第１の絶縁膜の表面を粗化
させる処理であることを特徴とする外部接続用電極の製
造方法。 - 【請求項２０】 請求項１８記載の外部接続用電極の製
造方法において、 前記粗化工程は、前記第１の絶縁膜形成工程を実施した
後、形成された前記第１の絶縁膜の表面に対しブラスト
加工を実施することにより、前記第１の絶縁膜の表面を
粗化させる処理であることを特徴とする外部接続用電極
の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１４乃至２０のいずれかに記載
の外部接続用電極の製造方法において、 前記第１の絶縁膜形成工程を実施した後で、かつ前記第
２の配線層の実施前に、前記電極形成部における前記第
１の配線層の露出面積よりも狭い面積の接続用開口部を
有する第３の絶縁性膜を前記第１の絶縁膜上に形成する
第３の絶縁性膜形成工程を設けたことを特徴とする外部
接続用電極の製造方法。 - 【請求項２２】 請求項２１記載の外部接続用電極の製
造方法において、 前記第３の絶縁性膜としてアルカリ可溶性無機物を含有
した樹脂材を用いると共に、前記第２の配線層形成工程
において前記第２の配線層を無電解めっきする際に、前
記アルカリ可溶性無機物を溶解することを特徴とする外
部接続用電極の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１４乃至２２の外部接続用電極
の製造方法により製造される外部接続用電極。 - 【請求項２４】 請求項２３記載の外部接続用電極を具
備する半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP16480696A JP3589794B2 (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 外部接続用電極の製造方法及び外部接続用電極及び 半導体装置 |
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ID=15800280
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006295209A (ja) * | 2006-06-26 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP16480696A patent/JP3589794B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2006295209A (ja) * | 2006-06-26 | 2006-10-26 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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