JPH08297142A

JPH08297142A - プローブ構造

Info

Publication number: JPH08297142A
Application number: JP8041745A
Authority: JP
Inventors: Toshikazu Baba; 俊和馬場
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1995-02-28
Filing date: 1996-02-28
Publication date: 1996-11-12

Abstract

(57)【要約】【解決手段】プローブ構造Ｐ１の絶縁性基材１の一方
表面１ａには、導体パターン２が形成され、絶縁性基材
１の他方表面１ｂには、平坦な接触部を持つ電極３が形
成され、これらは導通路４を介して接続される。導体パ
ターン２は、半導体素子５のボール６に接触すると、試
験機器によって半導体素子５の導通検査が行われるよう
にパターン形成される。ボール６の少なくとも表面は低
融点金属から構成され、電極３の少なくとも表面が、ロ
ジウム、パラジウム、イリジウムからなる群から選ばれ
る少なくとも一種の貴金属で構成される。【効果】ボール６との接触信頼性が向上し、半導体素
子５への押圧力の調整が簡易化され、接触信頼性が向上
する。接触における耐久性が向上し、腐食の防止、かつ
低融点金属との合金形成を行わないので、プローブとし
ての信頼性が向上する。従って、高温条件下でのバーン
イン試験において好適に使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、半導
体素子搭載基板等の被検査体を検査する検査用機器、特
に被検査体のバーンイン検査用機器の先端部に設けられ
るプローブの構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年における半導体素子の高集積化回路
基板への電子部品の高密度実装化等によって、これらの
接触対象物上の信号配線、接続用端子、電極等の数は増
加し、それらのピッチも細密化している。

【０００３】これらの電子部品は、製造工程の各段階に
おいて特性や品質が検査されるものであるが、従来、半
導体素子および半導体素子搭載基板の検査方法として
は、回路が形成されたＩＣチップを樹脂で封止した後に
検査を行い、合否の判定をしていた。しかし、この方法
では、不良品についても樹脂で封止してしまうから、そ
の分の樹脂および時間的な無駄を生じてしまう。

【０００４】この問題を解決するための一つの方法とし
て、封止前のチップレベルでバーン・イン・テストを行
って封止前に合否の判定をし、合格したＩＣチップのみ
を樹脂で封止して良品のＩＣチップを提供する方法が提
案されており、例えば本願出願人は、特願平６−６２８
２１号、特願平６−２６５６２１号等を既に出願してい
る。

【０００５】しかしながら、これらの出願にかかる発明
は、ＩＣチップの端子がアルミ等の平面状のものを対象
としているから、検査装置のプローブ部に半球状の突起
電極（以下「バンプ」という。）を形成し、このバンプ
をＩＣチップの端子に接触させて検査を行うという方法
である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】これらに対し、最近で
はＩＣチップの端子がバンプ等の突起物であるものが増
加している。その場合、従来のバンプを形成したプロー
ブ構造では、点と点の接触となるから、接触信頼性に欠
けていた。また、仮に接触させることができ、バーン・
イン試験が行えたとしても、試験後のバンプ間を切り離
した際、ＩＣチップの端子がスズ等の低融点金属からな
る場合、ＩＣチップのバンプ頂上部に窪みができる。こ
の状態で加熱して、バンプを成型し直そうとしても、頂
上部にエアーを抱き込んだ状態でバンプが成型される場
合が多く、実装時に不良を発生させる原因になる。さら
に、プローブ側のバンプを構成する金属としては、金、
硬質金めっき等が主流であるが、金は低融点金属とマイ
グレーションを起こすから、接触信頼性に欠けるという
問題をも有する。

【０００７】本発明の目的は、上記問題を解決し、被検
査体のバンプ等の突起電極との接触信頼性が高いプロー
ブ構造を提供することであり、また低融点金属の突起電
極を有する被検査体のバーンイン試験が可能な検査装置
のプローブ構造を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のプローブ構造
は、外部試験機器と接続する回路配線と、該回路配線と
導通し、被検査体の突起電極に接触する平坦な接触部と
を有することを特徴とし、好ましくは該接触部の少なく
とも表面がロジウム、パラジウム、イリジウムからなる
群から選ばれる少なくとも一種の貴金属からなることを
特徴とする。

【０００９】本発明のプローブ構造における検査対象で
ある被検査体としては、ベアーチップ段階で突起電極を
有する半導体素子、該半導体素子を複数個形成したウエ
ハ、プリント配線基板（セラミック、ガラス・エポキシ
樹脂等のリジット板またはポリイミド系樹脂等のフレキ
シブル基板）表面に該半導体素子をワイアボンディン
グ、ＴＡＢ接続、フリップチップ等で実装したパッケー
ジ構造であって、基板に外部接続用の電極を並べたもの
等が例示される。

【００１０】被検査体の突起電極としては、メッキ、転
写、蒸着または印刷等によって形成された外部接続用の
バンプ、球状の突起電極（ボール）等が例示される。被
検査体の突起電極の少なくとも表面が低融点金属から構
成されている場合には、プローブ構造の接触部の少なく
とも表面の金属が、接触に対して、硬度が高いために損
傷が少なく、低融点金属と合金形成を行わない貴金属で
あることが好ましい。かかる貴金属としては、ロジウ
ム、パラジウム、イリジウムからなる群から選ばれる少
なくとも一種の貴金属が例示される。

【００１１】低融点金属とは、スズ、鉛、ビスマス、カ
ドミウム、水銀、インジウム等の４００℃以下の融点を
もつ金属をいい、好ましくは３００℃以下の融点をもつ
金属をいう。また、スズ、鉛、ビスマス、カドミウム、
水銀、インジウムからなる群から選ばれる少なくとも一
種の低融点金属を主成分とする合金も含まれる。

【００１２】回路配線としては、配線パターンのみなら
ず、電極、リード等が例示される。

【００１３】接触部とは、被検査体の突起電極に接触す
ることにより導通する導電体をいい、回路配線の一部で
あってもよいし、絶縁性基材上に該絶縁性基材の厚み方
向に形成され、回路配線と該接触部とを接続する導通路
に接続されるものであってもよい。その形状は特に限定
されず、三角形、正方形、長方形、台形、平行四辺形、
その他の多角形、円形等の平面、または角柱、円柱、球
体、錐体（円錐、角錐）等の立体であってもよい。被検
査体のレイアウト、回路の形状等によって任意に設定す
ることができる。

【００１４】接触部の平坦さは、該接触部が被検査体の
突起電極と接触不良を起こさない程度の平坦さであれば
良く、被検査体の突起電極に接触し得る曲面上の任意の
２点を通過する直線が常に全くその曲面に含まれるとい
った一般的な平坦に限らない。図３に示すように、凸状
であっても電極７の外周面９と曲面状の接触部８とが接
合する周縁部１０から頂部１１までの高さｈと電極の直
径ｄとの比（ｈ／ｄ）が、１／２以下、好ましくは１／
４以下であれば、被検査体の突起電極と接触部８との接
触信頼性が向上するので、かかる凸状も平坦である。こ
こで電極の直径ｄとは、接触部の形状が多角形であれば
外接する円の直径をいい、楕円であれば長径をいい、又
接触部が回路配線の一部であれば該回路配線の幅をい
う。また、電極７のうち被検査体の突起電極との接触に
実質的に関与し得ない領域である外周面９の高さ（絶縁
性基材１の他方表面１ｂから周縁部１０までの高さ）
は、接触部８が平坦であるか否かの判断に際して除外す
ることができる。

【００１５】さらに、図７〜９に示すように接触部が導
通路を形成する貫通孔内に存在する場合、導通路を形成
する導電性物質が貫通孔内壁からはなれる位置から該接
触部の頂点までの距離（図７に図示するｈ）、又は接触
部の底部から導電性物質が貫通孔内壁からはなれる位置
までの距離（図８に図示するｈ）と貫通孔の孔径（ｄ）
の比（ｈ／ｄ）が１／２以下、好ましくは１／４以下の
場合も平坦である。

【００１６】

【作用】本発明のプローブ構造によれば、被検査体の突
起電極（端子）に接触する接触部が平坦であるので、該
突起電極と接触部との接触が点と面との接触となり、被
検査体の端子との接触が良好となり、被検査体への押圧
力の調整が簡易化され、接触信頼性が向上する。

【００１７】また、被検査体の突起電極の少なくとも表
面が低融点金属から構成され、プローブ構造の接触部の
少なくとも表面が、例えばロジウム、パラジウム、イリ
ジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の貴金属
から構成されている場合には、接触における耐久性が向
上し、腐食の防止、かつ低融点金属との合金形成を行わ
ないので、プローブとしての信頼性が向上する。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を示し、図を用いて詳
細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。

【００１９】図１は、本発明のプローブ構造の第１の実
施例を示す断面図である。図１に示されるプローブ構造
Ｐ１において、絶縁性基材１の一方表面１ａには、導電
性材料からなる回路配線である導体パターン２が形成さ
れ、絶縁性基材１の他方表面１ｂには、平坦な接触部を
持つ電極３が形成されている。電極３は絶縁性基材１の
他方表面１ｂよりも僅かに外方向へ突出した凸状の金属
突出物であるが、凸状の頂部から絶縁性基材１の他方表
面１ｂまでの高さは５μｍ以下であり、かつ絶縁性基材
１の他方表面１ｂにおける電極３の直径は１０μｍ以
上、好ましくは２０μｍ以上であり、この場合該高さと
該直径の比は１／２以下となり、接触部は実質的に平坦
である。

【００２０】導体パターン２が絶縁性基材１に当接する
領域内、または該領域を含むその近傍領域には、絶縁性
基材１を厚み方向に貫通し、導体パターン２と電極３と
を接続し、電気的に導通する導通路４が形成されてお
り、導通路４は導体パターン２側から電極３側にかけて
径が漸次増大するテーパ状に形成されている。導体パタ
ーン２は、図示している被検査体である半導体素子５の
ボール（端子）６に接触すると、試験機器によって半導
体素子５の導通検査が行われるようにパターン形成され
ている。

【００２１】絶縁性基材１の形成材料としては、導体パ
ターン２および電極３を安定して支持し、電気的絶縁特
性を有するものであれば特に限定されない。具体的に
は、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合樹脂、ベンゾサ
イクロブテン（ＢＣＢ，ＤｏｗＣｈｅｍｉｃａｌ社
製）、ポリカーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フ
ッ素系樹脂等の熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂が挙げ
られる。

【００２２】これらのうち、耐熱性および機械的強度に
優れ、半導体素子５の線膨張係数と合致させられるなど
の点から、ポリイミド系樹脂が特に好適に使用される。
絶縁性基材１の厚みは特に限定されないが、十分な機械
的強度、可撓性を付与するために、２μｍ〜５００μ
ｍ、好ましくは１０μｍ〜１５０μｍに設定する。

【００２３】導体パターン２、電極３および導通路４を
構成する形成材料としては、導電性を有するものであれ
ば特に限定されず、公知の金属材料が使用できるが、例
えば金、銀、銅、白金、鉛、亜鉛、スズ、ニッケル、ア
ルミニウム、鉄、コバルト、イリジウム、モリブデン、
ロジウム、パラジウム、クロム、タングステン、ルテニ
ウムなどの単独金属、またはこれらを成分とする各種金
属、例えば半田、ニッケル−錫、金−コバルト等が挙げ
られる。半導体素子５のボール６の少なくとも表面が低
融点金属から構成されている場合には、プローブ構造Ｐ
１の電極３の少なくとも表面の金属が、ロジウム、パラ
ジウム、イリジウムからなる群から選ばれる少なくとも
一種の貴金属であることが望ましい。

【００２４】導体パターン２は、これら金属材料からな
る単層構造体に限らず、例えば銅箔からなる回路パター
ンに対してニッケルめっき、亜鉛めっき等を施すなどし
た多層構造体であってもよい。

【００２５】また、３種類以上の形成材料を用いて電極
３と導通路４とを形成してもよい。即ち、電極３と導通
路４との間の中間層としてＡｕなどを用いて、電極３と
導通路４との密着性を向上させてもよく、導体パターン
２に接触する導通路４には銅等の安価な金属材質を用い
る。また、電極３と導通路４との間に介在する中間層に
は、金属物質の相互反応を防止するためのバリア性金属
材料としてニッケル等を用いることができる。

【００２６】導体パターン２のパターン形状は、接触す
べき半導体素子５の部品等に応じて、回路の本数、１本
の回路幅、ピッチ等自由に選択される。導体パターン２
の厚さも特に限定されないが、１μｍ〜２００μｍ、好
ましくは５μｍ〜８０μｍに設定する。

【００２７】また、絶縁性基材１と導体パターン２との
層間においては、ポリイミド系、エポキシ系、ポリエス
テル系、アクリル系等の接着剤を介していてもよい。

【００２８】プローブ構造Ｐ１は、例えば以下の方法に
より形成される。まず、絶縁性基材１の一方表面１ａに
導電体層が積層されて形成された積層基材を用意する。
絶縁性基材１の一方表面１ａへの導電体層の形成方法と
しては、スパッタリング、各種蒸着、各種メッキ等の方
法が挙げられる。また、導電体層として導電体箔を用
い、導電体箔上に絶縁性基材１をラミネートする方法、
または導電体箔上に絶縁性樹脂溶液を塗布して固化さ
せ、導電体層の表面に絶縁性基材１を形成する方法が挙
げられる。

【００２９】次いで、導電体層の表面にレジスト層を形
成して絶縁した後、フォト工程を用いて、化学的エッチ
ング処理によって、導体パターン２を形成する領域以外
の領域のレジストを除去する。その後、導電体層をエッ
チングして、所望の線状パターンに形成する。

【００３０】その後、感光材料またはウエットエッチン
グ可能な耐めっき性を有する絶縁性被膜層であるところ
のゴム系のめっきレジストを絶縁性基材１の他方表面１
ｂに形成する。該レジストおよび絶縁性基材１の半導体
素子５のボール６に相対する位置に、レジストおよび絶
縁性基材１を貫通して導体パターン２に至る貫通孔を穿
設する。

【００３１】貫通孔の穿設は、パンチングなどの機械的
穿孔方法、プラズマ加工、フォトリソグラフィー加工、
ファインピッチ化に対応するためには微細加工が可能な
ドライエッチング等の方法により行うことができる。高
エネルギービームを利用したドライエッチング方法とし
て、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレー
ザー、Ａｒレーザー等のレーザー光の他、イオンビーム
エッチング、スパッタリング、放電加工等が例示され
る。なかでもパルス数またはエネルギー量を制御したエ
キシマレーザの照射による穿孔加工が好ましい。例えば
発振波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光をマ
スクを介して照射して、ドライエッチングを施す。

【００３２】また、絶縁性基材１と耐薬品性の異なるレ
ジスト等を用いた化学エッチングにより穿孔することも
可能であり、レジストとして感光性のポリイミド樹脂、
エポキシ樹脂等を用いる。

【００３３】その後、貫通孔に導電性物質を絶縁性基材
１の他方表面１ｂよりも外方向の位置に到達し、さらに
レジストの表面と同一平面、または該表面以下まで充填
して、導通路４および電極３を形成する。

【００３４】導通路４および電極３の形成は、物理的に
導電性物質を貫通孔に埋め込む方法、ＣＶＤ法、電解め
っき、無電解めっき等のめっき法、上記工程により得ら
れた構造物を導電性物質の溶融浴に浸漬し、引き上げて
導電性物質を析出させる化学的方法等により行うことが
できるが、特に導体パターン２を電極とした電解めっき
による方法が好ましい。

【００３５】その後、レジストを除去することによっ
て、平坦な電極３が形成される。なお、電極３の高さが
低い場合、または後述の図６〜図９のように、電極が絶
縁性基材１の他方表面１ｂと同一平面もしくは他方表面
１ｂよりも内方向（貫通孔内）にある場合には、レジス
トを用いず、貫通孔に導電性物質を充填させるのみでも
よい。

【００３６】図２は、本発明のプローブ構造の第２の実
施例を示す断面図である。なお、以下の図面において図
１に付した符号と同一の符号を付した部分は、図１にお
いて符号が付された部分と同一または相当する部分を示
す。

【００３７】図２に示されるプローブ構造Ｐ２におい
て、絶縁性基材１の他方表面１ｂには、平板状の電極７
が形成されている。図３は電極７の拡大断面図であり、
電極７の外周面９と曲面状の接触部８とが接合する周縁
部１０から頂部１１までの高さｈが５μｍ以下であり、
かつ電極７の直径ｄが１０μｍ以上、好ましくは２０μ
ｍ以上であれば、高さｈと電極の直径ｄとの比（ｈ／
ｄ）が１／２以下となり、かかる凸状も平坦であるとい
える。

【００３８】また、電極の接触部は凹状であってもよ
い。図４は本発明のプローブ構造の第３の実施例を示す
断面図であり、図４に示されるプローブ構造Ｐ３におい
て、絶縁性基材１の他方表面１ｂには、周縁部から中央
部にかけて漸次窪んだ凹状の電極１２が形成されてい
る。電極１２の頂部（周縁部）から底部（中央部）まで
の高さは５μｍ以下であり、かつ電極１２の直径が１０
μｍ以上、好ましくは２０μｍ以上であれば、高さと電
極の直径との比が１／２以下となり、半導体素子５のボ
ール６と接触部との接触信頼性が向上するので、かかる
凹状も平坦であるといえる。

【００３９】図５は本発明のプローブ構造の第４の実施
例を示す断面図である。図５に示されるプローブ構造Ｐ
４において、絶縁性基材１の他方表面１ｂには、周縁部
と中央部とで段差を有する凹状の電極１３が形成されて
いる。電極１３の中央部は平面状であり、平坦な接触部
が形成されている。

【００４０】図６は本発明のプローブ構造の第５の実施
例を示す断面図である。図６に示されるプローブ構造Ｐ
５において、電極１４は絶縁性基材１の他方表面１ｂか
ら突出せず、絶縁性基材１の他方表面１ｂと同一平面上
に形成されている。従って、電極１４の接触部は絶縁性
基材１の他方表面１ｂと同一平面上に平坦に形成されて
いる。

【００４１】図７〜図９は本発明のプローブ構造の第６
〜第８の各実施例を示す断面図であり、各プローブ構造
Ｐ６〜Ｐ８において、凸状の電極１５（図７）、凹状の
電極１６（図８）、または平面状の電極１７（図９）が
各々の貫通孔内に形成されている。即ち、各導通路４の
端部が平坦な接触部を形成している。なお、絶縁性基材
１の他方表面１ｂから電極１５，１６，１７の端部（但
し、電極１５では頂部、電極１６では底部）までの距離
は、１００μｍ以下に設定するのが好ましい。

【００４２】本発明において基材は、絶縁性基材１と導
体パターンとの２層構造のみに限定されない。図１０は
本発明のプローブ構造の第９の実施例を示す断面図であ
り、図１０に示されるプローブ構造Ｐ９において、導体
パターン２の絶縁性基材１側と反対側の面が他の絶縁層
１８で被覆されている。絶縁層１８は、絶縁性基材１お
よび導体パターン２に対して、あらかじめ形成された絶
縁フィルムを、ポリイミド系、エポキシ系、ポリエステ
ル系、アクリル系等の接着剤を介して、または絶縁フィ
ルム自体の溶着によって密着するか、塗布、蒸着法など
公知の薄膜形成法を用いて直接形成することができる。
また、絶縁性基材１と絶縁層１８とで導体パターンを挟
んだ積層基材を用いた場合には、導体パターン２からの
電極３の取り出しは、絶縁性基材１の所望の位置で、上
述の貫通孔を穿設する方法により孔開けを行い、貫通孔
内に金属を充填し、電極３を形成するようにしてもよ
い。

【００４３】本発明のプローブ構造は、被検査体である
半導体素子または半導体素子搭載基板の突起電極が多
数、高密度となる場合、導体パターンの設計が困難とな
るので、２層以上の多層にすることが望ましい。図１１
は本発明のプローブ構造の第１０の実施例を示す断面図
であり、図１１に示されるプローブ構造Ｐ１０は、半導
体素子搭載基板１９のバーンイン検査用機器の先端部に
設けられるプローブ構造である。半導体素子搭載基板１
９の基板２０の中央部には凹部が形成され、この凹部の
底面に半導体素子５が載置されている。半導体素子５の
端子２１と基板２０の端子２２とがボンディングワイヤ
２３を介して接続され、これらは絶縁性樹脂２４にて封
止されている。基板２０には、厚み方向に貫通して、基
板２０の半導体素子５側と反対側の面に至る導通路２５
が形成され、導通路２５を介して端子２２とボール６と
が接続されている。

【００４４】プローブ構造Ｐ１０は、多層配線構造を有
するマルチチップモジュール基板であり、多層（図１１
においては二層）の導体パターン２ａ，２ｂが形成され
ている。導体パターン２ａ，２ｂは、複数の絶縁体層に
よって絶縁されており、導通路４ｂによって導体パター
ン２ａ，２ｂの層間が接続されている。導体パターン２
ａ，２ｂは、被検査体である半導体素子搭載基板１９の
電気特性検査を行うための図示しない電気特性検査器に
接続されている。

【００４５】プローブ構造Ｐ１０は、例えば導体パター
ンと絶縁体とからなる基板を多層に積層することにより
得られる。その際、各基板の層間にポリイミド系、エポ
キシ系、ポリエステル系、アクリル系等の接着剤を介し
て接着する。また、所望の位置において、上述の貫通孔
を穿設する方法により絶縁体に貫通孔を開け、導電性物
質を貫通孔部分に埋め込み、各基板間の導通をとる。

【００４６】以上の実施例においては、被検査体の突起
電極（ボール６）の直径がプローブ構造の導通路４の直
径と同程度である場合について説明したが、図１２に示
すようにボール６が導通路４に比して直径が極端に大き
い場合（例えば１００μｍ程度）には、電極３の接触部
は平面状であることが接触信頼性を向上させる観点から
特に望ましい。

【００４７】また、以上の実施例においては、被検査体
の突起電極（ボール６）と接触する接触部が、絶縁性基
材１を厚み方向に貫通する導通路４を介して、絶縁性基
材１の一方表面１ａに形成された導体パターン２と接続
する場合について説明したが、本発明のプローブ構造は
かかる構造のみに限定されず、例えば図１３〜図１５に
示されるように、接触部が絶縁性基材に対して同じ側に
あり、導通路を持たないような構造をも包含する。

【００４８】図１３は本発明のプローブ構造の第１１の
実施例を示す断面図、図１４はその平面図、図１５は図
１３のＡ−Ａ線断面図である。プローブ構造Ｐ１１はプ
リント基板であって、基板本体は導体パターン２が絶縁
性基材１と絶縁層１８との間に挟まれて形成され、半導
体素子５が搭載される部分の絶縁層１８が除去されてい
る。絶縁層１８は半導体素子５の面方向における領域に
対応する領域に中空部を有しており、半導体素子５がち
ょうど入る程度の窓２６が形成されている。即ち、半導
体素子５の面方向における領域に対応する導体パターン
２の領域が露出して、半導体素子５のバンプ２７が導体
パターン２の一部に接触するようにパターン形成されて
いる。導体パターン２のうち少なくともバンプ２７に接
触する接触部８が平坦に形成されている。

【００４９】絶縁層１８に形成される半導体素子５のサ
イズの窓２６は、絶縁フィルムを用いるのであれば、あ
らかじめカッティング等により穿孔しておいてもよく、
あるいは絶縁層１８を形成した後に窓２６を穿孔するの
であれば、上述の貫通孔を穿設する方法に準じて形成さ
れる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、本発明のプローブ構造に
よれば、被検査体の端子である突起電極に接触する接触
部が平坦であるので、被検査体の端子との接触信頼性が
向上し、被検査体への押圧力の調整が簡易化され、接触
信頼性が向上する。

【００５１】また、被検査体の突起電極の少なくとも表
面が低融点金属から構成され、プローブ構造の接触部の
少なくとも表面が、例えばロジウム、パラジウム、イリ
ジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の貴金属
から構成されている場合には、接触における耐久性が向
上し、腐食の防止、かつ低融点金属との合金形成を行わ
ないので、プローブとしての信頼性が向上する。

【００５２】従って、本発明のプローブ構造は、高温条
件下でのバーンイン試験において好適に使用することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプローブ構造の第１の実施例を示す断
面図である。

【図２】本発明のプローブ構造の第２の実施例を示す断
面図である。

【図３】電極７の拡大断面図である。

【図４】本発明のプローブ構造の第３の実施例を示す断
面図である。

【図５】本発明のプローブ構造の第４の実施例を示す断
面図である。

【図６】本発明のプローブ構造の第５の実施例を示す断
面図である。

【図７】本発明のプローブ構造の第６の実施例を示す断
面図である。

【図８】本発明のプローブ構造の第７の実施例を示す断
面図である。

【図９】本発明のプローブ構造の第８の実施例を示す断
面図である。

【図１０】本発明のプローブ構造の第９の実施例を示す
断面図である。

【図１１】本発明のプローブ構造の第１０の実施例を示
す断面図である。

【図１２】ボール６が導通路４に比して直径が極端に大
きい場合のプローブ構造の部分断面図である。

【図１３】本発明のプローブ構造の第１１の実施例を示
す断面図である。

【図１４】本発明のプローブ構造の第１１の実施例を示
す平面図である。

【図１５】図１３のＡ−Ａ線断面図である。

【符号の説明】

１絶縁性基材２導体パターン（回路配線）４導通路５半導体素子（被検査体）６ボール（突起電極）８接触部２７バンプ（突起電極）Ｐ１〜Ｐ１１プローブ構造

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部試験機器と接続する回路配線と、該
回路配線と導通し、被検査体の突起電極に接触する平坦
な接触部とを有することを特徴とするプローブ構造。
【請求項２】該突起電極の少なくとも表面が低融点金
属からなり、該接触部の少なくとも表面がロジウム、パ
ラジウム、イリジウムからなる群から選ばれる少なくと
も一種の貴金属からなることを特徴とする請求項１記載
のプローブ構造。
【請求項３】絶縁性基材の厚み方向に形成され、該回
路配線と該接触部とを接続する導通路を有する請求項１
記載のプローブ構造。