JPH0755839A

JPH0755839A - プローブ構造

Info

Publication number: JPH0755839A
Application number: JP5199625A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Hino; 敦司日野; Naoharu Morita; 尚治森田
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1993-08-11
Filing date: 1993-08-11
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【構成】被検査体１０の導通検査を行うための回路配
線２が、絶縁性基材１内に埋設され、上記被検査体の端
子１１に接触する接点部３が、上記絶縁性基材１の一方
面１ａ側に形成され、上記回路配線２と接点部３とを接
続する導通路４が、上記絶縁性基材１の厚み方向に形成
され、上記導通路４の領域を含む凹部５が、上記絶縁性
基材１の他方面１ｂ側に形成されているプローブ構造で
あって、望ましくは、絶縁性基材１には、被検査体１０
を収容する収容凹部９が、絶縁性基材１の凹部形成面側
の反対面側に成形され、接点部３が、上記収容凹部９の
底面９ａに突起部を突出させて形成されている。【効果】プローブ構造自体がクッション性を有してい
るので、導通検査の際に収容凹部に被検査体を収容する
だけで、接点部が被検査体の端子に、簡単かつ確実に接
触する。したがって、位置決め操作が容易となり、導通
検査の作業性が向上し、検査結果の信頼性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プローブ構造に関し、
特に半導体素子、ダイシング前の半導体素子が形成され
たウエハなどの半導体素子集合体、ＴＡＢ、半導体装置
などの導通検査、半導体装置搭載用回路基板、ＬＣＤ用
回路基板などの配線回路の導通検査に用いられるテスタ
ーなどの試験機器の先端部に設けられるプローブ構造に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体基板などの製造技術の発展
がめざましく、それに伴いＩＣ配線の微細パターン化が
進み、このような微細パターンのＩＣを搭載する半導体
装置も年々増加している。通常、このような半導体装置
は導通検査などを行う必要があり、針式のメカニカルプ
ローブやメンブレン型プローブなどが用いられている。

【０００３】メカニカルプローブは、接触用針によって
一か所ずつ検査を行うものであるが、パターンの微細化
に伴い、メカニカルプローブでは検査時の位置合わせが
困難であること、および位置合わせ時にパターンを損傷
するおそれがあることから、複数箇所を一括して検査す
ることができるメンブレン型プローブが注目されている
（例えば特開平３−２３７３６９号公報、特開平３−２
９３５６６号公報など参照）。

【０００４】メンブレン型プローブは、触針用の金属突
出物（以下「バンプ」という。）を有するフィルム状回
路基板であって、絶縁性フィルムと導電層との積層構造
体における絶縁性フィルムに貫通孔を穿設し、この貫通
孔に金属物質を充填し、さらに半球状（ドーム状）にバ
ンプを形成した構造のものである。

【０００５】しかし、このようなメンブレン型プローブ
のバンプの高さは、通常数十μｍ、高くても数百μｍで
あり、また基材として一般的に使用される絶縁性フィル
ムであるポリイミド樹脂層などは弾力性に乏しいので、
被検査体である半導体素子や基板上の細かく高さが変化
する形状に追随させることが困難となる場合がある。ま
た、バンプの高さに多少でも不揃いがあると、バンプと
被検査体の端子との間の距離のばらつきにより導通不良
が生じ、接触信頼性の低下につながることがある。

【０００６】さらに、例えば１枚のウエハを一括検査す
るなどのように、ファインピッチで形成された多数の電
極に対して探針する場合には、メンブレン型プローブの
配線回路を多層構造体にする必要があり、その結果、プ
ローブ自体に可撓性がなくなり、接触不良などが生じて
探針ができなくなるおそれがある。

【０００７】さらにまた、バンプにはクッション性がな
いので、被検査体である半導体素子の電極にバンプを接
触させる際に、電極の損傷を防ぐべく、加圧ヘッドとプ
ローブとの間にクッション材を介在させなければなら
ず、クッション材からの汚染やクッション材の伸縮によ
る寸法変化という問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
メンブレン型プローブが有する問題点を解決し、バーン
イン検査のような高温下での検査や、ウエハスケールで
の検査のように、ファインピッチで形成された多数の電
極を一括して探針、検査する場合においても、信頼性の
高いプローブ構造を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、以下のプロ
ーブ構造を提供することにより、導通検査の際にクッシ
ョン効果が得られ、被検査体の端子との間の距離のばら
つきによる接続不良が解消され、被検査体の端子との導
通を確実に行い得ることを見出し、本発明を完成するに
至った。

【００１０】すなわち、本発明のプローブ構造は、被検
査体の導通検査を行うための回路配線が、絶縁性基材内
に埋設され、上記被検査体の端子に接触する接点部が、
上記絶縁性基材の一方面側に形成され、上記回路配線と
接点部とを接続する導通路が、上記絶縁性基材の厚み方
向に形成され、上記導通路の領域を含む凹部が、上記絶
縁性基材の他方面側に形成されていることを特徴とす
る。

【００１１】また、導通路断面よりも大きい底面部を有
する多段凹部が、回路配線の接点部位置に対応させて形
成されていることを特徴とする。

【００１２】さらに、上記凹部内に絶縁性基材よりも弾
性率の低い低弾性層が形成されていることを特徴とす
る。

【００１３】さらにまた、被検査体を収容する収容凹部
が、絶縁性基材の凹部形成面側の反対面側に成形され、
接点部が、上記収容凹部の底面に露出させて形成されて
いることを特徴とする。

【００１４】本発明において「被検査体」とは、半導体
素子、半導体素子集合体（ダイシング前のシリコンウエ
ハおよびダイシング後のシリコンチップなど）、半導体
装置、半導体装置搭載用回路基板、ＬＣＤ用回路基板な
どをいい、「端子」は、電極、パッド、ランドの概念を
包含する。「回路配線」とは、配線パターンのみなら
ず、電極、リードなどを包含する広い概念のことであ
る。

【００１５】「接点部」とは、被検査体の端子に接触す
ることにより導通する導電体をいう。「接点部」の形状
は特に限定されず、三角形、正方形、長方形、台形、平
行四辺形、その他の多角形、円形などの平面、あるいは
角柱、円柱、球体、錐体（円錐、角錐）などの立体であ
ってもよい。また、必ずしも絶縁性基材の表面よりも外
方向に突出するように形成される必要はなく、被検査体
のレイアウトや回路の形状などによって任意に設定する
ことができる。さらに、「導通路」の形状も同様に限定
されない。

【００１６】「凹部」についても、接点部と同様に、そ
の形状は限定されず、凹部は少なくとも絶縁性基材の接
点部側と反対の面側に形成されており（絶縁性基材の接
点部側の面にも形成されることがある。）、また、回路
配線が露出するように、絶縁性基材を貫通して形成され
ていてもよい。

【００１７】

【作用】本発明のプローブ構造によれば、絶縁性基材の
接点部側と反対の面側に、導通路の領域を含む凹部が形
成されているので、接点部と被検査体の端子とが接触し
た際に、その応力によって、凹部が形成された領域の絶
縁性基材の部分が凹部内に入り込む。すなわち、該領域
内の回路配線、導通路および接点部が、絶縁性基材とと
もに凹部内に入り込むので、接点部のクッション効果が
得られ、被検査体の端子の損傷を防ぐことができる。さ
らに、上記クッション効果によって、接点部と被検査体
の端子との間の距離のばらつきが補正されるので、追従
性（Compliance）がさらに向上し、電気的接続がより確
実なものとなる。

【００１８】また、該導通路断面よりも大きい底面部を
有する多段凹部が、回路配線の接点部位置に対応させて
形成されている場合には、被検査体の端子の数が多く、
これに対応する回路配線が多層構造となる場合に特に有
効である。すなわち、回路配線が多層構造である場合に
は、該凹部の底面部と回路配線との距離が層毎に異なる
ので、凹部を回路配線の多層構造に対応させた多段状に
形成することによって、該凹部の底面部と回路配線との
間隔を一定に設定することができる。

【００１９】さらに、上記凹部内に絶縁性基材よりも弾
性率の低い低弾性層が形成されている場合には、接点部
と被検査体の端子とが接触した際に、その応力による該
低弾性層の変形（圧縮）の程度が該絶縁性基材よりも大
きいので、接点部のクッション効果が得られるととも
に、接点部と端子とが離反した際に、接点部と端子との
接触による応力に抗して作用する該低弾性層の弾性力に
より、該絶縁性基材が外方向へ押されて、接点部が元の
状態に復元する。したがって、接点部のクッション性が
向上するとともに、接点部の復元がより確実となり、以
降の導通検査において端子との導通が確実となる。さら
に、該凹部内に該低弾性層を積層することによって、該
絶縁性基材の機械強度が保持されるので、使用に際して
取扱が容易となる。

【００２０】さらにまた、被検査体を収容する収容凹部
が、絶縁性基材の凹部形成面側の反対面側に成形され、
接点部が、上記収容凹部の底面に露出させて形成されて
いる場合には、被検査体の端子と接点部との位置合わせ
が容易となる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を詳細に説明するため実施例を
挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら限定され
るものではない。

【００２２】図１は、本発明のプローブ構造の第１の実
施例を示す断面図である。図１に示されるプローブ構造
Ｐ１において、絶縁性基材１内には、回路配線であるリ
ード２が埋設されており、このリード２は図示しない試
験機器（テスター）に接続されている。リード２は、導
通路４によって被検査体の回路パターンや半導体素子上
の電極端子と電気的に接続され、所定の機能を有するか
否かを導通検査できるように、所望の線状パターンにて
配線される。

【００２３】上記リード２の面方向における領域内、ま
たはその近傍領域には、絶縁性基材１を厚み方向に貫通
する円柱状の導通路４が形成されており、この導通路４
の先端には、絶縁性基材１の一方面１ａよりも外方向へ
突出させたバンプ３が形成されている。このバンプ３
は、被検査体である例えば半導体素子の電極に接触する
接点部位置に形成されている。上記バンプ３の形状は、
特に限定されないが、半導体素子、電気回路、電気回路
部品などの被検査体と確実に接触させるためには、図示
するようなマッシュルーム形状とすることが好ましい。

【００２４】なお、本発明では図１に示されるように接
点部がバンプ状に突出せず、絶縁性基材１の一方面１ａ
上に露出するように導通路４が形成され、その露出部が
接点部となる態様をも包含することはいうまでもない。

【００２５】絶縁性基材１の他方面１ｂ側には、導通路
４の面方向における領域を含む凹部５が形成されてい
る。この凹部５の深さは、リード２が露出する程度まで
としてもよいが、図１に示されるように、通常は、凹部
５の底面５ａからリード２までの厚みが２５μｍ以下
で、かつリード２が露出しない程度にすることが好まし
い。なお、凹部５の形状および面方向における凹部５の
底面５ａの大きさは、特に限定されるものではなく、少
なくとも導通路４が形成された領域を全て含む大きさに
凹部５が形成されていればよい。

【００２６】上記絶縁性基材１の形成材料としては、電
気絶縁特性を有するものであり、適度な可撓性を有する
ものであれば特に限定されない。具体的には、ポリエス
テル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹
脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン
−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポリカーボネート
系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂などの熱硬化
性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの樹脂
うち、導通検査の際の位置合わせの容易性の点から、透
光性を有するものが好ましく、さらに、耐熱性および機
械的強度の点から、ポリイミド系樹脂が特に好適に使用
される。

【００２７】絶縁性基材１の厚さは、特に限定されない
が、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするた
め、５〜５００μｍ、好ましくは５〜１５０μｍに設定
する。

【００２８】リード２、バンプ３および導通路４を構成
する形成材料としては、導電性を有するものであれば特
に限定されず、公知の金属材料が使用できるが、例えば
金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、イン
ジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウム
などの単独金属、またはこれらを成分とする各種合金、
例えば、半田、ニッケル−錫、金−コバルトなどが挙げ
られる。なお、通常、被検査体の端子である電極上の酸
化物層や配線パターン上の絶縁層を破壊することができ
るように、硬質で酸化しにくく、かつ電気抵抗の低い金
属、例えば、ロジウム、ルテニウム、白金などの貴金属
が好適に用いられる。

【００２９】リード２の厚さは、特に限定されないが、
１〜２００μｍ、好ましくは５〜８０μｍに設定する。
バンプ３の絶縁性基材１の表面１ｂからの高さは特に限
定されるものではなく、接触する被検査体の端子の大き
さに応じて任意に設定することができ、通常、数μｍ〜
数百μｍとすることが好ましい。バンプ３は、図１に示
すようなマッシュルーム状（傘状）の他、半球状、球状
に形成される。

【００３０】導通路４を構成する形成材料は、バンプ３
を構成する形成材料と同一の物質または別の物質のいず
れであってもよいが、通常は同一の物質を使用し、また
この場合、バンプ３と導通路４とを一体的に形成するこ
とが製造上好ましい。

【００３１】バンプ３は、単一の金属層から形成するだ
けでなく、被検査体の端子に対して適した物性にコント
ロールするために、複数種の金属を用いて多層構造にし
てもよい。例えば、繰り返して応力が負荷されるような
接点への使用の場合、または被検査体の端子への食い込
みが必要な場合には、バンプ３の心材金属にニッケルの
ような比較的硬い金属を用い、表層金属として金、半田
などの接合用金属を用いた多層構造のものを形成するこ
とが好ましい。

【００３２】導通検査に際しては、プローブ構造Ｐ１を
半導体素子などの被検査体と加圧ヘッドとの間に介在さ
せ、プローブ構造Ｐ１と被検査体との位置合わせを行っ
た後、加圧ヘッドを被検査体に近接する方向に変移さ
せ、バンプ３を被検査体の端子に接触させる。さらに、
加圧ヘッドを下降させることにより、絶縁性基材１は被
検査体に近接し、バンプ３は凹部５の底面５ａを盛り上
げ、導通検査時のクッション効果を奏する。凹部５の底
面５ａを盛り上がることにより、バンプ３と被検査体の
端子との高さのばらつきが補正され、バンプ３と端子と
の接触が確実となる。

【００３３】その後、被検査体を導通検査するための特
定周波数の信号が、テスターなどの試験機器からバンプ
３を介して、被検査体の端子に入力され、被検査体の導
通検査が行われる。導通検査が終了した後、加圧ヘッド
を被検査体から離反する方向に変移させると、バンプ３
に負荷されていた応力が緩和され、凹部５の底面５ａの
歪みが緩和され、図１に示される状態に復元する。な
お、「試験機器」とは、テスターのみならず、例えば、
被検査体と回路配線との間のインピーダンス整合に用い
られるデバイスをも包含する。

【００３４】図２は、本発明のプローブ構造の第２の実
施例を示す断面図である。以下の実施例において、図１
と同一の参照符号が付された部分は、同一または相当す
る部分を示す。図２に示されるプローブ構造Ｐ２におい
て注目すべきは、凹部５内に絶縁性基材１よりも弾性率
の低い低弾性層６が形成されている点である。低弾性層
６を構成する樹脂としては、絶縁性基材１よりも弾性率
の低い弾性を有するものであれば特に限定されないが、
バーンインテストなどの高温下での検査への応用などを
考慮する場合は、ある程度の耐熱性が必要であり、たと
えばシリコーン系樹脂、フッ素系樹脂などのエラストマ
ー樹脂を用いることが望ましい。

【００３５】本実施例によれば、バンプ３のクッション
効果が得られるとともに、バンプ３と被検査体の端子と
が離反した際に、低弾性層６の弾性力により、絶縁性基
材１が外方向へ押されて、バンプ３が元の状態に復元す
る。したがって、バンプ３のクッション性が向上すると
ともに、バンプ３の復元がより確実となり、以降の導通
検査において端子との導通が確実となる。さらに、凹部
５内に低弾性層６を積層することによって、絶縁性基材
１の機械強度が保持されるので、使用に際して取扱が容
易となる。

【００３６】図３は、本発明のプローブ構造の第３の実
施例を示す断面図である。図３に示されるプローブ構造
Ｐ３において注目すべきは、絶縁性基材１に多段状の凹
部が形成されている点である。すなわち、凹部５の底面
５ａに、導通路４の断面よりも大きい底面部７ａを有す
る第２の凹部７が、回路配線の接点部位置に対応させて
形成されていることである。また、上記凹部５および７
内にはエラストマー樹脂が充填されて、上記低弾性層６
が形成されている。本実施例によれば、図２に示される
プローブ構造Ｐ２に比して、第１の凹部５の深さを浅く
することができ、回路配線の接点部位置に対応する絶縁
性基材１の厚みだけを一定の厚みに設定すればよいの
で、凹部製造に要する時間が短縮化される。

【００３７】図４は、本発明のプローブ構造の第４の実
施例を示す断面図である。図４に示されるプローブ構造
Ｐ４において注目すべきは、回路配線であるリードが多
層構造を成し、バンプ３が密接して形成されている点で
ある。すなわち、第１層目の第１リード２ａ、第２層目
の第２リード２ｂおよび第３層目の第３リード２ｃに
は、それぞれ第１導通路４ａ、第２導通路４ｂおよび第
３導通路４ｃが接続され、各導通路４ａ，４ｂ，４ｃの
先端にはバンプ３が形成されている。

【００３８】プローブ構造Ｐ４においては、このような
多層構造のリードに対応すべく、図３に示されるプロー
ブ構造Ｐ３と同様に、凹部が多段状（図４においては３
段）に形成され、具体的には、第１の凹部５の底面５ａ
には第２の凹部７が形成され、第２の凹部７の底面７ａ
には第３の凹部８が形成されている。このように、凹部
を多段状に形成することにより、第１の底面５ａと第３
リード２ｃとの間隔、第２の底面７ａと第２リード２ｂ
との間隔および第３の底面８ａと第１リード２ａとの間
隔を一定に設定することができる。すなわち、多層構造
の回路配線に接続された全ての導通路の領域を含む凹部
を形成する場合に、導通路に接続された回路配線部分と
凹部との間隔を一定に設定することができ、バンプのク
ッション性を維持することができる。

【００３９】図５は、本発明のプローブ構造の第５の実
施例を示す断面図である。図５に示されるプローブ構造
Ｐ５において注目すべきは、絶縁性基材１の一方面１ａ
側に、被検査体１０を収容する収容凹部９が形成されて
いる点である。収容凹部９の底面９ａには、導通検査に
要する全ての回路配線の接点部となるバンプ３が形成さ
れており、被検査体１０を収容凹部９に嵌合することに
よって、上記バンプ３が被検査体１０の端子１１に接触
する。上記収容凹部９の形状は、被検査体１０と相似で
あって、被検査体１０よりも僅かに大きく設定される。
本実施例によれば、検査時の位置決め操作が容易とな
り、作業性、信頼性が向上する。

【００４０】図６は、本発明のプローブ構造の製造工程
を示す断面図であり、例えば以下のようにして製造する
ことができる。

【００４１】まず、図６（ａ）に示すように、第１絶縁
性フィルム１２の一方面１２ａに、公知の方法にて、導
電性物質層１３を積層した基材を用意する。この導電性
物質層１３の積層方法としては、導電性物質をスパッタ
リング、各種蒸着、各種メッキする方法、導電体箔を用
い、導電体箔上に第１絶縁性フィルム１２をラミネート
する方法、あるいは導電体箔上に絶縁体を塗布して固化
させる方法等が挙げられる。

【００４２】次いで、上記導電性物質層１３の表面にレ
ジスト層を形成し、フォト工程を用いて所望のリードパ
ターンにレジスト層を感光させた後、化学的エッチング
処理によってリードパターン領域外のレジスト層を除去
し、さらに導電性物質層をエッチングして、図６（ｂ）
に示すように、所望の線状パターンのリード２を形成す
る。

【００４３】次に、第１絶縁性フィルム１２の一方面１
２ａに、絶縁性フィルムをキャスティングや圧着などの
方法によって貼り付けるか、絶縁性樹脂をカバーコート
して、図６（ｃ）に示すように、リード２を被覆する第
２絶縁性フィルム１４を形成する。本実施例において
は、第１および第２絶縁性フィルム１２，１４により絶
縁性基材１が構成され、両絶縁性フィルム１２，１４は
相互に異なる材料から構成されていてもよいが、通常は
同一材料、特に信頼性、耐熱性などを考慮すると、ポリ
イミド樹脂から構成されていることが好ましい。

【００４４】次に、絶縁性基材１の一方面、すなわち第
２絶縁性フィルム１４の一方面１４ａのバンプ３を形成
する位置にのみ穿孔して、図６（ｄ）に示すように、微
細貫通孔１５を穿設する。この微細貫通孔１５は、第２
絶縁性フィルム１４のみを貫通して形成され、リード２
の一部が微細貫通孔９を通して露出する。

【００４５】上記微細貫通孔１５の穿設には、パンチン
グなどの機械的穿孔方法、プラズマ加工、フォトリソグ
ラフィー加工、または第２絶縁性フィルム１４と耐薬品
性の異なるレジストなどを用いた化学エッチング、ファ
インピッチ化に対応するためには微細加工が可能なレー
ザー加工などの方法が用いられ、任意の孔径や孔間ピッ
チに微細貫通孔を形成することができる。なかでもパル
ス数またはエネルギー量を制御したエキシマレーザーの
如き紫外線レーザーを照射するレーザー加工法が、微細
加工性や加工形状の自由度などの点から特に好ましい。
微細貫通孔１５の孔径は、５〜１０００μｍ、好ましく
は５〜５００μｍ程度とする。微細貫通孔１５の孔径
は、隣合う微細貫通孔同士がつながらない程度にまで大
きくし、さらに孔間ピッチもできる限り小さくして、リ
ード２に接する微細貫通孔１５の数を増やすことが、微
細貫通孔１５に形成する導通路４の電気抵抗を小さくす
る上で好ましいものである。

【００４６】次に、上記微細貫通孔１５に導電性物質を
充填して、図６（ｅ）に示すように、導通路４およびバ
ンプ３を形成する。

【００４７】上記導通路４およびバンプ３の形成は、物
理的に導電性物質を微細貫通孔１５内に埋め込む方法、
ＣＶＤ法、電解メッキや無電解メッキなどのメッキ法、
ワイヤーボンディング法、クリーム半田ポッティング
法、上記工程により得られた構造物を導電性物質の溶融
浴に浸漬し引き上げて導電性物質を析出させる化学的方
法などにより行うことができるが、微細な突起電極の形
成が容易であることや、作業性などの点から、リード２
を電極とした電解メッキによる方法が好ましい。本発明
において導電性物質の充填とは、物理的に導電性物質を
埋め込むことだけでなく、上記化学的析出などによるも
のも含み、さらに微細貫通孔１５の壁面にチューブ状に
メッキを形成するスルーホールメッキをも包含する広い
概念のことである。

【００４８】次に、図６（ｆ）に示すように、第１絶縁
性フィルム１２の他方面１２ｂ側に凹部５を形成する。
この凹部５の形成は、上記の微細貫通孔１５の穿設と同
様の方法により行われるが、エッチングの精度などを考
慮すると、エキシマレーザーの如き紫外線レーザーを用
いたエッチングが特に好ましい。なお、凹部５の形成
は、導通路４およびバンプ３の形成前、あるいは微細貫
通孔１５の穿設前に行ってもよい。以上の工程により、
図１に示されるプローブ構造Ｐ１が得られるが、さらに
次の工程を経ることにより、図２に示されるプローブ構
造Ｐ２が得られる。

【００４９】すなわち、凹部５内にエラストマー樹脂な
どをポッティング法、キャスティング法などの公知の方
法で充填することによって、図６（ｇ）に示されるよう
に、低弾性層６を形成する。なお、エラストマー樹脂を
充填する際、凹部５によりリード２が露出していると、
リード２が損傷するおそれがあるので、リード２が露出
しないように凹部５を設定することが好ましく、またバ
ンプ３のクッション性を維持するために、凹部５の底面
５ａからリード２までの厚みは２５μｍ以下とすること
が好ましい。本実施例においては、凹部５がダムの役割
を果して、充填されたエラストマー樹脂をせき止めるの
で、均一な厚みの低弾性層６を形成することができ、信
頼性の点においても有利である。

【００５０】図７は、本発明のプローブ構造の他の製造
工程を示す断面図であり、特に図６の製造工程と異なる
点は、図７（ｆ）に示されるように、絶縁性基材１に凹
部５を形成するのではなく、第１絶縁性フィルム１６
に、予め凹部５の形に打ち抜かれた第３絶縁性フィルム
１７を貼り合わせる点である。第１絶縁性フィルム１６
に第３絶縁性フィルム１７を貼り合わせる方法として
は、熱可塑性の絶縁性フィルム１７を熱圧着する方法、
あるいは接着剤層を介して接着する方法が採用される。
なお、第１絶縁性フィルム１６の厚みは、図６に示され
る第１絶縁性フィルム１２の厚みよりも凹部５の深さの
分だけ薄く設定される。

【００５１】図６または図７に示される工程を経ること
により、図２に示されるプローブ構造Ｐ２が製造され
る。また、第２の凹部７、第３の凹部８および収容凹部
９を上記と同様の手段にて形成することにより、図３〜
図５に示されるプローブ構造Ｐ３〜Ｐ５が得られる。

【００５２】

【発明の効果】以上のように本発明のプローブ構造は、
プローブ構造自体がクッション性を有しており、導通検
査の際にクッション効果を付与するための他の材料を必
要とせず、半導体、高密度な電気部品、電気回路などの
被検査体に対して精度よく、しかも容易に導通検査をす
ることができる。また、被検査体が平面性に欠ける場合
でも、接点部と被検査体の端子との開いた間の距離のば
らつきが補正されるので、追従性（Compliance）がさら
に向上し、電気的接続がより確実なものとなる。特に、
被検査体が大面積のものである場合や被検査体の端子が
多数ある場合などに効果的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプローブ構造の第１の実施例を示す断
面図である。

【図２】本発明のプローブ構造の第２の実施例を示す断
面図である。

【図３】本発明のプローブ構造の第３の実施例を示す断
面図である。

【図４】本発明のプローブ構造の第４の実施例を示す断
面図である。

【図５】本発明のプローブ構造の第５の実施例を示す断
面図である。

【図６】本発明のプローブ構造の製造工程を示す断面図
である。

【図７】本発明のプローブ構造の他の製造工程を示す断
面図である。

【符号の説明】

１絶縁性基材１ａ一方面１ｂ他方面２リード（回路配線）３バンプ（接点部）４導通路５凹部５ａ底面６低弾性層７，８多段凹部７ａ，８ａ底面９収容凹部９ａ底面１０被検査体１１端子Ｐ１〜Ｐ５プローブ構造

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検査体の導通検査を行うための回路配
線が、絶縁性基材内に埋設され、上記被検査体の端子に
接触する接点部が、上記絶縁性基材の一方面側に形成さ
れ、上記回路配線と接点部とを接続する導通路が、上記
絶縁性基材の厚み方向に形成され、上記導通路の領域を
含む凹部が、上記絶縁性基材の他方面側に形成されてい
ることを特徴とするプローブ構造。
【請求項２】導通路断面よりも大きい底面部を有する
多段凹部が、回路配線の接点部位置に対応させて形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載のプローブ構
造。
【請求項３】凹部内に絶縁性基材よりも弾性率の低い
低弾性層が形成されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のプローブ構造。
【請求項４】被検査体を収容する収容凹部が、絶縁性
基材の凹部形成面側の反対面側に成形され、接点部が、
上記収容凹部の底面に露出させて形成されていることを
特徴とする請求項１〜３記載のプローブ構造。