JP2003506667A - セグメントコンタクタ - Google Patents

セグメントコンタクタ

Info

Publication number
JP2003506667A
JP2003506667A JP2001501900A JP2001501900A JP2003506667A JP 2003506667 A JP2003506667 A JP 2003506667A JP 2001501900 A JP2001501900 A JP 2001501900A JP 2001501900 A JP2001501900 A JP 2001501900A JP 2003506667 A JP2003506667 A JP 2003506667A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contactor
unit
units
contactor unit
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001501900A
Other languages
English (en)
Inventor
エスラミィ,モハマド
ペダーセン,デイビッド,ブイ
コブ,ハーリー,ディー
Original Assignee
フォームファクター,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フォームファクター,インコーポレイテッド filed Critical フォームファクター,インコーポレイテッド
Publication of JP2003506667A publication Critical patent/JP2003506667A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49004Electrical device making including measuring or testing of device or component part
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49147Assembling terminal to base
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49147Assembling terminal to base
    • Y10T29/49149Assembling terminal to base by metal fusion bonding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49169Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor
    • Y10T29/49171Assembling electrical component directly to terminal or elongated conductor with encapsulating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49174Assembling terminal to elongated conductor
    • Y10T29/49176Assembling terminal to elongated conductor with molding of electrically insulating material
    • Y10T29/49178Assembling terminal to elongated conductor with molding of electrically insulating material by shrinking of cover
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49204Contact or terminal manufacturing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49204Contact or terminal manufacturing
    • Y10T29/49208Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts
    • Y10T29/4921Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts with bonding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49204Contact or terminal manufacturing
    • Y10T29/49208Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts
    • Y10T29/4921Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts with bonding
    • Y10T29/49211Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts with bonding of fused material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 大面積でエレメントを多数備えたコンタクタの製造方法である。ウェーハ上の半導体デバイスをテストするために、セグメントコンタクタが提供され、これは基板に対して実装された複数のコンタクタユニットを含む。コンタクタユニットは形成され、テストされ、支持基板に対して組み付けられる。コンタクタユニットは、バーンイン基板のような外部機器に対して接続するための、横方向に延びるリードを含むことができる。コンタクタユニットはパッドのような導電領域を含み、これらはテストされるデバイスの導電端子と接触するように配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は全般的に言って、大面積で多数のエレメントを有するコンタクタ(接
触器)の製造方法に関し、より詳しくは多数のコンタクタユニットを基板上に設
けることによって製造されるセグメントコンタクタに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス(集積回路のような)は一般に、ウェーハとして知られている
シリコン製の基板上に製造される。単一のウェーハは典型的には、多数のデバイ
ス(集積回路のような)を含み、これらはダイ(チップ)と呼ばれるユニットに
グループ化されている。単一のウェーハは典型的には、その上に形成された複数
個のダイを有する。各々のダイは後に個々に切り出され、さらに処理され、パッ
ケージにされる。最新のテクノロジでは通常、直径8インチ(200mm)のウェ
ーハを使用するが、これは12インチ(300mm)のウェーハへと移行しつつあ
る。本来的には、ウェーハ上に製造される全てのデバイスの各々が、プロービン
グによって電気的にテストされる必要がある。一度に一個より多い数のデバイス
をプロービングすることは特に有利である。最新のプロービング設備では、32
又はそれ以上の半導体デバイスを同時にプローブすることができる。しかしなが
らこの数は多くの場合、ウェーハ上のデバイスの全数のほんの一部でしかない。
より多くの、好ましくはウェーハ上の全てのデバイスに対して同時に接触するこ
との可能なプロービングシステムを開発することに対して、非常に大きな関心が
払われている。
【0003】 一般に望ましいのは、ウェーハ上の複数個のダイのどれが良品であるかを、パ
ッケージングに先立って、好ましくはウェーハからの切り出しに先立って識別す
ることである。そのために、ウェーハ「テスタ」又は「プローバ」を用いて、複
数の個別の圧力接続を、ダイ上にある同様の複数の個別の接続パッド(ボンドパ
ッド)に対して行うことができる。このようにして半導体ダイを、それらのダイ
をウェーハから切り出すよりも前にテストすることができる。
【0004】 通常、半導体デバイスの訓練(バーンイン及びテスト)は、それらがウェーハ
から切り出され(分離され)、それらを最終的な「パッケージ」された形態に組
み立てる別の一連の長い「バックエンド」プロセス工程を経た後においてのみ行
われる。最終的に「パッケージ」されたデバイスが、そのパッケージングの後に
欠陥品であることが判明した場合、デバイスを切り出し、パッケージするための
付加的な時間及びコストは無駄になる。従って、半導体デバイスのテストやバー
ンインを、それらがウェーハから切り出されるよりも前に行うことは、長期にわ
たって解決を望まれれてきた課題であった。
【0005】 最新の集積回路は、数千ものトランジスタ素子を含んでおり、例えば数百のボ
ンドパッドが相互に例えば4ミル(約100マイクロメートル)の中心間距離を
置いて近接配置されている。ボンドパッドの一般的なレイアウトの一つは、ダイ
の周囲をなす縁部の近くに配置された、一列又はより多くの列をなすボンドパッ
ドを有するようなものである。別の一般的なレイアウトは「リードオンセンター
」(LOC)と呼ばれるものであり、典型的にはコンタクトの単一の列が、ダイ
のセンターラインに沿って配置される。幾らか不規則な他のレイアウトも珍しく
はない。パッドの近接性やその数の多さは、プロービング装置のテクノロジに対
する挑戦とも言える。
【0006】 一般に、ウェーハ上の半導体デバイスをテストするためのプロービング装置は
、テストされるウェーハ上の対応するパッドに接触するための複数の接触エレメ
ントを備えた、単一のテスト基板を必要としてきた。ウェーハ全体を同時にテス
トすることは通常、非常に複雑な相互接続基板を必要とし、これらの基板は恐ら
く、そうした接触エレメントを数万個も含むものとなりうる。一例として、8イ
ンチのウェーハは500個の16メガバイトDRAMを含むことができるが、こ
れらはそれぞれ60個のボンドパッドを有し、テストされるウェーハ(WUT)
とテスト用電子機器の間の接続は合計で3万個所にもなる。従来の解決策には、
限定的な、或いは特別のテストを支援するために、これらの接続全体のうちの何
らかの部分集合に対して結合を行うものがある。しかしウェーハ全体に対して完
全な接続を行うことが有用である。
【0007】 また、最新の半導体デバイスでパッドに細かいピッチが要求されることは、テ
スト基板をテストされるウェーハに対して接続する場合に、極めて精密な公差を
保つことを必要とする。テストやバーンインの過程では、熱が発生して下側の基
板材料に熱膨張を生じさせる。熱膨張は、テスト基板をWUTに接続することに
対するさらなる挑戦となるが、これはこの極度に厳格な公差と、パッドの緻密な
間隔のためである。
【0008】 接触エレメントと、例えば半導体デバイスとの間に信頼性のある圧力接続を確
立するためには、アライメント、プローブ力、オーバードライブ、接触力、接触
力のバランス、スクラブ、接触抵抗、及び平坦化といった幾つかのパラメータに
配慮しなければならないが、パラメータはこれらに限定されるものではない。こ
れらのパラメータに関する一般的な議論は、ここで番号を参照することによって
内容を本明細書に取り入れる「高密度プローブカード」と題する米国特許第4,
837,622号に見出すことができる。この特許はエポキシ製の高密度リング
状プローブカードを開示しており、これに含まれる印刷回路板ユニットは、予め
形成されたエポキシ製のプローブエレメントのリング状アレイを受容する中央開
口を有する。
【0009】 より洗練されたプローブカードは、ウェーハ上のデバイスと接触を行うために
、弾性バネエレメントを用いる。ここで番号を参照することによって内容を本明
細書に取り入れる、本出願人に譲渡された1998年9月15日発行の「より大
きな基板にバネコンタクトを配設するためのコンタクトキャリヤ」と題する米国
特許第5,806,181号(181号特許)には、そうしたプローブカードが
開示されている。181号特許の弾性バネエレメントは、個別のバネ接触キャリ
ヤ(タイル)状に予め製造される。
【0010】 弾性バネエレメントは代替的に、ウェーハ自体の上に予め製造することもでき
る。この構成はMOST(Microspring Contacts On Silicon)テクノロジとし
て知られており、シリコン基板上のマイクロバネ接触子を用いる。こうしたウェ
ーハは、ここで番号を参照することによって内容を本明細書に取り入れる、本出
願人に譲渡された1995年11月15日出願の「半導体デバイスへの弾性コン
タクト構造の設置方法」と題する係属中の米国特許第08/558,332号に
記載の技術を用いて、首尾良く製造される。MOSTウェーハに対して、ウェー
ハの段階でのテスト又はバーンイン手順を実行可能なコンタクタ又はテスト基板
は、ウェーハ上に配置された数千ものマイクロバネと正確に整列可能な、対応す
る導電領域を提供するものでなければならない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
弾性バネエレメント又はボンドパッドの各々と正確に整列可能なコンタクタを
準備することは簡単ではないが、それは公差と、テスト又はバーンインプロセス
に際して発生する熱による下側の基板材料の膨張のためである。また、テストさ
れるウェーハ上のバネエレメントの各々に対応する導電領域を有する大面積のコ
ンタクタを提供することは困難である。これは、仮に数千の導電領域の一つにで
も欠陥があれば、コンタクタ全体が欠陥品として扱われるからである。
【0012】 従って必要とされるのは、セグメントコンタクタである。これはウェーハ段階
のテスト又はバーンイン手順を実行するために別々のコンタクタユニットを提供
し、公差や熱膨張に関連する問題点を最小限のものとする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の一例においては、セグメントコンタクタは比較的大きな支持基板と、
この支持基板に設けられた少なくとも一つの、比較的小さなコンタクタユニット
(タイル)からなる。好ましくは、複数のコンタクタユニットが備えられる。コ
ンタクタユニットは、支持(サポート)基板の前面(WUT又は他のデバイスに
対面する)上に配置される。一つのコンタクタユニットが、テストされる個別の
デバイス(DUT)よりも大きく、二つ以上のDUTと「結合」されることも可
能である(そして恐らくは好ましい)。
【0014】 コンタクタユニットは、専用集積回路(ASIC)のような能動半導体デバイ
スを含むことができる。例えばASICは、外部ソース(例えばホストコントロ
ーラ)からテスト基板に提供されている信号の数を最小限にすることを可能にす
る。
【0015】 本発明の一例では、導電性圧力接続をもたらす弾性接触エレメントは好ましく
は、WUTの表面よりも上方の共通平面へと延びる自由端を有するようにして、
基部がWUT上に(即ちWUT上のDUTに対して)直接に設けられる。本発明
のセグメントコンタクタは好ましくは、WUTの熱膨張係数と良好な整合性を示
す熱膨張係数をゆうする。代替的には、弾性(又はバネ)接触エレメントは、セ
グメントコンタクタのコンタクタユニットに対して設けられる。
【0016】 セグメントコンタクタの製造方法の一例を挙げると、複数のコンタクタユニッ
トが支持基板上に、シリコンウェーハ上のデバイスに取着された弾性接触エレメ
ントが、テスト中に各々のコンタクタユニット上の複数の導電接触領域と整列可
能となるようにして設けられる。
【0017】 例示的な方法は、単一のコンタクタ基板上に複数のコンタクタユニットを形成
し、各々のコンタクタユニットを電気的にテストし、コンタクタユニットの各々
を単一のコンタクタ基板から分離し、電気的テストに合格したコンタクタユニッ
トをアセンブルしてセグメントコンタクタを形成することを含んでなる。
【0018】 好ましくは、コンタクタユニットは、それが形成された単一のコンタクタ基板
から分離されるよりも前にテストされる。代替的には、コンタクタユニットは分
離後に、個々にテストすることも可能である。
【0019】 また各々のコンタクタユニットは好ましくは、各々のコンタクタユニットの縁
部を越えて水平方向に延びる複数の導電性リードを含む。これら複数のリードは
好ましくは、可撓性ストリップの形態を有し、このストリップはコンタクタユニ
ットを外部のテスト装置に接続するために、リードに取着されたコネクタを有す
ることができる。
【0020】 コンタクタユニットを組み立ててセグメントコンタクタを形成することには、
組み立てに際してコンタクタユニットを保持するための組立治具を準備すること
などが含まれる。組立治具の一例は、保持空間を画定するプレートである。コン
タクタユニットは、プレート上にある対応の保持空間内に配置される。各々のコ
ンタクタユニットは、第一面と第二面を有する。コンタクタユニットがプレート
上のそれぞれの保持空間内に配置される前又はその後の何れでも、接着剤又は取
着手段を第二面に備えさせることができる。コンタクタユニットがそれぞれの保
持空間内に配置された後に、支持基板が接着剤上に押し付けられて、コンタクタ
ユニットの支持基板への取り付けが行われる。支持基板は次いで持ち上げられて
プレートから除去される。かくしてコンタクタユニットは、支持基板に対して適
切に整列して設けられる。
【0021】 セグメントコンタクタの組み立てのために提供される組立治具は、平坦なプレ
ートであるのが好ましい。これは溝を含んでおり、その中にはガイドブロックが
配置されて、ガイドブロック相互の間に保持空間を画定している。ガイドブロッ
クは各々のコンタクタユニットの適切な相対的整列をもたらす。
【0022】 本発明の一例の方法及び装置はまた、支持基板上に設けられた場合に、コンタ
クタユニットの第一面が実質的に同一平面をなすことを規定する。
【0023】 コンタクタユニットは、支持基板に対して着脱可能に設け、例えば何れか一つ
の特定のコンタクタユニットが故障したり欠陥が見つかった場合に、各々のコン
タクタユニットを取り外したり交換したりできるようにすることが可能である。
【0024】 本発明の装置の一例は、実装されたバネ接触エレメントを有するデバイスの、
ウェーハ段階でその全部又は一部についてのテストに、容易に使用することが可
能である。使用時に、セグメントコンタクタは、実装された複数のコンタクタユ
ニットを有し、そこから延びる導電リードを有する支持基板を含めて(リードは
外部のテスト設備に接続されている)、テストされるウェーハに向けて押し付け
られ、ウェーハ上のデバイスから延びる弾性接触エレメントが、セグメントコン
タクタの対応するコンタクタユニット上にある対応する導電領域又はパッドと接
触を行うようになる。全弾性接触エレメントが複数のコンタクタユニットと全て
同時に接触を行うという、この能力によって、ウェーハ段階でのバーンインやテ
ストといったプロセスが容易なものとされる。しかしながら、ウェーハ上のダイ
がことごとく、セグメントコンタクタ上にある対応のコンタクタユニットと同時
に接触することが必要という訳ではない。
【0025】 本発明の代替例に含まれるセグメントコンタクタは、このセグメントコンタク
タのコンタクタユニットに対して実装されたバネ接触エレメントを含む。
【0026】 また本発明のセグメントコンタクタは、組立後に、別のコンタクタや印刷回路
板といった、半導体ウェーハ以外のデバイスをテストするために使用しても構わ
ないことも理解されよう。
【0027】
【発明の実施の形態】
本発明は限定としてではなく例示として、添付図面中の各図に示されている。
図面中、同様の参照番号は類似の構成要素を示す。
【0028】 改善された大面積マルチエレメントコンタクタ及びそのコンタクタを製造する
方法が説明される。以下の説明において、本発明が完全に理解されるために、特
定の装置及び材料などのような多くの特定の細部が示される。しかしながら、本
発明をこれらの特定の細部なしに実施できることは、当業者に明らかであろう。
また、周知の機械及びそのような機械を製作するための方法は、本発明を不必要
に不明瞭にすることを避けるために特に詳細に説明していない。
【0029】 図1には、セグメントコンタクタを製造する方法が示され、その方法は、コン
タクタユニットを形成すること(110)、コンタクタユニットを電気的にテス
トすること(112)、及び電気的テストを通過したコンタクタユニットを、基
板と共に組み立て、セグメントコンタクタを形成すること(114)からなる。
図1に示された方法は、複数のコンタクタユニットを形成すること、及び複数の
テスト済みコンタクタユニットを1枚の基板と共に組み立てセグメントコンタク
タを形成することを含むことができる。複数のコンタクタユニットが形成される
場合、コンタクタユニットの各々は、基板に組み立てられてセグメントコンタク
タを形成する前に、テストされることが好ましい。代案として、テストは、組み
立て後に実行することもできる。セグメントコンタクタを製造する方法に関する
別の例において、コンタクタユニット(単数または複数)は、コンタクタユニッ
トを基板と共に組み立てた後、再テストされ得る。
【0030】 図1の方法は、先行モデルとして、単一のコンタクタ基板からコンタクタユニ
ットを形成することを含むことができる。例えば、タイルが単一のコンタクタ基
板上に形成され得る。タイルはコンタクタユニットの本体であり、少なくとも一
方の側に導電領域を含むことができる。タイルは、タイル内にランナ又は導電経
路も含むことができる。例えば、タイルは、選択された層内に配置された、また
はそれらの層を通過するランナと共に、層状基板から製作され得る。
【0031】 タイルは、コンタクタ基板から分離される前、又は分離後に電気的にテストさ
れ得る。好適には、テストは、タイルがセグメントコンタクタのような試験アセ
ンブリで使用される前に、実行される。
【0032】 図1に示された方法は、ウェーハ上のデバイスをセグメントコンタクタでテス
トすることを更に含むことができる。例えば、ウェーハは、集積回路のような複
数の半導体デバイスを含むことができる。セグメントコンタクタを用いてウェー
ハ上の幾つか、又は全てのデバイスをテストすることができる。ウェーハ段階で
のバーンインを行うための技術、及び半導体デバイスのテストは、本出願人に譲
渡され、1997年1月15日に出願された「ウェーハ段階でのバーンイン及び
テスト」と題する、同時継続中の米国特許出願第08/784,862号におい
て説明されている。この内容はここでの参照により、本明細書に組み込まれる。
【0033】 図2は、セグメントコンタクタを製造する別の方法を示す。図2に示された一
例の方法は、単一のコンタクタ基板上に複数のコンタクタユニットを形成するこ
と(120)、複数のコンタクタユニットのそれぞれを電気的にテストすること
(122)、単一のコンタクタ基板からコンタクタユニットの各々を分離するこ
と(124)、及びテストを通過したコンタクタユニットを組み立てセグメント
コンタクタを形成すること(126)からなる。しかしながら、複数のコンタク
タユニットを形成すること(120)は、単一のコンタクタ基板上で達成される
必要はない。例えば、コンタクタユニットは、個々に形成され得る。
【0034】 コンタクタユニットをテストすること(122)は、単一のコンタクタ基板か
らそれぞれのコンタクタユニットを分離する(124)前に、又は分離後に行う
ことができる。方法の別の例には、コンタクタユニットが基板に組み立てられて
セグメントコンタクタを形成(126)した後に、コンタクタユニットをテスト
すること(122)が含まれる。方法は、コンタクタユニットが、セグメントコ
ンタクタを形成するように組み立てられる前に予めテストされてから組み立てら
れた後に、コンタクタユニットを再テストすることを含むことができる。
【0035】 ウェーハ上の複数のデバイスをテストするためのセグメントコンタクタを製造
する方法は、基板上に組み立てられた少なくとも1つのコンタクタユニットを、
基板上の別の1つのコンタクタユニットと接続することも含むことができる。こ
の電気接続は、例えば、別個のワイヤを用いて、又は複数の導電性リードを含む
可撓性ストリップを介して達成され得る。ワイヤ又は可撓性ストリップは、ハン
ダ付けされることができ、又はそうでなければ、2つ以上のコンタクタユニット
との間で適切に接続され得る。また、コンタクタユニット間の電気接続は、隣接
するコンタクタユニットの対応するエッジ上のコネクタを用いて達成され得る。
代案として、コンタクタユニットは、支持基板上に形成された導電経路を介して
、互いに電気的に接続されることができ、その支持基板は導電経路を導電性パッ
ド又は基板の表面上のバイアにおいて終端させる。導電性経路またはバイアは、
電気的に接続されるべき別個のコンタクタユニット上の対応する導電領域と位置
合わせされることができる。従って、コンタクタユニット、及び支持基板の導電
経路は、配線又はハンダのような適切な接続手段を用いて電気的に接続され得る
【0036】 セグメントコンタクタが単一のウェーハ上の複数の半導体デバイスをテストす
るために設計されている場合、セグメントコンタクタ上で複数のコンタクタユニ
ットを互いに接続することが有利である。例えば、セグメントコンタクタのコン
タクタユニットとウェーハ上のデバイスの一対一の対応とすることができるが、
それぞれの別個のコンタクタユニットは、ウェーハ上の複数のデバイスをテスト
するために、ある大きさに作られ設計され得る。例えば、400個のデバイス(
DUT)を有するウェーハをテストするために、8個のコンタクタユニットを有
するセグメントコンタクタを準備することができ、コンタクタユニットのそれぞ
れは、50個のDUTに対応できる。
【0037】 図2に示された方法に関する別の例は、複数のコンタクタユニットの少なくと
も1つに複数の導電性リードを取り付けることを更に含むことができる。好適に
は、リードは対応するコンタクタユニットのエッジを超えて延び、リードを外部
のテストデバイス、例えば、バーンイン基板に接続するためにコネクタがリード
上に設けられ、次いで他のテスト装置に接続され得る。
【0038】 図3には、セグメントコンタクタを組み立てる方法が示され、その方法は、コ
ンタクタ位置を画定するプレートを含むアセンブリ固定具を準備すること(13
0)、コンタクタユニットをコンタクタ位置へ配置すること(132)、及びコ
ンタクタユニットを支持基板に実装するためにコンタクタユニットの上に支持基
板を配置すること(134)からなる。
【0039】 プレートの例は、複数のコンタクタユニットの対応するユニットを配置するこ
とができる保持空間である複数のコンタクタ位置を画定することが好ましい。保
持空間は、保持空間へ配置される個々のコンタクタユニットのために境界が画定
されるように、プレート上に画定される。図3の方法例のアセンブリ固定具は、
コンタクタ位置の選択された配置を提供することができ、そのためコンタクタユ
ニットは、それらが半導体ウェーハ上に配置された際に、対応するダイ又はデバ
イスと対をなすように構成され得る。アセンブリ固定具は、コンタクタユニット
をほぼ最終位置にできる限り正確に保持することが好ましい。
【0040】 図3の方法に従った1つの好適な実施例において、溝が画定されたプレートが
準備される。この方法は、溝の中へガイドブロックを挿入し、ガイドブロック間
に保持空間または境界を画定することを更に含むことができる。コンタクタユニ
ットは第1の面と第2の面とを有する。第1の面は、コンタクタユニットが保持
空間へ配置された際にプレートに面することが好ましい。
【0041】 方法は、コンタクタユニットを支持基板に固定または実装するために、コンタ
クタユニットの第2の面上にある接着剤のような、固定機構を設けることも更に
含むことができる。方法は、コンタクタユニットがアセンブリ固定具に配置され
る前にコンタクタユニットに接着剤を付けることを含むことができる。代案とし
て、接着剤は、アセンブリ固定具の保持空間へ挿入されたコンタクタユニットの
上に支持基板が配置される前に、支持基板に付けられ得る。別の代案は、コンタ
クタユニットがアセンブリ固定具の保持空間へ配置された後に、接着剤をコンタ
クタユニット上へ配置することである。
【0042】 図3に示された方法は、コンタクタユニットをテストすることを更に含むこと
ができる。テストは、コンタクタユニットがアセンブリ固定具の保持空間へ配置
される前、又は配置後に行うことができる。方法は、支持基板がコンタクタユニ
ット上へ配置された後にコンタクタユニットを再テストすることを更に含むこと
ができる。
【0043】 図4は、セグメントコンタクタアセンブリを修理する方法を示し、その方法は
、選択された実装済みコンタクタユニットをセグメントコンタクタアセンブリの
支持基板から除去すること(140)、交換用コンタクタユニットを電気的にテ
ストすること(142)、及び交換用コンタクタユニットを支持基板に実装する
こと(144)からなる。図4の例示的な方法は、種々の順序で実施することが
できる。例えば、実装済みコンタクタユニットをテスト(142)して、例えば
支持基板から除去(140)される前にそれが欠陥であるか否か判断することが
できる。代案として、既知の「不良な」コンタクタユニットを支持基板から除去
して、不良なコンタクタユニットをテストせずに、新しいコンタクタユニットと
交換することができる。新しいコンタクタユニットは、支持基板に実装(144
)される前、又は実装後にテスト(142)され得る。更に別の代替案のシナリ
オは、支持基板から除去(140)されたコンタクタユニットの修理を含むこと
ができる。この場合、不良なコンタクタユニットは支持基板から除去(140)
され、テスト(142)されて、必要ならば修理され、次いで支持基板上に再配
置される(144)。図4に例示された方法は、必ずしも欠陥であるとは限らな
いコンタクタユニットを交換したい場合に実施することもできる。例えば、ウェ
ーハ上でテストされる半導体ダイ又は半導体デバイスの変化に対処するために、
コンタクタユニットの特定の構成を変更することが望ましい場合がある。
【0044】 図5には、ウェーハ上の複数のデバイスをテストする方法が示され、その方法
は、前述したようなセグメントコンタクタを準備すること(150)を含む。図
5の例において準備されるセグメントコンタクタは、第1の面と第2の面を有す
るタイルを含むことが好ましく、この場合、タイルは、テストを受けるウェーハ
のデバイス(単数または複数)上の対応する導電端子に接触するために第1の面
上に導電領域を有する。タイルは、タイルのエッジを超えて延びる複数の導電性
リードを備えることが更に好ましい。方法は、タイルから延びる複数のリードを
外部の試験装置またはデバイスに接続すること、テストを受けるデバイス上の端
子をタイル上の対応する導電領域と接触させること、コンタクタユニットを付勢
すること、及びデバイス上でテストを行うことを更に含むことができる。
【0045】 半導体ウェーハ上のデバイスをテストするためのセグメントコンタクタ等の電
気的テストアセンブリ200を図6に示す。該電気的テストアセンブリは、基板
210。該基板210に組み付けられた複数のコンタクタユニット220、及び
該コンタクタユニット220の各々上に配置された複数の導電領域222とを含
む。例示の単純化のため、コンタクタユニット220上の複数の導電領域222
のうちの幾つかのみを図6に示す。
【0046】 コンタクタユニット220は、好適には、セグメントコンタクタ200を形成
するために基板210に組み付けられる前に電気的なテストが行われたものとな
る。また、コンタクタユニット220の各々の導電領域222は、被験装置(図
示せず)に電気的に接続されるよう構成される。
【0047】 図6に示すように、基板210は矩形のものであり、その上部に複数の全体的
に矩形のコンタクタユニット220が取り付けられる。該コンタクタユニット2
20は、2つの列224及び多数の行226に配列される。しかし、基板210
上のコンタクタユニット220の配置又は構成は、セグメントコンタクタ200
によりテストされる特定のデバイス及びウェーハにとって必要となる、あらゆる
所望の形状、大きさ、又は配置とすることが可能なものである。
【0048】 各コンタクタユニット220上の導電領域222もまた、セグメントコンタク
タ200を用いてテストされることになるウェーハ上の対応する導電端子と一致
するよう必要に応じて所望の構成で配置し又は構成することが可能である。コン
タクタユニット220の導電領域222は、好適には導電パッドであるが、半田
ボールやポイント及びその類といった他の接触エレメントを代替的に含むことが
可能である。
【0049】 図6に更に示すように、コンタクタユニット220は、ボンディングワイヤ接
続部228により、又は複数のリード232を含む可撓性ストリップ230によ
り、互いに電気的に接続することが可能である。
【0050】 図6に示すセグメントコンタクタ200はまた、(図6に示すように)少なく
とも1つのコンタクタユニット220(好適にはコンタクタユニット220の各
々)から延びる複数のリード240を含むことが可能である。リード240は、
好適には、外部機器(図示せず)に対する接続のために構成される。例えば、リ
ード240の自由端にコネクタ242を配設することが可能である。リード24
0は、好適にはコンタクタユニット220に取り付けられ、該コンタクタユニッ
ト220上の複数の導電領域222の選択された1つに対応するものとなる。リ
ード240は好適には可撓性ストリップ244内に支持される。1つのコンタク
タユニット220に対して複数の可撓性ストリップ244を配設し取り付けるこ
とが可能である。可撓性ストリップ244は、コンタクタユニット220の第1
の側221または第2の側(図示せず)に固定することが可能である。
【0051】 図7は、部分的に支持基板210の縁部212を越えて延びるコンタクタユニ
ット220を示している。このコンタクタユニット220の延長部分234は、
1つの可撓性ストリップ244又は複数の可撓性ストリップ244をコンタクタ
ユニット220の第1の側もしくは第2の側またはその両側に固定するために利
用することができる領域を提供する。
【0052】 図7に示すように、コンタクタユニット220は、例えば接着剤250といっ
た固定手段を使用して支持基板210に固定される。あらゆる適当な固定手段を
使用して支持基板210に対するコンタクタユニット220の取り付けを達成す
ることが可能であるが、比較的薄くて耐久性があり高温に耐え得る接着剤が好ま
しい。接着剤250は、支持基板210に対してコンタクタユニット220を比
較的しっかりと固定するもの又は取り外し可能な状態で固定するものとすること
が可能である。代替的に、接着剤250の変わりに伝導材料を使用して、コンタ
クタユニット220を支持基板210に取り付けることが可能である。該伝導材
料は、電気伝導性および/または熱伝導性のものとすることが可能である。
【0053】 図7はまた、コンタクタユニット220の第1の側221が、好適には支持基
板210への取り付け時に他の面と共面をなすことを示している。セグメントコ
ンタクタ200の表面全体にわたり弾性接触エレメントと被験ウェーハの導電端
子との間に一層良好な電気接触を提供するために、セグメントコンタクタ200
の複数のコンタクタユニット220が互いに共面をなすのが望ましい。
【0054】 図8は、支持基板210及び該支持基板210に取り付けられtコンタクタユ
ニット220を含むセグメントコンタクタ200を示している。また、レール又
はブロック等の整列手段260を複数のコンタクタユニット220間に配設する
ことが可能である。好適には、該整列手段は、コンタクタユニット220の表面
から大幅に高く延びることのないものとなる。
【0055】 好適には、支持基板210及びコンタクタユニット220又はタイルは、シリ
コンから作製される。支持基板210及びコンタクタユニット220が、互いに
、及び被験ウェーハに対して、同様の熱膨張係数を有していることが好ましい。
セグメントコンタクタの全て及び被験ウェーハ間で同様の熱膨張係数を有する材
料を提供するのは、テスト処理中に発生した熱が各部の熱膨張を生じさせ得るか
らである。導電領域間及びウェーハ上の各端子間で維持しなければならない膨大
な数の接続部並びに極めて厳密な公差に起因して、熱による膨張の量が如何なる
ものであっても、コンタクタユニット220上の導電領域222及び被験ウェー
ハの導電端子の位置ずれが生じ得る。よって、全ての材料が実質的に同様の熱膨
張係数を有していれば、部品の寸法に関する熱膨張の影響を最小限にすることが
できる。また、セグメントコンタクタ200が、好適には(単一のコンタクタユ
ニット基板ではなく)複数のコンタクタユニット220から構成されるため、各
コンタクタユニット220についての熱膨張の影響は、一層長い材料にわたる同
量の膨張ほど大きくない。このため、公差の総計に関する熱膨張の影響が最小限
となる。
【0056】 コンタクタユニットの基板を構成するために使用することができる材料の一例
がシリコンである。代替的に使用することが可能な材料は、ガラス、又は二酸化
珪素(SiO2)を含む材料である。材料「UPILEX」(商標)等の可撓性
材料からコンタクタユニット220を作製することが可能であることも意図され
ている。また、コンタクタユニット220は、プリント回路基板の基材として一
般に使用されるような有機材料から作製することも可能である。
【0057】 図9及び図10は、集積回路等の半導体デバイスを含むウェーハをテストする
ために使用されるセグメントコンタクタの例を示している。図9を参照すると、
セグメントコンタクタ200は、テスト装置又はバーンイン基板等の外部機器2
70に取り付けられて図示されている。図9のコンタクタユニット220は、そ
の上部すなわち第1の側221上に導電領域222を含む。この図9の例におけ
る導電領域222は、導電パッドとして構成されている。支持基板210は、図
9の例示的な構成では、コンタクタユニット220の下方に示されている。リー
ド240は、該コンタクタユニット220から延びて外部機器270へと接続さ
れている。図9に示すように、リード240は、コンタクタユニット220の第
1の側221または第2の側223から延びることが可能である。また、リード
240は、可撓性ストリップ244内に支持されて複数のグループをなすよう構
成することが可能である。かかるグループ化されたリード240又は可撓性スト
リップ244は、コンタクタユニット220の一方の側から延びることが可能な
ものであるが、図9に示すように互い違いの態様または重複する態様で取り付け
ることも可能なものである。
【0058】 図9の例における被験ウェーハ180は、導電端子182(例えば弾性接触エ
レメント184)を含む。ウェーハ180はセグメントコンタクタ200上に位
置決めされ、この際、弾性接触エレメント184がコンタクタユニット220の
第1の側221に面すると共に、コンタクタユニット220上の導電領域222
と整列する。ウェーハ180は、任意の様々な技術によりしっかりと保持されて
精確に位置決めされる。例えば、米国特許出願第08/784,862号を全般
的に参照されたい。テストを実行するために、ウェーハ180及びセグメントコ
ンタクタ200が互いに向かって強制的に偏倚されて、弾性接触エレメント18
4がセグメントコンタクタ200上の導電領域222と物理的に接触することに
なる。好適には、該弾性接触エレメント184は、ウェーハ180に対して垂直
方向に力が加えられた際に該弾性接触エレメント184が僅かに横方向に移動す
ることにより導電領域222上で擦り動作が生じるように構成される。該擦り動
作(又は滑り動作)は、導電領域222上に堆積する可能性のある酸化物または
汚染物質を擦り落とすことで一層良好な電気的接触を提供する働きをする。
【0059】 被験ウェーハ180及びセグメントコンタクタ200が接触すると、ウェーハ
180上の集積回路等のデバイスのテスト又は試行を行うためにバーンイン基板
又は外部機器270からリード240を介して電力及び信号を提供することが可
能となる。このテスト処理は、例えば雰囲気及び温度を制御することができるよ
うに、テスト用チャンバ(図示せず)内で行うことが可能である。
【0060】 図10は、代替的な実施形態のセグメントコンタクタ300を示している。こ
の場合には、弾性接触エレメント384がコンタクタユニット320の第1の側
321に取り付けられる。図10の例における被験ウェーハ190は、コンタク
タユニット320の弾性接触エレメント384と位置合わせされたパッド194
等の導電端子192を含む。ウェーハ190及びセグメントコンタクタ300が
互いに向かって強制的に偏倚され、図9の構成と同様にして、テスト又はウェー
ハ試行処理が実行される。
【0061】 本発明のセグメントコンタクタは、別のコンタクタ又はプリント回路基板とい
った半導体以外のデバイスをテストするために使用することが可能である、とい
うことが理解されよう。
【0062】 図11ないし図15は、コンタクタユニット220の一例を示したものである
。図11に示すように、複数のコンタクタユニット220を上部に形成すること
ができるコンタクタ基板215を提供することが可能である。該コンタクタ基板
215は、モノリシックにすることが可能である。コンタクタユニット220は
、好適には、より大きなコンタクタ基板215上に画定され又は形成された複数
のタイル225から構成される。しかし、より大きなコンタクタ基板215上に
複数のコンタクタユニット220を必ずしも形成する必要はない。代替的に、コ
ンタクタユニット220を別個に形成することも可能である。コンタクタ基板2
15は、好適には、半導体ウェーハ又はそれと同様の基板とすることができる。
【0063】 図12は、第一面221上に導電領域222を有するタイル225からなるコ
ンタクタユニット220の一例を示している。例示の単純化のため、図12には
、導電領域222の一部のみを示している。該導電領域222は、好適には、第
一面221の大部分にわたり配置されるが、特定のコンタクタユニット220に
関する所望の構成で構成することも可能である。
【0064】 図13に、タイル225の第一面221及び第二面223上の導電領域222
に取り付けられたリード240を有するコンタクタユニット220を示す。リー
ド240は部分的に重複して示されており、リード240の自由端にはコネクタ
242がある。前述したように、リード240を、フレキシブルなストリップ2
44内に担持することができ、または、リード240を個別のワイヤ(電線)と
することができる。代替的には、エッジコネクタ(不図示)をリード240の代
わりに設けることができる。外部機器に接続するために、エッジコネクタをジャ
ンパワイヤまたはケーブルを受けるように構成したり、または、エッジコネクタ
を外部機器に直接接続することができる。
【0065】 図14には、コンタクタユニットであって、その第二面223上に導電領域2
22を有するコンタクタユニットを示す。しかしながら、コンタクタユニット2
20の第二面223に導電領域222を設けることは必ずしも必要ではない。
【0066】 図15には、タイル225の第一面221及び第二面223上に導電領域22
2を有するコンタクタユニット220の1例を示す。両側面に導電領域222を
有するコンタクタユニット220の1例としてインターポーザ(介在体)がある
。タイル225を貫通する導電経路227によって、タイル225の両側面にあ
る導電領域222を接続することができる。タイル225を垂直に、すなわち、
直線的に貫通するよう導電経路227を形成する必要はないが、互いにちょうど
反対側に位置する関係にはない、タイル225の両側面または同一側面にある導
電領域222同士を接続するために、タイル225の長さ方向に沿って横に延伸
するよう構成することができる。
【0067】 図15には、また、導電性材料252の1例と共に、コンタクタユニット22
0に取り付けられた支持基板210も示している。図15に示すように、導電性
材料252は、コンタクタユニット220の表面の対応する導電領域222に関
連する個々の部分から構成することができる。例えば、導電性材料252を、個
別の量のはんだとすることができる。
【0068】 図15の支持基板210は、多層プリント回路基板(PCB)に見られるような
、導電性ランナー217を有する。導電性材料252により、導電経路227と
、コンタクタユニット220上の導電領域222が接続され、さらに支持基板2
10上の導電領域すなわち経路217に接続される。
【0069】 図16に、複数のコンタクタユニットを取り付けることができる支持基板21
0の1例を示す。支持基板210は、コンタクタユニットのタイルと同じ材料か
ら作製することが好ましいが、代替的に、PCB材料またはガラスから作製しても
よい。図16に示す支持基板の例は、概ね正方形状であるが、用途に応じて任意
の適切な形状または大きさのものとすることができる。例えば、横が8インチで
縦が8.25インチの長方形の支持基板とすることができる。
【0070】 図17には、本発明のセグメントコンタクタをアセンブルする(組み立てる)
ために使用することができる組立治具400の1例を示す。組立治具400は、
適度の厚みを有する概ね平坦な材料片であるプレート410を備える。プレート
410を、コンタクタユニット20の所望のまたは選択した構成を収容する任意
の適切な形状にすることができる。プレート410の1例は、例えば、ウェーハ
のこを使用してプレート410に切り込みを入れたものであるのが好ましい溝4
20を画定する。溝420は、ガイドブロック(またはすべり金)430を収容
することができるように選択された深さ及び幅を有する。ガイドブロック430
が溝420に挿入されるときに、コンタクタの位置440が、ガイドブロック4
30によって画定される境界内に定められるように、プレート410に切り込み
を入れて溝420を構成する。図17に示す例では、コンタクタの位置440は
、ガイドブロック430によって画定される境界内の領域すなわち空間にある。
コンタクタの位置440を、保持空間と呼ぶこともできる。
【0071】 図17には、コンタクタの位置(コンタクタ位置)を画定するプレートの1例
を示しているが、他の例を考えることもできる。例えば、プレートは、タイル上
の鍵型部や突起部、または、コンタクタユニットをはめ込むことが可能な穴また
はソケットを画定することができる。
【0072】 図17にさらに示しているように、セグメントコンタクタをアセンブルしてい
る間、コンタクタユニット220は、組立治具400のプレート410上に画定
された対応するコンタクタ位置440内に配置される。コンタクタユニット22
0には、既に、その第二面223上に、接着剤250または他の固定機構が設け
られている。コンタクタユニット220は、(接着剤が塗布されている場合には
)接着剤により、上向きにコンタクタ位置440に配置される。次に、支持基板
210を接着剤250に押し付ける、すなわち、くっつけてコンタクタユニット
220を支持基板210に取り付ける。
【0073】 好ましくは、支持基板210をコンタクタユニット220の接着剤250に押
し付けてから、接着剤が硬化される。硬化を行う1方法は、その部分を比較的高
い温度にさらすことである。さらに、硬化及び適正な接着を行うために、支持基
板210に圧力を加える。接着剤の1例として、例えば、TORRAY(R)T
−61エポキシのような熱凝固型エポキシがある。例えば、アセンブルされた部
品をおよそ45分間、約150℃の温度で焼き、その間、支持基板210を約1
5psiの圧力下でコンタクタユニット220にくっつける。その後、圧力を解
除して、コンタクタユニットの平坦度を測定することができる。このように、ア
センブル手順を細かく分割することにより、コンタクタユニット220同士の共
面性の度合いを高めて、好ましくは、約0.3〜0.4mmよりも少なくするこ
とができる。
【0074】 図18に、組立治具400に使用することが可能な、画定された溝420を有
するプレート410の1例を示す。溝420の幅は、例えば、4〜5ミルである
のが好ましい。
【0075】 図19に、プレート410に切り込まれた溝420の1例を示す。
【0076】 図20及び21に、図18及び19のプレートの溝に挿入することが可能なガ
イドブロック430の1例を示す。ガイドブロック430は、プレートの溝内に
ぴったりはまるようなサイズであるのが好ましい。ガイドブロック430は、例
えば、KAPTON(商標)やUPILEX(商標)材料のような、ポリアミド
材料から作製されるのが好ましい。
【0077】 図22に、プレート410の溝420に挿入されて、プレート410の表面4
12を超えて上方に延伸するガイドブロック430を示す。
【0078】 図23に、プレート410に切り込まれた溝420に挿入されたガイドブロッ
ク430を有するプレート410の断面を示す。ガイドブロック430は、隣接
するガイドブロック430間のコンタクタ位置440を画定する。ガイドブロッ
クとコンタクタ位置は、公差が考慮され、かつ、コンタクタユニットを組立治具
から解放することができるようなサイズであることが好ましい。図では、複数の
コンタクタユニット220が、ガイドブロック430の間、及び、コンタクタ位
置440内に配置されている。接着剤250は、コンタクタユニット220の上
面に配置されている。支持基板210は、接着剤250の上に配置されている。
【0079】 図24にも、ガイドブロック430が挿入された溝420を有するプレート4
10が示されている。ガイドブロック430は、プレート410の表面412の
上に延びており、これによって、コンタクタユニット220を、隣接するガイド
ブロック430の間に配置することができるようになっている。接着剤250は
、コンタクタユニット220の上に配置されている。接着剤250は、コンタク
タユニット220の第二面223上に配置されるのが好ましい。コンタクタユニ
ット220の第一面221は、プレート410に面する組立治具400内に配置
されるのが好ましい。支持基板210は、接着剤250の上にある。
【0080】 図25に、コンタクタ位置540を画定するプレート510を含む組立治具5
00の代替実体態様を示す。図25の組立治具500の例では、プレート510
から材料を除去して、上方に延びている壁530を残すことにより、コンタクタ
位置540を画定することができる。この場合、ポケット532がプレート51
0内に形成され、その後、プレート510内にコンタクタユニット210が配置
される。コンタクタユニット220の第一面221は、プレート510に下向き
に面するように配置され、一方、コンタクタユニット220の第二面223は、
上向きに配置される。接着剤250を、コンタクタユニット220に塗布するこ
とができ、次に、前述した技法を使用して、接着剤250に支持基板210を押
し付けることができる。
【0081】 以上、セグメントコンタクタについて説明した。特定の典型的な実施態様に関
して本発明を説明したが、特許請求の範囲に記載したより広い本発明の思想及び
範囲から逸脱することなく、これらの実施態様に種々の修正及び変更を施すこと
が可能であることは明かであろう。従って、明細書及び図面は、限定的な意味で
はなく、例示的なものとして記載したものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によって実行される方法のフローチャートである。
【図2】 本発明によって実行される別の方法のフローチャートである。
【図3】 本発明によって実行される別の方法のフローチャートである。
【図4】 本発明によって実行される別の方法のフローチャートである。
【図5】 本発明によって実行される別の方法のフローチャートである。
【図6】 本発明によるセグメントコンタクタの上部平面図である。
【図7】 図6のセグメントコンタクタの前部立面図である。
【図8】 本発明の別の実施例によるセグメントコンタクタの前部立面図である。
【図9】 本発明のセグメントコンタクタの前部立面図であり、ウェーハはそのウェーハ
上に実装された弾性接触エレメントを含む。
【図10】 本発明のセグメントコンタクタの前部立面図であり、セグメントコンタクタの
コンタクタユニット上に実装された弾性接触エレメントを含む。
【図11】 本発明によりコンタクタユニットが形成された基板の上部平面図である。
【図12】 コンタクタユニットの上面側の複数の導電領域を示す、コンタクタユニットの
上部平面図である。
【図13】 図12の13−13線に沿って取ったコンタクタユニットの断面図である。
【図14】 コンタクタユニットの底面側にある導電領域を示す、図12のコンタクタユニ
ットの底部平面図である。
【図15】 図13のコンタクタユニットの部分拡大断面図である。
【図16】 本発明の支持基板の上部平面図である。
【図17】 本発明による組立治具の斜視図である。
【図18】 組立治具の溝を画定しているプレートの上部平面図である。
【図19】 図18のプレートの一部の部分拡大断面図である。
【図20】 本発明によるガイドブロックの側部立面図である。
【図21】 図20のガイドブロックの端面図である。
【図22】 図18の22−22線に沿って取った、図18のプレートに画定された溝に挿
入されたガイドブロックを示す、図18のプレートの部分拡大断面図である。
【図23】 本発明によるコンタクタユニット及び支持基板を保持している組立治具の、図
18の23−23線に沿って取った断面図である。
【図24】 図23の組立治具の部分拡大断面図である。
【図25】 本発明による組立治具の別の実施例の部分拡大断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,C H,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM, HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,K G,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT ,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW, MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S D,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR ,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN,YU,ZA, ZW (72)発明者 コブ,ハーリー,ディー アメリカ合衆国カリフォルニア州95366, リポン,ナンバー5,サウス・ジャック・ トーン・ロード・222 Fターム(参考) 2G011 AA16 AB01 AB07 AB08 AC01 AC12 AE03 AF07 4M106 AA01 BA01 DD09

Claims (86)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セグメントコンタクタを製造する方法であって、 コンタクタユニットを形成し、 前記コンタクタユニットを電気的にテストし、 前記テストに合格した前記コンタクタユニットを基板とともに組み立て、前記
    セグメントコンタクタを形成する各ステップを含む方法。
  2. 【請求項2】 さらに、前記組み立てるステップの後に、前記コンタクタユ
    ニットを再テストするステップを含む請求項1の方法。
  3. 【請求項3】 さらに、複数のコンタクタユニットを形成するステップ、該
    複数のコンタクタユニットのそれぞれをテストするステップ、前記テストに合格
    した前記テストされたコンタクタユニットを前記基板とともに組み立て、前記セ
    グメントコンタクタを形成するステップを含む請求項1の方法。
  4. 【請求項4】 前記コンタクタユニットが第一面及び第二面を有し、かつ該
    第一面上に複数の導電領域を有する請求項1の方法。
  5. 【請求項5】 さらに、ウェーハ上のデバイスを前記セグメントコンタクタ
    を用いてテストするステップを含み、このテストするステップが、前記コンタク
    タユニットの前記第一面上の前記複数の導電領域のそれぞれを前記デバイス上の
    複数の導電端子の対応する1つと電気的に接続するステップを含む請求項4の方
    法。
  6. 【請求項6】 前記導電端子のそれぞれが弾性接触エレメントを含む請求項
    5の方法。
  7. 【請求項7】 前記導電領域のそれぞれが弾性接触エレメントを含む請求項
    5の方法。
  8. 【請求項8】 前記コンタクタユニットを組み立てるステップが、 コンタクタ位置を画定するプレートを含む組立治具を準備し、 前記コンタクタ位置内に、第一面及び第二面を有する前記コンタクタユニット
    を、該第一面と前記プレートを対向させて配置し、 前記第二面に接着剤を適用し、 前記接着剤上に前記基板を押し付け、前記基板に前記コンタクタユニットを取
    り付ける各ステップを含む請求項1の方法。
  9. 【請求項9】 前記プレートが溝を画定し、前記方法が、さらに、前記溝内
    に案内ブロックを挿入し、この案内ブロック間に前記コンタクタ位置を画定する
    ステップを含む請求項8の方法。
  10. 【請求項10】 前記コンタクタユニットの前記第一面が複数の導電領域を
    含む請求項8の方法。
  11. 【請求項11】 セグメントコンタクタを製造する方法であって、 単一コンタクタ基板上に複数のコンタクタユニットを形成し、 前記コンタクタユニットのそれぞれを電気的にテストし、 前記単一コンタクタ基板から前記コンタクタユニットのそれぞれを切り離し、 前記テストに合格した前記コンタクタユニットを、前記セグメントコンタクタ
    を形成するように組み立てる各ステップを含む方法。
  12. 【請求項12】 前記単一コンタクタ基板がモノリシックである請求項11
    の方法。
  13. 【請求項13】 前記テストするステップが、前記切り離すステップの前に
    実施される請求項11の方法。
  14. 【請求項14】 前記テストするステップが、前記切り離すステップの後に
    実施される請求項11の方法。
  15. 【請求項15】 さらに、前記組み立てるステップの後に、前記コンタクタ
    ユニットを再テストするステップを含む請求項11の方法。
  16. 【請求項16】 前記テストするステップが、前記組み立てるステップの後
    に実施される請求項11の方法。
  17. 【請求項17】 前記組み立てるステップが、前記コンタクタユニットの1
    つを前記コンタクタユニットの他の1つと接続するステップを含む請求項11の
    方法。
  18. 【請求項18】 さらに、ウェーハ上の複数のデバイスを前記セグメントコ
    ンタクタを用いてテストするステップを含む請求項11の方法。
  19. 【請求項19】 前記複数のコンタクタユニットの1つが、前記ウェーハ上
    の前記複数のデバイスの少なくとも1つに対応する請求項18の方法。
  20. 【請求項20】 前記デバイスが集積回路である請求項18の方法。
  21. 【請求項21】 前記コンタクタユニットのそれぞれが第一面及び第二面を
    有する請求項11の方法。
  22. 【請求項22】 さらに、複数の弾性接触エレメントを前記複数のコンタク
    タユニットのうちの少なくとも1つの前記第一面に連結するステップを含む請求
    項21の方法。
  23. 【請求項23】 さらに、前記コンタクタユニットのそれぞれの前記第一面
    及び第二面のそれぞれに、複数の導電領域を準備するステップを含む請求項21
    の方法。
  24. 【請求項24】 各コンタクタユニットの前記第一面上の前記導電領域が、
    前記各コンタクタユニットを介して、前記各コンタクタユニットの前記第二面上
    の前記導電領域の選択された1つと電気的に接続されている請求項23の方法。
  25. 【請求項25】 前記コンタクタユニットが介在体である請求項24の方法
  26. 【請求項26】 セグメントコンタクタを製造する方法であって、 単一コンタクタ基板上に複数のコンタクタユニットを形成し、 前記複数のコンタクタユニットの1つに複数のリードを連結し、該複数のリー
    ドが前記複数のコンタクタユニットの前記1つの縁を超えて水平方向に延伸し、 前記コンタクタユニットのそれぞれをテストし、 前記単一コンタクタ基板から前記コンタクタユニットのそれぞれを切り離し、 前記テストに合格した前記コンタクタユニットを、前記セグメントコンタクタ
    を形成するように組み立て、前記コンタクタユニットの前記1つが前記複数のリ
    ードを含む各ステップを含む方法。
  27. 【請求項27】 前記単一コンタクタ基板がモノリシックである請求項26
    の方法。
  28. 【請求項28】 前記テストするステップが、前記切り離すステップの前に
    実施される請求項26の方法。
  29. 【請求項29】 前記テストするステップが、前記切り離すステップの後に
    実施される請求項26の方法。
  30. 【請求項30】 さらに、前記組み立てるステップの後に、前記コンタクタ
    ユニットを再テストするステップを含む請求項26の方法。
  31. 【請求項31】 前記組み立てるステップが、前記コンタクタユニットの1
    つを前記コンタクタユニットの他の1つと接続するステップを含む請求項26の
    方法。
  32. 【請求項32】 さらに、ウェーハ上の複数のデバイスを前記セグメントデ
    バイスを用いてテストする請求項26の方法。
  33. 【請求項33】 前記複数のコンタクタユニットの1つが、前記ウェーハ上
    の前記複数のデバイスの少なくとも1つに対応する請求項32の方法。
  34. 【請求項34】 前記デバイスが集積回路である請求項32の方法。
  35. 【請求項35】 前記コンタクタユニットのそれぞれが第一面及び第二面を
    有する請求項35の方法。
  36. 【請求項36】 さらに、複数の弾性接触エレメントを、前記複数のコンタ
    クタユニットのうちの少なくとも1つの前記第一面に連結するステップを含む請
    求項35の方法。
  37. 【請求項37】 さらに、前記コンタクタユニットのそれぞれの前記第一面
    のそれぞれに複数の導電領域を準備する請求項35の方法。
  38. 【請求項38】 さらに、前記コンタクタユニットのそれぞれの前記第二面
    のそれぞれに複数の導電領域を準備するステップを含み、それぞれのコンタクタ
    ユニットの前記第一面上の前記導電領域が、前記それぞれのコンタクタユニット
    を介して、前記それぞれのコンタクタユニットの前記第二面上の前記導電領域の
    選択された1つと電気的に接続される請求項37の方法。
  39. 【請求項39】 前記コンタクタユニットが介在体である請求項38の方法
  40. 【請求項40】 前記コンタクタユニットを組み立てるステップが、 コンタクタ位置を画定するプレートを含む組立治具を準備し、 前記コンタクタ位置の対応する1つに、第一面及び第二面を有する前記コンタ
    クタユニットの1つを、該第一面と前記プレートを対向させて配置し、 前記第二面に接着剤を適用し、 前記接着剤上に支持基板を押し付け、該支持基板に前記コンタクタユニットを
    取り付ける各ステップを含む請求項26の方法。
  41. 【請求項41】 前記プレートが溝を画定し、前記方法が、さらに、前記溝
    内に案内ブロックを挿入し、この案内ブロック間に前記コンタクタ位置を画定す
    るステップを含む請求項40の方法。
  42. 【請求項42】 前記コンタクタユニットの前記第一面が複数の導電領域を
    含む請求項40の方法。
  43. 【請求項43】 セグメントコンタクタを組み立てる方法であって、 保持空間を画定するプレートを含む組立治具を準備し、 前記保持空間に、第一面及び第二面を有するコンタクタユニットを、該第一面
    と前記プレートを対向させて配置し、 前記コンタクタに支持基板を押し付け、この支持基板に前記コンタクタユニッ
    トを取り付ける各ステップを含む方法。
  44. 【請求項44】 さらに、前記プレートに溝を形成するステップ、該溝内に
    案内ブロックを挿入し、該案内ブロックの間に前記保持空間を画定するステップ
    を含む請求項43の方法。
  45. 【請求項45】 さらに、前記コンタクタユニットの前記第二面に接着剤を
    適用するステップを含み、前記支持基板が該接着剤に押し付けられる請求項43
    の方法。
  46. 【請求項46】 さらに、前記保持空間内に前記コンタクタユニットが配置
    される前に、前記コンタクタユニットをテストするステップを含む請求項43の
    方法。
  47. 【請求項47】 さらに、前記コンタクタユニット上に前記支持基板を配置
    した後に、前記コンタクタユニットを再テストするステップを含む請求項46の
    方法。
  48. 【請求項48】 さらに、複数の弾性接触エレメントを前記コンタクタユニ
    ットの前記第一面に連結するステップを含む請求項43の方法。
  49. 【請求項49】 前記プレートが複数の保持空間を画定し、さらに、該複数
    の保持空間内に複数のコンタクタユニットを配置するステップを含む請求項43
    の方法。
  50. 【請求項50】 前記複数のコンタクタユニットの少なくとも2つが、互い
    に電気的に接続されている請求項49の方法。
  51. 【請求項51】 さらに、ウェーハ上の複数のデバイスを前記セグメントコ
    ンタクタを用いてテストするステップを含む請求項43の方法。
  52. 【請求項52】 前記デバイスが集積回路である請求項51の方法。
  53. 【請求項53】 さらに、前記コンタクタユニットの縁を超えて水平方向に
    延伸する複数のリードを前記コンタクタユニットに連結するステップを含む請求
    項43の方法。
  54. 【請求項54】 テストアセンブリで使用するためのコンタクタユニットを
    製造する方法であって、 単一コンタクタ基板上に少なくとも1つのタイルを形成し、 前記基板から前記少なくとも1つのタイルを切り離し、該タイルが、第一面及
    び第二面を有し、かつこの第一面上に複数の導電領域を有し、 前記少なくとも1つのタイルを電気的にテストする各ステップを含む方法。
  55. 【請求項55】 前記テストするステップが、前記テストアセンブリにおい
    て前記少なくとも1つのタイルを使用する前に実施される請求項54の方法。
  56. 【請求項56】 前記テストするステップが、前記少なくとも1つのタイル
    が前記テストアセンブリに組み立てられる前に実施される請求項54の方法。
  57. 【請求項57】 前記コンタクタユニットが、セグメントコンタクタで使用
    されるように他のコンタクタユニットとともに組み立てられるよう構成されてい
    る請求項54の方法。
  58. 【請求項58】 セグメントコンタクタアセンブリを修理する方法であって
    、 前記セグメントコンタクタアセンブリの支持基板から選択された載置コンタク
    タユニットを取り外し、 置換用コンタクタユニットを電気的にテストし、 前記支持基板上に前記置換用コンタクタユニットを取り付ける各ステップから
    なる方法。
  59. 【請求項59】 ウェーハ上の複数のデバイスをテストする方法であって、 複数のコンタクタユニットを含むセグメントコンタクタを準備し、ここで、前
    記複数のコンタクタユニットのそれぞれが第一面及び第二面を有するタイルを含
    み、このタイルが、前記デバイスの対応する導電端子と接触するように、前記第
    一面上に導電領域を有し、さらに、前記タイルが、前記タイルの縁を超えて延伸
    する複数のリードを有し、 前記複数のリードを外部テスト機器に接続し、 前記ウェーハの前記デバイス上の前記端子を、前記タイル上の対応する導電領
    域と接触させ、 前記コンタクタユニットを付勢し、 前記ウェーハの前記デバイス上でテストを実施する各ステップを含む方法。
  60. 【請求項60】 デバイスをテストするセグメントコンタクタである電気的
    テストアセンブリであって、 基板と、 前記基板とともに組み立てられた複数のコンタクタユニットと、この複数のコ
    ンタクタユニットが、前記基板とともに組み立てられて前記セグメントコンタク
    タを形成する前に、電気的なテストを受けることと、 前記デバイスに電気的に接続されるべく構成されている前記コンタクタユニッ
    トのそれぞれの上で配列されている複数の導電領域とからなるアセンブリ。
  61. 【請求項61】 さらに、前記コンタクタユニットのそれぞれから延伸する
    複数のリードを含み、これらのリードが外部の機器と接続されるように構成され
    ている請求項60のアセンブリ。
  62. 【請求項62】 各コンタクタユニットの前記リードが、可撓性ストリップ
    内に含まれ、この可撓性ストリップが、前記対応するコンタクタユニットに固定
    され、前記対応するコンタクタユニットから横方向に延伸する請求項60のアセ
    ンブリ。
  63. 【請求項63】 前記コンタクタユニットのそれぞれが前記基板に着脱可能
    に取り付けられている請求項60のアセンブリ。
  64. 【請求項64】 前記コンタクタユニットが接着剤によって前記基板に取り
    付けられている請求項60のアセンブリ。
  65. 【請求項65】 前記コンタクタユニットが導電材料によって前記基板に取
    り付けられている請求項60のアセンブリ。
  66. 【請求項66】 前記導電材料が電気的な導体である請求項65のアセンブ
    リ。
  67. 【請求項67】 前記導電材料が熱的な導体である請求項65のアセンブリ
  68. 【請求項68】 前記コンタクタユニットが互いに同じ平面にある請求項6
    0のアセンブリ。
  69. 【請求項69】 前記基板がシリコンである請求項60のアセンブリ。
  70. 【請求項70】 前記コンタクタユニットがシリコンから形成されている請
    求項60のアセンブリ。
  71. 【請求項71】 前記コンタクタユニットが二酸化珪素を含む材料から形成
    されている請求項60のアセンブリ。
  72. 【請求項72】 前記コンタクタユニットが可撓性材料から形成されている
    請求項60のアセンブリ。
  73. 【請求項73】 前記コンタクタユニットが有機材料から形成されている請
    求項60のアセンブリ。
  74. 【請求項74】 前記基板及び前記コンタクタユニットの材料が、実質上同
    じ熱膨張係数を有する請求項60のアセンブリ。
  75. 【請求項75】 前記複数のコンタクタユニットの選択された1つが、前記
    複数のコンタクタユニットの少なくとも他の1つと電気的に接続されている請求
    項60のアセンブリ。
  76. 【請求項76】 前記接続されているコンタクタユニットが、電気接続部に
    よって接続されている請求項75のアセンブリ。
  77. 【請求項77】 前記接続されているコンタクタユニットが、可撓性回路に
    よって接続されている請求項75のアセンブリ。
  78. 【請求項78】 さらに、前記コンタクタユニット間に整列機構を含む請求
    項60のアセンブリ。
  79. 【請求項79】 前記デバイスが集積回路である請求項60のアセンブリ。
  80. 【請求項80】 さらに、複数のデバイスを含む請求項60のアセンブリ。
  81. 【請求項81】 前記複数のデバイスのそれぞれが集積回路である請求項8
    0のアセンブリ。
  82. 【請求項82】 第一面及び第二面を有し、この第一面上に複数の導電領域
    を含むタイルと、 選択された導電領域に固定され、前記タイルの縁を超えて横方向に延伸する複
    数のリードとを含むコンタクタユニット。
  83. 【請求項83】 前記リードが可撓性ストリップ内にある請求項82のコン
    タクタユニット。
  84. 【請求項84】 さらに、外部テストデバイスに接続するための、前記リー
    ド上のコネクタを含む請求項82のコンタクタユニット。
  85. 【請求項85】 前記コンタクタユニットが、電気的なテストによって、セ
    グメントコンタクタアセンブリ内での使用が保証される請求項82のコンタクタ
    ユニット。
  86. 【請求項86】 前記コンタクタが、支持基板上に取り付けられるように構
    成され、前記コンタクタユニットが、前記支持基板に取り付けられる前に電気的
    にテストされる請求項85のコンタクタユニット。
JP2001501900A 1999-06-07 2000-06-06 セグメントコンタクタ Pending JP2003506667A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/327,116 1999-06-07
US09/327,116 US7215131B1 (en) 1999-06-07 1999-06-07 Segmented contactor
PCT/US2000/040128 WO2000075677A1 (en) 1999-06-07 2000-06-06 Segmented contactor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003506667A true JP2003506667A (ja) 2003-02-18

Family

ID=23275229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001501900A Pending JP2003506667A (ja) 1999-06-07 2000-06-06 セグメントコンタクタ

Country Status (8)

Country Link
US (6) US7215131B1 (ja)
EP (1) EP1188061B1 (ja)
JP (1) JP2003506667A (ja)
KR (3) KR100779329B1 (ja)
AU (1) AU6119800A (ja)
DE (1) DE60040388D1 (ja)
TW (1) TW523846B (ja)
WO (1) WO2000075677A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009503536A (ja) * 2005-08-12 2009-01-29 パイコム コーポレイション プローブカードの製造方法及びこれを行うための装置
JP2009526992A (ja) * 2006-02-16 2009-07-23 パイコム コーポレイション スペーストランスフォーマと前記スペーストランスフォーマの製造方法及び前記スペーストランスフォーマを有するプローブカード

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US20070245553A1 (en) * 1999-05-27 2007-10-25 Chong Fu C Fine pitch microfabricated spring contact structure & method
US6812718B1 (en) * 1999-05-27 2004-11-02 Nanonexus, Inc. Massively parallel interface for electronic circuits
US7215131B1 (en) * 1999-06-07 2007-05-08 Formfactor, Inc. Segmented contactor
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
US7579848B2 (en) * 2000-05-23 2009-08-25 Nanonexus, Inc. High density interconnect system for IC packages and interconnect assemblies
US7952373B2 (en) 2000-05-23 2011-05-31 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech, Inc., Beaverton, Oreg. Wafersonde
US7396236B2 (en) 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
TW546858B (en) 2001-07-11 2003-08-11 Formfactor Inc Method of manufacturing a probe card
US6729019B2 (en) 2001-07-11 2004-05-04 Formfactor, Inc. Method of manufacturing a probe card
US7182672B2 (en) * 2001-08-02 2007-02-27 Sv Probe Pte. Ltd. Method of probe tip shaping and cleaning
WO2003052435A1 (en) 2001-08-21 2003-06-26 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
JP3794586B2 (ja) * 2001-08-24 2006-07-05 ナノネクサス インク スパッタされた膜において、均一な等方性の応力を生じさせるための方法および装置
CN1615444A (zh) * 2001-12-14 2005-05-11 因泰斯特Ip公司 柔性测试头接口
US7010854B2 (en) 2002-04-10 2006-03-14 Formfactor, Inc. Re-assembly process for MEMS structures
US7265565B2 (en) * 2003-02-04 2007-09-04 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20060006888A1 (en) * 2003-02-04 2006-01-12 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated microprobes
US7363705B2 (en) * 2003-02-04 2008-04-29 Microfabrica, Inc. Method of making a contact
US20050104609A1 (en) * 2003-02-04 2005-05-19 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060053625A1 (en) * 2002-05-07 2006-03-16 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060051948A1 (en) * 2003-02-04 2006-03-09 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7531077B2 (en) 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US7273812B2 (en) * 2002-05-07 2007-09-25 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060238209A1 (en) * 2002-05-07 2006-10-26 Microfabrica Inc. Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes
US7412767B2 (en) 2003-02-04 2008-08-19 Microfabrica, Inc. Microprobe tips and methods for making
US7640651B2 (en) * 2003-12-31 2010-01-05 Microfabrica Inc. Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer
US6965244B2 (en) 2002-05-08 2005-11-15 Formfactor, Inc. High performance probe system
US6911835B2 (en) * 2002-05-08 2005-06-28 Formfactor, Inc. High performance probe system
JP3621938B2 (ja) * 2002-08-09 2005-02-23 日本電子材料株式会社 プローブカード
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
US8613846B2 (en) 2003-02-04 2013-12-24 Microfabrica Inc. Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US9244101B2 (en) * 2003-02-04 2016-01-26 University Of Southern California Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US7567089B2 (en) * 2003-02-04 2009-07-28 Microfabrica Inc. Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US7781873B2 (en) * 2003-04-28 2010-08-24 Kingston Technology Corporation Encapsulated leadframe semiconductor package for random access memory integrated circuits
US6965245B2 (en) * 2003-05-01 2005-11-15 K&S Interconnect, Inc. Prefabricated and attached interconnect structure
US9671429B2 (en) 2003-05-07 2017-06-06 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
KR20060126700A (ko) 2003-12-24 2006-12-08 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 능동 웨이퍼 프로브
US20080108221A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Microprobe Tips and Methods for Making
US10641792B2 (en) 2003-12-31 2020-05-05 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
WO2006014635A1 (en) * 2004-07-21 2006-02-09 K & S Interconnect, Inc. Reinforced probes for testing semiconductor devices
US20090174423A1 (en) * 2004-07-21 2009-07-09 Klaerner Peter J Bond Reinforcement Layer for Probe Test Cards
EP1628493A1 (en) * 2004-08-17 2006-02-22 Dialog Semiconductor GmbH Camera handling system
US7459795B2 (en) * 2004-08-19 2008-12-02 Formfactor, Inc. Method to build a wirebond probe card in a many at a time fashion
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
EP1648181A1 (en) 2004-10-12 2006-04-19 Dialog Semiconductor GmbH A multiple frame grabber
US20060125504A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Systems On Silicon Manufacturing Company Pte. Ltd. Printed circuit board for burn-in testing
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
JP2006261566A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Alps Electric Co Ltd 電子部品用ホルダ及び電子部品用保持シート、これらを用いた電子モジュール、電子モジュールの積層体、電子モジュールの製造方法並びに検査方法
US7471094B2 (en) * 2005-06-24 2008-12-30 Formfactor, Inc. Method and apparatus for adjusting a multi-substrate probe structure
JP2007205960A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd プローブカード及びプローブ装置
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
TWI600099B (zh) * 2006-07-07 2017-09-21 川斯拉利特公司 平面延伸電導體超越基材邊緣的方法和設備
DE102007057815A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Feinmetall Gmbh Kontaktiervorrichtung für eine Berührungskontaktierung eines elektrischen Prüflings sowie entsprechendes Verfahren
US20080231258A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Formfactor, Inc. Stiffening connector and probe card assembly incorporating same
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7808259B2 (en) * 2007-09-26 2010-10-05 Formfactor, Inc. Component assembly and alignment
US8148646B2 (en) * 2008-09-29 2012-04-03 Formfactor, Inc. Process of positioning groups of contact structures
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
WO2010059247A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US7960989B2 (en) * 2008-12-03 2011-06-14 Formfactor, Inc. Mechanical decoupling of a probe card assembly to improve thermal response
US7772863B2 (en) * 2008-12-03 2010-08-10 Formfactor, Inc. Mechanical decoupling of a probe card assembly to improve thermal response
US8760187B2 (en) * 2008-12-03 2014-06-24 L-3 Communications Corp. Thermocentric alignment of elements on parts of an apparatus
KR200454211Y1 (ko) * 2009-06-22 2011-06-21 (주)티에스이 가이드 구조물을 갖는 프로브 조립체
US8362797B2 (en) * 2009-08-25 2013-01-29 Advanced Inquiry Systems, Inc. Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed therebetween
US8622752B2 (en) * 2011-04-13 2014-01-07 Teradyne, Inc. Probe-card interposer constructed using hexagonal modules
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making
US12078657B2 (en) 2019-12-31 2024-09-03 Microfabrica Inc. Compliant pin probes with extension springs, methods for making, and methods for using

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210269A (ja) * 1988-10-25 1990-08-21 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH03218472A (ja) * 1990-01-23 1991-09-26 Nippon Maikuronikusu:Kk 表示パネル用プローブとその組み立て方法
JPH06188299A (ja) * 1992-08-12 1994-07-08 Fujitsu Ltd 半導体デバイスのチップもしくはマルチチップモジュールのキャリアをテストする方法および装置
JPH06222081A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
WO1996038858A2 (en) * 1995-05-26 1996-12-05 Formfactor, Inc. Method and probe card for testing semiconductor devices
JPH09105761A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Nitto Denko Corp プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板
JPH09274055A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Denso Corp 半導体試験装置並びに半導体試験装置用プローブユニット及びその製造方法
JPH1187442A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の検査方法、プローブカード及びバーンイン用ボード

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US489099A (en) * 1893-01-03 scbibner
NL292051A (ja) 1962-04-27
US3835530A (en) * 1967-06-05 1974-09-17 Texas Instruments Inc Method of making semiconductor devices
CA944435A (en) * 1970-12-25 1974-03-26 Tadashi Kubota Inspection apparatus for printed circuit boards
US3702982A (en) 1971-02-08 1972-11-14 Itt Flat cable connector
US3781683A (en) * 1971-03-30 1973-12-25 Ibm Test circuit configuration for integrated semiconductor circuits and a test system containing said configuration
US4032058A (en) 1973-06-29 1977-06-28 Ibm Corporation Beam-lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam-leads with corresponding dielectric substrate leads
US3849728A (en) 1973-08-21 1974-11-19 Wentworth Labor Inc Fixed point probe card and an assembly and repair fixture therefor
US3973091A (en) * 1975-02-03 1976-08-03 Texas Instruments Incorporated Pushbutton keyboard assembly having pole and inner contacts simultaneously engaged by a bridging contact
US3963986A (en) 1975-02-10 1976-06-15 International Business Machines Corporation Programmable interface contactor structure
DE2559004C2 (de) * 1975-12-29 1978-09-28 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Anordnung zur Prüfung von elektrischen Prüflingen mit einer Vielzahl von Prüfkontakten
JPS54146581A (en) 1978-05-09 1979-11-15 Mitsubishi Electric Corp Electric chracteristic measuring device for semiconductor chip
US5276395A (en) * 1979-08-13 1994-01-04 Malloy James T Bed-of-pins test fixture
US4357062A (en) 1979-12-10 1982-11-02 John Fluke Mfg. Co., Inc. Universal circuit board test fixture
US4528500A (en) 1980-11-25 1985-07-09 Lightbody James D Apparatus and method for testing circuit boards
US4423376A (en) 1981-03-20 1983-12-27 International Business Machines Corporation Contact probe assembly having rotatable contacting probe elements
EP0078337B1 (de) 1981-10-30 1987-04-22 Ibm Deutschland Gmbh Kontakteinrichtung zur lösbaren Verbindung elektrischer Bauteile
US4508405A (en) 1982-04-29 1985-04-02 Augat Inc. Electronic socket having spring probe contacts
US4553192A (en) 1983-08-25 1985-11-12 International Business Machines Corporation High density planar interconnected integrated circuit package
US4565314A (en) 1983-09-09 1986-01-21 At&T Bell Laboratories Registration and assembly of integrated circuit packages
US4636722A (en) 1984-05-21 1987-01-13 Probe-Rite, Inc. High density probe-head with isolated and shielded transmission lines
US4724383A (en) 1985-05-03 1988-02-09 Testsystems, Inc. PC board test fixture
US4837622A (en) 1985-05-10 1989-06-06 Micro-Probe, Inc. High density probe card
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
ATE55632T1 (de) 1987-01-20 1990-09-15 Litef Gmbh Biegefedergelenk und verfahren zu seiner herstellung.
US4811081A (en) 1987-03-23 1989-03-07 Motorola, Inc. Semiconductor die bonding with conductive adhesive
JPS63268285A (ja) 1987-04-27 1988-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面実装部品
US4983907A (en) 1987-05-14 1991-01-08 Intel Corporation Driven guard probe card
US4740410A (en) 1987-05-28 1988-04-26 The Regents Of The University Of California Micromechanical elements and methods for their fabrication
JPH0429561Y2 (ja) 1987-08-18 1992-07-17
US4918032A (en) 1988-04-13 1990-04-17 General Motors Corporation Method for fabricating three-dimensional microstructures and a high-sensitivity integrated vibration sensor using such microstructures
US5103557A (en) 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US4899099A (en) 1988-05-19 1990-02-06 Augat Inc. Flex dot wafer probe
JPH025375A (ja) 1988-06-24 1990-01-10 Toshiba Corp 電子部品の実装方法
US5061894A (en) 1988-10-25 1991-10-29 Tokyo Electron Limited Probe device
DE3838413A1 (de) 1988-11-12 1990-05-17 Mania Gmbh Adapter fuer elektronische pruefvorrichtungen fuer leiterplatten und dergl.
JPH02144869A (ja) 1988-11-25 1990-06-04 Fujitsu Ltd 回路基板装置の実装構造
US4965865A (en) 1989-10-11 1990-10-23 General Signal Corporation Probe card for integrated circuit chip
US4998885A (en) 1989-10-27 1991-03-12 International Business Machines Corporation Elastomeric area array interposer
DE4237591A1 (de) 1992-11-06 1994-05-11 Mania Gmbh Leiterplatten-Prüfeinrichtung mit Folienadapter
US5065227A (en) 1990-06-04 1991-11-12 International Business Machines Corporation Integrated circuit packaging using flexible substrate
JP2928592B2 (ja) 1990-06-20 1999-08-03 株式会社日立製作所 半導体lsi検査装置用プローブヘッドの製造方法および検査装置
US5187020A (en) 1990-07-31 1993-02-16 Texas Instruments Incorporated Compliant contact pad
US5312456A (en) 1991-01-31 1994-05-17 Carnegie Mellon University Micromechanical barb and method for making the same
US5172050A (en) 1991-02-15 1992-12-15 Motorola, Inc. Micromachined semiconductor probe card
US5278442A (en) 1991-07-15 1994-01-11 Prinz Fritz B Electronic packages and smart structures formed by thermal spray deposition
US5175491A (en) 1991-09-18 1992-12-29 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit testing fixture
US5393375A (en) 1992-02-03 1995-02-28 Cornell Research Foundation, Inc. Process for fabricating submicron single crystal electromechanical structures
US5225777A (en) 1992-02-04 1993-07-06 International Business Machines Corporation High density probe
US5210939A (en) 1992-04-17 1993-05-18 Intel Corporation Lead grid array integrated circuit
US5236118A (en) 1992-05-12 1993-08-17 The Regents Of The University Of California Aligned wafer bonding
US5363038A (en) 1992-08-12 1994-11-08 Fujitsu Limited Method and apparatus for testing an unpopulated chip carrier using a module test card
US5371654A (en) 1992-10-19 1994-12-06 International Business Machines Corporation Three dimensional high performance interconnection package
US5422574A (en) 1993-01-14 1995-06-06 Probe Technology Corporation Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts
EP0615131A1 (en) 1993-03-10 1994-09-14 Co-Operative Facility For Aging Tester Development Prober for semiconductor integrated circuit element wafer
JP3345948B2 (ja) 1993-03-16 2002-11-18 ジェイエスアール株式会社 プローブヘッドの製造方法
US5440231A (en) 1993-04-19 1995-08-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for coupling a semiconductor device with a tester
US5395253A (en) 1993-04-29 1995-03-07 Hughes Aircraft Company Membrane connector with stretch induced micro scrub
US5914614A (en) 1996-03-12 1999-06-22 International Business Machines Corporation High density cantilevered probe for electronic devices
DE69416200T2 (de) 1993-06-16 1999-06-02 Nitto Denko Corp., Ibaraki, Osaka Sondenkonstruktion
US5786701A (en) 1993-07-02 1998-07-28 Mitel Semiconductor Limited Bare die testing
US5311405A (en) 1993-08-02 1994-05-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for aligning and attaching a surface mount component
JPH07134161A (ja) * 1993-11-11 1995-05-23 Nippon Eng Kk テスト用ボードを考慮したエージングボード
US6184053B1 (en) 1993-11-16 2001-02-06 Formfactor, Inc. Method of making microelectronic spring contact elements
US6246247B1 (en) * 1994-11-15 2001-06-12 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of using same
US20020053734A1 (en) * 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US7064566B2 (en) 1993-11-16 2006-06-20 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit
US5974662A (en) 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US6029344A (en) 1993-11-16 2000-02-29 Formfactor, Inc. Composite interconnection element for microelectronic components, and method of making same
US5772451A (en) 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US5832601A (en) 1993-11-16 1998-11-10 Form Factor, Inc. Method of making temporary connections between electronic components
US5601740A (en) 1993-11-16 1997-02-11 Formfactor, Inc. Method and apparatus for wirebonding, for severing bond wires, and for forming balls on the ends of bond wires
US6064213A (en) 1993-11-16 2000-05-16 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US5806181A (en) 1993-11-16 1998-09-15 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6741085B1 (en) 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6336269B1 (en) 1993-11-16 2002-01-08 Benjamin N. Eldridge Method of fabricating an interconnection element
US5373627A (en) 1993-11-23 1994-12-20 Grebe; Kurt R. Method of forming multi-chip module with high density interconnections
US5418471A (en) 1994-01-26 1995-05-23 Emulation Technology, Inc. Adapter which emulates ball grid array packages
US5473510A (en) 1994-03-25 1995-12-05 Convex Computer Corporation Land grid array package/circuit board assemblies and methods for constructing the same
US5534784A (en) 1994-05-02 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer
US5476818A (en) 1994-08-19 1995-12-19 Motorola, Inc. Semiconductor structure and method of manufacture
US5495667A (en) 1994-11-07 1996-03-05 Micron Technology, Inc. Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects
EP1408338A3 (en) 1994-11-15 2007-09-26 FormFactor, Inc. Method for making a probe card with multiple contact tips for testing integrated circuits
US5593322A (en) 1995-01-17 1997-01-14 Dell Usa, L.P. Leadless high density connector
JP3362545B2 (ja) 1995-03-09 2003-01-07 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5657207A (en) 1995-03-24 1997-08-12 Packard Hughes Interconnect Company Alignment means for integrated circuit chips
IN188013B (ja) 1995-05-23 2002-08-10 Hoechst Celanese Corp
KR100266389B1 (ko) * 1995-05-26 2000-09-15 이고르 와이. 칸드로스 스프링 접점부를 구비한 대 기판을 정주시키기 위한 접점 캐리어(타일)
US5726498A (en) 1995-05-26 1998-03-10 International Business Machines Corporation Wire shape conferring reduced crosstalk and formation methods
US5998864A (en) 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips
TW267265B (en) 1995-06-12 1996-01-01 Connector Systems Tech Nv Low cross talk and impedance controlled electrical connector
JP3838381B2 (ja) 1995-11-22 2006-10-25 株式会社アドバンテスト プローブカード
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
DE19610123C1 (de) 1996-03-14 1997-10-23 Siemens Ag Verfahren zum Testen von Burn-in-Boards und darin eingesetzten Bauteilen während des Bestückungsvorganges
CN1145802C (zh) 1996-05-17 2004-04-14 福姆法克特公司 微电子弹簧接触元件及电子部件
US6050829A (en) 1996-08-28 2000-04-18 Formfactor, Inc. Making discrete power connections to a space transformer of a probe card assembly
NL1004510C2 (nl) 1996-11-12 1998-05-14 Charmant Beheer B V Werkwijze voor het vervaardigen van een test-adapter alsmede test-adapter en een werkwijze voor het testen van printplaten.
US6690185B1 (en) 1997-01-15 2004-02-10 Formfactor, Inc. Large contactor with multiple, aligned contactor units
US6016060A (en) * 1997-03-25 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components
US5923178A (en) 1997-04-17 1999-07-13 Cerprobe Corporation Probe assembly and method for switchable multi-DUT testing of integrated circuit wafers
US5920200A (en) 1997-07-22 1999-07-06 Hewlett-Packard Company Apparatus and method for precise alignment of a ceramic module to a test apparatus
JP3028791B2 (ja) 1997-08-06 2000-04-04 日本電気株式会社 チップ部品の実装方法
US6018249A (en) 1997-12-11 2000-01-25 Micron Technolgoy, Inc. Test system with mechanical alignment for semiconductor chip scale packages and dice
US6256882B1 (en) * 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US7215131B1 (en) 1999-06-07 2007-05-08 Formfactor, Inc. Segmented contactor
KR100327335B1 (ko) * 1999-07-22 2002-03-06 윤종용 칩크기 반도체 패키지의 제조방법
DE10208692A1 (de) 2001-08-28 2003-03-20 Kaltenbach & Voigt Medizinisches oder dentalmedizinisches Handstück mit einem in einem Wälzlager gelagerten Drehteil
US7010854B2 (en) 2002-04-10 2006-03-14 Formfactor, Inc. Re-assembly process for MEMS structures
US7047638B2 (en) 2002-07-24 2006-05-23 Formfactor, Inc Method of making microelectronic spring contact array

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210269A (ja) * 1988-10-25 1990-08-21 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JPH03218472A (ja) * 1990-01-23 1991-09-26 Nippon Maikuronikusu:Kk 表示パネル用プローブとその組み立て方法
JPH06188299A (ja) * 1992-08-12 1994-07-08 Fujitsu Ltd 半導体デバイスのチップもしくはマルチチップモジュールのキャリアをテストする方法および装置
JPH06222081A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
WO1996038858A2 (en) * 1995-05-26 1996-12-05 Formfactor, Inc. Method and probe card for testing semiconductor devices
JP2001524258A (ja) * 1995-05-26 2001-11-27 フォームファクター,インコーポレイテッド より大きな基板にばね接触子を定置させるための接触子担体(タイル)
JPH09105761A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Nitto Denko Corp プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板
JPH09274055A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Denso Corp 半導体試験装置並びに半導体試験装置用プローブユニット及びその製造方法
JPH1187442A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の検査方法、プローブカード及びバーンイン用ボード

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009503536A (ja) * 2005-08-12 2009-01-29 パイコム コーポレイション プローブカードの製造方法及びこれを行うための装置
US8117740B2 (en) 2005-08-12 2012-02-21 Phicom Corporation Method and apparatus for manufacturing a probe card
JP2009526992A (ja) * 2006-02-16 2009-07-23 パイコム コーポレイション スペーストランスフォーマと前記スペーストランスフォーマの製造方法及び前記スペーストランスフォーマを有するプローブカード

Also Published As

Publication number Publication date
US7065870B2 (en) 2006-06-27
DE60040388D1 (de) 2008-11-13
EP1188061A1 (en) 2002-03-20
EP1188061B1 (en) 2008-10-01
AU6119800A (en) 2000-12-28
US20030057975A1 (en) 2003-03-27
WO2000075677A9 (en) 2002-08-01
TW523846B (en) 2003-03-11
US8011089B2 (en) 2011-09-06
KR20020030276A (ko) 2002-04-24
KR100760782B1 (ko) 2007-09-20
KR20070026853A (ko) 2007-03-08
KR100793506B1 (ko) 2008-01-14
US7215131B1 (en) 2007-05-08
KR20070086971A (ko) 2007-08-27
US20040058487A1 (en) 2004-03-25
KR100779329B1 (ko) 2007-11-23
WO2000075677A1 (en) 2000-12-14
US6640415B2 (en) 2003-11-04
US7578057B2 (en) 2009-08-25
US20110171838A1 (en) 2011-07-14
US20060244469A1 (en) 2006-11-02
US20100043226A1 (en) 2010-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003506667A (ja) セグメントコンタクタ
US7772860B2 (en) Massively parallel interface for electronic circuit
US5123850A (en) Non-destructive burn-in test socket for integrated circuit die
US5663654A (en) Universal wafer carrier for wafer level die burn-in
KR100470970B1 (ko) 반도체 검사장치용 프로브카드의 니들고정장치 및 방법
US20020171133A1 (en) Systems for testing and packaging integrated circuits
JP2003506686A (ja) 集積回路ウェーハのプローブカード組立体の構造および製造方法
JP2003501819A (ja) 電子回路のための大規模並列処理インターフェース
KR100707044B1 (ko) 집적회로 웨이퍼 프로브카드 조립체의 구조물 및 그 제조방법
JP3586106B2 (ja) Ic試験装置用プローブカード
JPH07193106A (ja) バーンインテスト用チップのホールディング装置及びその製造方法
US6246246B1 (en) Test head assembly utilizing replaceable silicon contact
JPH08241916A (ja) 半導体集積回路の検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070319

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070319

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070524

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070606

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090924

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091221

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100330

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100521

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100629

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101101

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110114