JPH09105761A - プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板 - Google Patents
プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板Info
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- JPH09105761A JPH09105761A JP7261706A JP26170695A JPH09105761A JP H09105761 A JPH09105761 A JP H09105761A JP 7261706 A JP7261706 A JP 7261706A JP 26170695 A JP26170695 A JP 26170695A JP H09105761 A JPH09105761 A JP H09105761A
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
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- H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
- H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プローブ構造と検査対象物とを高精度に位置
決めできる位置決め部材を有するプローブ構造を、より
高精度で安価に製造する方法、およびこれに好適に用い
られる回路基板を提供することである。 【解決手段】 後記の回路基板１を用い、その絶縁性基
材２に対して位置決め部材３が形成された側の面に、該
位置決め部材の位置を基準としてバンプ接点の形成位置
を決定し、回路パターン４に導通されたバンプ接点５を
該位置に形成し、プローブ構造７を得る。回路基板１
は、絶縁性基材２に回路パターン４と位置決め部材３と
を有する。回路パターンと位置決め部材との位置関係
は、位置決め部材の位置を基準として形成されるバンプ
接点と、回路パターンとが互いに導通し得る位置関係で
ある。バンプ接点の位置の決定は、位置決め部材の位置
を画像処理技術を用いて特定し基準として算出し決定す
るのが好ましい。
決めできる位置決め部材を有するプローブ構造を、より
高精度で安価に製造する方法、およびこれに好適に用い
られる回路基板を提供することである。 【解決手段】 後記の回路基板１を用い、その絶縁性基
材２に対して位置決め部材３が形成された側の面に、該
位置決め部材の位置を基準としてバンプ接点の形成位置
を決定し、回路パターン４に導通されたバンプ接点５を
該位置に形成し、プローブ構造７を得る。回路基板１
は、絶縁性基材２に回路パターン４と位置決め部材３と
を有する。回路パターンと位置決め部材との位置関係
は、位置決め部材の位置を基準として形成されるバンプ
接点と、回路パターンとが互いに導通し得る位置関係で
ある。バンプ接点の位置の決定は、位置決め部材の位置
を画像処理技術を用いて特定し基準として算出し決定す
るのが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
微小な回路を導通検査するためのプローブ構造に関す
る。
微小な回路を導通検査するためのプローブ構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の発達に伴って、半導体
を用いるデバイスの軽薄短小化、多機能化が図られてい
る。特に、半導体素子を複数用いてなるマルチチップモ
ジュールは、一つのパッケージに複数の半導体素子が実
装されているので、高密度実装の点から有効な手段とし
て注目されている。
を用いるデバイスの軽薄短小化、多機能化が図られてい
る。特に、半導体素子を複数用いてなるマルチチップモ
ジュールは、一つのパッケージに複数の半導体素子が実
装されているので、高密度実装の点から有効な手段とし
て注目されている。
【０００３】マルチチップモジュールの信頼性評価とし
て、高温環境下において通電を行うバーンインテストと
呼ばれる加速試験が行われる。従来、このバーンインテ
ストには、個々の半導体素子をベアチップ（裸の半導体
素子）の状態で安価に試験する方法がなく、複数の半導
体素子が樹脂封止されたパッケージに対して試験が行わ
れていた。このため、パッケージ内の複数の半導体素子
の内の１つでも欠陥があると、他の正常な半導体素子も
無駄になり、良品率が低くなるという問題があった。従
って、マルチチップモジュールの良品率の向上のため、
個々の半導体素子をベアチップの状態のままでバーンイ
ンテストを行い、良品のみをマルチチップモジュールと
して搭載することが望まれていた。
て、高温環境下において通電を行うバーンインテストと
呼ばれる加速試験が行われる。従来、このバーンインテ
ストには、個々の半導体素子をベアチップ（裸の半導体
素子）の状態で安価に試験する方法がなく、複数の半導
体素子が樹脂封止されたパッケージに対して試験が行わ
れていた。このため、パッケージ内の複数の半導体素子
の内の１つでも欠陥があると、他の正常な半導体素子も
無駄になり、良品率が低くなるという問題があった。従
って、マルチチップモジュールの良品率の向上のため、
個々の半導体素子をベアチップの状態のままでバーンイ
ンテストを行い、良品のみをマルチチップモジュールと
して搭載することが望まれていた。
【０００４】このような要求のもとで、メンブレン型プ
ローブ構造（以下、単に「プローブ構造」という）が注
目されている。このプローブ構造は、フレキシブルな絶
縁フィルム基板上にバンプ接点が形成され、さらに絶縁
フィルム基板に設けられた回路配線を通じて外部の計測
機器と接続可能な構造を有するものである（特願平４−
１７９６８３号明細書など参照）。バンプ接点は、接触
の対象となる回路や電極パッドなどの被接触部に直接接
触させて導通するための突起状の導体からなる接点であ
る。このプローブ構造は、バンプ接点の配置および回路
配線をファインピッチに形成できるので、ベアチップな
どのファインピッチに配列された被接触部に対応した正
確な位置関係を実現させることができる。また、バーン
インテストの環境下においても寸法の安定性は非常に高
い特性を示し、メカニカルプローブ方式に比べ、接続信
頼性も高い方式として注目されている。
ローブ構造（以下、単に「プローブ構造」という）が注
目されている。このプローブ構造は、フレキシブルな絶
縁フィルム基板上にバンプ接点が形成され、さらに絶縁
フィルム基板に設けられた回路配線を通じて外部の計測
機器と接続可能な構造を有するものである（特願平４−
１７９６８３号明細書など参照）。バンプ接点は、接触
の対象となる回路や電極パッドなどの被接触部に直接接
触させて導通するための突起状の導体からなる接点であ
る。このプローブ構造は、バンプ接点の配置および回路
配線をファインピッチに形成できるので、ベアチップな
どのファインピッチに配列された被接触部に対応した正
確な位置関係を実現させることができる。また、バーン
インテストの環境下においても寸法の安定性は非常に高
い特性を示し、メカニカルプローブ方式に比べ、接続信
頼性も高い方式として注目されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プローブ構造
自体が微細化され高精度化されたとしても、プローブ構
造とベアチップとを互いに正確に位置決め（位置合わ
せ）するには、計測、制御、自動組立などに関連する精
密な位置決め技術が別途必要である。
自体が微細化され高精度化されたとしても、プローブ構
造とベアチップとを互いに正確に位置決め（位置合わ
せ）するには、計測、制御、自動組立などに関連する精
密な位置決め技術が別途必要である。
【０００６】プローブ構造とベアチップとを機械的に位
置決めする方法として、位置決め部材をプローブ構造に
取り付ける方法が挙げられる。位置決め部材は、例え
ば、ベアチップを精密にはめ込むことができるように中
央部をくり抜き、枠状（額縁状）とした枠状物が挙げら
れる。この場合、プローブ構造とベアチップとは、この
枠状物を介して互いに位置決めされる。従って、枠状物
をプローブ構造に取り付けるときの位置決め精度が、ベ
アチップとプローブ構造との位置決め精度に大きく反映
される。
置決めする方法として、位置決め部材をプローブ構造に
取り付ける方法が挙げられる。位置決め部材は、例え
ば、ベアチップを精密にはめ込むことができるように中
央部をくり抜き、枠状（額縁状）とした枠状物が挙げら
れる。この場合、プローブ構造とベアチップとは、この
枠状物を介して互いに位置決めされる。従って、枠状物
をプローブ構造に取り付けるときの位置決め精度が、ベ
アチップとプローブ構造との位置決め精度に大きく反映
される。
【０００７】枠状物をプローブ構造に位置決めし取り付
ける一つの方法として、プローブ構造と枠状物の共通位
置に高精度の位置決め穴を設けておき、位置決めピン等
を用いて機械的な位置決め取付けを行なう方法が考えら
れる。この場合、位置決めピンと枠状物の位置決め穴と
の間のクリアランスｒ1 と、プローブ構造の位置決め穴
の位置ズレｒ2 と、枠状物の位置決め穴の位置ズレｒ 3
とを加算したものが、電極パッドとバンプ接点との最大
の位置ズレ量Ｒとなる。即ち、Ｒ＝〔（ｒ1 ／２）2 ＋
（ｒ2 ）2 ＋（ｒ3 ）2 〕1/2 であって、個々の位置ズ
レの累積が、比較的大きな誤差となる。
ける一つの方法として、プローブ構造と枠状物の共通位
置に高精度の位置決め穴を設けておき、位置決めピン等
を用いて機械的な位置決め取付けを行なう方法が考えら
れる。この場合、位置決めピンと枠状物の位置決め穴と
の間のクリアランスｒ1 と、プローブ構造の位置決め穴
の位置ズレｒ2 と、枠状物の位置決め穴の位置ズレｒ 3
とを加算したものが、電極パッドとバンプ接点との最大
の位置ズレ量Ｒとなる。即ち、Ｒ＝〔（ｒ1 ／２）2 ＋
（ｒ2 ）2 ＋（ｒ3 ）2 〕1/2 であって、個々の位置ズ
レの累積が、比較的大きな誤差となる。
【０００８】また、枠状物をプローブ構造に位置決めし
取り付ける他の方法として、画像処理技術とそのデータ
にもとづく位置制御技術によって、枠状物とプローブ構
造との位置関係を変位させ、互いの位置ズレが最小とな
った時点で、枠状物とプローブ構造とを密着させて固定
するという方法が考えられる。この場合の固定には、密
着から固定にそのまま移行し得る点から接着剤が好まし
く用いられる。しかし、エポキシ系接着剤やポリイミド
系接着剤は、強度面で設備として恒久的に使用可能であ
るが、貼合わせ時に加熱、加圧が必要であり、この際に
接着剤が柔らかくなり、枠状物が最初に位置決めした位
置からずれる等の、意図せぬ誤差が生じやすく、位置決
め精度を低下させるという問題が発生し易い。
取り付ける他の方法として、画像処理技術とそのデータ
にもとづく位置制御技術によって、枠状物とプローブ構
造との位置関係を変位させ、互いの位置ズレが最小とな
った時点で、枠状物とプローブ構造とを密着させて固定
するという方法が考えられる。この場合の固定には、密
着から固定にそのまま移行し得る点から接着剤が好まし
く用いられる。しかし、エポキシ系接着剤やポリイミド
系接着剤は、強度面で設備として恒久的に使用可能であ
るが、貼合わせ時に加熱、加圧が必要であり、この際に
接着剤が柔らかくなり、枠状物が最初に位置決めした位
置からずれる等の、意図せぬ誤差が生じやすく、位置決
め精度を低下させるという問題が発生し易い。
【０００９】本発明の課題は、プローブ構造と検査対象
物とを高精度に位置決めできる位置決め部材を有するプ
ローブ構造を、より高精度で安価に製造する方法を提供
することである。
物とを高精度に位置決めできる位置決め部材を有するプ
ローブ構造を、より高精度で安価に製造する方法を提供
することである。
【００１０】また、本発明の他の課題は、上記本発明に
よるプローブ構造の製造方法に好適に用いられる回路基
板を提供することである。
よるプローブ構造の製造方法に好適に用いられる回路基
板を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のプローブ構造の
製造方法は、次の特徴を有するものである。 （１）下記（Ａ）の回路基板における絶縁性基材の、位
置決め部材が形成された側の面に、該位置決め部材の位
置を基準としてバンプ接点の形成位置を決定し、回路パ
ターンに導通されたバンプ接点を形成する工程を有する
ことを特徴とするプローブ構造の製造方法。 （Ａ）絶縁性基材の片側の面または内部に回路パターン
を有し、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材を有
し、位置決め部材は、当該回路基板にバンプ接点が形成
されて得られるプローブ構造に対して検査対象物を検査
位置に位置決めし保持し得るものであり、回路パターン
と位置決め部材との位置関係が、位置決め部材の位置を
基準として形成されるバンプ接点と回路パターンとが互
いに導通し得る位置関係である回路基板。
製造方法は、次の特徴を有するものである。 （１）下記（Ａ）の回路基板における絶縁性基材の、位
置決め部材が形成された側の面に、該位置決め部材の位
置を基準としてバンプ接点の形成位置を決定し、回路パ
ターンに導通されたバンプ接点を形成する工程を有する
ことを特徴とするプローブ構造の製造方法。 （Ａ）絶縁性基材の片側の面または内部に回路パターン
を有し、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材を有
し、位置決め部材は、当該回路基板にバンプ接点が形成
されて得られるプローブ構造に対して検査対象物を検査
位置に位置決めし保持し得るものであり、回路パターン
と位置決め部材との位置関係が、位置決め部材の位置を
基準として形成されるバンプ接点と回路パターンとが互
いに導通し得る位置関係である回路基板。
【００１２】（２）位置決め部材が、検査対象物の外形
の一部または全部を利用して該検査対象物を保持し得る
よう該検査対象物をはめ込むことができる枠状物である
上記（１）記載のプローブ構造の製造方法。
の一部または全部を利用して該検査対象物を保持し得る
よう該検査対象物をはめ込むことができる枠状物である
上記（１）記載のプローブ構造の製造方法。
【００１３】（３）上記（Ａ）の回路基板における回路
パターンと位置決め部材とが、絶縁性基材に対して同じ
側とならないように形成されたものであって、回路パタ
ーンとバンプ接点とが絶縁性基材に設けられた貫通孔に
よって導通されるものであって、バンプ接点を形成する
工程が、絶縁性基材のバンプ接点を形成すべき位置に位
置決め部材の側から貫通孔を加工し、該貫通孔の内部に
回路パターンを露出させ、該貫通孔内に導体金属を充填
し、該貫通孔の開口部にその良導体金属または他の導体
金属を絶縁性基材面から突起するように形成する工程で
ある、上記（１）または（２）記載のプローブ構造の製
造方法。
パターンと位置決め部材とが、絶縁性基材に対して同じ
側とならないように形成されたものであって、回路パタ
ーンとバンプ接点とが絶縁性基材に設けられた貫通孔に
よって導通されるものであって、バンプ接点を形成する
工程が、絶縁性基材のバンプ接点を形成すべき位置に位
置決め部材の側から貫通孔を加工し、該貫通孔の内部に
回路パターンを露出させ、該貫通孔内に導体金属を充填
し、該貫通孔の開口部にその良導体金属または他の導体
金属を絶縁性基材面から突起するように形成する工程で
ある、上記（１）または（２）記載のプローブ構造の製
造方法。
【００１４】（４）バンプ接点の形成位置の決定が、位
置決め部材の位置を画像処理技術を用いて特定し、該位
置決め部材の位置を基準として算出し決定するものであ
る上記（３）記載のプローブ構造の製造方法。
置決め部材の位置を画像処理技術を用いて特定し、該位
置決め部材の位置を基準として算出し決定するものであ
る上記（３）記載のプローブ構造の製造方法。
【００１５】また、本発明の回路基板は、上記（１）〜
（４）に記載のプローブ構造の製造方法に特に有用に用
いられるものであって、次の特徴を有するものである。 （５）絶縁性基材の片側の面または内部に回路パターン
を有し、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材を有
し、該位置決め部材は、当該回路基板にバンプ接点が形
成されて得られるプローブ構造に対して検査対象物を検
査位置に位置決めし保持し得るものであり、回路パター
ンと位置決め部材との位置関係が、位置決め部材の位置
を基準として形成されるバンプ接点と回路パターンとが
互いに導通し得る位置関係である回路基板。
（４）に記載のプローブ構造の製造方法に特に有用に用
いられるものであって、次の特徴を有するものである。 （５）絶縁性基材の片側の面または内部に回路パターン
を有し、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材を有
し、該位置決め部材は、当該回路基板にバンプ接点が形
成されて得られるプローブ構造に対して検査対象物を検
査位置に位置決めし保持し得るものであり、回路パター
ンと位置決め部材との位置関係が、位置決め部材の位置
を基準として形成されるバンプ接点と回路パターンとが
互いに導通し得る位置関係である回路基板。
【００１６】（６）位置決め部材が、検査対象物の外形
の一部または全部を利用して該検査対象物を保持し得る
よう該検査対象物をはめ込むことができる枠状物である
上記（５）記載の回路基板。
の一部または全部を利用して該検査対象物を保持し得る
よう該検査対象物をはめ込むことができる枠状物である
上記（５）記載の回路基板。
【００１７】
【作用】従来の位置決め部材を有するプローブ構造は、
完成されたプローブ構造にさらに位置決め部材を付与す
るという思想によって形成されたものであり、そのため
にバンプ接点を基準として位置決め部材を位置決めし貼
付するものであった。これに対して、本発明のプローブ
構造の製造方法は、回路基板に対して、バンプ接点の形
成より先に位置決め部材を形成しておくことを特徴とす
る。この製造順序によって、従来、バンプ接点の位置を
基準として位置決め部材を調整し取り付けていた工程
が、逆に、位置決め部材を基準としてバンプ接点を加工
する工程へと振り変わる。このことによって、位置決め
部材とバンプ接点との相対的な位置関係の精度は、従来
の±５０μｍ程度の誤差から、±２μｍ以内の誤差へと
飛躍的に向上する。また、位置決め部材を絶縁性基材に
取り付ける際に生じる誤差は、位置決め部材と回路パタ
ーンとの位置関係における比較的ゆるやかな公差に吸収
され、問題とならなくなる。
完成されたプローブ構造にさらに位置決め部材を付与す
るという思想によって形成されたものであり、そのため
にバンプ接点を基準として位置決め部材を位置決めし貼
付するものであった。これに対して、本発明のプローブ
構造の製造方法は、回路基板に対して、バンプ接点の形
成より先に位置決め部材を形成しておくことを特徴とす
る。この製造順序によって、従来、バンプ接点の位置を
基準として位置決め部材を調整し取り付けていた工程
が、逆に、位置決め部材を基準としてバンプ接点を加工
する工程へと振り変わる。このことによって、位置決め
部材とバンプ接点との相対的な位置関係の精度は、従来
の±５０μｍ程度の誤差から、±２μｍ以内の誤差へと
飛躍的に向上する。また、位置決め部材を絶縁性基材に
取り付ける際に生じる誤差は、位置決め部材と回路パタ
ーンとの位置関係における比較的ゆるやかな公差に吸収
され、問題とならなくなる。
【００１８】回路基板に対して位置決め部材を形成する
際には、絶縁性基材に対して回路パターンと位置決め部
材のどちらを先に形成してもよく、先に形成した方を基
準として後に形成する方の位置を決定するなど、互いに
所定の位置関係を有するものであればよい。
際には、絶縁性基材に対して回路パターンと位置決め部
材のどちらを先に形成してもよく、先に形成した方を基
準として後に形成する方の位置を決定するなど、互いに
所定の位置関係を有するものであればよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳細に説明す
る。図１は、本発明の製造方法を説明するために、その
製造工程の一例を概略的に示す図である。同図の例は、
回路パターンとバンプ接点とが、絶縁性基材に対して互
いに反対側の面に形成された例である。本発明の製造方
法は、先ず図１（ａ）に示すように本発明による回路基
板１を製造する。次に図１（ｂ）に示すように、その回
路基板１を用いて、これの位置決め部材３が形成された
側の面に、該位置決め部材３の位置を基準位置として、
検査対象物Ｑの被接触部Ｐとの位置ずれが最小となるよ
うに、回路パターン４に導通されるバンプ接点５を形成
し、本発明のプローブ構造７を完成させるものである。
る。図１は、本発明の製造方法を説明するために、その
製造工程の一例を概略的に示す図である。同図の例は、
回路パターンとバンプ接点とが、絶縁性基材に対して互
いに反対側の面に形成された例である。本発明の製造方
法は、先ず図１（ａ）に示すように本発明による回路基
板１を製造する。次に図１（ｂ）に示すように、その回
路基板１を用いて、これの位置決め部材３が形成された
側の面に、該位置決め部材３の位置を基準位置として、
検査対象物Ｑの被接触部Ｐとの位置ずれが最小となるよ
うに、回路パターン４に導通されるバンプ接点５を形成
し、本発明のプローブ構造７を完成させるものである。
【００２０】先ず、本発明による回路基板１について説
明する。図１（ａ）に例示する回路基板１は、絶縁性基
材２の片側の面に回路パターン４を有し、その裏側の面
に位置決め部材３を有するものである。位置決め部材３
は、図１（ｂ）に示すように、当該回路基板にバンプ接
点５が形成されて得られるプローブ構造７に対して、検
査対象物Ｑを検査位置に位置決めし保持し得るものであ
る。
明する。図１（ａ）に例示する回路基板１は、絶縁性基
材２の片側の面に回路パターン４を有し、その裏側の面
に位置決め部材３を有するものである。位置決め部材３
は、図１（ｂ）に示すように、当該回路基板にバンプ接
点５が形成されて得られるプローブ構造７に対して、検
査対象物Ｑを検査位置に位置決めし保持し得るものであ
る。
【００２１】絶縁性基材２に対しては、回路パターン４
と位置決め部材３のいずれを先に形成してもよいが、先
に形成した方を基準として後に形成する方の位置を決定
する。即ち、絶縁性基材２の一方の面または内部に回
路パターン４を形成し、該回路パターン４の位置を基準
位置として、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材
３を設けるか、または、絶縁性基材２の一方の面に位
置決め部材３を設け、該位置決め部材の位置を基準位置
として、絶縁性基材のいずれかの面または内部に回路パ
ターン４を形成するか、いずれかの工程順序である。こ
れらのうち、製造が容易であるという点から、上記即
ち、絶縁性基材に対して回路パターンを先に形成する方
が好ましい。
と位置決め部材３のいずれを先に形成してもよいが、先
に形成した方を基準として後に形成する方の位置を決定
する。即ち、絶縁性基材２の一方の面または内部に回
路パターン４を形成し、該回路パターン４の位置を基準
位置として、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材
３を設けるか、または、絶縁性基材２の一方の面に位
置決め部材３を設け、該位置決め部材の位置を基準位置
として、絶縁性基材のいずれかの面または内部に回路パ
ターン４を形成するか、いずれかの工程順序である。こ
れらのうち、製造が容易であるという点から、上記即
ち、絶縁性基材に対して回路パターンを先に形成する方
が好ましい。
【００２２】絶縁性基材の材料としては、電気絶縁特性
を有し、回路パターン、位置決め部材、バンプ接点など
の形成の基板となり得るものであれば特に限定されな
い。また、可撓性を有するものが特に好ましい。具体的
には、例えばポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹
脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂などの
熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられ、これらの
うち、耐熱性および機械的強度に優れるポリイミド系樹
脂が特に好適に使用される。また、ポリマーの精密加工
方法として、波長領域が４００ｎｍ以下の紫外領域にあ
るエキシマレーザによるアブレーションが効果的である
ことが知られているが、ポリイミド系樹脂は紫外領域に
大きな吸収スペクトルを持つので、この方法を採用する
上でもポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。
を有し、回路パターン、位置決め部材、バンプ接点など
の形成の基板となり得るものであれば特に限定されな
い。また、可撓性を有するものが特に好ましい。具体的
には、例えばポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニ
トリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹
脂、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂などの
熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられ、これらの
うち、耐熱性および機械的強度に優れるポリイミド系樹
脂が特に好適に使用される。また、ポリマーの精密加工
方法として、波長領域が４００ｎｍ以下の紫外領域にあ
るエキシマレーザによるアブレーションが効果的である
ことが知られているが、ポリイミド系樹脂は紫外領域に
大きな吸収スペクトルを持つので、この方法を採用する
上でもポリイミド系樹脂を用いることが好ましい。
【００２３】絶縁性基材の厚みは、特に限定されない
が、機械的強度および柔軟性を有することが好ましく、
５μｍ〜１５０μｍ、特に１０μｍ〜１００μｍ程度が
好ましい寸法である。
が、機械的強度および柔軟性を有することが好ましく、
５μｍ〜１５０μｍ、特に１０μｍ〜１００μｍ程度が
好ましい寸法である。
【００２４】回路パターンは、バンプ接点に対応し導通
し得る位置・パターンをもって、検査に必要な回路数だ
け互いに独立して設けられる。絶縁性基材に対する回路
パターンの相対位置は、回路パターンを位置決め部材よ
りも先に形成する場合には、後の工程に支障のない範囲
内で任意の位置であってよい。また、回路パターンを位
置決め部材よりも後に形成する場合には、位置決め部材
によって検査対象物の位置、バンプ接点の位置が決定さ
れるので、これらを考慮し、位置決め部材を加工上の基
準位置として限定された位置となるよう形成する。
し得る位置・パターンをもって、検査に必要な回路数だ
け互いに独立して設けられる。絶縁性基材に対する回路
パターンの相対位置は、回路パターンを位置決め部材よ
りも先に形成する場合には、後の工程に支障のない範囲
内で任意の位置であってよい。また、回路パターンを位
置決め部材よりも後に形成する場合には、位置決め部材
によって検査対象物の位置、バンプ接点の位置が決定さ
れるので、これらを考慮し、位置決め部材を加工上の基
準位置として限定された位置となるよう形成する。
【００２５】回路パターンは、絶縁性基材のいずれの面
に設けられても、内部に設けられてもよい。バンプ接点
と回路パターンとが同一面にないプローブ構造が一般的
であることから、回路パターンと位置決め部材とは、絶
縁性基材に対して同一面にないように形成することが好
ましい。
に設けられても、内部に設けられてもよい。バンプ接点
と回路パターンとが同一面にないプローブ構造が一般的
であることから、回路パターンと位置決め部材とは、絶
縁性基材に対して同一面にないように形成することが好
ましい。
【００２６】回路パターンの材料としては、導電性を有
するものであれば特に限定されないが、公知のプリント
基板に用いられる良導体金属材料が好ましく、例えば、
金、銀、銅、アルミニウム、鉛、錫、ニッケル、白金、
４２アロイなどの単独金属、またはこれらを成分とする
の各種合金（例えば、半田など）が挙げられる。
するものであれば特に限定されないが、公知のプリント
基板に用いられる良導体金属材料が好ましく、例えば、
金、銀、銅、アルミニウム、鉛、錫、ニッケル、白金、
４２アロイなどの単独金属、またはこれらを成分とする
の各種合金（例えば、半田など）が挙げられる。
【００２７】形成回路パターンの形成方法は、スパッタ
リング法、無電解めっき法などの成膜法によって回路パ
ターンを直接的に描画するアディティブ法、エッチング
などによって回路パターンが残るよう形成するサブトラ
クティブ法など公知の方法を用いてよい。
リング法、無電解めっき法などの成膜法によって回路パ
ターンを直接的に描画するアディティブ法、エッチング
などによって回路パターンが残るよう形成するサブトラ
クティブ法など公知の方法を用いてよい。
【００２８】また、図１に示すように、回路パターンが
形成された側の絶縁性基材に対して、絶縁性材料からな
る被覆層６をさらに積層し、回路パターンを被覆するこ
とが好ましい態様である。この被覆層に用いられる絶縁
性材料としては、絶縁性基材と同様の材料が用いられ
る。被覆層の厚みは、３μｍ〜１００μｍ、特に５μｍ
〜５０μｍに設定することが好ましい。被覆層の形成方
法としては、キャスティングなどの塗布法、別途形成し
た絶縁性材料からなるフィルム状物を接着する方法など
が挙げられる。回路パターンが２層の絶縁性基材に挟ま
れるように形成されたとき、回路パターンが絶縁性基材
の内部に形成されたと見なしてもよい。
形成された側の絶縁性基材に対して、絶縁性材料からな
る被覆層６をさらに積層し、回路パターンを被覆するこ
とが好ましい態様である。この被覆層に用いられる絶縁
性材料としては、絶縁性基材と同様の材料が用いられ
る。被覆層の厚みは、３μｍ〜１００μｍ、特に５μｍ
〜５０μｍに設定することが好ましい。被覆層の形成方
法としては、キャスティングなどの塗布法、別途形成し
た絶縁性材料からなるフィルム状物を接着する方法など
が挙げられる。回路パターンが２層の絶縁性基材に挟ま
れるように形成されたとき、回路パターンが絶縁性基材
の内部に形成されたと見なしてもよい。
【００２９】位置決め部材は、当該プローブ構造に対し
て検査対象物を検査位置に位置決めし保持し得るもので
あればよく、複数の部品からなる位置決め機構であって
も、単一部品からなる位置決め構造であってもよい。位
置決め部材の好ましい例としては、検査対象物の外形の
一部または全部を利用して該検査対象物を保持し得るよ
う該検査対象物をはめ込むことができる枠状物が挙げら
れる。例えば、検査対象物が長方形であるならば、この
検査対象物の外形に適度なクリアランスを見込んで加え
た形状を抜き、外周全体を保持する枠状物である。この
枠状物の、抜いた部分に検査対象物をはめ込んで位置決
めをする構造である。また枠状物は、外周全体ではなく
断続的に角部や辺の一部など必要部分だけを利用して保
持する不連続な枠であってもよい。
て検査対象物を検査位置に位置決めし保持し得るもので
あればよく、複数の部品からなる位置決め機構であって
も、単一部品からなる位置決め構造であってもよい。位
置決め部材の好ましい例としては、検査対象物の外形の
一部または全部を利用して該検査対象物を保持し得るよ
う該検査対象物をはめ込むことができる枠状物が挙げら
れる。例えば、検査対象物が長方形であるならば、この
検査対象物の外形に適度なクリアランスを見込んで加え
た形状を抜き、外周全体を保持する枠状物である。この
枠状物の、抜いた部分に検査対象物をはめ込んで位置決
めをする構造である。また枠状物は、外周全体ではなく
断続的に角部や辺の一部など必要部分だけを利用して保
持する不連続な枠であってもよい。
【００３０】位置決め部材を枠状物とする場合の材料と
しては、加工精度がよければ導電性、絶縁性のいずれの
材料であってもよく、例えば、鉄、銅、アルミニウム、
真鍮、鉄−ニッケル合金、シリコンウエハ、セラミッ
ク、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。枠
状物の厚みは特に限定されるものではなく、半導体素子
などの検査対象物が検査位置からずれることを抑止でき
る程度であればよいが、特に５０μｍ以上が好ましい。
しては、加工精度がよければ導電性、絶縁性のいずれの
材料であってもよく、例えば、鉄、銅、アルミニウム、
真鍮、鉄−ニッケル合金、シリコンウエハ、セラミッ
ク、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。枠
状物の厚みは特に限定されるものではなく、半導体素子
などの検査対象物が検査位置からずれることを抑止でき
る程度であればよいが、特に５０μｍ以上が好ましい。
【００３１】枠状物と絶縁性基材とを位置合わせする方
法としては、これらに位置合わせ用のガイド穴を形成し
ておき、ピンによって位置合わせを行い、接着剤等を用
いて固定する方法などが挙げられる。ガイド穴の形成方
法は、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレ
ーザーなどのレーザー加工、プラズマエッチングなどの
ドライエッチング、パンチングやドリルなどによる機械
的な加工が挙げられる。
法としては、これらに位置合わせ用のガイド穴を形成し
ておき、ピンによって位置合わせを行い、接着剤等を用
いて固定する方法などが挙げられる。ガイド穴の形成方
法は、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、炭酸ガスレ
ーザーなどのレーザー加工、プラズマエッチングなどの
ドライエッチング、パンチングやドリルなどによる機械
的な加工が挙げられる。
【００３２】バンプ接点は、公知のメンブレン型プロー
ブ構造におけるバンプ接点と同様、検査対象物の被接触
部に対応する配置パターンとして形成される。ただし、
本発明では、位置決め部材が既に検査対象物の位置を決
定しているので、バンプ接点は、位置決め部材を基準と
して形成位置を決定し加工する。
ブ構造におけるバンプ接点と同様、検査対象物の被接触
部に対応する配置パターンとして形成される。ただし、
本発明では、位置決め部材が既に検査対象物の位置を決
定しているので、バンプ接点は、位置決め部材を基準と
して形成位置を決定し加工する。
【００３３】バンプ接点は、上記したように、絶縁性基
材に対してバンプ接点と回路パターンとが同一面にない
構造が一般的である。例えば、絶縁性基材の一方の面に
バンプ接点が形成された場合、これに対応する回路パタ
ーンが、基板裏面のバンプ接点の真裏に当たる位置また
は基板内部方向直下の深層に形成され、バンプ接点と回
路パターンとが貫通孔によって導通された構造が挙げら
れる。このような構造を形成する方法の一例として、次
の加工方法が例示される。 先ず、位置決め部材の位置を基準位置として、検査対
象物の被接触部との位置ずれが最小となる位置をバンプ
接点の形成位置とし、この位置に、絶縁性基材に対して
位置決め部材の側から貫通孔を加工し、該貫通孔内に回
路パターンを露出させる。 次に、貫通孔内に導体金属を充填し、さらに該貫通孔
の開口部にその良導体金属または他の導体金属を絶縁性
基材面から突起させてバンプ接点とする。
材に対してバンプ接点と回路パターンとが同一面にない
構造が一般的である。例えば、絶縁性基材の一方の面に
バンプ接点が形成された場合、これに対応する回路パタ
ーンが、基板裏面のバンプ接点の真裏に当たる位置また
は基板内部方向直下の深層に形成され、バンプ接点と回
路パターンとが貫通孔によって導通された構造が挙げら
れる。このような構造を形成する方法の一例として、次
の加工方法が例示される。 先ず、位置決め部材の位置を基準位置として、検査対
象物の被接触部との位置ずれが最小となる位置をバンプ
接点の形成位置とし、この位置に、絶縁性基材に対して
位置決め部材の側から貫通孔を加工し、該貫通孔内に回
路パターンを露出させる。 次に、貫通孔内に導体金属を充填し、さらに該貫通孔
の開口部にその良導体金属または他の導体金属を絶縁性
基材面から突起させてバンプ接点とする。
【００３４】上記加工方法における、貫通孔を加工す
る方法としては特に限定されないが、次の方法が高い精
度を有し好ましいものとして挙げられる。即ち、ＣＣＤ
カメラなどの撮影装置と、コンピュータなどの演算装置
とを有する位置読み取り装置を用いて、位置決め部材の
位置を画像処理によって決定し、その位置を加工のため
の基準位置として、検査の際に位置決め部材で位置決め
される検査対象物の被接触部と、バンプ接点を形成すべ
き目的の位置との位置ずれが最小となるように形成位置
を算出し、その算出値に基づき加工装置を位置制御して
貫通孔を加工する方法である。この方法によって、バン
プ接点の位置決め部材に対する位置合せ精度は、目標と
なる中心寸法に対して±２μｍが達成できる。貫通孔を
加工する方法としては、エキシマレーザー、ＹＡＧレー
ザー、炭酸ガスレーザーなどのレーザー加工、プラズマ
エッチングなどのドライエッチングなどが挙げられる。
る方法としては特に限定されないが、次の方法が高い精
度を有し好ましいものとして挙げられる。即ち、ＣＣＤ
カメラなどの撮影装置と、コンピュータなどの演算装置
とを有する位置読み取り装置を用いて、位置決め部材の
位置を画像処理によって決定し、その位置を加工のため
の基準位置として、検査の際に位置決め部材で位置決め
される検査対象物の被接触部と、バンプ接点を形成すべ
き目的の位置との位置ずれが最小となるように形成位置
を算出し、その算出値に基づき加工装置を位置制御して
貫通孔を加工する方法である。この方法によって、バン
プ接点の位置決め部材に対する位置合せ精度は、目標と
なる中心寸法に対して±２μｍが達成できる。貫通孔を
加工する方法としては、エキシマレーザー、ＹＡＧレー
ザー、炭酸ガスレーザーなどのレーザー加工、プラズマ
エッチングなどのドライエッチングなどが挙げられる。
【００３５】また、加工方法において、貫通孔内に導
体金属を充填する方法としては、回路パターンを負極と
する電解めっき法が挙げられる。
体金属を充填する方法としては、回路パターンを負極と
する電解めっき法が挙げられる。
【００３６】バンプ接点の特殊な例として、回路パター
ン上に直接、該回路パターンから突起するように設けら
れる場合が挙げられる。
ン上に直接、該回路パターンから突起するように設けら
れる場合が挙げられる。
【００３７】バンプ接点の形状は、半球状が代表的なも
のとして挙げられるが、用途に応じては表面に突起を設
けても、平坦な形状としてもよい。バンプ接点の高さ
は、特に限定されるものではないが、検査対象物が半導
体素子のような微細な場合には、２μｍ〜２００μｍ、
特に１０μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。バンプ接点
の材料は、電気めっきにより析出可能な金属が好まし
く、金、銀、銅、白金、鉛、錫、アルミニウム、ニッケ
ル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、鉄、タ
ングステン、ルテニウム、パラジウムなどの公知の良導
体金属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば、
半田、錫−ニッケル、金−コバルト、ニッケル−リン、
ニッケル−ホウ素などの導電性材料が挙げられる。また
用途に応じては、これら金属材料を複数種類用いて多層
構造のバンプ接点としてもよい。
のとして挙げられるが、用途に応じては表面に突起を設
けても、平坦な形状としてもよい。バンプ接点の高さ
は、特に限定されるものではないが、検査対象物が半導
体素子のような微細な場合には、２μｍ〜２００μｍ、
特に１０μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。バンプ接点
の材料は、電気めっきにより析出可能な金属が好まし
く、金、銀、銅、白金、鉛、錫、アルミニウム、ニッケ
ル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、鉄、タ
ングステン、ルテニウム、パラジウムなどの公知の良導
体金属、またはこれらを成分とする各種合金、例えば、
半田、錫−ニッケル、金−コバルト、ニッケル−リン、
ニッケル−ホウ素などの導電性材料が挙げられる。また
用途に応じては、これら金属材料を複数種類用いて多層
構造のバンプ接点としてもよい。
【００３８】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
示す。本実施例は、絶縁性基材に対して回路パターンを
形成した後で位置決め部材を設けた例である。また、プ
ローブ構造は、回路パターンとバンプ接点とが、絶縁性
基材に対して互いに反対側の面に形成された構造とし
た。検査対象物は、方形１０ｍｍ×１０ｍｍのベアチッ
プである。説明のために絶縁性基材の一方の面をＡ面、
他方の面をＢ面と呼ぶ。
示す。本実施例は、絶縁性基材に対して回路パターンを
形成した後で位置決め部材を設けた例である。また、プ
ローブ構造は、回路パターンとバンプ接点とが、絶縁性
基材に対して互いに反対側の面に形成された構造とし
た。検査対象物は、方形１０ｍｍ×１０ｍｍのベアチッ
プである。説明のために絶縁性基材の一方の面をＡ面、
他方の面をＢ面と呼ぶ。
【００３９】（１）回路基板の製造 先ず、図１（ａ）に示すように、厚さ０．０２５ｍｍの
ポリイミドフィルムを用いてなるフレキシブルな絶縁性
基材のＡ面に、銅からなる回路パターン４を形成した。
回路パターンは、Ｂ面に形成すべき各バンプ接点に対し
て、真裏に対応する位置を通過し、基板の端部において
コネクターに接続されるものである。
ポリイミドフィルムを用いてなるフレキシブルな絶縁性
基材のＡ面に、銅からなる回路パターン４を形成した。
回路パターンは、Ｂ面に形成すべき各バンプ接点に対し
て、真裏に対応する位置を通過し、基板の端部において
コネクターに接続されるものである。
【００４０】次に、厚さ０．０１ｍｍのポリイミドから
なる被覆層６を回路パターンが形成された上にコーティ
ングし、積層した。
なる被覆層６を回路パターンが形成された上にコーティ
ングし、積層した。
【００４１】次に、絶縁性基材のＢ面に、Ａ面の回路パ
ターンの位置を基準として、位置決め部材を設け、本発
明の回路基板を形成した。位置決め部材は、アルミニウ
ムからなり、上記ベアチップを着脱自在にはめ込むこと
ができるように、板状物の中央に１０ｍｍ×１０ｍｍの
方形の開口部（貫通孔）が設けられた枠状物である。位
置決め部材と絶縁性基材とは、位置決め穴とピンを用い
て位置決めし、接着剤によって固定した。
ターンの位置を基準として、位置決め部材を設け、本発
明の回路基板を形成した。位置決め部材は、アルミニウ
ムからなり、上記ベアチップを着脱自在にはめ込むこと
ができるように、板状物の中央に１０ｍｍ×１０ｍｍの
方形の開口部（貫通孔）が設けられた枠状物である。位
置決め部材と絶縁性基材とは、位置決め穴とピンを用い
て位置決めし、接着剤によって固定した。
【００４２】ＣＣＤカメラとコンピュータとを組合せた
位置読み取り装置によって、位置決め部材の中央の開口
部の位置を読み取り、内壁面を基準面とし、この基準面
に対して絶縁性基材にバンプ接点の形成位置を決定し、
該バンプ接点を形成するための貫通孔をエキシマレーザ
ーによってＢ面側から所定の位置に形成し、該貫通孔内
の底面にＡ面の回路パターンを露出させた。
位置読み取り装置によって、位置決め部材の中央の開口
部の位置を読み取り、内壁面を基準面とし、この基準面
に対して絶縁性基材にバンプ接点の形成位置を決定し、
該バンプ接点を形成するための貫通孔をエキシマレーザ
ーによってＢ面側から所定の位置に形成し、該貫通孔内
の底面にＡ面の回路パターンを露出させた。
【００４３】回路パターンを負極として、電解めっき法
によって貫通孔内にニッケルを析出させて充填し、さら
に絶縁性基材面から３０μｍ突起させて、バンプ接点を
形成し、最後にＡｕ／Ｒｈで被覆し本発明のプローブ構
造を得た。
によって貫通孔内にニッケルを析出させて充填し、さら
に絶縁性基材面から３０μｍ突起させて、バンプ接点を
形成し、最後にＡｕ／Ｒｈで被覆し本発明のプローブ構
造を得た。
【００４４】得られたプローブ構造を用いてベアチップ
の導通検査を行った後、ベアチップ上のバンプ接点接触
の痕跡を観察したところ、ベアチップ上の目的の電極パ
ッドに対してバンプ接点が全て好ましい中央位置に接触
しており、高い精度の位置決めが可能であることがわか
った。
の導通検査を行った後、ベアチップ上のバンプ接点接触
の痕跡を観察したところ、ベアチップ上の目的の電極パ
ッドに対してバンプ接点が全て好ましい中央位置に接触
しており、高い精度の位置決めが可能であることがわか
った。
【００４５】
【発明の効果】本発明のプローブ構造の製造方法によっ
て、バンプ接点と検査対象物とを従来より高精度に位置
決めできるプローブ構造が得られる。しかも、位置決め
部材・バンプ接点の形成にも、従来通りの製造技術で対
応できるので、高精度のものが安価に製造できる。ま
た、本発明の回路基板は、位置決め部材を有するもので
あり、本発明のプローブ構造の製造に特に好適に用いら
れる。
て、バンプ接点と検査対象物とを従来より高精度に位置
決めできるプローブ構造が得られる。しかも、位置決め
部材・バンプ接点の形成にも、従来通りの製造技術で対
応できるので、高精度のものが安価に製造できる。ま
た、本発明の回路基板は、位置決め部材を有するもので
あり、本発明のプローブ構造の製造に特に好適に用いら
れる。
【図１】本発明の製造方法を説明するために、その製造
工程の一例を概略的に示す図である。
工程の一例を概略的に示す図である。
１ 回路基板 ２ 絶縁性基材 ３ 位置決め部材 ４ 回路パターン ５ バンプ接点 ７ プローブ構造 Ｑ 検査対象物 Ｐ 被接触部
Claims (6)
- 【請求項１】 下記（Ａ）の回路基板における絶縁性基
材の、位置決め部材が形成された側の面に、該位置決め
部材の位置を基準としてバンプ接点の形成位置を決定
し、回路パターンに導通されたバンプ接点を形成する工
程を有することを特徴とするプローブ構造の製造方法。 （Ａ）絶縁性基材の片側の面または内部に回路パターン
を有し、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め部材を有
し、位置決め部材は、当該回路基板にバンプ接点が形成
されて得られるプローブ構造に対して検査対象物を検査
位置に位置決めし保持し得るものであり、回路パターン
と位置決め部材との位置関係が、位置決め部材の位置を
基準として形成されるバンプ接点と回路パターンとが互
いに導通し得る位置関係である回路基板。 - 【請求項２】 位置決め部材が、検査対象物の外形の一
部または全部を利用して該検査対象物を保持し得るよう
該検査対象物をはめ込むことができる枠状物である請求
項１記載のプローブ構造の製造方法。 - 【請求項３】 上記（Ａ）の回路基板における回路パタ
ーンと位置決め部材とが、絶縁性基材に対して同じ側と
ならないように形成されたものであって、回路パターン
とバンプ接点とが絶縁性基材に設けられた貫通孔によっ
て導通されるものであって、バンプ接点を形成する工程
が、絶縁性基材のバンプ接点を形成すべき位置に位置決
め部材の側から貫通孔を加工し、該貫通孔の内部に回路
パターンを露出させ、該貫通孔内に導体金属を充填し、
該貫通孔の開口部にその良導体金属または他の導体金属
を絶縁性基材面から突起するように形成する工程であ
る、請求項１または２記載のプローブ構造の製造方法。 - 【請求項４】 バンプ接点の形成位置の決定が、位置決
め部材の位置を画像処理技術を用いて特定し、該位置決
め部材の位置を基準として算出し決定するものである請
求項３記載のプローブ構造の製造方法。 - 【請求項５】 絶縁性基材の片側の面または内部に回路
パターンを有し、絶縁性基材のいずれかの面に位置決め
部材を有し、該位置決め部材は、当該回路基板にバンプ
接点が形成されて得られるプローブ構造に対して検査対
象物を検査位置に位置決めし保持し得るものであり、回
路パターンと位置決め部材との位置関係が、位置決め部
材の位置を基準として形成されるバンプ接点と回路パタ
ーンとが互いに導通し得る位置関係である回路基板。 - 【請求項６】 位置決め部材が、検査対象物の外形の一
部または全部を利用して該検査対象物を保持し得るよう
該検査対象物をはめ込むことができる枠状物である請求
項５記載の回路基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7261706A JPH09105761A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板 |
| EP96116056A EP0768534A1 (en) | 1995-10-09 | 1996-10-08 | Method for fabrication of probe structure and circuit substrate therefor |
| KR1019960044814A KR970024383A (ko) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | 프로브 구조의 제조방법 및 이 방법에 사용되는 회로기판 |
| US08/728,076 US5691210A (en) | 1995-10-09 | 1996-10-09 | Method for fabrication of probe structure and circuit substrate therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7261706A JPH09105761A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09105761A true JPH09105761A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17365584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7261706A Pending JPH09105761A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5691210A (ja) |
| EP (1) | EP0768534A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09105761A (ja) |
| KR (1) | KR970024383A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506667A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-02-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | セグメントコンタクタ |
| JP2013170933A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験用装置 |
| JP2014013218A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Hioki Ee Corp | 測定治具 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342442B1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-01-29 | Agere Systems Guardian Corp. | Kinetically controlled solder bonding |
| US6660226B1 (en) * | 2000-08-07 | 2003-12-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Lead free solder and soldered article |
| JP2003007778A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、半導体デバイスの実装方法および半導体デバイス実装装置 |
| JP4310113B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2009-08-05 | 三菱電機株式会社 | 電力関連量計測装置 |
| KR100653636B1 (ko) * | 2005-08-03 | 2006-12-05 | 주식회사 파이컴 | 수직형 프로브, 그 제조 방법 및 프로브의 본딩 방법 |
| KR100931509B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2009-12-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| CN108307581A (zh) * | 2017-01-12 | 2018-07-20 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 具有嵌入式部件承载件的电子设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071787A (en) * | 1989-03-14 | 1991-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device utilizing a face-down bonding and a method for manufacturing the same |
| US5088190A (en) * | 1990-08-30 | 1992-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming an apparatus for burn in testing of integrated circuit chip |
| US5487999A (en) * | 1991-06-04 | 1996-01-30 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating a penetration limited contact having a rough textured surface |
| US5585282A (en) * | 1991-06-04 | 1996-12-17 | Micron Technology, Inc. | Process for forming a raised portion on a projecting contact for electrical testing of a semiconductor |
| US5402077A (en) * | 1992-11-20 | 1995-03-28 | Micromodule Systems, Inc. | Bare die carrier |
| US5513430A (en) * | 1994-08-19 | 1996-05-07 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a probe |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP7261706A patent/JPH09105761A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-08 EP EP96116056A patent/EP0768534A1/en not_active Withdrawn
- 1996-10-09 US US08/728,076 patent/US5691210A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-09 KR KR1019960044814A patent/KR970024383A/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506667A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-02-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | セグメントコンタクタ |
| JP2013170933A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験用装置 |
| JP2014013218A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Hioki Ee Corp | 測定治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5691210A (en) | 1997-11-25 |
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