JP2001194419A - 検査治具及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半球ないし球面状のバンプ電極を有する被検査
体を確実に、精度良く電気的導通検査が行える検査治具
を提供する。 【解決手段】開口部を備える絶縁基板の一方の面に配線
回路パターンが形成され、前記配線回路パターンとその
一端が電気的に接続されて前記開口部内に形成される検
査電極を備えてなる検査治具であって、前記検査電極の
他端は絶縁基板の他方の面よりもくぼんだ状態で形成さ
れていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や配線
回路基板の導通検査をする為に用いられる検査治具に関
する。

【０００２】

【従来の技術】配線回路基板へ搭載前の半導体チップの
バンプ電極は、その頂部（先端）がチップの主面から突
出して半球ないし球面状のハンダバンプや金バンプで形
成されている。このため、この様なバンプ電極に従来使
用されているようなプローブやバンプ状に突出した検査
電極を当接させようとしても、検査電極の先端がバンプ
電極のバンプ上を滑ってしまうため導通検査が困難にな
ってしまう。しかも、このようなプローブで確実な接触
を確保するためには、例えば１つのバンプ電極あたり、
７ｇ程度の圧力で圧接する必要があり、被検査体のバン
プ電極がハンダで形成されている場合柔らかい上に、高
さ直径ともに１００〜２００μｍ程度と極めて微小であ
るため、上記のような圧力をかけると、そのバンプ電極
は異常に変形したりあるいは潰れてしまい、パッケージ
への搭載、接合ができなくなってしまうという問題があ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたもので、その目的とするところは、半球な
いし球面状のバンプ電極を有する被検査体を確実に、精
度良く電気的導通検査が行える検査治具を提供すること
である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記の問
題を解決するために、まず請求項１記載の発明は、開口
部を備える絶縁基板の一方の面に配線回路パターンが形
成され、前記配線回路パターンとその一端が電気的に接
続されて前記開口部内に形成される検査電極を備えてな
る検査治具であって、前記検査電極の他端は絶縁基板の
他方の面よりもくぼんだ状態で形成されていることを特
徴とするものである。

【０００５】また請求項２記載の発明は、請求項１記載
の検査治具において、検査電極の他端は、ほぼ平面形状
であることを特徴とするものである。

【０００６】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の検査治具において、前記開口部が、前記他
方の面側が広がった円錐状であることを特徴とするもの
である。

【０００７】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３のいずれか一項記載の検査治具において、前記検査
電極及び前記配線回路パターンの表面に、ニッケル膜及
び金膜が形成されていることを特徴とするものである。

【０００８】請求項５記載の発明は、以下の工程を少な
くとも備えることを特徴とする検査治具の製造方法であ
る。 （ａ）絶縁基板の一方の面に接着剤層を形成し、絶縁基
板および接着剤層に開口部を形成する工程。 （ｂ）前記接着剤層上に導体層を積層する工程。 （ｃ）前記開口部に前記導体層をめっき電極にして電解
めっきにて絶縁基板の他方の面よりくぼんだ状態で検査
電極を形成する工程。 （ｄ）前記導体層をパターニング処理して配線回路パタ
ーンを形成する工程。 （ｅ）前記検査電極及び前記配線回路パターン上にニッ
ケル膜及び金膜をめっきにより形成する工程。

【０００９】また、請求項６記載の発明は、以下の工程
を少なくとも備えることを特徴とする検査治具の製造方
法である。 （ａ）絶縁基板に開口部を形成する工程。 （ｂ）絶縁基板の、配線回路パターンが形成される一方
の面とは反対の、他方の面側から前記開口部を中途まで
封止する封止剤を形成する工程。 （ｃ）前記一方の面および開口部内に検査電極及び導体
層を形成する工程。 （ｄ）前記導体層をパターニング処理して配線回路パタ
ーンを形成する工程。 （ｅ）前記封止剤を除去する工程。 （ｆ）前記検査電極及び前記配線回路パターン上にニッ
ケル膜及び金膜をめっきにより形成する工程。

【００１０】さらに、請求項７記載の発明は、請求項６
記載の検査電極の製造方法において、（ｃ）工程の後
に、下記（ｃ−１）及び（ｃ−２）工程を行うことを特
徴とするものである。 （ｃ−１）導体層上にレジストを形成し、パターニング
する工程。 （ｃ−２）前記導体層を電極として、露出した導体層上
に電解めっき層を形成する工程。

【００１１】請求項８記載の発明は、請求項５乃至請求
項７のいずれか一項記載の検査治具の製造方法におい
て、前記開口部を形成する工程をレーザー加工によっ
て、絶縁基板の他方の面側から行い、かつ開口部が前記
他方の面側が広がった円錐状となるように形成すること
を特徴とするものである。

【００１２】（作用）請求項１記載の発明によれば、開
口部を備える絶縁基板の一方の面に配線回路パターンが
形成され、前記配線回路パターンとその一端が電気的に
接続されて前記開口部内に形成される検査電極を備えて
なる検査治具であって、前記検査電極の他端は絶縁基板
の他方の面よりもくぼんだ状態で形成されているため、
バンプ電極を有する被検査体の導通検査を確実に、高い
精度で行うことができる。また、半導体チップや、半導
体装置用基板を用いた半導体装置の検査（合否判定）
が、実装や電子機器の組立前の段階で、バンプ電極をほ
とんど損傷しないで確実にできることから、検査効率の
向上とパッケージや電子機器の歩留まりの向上が期待で
きる。

【００１３】また、請求項２記載の発明によれば、検査
電極の他端は、ほぼ平面形状であるため、請求項１記載
の発明によって得られる効果に加え、検査時にバンプ電
極が滑って特定のバンプ電極に力が加わることがなく、
バンプ電極の損傷の可能性をさらに低下させることがで
き、導通検査をより確実に、より高い精度で行うことが
できる。

【００１４】また、請求項３記載の発明によれば、前記
開口部が、開口部の他方の面側が広がった円錐状である
ため、被検査体のバンプ電極と検査治具の検査電極とが
多少位置ズレを起こしても、被検査体のバンプ電極は検
査治具の開口部のテーパー部を滑るように検査治具の検
査電極と導通される。従って請求項１記載または請求項
２記載の発明によって得られる効果に加え、バンプ電極
の損傷の可能性をさらに低下させることができ、導通検
査をより確実に、より高い精度で行うことができる。さ
らに請求項４記載の発明によれば、検査電極及び配線回
路パターンの表面に、ニッケル膜及び金膜が形成されて
いるため、請求項１記載乃至請求項３のいずれか一項記
載の発明によって得られる効果に加え、検査電極及び配
線回路パターンの電気特性が経時変化することがなく、
導通検査をより確実に、より高い精度で行うことができ
る。

【００１５】そして、請求項５記載の発明によれば、 （ａ）絶縁基板の一方の面に接着剤層を形成し、絶縁基
板および接着剤層に開口部を形成する工程。 （ｂ）前記接着剤層上に導体層を積層する工程。 （ｃ）前記開口部に前記導体層をめっき電極にして電解
めっきにて絶縁基板の他方の面よりくぼんだ状態で検査
電極を形成する工程。 （ｄ）前記導体層をパターニング処理して配線回路パタ
ーンを形成する工程。 （ｅ）前記検査電極及び前記配線回路パターン上にニッ
ケル膜及び金膜をめっきにより形成する工程。 という各工程を少なくとも備えるため、検査電極が前記
絶縁基板の他方の面よりくぼんだ状態の検査治具を高い
精度で製造することが可能となる。

【００１６】また、請求項６記載の発明によれば、 （ａ）絶縁基板に開口部を形成する工程。 （ｂ）絶縁基板の、配線回路パターンが形成される一方
の面とは反対の、他方の面側から前記開口部を中途まで
封止する封止剤を形成する工程。 （ｃ）前記一方の面および開口部内に検査電極及び導体
層を形成する工程。 （ｄ）前記導体層をパターニング処理して配線回路パタ
ーンを形成する工程。 （ｅ）前記封止剤を除去する工程。 （ｆ）前記検査電極及び前記配線回路パターン上にニッ
ケル膜及び金膜をめっきにより形成する工程。 という各工程を少なくとも備えるため、検査電極が前記
絶縁基板の他方の面よりくぼんだ状態の検査電極のくぼ
み量や形状が、高い精度で制御されている検査治具を製
造することが可能となる。

【００１７】さらに、請求項７記載の発明によれば、
（ｃ）工程の後に、 （ｃ−１）導体層上にレジストを形成し、パターニング
する工程。 （ｃ−２）前記導体層を電極として、露出した導体層上
に電解めっき層を形成する工程。 を行うため、配線回路パターンを高い精度で形成するこ
とが可能となる。

【００１８】請求項８記載の発明によれば、開口部を形
成する工程をレーザー加工によって、絶縁基板の他方の
面側から行い、かつ開口部が前記他方の面側が広がった
円錐状となるように形成するため、高い精度の円錐状の
開口部を形成することが可能となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。

【００２０】図１に本発明の検査治具の一実施例の構成
を示す部分模式斜視図を、図２に図１の検査治具をＡ−
Ａ線で切断した模式断面図を、図３（ａ）〜（ｅ）に本
発明の検査治具の製造工程の一実施例を工程順に示す模
式断面図を、図４（ａ）〜（ｇ）に本発明の検査治具の
製造工程の他の実施例を工程順に示す模式断面図を、図
５に本発明の検査治具を使って被検査体の導通検査を行
っている状態を示す模式断面図を、それぞれ示す。

【００２１】本発明の検査治具１０は図１及び図２に示
すように、絶縁基板１１の一方の面に配線パターン１２
ａが、他方の面に検査電極１５が形成されており、検査
電極１５の一端と配線パターン１２ａとは電気的に接続
されている。さらに、検査電極１５は前記他方の面側が
広がった円錐状の開口部に形成されている。開口部の形
状は円錐状に限定されないが、被検査体のバンプ電極３
１と検査治具の検査電極とが多少位置ズレを起こして
も、被検査体のバンプ電極３１は検査治具の開口部のテ
ーパー部を滑るように検査治具の検査電極と導通される
ため円錐状であることが好ましい。このことから、バン
プ状の電極を有する被検査体の導通検査を確実に、精度
よく行うことが出来る。なお、バンプ電極を有する被検
査体としては、ハンダや金等のバンプが電極上に形成さ
れた半導体チップや、半導体チップ等の電子部品が搭載
された半導体装置用の基板等があげられる。半導体装置
用の基板としては、ポリイミド等のフィルムやガラス−
エポキシ等の基板が用いられている。

【００２２】そして検査電極の先端部は絶縁基板１１の
他方の面よりもくぼんだ状態になるように形成される。
このことから図５に示すようなバンプ電極３１を有する
被検査体３０の導通検査を行う際被検査体のバンプ電極
３１がテーパー形状の開口部に落とし込む形で本発明の
検査治具の検査電極１５と導通されるため、バンプ電極
３１と検査電極１５との導通が確実に行われると同時に
バンプ電極３１が損傷を受けるようなことはない。ま
た、検査電極の他端は、ほぼ平面形状であることが望ま
しい。平面形状であると、開口部の中でもバンプ電極と
検査電極との間の滑りが生じることがなく、より安定し
た接触が確保され、滑りの状態によって特定のバンプ電
極に力が加わり、そのバンプ電極が変形したり、破壊す
ることがない。

【００２３】以下本発明の検査治具の製造方法の一例に
ついて図３（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。まず、絶
縁基板１１の一方の面に接着剤層（図示略）を形成し、
他方の面側からレーザー加工にて、絶縁基板１１および
接着剤層に他方の面側が広がった円錐状となるように開
口部１３を形成する（図３（ａ））。絶縁基板１１は検
査治具の支持基板になるもので、絶縁性、耐熱性及び機
械的強度が求められ、ポリエステル、エポキシ、アクリ
ル及びポリイミド樹脂からなる絶縁基板が使用可能であ
るが、ポリイミドフィルムが好適である。

【００２４】接着剤層は液状の接着剤を塗布したり、シ
ート状に加工された接着剤を貼着したりすることで形成
可能であり、エポキシ系の接着剤が多用される。開口部
１３は後工程の電解めっきにて検査電極を作製するため
のめっき型になるもので、検査電極の形状はこの開口部
の形状によって決まる。開口部１３の形状は図３（ａ）
に示すように他方の面側が広がった円錐状が好ましく、
テーパー角度は、絶縁基板１１の厚さ、検査電極の大き
さ、被検査体のバンプ電極形状等により適宜設定する。
好ましくは、開口部１３の底面に対して７０〜８５度の
範囲が好適である。開口部の形成方法は、レーザー加工
が精度が高く、他の部位の汚染も少ないことから好まし
いが、エッチング等の方法も採用できる。また、コスト
の面からは金型を用いた打ち抜きで行うことが望ましい
が、その場合は形状を円錐状にすることは困難である。

【００２５】また、レーザー加工で開口部を形成する際
は、スミアが発生するのでドライ方式あるいはウエット
方式、具体的にはプラズマアッシング、エッチング等で
除去する必要がある。さらに、開口部１３を形成する際
アライメントマーク等の加工も同時に行い後工程での位
置合せマークとして利用する。レーザー加工機としては
炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー
を使用した単一又は複数のレーザー加工機を併用した加
工方法が利用できる。次に、開口部１３が形成された絶
縁基板１１の接着剤層上に銅箔等を貼り合わせ、導体層
１２を形成する（図３（ｂ））。銅箔は一般に使用され
ている膜厚５〜３６μｍの銅箔が使用でき、絶縁基板１
１の一方の面に形成された接着剤層上にラミネーター等
で貼り合わせ導体層１２を形成する。

【００２６】次に、導体層１２上にレジスト層１４を形
成して、導体層１２をめっき電極にして電解めっきにて
開口部１３に検査電極１５を形成する（図３（ｃ））。
レジスト層１４は電解めっきにて開口部１３以外の導体
層１２の表面に電解めっきされるのを防止するために形
成するもので、最終的には除去されるので、電解めっき
液には十分な耐性を有し、後工程で剥離処理が容易な感
光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適であ
る。検査電極１５としては銅、ニッケル、鉛、すず、ビ
スマス、インジウム等の単一金属又は２種以上の合金か
らなる導体材料が使用でき、銅、ハンダ等が好適であ
る。さらに、検査電極１５の先端部は絶縁基板１１の他
方の面よりくぼんだ状態で形成される。言い換えれば、
検査電極１５の導体層１２からの高さは絶縁基板１１の
厚みよりも高くなることはない。

【００２７】次に、レジスト層１４を専用の剥離液で剥
離処理して、導体層１２を公知のフォトエッチングプロ
セスでパターニング処理し配線パターン１２ａを形成す
る（図３（ｄ））。次に、検査電極１５及び配線パター
ン１２ａ表面に電解めっきによりニッケル膜及び金膜を
形成することによって酸化防止層１６とし、本発明の検
査治具１０を得ることができる（図３（ｅ））。この酸
化防止層１６は検査電極１５、配線パターン１２ａが通
常銅ないし銅合金で形成されるため、空気中で自然酸化
を受け、電気特性の経時変化するのを防止するために形
成されるものである。

【００２８】次に本発明の検査治具の製造方法の他の例
について図４（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。上記の
例とは異なる点についてのみ説明する。まず、絶縁基板
２１の配線回路パターンが形成される一方の面２２とは
反対面である他方の面２３の側からレーザー加工にて、
絶縁基板２１に他方の面側が広がった円錐状となるよう
に開口部２４を形成する（図４（ａ））。そして、他方
の面側から、開口部を中途まで封止する封止剤２５を形
成する。封止剤はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂のよう
な樹脂が好適に使用できる。好ましくはシート状に加工
されたものがよい。なお、封止剤は後に剥離するため、
めっき層からの剥離が容易に行えることが好ましい。例
えば、シート状のエポキシ樹脂シートを絶縁基板の他方
の面の側からラミネートする方法が挙げられる（図４
（ｂ））。

【００２９】この場合はラミネートの圧力によってどの
程度開口部を埋設するかを決定することができ、好まし
い。しかも開口部に埋設されている部分の先端形状を平
面状にすることも容易である。なお、どの程度埋設する
か、という埋設量は、電極先端が絶縁基板の他方の面よ
りもくぼんでいる量を決定するものであり、非常に重要
である。被検査体の接続端子、例えば半導体チップのバ
ンプ電極の形状、高さ、は被検査体の品種により様々で
あるので、くぼんでいる量も品種毎に形状、高さに応じ
て設定することが好ましい。開口部２４および封止剤２
５は後工程の電解めっきにて検査電極を作製するための
めっき型になるもので、検査電極の形状はこの開口部の
形状および封止剤の埋設量と埋設部分先端の形状によっ
て決まる。埋設部分先端の形状を平面状にすることよっ
て、検査電極の先端形状を平面形状にすることが可能と
なる。

【００３０】次に絶縁基板の前記一方の面に導電層を形
成する。導電層の形成材料、形成方法は特に限定されな
いが、形成材料としては絶縁基板と密着性の良い導電性
材料が望ましい。形成方法としてはスパッタ法やドライ
プレーティング法、無電解めっきが使用可能である。あ
るいはそれらの方法と電解めっきを組み合わせることは
好ましい。ポリイミドフィルムを絶縁基板として用いた
場合には、スパッタ法ではクロム層を成膜後、銅層を連
続成膜で形成することがあげられる。好ましい例とし
て、セミアディティブ法があげられる。具体的には、絶
縁基板の前記一方の面にスパッタリングまたは無電解め
っきで導電層２６を形成する（図４（ｃ））。さらに、
導電層上に感光性レジストを形成し、パターニングして
レジスト層２７を形成する（図４（ｄ））。そして、導
電層を電極として電解めっき層２８を配線パターン状
に、また同時に検査電極２９を形成する（図４
（ｅ））。図に示す通り、電解めっき層２８と検査電極
２９は一体的に形成されている。次にレジスト層を剥離
し、ソフトエッチングすることにより、レジスト層の下
部にあった導体層を除去し、配線パターン５１を形成す
る（図４（ｆ））。そして、封止材２５を剥離し、検査
電極及び配線パターン表面にめっきによりニッケル膜及
び金膜を形成することによって酸化防止層５２とし、本
発明の検査治具を得ることができる（図４（ｇ））。

【００３１】

【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。

【００３２】（実施例１）図３に従って説明する。ま
ず、５０μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレック
ス：宇部興産）からなる絶縁基板１１の一方の面に８μ
ｍ厚の接着剤層（＃８５００：東レ）を形成し（図示
略）、絶縁基板１１の他方の面側から、所定位置にエキ
シマレーザー加工機を用いて直径１５０μｍの他方の面
側が広がった円錐状の開口部１３及びアライメントマー
クを形成した（図３(ａ)）。エキシマレーザー加工機の
加工条件は、エネルギー密度１．５Ｊ／ｃｍ²で行っ
た。次に、開口部１３が形成された絶縁基板１１の接着
剤層上に１８μｍ厚の電解銅箔（ＳＬＰ）をラミネータ
ーを用いて貼り付け、導体層１２を形成した（図３
(ｂ)）。さらに、導体層１２上にマスキングを目的とし
てドライフィルム（ＤＲＦ：日立化成工業（株）製）を
貼り合わせ、レジスト層１４を形成した。

【００３３】そして、導体層１２をめっき電極にして電
解めっきにて開口部１３に高さ４０μｍのハンダ（Ｓｎ
−Ｐｂ）からなる検査電極１５を形成した（図３
(ｃ)）。次に、レジスト層１４を剥離し、導体層１２上
にドライフィルム（ＤＲＦ：日立化成工業（株）製）を
貼り合わせてレジスト層を形成し、所定のパターンで露
光、現像処理してレジストパターンを形成した。レジス
トパターンから露出する導体層１２を塩化第２鉄液にて
エッチングして、レジストパターンを専用の剥離液で剥
離処理し、配線パターン１２ａを形成した。次に、配線
パターン１２ａ表面に電解ニッケルめっき及び電解金め
っきによりニッケル膜及び金膜を形成することによって
酸化防止層１６とし、本発明の検査治具を作製した。

【００３４】（実施例２）図４に従って説明する。絶縁
基板２１の両端に打ち抜きによりスプロケットホールを
形成した（図示略）。絶縁基板としてはユーピレックス
（５０μｍ厚：宇部興産）を使用した。次に、アライメ
ントマーク（図示略）、開口部２４を所定位置にエキシ
マレーザー加工機をもちいて形成した。エキシマレーザ
ー加工機の加工条件は、エネルギー密度１．５Ｊ／ｃｍ
２で行った（図４(ａ)）。そして封止材（ＡＳ−４００
０：日立化成製）２５を絶縁基板にラミネートし、ラミ
ネート時の圧力により開口部２４内の封止材の厚さが４
０μｍとなるように埋設した（図４(ｂ)）。次に、絶縁
基板１１の一方の面からスパッタリングにより導電性膜
２６としてクロム膜、銅膜の順にそれぞれ厚さ１μｍ、
４μｍで連続製膜した（図４(ｃ)）。そしてセミアティ
ブ法として導電性膜２６の上にドライフィルム（ＲＹ３
０２５：日立化成製）をラミネートし、ドライフィルム
をパターニングし、配線回路パターンの形状のドライフ
ィルムを除去し、レジスト層２７を形成した（図４
（ｄ））。

【００３５】そして検査電極部及び配線回路パタン部に
銅めっきを厚さ１５μｍで成膜し、検査電極部を銅めっ
きにて充填した。また、ソフトエッチ処理する際の銅め
っき層のマスキングとしてニッケルめっきを厚さ４μｍ
で、積層して形成した（図４（ｅ））。そしてドライフ
ィルムを剥離後、 塩酸によりスパッタリング膜のクロ
ム及び銅の露出部をソフトエッチング処理して、配線パ
ターン５１を形成した（図４（ｆ））。その後、封止材
２５を剥離し、最後に、電解ニッケルめっき及び電解金
めっきを行うことによって、検査電極及び配線パターン
に酸化防止層５２を形成し、本発明の検査治具を作製し
た（図４(ｇ)）。なお、実施例１との実質的な相違点と
しては、絶縁基板からくぼんだ部分の検査電極の形状が
図４(ｇ)に示すように平面状になっている点であり、模
式斜視図は図１と同様となる。

【００３６】実施例１および実施例２で得られた検査治
具１０を用いてバンプ電極３１を有する被検査体３０の
導通検査を行った。具体的には、図５に示すように、検
査用ソケット４０上に設けられたシリコンラバー４１上
に本発明の検査治具１０を載置し、バンプ電極３１を有
する半導体チップ等からなる被検査体３０を位置合せし
て、所定の圧力で押圧し導通検査を繰り返し行った結果
確実な導通状態が再現され、且つ被検査体３０のバンプ
電極３１の形状変化も見られず、バンプ電極３１を有す
る半導体チップ等からなる被検査体３０の電気的導通試
験が確実に、精度良くできることが確認できた。

【００３７】

【発明の効果】本発明の請求項１乃至請求項３記載の発
明によれば、バンプ電極を有する被検査体の導通検査を
確実に、高い精度で行うことができ、また、半導体チッ
プや、半導体装置用基板を用いた半導体装置の検査（合
否判定）が、実装や電子機器の組立前の段階で、バンプ
電極をほとんど損傷しないで確実にできることから、検
査効率の向上とパッケージや電子機器の歩留まりの向上
が期待できる優れた検査治具を提供することが可能とな
る。

【００３８】また、本発明の請求項４記載の発明によれ
ば、検査電極及び配線回路パターンの電気特性が経時変
化することがないため、導通検査をより確実に、より高
い精度で行うことができる優れた検査治具を提供するこ
とが可能となる。

【００３９】そして、本発明の請求項５乃至請求項８記
載の発明によれば、検査電極が前記絶縁基板の他方の面
よりくぼんだ状態の検査治具を高い精度で製造すること
が可能となるため、また、検査電極が前記絶縁基板の他
方の面よりくぼんだ状態の検査電極のくぼみ量や形状
が、高い精度で制御されている検査治具を製造すること
が可能となるため、そして、高い精度の配線回路パター
ンを有する検査治具を製造することが可能となるため、
さらに、高い精度の円錐状の開口部を有する検査治具を
製造することが可能となるため、導通検査をより確実
に、より高い精度で行うことができる優れた検査治具を
製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の検査治具の一実施例の構成を示す模式
斜視図である。

【図２】図１の模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した検査治
具の構成を示す模式断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の検査治具の製造工
程の一実施例を工程順に示す模式断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具の製造工
程の他の実施例を工程順に示す模式断面図である。

【図５】本発明の検査治具を用いて被検査体の導通検査
を行っている状態を示す説明図である。

【符号の説明】

１０……検査治具 １１……絶縁基板 １２……導体層 １２ａ……配線パターン １３……開口部 １４……レジスト層 １５……検査電極 １６……酸化防止層 ３０……被検査体 ３１……バンプ電極 ４０……検査用ソケット ４１……シリコンラバー

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】開口部を備える絶縁基板の一方の面に配線
   回路パターンが形成され、前記配線回路パターンとその
   一端が電気的に接続されて前記開口部内に形成される検
   査電極を備えてなる検査治具であって、前記検査電極の
   他端は絶縁基板の他方の面よりもくぼんだ状態で形成さ
   れていることを特徴とする検査治具。
2. 【請求項２】前記検査電極の他端は、ほぼ平面形状であ
   ることを特徴とする請求項１記載の検査治具。
3. 【請求項３】前記開口部が、前記他方の面側が広がった
   円錐状であることを特徴とする請求項１または請求項２
   記載の検査治具。
4. 【請求項４】前記検査電極及び前記配線回路パターンの
   表面に、ニッケル膜及び金膜が形成されていることを特
   徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載の検
   査治具。
5. 【請求項５】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
   とする検査治具の製造方法。 （ａ）絶縁基板の一方の面に接着剤層を形成し、絶縁基
   板および接着剤層に開口部を形成する工程。 （ｂ）前記接着剤層上に導体層を積層する工程。 （ｃ）前記開口部に前記導体層をめっき電極にして電解
   めっきにて絶縁基板の他方の面よりくぼんだ状態で検査
   電極を形成する工程。 （ｄ）前記導体層をパターニング処理して配線回路パタ
   ーンを形成する工程。 （ｅ）前記検査電極及び前記配線回路パターン上にニッ
   ケル膜及び金膜をめっきにより形成する工程。
6. 【請求項６】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
   とする検査治具の製造方法。 （ａ）絶縁基板に開口部を形成する工程。 （ｂ）絶縁基板の、配線回路パターンが形成される一方
   の面とは反対の、他方の面側から前記開口部を中途まで
   封止する封止剤を形成する工程。 （ｃ）前記一方の面および開口部内に検査電極及び導体
   層を形成する工程。 （ｄ）前記導体層をパターニング処理して配線回路パタ
   ーンを形成する工程。 （ｅ）前記封止剤を除去する工程。 （ｆ）前記検査電極及び前記配線回路パターン上にニッ
   ケル膜及び金膜をめっきにより形成する工程。
7. 【請求項７】（ｃ）工程の後に、下記（ｃ−１）及び
   （ｃ−２）工程を行うことを特徴とする請求項６記載の
   検査治具の製造方法。 （ｃ−１）導体層上にレジストを形成し、パターニング
   する工程。 （ｃ−２）前記導体層を電極として、露出した導体層上
   に電解めっき層を形成する工程。
8. 【請求項８】前記開口部を形成する工程をレーザー加工
   によって、絶縁基板の他方の面側から行い、かつ開口部
   が前記他方の面側が広がった円錐状となるように形成す
   ることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか一
   項記載の検査治具の製造方法。