JPH05226430A - プローブカード構造体およびその製法 - Google Patents
プローブカード構造体およびその製法Info
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- JPH05226430A JPH05226430A JP5753692A JP5753692A JPH05226430A JP H05226430 A JPH05226430 A JP H05226430A JP 5753692 A JP5753692 A JP 5753692A JP 5753692 A JP5753692 A JP 5753692A JP H05226430 A JPH05226430 A JP H05226430A
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- Japan
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- film
- probe card
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- electrode lead
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 検査使用時に問題なく使用でき、しかも長寿
命なプローブカード構造体およびそれを材質等に制限な
く容易に製造できる製法を提供する。 【構成】 絶縁性フィルム２面に所定の検査回路パター
ン１および電極リード３を形成する。そして、金属突起
物付フィルムを用意し、上記金属突起物付フィルムの金
属突起物４を上記電極リード３面の所定の位置に載置し
て上記金属突起物付フィルムを加熱して金属突起物４を
電極リード３面に固定する。ついで、金属突起物付フィ
ルムのフィルムのみを剥離して電極リード３面に金属突
起物付フィルムの金属突起物４を転写することによりプ
ローブカード構造体を製造する。
命なプローブカード構造体およびそれを材質等に制限な
く容易に製造できる製法を提供する。 【構成】 絶縁性フィルム２面に所定の検査回路パター
ン１および電極リード３を形成する。そして、金属突起
物付フィルムを用意し、上記金属突起物付フィルムの金
属突起物４を上記電極リード３面の所定の位置に載置し
て上記金属突起物付フィルムを加熱して金属突起物４を
電極リード３面に固定する。ついで、金属突起物付フィ
ルムのフィルムのみを剥離して電極リード３面に金属突
起物付フィルムの金属突起物４を転写することによりプ
ローブカード構造体を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の検査等を
行う際に用いられるプローブカード構造体およびその製
法に関するものである。
行う際に用いられるプローブカード構造体およびその製
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年における電子機器の薄形化や小形軽
量化にともない、半導体の高集積化や高密度実装化が行
われている。そして、これらの発展にともない半導体装
置の電極数が増加し、そのピッチも年々密度が高まって
いる。また、ベアチップの直接回路基板への実装等のた
めに半導体装置を検査する技術も要求されている。通
常、半導体装置を検査するには針式のメカニカル・プロ
ーブが用いられているが、このようなメカニカル・プロ
ーブは、その寿命は高密度になると接触回数が１〜２万
回と短く、また針を挟むブレードと針とが簡単に位置ず
れを起こしたり、曲がったり、ときにはショートを起こ
したりする。さらに、接触時に力が加わるために針やブ
レードが半導体装置のダイパッドに突き刺さって損傷を
与えたりすることもあり、検査時に製品不良を生じる場
合がある。また、インピーダンスの整合を針で行うこと
が困難であるために複雑な構造を採用し難いものであ
る。
量化にともない、半導体の高集積化や高密度実装化が行
われている。そして、これらの発展にともない半導体装
置の電極数が増加し、そのピッチも年々密度が高まって
いる。また、ベアチップの直接回路基板への実装等のた
めに半導体装置を検査する技術も要求されている。通
常、半導体装置を検査するには針式のメカニカル・プロ
ーブが用いられているが、このようなメカニカル・プロ
ーブは、その寿命は高密度になると接触回数が１〜２万
回と短く、また針を挟むブレードと針とが簡単に位置ず
れを起こしたり、曲がったり、ときにはショートを起こ
したりする。さらに、接触時に力が加わるために針やブ
レードが半導体装置のダイパッドに突き刺さって損傷を
与えたりすることもあり、検査時に製品不良を生じる場
合がある。また、インピーダンスの整合を針で行うこと
が困難であるために複雑な構造を採用し難いものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、例えばベース基板に微細孔を形成し、この
微細孔に導電性物質を充填し導通部を形成することによ
り得られる半導体検査装置が提案されている（特願平２
−９５８９９号）。しかしながら、このような半導体検
査装置は、その構成上、ベース基板となる材料やその厚
みに制約を受けることとなる。すなわち、ベース基板と
なる材料が、ベース基板に微細孔を形成する際に行われ
る選択的エッチングが不可能な材質であったり、その基
材の厚みが厚く微細孔の形成が実質的に不可能な場合が
ある。したがって、所定の構造に形成するには材料の厚
みにかなりの制約があり、その結果、得られる半導体検
査装置自身の機械的な強度面にも制限があり、仮に基材
に制約がなく製造可能であったとしてもその製法は容易
であるとは言いがたい。
するために、例えばベース基板に微細孔を形成し、この
微細孔に導電性物質を充填し導通部を形成することによ
り得られる半導体検査装置が提案されている（特願平２
−９５８９９号）。しかしながら、このような半導体検
査装置は、その構成上、ベース基板となる材料やその厚
みに制約を受けることとなる。すなわち、ベース基板と
なる材料が、ベース基板に微細孔を形成する際に行われ
る選択的エッチングが不可能な材質であったり、その基
材の厚みが厚く微細孔の形成が実質的に不可能な場合が
ある。したがって、所定の構造に形成するには材料の厚
みにかなりの制約があり、その結果、得られる半導体検
査装置自身の機械的な強度面にも制限があり、仮に基材
に制約がなく製造可能であったとしてもその製法は容易
であるとは言いがたい。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、検査使用時に問題なく使用でき、しかも長寿命
なプローブカード構造体およびそれを材質等に制限なく
容易に製造できる製法の提供をその目的とする。
もので、検査使用時に問題なく使用でき、しかも長寿命
なプローブカード構造体およびそれを材質等に制限なく
容易に製造できる製法の提供をその目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、絶縁性フィルム面に所定の検査回路パタ
ーンおよび電極リードが形成され、さらに上記電極リー
ド面に金属製突起物が載置固定されているプローブカー
ド構造体を第１の要旨とし、絶縁性フィルム面に所定の
検査回路パターンおよび電極リードを形成する工程と、
上記電極リード面に熱溶融型接合剤層を形成する工程
と、金属突起物付フィルムを準備する工程と、上記金属
突起物付フィルムの金属突起物を上記電極リード面の所
定の位置に載置する工程と、上記電極リードの熱溶融型
接合剤層を加熱して上記金属突起物付フィルムを電極リ
ード面に固定する工程と、金属突起物付フィルムのフィ
ルムのみを剥離して金属突起物付フィルムの金属突起物
を電極リード面に転写する工程とを備えたプローブカー
ド構造体の製法を第２の要旨とする。
め、本発明は、絶縁性フィルム面に所定の検査回路パタ
ーンおよび電極リードが形成され、さらに上記電極リー
ド面に金属製突起物が載置固定されているプローブカー
ド構造体を第１の要旨とし、絶縁性フィルム面に所定の
検査回路パターンおよび電極リードを形成する工程と、
上記電極リード面に熱溶融型接合剤層を形成する工程
と、金属突起物付フィルムを準備する工程と、上記金属
突起物付フィルムの金属突起物を上記電極リード面の所
定の位置に載置する工程と、上記電極リードの熱溶融型
接合剤層を加熱して上記金属突起物付フィルムを電極リ
ード面に固定する工程と、金属突起物付フィルムのフィ
ルムのみを剥離して金属突起物付フィルムの金属突起物
を電極リード面に転写する工程とを備えたプローブカー
ド構造体の製法を第２の要旨とする。
【０００６】
【作用】すなわち、本発明は、絶縁性フィルム面に所定
の検査回路パターンおよび電極リードを形成する。そし
て、金属突起物付フィルムを用意し、上記金属突起物付
フィルムの金属突起物を上記電極リード面の所定の位置
に載置して上記金属突起物付フィルムを加熱して金属突
起物を電極リード面に固定する。ついで、金属突起物付
フィルムのフィルムのみを剥離して電極リード面に金属
突起物付フィルムの金属突起物を転写することによりプ
ローブカード構造体を製造するものである。このため、
絶縁性フィルムの材質，厚み等に制限されることなく、
複雑な構造のものを容易に作製することができる。
の検査回路パターンおよび電極リードを形成する。そし
て、金属突起物付フィルムを用意し、上記金属突起物付
フィルムの金属突起物を上記電極リード面の所定の位置
に載置して上記金属突起物付フィルムを加熱して金属突
起物を電極リード面に固定する。ついで、金属突起物付
フィルムのフィルムのみを剥離して電極リード面に金属
突起物付フィルムの金属突起物を転写することによりプ
ローブカード構造体を製造するものである。このため、
絶縁性フィルムの材質，厚み等に制限されることなく、
複雑な構造のものを容易に作製することができる。
【０００７】つぎに、本発明を実施例にもとづいて詳し
く説明する。
く説明する。
【０００８】
【実施例】図１は本発明のプローブカード構造体の一実
施例を示す断面図である。２は絶縁性フィルムであり、
この絶縁性フィルム２の片面に所望の検査回路パターン
１および電極リード３が形成されている。そして、上記
電極リード３面に金属突起物４が熱溶融型接合剤５によ
って接着固定されている。
施例を示す断面図である。２は絶縁性フィルムであり、
この絶縁性フィルム２の片面に所望の検査回路パターン
１および電極リード３が形成されている。そして、上記
電極リード３面に金属突起物４が熱溶融型接合剤５によ
って接着固定されている。
【０００９】上記絶縁性フィルム２としては、電気絶縁
特性を有するフィルムであれば特に限定するものではな
く、ポリエステル系樹脂，エポキシ系樹脂，ウレタン系
樹脂，ポリスチレン系樹脂，ポリエチレン系樹脂，ポリ
アミド系樹脂，ポリイミド系樹脂，アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂），ポリカ
ーボネート樹脂，シリコーン系樹脂等の熱硬化性樹脂や
熱可塑性樹脂等があげられる。なかでも、耐熱性および
機械的強度の観点からポリイミド系樹脂を用いることが
好ましい。
特性を有するフィルムであれば特に限定するものではな
く、ポリエステル系樹脂，エポキシ系樹脂，ウレタン系
樹脂，ポリスチレン系樹脂，ポリエチレン系樹脂，ポリ
アミド系樹脂，ポリイミド系樹脂，アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂），ポリカ
ーボネート樹脂，シリコーン系樹脂等の熱硬化性樹脂や
熱可塑性樹脂等があげられる。なかでも、耐熱性および
機械的強度の観点からポリイミド系樹脂を用いることが
好ましい。
【００１０】上記検査回路パターン１および電極リード
３の形成材料としては、例えば金，銀，銅，鉄，ニッケ
ル，コバルト等の各種金属、またはこれらを主成分とす
る各種合金等の導電性材料があげられる。
３の形成材料としては、例えば金，銀，銅，鉄，ニッケ
ル，コバルト等の各種金属、またはこれらを主成分とす
る各種合金等の導電性材料があげられる。
【００１１】本発明のプローブカード構造体は、例えば
つぎのようにして製造される。すなわち、図２に示すよ
うに、金属箔等の導電体層１０に絶縁性樹脂を塗布し加
熱硬化することにより絶縁性フィルム２を形成して２層
積層基材を作製する。つぎに、図３に示すように、上記
２層積層基材の導電体層１０に従来公知の方法によりエ
ッチング処理を施し、半導体検査時に半導体装置の所定
の機能を検査できるように所望の検査回路パターン１お
よび電極リード３を形成する。ついで、図４に示すよう
に、上記電極リード３表面には半田等の熱溶融型接合剤
５層を形成する。そして、上記電極リード３面に、金属
突起物付フィルム１１を載置する。その際、上記金属突
起物付フィルム１１の金属突起物４が電極リード３と接
合するように載置する。載置した後、図５に示すよう
に、熱溶融型接合剤５を用いて加熱あるいは加圧加熱す
ることにより、金属突起物４と電極リード３とを接合し
固定する。固定した後、図６に示すように、金属突起物
付フィルム１１の支持体であるフィルム１１ｂのみを剥
離する。このようにして図１に示すようなプローブカー
ド構造体が製造される。
つぎのようにして製造される。すなわち、図２に示すよ
うに、金属箔等の導電体層１０に絶縁性樹脂を塗布し加
熱硬化することにより絶縁性フィルム２を形成して２層
積層基材を作製する。つぎに、図３に示すように、上記
２層積層基材の導電体層１０に従来公知の方法によりエ
ッチング処理を施し、半導体検査時に半導体装置の所定
の機能を検査できるように所望の検査回路パターン１お
よび電極リード３を形成する。ついで、図４に示すよう
に、上記電極リード３表面には半田等の熱溶融型接合剤
５層を形成する。そして、上記電極リード３面に、金属
突起物付フィルム１１を載置する。その際、上記金属突
起物付フィルム１１の金属突起物４が電極リード３と接
合するように載置する。載置した後、図５に示すよう
に、熱溶融型接合剤５を用いて加熱あるいは加圧加熱す
ることにより、金属突起物４と電極リード３とを接合し
固定する。固定した後、図６に示すように、金属突起物
付フィルム１１の支持体であるフィルム１１ｂのみを剥
離する。このようにして図１に示すようなプローブカー
ド構造体が製造される。
【００１２】上記金属突起物付フィルム１１は、従来公
知の製法により製造されるものであって、特にその製
法、および材質について限定するものではない。例え
ば、フィルム１１ｂとしては、前記絶縁フィルム２と同
様の材質のものを用いることができる。また、金属突起
物４を形成する金属物質は、特に限定するものではな
く、導電性を有するものであればよい。そして、上記金
属物質は、単一の金属物質に限定するものではなく、複
数の金属物質を用いて多層構造のものでもよい。しか
も、その形状は、図１に示すようなバンプ状で先端が平
面のものに限らず、図７に示すような先端が尖った形状
の金属突起物４ａであってもよい。
知の製法により製造されるものであって、特にその製
法、および材質について限定するものではない。例え
ば、フィルム１１ｂとしては、前記絶縁フィルム２と同
様の材質のものを用いることができる。また、金属突起
物４を形成する金属物質は、特に限定するものではな
く、導電性を有するものであればよい。そして、上記金
属物質は、単一の金属物質に限定するものではなく、複
数の金属物質を用いて多層構造のものでもよい。しか
も、その形状は、図１に示すようなバンプ状で先端が平
面のものに限らず、図７に示すような先端が尖った形状
の金属突起物４ａであってもよい。
【００１３】また、上記製法では、導電体層１０に絶縁
性樹脂を塗布することにより２層積層基材を作製した
が、予め絶縁性フィルム２を準備し、導電性材料を用
い、スパッタリング，各種蒸着および各種めっき等の方
法により上記絶縁性フィルム２面に導電体層１０を形成
してもよい。
性樹脂を塗布することにより２層積層基材を作製した
が、予め絶縁性フィルム２を準備し、導電性材料を用
い、スパッタリング，各種蒸着および各種めっき等の方
法により上記絶縁性フィルム２面に導電体層１０を形成
してもよい。
【００１４】さらに、本発明のプローブカード構造体を
用いての半導体装置の導通検査の際、ショートの発生お
よび半導体装置の損傷を防止し、かつ金属突起物４の脱
落を防止するために、図８に示すように、金属突起物４
の形成面に保護樹脂層１２を設けることが好ましい。上
記保護樹脂層１２は、厚み１〜５０μｍ、好ましくは１
０〜３０μｍに設定することが好ましい。また、上記保
護樹脂層１２形成材料としては、特に限定するものでは
なく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、フッ素樹脂等
の熱可塑性樹脂等があげられる。
用いての半導体装置の導通検査の際、ショートの発生お
よび半導体装置の損傷を防止し、かつ金属突起物４の脱
落を防止するために、図８に示すように、金属突起物４
の形成面に保護樹脂層１２を設けることが好ましい。上
記保護樹脂層１２は、厚み１〜５０μｍ、好ましくは１
０〜３０μｍに設定することが好ましい。また、上記保
護樹脂層１２形成材料としては、特に限定するものでは
なく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、フッ素樹脂等
の熱可塑性樹脂等があげられる。
【００１５】このようにして得られるプローブカード構
造体は、半導体検査時に直接接触する部分である金属突
起物４が、金属突起物付フィルム１１によって所望の部
分に配置されたものである。このため、所定の構造に形
成する際に、材質およびその厚みに制限をうけることが
なく、また検査時に問題なく使用することができる。
造体は、半導体検査時に直接接触する部分である金属突
起物４が、金属突起物付フィルム１１によって所望の部
分に配置されたものである。このため、所定の構造に形
成する際に、材質およびその厚みに制限をうけることが
なく、また検査時に問題なく使用することができる。
【００１６】本発明のプローブカード構造体を用いての
半導体装置の検査は、つぎのようにして行われる。すな
わち、図９に示すように、プローブカード構造体の金属
突起物４を半導体装置１５の電極部１６に接触させ導通
検査が行われる。
半導体装置の検査は、つぎのようにして行われる。すな
わち、図９に示すように、プローブカード構造体の金属
突起物４を半導体装置１５の電極部１６に接触させ導通
検査が行われる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明は、絶縁性フィル
ム面に形成された電極リードに、金属突起物付フィルム
の金属突起物を上記電極リード面の所定の位置に載置し
て加熱し金属突起物を電極リード面に固定する。つい
で、金属突起物付フィルムのフィルムのみを剥離して電
極リード面に金属突起物付フィルムの金属突起物を転写
することによりプローブカード構造体を製造する。この
ため、プローブカード構造体形成材料の材質およびその
厚みに制限をうけることなく、所望の検査装置を容易に
得られる。したがって、半導体検査時に電極リード間の
ショートの発生および半導体装置の損傷を著しく減少さ
せることができ、その結果、製品不良の発生の大幅な低
減が実現する。
ム面に形成された電極リードに、金属突起物付フィルム
の金属突起物を上記電極リード面の所定の位置に載置し
て加熱し金属突起物を電極リード面に固定する。つい
で、金属突起物付フィルムのフィルムのみを剥離して電
極リード面に金属突起物付フィルムの金属突起物を転写
することによりプローブカード構造体を製造する。この
ため、プローブカード構造体形成材料の材質およびその
厚みに制限をうけることなく、所望の検査装置を容易に
得られる。したがって、半導体検査時に電極リード間の
ショートの発生および半導体装置の損傷を著しく減少さ
せることができ、その結果、製品不良の発生の大幅な低
減が実現する。
【図１】本発明のプローブカード構造体の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明のプローブカード構造体の製造工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】本発明のプローブカード構造体の製造工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】本発明のプローブカード構造体の製造工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図５】本発明のプローブカード構造体の製造工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図６】本発明のプローブカード構造体の製造工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図７】本発明のプローブカード構造体の金属突起物の
他の実施例を示す要部断面図である。
他の実施例を示す要部断面図である。
【図８】本発明のプローブカード構造体の他の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】本発明のプローブカード構造体を用いての半導
体装置の導通検査を示す説明図である。
体装置の導通検査を示す説明図である。
【符号の説明】 １ 検査回路パターン ２ 絶縁性フィルム ３ 電極リード ４ 金属性突起物
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性フィルム面に所定の検査回路パタ
ーンおよび電極リードが形成され、さらに上記電極リー
ド面に金属製突起物が載置固定されていることを特徴と
するプローブカード構造体。 - 【請求項２】 金属製突起物形成面に保護樹脂層が形成
されている請求項１記載のプローブカード構造体。 - 【請求項３】 絶縁性フィルム面に所定の検査回路パタ
ーンおよび電極リードを形成する工程と、上記電極リー
ド面に熱溶融型接合剤層を形成する工程と、金属突起物
付フィルムを準備する工程と、上記金属突起物付フィル
ムの金属突起物を上記電極リード面の所定の位置に載置
する工程と、上記電極リードの熱溶融型接合剤層を加熱
して上記金属突起物付フィルムを電極リード面に固定す
る工程と、金属突起物付フィルムのフィルムのみを剥離
して金属突起物付フィルムの金属突起物を電極リード面
に転写する工程とを備えたことを特徴とするプローブカ
ード構造体の製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5753692A JPH05226430A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | プローブカード構造体およびその製法 |
| EP19920120222 EP0544305A3 (en) | 1991-11-28 | 1992-11-26 | Method of forming a contact bump using a composite film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5753692A JPH05226430A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | プローブカード構造体およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226430A true JPH05226430A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13058487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5753692A Pending JPH05226430A (ja) | 1991-11-28 | 1992-02-10 | プローブカード構造体およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226430A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220140A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブカードの製造方法及びプローブカード |
| FR2785761A1 (fr) * | 1998-11-05 | 2000-05-12 | Rapide Circuit Imprime Rci | Procede pour realiser des connexions electriques |
| US6759258B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-07-06 | Renesas Technology Corp. | Connection device and test system |
| US7852101B2 (en) | 2005-09-07 | 2010-12-14 | Nec Corporation | Semiconductor device testing apparatus and power supply unit for semiconductor device testing apparatus |
| WO2013061500A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 山一電機株式会社 | フレキシブル配線基板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP5753692A patent/JPH05226430A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08220140A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブカードの製造方法及びプローブカード |
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| US7285430B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-10-23 | Hitachi, Ltd. | Connection device and test system |
| US7541202B2 (en) | 1997-05-09 | 2009-06-02 | Renesas Technology Corp. | Connection device and test system |
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