JP2004144742A - プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】狭ピッチに形成された複数の半導体素子を一括して検査することが困難である。
【解決手段】本発明は、狭ピッチに形成された検査対象物の電極と電気的に接触する第一の接触端子と、該第一の接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接触する第二の接触端子を有し、該第一の接触端子は結晶性を有する部材のエッチング穴を用いて形成したプローブカード（プローブシート）およびそれを用いた半導体装置の検査方法（製造方法）である。
【選択図】　図２

Description

　本発明は、プローブカード、および半導体検査装置および半導体装置の製造方法に関する。

　半導体素子回路をウエハに形成後に行う半導体装置の製造工程のうち、主に検査工程の流れの一例を、代表的な半導体装置の出荷形態であるパッケージ品、ベアチップおよびＣＳＰを例にして、図２１に示した。

　半導体装置の製造工程では、図２１に示したように大きく分けて次の３つの検査が行われる。まず、ウエハに半導体素子回路および電極を形成したウエハ状態で行われ、導通状態および半導体素子の電気信号動作状態を把握するウエハ検査、続いて半導体素子を高温や高印加電圧等の状態において不安定な半導体素子を摘出するバーンイン検査、そして半導体装置を出荷する前に製品性能を把握する選別検査である。

　このような半導体装置の検査に用いられる装置（半導体検査装置）の従来技術として、特許文献１がある（以下、従来技術１という）。この技術は、両端にピン（可動ピン）を有するスプリングプローブを用いるものである。すなわち、スプリングプローブの一端側の可動ピンを検査対象物（例えばウエハ状態の半導体素子）の電極に接触させて、他端側の可動ピンを測定回路側の基板に設けられた端子に接触させて、電気的接続を取り検査を行うものである。

　また、他の従来技術として、特許文献２がある（以下、従来技術２という）。この技術は、シリコンの異方性エッチングによる穴を型材として形成した接触端子を検査対象物の電極に接触させることにより、電気的接続を取り検査を行うものである。
特開昭６４−７１１４１号公報（特願昭６２-２２６３５１） 特開平８−５０１４６号公報（特願平７-９５５２４）

　しかし、上記従来技術１では、接触端子を機械的な構造（可動ピンを有するスプリングプローブ）で形成するため、狭ピッチに配置された半導体素子の電極に対応することができないという課題がある。

　一方、上記従来技術２では、接触端子はシリコンのエッチング穴を用いて形成するため、狭ピッチに形成された半導体素子の電極に対応することができる。従って、この構造によりウエハの半導体素子の一つを検査することに問題はない。

　しかし、検査対象となる電極数が増えた場合、例えばウエハ状態の複数の半導体素子を同時に検査する場合、接触端子から配線基板に引き回す配線の形成が困難になる。具体的には、接触端子の数が増えれば、当然接触端子から多層配線基板に引き回す配線の数も増加する。対応として、各接触端子からの配線が短絡しないように配線層を多層にすることが考えられるが、接触端子は配線層の上に形成されており、配線層を何層も形成することは製造工程が複雑になり、技術的な困難性が増す。

　本発明の目的は、狭ピッチの電極構造を有する複数の半導体素子を一括して検査できる検査装置を提供することである。

　本発明の他の目的は、半導体装置の検査工程のコストを抑えることにより、半導体装置全体の製造コストを抑え、またスループットを向上させた半導体装置の製造方法を提供することである。

　上記いずれかの目的を達成するために、本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば次のとおりである。
（１）プローブシートであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、該電極パッドのピッチは、該接触端子のピッチよりも広くしたことを特徴とするプローブシート。
（２）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極のピッチは、該接続端子のピッチよりも広くしたことを特徴とするプローブカード。
（３）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、該多層配線基板の電極は、該多層配線基板の素子対向領域に設けられており、該接触端子のピッチよりも広いピッチで設けられていることを特徴とするプローブカード。
（４）ウエハを載せる試料台と、該ウエハに形成された半導体素子の電極と接触する接触端子を有し、かつ該半導体素子の電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されたプローブカードとを有する半導体検査装置であって、該プローブカードは、該接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極のピッチは、該接続端子のピッチよりも広くしたことを特徴とする半導体検査装置。
（５）ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該半導体素子の電気的特性を検査する工程と、該ウエハをダイシングし、該半導体素子ごとに分離する工程を有する半導体装置の製造方法であって、該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、該半導体素子の電極に接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続され、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極が該ウエハに対向する面に設けられ多層配線基板を有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。

　本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）狭ピッチの電極構造を有する複数の半導体素子を一括して検査できるプローブカードを提供することができる。
（２）半導体装置全体の製造コストを抑え、またスループットを向上させた半導体装置の製造方法を提供することができる。

　以下、発明の実施の形態を、図面を用いて詳しく説明する。なお、発明の実施の形態を説明するために添付する各図面において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

　本明細書中では、主な用語を次のように定義する。半導体装置とは、その形態に関わらず、回路が形成されたウエハ状態のものであっても、半導体素子であっても、その後パッケージされたもの（QFP、BGA、CSP等）でも構わない。プローブシートとは、検査対象と接触する接触端子とそこから引き回された配線が設けられ、該配線に外部接続用の電極が形成された薄膜をいい、厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度のものを対象としている。プローブカードとは、検査対象と接触する端子、多層配線基板等を有する構造体（例えば、図２に示す構造体）を示す。半導体検査装置とは、プローブカードと検査対象を載せる試料支持系を有する検査装置を示す。

　被検査対象の一例であるＬＳＩ用の半導体素子（チップ）２は、図１に示すようにウエハ１に多数個形成され、その後切り離されて使用に供される。図１（ａ）はＬＳＩ用の半導体素子２が多数並設されたウエハ１を示す斜視図であり、図１（ｂ）は１個の半導体素子２を拡大して示した斜視図である。半導体素子２の表面には、周辺に沿って多数の電極３が配列されている。

　ところで、半導体素子は高集積化に伴って上記電極３が高密度化および狭ピッチ化が更に進む状況にある。電極の狭ピッチ化としては、０．１ｍｍ程度以下で、例えば、０．０８ｍｍ、０．０５ｍｍ、それ以下となってきており、電極の高密度化としては、周辺に沿って、１列から２列へ、更に全面に配列される傾向となってきている。

　また、半導体素子を高温で動作試験することにより、半導体素子の特性および信頼性をより明確に把握する高温動作試験（８５℃〜１５０℃）が実施される傾向となってきている。

　本発明に係る半導体検査装置は、上記電極の高密度化及び狭ピッチ化に対応でき、なおかつ、多数個チップ同時プロービングによる検査、高速電気信号（１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ）による検査を可能にするものである。

　また、半導体検査装置におけるプローブカードの一部の構成材料として、１５０℃の耐熱性があり、かつ線膨張率が被検査対象と同程度の材料を用いることにより、雰囲気温度によるプローブ先端部の位置ずれを防止するものである。

　本発明に係るプローブカードの構造について説明する。

　図２は、本発明に係るプローブカードの第一実施例の要部、及びウエハ面の電極群と検査装置の接触群との間で若干傾斜がある場合のプロービング時の動作について段階をおって示したものである。図２（ａ）は、プロービング動作直前の検査装置の状態を示し、図２（ｂ）は、初期的にウエハ面の傾きに倣った検査装置の状態を示し、図２（ｃ）は、所望の荷重をウエハ面に加えて電気特性検査を実施する検査装置の状態を示す断面図である。

　図２（ａ）は、プロービング動作直前の検査装置の状態を示している。

　押え部材保持基板１１ａを挟むようにスプリングプローブ位置決め上部基板１１ｂおよびスプリングプローブ位置決め下部基板１１ｃが固定された押え部材１１にスプリングプローブ１２が挿入され、該スプリングプローブ１２の一端は多層配線基板５０の電極５０ａに接続され、他端はプローブシート４の電極４ｄの真上に位置決めされている。また、プローブシート４の周囲に固着されたプローブシート枠５がプローブシート保持基板６に固定されている。

　ここで、プローブシート４の平行出しおよび加圧機構部は、多層配線基板５０に固定設置された仮平行出し支え部材（下）７に複数の補助ばね２０で押し付けられたプローブシート保持基板６、および多層配線基板５０に固定設置された仮平行出し支え部材（上）１０に複数の主ばね２１で押し付けられた押え部材保持基板１１ａから構成され、押え部材１１に挿入されたスプリングプローブ１２は、プローブシート４の電極４ｄの真上に位置決めされた状態で、電極４ｄには接触していない状態に保持されている。ただし、電極４ｄに軽く接触した状態にしてもよいことはいうまでもない。

　図２（ｂ）は、次の段階として、プローブシート4が傾きを有したウエハ１の面に押し付けられることにより、このプローブシート4の初期的な変動がプローブシート枠５を介してプローブシート保持基板６に伝わり、一部の補助ばね２０を若干押し上げてウエハ１の傾斜に倣った状態を示している。この状態で全接触端子がウエハの電極に接触した状態となる。ここで、補助ばね２０のばね圧を極力小さく（例えば１Ｎ程度）することにより、最初に接触し始める接触端子群への荷重の負担を少なくするとともに、低荷重で全接触端子が電極に接触した状態を実現することができる。

　図２（ｃ）は、最終段階として、所望の荷重をウエハ１の面に加えて電気特性検査を実施する試験装置の状態を示す。この状態では、主ばね２１、補助ばね２０、およびスプリングプローブ１２の合計荷重が全接触端子に加わり、スプリングプローブ１２は、プローブシート４の電極４ｄに接触した状態となり、ウエハ１の電極３に接触した接触端子４ａ、接続電極部４ｂ、ピッチ拡大配線４ｃ、電極４ｄ、スプリングプローブ１２、電極５０ａ、内部配線５０ｂ、電極５０ｃを通じて半導体素子の電気的特性の検査を行うテスタ（図示せず）との間で検査用電気信号の送受信が実施される。

　なお、上記多層配線基板５０の電極５０ａと電極５０ｃとの電気的接続には、半導体装置の検査信号の乱れを防止するためのコンデンサ及び抵抗、不良半導体素子の過電流を遮断するためのヒューズ等の基板搭載部品５１を介して接続する。ここで、ヒューズは、上記効果を得る為、各電極又は各半導体素子に対し一個ずつ設けても、複数の電極又は半導体素子を群にして１個ずつ設けてもよい。接触端子からほぼ垂直に配線（第一実施例ではスプリングプローブ）を引き出し、多層配線基板に設けられた電極５０ａと接続される本構造においては、ウエハ１の電極３の真近に上記基板搭載部品５１を配置でき、電極３から基板搭載部品５１までの距離が短くなるため、信号の安定化を図ることができ、高速電気信号にも対応できる。電極５０ａは、多層配線基板の素子対向領域に形成されていることが望ましい。ここで、多層配線基板の素子対向領域とは、多層配線基板のうち、プローブシートの上部、若しくは、ウエハに形成され、検査対象となる半導体素子の上部又はその付近に対応する領域をいう。

　なお、補助ばね２０および主ばね２１は、適度なスプリング圧を有するスプリングプランジャーあるいはスプリングプローブあるいはスプリング等を用いればよい。また、弾性力を付加するためにプローブシート４上にエラストマ４ｅを用いてもよいことはいうまでもない。

　ここで、上述したプローブシート４の配線パターンについて、図３を用いて説明する。

　図３は、接触端子４ａおよび接続電極部４ｂおよびピッチ拡大配線４ｃおよび垂直引き出し用の電極４ｄ（スプリングプローブあるいはワイヤープローブ等の接続電極）を形成したプローブシートの配線パターンの一例を示したものである。
図３（ａ）は、半導体素子２（チップ）毎に独立して上記配線パターンを形成した例であり、図３（ｂ）は半導体素子２をまたがって上記配線パターンを形成した例である（参考までに、プローブシート４上に半導体素子２に対応する領域を記載してある）。

　いずれも垂直引き出し用の電極（電極パッド）４ｄのピッチを接触端子４ａのピッチよりも広くしたことに特徴を有するものである。このピッチが拡大された電極４ｄに垂直引き出し用の接続部（スプリングプローブあるいはワイヤープローブ等）で電気的接続をとる構成にすることにより、テスタへの配線引き回しが容易になり、狭ピッチ、高密度の電極を有する半導体素子にも適用することができる。

　ここで、半導体素子２の電極配列の変更や試験に必要な電極パッド数の変更に容易に対応できるように、プローブシートに予備の電極１０６を想定し、それらの電極に対応する想定位置に、スプリングプローブ位置決め上部基板１１ｂおよびスプリングプローブ位置決め下部基板１１ｃにあらかじめ予備のスプリングプローブやワイヤープローブの挿入用の穴を設けておいてもよい。また、本実施例では、電極の配列パターンを正方格子状に設けてあるが、これに限定されるものではなく、三角格子状、六角格子状等種々変更可能である。さらに、グランド系の電極に対し、信号系の電極を外側に配置したり、複数のグランド系電極（又は電源系電極）のいくつかを纏めて一つの電極にまとめたりしてもよい。

　プローブシート４に設けられた接触端子４ａとして、結晶性を有する部材の異方性エッチングによる穴を利用して形成された角錐状又は角錐台状の接触端子を用いる。これにより、小さな針圧（電極との接触圧は１ピン当たり３〜５０ｍＮ程度）で安定した接触抵抗（０．０５Ω〜０．１Ω程度）を確保でき、チップへのダメージを防止できると共に、検査時に生じる半導体素子への圧痕を小さくすることができる。なお、接触端子４ａ、プローブシート４についての詳細は、その製造方法と共に後述する。

　図３に示した配線パターンを有したプローブシート４を、図２に示した押圧機構に取り付けて、プローブカードが完成する。即ち、図４に示したように、まず押え部材保持基板１１ａを挟むようにスプリングプローブ位置決め上部基板１１ｂおよびスプリングプローブ位置決め下部基板１１ｃをノックピン１６で位置決めして固定された押え部材１１に、スプリングプローブ１２を挿入し、該押え部材１１を仮平行出し支え部材（上）１０で内包して、該仮平行出し支え部材（上）１０を多層配線基板取り付け固定板１５に固定する。次に、プローブシート４のプローブシート枠５にプローブシート保持基板６を仮平行出し支え部材（下）７で内包して、該仮平行出し支え部材（下）７を多層配線基板取り付け固定板１５に固定する。次に、該固定板１５をノックピン１６で位置決めしながら、多層配線基板５０に固定する。その後、補助ばね２０および主ばね２１を多層配線基板取り付け固定板１５に所望の初期荷重となるように固定してプローブカードを構成する。

　次に、本発明に係るプローブカードの第二実施例について図５を用いて説明する。本実施例は、図２のスプリングプローブ１２の代わりにワイヤープローブ１２ａを用いた例である。引き出し用の接続部にワイヤを用いることで、スプリングプローブ自体の幅により限界が生じる第一実施例よりも狭ピッチに配置でき、更なる半導体素子電極３の高密度化にも対応しうる。ウエハ１面の電極群３とプローブカードの接触端子群４ａとの間で若干傾斜がある場合のプロービング時の動作は、図２の説明と同様であるため省略する。

　図６は、本発明に係るプローブカードの第三実施例の要部を示す断面図である。プローブシート４上の引き出し用電極４ｄから多層配線基板５０の電極５０ａへは、ボンディングワイヤー５５により導通を確保する。ボンディングワイヤー５５は、例えば金線あるいは絶縁材料で被覆された金線を用いればよい。

　プローブカードの可動部は、プローブシート４をプローブシート枠５を介してプローブシート保持基板６ａに固定し、該プローブシート保持基板６ａを多層配線基板５０に固定設置された仮平行出し支え部材（下）７ａに複数の補助ばね２０で押し付け、プローブシート保持基板６ａの中央に設置して多層配線基板５０に固定設置された主ばね（センターピボット）２１ａから構成される。ここで、上記主ばね２１ａの先端を、上記プローブシート保持基板６ａの上面から若干（０．０５ｍｍ程度）間隔をあけておくことにより、初期の倣い動作時に全接触端子がウエハ面の電極群に接触する以前に、接触端子群の一部に主ばね２１ａの荷重がかかって一部の接触端子群に集中荷重がかかることを防ぐことができる。

　ウエハ面の電極群とプローブカードの接触端子群との間で若干傾斜がある場合のプロービング時の動作は、プローブシート4が傾きを有したウエハ１の面に押し付けられることにより、このプローブシート4の初期的な変動がプローブシート枠５を介してプローブシート保持基板６ａに伝わり、一部の補助ばね２０を若干押し上げてウエハ１の傾斜に倣うことにより、全接触端子がウエハの電極に接触した状態となる。ここで、補助ばね２０のばね圧を極力小さく（例えば１Ｎ程度）することにより、最初に接触し始める接触端子群への荷重の負担を少なくするとともに、低荷重で全接触端子が電極に接触した状態を実現することができる。

　さらにプローブシート4を規定値（オーバードライブ量）押し込むことにより、主ばね２１ａ、補助ばね２０の合計荷重（所望の荷重）が全接触端子に加わる。この状態で、ウエハ１の電極３に接触した接触端子４ａ、ピッチ拡大配線４ｃ、電極４ｄ、ボンディングワイヤー５５、電極５０ａ、内部配線５０ｂ、電極５０ｃを通じてテスタ（図示せず）との間で検査用電気信号の送受信が実施される。

　図７は、本発明に係るプローブカードの第四実施例の要部を示す断面図である。プローブカードの第一実施例と異なるところは、スプリングプローブ１２の一端が、図２の多層配線基板５０の電極５０ａに代わり、電極固定基板６０に形成された電極６０ａに接触されている点である。この構成では、電極６０ａから引き出し線６０ｂを介して、該電極固定基板６０が固定されている多層配線基板５０の電極５０ｄにはんだ付け等によって配線される。これにより、引き出し線６０ｂと多層配線基板５０の電極５０ｄとの接続を変更することができ、プローブシート４の配線パターン毎に多層配線基板５０を専用に製作する必要はなく、共通的に使用することが可能となり、コストの低減が図れる。また、スプリングプローブ１２は取り外し可能であるため、プローブシート４の配線パターンに柔軟に対応できる。引き出し線６０ｂは、銅を芯線とするエナメル線あるいは金のボンディングワイヤーであっても、同軸ケーブルであってもよい。

　ここで、スプリングプローブ１２に代えて、ワイヤープローブ１２ａを用いてもよい。これにより、多層配線基板５０の共通化によるコスト低減のほか、更なる検査素子の高密度化に対応できる。

　図８は、本発明に係るプローブカードの第五実施例の要部を示す断面図である。プローブシート４上の引き出し用電極４ｄから多層配線基板５０の電極５０ｄへは、一端をプローブシート４の電極４ｄに接続したボンディングワイヤー５５ａの他端を配線シート６２の電極６２ａに接続し、該配線シート６２の内部配線６２ｂを介した電極６２ｃに引き出し線６０ｂを接続して、該配線シート６２が固定されている多層配線基板５０の電極５０ｄに接続される構成である。この構成によれば、引き出し線６０ｂと多層配線基板５０の電極５０ｄとの接続変更が可能であり、多層配線基板５０を共通的に使用することが可能となる。引き出し線６０ｂは、金のボンディングワイヤーあるいは銅を芯線とするエナメル線であっても、同軸ケーブルであってもよい。

　プローブカードの可動部は、図６に示すプローブカードの第三実施例とほぼ同様の構成であるが、仮平行出し支え部材（下）７ａが多層配線基板５０ではなく、別途設けられた固定基板６１により固定設置されている点で異なる。

　図９は、本発明に係るプローブカードの第六実施例の要部を示す断面図である。検査用信号配線の接続方法は、図７に示した方法と同様である。図７の主ばね２１による押圧機構にかえて板ばね２１ｂを用いて、該板ばね２１ｂの一端を電極６０ａの電極固定基板６０に、該板ばね２１ｂの他端を補助ばね２０および仮平行出し支え部材（上）１０を固定して多層配線基板５０に固定されている板ばね固定基板６５に固定した構造である。

　ここで、スプリングプローブ１２の代わりにワイヤープローブ１２ａを用いてもよい。

　次に、前記プローブカードにて用いられるプローブシート（構造体）の一例について、その製造方法を図１０、図１１を参照にし、説明する。

　図１０は、図２に示すプローブカードを形成するための製造プロセスのうち、特に、型材であるシリコンウエハ８０に異方性エッチングで形成した角錐台状の穴を用いて、角錐台状の接触端子先端部をピッチ拡大用の配線に形成し、金属膜をポリイミド接着シートで接合して該金属膜を加工して引き出し電極を形成した金属膜強化薄膜プローブシートを形成する製造プロセスを工程順に示したものである。

　まず図１０（ａ）に示す工程が実行される。この工程は、厚さ０．２〜０．６ｍｍのシリコンウエハ８０の（１００）面の両面に熱酸化により二酸化シリコン膜８１を０．５μｍ程度形成し、ホトレジスト８５を塗布し、フォトリソグラフィ工程によりパターンを形成した後、ホトレジスト８５をマスクとし、二酸化シリコン膜８１をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチング除去することで実行される。

　次に、図１０（ｂ）に示す工程が実行される。この工程は、前記二酸化シリコン膜８１をマスクとして、シリコンウエハ８０を強アルカリ液（例えば、水酸化カリウム）により異方性エッチングして、（１１１）面に囲まれた角錐台状のエッチング穴８０ａを形成する工程が実行される。

　ここで、本実施例ではシリコンウエハ８０を型材としたが、型材としては、結晶性を有するものであればよく、その範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。また、本実施例では異方性エッチングによる穴を角錐台状としたが、その形状は、角錐状でもよく、小さな針圧で安定した接触抵抗を確保できる程度の接触端子４ａを形成できる形状の範囲で、種々変更可能である。

　次に、マスクとして用いた二酸化シリコン膜をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチング除去して、再度シリコンウエハ８０の全面を、ウェット酸素中での熱酸化により、二酸化シリコン膜８２を、０．５μｍ程度形成する。

　次に、図１０（ｃ）に示す工程が実行される。この工程は、二酸化シリコン膜８２の表面に導電性被覆８３を形成し、次に上記導電性被覆８３の表面に、ポリイミド膜８４を形成し、ついで、接触端子４ａを形成すべき位置にあるポリイミド膜８４を、上記導電性被覆８３の表面に至るまで除去する工程が実行される。

　上記導電性被覆８３としては、例えば、クロムをスパッタリング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ０．１μｍ程度のクロム膜を形成して、該クロム膜を形成した表面に銅をスパッタリング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ１μｍ程度の銅膜を形成すればよい。

　上記ポリイミド膜８４を除去するには、例えば、レーザ穴あけ加工あるいはポリイミド膜８４の表面にアルミニウムマスクを形成してドライエッチングを用いればよい。

　次に、図１０（ｄ）に示す工程が実行される。まず、該ポリイミド膜８４の開口部に露出した導電性被覆８３に、該導電性被覆８３を電極として、硬度の高い材料を主成分として電気めっきして、接触端子４ａおよび接続電極部４ｂを一体として形成する。硬度の高いめっき材料として、例えば、ニッケル８ａ、ロジウム８ｂ、ニッケル８ｃを順次にめっきして接触端子４ａおよび接続電極部４ｂを一体として接触端子部８を形成すればよい。

　次に、上記の接触端子部８およびポリイミド膜８４に導電性被覆８６を形成し、ホトレジストマスク８７を形成した後、配線材料８８をめっきする。

　上記導電性被覆として、例えば、クロムをスパッタリング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ０．１μｍ程度のクロム膜を形成して、該クロム膜を形成した表面に銅をスパッタリング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ１μｍ程度の銅膜を形成すればよい。また、配線材料としては、銅を用いればよい。

　次に、図１０（ｅ）に示す工程が実行される。この工程は、上記ホトレジストマスク８７を除去し、配線材料８８をマスクとして導電性被覆８６をソフトエッチング除去した後、接着層８９および金属膜９０を形成するものである。

　ここで、接着層８９としては、例えば、ポリイミド系接着シートあるいは、エポキシ系接着シートを用いればよい。また、金属膜９０として、４２アロイ（ニッケル４２％および鉄５８％の合金で線膨張率４ｐｐｍ／℃）あるいはインバー（例えば、ニッケル３６％および鉄６４％の合金で線膨張率１．５ｐｐｍ／℃）の様な低線膨張率で、かつシリコンウエハ（シリコン型材）８０の線膨張率に近い金属シートを、接着層８９で配線材料８８を形成したポリイミド膜８４に貼り合わせて構成することにより、形成されるプローブシート４の強度向上、大面積化が図れるほか、検査時の温度による位置ずれ防止等、様々な状況下での位置精度確保が可能である。この主旨において、金属膜９０としては、バーンイン検査時の位置精度確保をねらい、検査対象の半導体素子の線膨張率に近い線膨張率の材料を用いてもよい。

　上記接着工程は、例えば、上記図１０（ｄ）の接触端子部８および配線材料８８を形成したポリイミド膜８４を形成したシリコンウエハ８０と、接着層８９および金属膜９０を重ね合わせて、１０〜２００Ｋｇｆ／ｃｍ²で加圧しながら接着層８９のガラス転移点温度（Ｔｇ）以上の温度を加え、真空中で加熱加圧接着すればよい。

　次に、図１０（ｆ）に示す工程が実行される。まず、上記金属膜９０にホトレジストマスクを形成して、金属膜９０をエッチングする。金属膜９０として、４２アロイ膜あるいはインバーシートを用いた場合は、塩化第二鉄溶液でスプレーエッチングすればよい。また、ホトレジストマスクとしては、液状レジストでもフィルム状レジスト（ドライフィルム）でもよい。

　次に、上記ホトレジストマスクを除去し、電極９２に対応する部分の接着層８９を配線材料８８の表面が露出するまで除去して穴あけ加工するものである。穴あけ加工をレーザ加工で実施する場合は、金属膜９０ａをマスクとして利用すればよい。穴あけ加工方法としては、エキシマレーザあるいは炭酸ガスレーザのようなレーザ加工を用いてもよいし、ドライエッチングにより形成してもよい。

　次に、図１０（ｇ）に示す工程が実行される。この工程は上記穴あけ加工した電極９２に対応する領域にニッケルめっき９２ａに続いて金めっき９２ｂした後、エラストマ（弾性材料）９３を接触部８に対応する部分に形成するものである。めっきは、配線材料８８を電極にして電気めっきすればよい。ここで、金属膜９０を残したまま電極を形成したのは、図１０（ｅ）の工程の説明において記述した効果が得られるほか、金属膜９０がグランド層としても利用でき、信号の乱れ等を防止する効果も享受することができるからである。

　エラストマ９３としては、例えば、弾性樹脂を印刷あるいはディスペンサ塗布するか、シリコーンシートを設置すればよい。エラストマ９３の役目としては、多数の接触端子の先端が半導体ウエハ１に配列された電極３に接触する際の全体としての衝撃を緩和すると共に、プローブシートに形成した個々の接触端子の先端の高さの数μｍ程度以下のバラツキを局部的な変形によって吸収して半導体ウエハ１上に配列された各被接触材（電極）３の高さの±０．５μｍ程度のバラツキに倣って均一な食い込みによる接触を行わせるためである。

　次に、図１１（ｈ）に示す工程が実行される。この工程はプローブシート枠５およびプロセスリング９５を前記金属膜９０に接着剤９６で固着し、該プローブシート枠５およびプロセスリング９５に保護フィルム９７を接着した後、中央をくりぬいた保護フィルム９８をマスクとして二酸化シリコンをフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチング除去するものである。

　次に、図１１（ｉ）に示す工程が実行される。この工程は上記保護フィルム９７および９８を剥離し、シリコンエッチング用保護治具１００を取り付けて、シリコンをエッチング除去するものである。

　例えば、中間固定板１００ｃに、前記枠５をねじ止めして、ステンレス製の固定治具１００ａとステンレス製のふた１００ｂとの間にＯリング１００ｄを介して装着し、型材であるシリコンウエハ８０を強アルカリ液（例えば、水酸化カリウム）によりエッチング除去すればよい。

　次に、図１１（ｊ）に示す工程が実行される。この工程は上記シリコンエッチング用保護治具１００を取り外し、保護フィルム１０１を接着し、二酸化シリコンおよびクロムおよび銅およびニッケルをエッチング除去するものである。

　二酸化シリコン膜８２をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチング除去し、クロム膜を過マンガン酸カリウム液によりエッチング除去し、銅膜およびニッケル膜をアルカリ性銅エッチング液によりエッチング除去すればよい。なお、この一連のエッチング処理の結果、接触端子表面に露出するロジウムめっきを用いるのは、電極３の材料であるはんだやＡｌ等が付きにくく、ニッケルより硬度が高く、酸化されにくく接触抵抗が安定なためである。

　次に、図１１（ｋ）に示す工程が実行される。まず、プローブシート枠５と接着層８９のあいだに接着剤９６ｂを塗布して、該プローブシート枠５を押し出しながらプローブシート枠５の端部を変形した接着層８９に固着するものである。

　次に、上記のプローブシート枠５の外周部に沿って一体となったポリイミド膜８４および接着層８９および接着剤９６ｂを切り出し、プローブシート構造体１０５を製作するものである。

　次に、上記プローブシート（構造体）とは異なる第二の形態のプローブシート（構造体）について、図１２を参照にし、その構造及びその製造工程を説明する。

　図１２（ａ）〜（ｇ）は、プローブシート（構造体）を形成する他の製造プロセスを工程順に示したものである。

　まず図１０（ａ）、（ｂ）に示したシリコンウエハ８０に角錐状のエッチング穴８０ａを形成し、その表面に二酸化シリコン膜８２を形成する工程が実行された後、図１２（ａ）に示した工程が実行される。この工程は、二酸化シリコン膜８２上に形成した導電性被覆８３の表面に、接続端子部８を開口するようにホトレジストマスク８５ａを形成する工程が実行される。

　次に、図１２（ｂ）に示す上記ホトレジストマスク８５ａをマスクとして、上記導電性被覆８３を給電層として電気めっきして、接触端子４ａおよび接続電極部４ｂを一体として形成する工程が実行される。めっき材料として、例えば、ニッケル８ａ、ロジウム８ｂ、ニッケル８ｃを順次にめっきして接触端子４ａおよび接続電極部４ｂを一体として接触端子部８を形成すればよい。

　次に、図１２（ｃ）に示す工程が実行される。この工程は、上記ホトレジストマスク８５ａを除去するものである。

　次に、図１２（ｄ）に示す工程が実行される。この工程は、上記接触端子部８および導電性被覆８３を覆うようにポリイミド膜８４ｂを形成し、上記接触端子部８からの引き出し配線接続用穴８ｄを形成すべき位置にある該ポリイミド膜８４ｂを、上記接触端子部８の表面に至るまで除去するものである。

　上記ポリイミド膜８４ｂの一部を除去するには、例えば、レーザ穴あけ加工あるいはポリイミド膜８４ｂの表面にアルミニウムマスクを形成してドライエッチングを用いればよい。

　次に、図１２（ｅ）に示す工程が実行される。この工程は、上記のポリイミド膜８４ｂに導電性被覆８６を形成し、ホトレジストマスク８７を形成した後、配線材料８８をめっきするものである。

　上記導電性被覆として、例えば、クロムをスパッタリング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ０．１μｍ程度のクロム膜を形成して、該クロム膜を形成した表面に銅をスパッタリング法あるいは蒸着法により成膜することにより、厚さ１μｍ程度の銅膜を形成すればよい。また、配線材料としては、銅めっきあるいは、銅めっきにニッケルめっきをした材料を用いればよい。

　次に、図１２（ｆ）に示す工程が実行される。この工程は、上記ホトレジストマスク８７を除去し、配線材料８８をマスクとして導電性被覆８６をエッチング除去した後、接着層８９および金属膜９０を形成するものである。

　次に、図１０（ｆ）〜（ｇ）、図１１（ｈ）〜（ｋ）と同様な工程を経て、図１２（ｇ）に示すプローブシート構造体１０５を製作するものである。

　第三の形態のプローブシート（構造体）について、図１３を参照にし、その構造及び製造工程を説明する。

　本プローブシートの製造方法は、図１０、図１１で記述したプローブシートの製造方法と同様であり、異なる主要な部分は、接触端子４ａと同時に接触端子の形状に準じたダミー端子１０７を設けるところである。該ダミー端子１０７は、ウエハ１の電極３に接触時のプローブシート４の変形を防止し、接触端子群の端部に初期に荷重が集中するのを防止するために用いるものである。その形状は、接触端子４ａと同一でなくてもよく、図１３に示すように、接触端子４ａよりも底面積（ウエハ１との接触面積）の大きい角錐台状のものとしてもよい。他のプローブシートの製造方法でも、同様にダミー端子１０７を設けてもよいことはいうまでもない。

　上記のダミー端子を形成する製造方法の一例について図１３を用いて次に説明する。

　まず、図１３（ａ）に示す工程が実行される。この工程は、厚さ０．２〜０．６ｍｍのシリコンウエハ８０の（１００）面の両面に熱酸化により二酸化シリコン膜８１を０．５μｍ程度形成し、ホトレジストマスク８５ｂにより二酸化シリコン膜８１をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチング除去する工程が実行される。

　次に、図１３（ｂ）に示す前記工程で一部がエッチングされた二酸化シリコン膜８１ｃをマスクとして、シリコンウエハ８０を強アルカリ液（例えば、水酸化カリウム）により異方性エッチングして、角錐状あるいは角錐台状のエッチング穴８０ａおよび８０ｂを形成する工程が実行される。

　次に、図１３（ｃ）に示す工程が実行される。この工程は、マスクとして用いた二酸化シリコン膜８１をフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチング除去して、再度シリコンウエハ８０の全面に、ウェット酸素中での熱酸化により、二酸化シリコン膜８２を、０．５μｍ程度形成し、該二酸化シリコン膜８２ａの表面に導電性被覆８３ａを形成した後、上記導電性被覆８３ａの表面に、ポリイミド膜８４ａを形成し、ついで、接触端子４ａを形成すべき位置にあるポリイミド膜８４ａを、上記導電性被覆８３ａの表面に至るまで除去する工程が実行される。

　次に、図１３（ｄ）に示す工程が実行される。この工程は、該ポリイミド膜８４ａの開口部に露出した導電性被覆８３ａに、該導電性被覆８３ａを電極として、硬度の高い材料を主成分として電気めっきして、接触端子４ａおよび接続電極部４ｂを一体として形成するものである。硬度の高いめっき材料として、例えば、ニッケル８ａ、ロジウム８ｂ、ニッケル８ｃを順次にめっきして接触端子４ａおよび接続電極部４ｂを一体として接触端子部８を形成すればよい。

　次に、図１０（ｄ）〜（ｇ）、図１１（ｈ）〜（ｋ）と同様な工程を経て、図１３（ｅ１）に示すプローブシート構造体１０５を製作するものである。

　なお、ダミー端子１０７を形成した本プローブシートでは、プローブシート端部にテーパー部４ｆを設けずにプローブシート枠５ａをプローブシートに接着剤９６で平面的に接続した図１３（ｅ２）に示す構造にしてもよい。

　また、図１３（ｃ）の工程で、ダミー端子１０７を形成する位置のポリイミド膜８４ａを部分的に除去して図１４（ａ）に示したダミー端子１０７ａを形成すべき位置にあるポリイミド膜８４ａを、上記導電性被覆８３ａの表面に至るまで除去する加工を実施し、図１４（ｂ）に示したように、接触端子部８と同じ材料構成でダミー端子１０７ａを形成し、図１４（ｃ）に示した、プローブシート構造体１０５を製作してもよい。

　次に、第四の形態のプローブシート（構造体）について、図１５を参照にし、その構造及び製造工程を説明する。

　本プローブシートの製造方法は、接触端子部８を形成した領域の弾性樹脂の形成方法が異なるのみで、他は図１０、図１１で記述したプローブシートの製造方法と同様である。

　図１５（ａ）は、図１０（ａ）〜（ｆ）の工程が実行された後、接触端子部８を形成した領域の接着層８９および配線材料８８で覆われていない部分のポリイミド膜８４をレーザで除去した後、図１５（ｂ）に示した弾性樹脂層９３ａを印刷あるいはディスペンサ等で形成する工程が実行される。その後、図１５（ｃ）のように接触端子部８を形成した領域に弾性樹脂層９３ｂを残すように弾性樹脂層を形成する。不要な弾性樹脂層の加工は、例えばアルミニウムマスク９３ｃを使用してレーザで除去すればよい。

　次に、図１１（ｈ）〜（ｋ）と同様な工程を経て、図１５（ｄ）に示す工程が実行される。この工程はプローブシート枠５の外周部に沿って一体となったポリイミド膜８４および接着層８９および接着剤９６ｂを切り出し、プローブシート構造体を製作するものである。

　このような構成にすることにより、接触端子部８の領域のみに直接接して弾性樹脂層が形成されて、該接触端子部８の領域の柔軟性が増す。

　図１６に、本発明に係る第五の形態のプローブシート（構造体）について、その構造及び製造工程を示した。

　本プローブシートの製造方法は、図１０（ａ）〜（ｆ）と同様な工程を経て後、図１０（ｇ）の工程で、接触端子部８を形成した領域にエラストマ９３を形成しないで、図１１（ｈ）〜（ｋ）の工程を実行し、図１６（ａ）の状態のプローブシート構造体を製作する。

　その後、図１６（ｂ）のように、接触端子部８を形成した領域の接着層８９および配線材料８８で覆われていない部分のポリイミド膜８４をレーザで除去して、接触端子４ａが配線材料８８およびポリイミド膜８４により両持ち梁として支えられた構造を形成する。

　なお、図１６（ｃ）は、図１６（ｂ）の接触端子部８を形成した領域の一部を、図１６（ｂ）の下面から見た平面図である。このように、接触端子部８の両側を分離することにより、接触端子部８に個別の倣い機構を設けることができる。

　図１７に、本発明に係る第六の形態のプローブシート（構造体）について、その構造及び製造工程を示した。

　本プローブシートの製造方法は、図１０（ａ）〜（ｆ）と同様な工程を経て後、図１０（ｇ）の工程で、接触端子部８を形成した領域にエラストマ９３を形成しないで、図１１（ｈ）〜（ｋ）の工程を実行し、図１７（ａ）の状態のプローブシート構造体を製作する。

　その後、図１７（ｂ）のように、接触端子部８を形成した領域の接着層８９および配線材料８８で覆われていない部分のポリイミド膜８４をレーザで除去して、接触端子４ａが配線材料８８およびポリイミド膜８４により片持ち梁として支えられた構造を形成する。図１７（ｃ）は、図１７（ｂ）の接触端子部８を形成した領域の一部を、図１７（ｂ）の下面から見た平面図である。このように、接触端子部８を個別分離することにより、前述した第五の形態のプローブシートよりも可動しやすい個々の倣い機構を設けることができる。

　なお、図６あるいは図８のようにボンディングワイヤーで配線を引き出す場合には、電極９２にワイヤボンドしてもよいが、図１８（ａ）〜（ｃ）に示したように、配線材料８８に、ワイヤボンドに適しためっき層８８ａを形成し、めっき層８８ａにワイヤボンドして引き出し配線を形成してもよい。

　ここで図１８（ａ）は、図１０（ａ）〜（ｅ）と同様な工程を経て、金属膜９０にホトレジストマスク９１ａを形成した工程であり、図１８（ｂ）は、次に、エッチングした金属膜９０をマスクにして接着層８９を例えばレーザで配線材８８に至るまで除去して、該配線材８８の表面にワイヤボンド用のめっき層８８ａを形成した工程である。めっき層８８ａとしては、例えば、ニッケルめっきに金めっきを形成しためっき層を形成すればよい。その後、図１０（ｆ）、図１１（ｈ）〜（ｋ）の工程を実行し、図１８（ｃ）の状態のプローブシート構造体を製作する。

　以上、プローブシート（構造体）の形態について幾つか述べたが、それぞれのプローブシート（構造体）は、前述のどのプローブカードにも適用できることは言うまでもない。

　次に、以上説明した本発明に係るプローブカード（プロービング装置）を用いた半導体検査装置について図１９を用いて説明する。

　図１９は、本発明に係る半導体検査装置を含む検査システムの全体構成を示す図である。

　検査システムの全体構成において、プローブカードはウエハプローバとして構成されている。この検査システムは、被検査対象である半導体ウエハ１を支持する試料支持系１６０と、被検査対象（ウエハ）１の電極３に接触して電気信号の授受を行うプローブカード１２０と、試料支持系１６０の動作を制御する駆動制御系１５０と、被検査対象１の温度制御を行う温度制御系１４０と、半導体素子（チップ）２の電気的特性の検査を行うテスタ１７０とで構成される。この半導体ウエハ１は、多数の半導体素子（チップ）が配列され、各半導体素子の表面には、外部接続電極としての複数の電極３が配列されている。試料支持系１６０は、半導体ウエハ１を着脱自在に載置してほぼ水平に設けられた試料台１６２と、この試料台１６２を支持するように垂直に配置される昇降軸１６４と、この昇降軸１６４を昇降駆動する昇降駆動部１６５と、この昇降駆動部１６５を支持するＸ−Ｙステージ１６７とで構成される。Ｘ−Ｙステージ１６７は、筐体１６６の上に固定される。昇降駆動部１６５は、例えば、ステッピングモータなどから構成される。試料台１６２の水平および垂直方向における位置決め動作は、Ｘ−Ｙステージ１６７の水平面内における移動動作と、昇降駆動部１６５による上下動などとを組み合わせることにより行われる。また、試料台１６２には、図示しない回動機構が設けられており、水平面内における試料台１６２の回動変位が可能にされている。

　試料台１６２の上方には、プローブカード１２０が配置される。すなわち、例えば、図２に示すプローブカード１２０および多層配線基板５０は、当該試料台１６２に平行に対向する姿勢で設けられる。各々の接触端子４ａは、該プローブカード１２０のプローブシート４に設けられたピッチ拡大配線４ｃ、電極４ｄ、スプリングプローブ１２を介して、多層配線基板５０の電極５０ａおよび内部配線５０ｂとを通して、該配線基板５０に設けられた接続端子５０ｃに接続され、該電極５０ｃに接続されるケーブル１７１を介して、テスタ１７０と接続される。

　ここで、ヒータにより所望の温度に加熱されたウエハと該ウエハの電極に接触して電気信号検査を実施するための接触端子を形成したプローブシートの温度差による位置ずれを防止し、位置合わせを精確にしかも短時間に実施するため、プローブシートあるいはプローブカードの表面あるいは内部にあらかじめ温度制御の可能な発熱体を形成しておいてもよい。発熱体としては、例えば、Ni-Crのような抵抗値の高い金属材料や高抵抗の導電樹脂を直接プローブシートあるいは多層配線基板層に形成したり、該材料を形成したシートをプローブシートにはさんだり、プローブカードに貼り付けてもよい。また、発熱体として暖めた液体をヒートブロック内のチューブに流して該ヒートブロックをプローブカードに接触させてもよい。

　加熱されたウエハからの熱放射と、プロービング時の接触からプローブカードの温度が決まる従来方法と異なり、上記のようにプローブシートを独立して検査時の温度に保っておくことにより、ウエハとプローブシート間の検査時の温度差の発生を防止することができ、位置精度の正確なプロービングが可能となる。

　駆動制御系１５０は、ケーブル１７２を介してテスタ１７０と接続される。また、駆動制御系１５０は、試料支持系１６０の各駆動部のアクチュエータに制御信号を送って、その動作を制御する。すなわち、駆動制御系１５０は、内部にコンピュータを備え、ケーブル１７２を介して伝達されるテスタ１７０のテスト動作の進行情報に合わせて、試料支持系１６０の動作を制御する。また、駆動制御系１５０は、操作部１５１を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例えば、手動操作の指示を受け付ける。

　試料台１６２には、半導体素子２を加熱させるためのヒータ１４１が備えられている。温度制御系１４０は、試料台１６２のヒータ１４１あるいは冷却治具を制御することにより、試料台１６２に搭載された半導体ウエハ１の温度を制御する。また、温度制御系１４０は、操作部１５１を備え、温度制御に関する各種指示の入力の受付、例えば、手動操作の指示を受け付ける。ここで、上記プローブシートあるいはプローブカードの一部に設けた温度制御の可能な発熱体と試料台１６２のヒータ１４１とを連動させて温度制御してもよい。

　以下、半導体検査装置の動作について説明する。まず、被検査対象である半導体ウエハ１は、試料台１６２の上に位置決めして載置され、Ｘ−Ｙステージ１６７および回動機構を駆動制御し、半導体ウエハ１上に配列された複数個の半導体素子上に形成された電極３の群を、プローブカード１２０に並設された多数の接触端子群４の直下に位置決めする。その後、駆動制御系１５０は、昇降駆動部１６５を作動させて、多数の電極（被接触材）３の全体の面が接触端子の先端に接触した時点から６０μｍ程度押し上げる状態になるまで試料台１６２を上昇させることによって、多層フィルム６において多数の接触端子４が並設された領域部４ａを張り出させて平坦度を高精度に確保された多数の接触端子４の群における各々の先端を、コンプライアンス機構（押圧機構）により半導体素子に配列された多数の電極３の群（全体）の面に追従するように倣って平行出しすることによって半導体ウエハ１上に配列された各被接触材（電極）３に倣って均一な荷重（１ピン当たり３〜１５０ｍＮ程度）に基づく押し込みによる接触が行われ、各接触端子４と各電極３との間において低抵抗（０．０１Ω〜０．１Ω）で接続されることになる。

　さらに、ケーブル１７１、配線基板５０、および接触端子４を介して、半導体ウエハ１に形成された半導体素子とテスタ１７０との間で、動作電力や動作検査信号などの授受を行い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別する。さらに、上記の一連の検査動作が、半導体ウエハ１に形成された複数の半導体素子の各々について実施され、動作特性の可否などが判別される。

　次に、上記半導体検査装置を用いた検査方法について、その一例について図２０を用いて説明する。

　ウエハ支持台を９０°ずつ回転してウエハを検査することにより、図２０のように同時検査チップ群２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、２００ｄと順次検査していき、４回でウエハ全体を検査する方法であり、これにより、最小限のタッチダウン回数で全チップを検査できるため、検査効率の向上を図ることができる。なお、回転角度は９０°ずつでなくても構わないことは言うまでもない。

　ところで、本発明のプローブシートは、検査対象のウエハに形成された半導体素子（チップ）の全体配置に合わせて、接触端子の配置パターンを自在に設計・一括形成できるものである。そのため、タッチダウン毎の移動時に、重なってプロービングするチップ領域の極力少なく、効率のよい移動パターンを選択することができ、タッチダウン回数の少ない効率のよい検査装置を設計・構成することができる。

　そこで、図２０に示す検査方法において、半導体検査装置におけるプローブシートを上記のように検査対象のウエハに形成された半導体素子の全体配置に合わせて設計しておけば、チップのパッドにだぶってプロービングする領域がないため、ウエハのパッドへのプロービング跡が最小限に抑えられ、後のワイヤボンドあるいはバンプ形成の信頼性が向上する。さらに、プローブシートの接触端子が、チップの形成されていない領域にはみ出すことが無いため、接触端子がシリコンウエハの端部に当たることがなく、接触端子の損傷が防止できる。

　最後に、上記半導体検査装置を用いた検査工程、又は検査方法を含む、半導体装置の製造方法について図２１を参照にし、説明する。

　本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、本発明に係る半導体検査装置によりウエハレベルで複数の半導体素子２の電気的特性を一括して検査する工程と、該ウエハをダイシングし、半導体素子ごとに分離する工程と、該半導体素子を樹脂等で封止する工程を有するものである。

　本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、本発明に係る半導体検査装置によりウエハレベルで複数の半導体素子２の電気的特性を一括して検査する工程と、該ウエハをダイシングし、半導体素子ごとに分離する工程を有するものである。

　本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該ウエハを樹脂等で封止する工程と、該封止されたウエハに形成された複数の半導体素子２の電気的特性を本発明に係る半導体検査装置により一括して検査する工程を有するものである。

　本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該ウエハを樹脂等で封止する工程と、該封止されたウエハに形成された複数の半導体素子２の電気的特性を本発明に係る半導体検査装置により一括して検査する工程と、該ウエハをダイシングし、半導体素子ごとに分離する工程を有するものである。

　さらに考察を進め、半導体装置そのものに表れる特徴、効果について、図２２乃至図２５を参照にし、説明する。

　図２２は、検査工程により電極パッドに残る圧痕の上面図である。尚、図２２では、従来のカンチレバープローブを用いた場合の圧痕３００と、本願で開示する接触端子を用いた場合の圧痕３０１との比較し易くするために、合成により両者を同一電極上に並べている。勿論、縮尺に変更を加えていないのは言うまでもない。

　従来のカンチレバー方式のプローバ、半球状や台形状のめっきバンプを絶縁膜に形成したプローバを用いて検査された半導体素子の場合は、プロービング時に接触端子からの荷重を受けつつ行われるスクラブ動作を経ているため、その電極パッドには電極くずが発生し、大きなプロービング痕（圧痕）３００ができている。さらに、その電極パッド直下の素子も懸念されるダメージを受けている。図２１に記載のごとく複数の検査工程を経ている場合は、これらの欠点はさらに顕著なものとなる。

　すなわち、従来のプローブを用いて検査された半導体素子は、その電極パッド表面が荒れてしまい、結果、検査工程後の接合・実装工程（ワイヤボンド、金バンプ接続、はんだバンプ接続、Ａｕ−Ｓｎ接続等）において接続不良を招くことになる。

　例えば、図２３に示すような（ａ）ＱＦＰ（Quad Flat Package）や（ｂ）ＢＧＡ（Ball Grid Array Package）といった形態の場合には、リード４０２に接続されたワイヤ４００と電極パッド３との接続部分、（ｃ）フリップチップのような形態の場合には、はんだバンプ４０１と電極パッド３との接続部分にて、接続不良を引き起こすこととなる。

　図２４を用いて、更に詳細に説明する。図２４（ａ）は、従来のプローバを用いて検査された後の、Ｃｒ層５０１及びＡｌ層５００からなる電極３の概略断面図である。スクラブ動作を経ているため、電極表面は荒れており、電極くず５０２が残っている。また、荷重が大きいため、一部分Ａｌ層が完全に剥がれている箇所もできてしまう。

　通常、Ａｌ層の電極に対してＡｕワイヤ５０４によるワイヤボンドを行うと、接続界面でＡｕ５０５とＡｌ５００との合金ＡｕxＡｌy５０３が形成され、強固な接続が得られるわけだが、図２４（ａ）のような状態の電極では十分に合金が形成されず、結果として接続不良の原因となる。

　それに対し、本願で開示する接触端子を用いて検査された半導体素子の場合は、低荷重を受けるのみでスクラブ動作を経ていないため、その電極パッドには電極くずもほとんどなく、電極パッド直下の素子もほとんどダメージを受けていない。また、プロービング痕３０１も前述の稜を有する角錐形状の接触端子の先端形状が転写された穴となるため５μｍ程度と非常に小さく、正方形や長方形等多角形（少なくとも１辺２０μｍ以下は勿論、１５μｍや１０μｍ、１μｍ程度以下も可能）の開口部形状を有する圧痕以外の電極領域については平らな面のままであり、複数回プロービングの場合でも、きれいな電極表面を維持できる。すなわち、電極表面の平面部分が多く残っており、完全に剥がれている箇所もないため、検査工程後の接合・実装工程において、その接合部にて従来よりも合金が形成され易くなり、接続が良好なものとなる。

　図２５を用いて、更に詳細に説明すると、本願で開示する接触端子を用いて検査された後の電極３は、角錐形状又は角錐台形状の接触端子により低荷重が加えられたのみの状態であるため、その表面はきれいであり、Ａｌ層５００が完全に剥がれた箇所もない。

　この状態で、ワイヤボンドを行うと、合金層５０３がほぼ全面に形成され、強固な接続が得られることとなり、接続不良の問題は生じない。

　従って、信頼性の高い半導体装置が得られ、歩留り向上も図ることができる。

　尚、図２４及び図２５では、最上層がＡｌの電極とＡｕワイヤボンドの場合の例を示したが、その材料は種々変更可能であり、また、ワイヤボンドのみならず、他の接合・実装工程においても同様の効果を得ることができる。

　以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

　例えば、エラストマ９３の形成方法としては、前述の他、感光性樹脂をスピナで塗布し、マスクにより露光・現像して形成する方法や、エラストマ形成部分をくりぬいたドライフィルムを貼って弾性樹脂を印刷し、必要に応じて表面を研磨した後、該ドライフィルムを除去する方法を用いてもかまわない。

　また、上記実施例において開示した観点の代表的なものは次の通りである。
（１）プローブシートであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、該電極パッドのピッチは、該接触端子のピッチよりも広くしたことを特徴とするプローブシート。
（２）プローブシートであって、ウエハに形成された半導体素子の周辺電極の配列に準じて配置した接触端子と、該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、該電極パッドは格子状に配置されていることを特徴とするプローブシート。
（３）プローブシートであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、該プローブシートには、該電極パッドの内、少なくとも信号系の電極パッドを設けた部分が除かれた金属シートが設けられていることを特徴とするプローブシート。
（４）（３）記載のプローブシートであって、該金属シートの線膨張係数は、該ウエハの線膨張係数とほぼ等しいことを特徴とするプローブシート。
（５）（３）又は（４）記載のプローブシートであって、該金属シートは、４２アロイシートであることを特徴とするプローブシート。
（６）（１）から（５）のいずれかに記載のプローブシートであって、該接触端子を設けた面上に、該接触端子よりも前記ウエハとの接触面積が大きいダミー端子を設けたことを特徴とするプローブシート。
（７）（１）から（６）のいずれかに記載のプローブシートであって、該接触端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られたことを特徴とするプローブシート。
（８）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極のピッチは、該接続端子のピッチよりも広くしたことを特徴とするプローブカード。
（９）プローブカードであって、ウエハに形成された半導体素子の周辺電極の配列に準じて配置した接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極は格子状に配置されていることを特徴とするプローブカード。
（１０）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、該多層配線基板の電極は、該多層配線基板の素子対向領域に設けられており、該接触端子のピッチよりも広いピッチで設けられていることを特徴とするプローブカード。
（１１）（８）から（１０）のいずれかに記載のプローブカードであって、該多層配線基板の素子対向領域にコンデンサ、抵抗、ヒューズの少なくとも一つを搭載したことを特徴とするプローブカード。
（１２）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、該接触端子と該多層配線基板の電極は、該多層配線基板に対しほぼ垂直に設けられた接続部により電気的に接続されていることを特徴とするプローブカード。
（１３）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、該接触端子と該多層配線基板の電極との接続は、該接触端子から引き回された配線と、該配線と接続され、かつ該接触端子のピッチよりも広いピッチを有する電極パッドと、該電極パッドと電気的に接続されるスプリングプローブとを介して接続されることを特徴とするプローブカード。
（１４）（１３）記載のプローブカードであって、該スプリングプローブは取り外しできることを特徴とするプローブカード。
（１５）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、該接触端子と該多層配線基板の電極との接続は、該接触端子から引き回された配線と、該配線と接続され、かつ該接触端子のピッチよりも広いピッチを有する電極パッドと、該電極パッドと電気的に接続されるワイヤとを介して接続されることを特徴とするプローブカード。
（１６）ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有するプローブカードであって、温度調節機能を有することを特徴とするプローブカード。
（１７）ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有するプローブカードであって、該プローブカードの少なくとも一部に温度制御のできる発熱体を設けたことを特徴とするプローブカード。
（１８）（８）から（１７）のいずれかに記載のプローブカードであって、該接続端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られた角錐状又は角錐台状の端子であることを特徴とするプローブカード。
（１９）ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有するプローブカードであって、該プローブカードには押圧機構が二段階あることを特徴とするプローブカード。
（２０）プローブカードであって、ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、該プローブシートは、（１）から（７）のいずれかに記載のプローブシートであることを特徴とするプローブカード。
（２１）ウエハを載せる試料台と、該ウエハに形成された半導体素子の電極と接触する接触端子を有し、かつ該半導体素子の電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されたプローブカードとを有する半導体検査装置であって、該プローブカードは、該接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極のピッチは、該接続端子のピッチよりも広くしたことを特徴とする半導体検査装置。
（２２）ウエハを載せる試料台と、該ウエハに形成された半導体素子の電極と接触する接触端子を有し、かつ該半導体素子の電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されたプローブカードとを有する半導体検査装置であって、該試料台及びプローブカードは、ともに温度制御できることを特徴とする半導体検査装置。
（２３）（２１）又は（２２）に記載の半導体検査装置であって、該接触端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られた角錐状又は角錐台状の端子であることを特徴とする半導体検査装置。
（２４）半導体検査装置であって、ウエハを載せる試料台と、該ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブカードを有し、該プローブカードは、（８）から（２０）のいずれかであることを特徴とする半導体検査装置。
（２５）ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該半導体素子の電気的特性を検査する工程と、該ウエハをダイシングし、該半導体素子ごとに分離する工程を有する半導体装置の製造方法であって、該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、該半導体素子の電極に接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続され、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極が該ウエハに対向する面に設けられ多層配線基板を有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２６）ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該半導体素子の電気的特性を検査する工程と、該ウエハをダイシングし、該半導体素子ごとに分割する工程を有する半導体装置の製造方法であって、該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、該ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続され、該ウエハに形成された半導体素子の上部に対応する領域に設けられており、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極を有する多層配線基板とを有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２７）ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該ウエハを樹脂で封止する工程と、該封止されたウエハに形成された半導体素子の電気的特性を検査する工程を有する半導体装置の製造方法であって、該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、該半導体素子の電極に接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続され、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極が該ウエハに対向する面に設けられ多層配線基板を有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２８）ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該ウエハを樹脂で封止する工程と、該封止されたウエハに形成された半導体素子の電気的特性を検査する工程を有する半導体装置の製造方法であって、該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、該ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続され、該ウエハに形成された半導体素子の上部に対応する領域に設けられており、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極を有する多層配線基板とを有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２９）（２５）から（２８）のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、該接触端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られた角錐状又は角錐台状の端子であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（３０）ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該半導体素子の電気的特性を検査する工程と、該ウエハをダイシングし、該半導体素子ごとに分割する工程を有する半導体装置の製造方法であって、該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、該ウエハを回転させて検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（ａ）は、半導体素子（チップ）が配列された被接触対象であるウエハを示す斜視図であり、（ｂ）は半導体素子（チップ）を示す斜視図である。 （ａ）は、本発明に係るプローブカードの第一実施例の要部を示す断面図であり、プロービング動作直前の状態を示す断面図である。（ｂ）は、初期的にウエハ面の傾きに倣ったプローブカードの状態を示す断面図である。（ｃ）は、所望の荷重をウエハ面に加えて電気特性検査を実施するプローブカードの状態を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートの配線パターンの一例を示したものである。 本発明に係るプローブカードの組立て方法を示す概略図である。 本発明に係るプローブカードの第二実施例の要部を示す断面図である。 本発明に係るプローブカードの第三実施例の要部を示す断面図である。 本発明に係るプローブカードの第四実施例の要部を示す断面図である。 本発明に係るプローブカードの第五実施例の要部を示す断面図である。 本発明に係るプローブカードの第五実施例の要部を示す断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシート（構造体）部分を形成する製造プロセスの一部を示したものである。 （ｈ）〜（ｋ）は、上記図１０（ａ）〜（ｇ）の続きの製造プロセスを示したものである。 （ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものである。 （ａ）〜（ｄ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものであり、（ｅ１）および（ｅ２）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートの概略断面図を示したものである。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものであり、（ｃ）は、プローブシートの概略断面図を示したものである。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものであり、（ｄ）は、プローブシートの概略断面図を示したものである。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものであり、（ｃ）は、（ｂ）の接触端子部８を形成した領域の一部を、（ｂ）の下面から見た平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものであり、（ｃ）は、（ｂ）の接触端子部８を形成した領域の一部を、（ｂ）の下面から見た平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明に係るプローブカードにおけるプローブシートを形成する他の製造プロセスを工程順に示したものであり、（ｃ）は、プローブシートの概略断面図を示したものである。 本発明に係る検査システムの一実施の形態を示す全体概略構成を示す図である。 半導体検査装置を用いた検査方法の一実施例を示す図である。 半導体装置の検査工程の一実施例を示す工程図である。 検査工程により電極パッドに残る圧痕の上面図である。（ａ）はＡｌ電極パッド上に残った圧痕、（ｂ）はＡｕバンプ上に残った圧痕を示す図である。 検査工程後に接合・実装された半導体装置の代表例の図である。（ａ）はＱＦＰ、（ｂ）はＢＧＡ、（ｃ）はフリップチップ型の図である。 （ａ）は従来のプローバを用いて検査された後の、半導体素子の概略断面図であり、（ｂ）は検査後の半導体素子にワイヤボンドを施した後の概略断面図である。 （ａ）は本願で開示する接触端子を用いて検査された後の、半導体素子の概略断面図であり、（ｂ）は検査後の半導体素子にワイヤボンドを施した後の概略断面図である。

符号の説明

　１…ウエハ、２…半導体素子（チップ）、３…電極（被接触材）、４…プローブシート、４ａ…接触端子、４ｂ…接続電極部、４ｃ…ピッチ拡大配線、４ｄ…電極（電極パッド）、４ｅ…エラストマ、４ｆ…テーパ部、５…プローブシート枠、５ａ…プローブシート枠、６…プローブシート保持基板、６ａ…プローブシート保持基板、７…仮平行出し支え部材（下）、７ａ…仮平行出し支え部材（下）、８…接触端子部、８ａ…ニッケル、８ｂ…ロジウム、８ｃ…ニッケル、８ｄ…引き出し配線接続用穴、１０…仮平行出し支え部材（上）、１１…押え部材、１１ａ…押さえ部材保持基板、１１ｂ…スプリングプローブ位置決め上部基板、１１ｃ…スプリングプローブ位置決め下部基板、１２…スプリングプローブ、１２ａ…ワイヤープローブ、１５…多層配線基板取付固定板、１６…ノックピン、２０…補助ばね、２１…主ばね、２１ａ…主ばね、２１ｂ…板ばね、５０…多層配線基板、５０ａ…電極、５０ｂ…内部配線、５０ｃ…電極、５０ｄ…電極、５１…基板搭載部品、５５…ボンディングワイヤー、５５ａ…ボンディングワイヤー、６０…電極固定基板、６０ａ…電極、６０ｂ…引き出し配線、６１…固定基板、６２…配線シート、６２ａ…電極、６２ｂ…内部配線、６２ｃ…電極、６５…板ばね固定基板、８０…シリコンウエハ、８０ａ…エッチング穴、８０ｂ…エッチング穴、８１…二酸化シリコン膜、８１ｃ…二酸化シリコン膜、８２…二酸化シリコン膜、８２ａ…二酸化シリコン膜、８３…導電性被覆、８３ａ…導電性被覆、８４…ポリイミド膜、８４ａ…ポリイミド膜、８４ｂ…ポリイミド膜、８５…ホトレジストマスク、８５ａ…ホトレジストマスク、８５ｂ…ホトレジストマスク、８６…導電性被覆、８７…ホトレジストマスク、８８…配線材料、８８ａ…めっき層、８９…接着層、９０…金属膜、９１ａ…ホトレジストマスク、９２…電極、９２ａ…ニッケルめっき、９２ｂ…金めっき、９３…エラストマ、９３ａ…弾性樹脂層、９３ｂ…弾性樹脂層、９３ｃ…アルミニウムマスク、９５…プロセスリング、９６…接着剤、９６ｂ…接着剤、９７…保護フィルム、９８…保護フィルム、１００…シリコンエッチング用保護治具、１００ａ…固定治具、１００ｂ…ふた、１００ｃ…中間固定板、１００ｄ…Ｏリング、１０１…保護フィルム、１０２…保護フィルム、１０５…プローブシート構造体、１０６…予備の電極、１０７…ダミー端子、１０７ａ…ダミー端子、１２０…プロ−ブカード、１４０…温度制御系、１４１…ヒータ、１５０…駆動制御系、１５１…操作部、１６０…試料支持系、１６２…試料台、１６４…昇降軸、１６５…昇降駆動部、１６６…筺体、１６７…Ｘ−Ｙステージ、１７０…テスタ、１７１…ケーブル、１７２…ケーブル、２００ａ（２００ｂ、２００ｃ、２００ｄ）…同時検査チップ群、３００…圧痕、３０１…圧痕、４００…ワイヤ、４０１…はんだバンプ、４０２…リード、５００…アルミニウム、５０１…下地膜、５０２…電極くず、５０３…合金、５０４…金ワイヤ、５０５…金、５１０…保護膜

Claims (26)

1. 　プローブシートであって、
   　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、
   　該電極パッドのピッチは、該接触端子のピッチよりも広くしたことを特徴とするプローブシート。
2. 　プローブシートであって、
   　ウエハに形成された半導体素子の周辺電極の配列に準じて配置した接触端子と、
   　該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、
   　該電極パッドは格子状に配置されていることを特徴とするプローブシート。
3. 　プローブシートであって、
   　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子から引き回された配線と、該配線と電気的に接続された電極パッドを有し、
   　該プローブシートには、該電極パッドの内、少なくとも信号系の電極パッドを設けた部分が除かれた金属シートが設けられていることを特徴とするプローブシート。
4. 　請求項３記載のプローブシートであって、
   　該金属シートの線膨張係数は、該ウエハの線膨張係数とほぼ等しいことを特徴とするプローブシート。
5. 　請求項３又は４記載のプローブシートであって、
   　該金属シートは、４２アロイシートであることを特徴とするプローブシート。
6. 　請求項１から５のいずれかに記載のプローブシートであって、
   　該接触端子を設けた面上に、該接触端子よりも前記ウエハとの接触面積が大きいダミー端子を設けたことを特徴とするプローブシート。
7. 　請求項１から６のいずれかに記載のプローブシートであって、
   　該接触端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られたことを特徴とするプローブシート。
8. 　プローブカードであって、
   　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、
   　該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極のピッチは、該接続端子のピッチよりも広くしたことを特徴とするプローブカード。
9. 　プローブカードであって、
   　ウエハに形成された半導体素子の周辺電極の配列に準じて配置した接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、
   　該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極は格子状に配置されていることを特徴とするプローブカード。
10. 　プローブカードであって、
    　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、
    　該多層配線基板の電極は、該多層配線基板の素子対向領域に設けられており、該接触端子のピッチよりも広いピッチで設けられていることを特徴とするプローブカード。
11. 　請求項８から１０のいずれかに記載のプローブカードであって、
    　該多層配線基板の素子対向領域にコンデンサ、抵抗、ヒューズの少なくとも一つを搭載したことを特徴とするプローブカード。
12. 　プローブカードであって、
    　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、
    　該接触端子と該多層配線基板の電極は、該多層配線基板に対しほぼ垂直に設けられた接続部により電気的に接続されていることを特徴とするプローブカード。
13. 　プローブカードであって、
    　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、
    　該接触端子と該多層配線基板の電極との接続は、該接触端子から引き回された配線と、該配線と接続され、かつ該接触端子のピッチよりも広いピッチを有する電極パッドと、該電極パッドと電気的に接続されるスプリングプローブとを介して接続されることを特徴とするプローブカード。
14. 　請求項１３記載のプローブカードであって、
    　該スプリングプローブは取り外しできることを特徴とするプローブカード。
15. 　プローブカードであって、
    　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、
    　該接触端子と該多層配線基板の電極との接続は、該接触端子から引き回された配線と、該配線と接続され、かつ該接触端子のピッチよりも広いピッチを有する電極パッドと、該電極パッドと電気的に接続されるワイヤとを介して接続されることを特徴とするプローブカード。
16. 　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有するプローブカードであって、温度調節機能を有することを特徴とするプローブカード。
17. 　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有するプローブカードであって、
    　該プローブカードの少なくとも一部に温度制御のできる発熱体を設けたことを特徴とするプローブカード。
18. 　請求項８から１７のいずれかに記載のプローブカードであって、
    　該接続端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られた角錐状又は角錐台状の端子であることを特徴とするプローブカード。
19. 　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有するプローブカードであって、
    　該プローブカードには押圧機構が二段階あることを特徴とするプローブカード。
20. 　プローブカードであって、
    　ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極を有する多層配線基板を有し、
    　該プローブシートは、請求項１から７のいずれかに記載のプローブシートであることを特徴とするプローブカード。
21. 　ウエハを載せる試料台と、該ウエハに形成された半導体素子の電極と接触する接触端子を有し、かつ該半導体素子の電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されたプローブカードとを有する半導体検査装置であって、
    　該プローブカードは、該接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続される電極が該ウエハに対向する面に設けられた多層配線基板を有し、　該多層配線基板の該ウエハに対向する面に設けられた電極のピッチは、該接続端子のピッチよりも広くしたことを特徴とする半導体検査装置。
22. 　ウエハを載せる試料台と、該ウエハに形成された半導体素子の電極と接触する接触端子を有し、かつ該半導体素子の電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されたプローブカードとを有する半導体検査装置であって、
    　該試料台及びプローブカードは、ともに温度制御できることを特徴とする半導体検査装置。
23. 　請求項２１又は２２に記載の半導体検査装置であって、
    　該接触端子は、結晶性を有する基板の異方性エッチングによる穴を型材として作られた角錐状又は角錐台状の端子であることを特徴とする半導体検査装置。
24. 　半導体検査装置であって、
    　ウエハを載せる試料台と、該ウエハに設けられた電極と接触する接触端子を有するプローブカードを有し、
    　該プローブカードは、請求項８から２０のいずれかであることを特徴とする半導体検査装置。
25. 　ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該半導体素子の電気的特性を検査する工程と、該ウエハをダイシングし、該半導体素子ごとに分離する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
    　該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、
    　該半導体素子の電極に接触する接触端子を有するプローブシートと、該接触端子と電気的に接続され、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極が該ウエハに対向する面に設けられ多層配線基板を有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
26. 　ウエハに回路を作りこみ、半導体素子を形成する工程と、該半導体素子の電気的特性を検査する工程と、該ウエハをダイシングし、該半導体素子ごとに分割する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
    該半導体素子の電気的特性を検査する工程では、
    　該ウエハに設けられた電極と接触する接触端子と、該接触端子と電気的に接続され、該ウエハに形成された半導体素子の上部に対応する領域に設けられており、かつ該接触端子よりも広いピッチの電極を有する多層配線基板とを有するプローブカードを用いて、複数個の半導体素子を一括して検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。