JPH10239348A - 接続装置、その製造方法および検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチング工程を用いずに形成された先端の
尖った接触端子を有する接続装置、また、接触面の高さ
の相違に応じた高さを有する、先端の尖った複数の接触
端子を有する接続装置、および、それらの製造方法を提
供する。 【解決手段】 引き出し用配線１０５を形成した絶縁膜
１０４の該配線上の複数箇所に、導電性の微粒子を吹き
付けて、先端が尖った形状の突起を形成して接触端子１
０３を形成する。この接触端子１０３を設けた絶縁膜１
０４を基板１０９に接着し、さらに、配線基板１０７に
固定して、接続装置が得られる。また、この接続装置を
低荷重でプロービングすることにより検査装置が得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対接する電極に接
触した接触端子を通して電極に電気信号を伝送する接続
装置およびその製造方法、並びにそれを用いた試験装置
に係り、特に、半導体素子検査用の多数で高密度の電極
に対して接触するのに好適な接続装置、その製造方法、
並びにそれを用いた試験装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体素子は、例えば、図２
１（Ａ）に示すように、ウエハ１の面上に多数のＬＳＩ
用の半導体素子（チップ）２が設けられ、各チップを切
り離して使用に供する。図２１（Ｂ）は、上記半導体素
子２の内の１個を拡大して示した斜視図である。該半導
体素子２の表面には、その周囲に沿って多数の電極３が
列設されている。この種の半導体素子の製造時には、種
々の検査が行なわれる。例えば、配線が正しく行なわれ
ているか否か、半導体素子が正常に動作するか否かにつ
いての検査が行なわれる。こうした半導体素子２の工業
的生産に際して行われる、電気的性能の検査には、半導
体素子の電極にプローブを接触させて検査を行うものが
ある。この種の検査の場合、電極が極めて微細なため、
特別の接続装置が用いられる。

【０００３】この種の接続装置に求められる条件は、微
細な電極に接続するための構造的な条件のほかに、アル
ミニウム電極やはんだ電極などの材料表面に酸化物を生
成する被接触材料に対しては、酸化膜を局部的に除去し
て、その下面の金属導体材料に接触することにより、良
好な接触を確保できることが要求される。また、半導体
素子の高密度化に伴って、半導体製造時の検査工程にお
いて検査用のプローブを狭ピッチ多ピン化する必要が生
じ、かつ、半導体素子の電極と検査回路間で高速電気信
号を伝送し、検査する工程で、狭ピッチ多ピンの半導体
素子へのプロービングができる簡便な接続装置の開発が
望まれている。そこで、このような観点から、従来の技
術について検討する。

【０００４】この種の接続装置として、例えば、図２２
および図２３に示すような構造の接続装置が従来用いら
れている。この接続装置は、プローブカード４と、これ
から斜めに出たタングステン針からなるプローブ５とで
構成される。この接続装置による検査では、プローブ５
のたわみを利用した接触圧により前記電極３をこすって
接触をとり、その電気特性を検査する方法が用いられて
いる。

【０００５】しかし、このようなタングステン針からな
るプローブおよび半球状のバンプを形成したプローブ
は、アルミニウム電極やはんだ電極などの材料表面に酸
化物を生成する被接触材料に対しては、接触端子を電極
に擦りつけること（スクライブ動作）により、電極材料
表面の酸化物を擦り取り、その下面の金属導体材料に接
触することにより、良好な接触を確保している。この結
果、電極を接触端子でスクライブすることにより、電極
材料のクズが生じ、配線間のショートおよび異物発生の
原因となり、また、電極にプローブを数百ｍＮ以上の荷
重をかけながら擦りつけて接触を確保することにより、
電極に損傷を与えることが多い。

【０００６】また、図２２、図２３に示した従来のプロ
ーブカードを用いた検査工程では、プローブの空間的な
配置に限界があり、半導体素子の電極の狭ピッチ高密度
化、ピンの総数の増大に対応できなくなっている。ま
た、上記のプロービング方式では、プローブ５の形状か
ら、そこでの集中インダクタンスが大きく、高速信号で
の検査に限界がある。すなわち、プローブカード上での
信号線の特性インピーダンスをＲ、プローブの集中イン
ダクタンスをＬとすると、時定数はＬ／Ｒとなり、Ｒ＝
５０ｏｈｍ、Ｌ＝５０ｎＨの場合で１ｎｓで、この程度
の高速信号を扱うと、波形がなまり、正確な検査ができ
ない。従って、通常は、直流的な特性検査に限られてい
る。

【０００７】半導体素子の高密度化、狭ピッチ化がさら
に進み、高速信号による動作試験が必要になった場合の
半導体素子の特性検査を可能とする検査方法および検査
装置として、１９８８年度のＩＴＣ（インターナショナ
ル テスト コンファレンス）の講演論文集の６０１頁
から６０７頁に記載された技術がある。図２４は、その
構造概略図、図２５は同じく要部拡大斜視図である。こ
こで用いられる半導体検査用のプローブは、フレキシブ
ルな誘電体膜２０の上面にリソグラフ技術で配線２１を
形成し、被検査対象の半導体の電極に対応する位置に設
けた誘電体膜２０のスルーホール２２にめっきにより、
半円形のバンプ２３を形成したものを接触端子として用
いるものである。この技術は、誘電体膜２０の表面に形
成した配線２１および配線基板２４を通じて検査回路
（図示せず）に接続されているバンプ２３を、板ばね２
５によって、検査対象の半導体素子の電極にバンプ２３
をこすって接触し、信号の授受を行って検査する方法で
ある。

【０００８】図２４、図２５に示した銅配線の一部にめ
っきにより形成したバンプをプローブとする方法は、バ
ンプの先端部が平坦あるいは半球状となるため、アルミ
ニウム電極あるいは、はんだ電極などの材料表面に酸化
物を生成する被接触材料に対しては、接触抵抗が不安定
になり、接触時の荷重を数百ｍＮ以上にする必要があ
る。しかし、接触時の荷重を大きくしすぎることには問
題がある。すなわち、半導体素子の高集積化が進み、高
密度多ピン、狭ピッチの電極を半導体素子表面に形成す
るため、電極直下に多数の能動素子あるいは微細な配線
が形成されていることが多く、半導体素子検査時のプロ
ーブの電極への接触圧が大き過ぎると、電極およびその
直下の能動素子や配線に損傷を与えるおそれがある。さ
らに、バンプの形状等にばらつきが生じることが予想さ
れるため、接触が不十分な突起を完全に接触させるに
は、全体として大きな接触圧が必要となり、部分的に
は、過大な接触圧となってしまうという問題がある。

【０００９】また、他のプローブとして、特開平５−２
１１２１８号公報（対応米国出願１９９１年７５０８４
２号）に記載されるものがある。これは、金属板、例え
ば、ステンレス板に、テフロン等の非導電皮膜物で部分
的に覆い、覆われていない金属部分に、先端が尖った形
状である突起を有する窪みツールを用いて、その突起を
押しつけることにより、突起の形状に相当する形状の窪
みを形成し、これに、金属を鍍金して金属層を形成し、
さらに、それに、誘電体基体が積層される。そして、金
属層を含む誘電体基体を金属板から剥がして、構成され
る。すなわち、このものは、基体上に、尖った接触部分
を有するコネクタパッドが複数個配置されたものであ
る。そして、この尖った接触部分を集積回路パッドに押
しつけて、検査を行う。

【００１０】しかし、特開平５−２１１２１８号公報に
開示される方法は、成形型とする金属板に、窪みツール
を押しつけることにより、機械的に穴をあけるため、穴
あけ精度が悪いという問題がある。すなわち、機械的な
操作で行われるため、位置決め精度に限界がある。ま
た、穴のあき方にもばらつきを生じる。この結果、突起
の位置、形状および大きさにばらつきが生じるという問
題がある。

【００１１】このような従来の接続装置における問題を
解決するものとして、特開平７−２８３２８０号公報に
記載される技術が提案されている。この技術は、半導体
素子のより一層の高密度化、狭ピッチ化に対応し、か
つ、高速信号による特性検査を可能とするものである。
図２７に、その概略構造を示す。

【００１２】図２７に示す接続装置は、接触端子１０を
設けた絶縁フィルム１１を基板となるシリコンウエハ１
６に固定し、このシリコンウエハ１６を配線基板１４に
搭載したものである。この接続装置は、次のようにして
製造される。

【００１３】まず、接触端子１０を形成するための型と
なる穴を、二酸化シリコン膜をマスクとしてシリコンウ
エハの異方性エッチングにより形成する。次に、この型
を用いて、ポリイミド膜よりなる絶縁フィルム１１にあ
けた穴に、ニッケル１２をめっきにより充填して接触端
子１０を形成する。さらに、絶縁フィルム１１に接触端
子１０の引き出し用配線１３を設ける。この後、絶縁フ
ィルム１１と配線基板１４との間に、緩衝層１５および
シリコンウエハ１６を挟み込んで、一体とし、型を除去
する。ついで、配線基板１４の電極１４ａに、引き出し
用配線１３をはんだ１７で接続する。これにより、図２
７に示す接続装置が得られる。

【００１４】上記特開平７−２８３２８０号公報に記載
される接続装置は、先端の尖った接触端子を形成するこ
とができ、酸化膜を小さな力で容易に突き破ることがで
きる。このため、大きな力を加えることを要しないの
で、半導体の電極下方の組織を破壊するといった事態の
発生を防ぐことができる。また、上記の接続装置は、接
触端子を小型化できると共に、高密度に配置でき、しか
も、配線基板に搭載できるため、狭ピッチ多ピンのプロ
ービングが実現できる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述した特開平７−２
８３２８０号公報に記載される接続装置は、接触端子を
エッチング技術を用いて形成している。このため、極め
て精密に接触端子を形成できるという点において優れた
技術である。ただし、異方性エッチングプロセスを用い
るため、多種の膜を生成する成膜工程、それらの膜につ
いてのエッチング工程、シリコン基板の異方性エッチン
グ等、接触端子を形成するための工程が多く、しかも、
時間がかかること、また、精密なエッチングを要するた
め、適切なエッチングの条件を設定すること、および、
その管理が容易でないことといった点が指摘される。

【００１６】また、上記公報記載の技術は、接触端子を
形成するための型をエッチングによって形成するため、
多数の接触端子を一律に均一のサイズで形成することが
容易である反面、接触端子の形態、例えば、高さを個別
的に変えて製造することには適していない。このため、
電極が設けられている面に高低差がある検査対象につい
て用いられる接続装置には適用しがたい。

【００１７】以上に述べた技術は、半導体素子について
検査する装置に関するものであるが、半導体以外の検査
対象についても同様である。

【００１８】本発明の第１の目的は、エッチング工程を
用いずに形成された先端の尖った接触端子を有する接続
装置を提供することにある。

【００１９】本発明の第２の目的は、接触面の高さの相
違に応じた高さを有する、先端の尖った複数の接触端子
を有する接続装置を提供することにある。

【００２０】本発明の第３の目的は、先端の尖った接触
端子をエッチング工程を用いずに形成することができ
る、接続装置の製造方法を提供することにある。

【００２１】本発明の第４の目的は、先端の尖った複数
の接触端子をそれぞれ任意の高さで形成することができ
る、接続装置の製造方法を提供することにある。

【００２２】本発明の第５の目的は、エッチング工程を
用いずに形成された先端の尖った接触端子を有する検査
装置を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るため、本発明の第１の態様によれば、検査対象と電気
的に接触して、電気信号を授受するための接続装置であ
って、検査対象と電気的に接触するための複数個の接触
端子と、各接触端子から引き出される引き出し用配線と
を備え、前記接触端子は、先端が尖った形状の突起状の
構造であり、該突起は、導電性の微粒子を吹き付けて形
成されたものであることを特徴とする接続装置が提供さ
れる。

【００２４】同じく、上記第１の目的を達成するため、
本発明の第２の態様によれば、検査対象と電気的に接触
して、電気信号を授受するための接続装置であって、検
査対象と電気的に接触するための少なくとも１個の接触
端子と、前記接触端子から引き出される引き出し用配線
とを有し、前記接触端子は、先端が尖った形状の突起状
の構造であり、該突起および前記引き出し用配線は、導
電性の微粒子を吹き付けて形成されたものであることを
特徴とする接続装置が提供される。

【００２５】上記第２の目的を達成するため、本発明の
第３の態様によれば、前記第１の態様における複数個の
接触端子の内の一部の接触端子が、異なる高さの突起を
有することを特徴とする接続装置が提供される。

【００２６】上記第３の目的を達成するため、本発明の
第４の態様によれば、接触端子を有し、該接触端子を検
査対象と電気的に接触させて電気信号を授受する接続装
置を製造するための方法であって、絶縁膜に引き出し用
配線を形成する工程と、前記引出し用配線上の予め定め
た複数箇所のそれぞれに、接触端子を形成する工程とを
有し、前記接触端子を形成する工程は、接触端子を形成
すべき箇所に導電性の微粒子を吹き付けて、該導電性微
粒子を堆積させ、接触端子用の先端が尖った形状の突起
をそれぞれ形成することを特徴とする接続装置の製造方
法が提供される。

【００２７】上記第４の目的を達成するため、本発明の
第５の態様によれば、前記第４の態様における前記接触
端子を形成する工程が、各接触端子の形成すべき突起の
大きさに応じて、条件を異ならせて導電性の微粒子を吹
き付けることを特徴とする接続装置の製造方法が提供さ
れる。

【００２８】さらに、上記第５の目的を達成するため、
本発明の第６の態様によれば、多数の電極が配置された
検査対象の各電極に接触して、電気信号を授受して検査
を行う検査装置において、検査対象物を変位自在に支持
する試料支持系と、接続装置を有し、該接続装置の接触
端子のある面が、試料支持系の検査対象物と対向するよ
うに配置されるプローブ系と、前記試料支持系の検査対
象の変位駆動を制御する駆動制御系と、前記プローブ系
と接続されて検査を行うテスタとを備え、前記接続装置
は、検査対象と電気的に接触するための複数個の接触端
子と、各接触端子から引き出される引き出し用配線と、
緩衝層および基板と、配線基板とを有し、前記絶縁膜
は、緩衝層を挟んで基板と固定され、前記引き出し用配
線と配線基板との配線とが接続されることを特徴とする
検査装置が提供される。

【００２９】同じく第７の態様によれば、多数の電極が
配置された検査対象の各電極に接触して、電気信号を授
受して検査を行う検査装置において、検査対象物を支持
する試料支持部、および、接続装置を有し、該接続装置
は、その接触端子のある面が、試料支持部の検査対象物
と対向するように配置される、少なくとも１の個別プロ
ーブ系と、前記個別プローブ系と接続されて検査を行う
テスタとを備え、前記接続装置は、検査対象と電気的に
接触するための複数個の接触端子と、各接触端子から引
き出される引き出し用配線と、緩衝層および基板と、配
線基板とを有し、前記絶縁膜は、緩衝層を挟んで基板と
固定され、前記引き出し用配線と配線基板との配線とが
接続されることを特徴とする検査装置が提供される。

【００３０】また、同じく第８の態様によれば、多数の
電極が配置された検査対象の各電極に接触して、電気信
号を授受して検査を行う検査装置において、検査対象物
を支持する試料支持部、および、接続装置を有し、該接
続装置は、その接触端子のある面が、試料支持部の検査
対象物と対向するように配置される、少なくとも１の個
別プローブ系と、前記個別プローブ系と接続されて検査
を行うテスタとを備え、前記接続装置は、検査対象と電
気的に接触するための複数個の接触端子と、各接触端子
から引き出される引き出し用配線と、緩衝層および基板
と、配線基板とを有し、前記絶縁膜は、緩衝層を挟んで
基板と固定され、前記引き出し用配線と配線基板との配
線とが接続され、前記個別プローブ系は、マザーボード
に装着され、該マザーボードを介して、テスタと接続さ
れることを特徴とする検査装置が提供される。

【００３１】さらに、本発明の第９の態様によれば、前
記第６、第７および第８の各態様における前記複数個の
接触端子の内の一部の接触端子を、異なる高さの突起を
有するものとした検査装置が提供される。

【００３２】本発明の構成によれば、接触端子を、導電
性の微粒子を吹き付けて形成される突起で構成すること
ができる。微粒子の吹き付け法によれば、例えば、円錐
形状の先端が尖った形状が得られる。しかも、微粒子の
吹き付け条件を制御することにより、微細で、高密度の
接触端子を、多数個配置することができる。従って、測
定対象物の高密度化に対応することができる。しかも、
機械的な成膜プロセスで形成するので、微細な組み立て
作業を要せずに加工精度の高い接触端子形状が形成でき
る。このような構成により、シリコンの異方性エッチン
グによる型材の形成、多種の膜の成膜、エッチング、マ
スクの形成等の種々の工程を要することなく、接触端子
を形成することができる。

【００３３】また、接触端子の長さを、例えば、０．０
０５〜０．５ｍｍ程度に、短く形成することができる。
これにより、高速信号の乱れを小さくすることができ
る。

【００３４】さらに、本発明の接続装置を用いる検査装
置にあっては、高密度多ピン、狭ピッチの半導体素子の
表面電極を全ピン接触することにより、半導体素子全面
で電源供給可能な電圧変動の少ない安定した動作状態で
の検査が実現できる。その結果、高速ＡＣ検査が可能と
なり、半導体素子の高速動作の確認と出力波形の詳細な
観察が可能となり、半導体素子の特性マージンを把握す
ることができることにより、半導体素子の設計への効率
の良いフィードバックが可能となる。

【００３５】また、緩衝層を設けることにより、電極と
接触端子の間隔のばらつきを吸収することができる。す
なわち、絶縁フィルムの材料、膜厚、および、緩衝層の
弾性率を適宜に設定することにより、接触端子は、プロ
ービング時に電極およびその直下の能動素子に損傷を与
えない適度な値に容易に設定することが可能である。ま
た、接触対象である電極に多少の段差があっても、絶縁
フィルムのたわみおよび緩衝層の弾性により、所定の力
にて電極に接触することができる。

【００３６】また、本発明によれば、複数個の接触子に
ついて、それぞれの高さを、微粒子の吹き付け条件、例
えば、吹き付け量、吹き付け時間等を変えることによ
り、容易に所望の値に設定することができる。従って、
検査対象に、段差がある場合でも、容易に対応すること
ができる。すなわち、予め、接触対象である電極の段差
が判明している場合は、接触端子を形成するための微粒
子の吹き付け量を制御することにより、電極の段差に対
応して、適宜に接触端子の高さを変えた接続装置を形成
することができる。

【００３７】また、本発明によれば、電極パターンの変
更に対しては、引き出し配線パターンおよび微粒子の吹
き付けノズルの位置制御を変更するのみで容易に対応す
ることができる。

【００３８】絶縁フィルムの材料として、ポリイミドの
ような高温で使用できる材料を用いることにより、高温
での動作試験が可能となり、検査対象がシリコン系の半
導体素子の場合は、接触端子を形成した上記絶縁膜をシ
リコン基板に固着することにより、線膨張率の差による
変位が少ない接続装置が実現でき、例えば、ウエハ状態
でも容易に高温で検査可能である。

【００３９】また、上記接続装置の接続端子の先端位置
を、製造時の温度と実使用時での温度との差を考慮し
て、製造時に材料間の線膨張率の差による先端位置の変
位をあらかじめ設計値に入れて接続端子を形成すること
により、高温でも接続端子の先端位置精度が極めて良好
な接続装置が実現できる。

【００４０】従って、半導体素子の電極を被接触対象と
した高密度、超多ピンで高速信号による動作試験が可能
で、高温でも接触端子の先端位置精度が良好で電極パタ
ーンの変更にも容易に対応できる接続装置が製作可能で
ある。

【００４１】なお、本発明の接続装置は、接触対象が半
導体素子に限定されることなく、対向する電極の接触装
置としても対応でき、狭ピッチ、多ピンであっても製作
可能である。

【００４２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る接続装置、接
触端子、および、検査装置に関する実施形態について図
面を参照して説明する。

【００４３】図１は、本発明の接続装置の第１の実施形
態の要部を示す。本実施形態の接続装置は、基板１０９
と、緩衝層１０８と、絶縁フィルム１０４と、接触端子
１０３と、絶縁フィルム１０４に設けられ、該接触端子
１０３から引き出された引き出し用配線１０５とを有す
る。基板１０９は、配線基板１０７に搭載され、絶縁フ
ィルム１０４は、その周縁部が基板１０９より外側に延
長するように設けられ、絶縁フィルムの周縁部１０４ａ
は、基板１０９の外側で滑らかに折り曲げられて、配線
基板１０７上に固定されている。その際、引き出し用配
線１０５が、配線基板１０７に設けられている電極１１
０ａに、電気的に接続される。接続は、例えば、はんだ
１１１を用いて行われる。なお、図１では、簡単のた
め、接触端子１０３を１つのみ示す。

【００４４】配線基板１０７は、例えば、ポリイミド樹
脂、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂材あるいはセラミック
多層基板からなり、内部配線１０７ａおよび接続端子１
０７ｂを有している。配線基板１０７と基板１０９と
は、例えば、シリコン系接着剤を用いて接着される。

【００４５】絶縁フィルム１０４は、可撓性があり、好
ましくは、耐熱性がある樹脂で形成する。本実施形態で
は、ポリイミド樹脂が用いられる。緩衝層１０８は、エ
ラストマ等の弾性を有する物質で構成される。具体的に
は、シリコーンゴム等が用いられる。接触端子１０３お
よび引き出し用配線１０５は、導電性材料で構成され
る。これらの詳細については、後述する。また、図１で
は、接触端子１０３および引き出し用配線１０５は、説
明の簡単のため、１の接触端子分のみ示すが、もちろ
ん、実際には、後述するように複数個が配置される。

【００４６】図２に本発明の接続装置の第２の実施形態
の要部を示す。図２に示す接続装置は、接触端子１１２
および引き出し用配線１１４の構造が異なる他は、上記
図１に示す接続装置と同様に構成される。すなわち、本
実施形態では、絶縁フィルム１１３に引き出し用配線１
１４を設けて、該引き出し用配線１１４の表面に接触端
子１１２を構成したのものである。また、引き出し用配
線１１４は、上記図１の例とは異なり、配線基板１０７
とは対向しない面に設けられる。従って、配線基板１０
７の電極１１０ａと接続するために、絶縁フィルム１１
３に、金属めっきで充填されたビア１１５が設けてあ
る。なお、ビアでなく、ワイヤボンディングによって接
続するようにしてもよい。

【００４７】図３に本発明の接続装置の第３の実施形態
の要部を示す。図３に示す接続装置は、シリコンウエハ
１１６に形成した二酸化シリコン膜１１７に形成した配
線１１８に接触端子１１９を形成し、ポリイミド膜１２
２に形成した引き出し用配線１２０を該配線１１８に、
例えば、はんだ１２１を用いてポリイミド膜１２２に形
成した引き出し用配線１２０を電気的に接続し、図１に
示す実施形態と同様に配線基板１０７に設けられている
電極１１０ａに電気的にはんだ１１１により接続される
他は、上記図１および図２に示す接続装置と同様に構成
される。なお、ポリイミド膜１２２に形成した引き出し
用配線１２０を用いるのではなく、ワイヤボンディング
によって接続するようにしてもよい。

【００４８】図４に本発明の接続装置の第４の実施形態
の要部を示す。図４に示す接続装置は、絶縁フィルム１
０４の引き出し用配線１０５を形成した対向面に、接地
用の導体膜１２５を形成した他は、上記図１に示す接続
装置と同様に構成される。すなわち、本実施形態では、
接触端子１０３の周辺を除いた部分に、接地用の導体膜
１２５を形成して、インピーダンス整合するように構成
したものである。

【００４９】図５に本発明の接続装置の第５の実施形態
の要部を示す。図５に示す接続装置は、絶縁フィルム１
１３の引き出し用配線１１４および接触端子１１２を形
成した対向面に、接地用の導体膜１２６を形成した他
は、上記図２に示す接続装置と同様に構成される。すな
わち、本実施形態では、接地用の導体膜１２６を形成し
て、インピーダンス整合するように構成したものであ
る。

【００５０】図６に本発明の接続装置の第６の実施形態
の要部を示す。図６に示す接続装置は、絶縁フィルム１
０４の引き出し用配線１０５を形成した面に、接地用の
導体膜１２７を形成したポリイミド膜１２８を接着し
て、インピーダンス整合するように構成したものである
他は、上記図１に示す接続装置と同様に構成される。

【００５１】上述した第１の実施形態〜第６の実施形態
は、接触端子１０３、１１２および１１９を、導電性材
料で構成している。そのため、この部分が他の部分より
硬くなるため、測定対象物の電極に当接させた際に、接
触がより良好となる。また、後述するように、第２の実
施形態、第３の実施形態および第５の実施形態は、接触
端子１１２、１１９の形成と配線１１４、１１８とを同
時に同一材料で形成することもできる。

【００５２】これらの接続装置における接触端子の配置
および引き出し用配線の配線パターンは、測定対象物、
例えば、半導体集積回路の電極パターンに対応して種々
構成される。図７および図８に、それらの例を示す。

【００５３】図７（ａ）は、本発明の接続装置における
接触端子の配置および引き出し用配線の一例を示す平面
図である。図７（ｂ）は、その配線が設けられている絶
縁フィルムを折り曲げた状態を示す斜視図である。ま
た、図８（ａ）は、本発明の接続装置における接触端子
の配置および引き出し用配線の他の例を示す平面図であ
る。図８（ｂ）は、その配線が設けられている絶縁フィ
ルムを折り曲げた状態を示す斜視図である。なお、これ
らの図において、接触端子および引き出し用配線は、図
示および説明の簡単のため、数を少なくし、また、密度
を低くして表示してある。実際には、さらに、多数の接
触端子を設けることができ、また、高密度で配置できる
ことはいうまでもない。

【００５４】図７（ａ）、（ｂ）、および、図８
（ａ）、（ｂ）に示すように、接続装置は、例えば、ポ
リイミド膜で構成される絶縁フィルム１０４上に、測定
対象の電極に対応する位置に配置された接触端子１０３
と、これらの接触端子１０３に一端が接続され、他端が
絶縁フィルム１０４の周縁部に設けられる端子部１０５
ａまで引き回される引き出し用配線１０５とが設けられ
る。引き出し用配線１０５は、種々の態様で配線でき
る。例えば、各配線を一方向に引き出して配線したり、
放射状に配線したりすることができる。具体的にいえ
ば、図７（ａ）および（ｂ）の例は、絶縁フィルム１０
４を長方形状に形成し、両端部に端子部１０５ａを配置
してある。また、図８（ａ）、（ｂ）の例は、絶縁フィ
ルム１０４を四角形状に形成し、四角形の各辺に設けら
れる端子部１０５ａまで引き出し用配線１０５が設けら
れる。

【００５５】次に、これらの接続装置の製造の概要につ
いて説明する。なお、接触端子の製造の詳細について
は、後述する。

【００５６】検査装置本体へ電気信号を伝送するための
接続装置における配線の引き出し方法として、例えば、
検査対象がウエハに形成されたＬＳＩ表面の電極である
場合は、次のように行う。まず、図７（ａ）または図８
（ａ）に示したように、ＬＳＩ形成ウエハの領域１０１
よりもひと回り大きな接触端子形成用の銅箔付きのポリ
イミド膜を用いて、該ＬＳＩ形成ウエハと同じ領域１０
１に、接触端子１０３を形成する位置までの引き出し用
配線１０５を、フォトレジストを使用したエッチング工
程により該銅薄膜を引き出し用配線として形成する。次
に、図１に示したように、該絶縁フィルム１０４と配線
基板１０７との間に、緩衝層１０８となるシリコーンゴ
ム、および、基板１０９となるシリコンウエハを接着す
る。

【００５７】必要に応じて、絶縁フィルム１０４に、図
８（ａ）に示したように、切れ目１０２を入れる。そし
て、絶縁フィルム１０４を、図７（ｂ）あるいは図８
（ｂ）に示すように、該ＬＳＩ形成ウエハの領域１０１
に対応する、接触端子１０３を形成した領域を、多角形
で囲うように折り曲げる。さらに、前述したように、該
絶縁フィルム１０４と配線基板１０７との間に、緩衝層
１０８となるエラストマ、および、基板１０９となるシ
リコンウエハを挾みこんで、該配線基板１０７の電極１
１０ａに、引き出し用配線１０５をはんだ１１１で接続
する。

【００５８】なお、この例では、ＬＳＩ形成ウエハの全
領域用の接続装置の例を示したが、本発明は、これに限
られない。絶縁フィルムの大きさを小さくして、検査対
象のウエハよりも小さな領域を検査するための接続装置
を構成してもよい。

【００５９】次に、上記各実施形態において用いられて
いる接触端子について、図９を参照して説明する。

【００６０】図９（ａ）に、本発明の各実施形態の接続
装置の接触端子部分の代表的な寸法を示す。図９（ａ）
に示す寸法例から明らかなように、本例では、底面の直
径が８０μｍで、先端径が１０μｍ程度の円錐形状の接
触端子１０３が実現できる。すなわち、接触端子１０３
は、その高さが、底面の任意位置での幅より大きい形状
を有する構造を持っている。もちろん、本発明は、これ
に限定されない。

【００６１】このような構造になる理由は、後述するよ
うに、本発明が導電性の微粒子を吹き付けることによ
り、堆積させて、突起を形成することによる。すなわ
ち、このような突起ができるのは、金属微粒子の表面が
活性であり、融点降下、凝集作用の下に、半溶融状態の
微粒子が、吹き付けられた場所ですみやかに固化して積
み上げられ、一体化するためである。しかも、この接触
端子１０３の円錐形状は、微粒子を吹き付けるノズルの
位置および微粒子の吹き付け量、雰囲気温度などにより
決定するため、位置および大きさが任意に高精度に決め
られる。特に、先端を尖った形状とすることができる。
これらの特徴は、他の実施形態においても共通する。

【００６２】接触端子の先端を尖った形状とするのは、
次の理由からである。

【００６３】測定対象の電極がアルミニウムの場合、表
面に酸化膜が形成されていて、接触時の抵抗が不安定と
なる。このような電極に対して、接触時の抵抗値の変動
が０．５Ω以下の安定した抵抗値を得るためには、接触
端子の先端部が、電極表面の酸化膜をつき破って、良好
な接触を確保する必要がある。そのためには、例えば、
接触端子の先端が半円形の場合、１ピン当たり３００ｍ
Ｎ以上の接触圧（押圧力）で、各接触端子を電極に擦り
つける必要がある。一方、接触端子の先端部が、直径２
０μｍ〜３０μｍの範囲の平坦部を有する形状の場合に
は、１ピン当たり１００ｍＮ以上の接触圧（押圧力）
で、各接触端子を電極に擦りつける必要がある。

【００６４】一方、上記した数値で示される形状を持つ
本実施形態の接続装置の接触端子の場合には、１ピン当
たり５ｍＮ以上の接触圧（押圧力）があれば、電極に擦
り突けることなく、単に押圧するだけで、安定した接触
抵抗で、通電を行うことができる。その結果、低針圧で
電極に接触すればよいため、電極、または、その直下に
ある素子に損傷を与えることが防止できる。また、全接
触端子にピン圧をかけるために必要な力を小さくするこ
とができる。その結果、この接続装置を用いる検査装置
におけるプローバ駆動装置の耐荷重を軽減し、製造コス
トを低減することができる。

【００６５】なお、上述した第１実施形態〜第６実施形
態および図９（ａ）に示した上記の実施形態は、各電極
に対して接触端子を一対一対応に形成した例を示した
が、これに限られない。すなわち、図９（ｂ）に示した
ように１の電極について、複数個の接触端子を接触させ
るようにしてもよい。これにより、より確実な接触を確
保できる。

【００６６】また、図９（ｃ）に示したように、絶縁フ
ィルム１０４の開口部１３３を埋めるように接触端子１
０３を形成してもよい。

【００６７】次に、上記第１の実施形態の接続装置の接
触端子部分の製造方法について、図２６を参照して説明
する。図２６に示す装置は、導電性微粒子を吹き付ける
ための装置である。

【００６８】図２６に示す装置は、微粒子を生成するた
めの蒸発室３０と、微粒子を吹き付けるためのノズル３
６と、接触端子形成室３８と、試料を保持すると共に、
試料を移動させるための試料保持部４２と、試料保持部
４２を移動させる駆動機構４３とを有する。

【００６９】前記蒸発室３０は、その内部に、微粒子化
すべき金属３３を加熱して蒸発させる蒸発源３４が設け
られている。また、蒸発室３０には、真空ポンプ３１が
バルブ３１aを介して接続されている。さらに、蒸発室
３０には、不活性ガス等のガス源３２がバルブ３２ａを
介して接続されている。前記蒸発源３４の加熱手段とし
ては、例えば、高周波誘導加熱、抵抗加熱、レーザ加
熱、アーク放電等を用いることができる。

【００７０】前記ノズル３６は、その基端部３６ｂが、
蒸発室内に挿入され、前記蒸発源３４を臨む位置に開口
し、その先端部３６ｃが、接触端子形成室３８内に挿入
されて、試料保持部４２に対向するように設定される。
また、ノズル３６には、加熱のための加熱コイル３６ａ
が巻着付けられている。この加熱コイル３６ａによりノ
ズル３６が加熱され、内部の微粒子が加熱される。

【００７１】接触端子形成室３８は、その内部に、上述
したように、試料保持部４２が設けられている。また、
接触端子形成室３８には、真空ポンプ３７がバルブ３７
ａを介して接続されている。

【００７２】試料保持部４２には、前記ノズル３６の先
端部３６ｃと対向する面に、引き出し用配線３９を設け
た絶縁膜４０が保持される。また、試料保持部４２に
は、Ｘ−Ｙステージ４３ａが連結され、当該試料保持部
４２をＸ−Ｙ平面で移動させることができるようになっ
ている。

【００７３】駆動機構４３は、前記Ｘ−Ｙステージ４３
ａと、このＸ−Ｙステージ４３ａをＺ軸方向に変位させ
るＺ軸駆動機構４３ｂと、これらの動作を制御する駆動
制御系４３ｃとを有する。

【００７４】次に、この装置を用いて、接触端子を形成
する方法について説明する。

【００７５】まず、接触端子形成室３８の試料保持部４
２に、接触端子を形成すべき試料として、引き出し用配
線３９を形成した絶縁膜４０を保持させる。この状態
で、真空ポンプ３７により、接触子形成室３８内を排気
して減圧状態とする。一方、蒸発室３０側では、蒸発室
３０を真空ポンプ３１を用いて排気して減圧した状態と
する。この状態で、ガス源３２から不活性ガスを蒸発室
３０に導入する。ガスとしては、例えば、ヘリウム、ア
ルゴン、窒素等が用いられる。圧力は、０．１〜１００
ｋＰａ程度で蒸発室３０に導入される。

【００７６】また、駆動制御系４３ｃを用いて、Ｘ−Ｙ
ステージ４３ａおよびＺ軸駆動機構４３ｂを駆動させ
て、試料保持部４２を移動させる。すなわち、ノズル３
６の先端部３６ｃを接触端子を形成すべき位置に対向さ
せ、かつ、ノズル先端部３６ｃとの間が目的の距離とな
るように調整する。

【００７７】さらに、蒸発源３４において、微粒子化す
べき金属３３、例えば、金、銀、銅、ニッケル等を、例
えば、高周波誘導加熱して蒸発させる。この蒸発は、不
活性ガス、例えば、ヘリウム中で行われるガス中蒸発で
あるため、蒸発した金属は、冷却されて、粒径が、例え
ば、０．００１〜数マイクロメートルの大きさの微粒子
３５を生成する。この微粒子３５は、接触端子形成室３
８と蒸発室３０との圧力差（接触端子形成室３８が相対
的に低圧となっている）によって、不活性ガスと共にノ
ズル３６に流入し、ノズル３６において加熱コイル３６
ａにより加熱されつつ、先端部３６ｃに送られる。

【００７８】微粒子３５は、ノズル３６の先端部３６ｃ
から不活性ガスと共に吹き出される。この状態では、微
粒子３５は、半溶融状態にある。吹き出された微粒子３
５は、対向する位置にある引き出し用配線３９に吹き付
けられる。吹き付けられた微粒子３５は、半溶融状態か
ら急速に固化して、その位置で堆積される。このように
して、微粒子３５が堆積することにより、先端が尖った
突起４１が形成される。

【００７９】突起４１が目的の大きさになったとき、金
属の蒸発を止め、ノズル３６の先端の位置を次の目的位
置に相対移動させる。その後、再び、微粒子３５を蒸発
させて、突起４１の堆積を行なう。これを繰り返すこと
により、複数個の接触端子を形成することができる。な
お、金属の蒸発を止める代わりに、ノズル３６にバルブ
を設けて、開閉するようにしてもよい。

【００８０】なお、突起の大きさは、通常は、時間およ
び蒸発量を管理することにより、目的の大きさとするこ
とができる。従って、接触端子をすべて同じ高さとする
ことができる一方、高さを変えることもできる。例え
ば、接触対象の電極に段差がある場合、その段差を考慮
した高さとすることができる。この場合には、複数個設
けられる接触端子のうち、一部について、高さが異なる
ことになる。

【００８１】また、ノズル３６を線状に相対移動させる
ことにより、引き出し用配線３９を併せて形成するよう
にしてもよい。

【００８２】さらに、図２６では、ノズル３６を一つの
み示したが、本発明は、これに限られない。例えば、複
数本のノズル３６を配置して、一度に複数個の接触端子
を形成するようにしてもよい。

【００８３】なお、本発明において突起形成に用いた方
法と類似する方法が、特開昭５９−８７０７７号公報、
および、精密工学会誌“第５９巻第１号，５９〜６４
頁，１９９３年”に記載されている。

【００８４】次に、図１〜図６に示す接続装置を形成す
るための製造プロセスについて、図１０〜図１７を参照
して説明する。

【００８５】図１０は、図１に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し配線をポリイミド薄膜上に形成するための製造プロ
セスを工程順に示したものである。

【００８６】図１０（ａ）は、感光性のポリイミド膜１
３０と導電性被覆１３１が一体となったポリイミドシー
トを用いて、該感光性のポリイミド膜１３０の、接触端
子を形成すべき位置に、開口部１３３（図１０（ｂ）参
照）を、マスクパターン１３２を用いて、露光、現像す
る工程を示す。

【００８７】なお、導電性被覆１３１は、銅箔を用いて
もよい。また、開口部１３３の形成は、他の方法で行っ
てもよい。例えば、ポリイミド膜１３０の表面に、接触
端子を形成すべき位置に開口部を設けたアルミニウムの
マスクを形成して、ドライエッチングにより、ポリイミ
ド膜１３０を、酸素プラズマ異方性ドライエッチングあ
るいはエキシマレーザアブレーションにより、導電性被
覆１３１の表面に至るまで除去し、上記アルミニウムの
マスクを除去して、開口部１３３を形成する。また、レ
ーザアブレーションのみで、開口部１３３を形成しても
よい。

【００８８】図１０（ｂ）は、上記の開口部１３３を形
成したポリイミド膜１３０を熱硬化した後、導電性被覆
１３１の表面にホトレジストマスク１３４を形成し、該
導電性被覆１３１をエッチングして、引き出し用配線１
０５を形成する工程を示す。ホトレジストマスク１３４
の形成およびパターニングは、次のように行う。まず、
導電性被覆１３１の表面に、感光性ポリイミドを塗布
し、配線パターンを露光、現像することにより、配線形
成用のホトレジストマスク１３４を形成し、該ホトレジ
ストマスク１３４を用いて、上記導電性被覆１３１をエ
ッチングすることにより、引き出し用配線１０５を形成
する。

【００８９】図１０（ｃ）は、上記ホトレジストマスク
１３４を除去した後、引き出し用配線１０５を表面に形
成した上記ポリイミド膜１３０の表面とシリコン基板１
０９との間にシリコーンゴム１０８を挟みこんで、一体
化する工程を示す。本実施形態では、例えば、厚さが
０．５〜３ｍｍで、硬さ（ＪＩＳＡ）が１５〜７０程度
のシリコーンゴムを、エラストマとして用いている。し
かし、エラストマは、これに限定されない。なお、ポリ
イミド膜１３０とシリコン基板１０９との接着は、シリ
コーンゴム１０８自体に接着能力があるので、格別に接
着剤を用いることがない。なお、接着剤を用いて接着す
るようにしてもよい。

【００９０】図１０（ｄ）は、上記引き出し用配線１０
５の表面に接触端子１０３を形成する工程を示す。接触
端子１０３の形成は、例えば、図２６に示したような装
置を用いて、加熱した金の微粒子３５をガスと共にノズ
ル３６の先端部３６ｃより噴出して、引き出し用配線１
０５表面の所定の位置に接触端子１０３を個々に形成す
る。

【００９１】なお、接触端子１０３を形成するための微
粒子材料として、金に限らず、銅、ニッケルなどの他の
材料を用いてもよい。また、接触端子１０３に、ロジウ
ムのような硬度の高い材料を電気めっきして、接触端子
としてもよい。ここで、めっき材料としては、金属およ
びそれらの合金のめっき、あるいは、ニッケルボロンめ
っきなどを、引き出し用配線を電極として電気めっきす
るか、あるいは無電解めっきすればよい。合金めっきと
しては、例えば、Ｎｉ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃ
ｕ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｎｉを用いればよい。

【００９２】図１１は、図１に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し用配線をポリイミド薄膜上に形成するための工程の
他の実施形態を示したものである。

【００９３】図１１（ａ）は、ポリイミドシートの両側
に銅箔１３１ａおよび１３１ｂを形成したポリイミドシ
ート１０４を用いて接触端子を形成すべき位置にマスク
パターン１３５ａを形成し、銅箔１３１ｂを保護するた
めのマスク１３５ｂを形成する工程を示す。なお、マス
ク１３５ｂは、保護シートを銅箔１３１ｂに貼ってもよ
い。

【００９４】図１１（ｂ）は、上記のマスクパターン１
３５ａにより、接触端子を形成すべき位置の銅箔をエッ
チングした後、マスクパターン１３５ａおよびマスク１
３５ｂを除去する工程を示す。

【００９５】図１１（ｃ）は、上記の銅箔１３１ａおよ
び１３１ｂをマスクとして、接触端子を形成すべき位置
のポリイミドをエッチングして、開口部１３３を形成し
た後、銅箔１３１ｂの表面にホトレジストマスク１３４
を形成する工程を示す。ポリイミド１０４のエッチング
は、例えば、ヒドラジンを用いればよい。

【００９６】図１１（ｄ）は、上記の銅箔１３１ａおよ
び１３１ｂをエッチングして、引き出し用配線１０５を
形成した状態であり、その後の工程は、図１０（ｃ）と
同様に実施すればよい。

【００９７】図１２は、図２に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し用配線をポリイミド薄膜上に形成するための製造プ
ロセスを工程順に示したものである。

【００９８】図１２（ａ）は、銅箔１３６とポリイミド
膜１１３が一体膜となったシートの銅箔１３６の表面に
引き出し用配線１１４を形成するためのホトレジストマ
スク１３７を形成する工程を示す。

【００９９】図１２（ｂ）は、上記の銅箔１３６をエッ
チングして、引き出し用配線１１４を形成した後、上記
ホトレジストマスク１３７を除去した後、引き出し用配
線１１４を表面に形成した上記ポリイミド膜１１３の表
面とシリコン基板１０９との間にシリコーンゴム１０８
を挟みこんで、一体化する工程を示す。

【０１００】図１２（ｃ）は、上記引き出し用配線１１
４の表面に接触端子１０３を形成する工程を示す。接触
端子１０３の形成は、例えば、図２６に示すような装置
を用いて、加熱した微粒子３５をガスと共にノズル３６
の先端部３６ｃより噴出して、引き出し用配線１１４表
面の所定の位置に接触端子１０３を個々に形成する。

【０１０１】図１３は、図３に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し配線を二酸化シリコン薄膜上に形成するための製造
プロセスを工程順に示したものである。

【０１０２】図１３（ａ）は、厚さ０．２〜０．６ｍｍ
のシリコンウエハ１４０の（１００）面の両面に熱酸化
により二酸化シリコン膜１４１ａおよび１４１ｂを形成
する工程を示す。シリコンウエハ１４０の酸化は、例え
ば、ウェット酸素中で酸化温度１０００℃で１００分の
熱酸化により、二酸化シリコン膜１４１ａおよび１４１
ｂを０．５μｍ程度形成する。

【０１０３】図１３（ｂ）は、熱酸化したシリコンウエ
ハ１４０の表面の二酸化シリコン膜１４１ａの表面に、
下地膜１４２ａおよび引き出し配線用の導電性被覆１４
２ｂを形成する工程を示す。下地膜１４２ａおよび導電
性被覆１４２ｂの形成は、薄膜形成プロセス、例えば、
スパッタリング法あるいは蒸着法で形成される。具体的
には、スパッタリングにより、下地膜１４２ａとなる金
属として、二酸化シリコンと密着性のよいクロムあるい
はチタンを０．０２μｍ程度被着した後、スパッタリン
グにより、導電性被覆１４２ｂとなる銅を１μｍ程度被
着して、形成される。

【０１０４】図１３（ｃ）は、上記二酸化シリコン膜１
４１ｂの表面にホトレジストマスク１４３を形成し、二
酸化シリコン膜１４１ｂをエッチングする工程を示す。
ホトレジストマスク１４３の形成およびパターニング
は、次のように行う。まず、二酸化シリコン膜１４１ｂ
の表面に、例えば、ＯＦＰＲ８００（東京応化工業製）
を塗布する。ついで、シリコンウエハの接触端子形成面
とは反対面に、該接触端子１０３を形成する位置に対応
する箇所を取り囲むように四角形の開口部１４４のパタ
ーンを露光し、例えば、ＮＭＤ３（東京応化工業製）に
より現像する。次に、開口部１４４により露出した二酸
化シリコン膜１４１ｂを、例えば、フッ化水素酸とフッ
化アンモニウム液の１：７混液に浸漬してエッチングす
る。

【０１０５】図１３（ｄ）は、上記ホトレジストマスク
１４３を除去した後、上記導電性被覆１４２ｂの表面に
ホトレジストマスク１４５を形成し、導電性被覆１４２
ｂおよび下地膜１４２ａをエッチングして、引き出し用
配線を形成する工程を示す。ホトレジストマスク１４３
は、剥離剤としてＳ５０２ａ（東京応化工業製）を用い
て除去する。ホトレジストマスク１４５の形成およびパ
ターニングは、次のように行う。まず、導電性被覆１４
２ｂの表面に、感光性ポリイミドを塗布し、配線パター
ンを露光、現像することにより、配線形成用のホトレジ
ストマスク１４５を形成し、該ホトレジストマスク１４
５を用いて、上記導電性被覆１４２ｂおよび下地膜１４
２ａをエッチングすることにより、引き出し用配線１１
８を形成する。

【０１０６】図１３（ｅ）は、上記ホトレジストマスク
１４５を除去した後、上記引き出し用配線１１８表面に
接触端子１０３を形成する工程を示す。接触端子１０３
の形成は、例えば、図２６に示すような装置を用いて、
加熱した微粒子３５をガスと共にノズル３６の先端部３
６ｃより噴出して、引き出し用配線１１８表面の所定の
位置に接触端子１０３を個々に形成する。

【０１０７】図１３（ｆ）は、上記二酸化シリコン膜１
４１ｂをマスクとして、シリコンウエハ１４０を異方性
エッチングして、エッチング穴１４６を形成する工程を
示す。シリコンウエハ１４０のエッチングは、例えば、
水酸化カリウムと水の混液に浸漬することにより行う。
なお、この液に代えて、水酸化カリウムとイソプロパノ
ールと水の混液を用いてもよい。

【０１０８】図１３（ｇ）は、引き出し用配線１１８お
よび接触端子１０３を表面に形成した上記二酸化シリコ
ン膜１４１ａと一体となっているシリコンウエハ１４０
表面の二酸化シリコン膜１４１ｂの表面とシリコン基板
１０９との間にシリコーンゴム１０８を挟みこんで、一
体化する工程を示す。

【０１０９】図１４は、図４に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し配線をポリイミド薄膜上に形成するための製造プロ
セスを工程順に示したものである。

【０１１０】図１４（ａ）は、感光性のポリイミド膜１
０４と導電性被覆１３１が一体となったポリイミドシー
トを用いて、該感光性のポリイミド膜１０４の、接触端
子を形成すべき位置に、開口部１３３を、予め定めたマ
スクパターン１３２を用いて、露光、現像する工程を示
す。

【０１１１】図１４（ｂ）は、上記の開口部１３３を形
成したポリイミド膜１０４を熱硬化した工程を示す。

【０１１２】図１４（ｃ）は、上記ポリイミド膜１０４
の表面に、下地膜１５０ａおよび接地用導電性被覆１５
０ｂを形成する工程を示す。下地膜１５０ａおよび導電
性被覆１５０ｂの形成は、薄膜形成プロセス、例えば、
スパッタリング法あるいは蒸着法で形成される。具体的
には、スパッタリングにより、下地膜１５０ａとなる金
属として、二酸化シリコンと密着性のよいクロムあるい
はチタンを０．０２μｍ程度被着した後、スパッタリン
グにより、導電性被覆１５０ｂとなる銅を１μｍ程度被
着して、形成される。

【０１１３】図１４（ｄ）は、前記導電性被覆１３１の
表面にホトレジストマスク１３４を形成し、上記接地用
導電性被覆１５０ｂの表面にホトレジストマスク１５１
を形成する工程を示す。

【０１１４】図１４（ｅ）は、上記ホトレジストマスク
１５１により接地用導電性被覆１５０ｂおよび下地膜１
５０ａの不要な部分をエッチングして、接地膜１５０を
形成すると同時に、上記ホトレジスト膜１３４により導
電性被覆１３１をエッチングして、引き出し用配線１０
５を形成した後、該ホトレジストマスク１５１および１
３４を除去した工程を示す。

【０１１５】図１４（ｆ）は、上記引き出し用配線１０
５を表面に形成した上記ポリイミド膜１０４の表面とシ
リコン基板１０９との間にシリコーンゴム１０８を挟み
こんで、一体化する工程を示す。

【０１１６】図１４（ｇ）は、上記引き出し用配線１０
５の表面に接触端子１０３を形成する工程を示す。接触
端子１０３の形成は、例えば、図２６に示すような装置
を用いて、加熱した微粒子３５をガスと共にノズル３６
の先端部３６ｃより噴出して、引き出し用配線１０５表
面の所定の位置に接触端子１０３を個々に形成する。

【０１１７】図１５は、図４に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し用配線をポリイミド薄膜上に形成するための工程の
他の実施形態を示したものである。

【０１１８】図１５（ａ）は、ポリイミドシートの両側
に銅箔１３１ａおよび１３１ｂを形成したポリイミドシ
ート１０４を用いて接触端子を形成すべき位置にマスク
パターン１３５ａを形成する工程および銅箔１３１ｂの
表面に引き出し用配線１０５を形成するためのホトレジ
ストマスク１３４を形成する工程を示す。

【０１１９】図１５（ｂ）は、上記のマスクパターン１
３５ａにより、接触端子を形成すべき位置の銅箔をエッ
チングして、接地膜１５０を形成し、上記のホトレジス
トマスク１３４により引き出し用配線１０５をエッチン
グにより形成した後、マスクパターン１３５ａおよび１
３４を除去する工程を示す。

【０１２０】図１５（ｃ）は、上記引き出し用配線１０
５の表面を保護テープ１５２で覆った後、銅箔で形成し
た上記の接地膜１５０をマスクとして、接触端子を形成
すべき位置のポリイミドをエッチングする工程を示す。

【０１２１】図１５（ｄ）は、上記保護テープ１５２を
除去した後、引き出し用配線１０５を表面に形成した上
記ポリイミド膜１０４の表面とシリコン基板１０９との
間にシリコーンゴム１０８を挟みこんで、一体化する工
程を示す。その後の工程は、図１４（ｇ）と同様に実施
すればよい。

【０１２２】図１６は、図５に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し用配線をポリイミド薄膜上に形成するための製造プ
ロセスを工程順に示したものである。

【０１２３】図１６（ａ）は、銅箔１３１ａ、銅箔１３
１ｂおよびポリイミド膜１１３が一体膜となったシート
の銅箔１３１ａの表面にホトレジストマスク１３５ａを
形成し、銅箔１３１ｂの表面に保護テープ１５３を貼
り、該銅箔１３１ａをエッチングして、引き出し用配線
１１４を形成する工程を示す。ホトレジストマスク１３
５ａの形成およびパターニングは、次のように行う。ま
ず、銅箔１３１ａの表面に、感光性ポリイミドを塗布
し、配線パターンを露光、現像することにより、配線形
成用のホトレジストマスク１３５ａを形成し、該ホトレ
ジストマスク１３５ａを用いて、上記銅箔１３１ａをエ
ッチングすることにより、引き出し用配線１１４を形成
する。ここで、保護テープ１５３のかわりにホトレジス
トを用いてもよい。

【０１２４】図１６（ｂ）は、上記ホトレジストマスク
１３５ａを除去し、保護テープ１５３を除去した後、銅
箔１３１ｂの表面とシリコン基板１０９との間にシリコ
ーンゴム１０８を挟みこんで、一体化する工程を示す。

【０１２５】図１６（ｃ）は、上記引き出し用配線１１
４の表面に接触端子１０３を形成する工程を示す。接触
端子１０３の形成は、例えば、図２６に示すような装置
を用いて、加熱した微粒子３５をガスと共にノズル３６
の先端部３６ｃより噴出して、引き出し用配線１１４表
面の所定の位置に接触端子１０３を個々に形成する。

【０１２６】図１７は、図６に示す接続装置を形成する
ための製造プロセスのうち、特に、接触端子および引き
出し用配線をポリイミド薄膜上に形成するための製造プ
ロセスを工程順に示したものである。

【０１２７】図１７（ａ）は、図１０あるいは図１１に
示したと同様な工程で、図１０（ｂ）あるいは、図１１
（ｄ）に示した開口部１３３および引き出し用配線１０
５を形成したポリイミド膜１０４に、銅箔１２７を貼っ
たポリイミド膜１２８を貼り付けた工程を示す。

【０１２８】図１７（ｂ）は、銅箔１２７の表面とシリ
コン基板１０９との間にシリコーンゴム１０８を挟みこ
んで一体化した後、上記引き出し用配線１９５の表面に
接触端子１０３を形成する工程を示す。接触端子１０３
の形成は、例えば、図２６に示すような装置を用いて、
加熱した微粒子３５をガスと共にノズル３６の先端部３
６ｃより噴出して、引き出し用配線１０５表面の所定の
位置に接触端子１０３を個々に形成する。

【０１２９】図１８は、本発明の接続装置を用いた一実
施形態である検査装置の要部を示す説明図である。

【０１３０】本実施形態において、検査装置は、半導体
装置の製造におけるウエハプローバとして構成されてい
る。この検査装置は、被検査物を支持する試料支持系１
６０と、被検査物に接触して電気信号の授受を行なうプ
ローブ系１７０と、試料支持系１６０の動作を制御する
駆動制御系１７５と、測定を行なうテスタ１９０とで構
成される。なお、被検査物としては、半導体ウエハ１を
対象としている。この半導体ウエハ１の表面には、外部
接続電極としての複数の電極１ａが形成されている。

【０１３１】試料支持系１６０は、半導体ウエハ１が着
脱自在に載置される、ほぼ水平に設けられた試料台１６
２と、この試料台１６２を支持する、垂直に配置される
昇降軸１６４と、この昇降軸１６４を昇降駆動する昇降
駆動部１６５と、この昇降駆動部１６５を支持するＸ−
Ｙステージ１６７とで構成される。Ｘ−Ｙステージ１６
７、筐体１６６の上に固定される。昇降駆動部１６５
は、例えば、ステッピングモータなどからなる。Ｘ−Ｙ
ステージ１６７の水平面内における移動動作と、昇降駆
動部１６５による上下動などを組み合わせることによ
り、試料台１６２の水平および垂直方向における位置決
め動作が行われるものである。また、試料台１６２に
は、図示しない回動機構が設けられており、水平面内に
おける試料台１６２の回動変位が可能にされている。

【０１３２】試料台１６２の上方には、プローブ系１７
０が配置される。すなわち、当該試料台１６２に平行に
対向する姿勢で接続装置１７０ａおよび配線基板１０７
が設けられる。この接続装置１７０ａには、接触端子１
０３を有する絶縁フィルム１０４と、緩衝層１０８およ
び基板１０９が一体的に設けられている。各々の接触端
子１０３は、該接続装置１７０ａの絶縁フィルム１０４
に設けられた引き出し用配線１０５を介して、配線基板
１０７の下部電極１１０ａと、内部配線１０７ａとを通
して、該配線基板１０７に設けられた接続端子１０７ｂ
に接続されている。なお、本実施形態では、接続端子１
０７ｂは、同軸コネクタで構成される。この接続端子１
０７ｂに接続されるケーブル１７１を介して、テスタ１
９０と接続される。ここで用いられる接続装置は、図１
に示した構造のものであるが、これに限定されない。図
２〜図６に示す構造のものを用いることもできる。

【０１３３】駆動制御系１７５は、ケーブル１７２を介
してテスタ１９０と接続されている。また、駆動制御系
１７５は、試料支持系１６０の各駆動部のアクチュエー
タに制御信号を送って、その動作を制御する。すなわ
ち、駆動制御系１７５は、内部にコンピュータを備え、
ケーブル１７２を介して伝達されるテスタ１９０のテス
ト動作の進行情報に合わせて、試料支持系１６０の動作
を制御する。また、駆動制御系１７５は、操作部１７３
を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例え
ば、手動操作の指示を受け付ける。

【０１３４】以下、本実施形態の検査装置の動作につい
て説明する。試料台１６２の上に、半導体ウエハ１を固
定し、Ｘ−Ｙステージ１６７および回動機構を用いて、
該半導体ウエハ１に形成された電極１ａを、接続装置１
７０ａに形成された接触端子１０３の直下に位置決めす
るため、調整する。その後、駆動制御系１７５は、昇降
駆動部１６５を作動させ、試料台１６２を所定の高さま
で上昇させることによって、複数の接触端子１０３の各
々の先端を目的の半導体素子における複数の電極１ａの
各々に所定圧で接触させる。ここまでは、操作部１７３
からの操作指示に従って、駆動制御系１７５により実行
される。

【０１３５】この状態で、ケーブル１７１、配線基板１
０７、引き出し用配線１０５、および接触端子１０３を
介して、半導体ウエハ１に形成された半導体素子とテス
タ１９０との間で、動作電力や動作試験信号などの授受
を行い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別す
る。上記の一連の試験動作が、半導体ウエハ１に形成さ
れた複数の半導体素子の各々について実施され、動作特
性の可否などが判別される。

【０１３６】次に、本発明の接続装置を用いた一実施形
態である半導体素子のバーンイン工程での検査装置の一
例について説明する。

【０１３７】図１９は、本発明の接続装置を用いた一実
施形態である半導体素子のバーンイン工程での検査装置
の要部を示す斜視図、図２０は、バーンイン用の半導体
素子検査装置の断面図である。

【０１３８】本実施形態は、ウエハ状態の半導体素子に
電気および温度ストレスを高温状態で加え、半導体素子
の特性検査を実施するウエハプローバとして構成されて
いる。また、本実施形態は、一度に複数枚のウエハ１を
恒温槽（図示せず）に入れた状態で、特性検査が行なえ
るようになっている。

【０１３９】すなわち、本実施形態は、図２０に示すよ
うに、恒温槽（図示せず）に置かれる支持具２００に垂
直に取り付けられるマザーボード１８１と、これに垂直
に、すなわち、前記支持具２００に平行にマザーボード
１８１に取り付けられる複数の個別プローブ系１８０と
で構成される。

【０１４０】マザーボード１８１は、各個別プローブ系
１８０ごとに設けられるコネクタ１８３と、マザーボー
ド１８１を介して前記コネクタ１８３と通じているケー
ブル１８２とを有する。ケーブル１８２は、本実施形態
では図示していないが、前記図１８に示すテスタ１９０
と同様なテスタに接続される。

【０１４１】個別プローブ系１８０は、被検査物ごとに
設けられる。この個別プローブ系１８０は、上記した接
続装置１７０ａと、この接続装置が固定される配線基板
１０７と、被検査物である半導体ウェハ１を支持するウ
ェハ支持基板１８５と、このウェハ支持基板１８５が載
置され、個別プローブ系自体をマーザーボード１８１に
取り付けるための支持ボード１８４と、前記接続装置１
７０ａを半導体ウェハ１に当接させるための押さえ基板
１８６とを有する。

【０１４２】ウェハ支持基板１８５より上方にある各部
は、図１９に示す構造となっている。すなわち、ウェハ
支持基板１８５は、例えば、金属板で形成され、半導体
ウェハ１を着脱自在に収容するための凹部１８５ａと、
位置決めのためのノックピン１８７を有する。

【０１４３】接続装置１７０ａは、上述したように、絶
縁フィルム１０４、およびこれに設けられている接触端
子１０３群と、緩衝層１０８および基板１０９とで構成
される。この接続装置１７０ａは、配線基板１０７に搭
載され、各接触端子１０３から引き出される配線が、配
線１０７ｄを介して、コネクタ端子１０７ｃに接続され
る。このコネクタ端子１０７ｃは、前記コネクタ１８３
と嵌合するようになっている。

【０１４４】この接続装置１７０ａの上方には、押さえ
基板１８６が装着される。この押さえ基板１８６は、チ
ャネル状に形成され、そのチャネル１８６ａ内に、配線
基板１０７が収容される。また、この押さえ基板１８６
の周縁部には、前記ノックピン１８７と嵌合する穴１８
８が設けられている。

【０１４５】次に、本実施形態の測定動作について、説
明する。

【０１４６】ウエハ支持基板１８５の凹部１８５ａに、
半導体ウエハ１を固定し、ノックピン１８７を用いて、
該半導体ウエハ１に形成された各電極を、接続装置１７
０ａに形成された各接触端子１０３の直下に位置決めし
て、複数の接触端子１０３の各々の先端を、半導体素子
における複数の電極のうち目的の電極の各々に、所定圧
で接触させる。この状態で、ケーブル１８２、マザーボ
ード１８１、コネクタ１８３、配線基板１０７、絶縁フ
ィルム１０４に設けられた図１９には示していない引き
出し用配線１０５、および、接触端子１０３を介して、
半導体ウエハ１に形成された半導体素子とテスタとの間
で、動作電力や動作試験信号などの授受を行い、当該半
導体素子の動作特性の可否などを判別する。上記の一連
の操作が、恒温槽（図示せず）内に設置された支持具２
００に固定されたマザーボード１８１に固定されたウエ
ハ支持基板１８５に搭載された半導体ウエハ１の各々に
ついて実施され、動作特性の可否などが判別される。

【０１４７】なお、接続装置の接触端子を電極に接触さ
せる場合、上記実施形態では、接触端子と電極とを一対
一対応に接続させているが、これに限られない。すなわ
ち、１の電極について、複数個の接触端子を接触させる
ようにしてもよい。これにより、より確実な接触を確保
できる。

【０１４８】また、上記接続装置の接触端子の先端位置
を、製造時の温度と実使用時での温度との差を考慮し
て、製造時に材料間の線膨張率の差による先端位置の変
位をあらかじめ設計値に入れて設計したホトレジストマ
スクを用いて接触端子を形成することにより、高温でも
接触端子の先端位置精度が極めて良好な接続装置が実現
できる。

【０１４９】なお、これまで述べた例では、接触端子と
して設けられたものは、全て配線が接続され、有効に使
用できるものである。しかし、配線が接続されない、単
なる突起としてのみ機能するダミー接触端子を設けるこ
とができる。すなわち、接触端子の高さと同じか、また
は、適宜に設定した高さで、ダミーの接触端子を、必要
に応じて適度に配置することができる。これにより、接
触端子の高さばらつき、または、被接触対象への押し付
け圧力の調整が容易になり、接触特性および信頼性を向
上することができる。

【０１５０】以上に説明した各実施形態は、半導体素子
を形成したウエハを一括して検査する検査装置を例にし
ているが、本発明は、これに限定されない。ウエハに形
成された個別あるいは複数の半導体素子の検査用の装置
として構成してもよいし、ウエハをダイシングした後の
チップ単位の半導体素子の検査用の装置として構成して
もよいし、モールドしたチップの検査用の装置として構
成してもよい。

【０１５１】また、上記の各実施形態では、基板１０９
を介して配線基板に接続装置を搭載しているが、基板を
介さずに、緩衝層を介して絶縁フィルムを配線基板に固
定するようにしてもよい。

【０１５２】

【発明の効果】本発明によれば、エッチング工程を用い
ずに形成された先端の尖った接触端子を有する接続装置
が実現できる。また、接触面の高さの相違に応じた高さ
を有する、先端の尖った複数の接触端子を実現すること
ができる。

【０１５３】本発明によれば、接続装置の製造に際し
て、先端の尖った接触端子をエッチング工程を用いずに
形成することができる。また、先端の尖った複数の接触
端子をそれぞれ任意の高さで形成することができる。

【０１５４】さらに、本発明によれば、エッチング工程
を用いずに形成された先端の尖った接触端子を有する検
査装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接続装置の第１実施形態の要部を示す
断面図である。

【図２】本発明の接続装置の第２実施形態の要部を示す
断面図である。

【図３】本発明の接続装置の第３実施形態の要部を示す
断面図である。

【図４】本発明の接続装置の第４実施形態の要部を示す
断面図である。

【図５】本発明の接続装置の第５実施形態の要部を示す
断面図である。

【図６】本発明の接続装置の第６実施形態の要部を示す
断面図である。

【図７】図７（ａ）は、本発明に関わる接続装置の接触
端子および引き出し用配線を形成したポリイミド膜の一
実施形態を示す平面図、図７（ｂ）は、斜視図である。

【図８】図８（ａ）は、本発明に関わる接続装置の接触
端子および引き出し用配線を形成したポリイミド膜の一
実施形態を示す平面図、図８（ｂ）は、斜視図である。

【図９】図９（ａ）は、本発明に関わる接続装置の接触
部の代表的な寸法を示す断面図、図９（ｂ）は、接触部
の他の実施形態を示す断面図、図９（ｃ）は、接触部の
他の実施形態を示す断面図である。

【図１０】図１０（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの一実施形態の工程を示
す断面図である。

【図１１】図１１（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態の工程を
示す断面図である。

【図１２】図１２（ａ）−（ｃ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態を示す断
面図である。

【図１３】図１３（ａ）−（ｇ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態を示す断
面図である。

【図１４】図１４（ａ）−（ｇ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態を示す断
面図である。

【図１５】図１５（ａ）−（ｄ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態を示す断
面図である。

【図１６】図１６（ａ）−（ｃ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態を示す断
面図である。

【図１７】図１７（ａ）−（ｂ）は、本発明に関わる接
続装置を形成する製造プロセスの他の実施形態を示す断
面図である。

【図１８】半導体素子検査装置の駆動部の構成図であ
る。

【図１９】バーンイン用の半導体素子検査装置の要部を
示す斜視図である。

【図２０】バーンイン用の半導体素子検査装置の断面図
である。

【図２１】ウエハの斜視図および半導体素子の斜視図で
ある。

【図２２】従来の検査用プローブの断面図である。

【図２３】従来の検査用プローブの平面図である。

【図２４】従来のめっきによるバンプを用いた半導体素
子検査装置の要部断面図である。

【図２５】図２４のめっきによるバンプ部分を示す斜視
図である。

【図２６】本発明の接続装置の接触端子を形成するため
の装置の構造概略図である。

【図２７】エッチング法により形成される接続端子の構
造を示す断面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ、１ａ…電極、２…半導体素子、３…電極、
４…プローブカード、５…プローブ、１０…接触端子、
１１…絶縁フィルム、１２…めっき、１３…引き出し用
配線、１４…配線基板、１４ａ…電極、１５…緩衝層、
１６…シリコンウエハ、１９…はんだ、２０…誘電体
膜、２１…配線、２２…スルーホール、２３…バンプ、
２４…配線基板、２５…板ばね、３０…蒸発室、３１…
真空ポンプ、３１ａ…バルブ、３２…ガス源、３３…金
属、３４…蒸発源、３５…微粒子、３６…ノズル、３６
ａ…加熱コイル、３６ｂ…基端部、３６ｃ…先端部、３
７…真空ポンプ、３７ａ…バルブ、３８…接触端子形成
室、３９…引き出し用配線、４０…絶縁膜、４１…突
起、４２…試料保持部、４３…駆動機構、４３ａ…Ｘ−
Ｙステージ、４３ｂ…Ｚ軸駆動機構、４３ｃ…駆動制御
系、１０１…ＬＳＩ形成ウエハの領域、１０２…切れ
目、１０３…接触端子、１０４…絶縁フィルム、１０４
ａ…絶縁フィルムの周縁部、１０５…引き出し用配線、
１０５ａ…端子部、１０７…配線基板、１０７ａ…内部
配線、１０７ｂ…接続端子、１０７ｃ…コネクタ端子、
１０７ｄ…配線、１０８…緩衝層、１０９…基板、１１
０ａ…電極、１１１…はんだ、１１２…接続端子、１１
３…絶縁フィルム、１１４…引き出し用配線、１１５…
ビア、１１６…シリコンウエハ、１１７…二酸化シリコ
ン膜、１１８…配線、１１９…接触端子、１２０…引き
出し用配線、１２１…はんだ、１２２…ポリイミド膜、
１２５…導体膜、１２６…導体膜、１２７…導体膜、１
２８…ポリイミド膜、１３０…ポリイミド膜、１３１…
導電性被覆、１３１ａ…銅箔、１３１ｂ…銅箔、１３２
…マスクパターン、１３３…開口部、１３４…ホトレジ
ストマスク、１３５ａ…ホトレジストマスク、１３５ｂ
…マスク、１３６…銅箔、１３７…ホトレジストマス
ク、１４０…シリコンウエハ、１４１ａ…二酸化シリコ
ン膜、１４１ｂ…二酸化シリコン膜、１４２ａ…下地
膜、１４２ｂ…導電性被覆、１４３…ホトレジストマス
ク、１４４…開口部、１４５…ホトレジストマスク、１
４６…エッチング穴、１５０…接地膜、１５０ａ…下地
膜、１５０ｂ…導電性被覆、１５１…ホトレジストマス
ク、１５２…保護テープ、１５３…保護テープ、１６０
…試料支持系、１６２…試料台、１６４…昇降軸、１６
５…昇降駆動部、１６６…筐体、１６７…Ｘ−Ｙステー
ジ、１７０…プローブ系、１７０ａ…接続装置、１７
１、１７２…ケーブル、１７３…操作部、１７５…駆動
制御系、１８０…個別プロ−ブ系、１８１…マザ−ボ−
ド、１８２…ケ−ブル、１８３…コネクタ、１８４…支
持ボ−ド、１８５…ウエハ支持基板、１８５ａ…ウエハ
支持基板の凹部、１８６…押え基板、１８６ａ…チャン
ネル、１８７…ノックピン、１８８…ノックピンと嵌合
する穴、１９０…テスタ、２００…支持具。

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査対象と電気的に接触して、電気信号
   を授受するための接続装置であって、 検査対象と電気的に接触するための複数個の接触端子
   と、 各接触端子から引き出される引き出し用配線とを備え、 前記接触端子は、先端が尖った形状の突起状の構造であ
   り、該突起は、導電性の微粒子を吹き付けて形成された
   ものであることを特徴とする接続装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の接続装置において、絶
   縁膜をさらに有し、前記引き出し用配線は、該絶縁膜上
   に形成され、前記接触端子は、前記引き出し用配線から
   突出する形状で形成される接続装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の接続装置において、前
   記接触端子は、前記絶縁膜を貫通して該絶縁膜表面から
   先端が突出して形成される接続装置。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の接続装置おいて、前記
   接触端子および前記引き出し用配線を設けた前記絶縁膜
   の反対面に導電性被覆を形成することを特徴とする接続
   装置。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の接続装置おいて、前記
   引き出し用配線を設けた前記絶縁膜の反対面に導電性被
   覆を形成することを特徴とする接続装置。
6. 【請求項６】 請求項２および請求項３のいずれか一項
   に記載の接続装置において、緩衝層と基板とをさらに有
   し、前記絶縁膜は、緩衝層を挟んで基板と固定される接
   続装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の接続装置おいて、配線
   基板をさらに有し、前記引き出し用配線と配線基板との
   配線とが接続される接続装置。
8. 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６および７
   のいずれか一項に記載の接続装置において、前記複数個
   の接触端子の内の一部の接触端子は、異なる高さの突起
   を有することを特徴とする接続装置。
9. 【請求項９】 請求項２に記載の接続装置において、前
   記引き出し用配線の接触端子を設けるべき位置に、複数
   個の接触端子が設けられていることを特徴とする接続装
   置。
10. 【請求項１０】 検査対象と電気的に接触して、電気信
    号を授受するための接続装置であって、 検査対象と電気的に接触するための少なくとも１個の接
    触端子を有し、 前記接触端子は、先端が尖った形状の突起状の構造であ
    り、該突起は、導電性の微粒子を吹き付けて形成された
    ものであることを特徴とする接続装置。
11. 【請求項１１】 検査対象と電気的に接触して、電気信
    号を授受するための接続装置であって、 検査対象と電気的に接触するための少なくとも１個の接
    触端子と、 前記接触端子から引き出される引き出し用配線とを有
    し、 前記接触端子は、先端が尖った形状の突起状の構造であ
    り、該突起および前記引き出し用配線は、導電性の微粒
    子を吹き付けて形成されたものであることを特徴とする
    接続装置。
12. 【請求項１２】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
    ９、１０および１１のいずれか一項に記載の接続装置に
    おいて、前記接触端子は、いずれも、その高さが、底面
    の任意位置での幅より大きい形状を有することを特徴と
    する接続装置。
13. 【請求項１３】 接触端子を有し、該接触端子を検査対
    象と電気的に接触させて電気信号を授受する接続装置を
    製造するための方法であって、 絶縁膜に引き出し用配線を形成する工程と、 前記引出し用配線上の予め定めた複数箇所のそれぞれ
    に、接触端子を形成する工程とを有し、 前記接触端子を形成する工程は、接触端子を形成すべき
    箇所に導電性の微粒子を吹き付けて、該導電性微粒子を
    堆積させ、接触端子用の先端が尖った形状の突起をそれ
    ぞれ形成することを特徴とする接続装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の製造方法におい
    て、前記接触端子を形成する工程の前または後に、前記
    絶縁膜を緩衝層を介して基板に固定する工程を有するこ
    とを特徴とする接続装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１３および１４のいずれか一項
    に記載の製造方法において、前記接触端子を形成する工
    程は、前記接触端子用の先端が尖った形状の突起を形成
    した後、該突起に、めっき膜を成膜することを特徴とす
    る接続装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 請求項１３に記載の製造方法におい
    て、前記接触端子を形成する工程は、各接触端子の形成
    すべき突起の大きさに応じて、条件を異ならせて導電性
    の微粒子を吹き付けることを特徴とする接続装置の製造
    方法。
17. 【請求項１７】 多数の電極が配置された検査対象の各
    電極に接触して、電気信号を授受して検査を行う検査装
    置において、 検査対象物を変位自在に支持する試料支持系と、 接続装置を有し、該接続装置の接触端子のある面が、試
    料支持系の検査対象物と対向するように配置されるプロ
    ーブ系と、 前記試料支持系の検査対象の変位駆動を制御する駆動制
    御系と、 前記プローブ系と接続されて検査を行うテスタとを備
    え、 前記接続装置は、 検査対象と電気的に接触するための複数個の接触端子
    と、 各接触端子から引き出される引き出し用配線と、 緩衝層および基板と、 配線基板とを有し、 前記絶縁膜は、緩衝層を挟んで基板と固定され、前記引
    き出し用配線と配線基板との配線とが接続されることを
    特徴とする検査装置。
18. 【請求項１８】 多数の電極が配置された検査対象の各
    電極に接触して、電気信号を授受して検査を行う検査装
    置において、 検査対象物を支持する試料支持部、および、接続装置を
    有し、該接続装置は、その接触端子のある面が、試料支
    持部の検査対象物と対向するように配置される、少なく
    とも１の個別プローブ系と、 前記個別プローブ系と接続されて検査を行うテスタとを
    備え、 前記接続装置は、 検査対象と電気的に接触するための複数個の接触端子
    と、 各接触端子から引き出される引き出し用配線と、 緩衝層および基板と、 配線基板とを有し、 前記絶縁膜は、緩衝層を挟んで基板と固定され、前記引
    き出し用配線と配線基板との配線とが接続されることを
    特徴とする検査装置。
19. 【請求項１９】 多数の電極が配置された検査対象の各
    電極に接触して、電気信号を授受して検査を行う検査装
    置において、 検査対象物を支持する試料支持部、および、接続装置を
    有し、該接続装置は、その接触端子のある面が、試料支
    持部の検査対象物と対向するように配置される、少なく
    とも１の個別プローブ系と、 前記個別プローブ系と接続されて検査を行うテスタとを
    備え、 前記接続装置は、 検査対象と電気的に接触するための複数個の接触端子
    と、 各接触端子から引き出される引き出し用配線と、 緩衝層および基板と、 配線基板とを有し、 前記絶縁膜は、緩衝層を挟んで基板と固定され、前記引
    き出し用配線と配線基板との配線とが接続され、 前記個別プローブ系は、マザーボードに装着され、該マ
    ザーボードを介して、テスタと接続されることを特徴と
    する検査装置。
20. 【請求項２０】 請求項１７、１８および１９のいずれ
    か一項に記載の検査装置おいて、 前記複数個の接触端子の内の一部の接触端子は、異なる
    高さの突起を有することを特徴とする検査装置。