JP2003207523A - コンタクタ及びその製造方法並びにコンタクト方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の端子の微細化に対応しつつ、ウ
ェハレベルの半導体装置のように複数の半導体装置の端
子に一括して確実にコンタクトをとることのできるコン
タクタ及びその製造方法並びにコンタクト方法を提供す
ることを課題とする。 【解決手段】 絶縁性材料よりなるフィルム状の基板２
−１，２−２に複数の配線３を設ける。配線３の各々の
一端は基板の一端を超えて延出して第１のコンタクト端
子３ｂとして機能する。配線３の各々の反対端は基板の
反対端を越えて延出して第２のコンタクト端子３ａとし
て機能する。第１のコンタクト端子３ｂと第２のコンタ
クト端子３ａとの間の部位は弾性変形可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコンタクタに係り、
特に主としてＬＳＩに代表される電子部品に対してコン
タクトするコンタクタ及びその製造方法並びにコンタク
ト方法に関する。

【０００２】近年、半導体基板などの製造技術の発展が
めざましく、それに伴いＬＳＩ配線パターンが微細化
し、ＬＳＩ端子数の増加と端子の微細化が著しい勢いで
進んでいる。また、ＬＳＩが使用される機器の小型化・
高密度実装化の要求が強く、例えば、携帯機器（携帯電
話やモバイルパソコン、ビデオ一体型カメラ等、小型性
能が要求されるもの）や高機能電算機（高速での動作を
保証するため、隣接するＬＳＩとの距離を極小化する必
要があるもの）が急増している。

【０００３】このため、ＬＳＩの出荷形態に関しても、
パッケージされていないＬＳＩチップのままで機能保証
して出荷するＫＧＤ（Ｋｎｏｗｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ)
や、ＬＳＩチップサイズと同等の外形を有する小型パッ
ケージであるＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）での出荷要求が急増している。これら２つの背景か
ら、ＬＳＩを試験するためには微細化された多ピンの端
子に対して確実にコンタクトできるコンタクタの供給が
不可欠となってきている。

【０００４】また、更にＬＳＩ試験の効率化の観点か
ら、ＬＳＩを個々のＬＳＩに切り離す前のＬＳＩウェハ
の状態のままで、すべての試験（ＦＴ：Ｆｉｎａｌ Ｔ
ｅｓｔあるいはＢＩ：Ｂｕｒｎ Ｉｎ）を実施する、い
わゆるフルテストへの必要性が強まっている。ウェハ状
態でのフルテストは下記のような効果が期待できる。

【０００５】個々のチップ毎に切り離して試験するよ
り、ハンドリング効率が良い。（チップサイズが異なる
とハンドリング設備の汎用性がないが、ウェハなら標準
化された外形サイズで一括搬送が可能になる）不良情報
等をウエハマップで管理できる。更に近年開発・発表が
進んでいるウェハレベルＣＳＰは、組み立て工程までウ
ェハ一括で実施できるため、ウェハ状態での試験が実現
できればウエハプロセス〜パッケージング（組み立て）
〜試験までの工程を一貫してウェハ状態で扱うことがで
き、工程の効率化が期待できる。

【０００６】しかしながら、前述したように個々のＬＳ
Ｉが微細端子化／多ピン化している上に、ウェハ状態の
ままで複数（できればウェハ上の全ＬＳＩの）端子に一
括でコンタクトできるコンタクタを実現することは難し
く、そのようなコンタクタを実現することは業界共通の
ニーズである。

【０００７】

【従来の技術】従来の半導体装置試験用コンタクタ（プ
ローブカード、ソケット）として代表的な例を以下に記
載する。

【０００８】針式のメカニカルプローブ 針式のメカニカルプローブは、個々の針（タングステン
ワイヤ等の針）を、それぞれ被試験ＬＳＩの端子位置に
あうようにコンタクタ基板（絶縁基板）に配置した構造
を有する。ＬＳＩウェハに対して上方より斜めに針を延
ばすカンチレバー構造が一般的である。針に弾性を持た
せることにより、被試験ＬＳＩの端子の垂直方向に配置
する方式も提案されている。

【０００９】メンブレン式プローブ メンブレン式プローブは、触針用のコンタクト電極とし
ての金属突起（以下「バンプ」と称する）を有するフィ
ルム状回路基板の構造を有する。

【００１０】異方性導電ゴム、 異方性導電ゴムは、絶縁基材として弾性を有するゴムを
用い、ゴムの中に厚さ方向にのみ延在する導電材料（金
属ワイヤ等）を組み込んだ構造を有する。

【００１１】また、特開平１０−１１１３１６号公報
は、基板の一端側から延出する配線の端部を接続端子と
して被試験対象の半導体装置にコンタクトさせ、基板の
他端における端子を測定用端子としたコンタクタを開示
している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述の針式のメカニカ
ルプローブは以下のような問題点を有している。

【００１３】ａ）多数の針（ピン）を個別に形成するた
め、コストが高い。

【００１４】ｂ）多数の針（ピン）を個別に配置するた
め、針先の位置精度に限界がある。

【００１５】ｃ）針が斜めに配置されていることが多い
ため、配置に制限がある。

【００１６】よって、針式のメカニカルプローブは、複
数のＬＳＩに一括でコンタクトするようなコンタクタに
用いることができない、あるいはそのようなコンタクタ
に用いることが困難である。

【００１７】また、上述のメンブレン式プローブは、以
下のような問題点を有している。

【００１８】ａ）個々のコンタクト電極が自由に動けな
い。コンタクト電極は絶縁基板（ポリイミド樹脂層）で
連結されているため、個々の電極の可動範囲が狭い。ま
た、コンタクト電極が硬質の金属バンプであるため、柔
軟性に乏しく、隣接バンプ同士の高さのばらつきがある
と、低いバンプが接触しない、接触不良を起こすといっ
た問題がある。

【００１９】ｂ）コストが高い。 一般にコンタクト電
極であるバンプは、金属メッキを堆積して形成するた
め、製造に時間がかかり、コストが高くなる。

【００２０】さらに、上述の異方性導電ゴムは以下のよ
うな問題を有している。

【００２１】ａ）寿命が短い。特に高温で使用する場合
（ＢＩ試験は通常１２５℃以上で行われる）ゴム部が塑
性変形してしまい、１回〜数十回しかもたない。 ｂ）狭いピッチに対応できない。導通材料をゴムの中に
組み込むことが難しいため、導通材料間のピッチは、２
００〜１５０μｍ程度が限度である。

【００２２】また、特開平１０−１１１３１６号公報に
開示されたコンタクタは、縦方向のストロークがほとん
どないため、被試験対象の半導体装置の電極端子に高さ
のバラツキがあると、全ての電極端子に一様にコンタク
トできないという欠点がある。また、コンタクタのベー
ス材と被試験対象の半導体装置の熱膨張係数が異なる場
合、バーンインなどの高温試験の際に位置ズレを起こ
し、うまくコンタクトがとれない可能性がある。

【００２３】以上のように、上述の各方式に共通して、
従来のコンタクタは以下のような問題点を有している。

【００２４】１）コンタクタのストローク量不足 従来のコンタクタでは、コンタクト部のストローク量
（弾性変形量）が少ないが、高さバラツキの少ないウェ
ハのアルミパッド、または狭いエリアであれば問題なく
コンタクトできる。しかし、ウェハレベルＣＳＰまたは
多数個一括モールドのパッケージの端子（ボール）は高
さのバラツキが大きく、またウェハを一括でコンタクト
しようとするとウェハには反りがあるため（チップの薄
型化により顕著になる）、コンタクト部のストローク量
（弾性変形量）が少ない従来のコンタクタでは十分なコ
ンタクトをとることができない。

【００２５】２）熱膨張係数の違いによる位置ずれ 被試験ＬＳＩウェハはシリコン（Ｓｉ）で作られるケー
スが多い。シリコンの線膨張係数は３ｐｐｍ程度である
が、前述したコンタクタの絶縁基板は樹脂で構成されて
いるため十数ｐｐｍ（１３〜３０ｐｐｍ）となる。コン
タクタが常温において正確な位置に接触していても、Ｂ
Ｉ試験のように高温で使用すると、線膨張係数の差で位
置がずれてしまい、コンタクタが端子からはずれてしま
う、あるいは隣の端子に接触してしまうといった問題が
ある。また、ウェハレベルＣＳＰや、多数個一括モール
ドのパッケージにおいても、封止樹脂などのパッケージ
材料と絶縁基板材料の線膨張係数が異なるため、同様の
問題が発生する。絶縁基板材料にポリイミドを用いた場
合、１３ｐｐｍ程度の膨張係数なので８インチウェハで
は（半径は約１００ｍｍ）、常温で正しく位置があって
いても、１２５℃まで加熱すると、ウェハ最外周部付近
の端子では１００μｍもの位置ずれが発生してしまう。

【００２６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体装置の端子の微細化に対応しつつ、ウェハ
レベルの半導体装置のように複数の半導体装置の端子に
一括して確実にコンタクトをとることのできるコンタク
タ及びその製造方法並びにコンタクト方法を提供するこ
とを目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。

【００２８】請求項１記載の発明は、試験装置の基板と
被試験体とを電気的に接続するためのコンタクタであっ
て、絶縁性材料よりなるフィルム状の基板と、該基板上
に設けられた複数の配線とよりなり、該配線の各々の一
端は前記基板の一端を超えて延出して第１のコンタクト
端子として機能し、反対端は前記基板の反対端を越えて
延出して第２のコンタクト端子として機能し、前記第１
のコンタクト端子と前記第２のコンタクト端子との間の
部位が弾性変形可能であることを特徴とするものであ
る。

【００２９】請求項２記載の発明は、請求項１記載のコ
ンタクタであって、前記基板は弾性変形可能なフレキシ
ブル基板であることを特徴とするものである。

【００３０】請求項３記載の発明は、請求項１記載のコ
ンタクタであって、前記基板は所定の間隔で配置された
第１の基板と第２の基板とを含み、前記第１のコンタク
ト端子は前記第１の基板から延出し、前記第２のコンタ
クト端子は前記第２の基板から延出し、前記配線は前記
第１の基板と前記第２の基板との間の部位において弾性
変形可能であることを特徴とするものである。

【００３１】請求項４記載の発明は、請求項３記載のコ
ンタクタであって、前記配線の前記第１の基板と前記第
２の基板の間の部分は、前記配線の長手方向に弾性的に
伸縮可能な形状の伸縮部を有することを特徴とするもの
である。

【００３２】請求項１乃至４記載の発明によれば、基板
あるいは配線の弾性変形を利用してコンタクト圧を得る
ことができるため、特別な弾性部材を設けることなく、
簡単な構造のコンタクタを実現することができる。コン
タクト端子は配線の一部であるため、微細なピッチに対
応することができる。また、配線又は基板のバネ定数は
小さいため、コンタクトのストロークを大きくとること
ができ、多数の電極に対する一括コンタクトが可能とな
る。また、コンタクタの基板に試験用電子部品を搭載す
ることができる。

【００３３】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４記
載のうちいずれか一項記載のコンタクタをスペーサを介
して重ね合わせて固定したことを特徴とするものであ
る。

【００３４】請求項５記載の発明によれば、コンタクト
端子を２次元的に配列することができ、エリアアレイ型
の半導体装置等に対応することができる。

【００３５】請求項６記載の発明は、請求項５記載のコ
ンタクタであって、前記基板を前記配線の各々に沿って
分離したことを特徴とするものである。

【００３６】請求項６記載の発明によれば、スペーサの
熱膨張率と基板の熱膨張率に差があっても、基板がスペ
ーサの熱膨張に追従するため、基板の変形を防止するこ
とができる。

【００３７】請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の
うちいずれか一項記載のコンタクタであって、前記第１
のコンタクト端子は前記試験装置の基板にコンタクト
し、前記第２のコンタクト端子は前記被試験体にコンタ
クトするよう構成され、前記第２のコンタクト端子が挿
入されるガイド孔を有するコンタクト端子ガイドを更に
有することを特徴とするものである。

【００３８】請求項７記載の発明によれば、コンタクト
端子ガイドにより第２のコンタクト端子を被試験体の電
極に対して精度よく位置決めすることができる。

【００３９】請求項８記載の発明は、請求項７記載のコ
ンタクタであって、前記コンタクト端子ガイドは、前記
被試験体と同じ熱膨張率を有する材料により形成された
ことを特徴とするものである。

【００４０】請求項８記載の発明によれば、コンタクタ
及び被試験体に熱を加えても、熱膨張による第２のコン
タクト端子の移動量は、被試験体の電極の移動量と同じ
となり、被試験体の電極に対する第２のコンタクトの位
置ずれを防止することができる。

【００４１】請求項９記載の発明は、試験装置の基板と
被試験体とを電気的に接続するためのコンタクタの製造
方法であって、絶縁性の基板に、複数の配線の各々を、
一端が前記基板の一端側から突出して延在し、反対端が
前記基板の反対端側から突出して延在するように形成す
ることを特長とするものである。

【００４２】請求項９記載の発明によれば、基板あるい
は配線の弾性変形を利用してコンタクト圧を得ることが
できるため、特別な弾性部材を設けることなく、簡単な
構造のコンタクタを実現することができる。コンタクト
端子は配線の一部であるため、微細なピッチに対応する
ことができる。

【００４３】請求項１０記載の発明は、試験装置の基板
と被試験体とを電気的に接続するためのコンタクタのコ
ンタクト方法であって、絶縁性基板上に設けられた複数
の配線の一端を前記試験装置の基板にコンタクトさせ、
前記配線の反対端を被試験体にコンタクトさせ、前記基
板を含む前記配線を弾性変形させることにより所望コン
タクト圧を発生させることを特徴とするものである。

【００４４】請求項１０記載の発明によれば、配線又は
基板のバネ定数は小さいため、コンタクトのストローク
を大きくとることができ、多数の電極に対する一括コン
タクトが可能となる。

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面と共に説明する。

【００４５】図１は本発明の第１実施例によるコンタク
タの斜視図である。本発明の第１実施例によるコンタク
タは、図１に示すように、２枚の薄い基板２−１，２−
２と複数の配線３とよりなる。基板２−１，２−２は絶
縁性の薄い基板であり、例えばポリイミドフィルムより
形成される。基板２−１，２−２は、所定の間隔を置い
て配置され、これらを繋ぐように複数の配線３が並行し
て配置される。

【００４６】配線３は銅などの導電性金属よりなる細い
線状の部材であり、ある程度の弾性変形可能である。配
線３の各々は、その一端がコンタクト端子３ａとして機
能し、他端がコンタクト端子３ｂとして機能する。

【００４７】図２は図１に示すコンタクタを電子部品と
プローブ基板との間に配置した状態を示す図である。図
２に示すように、コンタクタ１はプローブ基板４と電子
部品５との間に配置される。プローブ基板４はテスター
側の基板であり、試験装置に接続される。コンタクタ１
のコンタクト端子３ｂはプローブ基板４の対応する電極
４ａに接触するように配置される。電子部品５は被試験
体としての例えば半導体装置（ＬＳＩ等）であり、表面
に複数の電極５ａが形成される。配線３のコンタクト端
子３ａは電極５ａに接触する。

【００４８】このように、コンタクタ１は、プローブ基
板４と電子部品５との間に配置され、配線３のコンタク
ト端子３ｂがプローブ基板４の電極４ａに接触し、コン
タクト端子３ａが電子部品５の電極５ａに接触する。こ
れにより、電子部品の電極５ａをプローブ基板４（試験
装置）に電気的に接続することができ、電子部品５に通
電しながら試験を行うことができる。

【００４９】配線３は電子部品５の電極５ａと同じ間隔
（ピッチ）で並行に配列されている。例えば電子部品５
が狭ピッチの電極（例えばピッチ４０μｍ）を有するＬ
ＳＩである場合、各々の配線３の幅は例えば２０μｍで
あり、間隔も２０μｍに設定される。コンタクタ１の製
造方法については後述するが、コンタクタ１は２枚の基
板２−１，２−２と配線３だけからなる簡単な構造であ
るため、配線３のピッチを小さく形成することは容易で
あり、上述のように２０μｍ＋２０μｍ＝４０μｍとい
った狭ピッチの電極を有する半導体装置にも十分対応す
ることができる。

【００５０】コンンタクタ１は、まずプローブ基板４に
取り付けられた状態で電子部品５に対してコンタクトを
とる。すなわち、コンタクタ１の基板２−２が支持機構
６によりプローブ基板４に対して取り付けられることに
より、コンタクタ１はプローブ基板４に固定される。支
持機構６はコンタクタ１をプローブ基板４に対して付勢
して、コンタクト端子３ｂをプローブ基板の電極４ａに
接触させる。この状態で、コンタクタ１を電子部品５に
対して押圧して、コンタクト端子３ａを電子部品５の電
極５ａに接触させる。

【００５１】コンタクタ１がプローブ基板４と電子部品
５との間で押圧されると、配線３は基板２−１と基板２
−２との間で弾性的に湾曲する。この配線３の弾性力に
よりコンタクト端子３ａと電子部品５の電極５ａとの間
のコンタクト圧、及びコンタクト端子３ｂと電子部品５
の間のコンタクトを得ることができる。

【００５２】配線３は細い帯状の金属であり、比較小さ
なバネ定数を提供する。したがって、プローブ基板４と
電子部品５との間の距離がばらついても、コンタクト圧
が大きく変化することなく、適切なコンタクト圧を維持
することができる。

【００５３】図３は上述のコンタクタ１の変形例を示す
斜視図である。図３に示すコンタクタ１Ａは、図１に示
すコンタクタ１において、配線３の各々における基板２
−１と基板２−２との間の部分に伸縮部３ｃを設けたも
のである。伸縮部３ｃは図３に示例では、ジグザグ形状
に屈曲しており、配線３がその長手方向に伸縮し易い形
状である。

【００５４】図３に示すように配線３に伸縮部３ｃを設
けることにより、伸縮部３ｃの弾性変形によりコンタク
ト圧を得ることができ、よりバネ定数の低いコンタクタ
を提供することができる。なお、伸縮部３ｃの形状は図
３に示すジグザグ形状に限ることなく、配線３の長手方
向に弾性的に伸縮する形状であれば、サイン曲線やＵタ
ーン形状のように他の形状としてもよい。

【００５５】次に、本発明の第２実施例について図４を
参照しながら説明する。図４は本発明の第２実施例によ
るコンタクタ１１の斜視図である。コンタクタ１１も上
述のコンタクタ１と同様にプローブ基板４に取り付けら
れ、プローブ基板４と電子部品５との間に配置される構
成であり、重複した説明は省略する。

【００５６】図４に示すコンタクタ１１では、配線３が
一枚の基板１２に形成されており、基板１２自体が屈曲
して配線３の長手方向に弾性的に伸縮する構成である。
すなわち、基板１２の屈曲に伴って配線３も屈曲する。
基盤１２は絶縁性材料よりなり、例えば薄いポリイミド
フィルムが好適である。

【００５７】本実施例の場合、コンタクタ１１のバネ定
数は、基板１２のバネ定数と配線３のバネ定数により決
まる。基板１２のバネ定数が大きい場合は、屈曲させる
部分に切り込みを入れる等して、基板を屈曲しやすいよ
うに加工しておくことが好ましい。このように、基板１
２に切り込みを入れることにより、コンタクタ１１のバ
ネ定数を実質的に配線３のバネ定数に等しくすることが
できる。

【００５８】図５は図４に示すコンタクタ１１の変形例
を示す斜視図である。図５（ａ）に示すコンタクタ１１
Ａは、基板１２に開口１２ａが設けられる。開口１２ａ
は基板１２が屈曲する部分で配線３が内側に折れ曲がる
部分に形成される。すなわち、配線３が内側に屈曲する
部分は、配線３が圧縮されて歪が生じる恐れがあるた
め、この部分の基板に開口１２ａを設けておく。したが
って、図６に示すように、開口１２ａが設けられた部分
において、配線３は基板１２により規制されることなく
自由に屈曲することができる。したがって、配線３に無
理な力がかかることなく、基板１２及び配線３を滑らか
に屈曲することができ、コンタクタ全体のばね定数を低
くできる。もちろん、図５（ｂ）に示すように屈曲部全
てに開口１２ａを設けてもよい。

【００５９】次に、本発明の第３実施例について図７を
参照しながら説明する。図７は本発明の第３実施例によ
るコンタクタの側面図である。

【００６０】本発明の第３実施例によるコンタクタ２１
は一枚の基板２２と基板２２に形成された複数の配線３
とを有し、基板２１に複数の開口２２ａが設けられる。
開口２２ａが設けられた部分では、基板２２の強度（剛
性）が減少し、配線３と共に基板２１を容易に湾曲させ
ることができる。すなわち、開口２２ａを設けることに
より、コンタクタ２１のバネ定数を低減し、コンタクタ
全体としてのばね定数を低くできる。

【００６１】図７に示す開口２２ａは、基板２２の配線
３が形成された部分の周囲に形成されており、配線３が
延在する部分の基板２２は残されているが、開口２２ａ
の代わりに図８に示すように大きな開口２２ｂとして、
配線３の湾曲をより容易にすることもできる。この場
合、配線３は基板２２による規制無しに自由に湾曲する
ことができるため、コンタクタ２１Ａのバネ定数をより
低減することができる。

【００６２】次に、本発明の第４実施例について図９を
参照しながら説明する。図９は本発明の第４実施例によ
るコンタクタの斜視図である。

【００６３】本発明の第４実施例によるコンタクタ３１
は、基板３２と基板２１に形成された複数の配線３とよ
りなる。基板３２は第１の基板部分３２Ａと第２の基板
部分３２Ｂとよりなる。第１の基板部分３２Ａは比較的
剛性を有する材料により形成され、第２の基板部分３２
Ｂは、第１の基板部分３２Ａより小さな剛性を有する材
料により形成される。したがって、コンタクタ３１のコ
ンタクト端子３ａ及び３ｂに押圧力が作用した場合、第
１の基板部分３２は変形しないか、極僅か変形するだけ
であり、第２の基板部分３２Ｂが大きく湾曲する。

【００６４】本実施例によれば、第２の基板部分３２Ｂ
においてコンタクタのバネ定数があら得られ、且つ、配
線３は第１の基板部分３２Ａ及び第２の基板部分３２Ｂ
により支持されるため、隣接した配線３の間隔を常に一
定に維持することができ、配線３同士の接触を防止する
ことができる。

【００６５】次に、本発明の第５実施例について図１０
を参照しながら説明する。図１０は本発明の第５実施例
によるコンタクタ４１の側面図であり、（ａ）は屈曲し
ていない通常の状態を示し、（ｂ）は屈曲した状態を示
す。

【００６６】コンタクタ４１は、上述の図４に示す第２
実施例によるコンタクタ１１を複数枚スペーサ４２を介
して重ね合わせたものである。スペーサ４２としては、
絶縁性樹脂材料あるいは樹脂フィルムが好適であるが、
絶縁性を有して２枚の基板を離間した状態に支持できる
ものであればよい。スペーサ４２は基板１２の屈曲しな
い部分に固定される。

【００６７】コンタクタ４１は基板１２の面に沿って複
数の配線３を有し、且つ基板１２が配線３が設けられた
面に垂直な方向に複数枚重ねられるため、コンタクト端
子３ａ及び３ｂを２次元状（マトリクス状）に配置する
ことができる。したがって、電極端子が２次元状に配列
された半導体装置に対応することができる。

【００６８】図１１は図１０に示すコンタクタ４１の第
１の変形例を示す側面図である。図１１に示すコンタク
タ４１Ａは、スペーサ４２の一部を、幅の広いスペーサ
４２Ａに置き代えたものである。このように、スペーサ
４２の幅を変えることにより電子部品５の端子５ａの配
列状態に合わせてコンタクタのコンタクタ端子３ａ，３
ｂの配列を変更することができる。

【００６９】図１２は図１０に示すコンタクタの第２の
変形例を示す側面図である。図１２に示すコンタクタ４
１Ｂは、２枚のコンタクタ１１を角度を持ってスペーサ
４２Ｂにより重ねて固定したものである。すなわち、ス
ペーサ４２Ｂの幅は、コンタクト端子３ａにスペーサ４
２Ｂは狭く、コンタクタ端子３ｂに近づくほど広く設定
されている。したがって、狭いピッチの電極５ａにコン
タクトしながら、プローブ電極側ではコンタクト端子３
ｂのピッチを大きくとることができる。

【００７０】なお、図１０に示す実施例は、上述の第２
実施例によるコンタクタ１１を複数枚重ねたものである
が、上述の第１、第３又は第４実施例によるコンタクタ
を複数枚重ねることとしてもよい。

【００７１】以上のようなスペーサを介して複数のコン
タクタを重ね合わせた構成において、スペーサと基板と
の熱膨張率に差があると基板に応力が発生して変形する
おそれがある。これを回避するために、図１３に示すよ
うに基板に加工を施すことが好ましい。図１３（ａ）で
は、配線３に沿って基板１２に点線で示すような切れ目
を入れたものである。また図１３（ｂ）に示すように、
配線３に沿って基板１２を所定の幅で除去することとし
てもよい。例えば電子部品５がシリコンウェハ上に形成
された半導体装置である場合、スペーサ２４をシリコン
により作成することにより、ウェハの熱膨張による半導
体装置の電極の移動量と、コンタクタの熱膨張によるコ
ンタクト端子３ａの移動量を等しくすることができる。

【００７２】次に、本発明の第６実施例について図１４
を参照しながら説明する。図１４は本発明の第６実施例
によるコンタクタ５１の側面図であり、図１４（ａ）は
コンタクタ５１がプローブ基板４に取り付けられた状態
を示し、図１４（ｂ）はコンタクタ５１が電子機器５の
電極５ａに対して押圧されてコンタクトをしている状態
を示す。

【００７３】コンタクタ５１は、図３に示すコンタクタ
において基板２−２を配線３の各々に対して分離したも
のである。このようにすることにより、各コンタクト端
子３ａを個別にストロークさせることができる。したが
って、電子機器５の電極の高さにばらつきがあったとし
ても、図１４（ｂ）に示すように、配線３の伸縮部３ｃ
を個別に伸縮させてすべての電極５ａに対してコンタク
ト端子３ａを適切にコンタクトさせることができる。

【００７４】次に、上述のコンタクタ１の製造方法につ
いて図１５乃至１８を参照しながら説明する。

【００７５】コンタクタ１を製造するための第１の方法
は、図１５に示すようにまず基板１２に配線３を形成
し、その後、基板１２の中央部分を除去することであ
る。図１６（ａ）に示すように配線３が設けられた基板
２にレジストを形成して基板を除去する部分のみレジス
トを除去する。そして、エッチングやレーザ照射により
レジストにより覆われた部分以外の基板を除去して図１
６（ｂ）に示すようにコンタクタ１が完成する。

【００７６】また、コンタクタ１を製造するための第２
の方法は、図１７に示すようにまず基板１を２つに分離
した後で、配線３形成する方法である。図１８（ａ）に
示すように、基板１２を金型によりせん断して基板２−
１，２−２に分離し、図１８（ｂ）に示すように基板２
−１，２−２を跨ぐようにして配線３を基板に貼り付け
る。この場合、配線３は銅ワイヤ等により形成される。

【００７７】図１９は図３に示すコンタクタ１Ａの製造
方法を説明するための図である。まず、図１９（ａ）に
示すように、基板２上に配線３を形成する。配線３は基
板２上に貼り付けられた銅板をエッチングすることによ
り、ジグザグ形状の伸縮部３ｃを含めて容易に形成する
ことができる。そして、図１６に示す方法と同様な方法
で、図１９（ｂ）に示すように基板２を基板２−１，２
−２とに分離してコンタクタ１Ａが完成する。

【００７８】図２０は、図１９に示すコンタクタ１Ａの
伸縮部をＳ字状にした例を示すものであり、製造方法と
しては図１９に示す製造方法と同様である。

【００７９】図２１は、図２０に示すコンタクタを例に
とって、配線３の伸縮部３ｃに熱処理を施したり、メッ
キ処理を施すことを示した図である。配線３の伸縮部３
ｃに熱処理を施したり、あるいはニッケル（Ｎｉ）メッ
キ、パラジウム（Ｐｄ）メッキあるいはニッケル合金メ
ッキ等のメッキ処理を施したりすることにより、伸縮部
３ｃの弾性を調整してバネ定数を調整することができ
る。

【００８０】図２２は、図２０に示すコンタクタを例に
とって、配線３の伸縮部３ｃにポリイミド樹脂等の絶縁
コーティングを施すことを示した図である。絶縁コーテ
ィングを施すことにより、伸縮部の弾性を調整するだけ
でなく、伸縮部３ｃ同士が接触した際に短絡することを
防止することができる。

【００８１】ここで、図２３は、上述のコンタクタ１の
変形例であり、基板２−１，２−１の間の空間部にシリ
コンゴムのようなゴム弾性樹脂を充填した例を示す。ま
た、図２４は、図２２と同様に上述のコンタクタ１Ａに
おいて、基板２−１，２−１の間の空間部にシリコンゴ
ムのようなゴム弾性樹脂を充填した例を示す。基板２−
１，２−２の間にゴム弾性樹脂を充填することにより、
配線３を絶縁しながら支持することができ、配線同士の
接触を防止することができる。

【００８２】次に、本発明の第７実施例について説明す
る。図２５は本発明の第７実施例によるコンタクタの原
理を説明するための正面図である。

【００８３】図２５に示すコンタクタ６１は、図３に示
すコンタクタ１Ａとコンタクト端子ガイド６２とよりな
る。コンタクト端子ガイド６２は、コンタクタ１Ａのコ
ンタクト端子３ａの各々が挿入されるガイド孔６２ａを
有する。コンタクト端子ガイド６２は、被検査体として
の電子部品５（主に半導体装置）の電極５ａの近傍に配
置され、コンタクト端子３ａが電子部品の電極５にうま
くコンタクトするようにガイドする。すなわち、コンタ
クト端子ガイド６２のガイド孔６２ａは、電子部品５の
電極の配列を同じ配列で設けられ、各コンタクト端子３
ａが対応するガイド孔６２ａに挿入されることで、各コ
ンタクト端子３ａは電子部品５の対応する電極５ａに対
して精度よく位置決めされる。

【００８４】図２６はガイド孔６２ａの形状を示す断面
図である。図２５（ａ）に示すガイド孔６２ａは、その
両サイドが傾斜面となっている。また、図２５（ｂ）に
示すガイド孔６２ａは片側サイドが傾斜面となってい
る。これらの傾斜面は、コンタクト端子３ａが挿入され
る際に挿入を容易にし、且つ精度良く位置決めするため
に設けられる。

【００８５】図２７はコンタクタ６１をプローブ基板４
に取り付けた状態を示す正面図である。コンタクタ１Ａ
の基板２−１は支持機構によりプローブ基板４に対して
取り付けられる。加えて、コンンタクト端子ガイド６２
も、支持機構６３によりプローブ基板に対して取り付け
られる。コンタクタ１Ａとコンタクト端子ガイド６２と
がプローブ基板４に取り付けられた状態で、コンタクタ
１Ａのコンタクト端子３ｂはプローブ基板の対応する電
極４ａにコンタクトし、コンタクト端子３ａはコンタク
ト端子ガイド６２の対応するガイド孔６２ａを貫通して
延在し、その先端が僅かにガイド孔６２ａから突出す
る。

【００８６】図２８は被試験体である電子部品５として
シリコンウェハ上に形成された半導体装置を用いた場合
に、コンタクト端子ガイド６２Ａをシリコンウェハと同
じ又は近似した熱膨張率を有する材料で形成した例を示
す図である。例えばバーンインテストのように高温で試
験を行う際に、コンタクタ１Ａの基板２−２と電子部品
（シリコンウェハ）との熱膨張率が大きく異なると、コ
ンタクト端子３ａと電極５ａとが相対的に移動して、コ
ンタクト端子３ａが電極５ａから外れるといった問題が
発生するおそれがある。そこで、コンタクト端子ガイド
６２Ａを電子部品（シリコンウェハ）と同じ材料又は近
似した熱膨張率を有する材料で形成すれば、コンタクト
端子３ａと電極５ａとの熱膨張による移動量は等しくな
り、相対移動はなくなる。したがって、コンタクト端子
３ａを電極５ａに対して常に正確に位置決することがで
きる。

【００８７】以下、図２９、３０、３１は被試験体によ
りコンタクト端子ガイドの材料を変更する例を示す。

【００８８】図２９に示す例は、電子部品５がウェハレ
ベルＣＳＰであり、コンタクト端子ガイド６２Ｂはウェ
ハレベルＣＳＰの封止材料又はコーティング材と同等の
熱膨張率を有する材料で形成されている。ウェハレベル
ＣＳＰの封止材料とは、パッケージのモールド樹脂、ポ
リイミド樹脂コーティング、再配線基板等である。

【００８９】図３０に示す例は、電子部品５がダイシン
グフィルムに貼り付けられた半導体装置であり、コンタ
クト端子ガイド６２Ｃはダイシングフィルムと同等の熱
膨張率を有する材料により形成されている。ダイシング
フィルムは一般にポリエチレンフィルム等の比較的安価
な材料であり、熱膨張率は比較的大きい。

【００９０】図３１に示す例は、電子部品５が多数個一
括モールド成形のパッケージ半導体装置であり、コンタ
クト端子ガイド６２Ｄはパッケージ半導体装置の封止材
又は基材と同等の熱膨張率を有する材料により形成され
ている。パッケージ半導体装置の基材は、例えばプリン
ト基板、ＴＡＢ基板、セラミック基板である。

【００９１】以上のように、被試験体の材料と同等の熱
膨張率を有する材料をコンタクト端子ガイドの材料とし
て適宜選択することにより、熱膨張によるコンタクト端
子３ａの位置ずれを防止することができ、信頼性の高い
試験を行うことができる。

【００９２】一方、コンタクト端子ガイドの熱膨張率を
被試験体と異なる熱膨張率とすることにより、以下のよ
うな効果を得ることができる。例えば、図３２に示すよ
うに、コンタクト端子ガイド６２の熱膨張率を被試験体
としての電子部品５の熱膨張率より大きく設定した場
合、熱膨張率の差によりコンタクト端子３ａが電極５ａ
上で移動する動作が発生する。このコンタクト端子３ａ
の動作により、コンタクト端子３ａと電極５ａとの接触
抵抗を低減し、電極５ａ上に形成された自然酸化膜等を
破るといった効果を得ることができる。また、コンタク
ト端子ガイド６２の熱膨張率が電子部品５の熱膨張率よ
り小さい場合でも同様の効果を得ることができる。

【００９３】図３３は図２６（ｂ）に示すガイド孔６２
ａの形状を説明するための図であり、（ａ）はガイド孔
６２ａを上から見た図であり、（ｂ）はコンタクト端子
３ａのガイドを説明するための図である。ガイド孔６２
ａは、電子部品５側から見ると細長い長円形であり、そ
の一端側から傾斜面６２ｂが延在している。コンタクト
端子３ａは、電子部品５の電極５ａの真上に位置するよ
うに調整され、そこから下降して電極５ａと接触する
が、もしコンタクト端子３ａの位置が傾斜面６２ｂの上
方にずれていても、コンタクト端子３ａの先端は傾斜面
６２ｂ上を滑って電極５ａ上へと案内される。

【００９４】なお、傾斜面６２ｂは平面に限られず、例
えば図３４に示すように曲面としてもよい。また、図３
５に示すように、ガイド孔を円形としてその周囲全体に
曲面形状の傾斜面６２ｂを設けることとしてもよい。

【００９５】図３６は上述の傾斜面６２ｂ効果を説明す
るたもの図である。図３６（ａ）に示すように、コンタ
クト端子３ａの先端に付着物があった場合、図３６
（ｂ）に示すようにコンタクト端子３ａの先端が傾斜面
６２ｂ上を滑ることにより、付着物はコンタクト端子か
ら離脱する。そして、図３６（ｃ）に示すように、付着
物が取り除かれたコンタクト端子３ａの先端は電極５上
に確実に案内され、良好なコンタクトを得ることができ
る。

【００９６】次に、上述の実施例によるコンタクタの様
々な変形例及び応用例について説明する。

【００９７】図３７は上述のコンタクタを重ね合わせて
ペリフェラル型の半導体装置の電極配列に合わせる構成
を示す図である。図３８はエリアアレイ型半導体装置の
電極配列にコンタクト端子３ａを合わせる構成を示す図
である。また、図３９は周辺２列配列の電極を有する半
導体装置の電極に合わせたコンタクタの構成を示す図で
ある。

【００９８】図４０は配線３を基板２に設けた構造をマ
イクロストリップライン構造とした例を示す斜視図であ
る。すなわち、基板２を誘電体により形成し、一方の面
全体に接地面として例えば銅板よりなる導電体２ｂを貼
り付け、他方の面に配線３を例えば銅板のパターン形成
により設けたものである。これにより、高周波信号を扱
う半導体装置の試験に好適なコンタクタを作成すること
ができる。

【００９９】図４０に示す構造の応用として、図４１に
示すように、コンタクタの信号線を接地配線により囲ん
でさらにシールド効果を高めることも考えられる。

【０１００】図４２はコンタクタを構成する基板２の上
に試験用電子部品７０を搭載した例を示す斜視図であ
る。試験用電子部品７０として、例えばＡ／Ｄコンバー
タ等が挙げられる。被試験体である半導体装置からアナ
ログ信号が供給されるような場合に、コンタクタ上でデ
ジタル信号に変換することで、それ以後の信号劣化を防
止することができる。こののようなＡ／Ｄ変換はなるべ
く被試験体に近い部分で行うことが好ましく、この点に
おいてコンタクタにＡ／Ｄコンバータを設けることは好
ましい。

【０１０１】図４３は基板２上において配線３のピッチ
を変える構成を示す斜視図である。すなわち、基板２に
配線３をパターン形成する際に、例えば被試験体側のコ
ンタクト端子３ａのピッチを被試験体に合わせて小さく
設定し、プローブ基板側のコンタクト端子３ｂのピッチ
を大きくする。このような構成は、コンタクタの配線３
を基板２上でのパターン形成により設けることにより極
めて容易に達成することができる。

【０１０２】図４４はコンタクト端子の先端にメッキ処
理を施す例を示す図である。図４０（ａ）はコンタクタ
全体を示し、図４４（ｂ）は図４４（ａ）における点線
で示した円内の部分を拡大して示す図である。コンタク
タ端子３ａと電子部品５の電極との間の接触抵抗はなる
べく小さい方が好ましい。そこで、例えば銅により形成
されたコンタクト端子３ａに、金（Ａｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｄ）、プラチナ（Ｐｔ）等のメ
ッキ層７１を形成して、接触抵抗を軽減する。

【０１０３】また、コンタクト端子３ａの先端は、被試
験体である電子部品５の電極５ａに接触するため、コン
タクト端子３ａは電極５ａの材料と親和性が低いことが
好ましい。電子部品５が半導体装置である場合、電極５
ａは半田により形成されていることが多い。このような
場合、コンタクト端子３ａの先端にニッケル（Ｎｉ）メ
ッキを施すことが好ましい。なお、メッキは単一のメッ
キ層に限ることなく、種類の異なる多層メッキとしても
よい。

【０１０４】図４５はコンタクト端子の先端部の表面を
粗くした例を説明するための図である。図４５（ａ）は
コンタクタ全体を示し、図４５（ｂ）は図４５（ａ）に
おける点線で示した円内のコンタクタ端子を拡大して示
す図である。図４５（ｂ）に示すように、コンタクト端
子の先端の表面を粗くすることにより、電子部品の電極
上の付着物や酸化皮膜を除去し易くする。表面を粗くす
る処理は、例えばメッキ処理により表面を粗くしたり、
薬液に浸漬する等の処理で達成できる。

【０１０５】図４６はコンタクト端子３ａの先端の形状
の例と、電子部品５の電極５ａの例を示す図である。電
子部品５の電極５ａの種類に合わせて、コンタクト端子
３ａの先端の形状を最も好ましい形状とする。コンタク
ト端子３ａが設けられる配線３をパターン形成により形
成する場合、コンタクト端子３ａの形状は容易に任意の
形状にすることができる。

【０１０６】以上の如く、本明細書は以下の発明を開示
する。

【０１０７】（付記１） 試験装置の基板と被試験体と
を電気的に接続するためのコンタクタであって、絶縁性
材料よりなるフィルム状の基板と、該基板上に設けられ
た複数の配線とよりなり、該配線の各々の一端は前記基
板の一端を超えて延出して第１のコンタクト端子として
機能し、反対端は前記基板の反対端を越えて延出して第
２のコンタクト端子として機能し、前記第１のコンタク
ト端子と前記第２のコンタクト端子との間の部位が弾性
変形可能であることを特徴とするコンタクタ。 （付記２） 付記１記載のコンタクタであって、前記基
板は弾性変形可能なフレキシブル基板であることを特徴
とするコンタクタ。 （付記３） 付記１記載のコンタクタであって、前記基
板は所定の間隔で配置された第１の基板と第２の基板と
を含み、前記第１のコンタクト端子は前記第１の基板か
ら延出し、前記第２のコンタクト端子は前記第２の基板
から延出し、前記配線は前記第１の基板と前記第２の基
板との間の部位において弾性変形可能であることを特徴
とするコンタクタ。 （付記４） 付記３記載のコンタクタであって、前記配
線の前記第１の基板と前記第２の基板の間の部分は、前
記配線の長手方向に弾性的に伸縮可能な形状の伸縮部を
有することを特徴とするコンタクタ。 （付記５） 付記４記載のコンタクタであって、前記伸
縮部はジグザグ形状であることを特徴とするコンタク
タ。

【０１０８】（付記６） 付記４又は５記載のコンタク
タであって、前記伸縮部は、熱処理、めっき処理及び絶
縁コーティングのうち少なくとも一つが施されたことを
特徴とするコンタクタ。

【０１０９】（付記７） 付記４乃至６のうちいずれか
一項記載のコンタクタであって、前記伸縮部は、熱処
理、めっき処理及び絶縁コーティングのうち少なくとも
一つが施されたことを特徴とするコンタクタ。

【０１１０】（付記８） 付記４乃至７のうちいずれか
一項記載のコンタクタであって、前記伸縮部は、熱処
理、めっき処理及び絶縁コーティングのうち少なくとも
一つが施されたことを特徴とするコンタクタ。

【０１１１】（付記９） 付記１記載のコンタクタであ
って、前記基板は前記配線の長手方向に対して垂直な方
向に沿って少なくとも一本の屈曲線が形成されており、
前記基板は該屈曲線に沿って屈曲可能であることを特徴
とするコンタクタ。

【０１１２】（付記１０） 付記９記載のコンタクタで
あって、前記基板は前記屈曲線の一部に沿って開口が設
けられたことを特徴とするコンタクタ。

【０１１３】（付記１１） 付記１記載のコンタクタで
あって、前記基板は少なくとも一つの開口を有し、開口
が形成された部分は他の部分より弾性変形し易いことを
特徴とするコンタクタ。

【０１１４】（付記１２） 付記１１記載のコンタクタ
であって、前記開口は隣接する配線の間に設けられたこ
とを特徴とするコンタクタ。

【０１１５】（付記１３） 付記１１記載のコンタクタ
であって、前記開口は配線が延在する部分にも設けられ
たことを特徴とするコンタクタ。

【０１１６】（付記１４） 付記１記載のコンタクタで
あって、前記基板は、複数の第１の基板と、該第１の基
板の間に設けられ柔軟性を有する第２の基板とを含むこ
とを特徴とするコンタクタ。

【０１１７】（付記１５） 付記１乃至１４記載のうち
いずれか一項記載のコンタクタをスペーサを介して重ね
合わせて固定したことを特徴とするコンタクタ。 （付記１６） 付記１５記載のコンタクタであって、前
記スペーサの幅は異なることを特徴とするコンタクタ。

【０１１８】（付記１７） 付記１６記載のコンタクタ
であって、前記スペーサは、隣接した基板が所定の角度
を形成するように異なる幅を有することを特徴とするコ
ンタクタ。

【０１１９】（付記１８） 付記１５乃至１７のうちい
ずれか一項記載のコンタクタであって、前記基板を前記
配線の各々に沿って分離したことを特徴とするコンタク
タ。 （付記１９） 付記３記載のコンタクタであって、前記
第２の基板を前記配線の各々に沿って分離したことを特
徴とするコンタクタ。

【０１２０】（付記２０） 付記３記載のコンタクタで
あって、前記第１の基板と前記第２の基板との間に弾性
体を充填したこたと特徴とするコンタクタ。

【０１２１】（付記２１） 付記１乃至２０のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記第１のコンタ
クト端子は前記試験装置の基板にコンタクトし、前記第
２のコンタクト端子は前記被試験体にコンタクトするよ
う構成され、前記第２のコンタクト端子が挿入されるガ
イド孔を有するコンタクト端子ガイドを更に有すること
を特徴とするコンタクタ。 （付記２２） 付記２１記載のコンタクタであって、前
記ガイド孔は傾斜面を有することを特徴とするコンタク
タ。

【０１２２】（付記２３） 付記２１又は２２記載のコ
ンタクタであって、前記コンタクト端子ガイドは、前記
被試験体と同じ熱膨張率を有する材料により形成された
ことを特徴とするコンタクタ。 （付記２４） 付記１乃至２０のうちいずれか一項記載
のコンタクタを複数個重ねて構成したことを特徴とする
コンタクタ。

【０１２３】（付記２５） 付記１乃至２０のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、一枚の基板に設け
られた前記配線の数とピッチとを、前記被試験体の電極
の数とピッチに対応させたことを特徴とするコンタク
タ。

【０１２４】（付記２６） 付記１乃至２０のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記基板の片面に
前記配線を設け、接地される導体層を前記基板の反対側
の面の全面に設けたことを特徴とするコンタクタ。

【０１２５】（付記２７） 付記１乃至２０のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記基板に試験用
電子部品を搭載したことを特徴とするコンタクタ。

【０１２６】（付記２８） 付記２７記載のコンタクタ
であって、前記試験用電子部品は、被試験体からのアナ
ログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータで
あることを特徴とするコンタクタ。

【０１２７】（付記２９） 付記１乃至２０のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記配線は、前記
試験装置の基板にコンタクトする前記第１のコンタクト
端子のピッチが、前記被試験体にコンタクトする前記第
２のコンタクト端子のピッチより大きくなるように形成
されたことを特徴とするコンタクタ。

【０１２８】（付記３０） 付記１乃至２９のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記被試験体にコ
ンタクトする前記第２のコンタクト端子にメッキ処理を
施したことを特徴とするコンタクタ。

【０１２９】（付記３１） 付記１乃至３０のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記被試験体にコ
ンタクトする前記第２のコンタクト端子の先端の表面を
他の部分より粗くしたことを特徴とするコンタクタ。

【０１３０】（付記３２） 付記１乃至３１のうちいず
れか一項記載のコンタクタであって、前記被試験体にコ
ンタクトする前記第２のコンタクト端子の先端の形状を
前記被試験体の電極に対応した形状としたことを特徴と
するコンタクタ。

【０１３１】（付記３３） 試験装置の基板と被試験体
とを電気的に接続するためのコンタクタの製造方法であ
って、絶縁性の基板に、複数の配線の各々を、一端が前
記基板の一端側から突出して延在し、反対端が前記基板
の反対端側から突出して延在するように形成することを
特長とするコンタクタの製造方法。 （付記３４） 付記３３記載のコンタクタの製造方法で
あって、前記配線を前記基板上に形成した後に、前記配
線を残して前記基板の前期一端側と前記反対端側との間
の一部を除去することを特徴とするコンタクタの製造方
法。

【０１３２】（付記３５） 付記３４記載のコンタクタ
の製造方法であって、前記配線のうち、前記基板の除去
する部分に対応する部分を、ジグザグ形状のパターンと
して形成することを特徴とするコンタクタ。

【０１３３】（付記３６） 試験装置の基板と被試験体
とを電気的に接続するためのコンタクタの製造方法であ
って、第１の基板と第２の基板とを所的の間隔で配置
し、一端が前記第１の基板から突出して延在し、反対端
が前記第２の基板から突出して延在するように、前記第
１の基板と前記第２の基板を跨いで複数の配線を設ける
ことを特徴とするコンタクタの製造方法。

【０１３４】（付記３７） 試験装置の基板と被試験体
とを電気的に接続するためのコンタクタのコンタクト方
法であって、絶縁性基板上に設けられた複数の配線の一
端を前記試験装置の基板にコンタクトさせ、前記配線の
反対端を被試験体にコンタクトさせ、前記基板を含む前
記配線を弾性変形させることにより所望コンタクト圧を
発生させることを特徴とするコンタクト方法。

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１乃至４記
載の発明によれば、基板あるいは配線の弾性変形を利用
してコンタクト圧を得ることができるため、特別な弾性
部材を設けることなく、簡単な構造のコンタクタを実現
することができる。コンタクト端子は配線の一部である
ため、微細なピッチに対応することができる。また、配
線又は基板のバネ定数は小さいため、コンタクトのスト
ロークを大きくとることができ、多数の電極に対する一
括コンタクトが可能となる。また、コンタクタの基板に
試験用電子部品を搭載することができる。

【０１３５】請求項５記載の発明によれば、コンタクト
端子を２次元的に配列することができ、エリアアレイ型
の半導体装置等に対応することができる。

【０１３６】請求項６記載の発明によれば、スペーサの
熱膨張率と基板の熱膨張率に差があっても、基板がスペ
ーサの熱膨張に追従するため、基板の変形を防止するこ
とができる。

【０１３７】請求項７記載の発明によれば、コンタクト
端子ガイドにより第２のコンタクト端子を被試験体の電
極に対して精度よく位置決めすることができる。

【０１３８】請求項８記載の発明によれば、コンタクタ
及び被試験体に熱を加えても、熱膨張による第２のコン
タクト端子の移動量は、被試験体の電極の移動量と同じ
となり、被試験体の電極に対する第２のコンタクトの位
置ずれを防止することができる。

【０１３９】請求項９記載の発明によれば、基板あるい
は配線の弾性変形を利用してコンタクト圧を得ることが
できるため、特別な弾性部材を設けることなく、簡単な
構造のコンタクタを実現することができる。コンタクト
端子は配線の一部であるため、微細なピッチに対応する
ことができる。

【０１４０】請求項１０記載の発明によれば、配線又は
基板のバネ定数は小さいため、コンタクトのストローク
を大きくとることができ、多数の電極に対する一括コン
タクトが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例によるコンタクタの斜視図
である。

【図２】図１に示すコンタクタを電子部品とプローブ基
板との間に配置した状態を示す図である。

【図３】図１に示すコンタクタの変形例を示す斜視図で
ある。

【図４】発明の第２実施例によるコンタクタの斜視図で
ある。

【図５】図４に示すコンタクタの変形例を示す斜視図で
ある。

【図６】図５に示すコンタクタがプローブ基板と電子部
品との間に配置された状態を示す斜視図である。

【図７】本発明の第３実施例によるコンタクタの正面図
である。

【図８】図７に示すコンタクタの変形例を示す正面図で
ある。

【図９】本発明の第４実施例によるコンタクタの斜視図
である。

【図１０】本発明の第５実施例によるコンタクタの側面
図であり、（ａ）は屈曲していない通常の状態を示し、
（ｂ）は屈曲した状態を示す。

【図１１】図１０に示すコンタクタの第１の変形例を示
す側面図である。

【図１２】図１０に示すコンタクタの第２の変形例を示
す側面図である。

【図１３】熱膨張率に関連して基板に加工を施した例を
示す斜視図である。

【図１４】本発明の第６実施例によるコンタクタの正面
図である。

【図１５】図１に示すコンタクタの第１の製造方法を説
明するための図である。

【図１６】図１に示すコンタクタの第１の製造方法を説
明するための図である。

【図１７】図１に示すコンタクタの第２の製造方法を説
明するための図である。

【図１８】図１に示すコンタクタの第２の製造方法を説
明するための図である。

【図１９】図３に示すコンタクタの製造方法を説明する
ための図である。

【図２０】図１９に示すコンタクタの伸縮部をＳ字状に
した例を示す図である。

【図２１】図２０に示すコンタクタを例にとって、配線
の伸縮部に熱処理を施したり、メッキ処理を施すことを
示した図である。

【図２２】図２０に示すコンタクタを例にとって、配線
の伸縮部にポリイミド樹脂等の絶縁コーティングを施す
ことを示した図である。

【図２３】図１に示すコンタクタの変形例を示す斜視図
である。

【図２４】図３に示すコンタクタの変形例を示す斜視図
である。

【図２５】本発明の第７実施例によるコンタクタの原理
を説明するための正面図である。

【図２６】ガイド孔の形状を示す断面図である。

【図２７】図２５に示すコンタクタをプローブ基板に取
り付けた状態を示す正面図である。

【図２８】被試験体がシリコンウェハ上に形成された半
導体装置であり、コンタクト端子ガイドをシリコンウェ
ハと同等の熱膨張率を有する材料で形成した例を示す図
である。

【図２９】被試験体がウェハレベルＣＳＰであり、コン
タクト端子ガイドをウェハレベルＣＳＰの封止材料又は
コーティング材と同等の熱膨張率を有する材料で形成し
た礼を示す図である。

【図３０】被試験体がダイシングフィルムに貼り付けら
れた半導体装置であり、コンタクト端子ガイドをダイシ
ングフィルムと同等の熱膨張率を有する材料により形成
した例を示す図である。

【図３１】被試験体が多数個一括モールド成形のパッケ
ージ半導体装置であり、コンタクト端子ガイドをパッケ
ージ半導体装置の封止材又は基材と同等の熱膨張率を有
する材料により形成した例である。

【図３２】コンタクト端子ガイド６２の熱膨張率を電子
部品の熱膨張率より大きく設定した場合における、コン
タクト端子の電極５ａ上での移動を説明するための図で
ある。

【図３３】ガイド孔の形状を説明するための図である。

【図３４】ガイド孔の湾曲した傾斜面を説明するための
図である。

【図３５】湾曲した傾斜面を有するガイド孔を説明する
ための図である。

【図３６】コンタクタを重ね合わせてペリフェラル型の
半導体装置の電極配列に合わせる構成を示す図である。

【図３７】エリアアレイ型半導体装置の電極配列にコン
タクト端子３を合わせる構成を示す図である。

【図３８】周辺２列配列の電極を有する半導体装置の電
極に合わせたコンタクタの構成を示す図である。

【図３９】周辺２列配列の電極を有する半導体装置の電
極に合わせたコンタクタの構成を示す図である。

【図４０】配線を基板に設けた構造をマイクロストリッ
プライン構造とした例を示す斜視図である。

【図４１】図４０に示す構造を応用して、コンタクタの
信号線を接地配線により囲んだ構成を示す斜視図であ
る。

【図４２】コンタクタを構成する基板の上に試験用電子
部品を搭載した例を示す斜視図である。

【図４３】基板上において配線のピッチを変える構成を
示す斜視図である。

【図４４】コンタクト端子の先端にメッキ処理を施す例
を示す図である。

【図４５】コンタクト端子の先端部の表面を粗くした例
を説明するための図である。

【図４６】コンタクト端子の先端の形状の例と、電子部
品の電極５の例を示す図である。

【符号の説明】

１，１Ａ，１１，１１Ａ，２１，２１Ａ，３１，４１，
４１Ａ，５１，６１ コンタクタ ２，２−１，２−１，１２，２２，３２，４２，５２
基板 ３ 配線 ３ａ，３ｂ コンタクト端子 ３ｃ 伸縮部 ４ プローブ基板 ５ 電子機器 ６ 支持機構 １２ａ，２２ａ，２２ｂ 開口 ３２Ａ 第１の基板部分 ３２Ｂ 第２の基板部分 ４２，４２Ａ，４２Ｂ スペーサ ６２，６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ，６２Ｄ コンタクト端
子ガイド ６２ａ ガイド孔 ６２ｂ 傾斜面 ７０ 試験用電子部品 ７１ メッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田代 一宏 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小泉 大輔 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 端谷 隆文 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G011 AB08 AC14 AE03 4M106 AA01 BA01 DD03 DD13

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試験装置の基板と被試験体とを電気的に
   接続するためのコンタクタであって、 絶縁性材料よりなるフィルム状の基板と、該基板上に設
   けられた複数の配線とよりなり、 該配線の各々の一端は前記基板の一端を超えて延出して
   第１のコンタクト端子として機能し、反対端は前記基板
   の反対端を越えて延出して第２のコンタクト端子として
   機能し、 前記第１のコンタクト端子と前記第２のコンタクト端子
   との間の部位が弾性変形可能であることを特徴とするコ
   ンタクタ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のコンタクタであって、 前記基板は弾性変形可能なフレキシブル基板であること
   を特徴とするコンタクタ。
3. 【請求項３】 請求項１記載のコンタクタであって、 前記基板は所定の間隔で配置された第１の基板と第２の
   基板とを含み、前記第１のコンタクト端子は前記第１の
   基板から延出し、前記第２のコンタクト端子は前記第２
   の基板から延出し、前記配線は前記第１の基板と前記第
   ２の基板との間の部位において弾性変形可能であること
   を特徴とするコンタクタ。
4. 【請求項４】 請求項３記載のコンタクタであって、 前記配線の前記第１の基板と前記第２の基板の間の部分
   は、前記配線の長手方向に弾性的に伸縮可能な形状の伸
   縮部を有することを特徴とするコンタクタ。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４記載のうちいずれか一項
   記載のコンタクタをスペーサを介して重ね合わせて固定
   したことを特徴とするコンタクタ。
6. 【請求項６】 請求項５記載のコンタクタであって、 前記基板を前記配線の各々に沿って分離したことを特徴
   とするコンタクタ。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のうちいずれか一項記載
   のコンタクタであって、 前記第１のコンタクト端子は前記試験装置の基板にコン
   タクトし、前記第２のコンタクト端子は前記被試験体に
   コンタクトするよう構成され、 前記第２のコンタクト端子が挿入されるガイド孔を有す
   るコンタクト端子ガイドを更に有することを特徴とする
   コンタクタ。
8. 【請求項８】 請求項７記載のコンタクタであって、 前記コンタクト端子ガイドは、前記被試験体と同じ熱膨
   張率を有する材料により形成されたことを特徴とするコ
   ンタクタ。
9. 【請求項９】 試験装置の基板と被試験体とを電気的に
   接続するためのコンタクタの製造方法であって、 絶縁性の基板に、複数の配線の各々を、一端が前記基板
   の一端側から突出して延在し、反対端が前記基板の反対
   端側から突出して延在するように形成することを特長と
   するコンタクタの製造方法。
10. 【請求項１０】 試験装置の基板と被試験体とを電気的
    に接続するためのコンタクタのコンタクト方法であっ
    て、 絶縁性基板上に設けられた複数の配線の一端を前記試験
    装置の基板にコンタクトさせ、 前記配線の反対端を被試験体にコンタクトさせ、 前記基板を含む前記配線を弾性変形させることにより所
    望コンタクト圧を発生させることを特徴とするコンタク
    ト方法。