JPH10111316A - 半導体検査装置及び半導体検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は半導体装置の信頼性試験等を実施する
際に用いられる半導体検査装置及び半導体検査方法に関
し、半導体装置と接続される接続端子を低コストでかつ
生産性よくファインピッチ化することを課題とする。 【解決手段】半導体装置に設けられた外部接続端子部に
接続端子１４を当接することにより電気的接続を図り、
半導体装置に対して検査を行なう半導体検査装置におい
て、ベース材１２上に複数本並設された導通リード１３
の一端部に接続端子１４を形成すると共に、他端部に検
査装置本体部に接続される測定端子１５を形成してなる
基板１１を複数個積層した構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体検査装置及び
半導体検査方法に係り、特に半導体装置の信頼性試験等
を実施する際に用いられる半導体検査装置及び半導体検
査方法に関する。近年、半導体装置の高密度化が進み、
これに伴い外部接続端子部のファインピッチ化が進んで
いる。また、半導体装置には高い信頼性が要求されてお
り、よって半導体装置に対し実施される半導体検査もそ
の重要性が向上している。

【０００２】一般に半導体装置の信頼性試験を行なう場
合、プローブカードと称する半導体検査装置を用い、こ
のプローブカードに設けられた接触子（プローブ針）を
半導体装置の外部接続端子部に接続して所定の検査を行
なう構成とされている。従って、半導体装置に設けられ
た外部接続端子部のファインピッチ化に対応するために
は、半導体検査装置に設けられる接触子についてもファ
インピッチ化を図る必要がある。

【０００３】

【従来の技術】図３４は、従来の半導体検査装置の一例
であるプローブカード１を示している。同図に示される
ように、プローブカード１は半導体装置２に設けられた
外部接続端子部３（同図に示す例ではバンプ）に接続さ
れる複数のプローブ針４（接続端子）を有している。

【０００４】複数のプローブ針４は重ねられた状態でホ
ルダ５に保持されており、その先端近傍部はバンプ３に
向け折り曲げられた形状とされている。このように、プ
ローブ針４の先端近傍部を折り曲げることにより、各プ
ローブ針４の先端部を近接させることができ、よってフ
ァインピッチ化を実現できる。

【０００５】上記構成とされたプローブカード１は、各
プローブ針４の先端部が半導体装置２に形成された外部
接続端子部３に当接することにより電気的に接続され、
所定の試験（例えば、信頼性試験）が行なわれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うに近年の半導体装置２の高密度化に伴い外部接続端子
部数は増大する傾向にあり、よって外部接続端子部３の
端子ピッチもファインピッチ化する傾向にある。従っ
て、信頼性試験を精度よく行なうためには、半導体装置
２を検査するプローブカード１もこれに対応すべくプロ
ーブ針４を狭ピッチに配設する必要がある。

【０００７】しかるに、従来のプローブカード１は、針
状のプローブ針４をホルダ５に保持させた構成であり、
かつその先端近傍部を折り曲げ形成して先端部を近接さ
せる構成であったため、外部接続端子部３に当接される
先端部をファインピッチ化することが困難であるという
問題点がある。

【０００８】また、上記のようにプローブ針４の先端部
のファインピッチ化が進むと、プローブ針４の折り曲げ
処理を自動化できなくなり、熟練した作業者による手作
業により折り曲げ処理を行なわなければならなくなる。
このため、プローブカード１自体の生産性が低下し、よ
ってプローブカード１の製造コストが上昇してしまうと
いう問題点も発生する。

【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、半導体装置と接続される接続端子を低コストでか
つ生産性よくファインピッチ化しうる半導体検査装置及
び半導体検査方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に各手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、半導体装置に設けられた外部接続端子
部に接続端子を当接することにより電気的接続を図り、
前記半導体装置に対して検査を行なう半導体検査装置に
おいて、ベース材上に複数本並設された導通リードの一
端部に前記接続端子を形成すると共に、他端部に検査装
置本体部に接続される測定端子を形成してなる基板を、
複数個積層した構成を有することを特徴とするものであ
る。

【００１１】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体検査装置において、前記測定端子の配
設ピッチ（Ｐ２）を前記接続端子の配設ピッチ（Ｐ１）
に対して大きく設定（Ｐ１＜Ｐ２）したことを特徴とす
るものである。

【００１２】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載の半導体検査装置において、前記積層
された基板を前記接続端子から前記測定端子に至る途中
位置において折曲形成したことを特徴とするものであ
る。

【００１３】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記測定端子が形成された前記基板の端部が階段
状に露出されるよう積層したことを特徴とするものであ
る。

【００１４】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記接続端子と前記測定端子とに夫々金属膜を被
膜すると共に、前記接続端子に被膜される金属膜と、前
記測定端子に被膜される金属膜とを異種金属としたこと
を特徴とするものである。

【００１５】また、請求項６記載の発明では、前記請求
項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記導通リード部の少なくとも前記接続端子の形
成位置に封止部材を配設し、前記接続端子を前記封止樹
脂により支持する構成としたことを特徴とするものであ
る。

【００１６】また、請求項７記載の発明では、前記請求
項６記載の半導体検査装置において、前記封止部材は弾
性を有した材料により形成されていることを特徴とする
ものである。

【００１７】また、請求項８記載の発明では、前記請求
項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体検査装置にお
いて、前記接続端子の先端部に突起状端子を形成したこ
とを特徴とするものである。また、請求項９記載の発明
では、前記請求項８記載の半導体検査装置において、前
記突起状端子をスタッドバンプにより形成したことを特
徴とするものである。

【００１８】また、請求項１０記載の発明では、前記請
求項８または９記載の半導体検査装置において、前記突
起状端子は、同種または異種の金属よりなる複数個のス
タッドバンプを複数個多段に形成した構造を有すること
を特徴とするものである。

【００１９】また、請求項１１記載の発明では、前記請
求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記積層される基板の間にスペーサを介装し
たことを特徴とするものである。また、請求項１２記載
の発明では、前記請求項１乃至１１のいずれか１項に記
載の半導体検査装置において、前記ベース材上に前記導
通リードと接続した電子部品を配設したことを特徴とす
るものである。

【００２０】また、請求項１３記載の発明では、前記請
求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記複数の導電リードの少なくとも形状また
は材質を夫々変更することにより、各導電リードの電気
抵抗値を均一化したことを特徴とするものである。

【００２１】また、請求項１４記載の発明では、前記請
求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記基板に積層時の位置合わせの指標となる
位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。

【００２２】また、請求項１５記載の発明では、前記請
求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記接続端子を前記基板より突出するよう形
成すると共に、前記突出部分における接続端子の形状が
湾曲形状を有するよう構成したことを特徴とするもので
ある。

【００２３】また、請求項１６記載の発明では、前記請
求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体検査装置
において、前記接続端子の先端部に複数本に分岐された
分岐部を形成したことを特徴とするものである。

【００２４】更に、請求項１７記載の発明によれば、請
求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体検査装置
を用いる半導体検査方法において、前記半導体検査装置
に設けられた測定端子を検査装置本体部に接続し、前記
半導体検査装置に設けられた接続端子を半導体装置に設
けられた外部接続端子部に当接することにより電気的接
続を図ることにより、前記半導体装置に対して検査を行
なうことを特徴とするものである。

【００２５】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項１記載の発明によれば、導通リードは、その一端部
に接続端子を形成すると共に他端部に検査装置本体部に
接続される測定端子を形成しているため、従来のプロー
ブ針と同等の機能を奏することができる。

【００２６】また、半導体装置に接続される接続端子を
ベース材上に形成された導通リードの一部として形成し
ているため、従来のように針状部材により接続端子を形
成する構成に比べて接続端子の配設ピッチを狭くするこ
とができる。よって、高密度化されることによりファイ
ンピッチ化された外部接続端子部を有する半導体装置に
対し、確実に試験を実施することができる。

【００２７】また、導通リードはベース材上に形成され
るものであるため、例えば印刷技術或いは薄膜技術等を
用いて形成することができ、これによっても接続端子の
配設ピッチを狭くすることができる。更に、上記のよう
に接続端子及び測定端子を有する導通リードが形成され
た基板は、複数個積層されることにより半導体検査装置
を構成するため、接続端子を基板の面方向ばかりではな
く、この面方向に直交する方向にも高密度に配設するこ
とが可能となる。

【００２８】また、請求項２記載の発明によれば、測定
端子の配設ピッチ（Ｐ２）を接続端子の配設ピッチ（Ｐ
１）に対して大きく設定（Ｐ１＜Ｐ２）したことによ
り、接続端子の形成位置においては半導体装置の外部接
続端子部の配設ピッチに対応して狭ピッチ化できると共
に、検査装置本体部に接続される測定端子における配設
ピッチは広いため、検査装置本体部と半導体検査装置と
の接続を容易に行なうことができる。

【００２９】また、請求項３記載の発明によれば、積層
された基板を接続端子から測定端子に至る途中位置にお
いて折曲形成したことにより、測定端子の位置を必ずし
も接続端子の形成面と同一平面内に形成しなくてもよく
なる。このため、測定端子を検査装置本体部との接続を
行い易い位置に配置できるため、検査装置本体部との接
続性を向上できる。

【００３０】また、請求項４記載の発明によれば、測定
端子が形成された基板の端部が階段状に露出されるよう
積層したことにより、測定端子と検査装置本体部との接
続を容易に行なうことができる。また、単に基板の積層
方法を変更するだけの簡単な処理により、検査装置本体
部との接続性を向上できる。

【００３１】また、請求項５記載の発明によれば、半導
体装置の外部接続端子部と接続する接続端子と、検査装
置本体部の端子が接続される測定端子を夫々金属膜を被
膜することにより、各端子は金属膜により保護される構
成となり、接続時において各端子に摩耗が発生すること
を防止することができる。

【００３２】また、接続端子に被膜される金属膜と測定
端子に被膜される金属膜とを異種金属としたことによ
り、接続端子に被膜される金属膜の材質を半導体装置の
外部接続端子部に対し適合性の良いものに選定でき、同
様に測定端子に被膜される金属膜の材質を検査装置本体
部の端子に対し適合性の良いものに選定できる。このた
め、接続端子と外部接続端子部との接続性、及び測定端
子と検査装置本体部との接続性を共に良好なものとする
ことができる。

【００３３】また、請求項６記載の発明によれば、導通
リード部の少なくとも接続端子の形成位置に封止部材を
配設し、接続端子を封止樹脂により支持する構成とした
ことにより、ファインピッチ化により接続端子自体の機
械的強度が低下しても、封止樹脂により接続端子は支持
されるため信頼性を維持することができる。

【００３４】また、請求項７記載の発明によれば、封止
部材を弾性を有した材料により形成したことにより、封
止部材の弾性変形に伴い接続端子も変位可能な構成とな
るため、半導体装置の外部接続端子部に若干のバラツキ
があるような場合においても、接続端子も変位すること
により上記のバラツキを吸収することができる。よっ
て、接続端子と外部接続端子部との接続性を向上するこ
とができる。

【００３５】また、請求項８記載の発明によれば、接続
端子の先端部に突起状端子を形成したことにより、接続
端子の先端部は突出した構造となり、半導体装置の外部
接続端子部との接続性を向上することができる。

【００３６】また、請求項９記載の発明によれば、前記
突起状端子をスタッドバンプにより形成したことによ
り、半導体装置の製造技術として一般に用いられている
ワイヤボンディング技術を用いて形成することができる
ため、低コストでかつ作成効率よく突起状端子を形成す
ることができる。また、通常スタッドバンプはその先端
部にワイヤ切断による小突起が形成され、この小突起は
プローブ先端と同様に尖った形状となるため、これによ
っても接続端子と半導体装置の外部接続端子部との接続
性を向上することができる。

【００３７】また、請求項１０記載の発明によれば、突
起状端子を同種または異種の金属よりなる複数個のスタ
ッドバンプを複数個多段に形成した構造としたことによ
り、最先端部に配設される突起状電極の材質を半導体装
置の外部接続端子部に対し適合性の良いものに選定で
き、また最先端部以外の突起状端子の材質は接続端子或
いは最先端部に配設され突起状端子に対し適合性の良い
ものに選定できる。このため、最先端部に配設された突
起状端子と外部接続端子部との接続性、各突起状端子間
の接続性、及び突起状端子と接続端子との接続性を共に
良好なものとすることができる。

【００３８】また、請求項１１記載の発明によれば、積
層される基板の間にスペーサを介装したことにより、各
基板間の離間距離をスペーサにより調整することが可能
となり、従って各基板に夫々配設される接続端子間のピ
ッチ（基板の積層方向に対する離間ピッチ）を半導体装
置の外部接続端子部に対応するよう任意に設定すること
が可能となる。

【００３９】また、請求項１２記載の発明によれば、ベ
ース材上に導通リードと接続した電子部品を配設したこ
とにより、半導体検査装置において半導体検査処理の一
部或いは全部を行なわせることが可能となり、検査装置
本体部で実施される検査処理の軽減を図ることができ
る。

【００４０】また、請求項１３記載の発明によれば、複
数の導電リードの少なくとも形状または材質を夫々変更
し、導電リードの電気抵抗値を均一化したことにより、
各基板全てにおいて同一条件で検査を行なうことが可能
となり、半導体検査の精度及び信頼性の向上を図ること
ができる。

【００４１】また、請求項１４記載の発明によれば、基
板に積層時の位置合わせの指標となる位置決め機構を設
けたことにより、複数の基板を積層した構成した半導体
検査装置であっても、各接続端子を確実に半導体装置の
外部接続端子部に接続することができる。

【００４２】また、請求項１５記載の発明によれば、接
続端子を基板より突出するよう形成すると共に、突出部
分における接続端子の形状が湾曲形状を有するよう構成
したことにより、接続端子自体に弾性を持たせることが
できる。

【００４３】よって、半導体装置の外部接続端子部に若
干のバラツキがあるような場合、また加熱時に発生する
熱膨張により接続端子自体の長さが変化した場合には、
接続端子が変形することにより上記のバラツキ及び熱膨
張を吸収することができ、接続端子と外部接続端子部と
の接続性を向上することができる。

【００４４】また、請求項１６記載の発明によれば、接
続端子の先端部に複数本に分岐された分岐部を形成した
ことにより、半導体装置の位置ずれ等により外部接続端
子部の位置に若干のバラツキがあったとしても、接続端
子の先端部はある程度の幅を有しているため、外部接続
端子部との接続性を確実に行なうことができる。

【００４５】更に、請求項１７記載の発明に係る半導体
検査方法によれば、ファインピッチ化された接続端子を
有する半導体検査装置を用いて検査を行なうため、高密
度に形成され外部接続端子部がファイン化された半導体
装置に対しても確実に検査を行なうことができる。

【００４６】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１は本発明の第１実施例である
半導体検査装置１０を示している。この半導体検査装置
１０は、従来用いられていた図３４に示したプローブカ
ード１に代えて使用されるものであり、従って半導体装
置の検査を行なう際に用いられるものである。

【００４７】半導体検査装置１０は、複数（図１に示す
例では４枚）の基板１１を積層し、例えば接着剤を用い
て接合した構造を有してる。この基板１１は、図２に拡
大して示すように、ベース材１２上に複数の導通リード
１３が並設された構成とされており、プリント配線基板
（ＰＷＢ）或いはテープキャリアと類似した構成とされ
ている。

【００４８】ベース材１２は例えばポリイミド等の樹脂
により形成されており、導通リード１３はこのベース材
１２上に薄膜形成技術（例えば、メッキ法，印刷法，ス
パッタリング法等）を用いて形成されている。導通リー
ド１３は、例えば銅，銅合金或いは金等の導電性の良好
な材質により形成されている。

【００４９】この導通リード１３は、図３（Ａ）に示さ
れるように、ベース材１２の上部に形成する構成として
も良く、また図３（Ｂ）に示されるように、ベース材１
２に凹部１２ａを形成しておき、この凹部１２ａ内に導
通リード１３が収納された構成としてもよい。尚、図３
は、図２におけるＡ−Ａ線に沿う断面を示している。

【００５０】また、導通リード１３の図中下端部には接
続端子１４が形成されており、また導通リード１３の図
中上端部には測定端子１５が形成されている。接続端子
１４は被検査物となる半導体装置に形成された外部接続
端子部（図示せず）に接続される部分であり、本実施例
ではベース材１２の下縁部より延出した構成とされてい
る。一方、測定端子１５は半導体装置に対する検査処理
を行なう検査装置本体部に接続される部分であり、パッ
ド状の形状とされている。

【００５１】従って、接続端子１４と測定端子１５は、
導通リード１３により電気的に接続された構成となる。
このため、接続端子１４を外部接続端子部に接続し、か
つ測定端子１５を検査装置本体部に接続することによ
り、検査装置本体部による半導体装置の検査が可能とな
る。

【００５２】ここで、隣接する一対の接続端子１４間の
ピッチＰ１と、同じく隣接する一対の測定端子１５間の
ピッチＰ２に注目する。本実施例に係る半導体検査装置
１０では、測定端子１５の配設ピッチＰ２が接続端子１
４の配設ピッチＰ１に対して大きく設定されている（Ｐ
１＜Ｐ２）。即ち、導通リード１３は接続端子１４から
測定端子１５に至る途中位置において折り曲げられ、こ
れにより測定端子１５の配設ピッチＰ２は接続端子１４
の配設ピッチＰ１に対して大きくなるよう構成されてい
る。

【００５３】上記構成とすることにより、接続端子１４
の形成位置においては半導体装置の外部接続端子部の配
設ピッチに対応して狭ピッチ化できると共に、検査装置
本体部に接続される測定端子１５の配設ピッチは広いた
め、検査装置本体部と測定端子１５との接続を容易に行
なうことができる。

【００５４】また、前記したように半導体検査装置１０
は複数の基板１１を積層した構成とされているが、基板
１１を積層する際、図１に示されるように、測定端子１
４が形成された基板１１の端部１６は階段状に露出され
るよう構成されている。このように、基板１１を積層す
る際に基板１１の端部１６が階段状に露出されるよう構
成することにより、各基板１１に形成された測定端子１
５も確実に露出した構成となる。このため、測定端子１
４と検査装置本体部との接続を容易に行なうことが可能
となり、また単に基板１１の積層方法を変更するだけの
簡単な処理により測定端子１４検査装置本体部との接続
性を向上できる。

【００５５】上記した構成の半導体検査装置１０によれ
ば、導通リード１３はその下端部に接続端子１４を形成
すると共に、上端部に検査装置本体部に接続される測定
端子１５を形成しているため、従来のプローブ針４（図
３４参照）と同等の機能を奏することができる。

【００５６】また、接続端子１４はベース材１２に形成
された導通リード１３と一体的な構成とされており、か
つ導通リード１３はベース材１２上に印刷技術或いは薄
膜技術等を用いて高精度かつ微細に形成することがで
き、これによっても接続端子１４の配設ピッチを狭くす
ることができる。よって、高密度化されることによりフ
ァインピッチ化された半導体装置に対応することが可能
となり、確実に半導体装置の検査を実施することができ
る。

【００５７】更に、上記のように接続端子１４及び測定
端子１５を有する導通リード１３が形成された基板１１
は、複数個積層されることにより半導体検査装置１０を
構成するため、接続端子１４を基板１１の面方向ばかり
ではなく、この面方向に直交する方向（図１及び図５
（Ｂ）に矢印Ｙで示す方向）にも高密度に配設すること
が可能となる。これにより、例えばＢＧＡ(Ball Grid A
rray) タイプのようにバンプがマトリックス状に配設さ
れた構成の半導体装置に対しても、半導体検査装置１０
を適用することが可能となる。

【００５８】図４及び図５は、前記した第１実施例に係
る半導体検査装置１０の変形例を示している。尚、各図
では第１実施例に係る半導体検査装置１０と、変形例に
係る半導体検査装置１０Ａを比較するため、双方を夫々
図示している。また、図５（Ｂ），（Ｃ）は、図５
（Ａ）に示すように、半導体検査装置１０，１０Ａの底
面を見た状態を示している。

【００５９】前記した半導体検査装置１０は、及び図５
（Ｂ）に示すように、複数の基板１１を揃えて積層した
構成としていたため、図５（Ｂ）に示されるように、接
続端子１４は積層方向（矢印Ｙ方向）及び基板１１の面
方向（図中、矢印Ｘで示す方向）に夫々一列に整列した
構成となっていた。また同様に、測定端子１５において
も、図４（Ａ）に示されるように、積層方向（矢印Ｙ方
向）及び基板１１の面方向（矢印Ｘ方向）に夫々一列に
整列した構成となっていた。

【００６０】これに対し変形例に係る半導体検査装置１
０Ａは、複数の基板１１を交互にずらして積層した構成
とされている。これにより、図４（Ｂ）に示すように、
測定端子１５は半導体検査装置１０Ａを正面から見て千
鳥状に配設された構成（Ｘ方向及びＹ方向の双方におい
て千鳥状となる）となり、また図５（Ｃ）に示されるよ
うに、接続端子１４も千鳥状に配設された構成となる
（Ｘ方向及びＹ方向の双方において千鳥状となる）。

【００６１】上記のように、本変形例に係る半導体検査
装置１０Ａによれば、接続端子１４及び測定端子１５が
共に千鳥状に配設された構成となるため、隣接する接続
端子１４及び隣接する測定端子１５の離間距離を実質的
に広げることができるため、外部接続端子部或いは検査
装置本体部との電気的接続を容易に行なうことができ
る。また、接続端子１４は半導体装置に設けられた外部
接続端子部の配設位置と対応させる必要があるが、基板
１１のずらし量を調整することにより、接続端子１４の
位置を外部接続端子部の配設位置に対応させることも可
能である。

【００６２】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。図６は本発明の第２実施例である半導体検査装置
に用いる基板１１Ａを拡大して示している。尚、図６に
おいて、図１乃至図３に示した第１実施例に係る半導体
検査装置１０の構成と同一構成については、同一符号を
附してその説明を省略する。

【００６３】本実施例に係る半導体検査装置に用いる基
板１１Ａは、ベース材１２及び導通リード１３は第１実
施例に係る半導体検査装置１０と同一構成であるが、接
続端子１４及び測定端子１５に金属膜を被膜したことを
特徴とするものである。本実施例においては、接続端子
１４を被膜する金属としてはんだが選定されており、ま
た測定端子１５を被膜する金属として金（Ａｕ）が選定
されている。このように、接続端子１４及び測定端子１
５に夫々金属膜を被膜することにより、各端子１４，１
５は金属膜により保護される構成となる。よって接続時
において各端子１４，１５に摩耗が発生することを防止
することができ、半導体検査装置の信頼性を向上するこ
とができる。

【００６４】また、上記のように接続端子１４に被膜さ
れる金属膜と測定端子１５に被膜される金属膜とを異種
金属としたことにより、接続端子１４に被膜される金属
の材質を外部接続端子部に対し適合性の良いものに選定
でき、また測定端子１５に被膜される金属の材質を検査
装置本体部の端子（コネクタ）に対し適合性の良いもの
に選定できる。

【００６５】具体的には、外部接続端子部は一般にはん
だメッキが施されており、またＢＧＡの場合には外部接
続端子部自体がはんだにより形成されている。よって、
このような外部接続端子部に接続するに接続端子１４に
はんだを被膜形成することにより、接続位置においては
はんだ同志の接続となり、よって接続端子１４と外部接
続端子部とを良好な状態で電気的に接続することができ
る。

【００６６】また、検査装置本体部の端子（コネクタ）
は、一般にコンタクトに金メッキが施されている。よっ
て、このようなコンタクトに接続するに測定端子１５に
金（Ａｕ）を被膜形成することにより、接続位置におい
ては金（Ａｕ）同志の接続となり、よって測定端子１５
と検査装置本体部のコネクタとを良好な状態で電気的に
接続することができる。

【００６７】続いて、本発明の第３実施例について説明
する。図７（Ａ）は本発明の第３実施例である半導体検
査装置に用いる基板１１Ｂを拡大して示している。尚、
図７において、図１乃至図３に示した第１実施例に係る
半導体検査装置１０の構成と同一構成については、同一
符号を附してその説明を省略する。

【００６８】本実施例に係る半導体検査装置に用いる基
板１１Ｂも、ベース材１２及び導通リード１３は第１実
施例に係る半導体検査装置１０と同一構成である。しか
るに、図７（Ｂ）に示すように、ベース材１２の下縁部
から延出した接続端子１４に湾曲部１７を一体的に形成
したことを特徴とするものである。

【００６９】このように接続端子１４に湾曲部１７を形
成することにより、接続端子１４自体に弾性を持たせる
ことができる。このため、半導体装置の外部接続端子部
に若干のバラツキがあるような場合、また加熱時に発生
する熱膨張により接続端子１４自体の長さが変化した場
合には、接続端子１４に形成された湾曲部１７が弾性変
形することにより上記のバラツキ及び熱膨張を吸収する
ことができる。

【００７０】これにより、外部接続端子部に上記のバラ
ツキが生じたり、また接続端子１４に熱膨張がある場合
であっても、接続端子１４と外部接続端子部との接続を
良好な状態で行なうことができる。続いて、本発明の第
４実施例について説明する。

【００７１】図８は本発明の第４実施例である半導体検
査装置１０Ｂを示している。図８（Ａ）は半導体検査装
置１０Ｂに用いる基板１１Ｃを示し、図８（Ｂ）は半導
体検査装置１０Ｂを示し、図８（Ｃ）は半導体検査装置
１０Ｂの底面を示し、更に図８（Ｄ）は外部接続端子部
１９と接続端子１４Ａが接続した状態を示している。
尚、図８において、図１乃至図３に示した第１実施例に
係る半導体検査装置１０の構成と同一構成については、
同一符号を附してその説明を省略する。

【００７２】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｂは、
接続端子１４Ａの先端部に複数本に分岐された分岐部１
８を形成したことを特徴とするものである。分岐部１８
は、導通リード１３をベース材１２に形成する際、薄膜
形成技術を用いることにより容易に形成するとが可能で
ある。また、分岐部１８を形成することにより製造工程
が複雑化したり、また製造コストが上昇するようなこと
はない。

【００７３】また、分岐部１８を形成することにより、
接続端子１４Ａの先端部における幅寸法Ｗは、第１実施
例で示した１本構造の接続端子１４の幅寸法（Ｘ方向の
幅寸法）よりも広くなる。従って、例えば検査時に半導
体装置に位置ずれが発生し、外部接続端子部１９の位置
に若干のバラツキが生じたとしても、接続端子１４の先
端部は分岐されることによりある程度の幅Ｗを有してい
るため、図８（Ｄ）に示されるように外部接続端子部１
９と接続端子１４との接続性を確実に行なうことができ
る。

【００７４】続いて、本発明の第５実施例について説明
する。図９は本発明の第５実施例である半導体検査装置
１０Ｃを示している。尚、図９において、図１乃至図３
に示した第１実施例に係る半導体検査装置１０の構成と
同一構成については、同一符号を附してその説明を省略
する。

【００７５】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｃは、
積層された基板１１を接続端子１４から測定端子１５に
至る途中位置において折曲形成したことを特徴とするも
のである。図中、矢印Ａで示す位置が折曲位置である。
また、本実施例においては、各基板１１を折曲された状
態に保持するために、ホルダ２０（梨地で示す）が設け
られている。このようにホルダ２０を設けることによ
り、可撓性を有するベース材１２を具備する基板１１を
折曲形成しても、各基板１１を折曲状態に確実に保持す
ることができる。

【００７６】上記のように本実施例では、積層された基
板１１を接続端子１４から測定端子１５に至る途中位置
において折曲形成したことにより、測定端子１５の位置
を必ずしも接続端子１４の形成面と同一平面内に形成し
なくてもよくなる。このため、測定端子１５の配設位置
を検査装置本体部との接続が行い易い位置に配置できる
ため、半導体検査装置１０Ｃと検査装置本体部との接続
性を向上することができる。

【００７７】図１０は前記した第５実施例に係る半導体
検査装置１０Ｃの変形例である半導体検査装置１０Ｄを
示している。図１０（Ａ）は折曲形成する前における半
導体検査装置１０Ｄを示しており、図１０（Ｂ）は折曲
形成後の半導体検査装置１０Ｄを示している。

【００７８】本変形例に係る半導体検査装置１０Ｄは、
積層される各基板１１において、ベース材１２Ａの折曲
位置Ａにベース材１２よりも撓み易い可撓性樹脂２１
（図１０（Ａ）に梨地で示す）を配設したことを特徴と
するものである。このように、折曲位置Ａに可撓性樹脂
２１を配設することにより、各基板１１を折曲形成しホ
ルダ２０にした際、折曲された各基板１１が折曲前の形
状に戻ろうとする弾性復元力は弱くなり、よって各基板
１１がホルダ２０から剥離することを防止することがで
きる。

【００７９】続いて、本発明の第６実施例について説明
する。図１１（Ａ）は本発明の第６実施例である半導体
検査装置１０Ｅを示しており、また図１１（Ｂ）は半導
体検査装置１０Ｅの接続端子近傍を拡大してしめしてい
る。尚、図１１において、図１乃至図３に示した第１実
施例に係る半導体検査装置１０の構成と同一構成につい
ては、同一符号を附してその説明を省略する。

【００８０】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｅは、
接続端子１４Ｂの先端部にメッキ部２２を形成したこと
を特徴とするものである。本実施例では、接続端子１４
Ｂがベース材１２から延出した部分は絶縁性樹脂等によ
り構成される支持部材３０に支持されており、接続端子
１４Ｂはこの支持部材３０の端部からは延出しない構成
となっている。このように、接続端子１４Ｂを支持部材
３０の端部から延出しない構成とすることにより、接続
端子１４Ｂは先端部まで支持部材３０に保護されるた
め、その強度を向上させることができる。

【００８１】メッキ部２２は例えば金メッキであり、支
持部材３０の端部に露出した接続端子１４Ｂの先端部に
形成されている。接続端子１４Ｂにメッキ部２２を形成
することにより、接続端子１４Ｂが支持部材３０から延
出しない構成としても、メッキ部２２はベース材１２か
ら突出した構成となる。このように、メッキ部２２を接
続端子１４Ｂの先端部に形成することにより、接続端子
１４Ｂの保護を図りつつ、接続端子１４Ｂと半導体装置
の外部接続端子部との電気接続性を向上させることがで
きる。

【００８２】図１２及び図１３は、前記したメッキ部２
２の形成方法を示している。図１２（Ａ）に示すのは、
無電解メッキ法によりメッキ部２２を形成する方法であ
る。無電解メッキ法では、半導体検査装置１０Ｅの接続
端子１４Ｂの形成位置近傍をメッキ材２４が装填された
メッキ槽２３内に浸漬する。これにより、接続端子１４
Ｂの先端部にメッキ部２２を形成するとができる。

【００８３】また、図１２（Ｂ）に示すのは、電解メッ
キ法によりメッキ部２２を形成する方法である。同図に
示す例では、測定端子１５に電源に接続されたソケット
２５を装着し、これをメッキ槽２６に浸漬することによ
り電解メッキによりメッキ部２２を形成する。

【００８４】また、図１３も電解メッキ法によりメッキ
部２２を形成する方法を示している。図１２（Ｂ）に示
す方法では、測定端子１４に直接ソケット２５を装着す
ることにより電源供給する構成であったが、本実施例で
は図１３（Ａ）に示されるように、測定端子１４の形成
位置の両側部にソケット装着部２６を形成し、このソケ
ット装着部２６にソケット２７を装着するよう構成した
ものである。このように、測定端子１４の両側部にソケ
ット装着部２６を形成し、ここにソケット２７を装着す
ることにより、半導体検査装置１０Ｅの製造段階におい
て測定端子１４が傷つくことを防止することができる。

【００８５】尚、このソケット装着部２６は、電解メッ
キ処理が終了しメッキ部２２が形成された後に、図１３
（Ｂ）に示されるように、基板１１Ｄから切断される
（図中、切断位置を二点鎖線で示している）。また、電
解メッキ処理終了までは、隣接する測定端子１４は接続
部材２８により電気的に接続されているが、この接続部
材２８もメッキ処理終了後に除去される。従って、半導
体検査時にこの接続部材２８が検査の邪魔になるような
ことはない。

【００８６】続いて、本発明の第７実施例について説明
する。図１４は本発明の第７実施例である半導体検査装
置１０Ｆ及びその製造方法を示している。尚、図１４に
おいて、図１乃至図３に示した第１実施例に係る半導体
検査装置１０の構成と同一構成については、同一符号を
附してその説明を省略する。

【００８７】図１４（Ａ）は本実施例に係る半導体検査
装置１０Ｆの全体構成を示しており、また図１４（Ｂ）
は接続端子近傍を拡大して示している（図１４（Ｂ）で
は、基板２層を積層した構造を示している）。本実施例
に係る半導体検査装置１０Ｆは、接続端子１４Ｂの先端
部に突起状端子２９を形成したことを特徴とするもので
ある。

【００８８】突起状端子２９は、例えばワイヤボンディ
ング法を用いて形成されるスタッドバンプである。この
突起状端子２９は、次のように形成される。本実施例に
おいても、図１４（Ａ）に示されるように、接続端子１
４Ｂは支持部材３０から延出しない構成とされている。

【００８９】しかるに、接続端子１４Ｂの先端部は、支
持部材３０の端部から露出した状態となっている。突起
状端子２９は、この支持部材３０の端部から露出した接
続端子１４Ｂの先端部にワイヤボンディングを行うこと
により形成される。本実施例も前記した第６実施例と同
様に、接続端子１４Ｂが支持部材３０から延出しない構
成とされているため、接続端子１４Ｂの強度を向上させ
ることができる。また、突起状端子２９を形成すること
により、突起状端子２９は支持部材３０の先端部から突
出した構成となる。

【００９０】このように、突起状端子２９を接続端子１
４Ｂの先端部に形成することにより、接続端子１４Ｂは
実質的に支持部材３０から突出した構造となり、よって
接続端子１４の保護を図りつつ、接続端子１４Ｂと半導
体装置の外部接続端子部との電気接続性を向上させるこ
とができる。

【００９１】また本実施例では、突起状端子２９をスタ
ッドバンプにより形成したことにより、半導体装置の製
造技術として一般に用いられているワイヤボンディング
技術を用いて突起状端子２９を形成することができる。
よって、低コストでかつ作成効率よく突起状端子２９を
形成することができる。

【００９２】また、通常スタッドバンプはその先端部に
ワイヤ切断による小突起が形成され、この小突起はプロ
ーブ先端と同様に尖った形状となるため、これによって
も接続端子１４Ｂ（突起状端子２９）と半導体装置の外
部接続端子部との接続性を向上することができる。

【００９３】図１５及び図１６は第７実施例の変形例で
ある半導体検査装置１０Ｇ，１０Ｈを示している。図１
５に示す半導体検査装置１０Ｇは、突起状電極２９Ａを
複数（本変形例では３個）のスタッドバンプを多段に積
層した構成としたことを特徴とするものである。同図に
示すように、複数個のスタッドバンプを積層することは
可能であり、複数個のスタッドバンプを積層することに
より、突起状電極２９Ａの突起量を高くすることができ
る。よって、検査を行おうとする半導体装置の外部接続
端子部に対応した高さに突起状電極２Ａを適合させるこ
とができ、外部接続端子部との接続性を向上することが
できる。

【００９４】図１６に示す半導体検査装置１０Ｈは、異
種の金属よりなる複数個のスタッドバンプを複数個多段
に形成することにより突起状電極２９Ｂを構成したこと
を特徴とするものである。本変形例では、スタッドバン
プを３層に積層した構造とされており、またその最先端
部のスタッドバンプ３１ａの材質はパラジウム（Ｐｄ）
とされており、また他のスタッドバンプ３１ｂ，３１ｃ
の材質は金（Ａｕ）とされている。

【００９５】このように、最先端部のスタッドバンプ３
１ａの材質をはパラジウム（Ｐｄ）としたのは、一般に
半導体装置の外部接続端子部には半田メッキがされてお
り、半田との適合性を考慮したものである。また、他の
スタッドバンプ３１ｂ，３１ｃの材質を金（Ａｕ）にし
たのは、接続端子１４Ｂの材質が銅（Ｃｕ）であり、接
続端子１４Ｂと先端部のスタッドバンプ３１ａの材質で
あるパラジウム（Ｐｄ）との双方に対する適合性を考慮
したものである。

【００９６】上記のように、異種の金属よりなる複数個
のスタッドバンプを複数個多段に形成し突起状電極２９
Ｂを構成したことにより、最先端部に配設されるスタッ
ドバンプ３１ａの材質を半導体装置の外部接続端子部に
対し適合性の良いものに選定でき、また最先端部以外の
スタッドバンプ３１ｂ，３１ｃの材質は接続端子１４Ｂ
或いは最先端部に配設されスタッドバンプ３１ａに対し
適合性の良いものに選定できる。これにより、最先端部
に配設されたスタッドバンプ３１ａと外部接続端子部と
の接続性、各スタッドバンプ３１ａ〜３１ｃ間の接続
性、及びスタッドバンプ３１ｂ，３１ｃと接続端子１４
Ｂとの接続性を共に良好なものとすることができる。

【００９７】続いて、本発明の第８実施例について説明
する。図１７は本発明の第８実施例である半導体検査装
置１０Ｊ及びその製造方法を示している。尚、図１４に
おいて、図１乃至図３に示した第１実施例に係る半導体
検査装置１０、及び図１４に示した第７実施例に係る半
導体装置１０Ｆの構成と同一構成については、同一符号
を附してその説明を省略する。

【００９８】図１７（Ｃ）は本実施例に係る半導体検査
装置１０Ｊの全体構成を示している。本実施例に係る半
導体検査装置１０Ｊは、先に説明した第７実施例に係る
半導体装置１０Ｆと類似した構造を有しており、導通リ
ード１３の少なくとも接続端子１４の形成位置に封止部
材３２を配設し、この封止樹脂３２により接続端子１４
を支持する構成としたことを特徴とするものである。

【００９９】但し、第７実施例に係る半導体装置１０Ｆ
が接続端子１４Ｂの先端部に突起状端子２９を配設する
ことにより外部接続端子との接続性を向上させていたの
に対し、本実施例では接続端子１４の先端部を封止部材
３２から露出させることにより外部接続端子との接続性
を向上させる構成とされている。この際、接続端子１４
封止部材３２らの露出量は、外部接続端子との良好な接
続性を実現できる最少量となるよう設定されている。

【０１００】このように、接続端子１４を先端部の所定
範囲を除き封止部材３２で封止することにより、接続端
子１４は封止部材３２により支持された構成となる。従
って、外部接続端子部のファインピッチ化に対応するよ
う接続端子１４をファインピッチ化し、これにより接続
端子１４自体の機械的強度が低下しても、封止樹脂３２
に支持されることにより接続端子１４は所定の強度を維
持する。よって、検査実施時に接続端子１４が変形する
ようなことはなく、半導体検査装置１０Ｊの信頼性を向
上させることができる。

【０１０１】図１７（Ａ），（Ｂ）は、半導体検査装置
１０Ｊの製造方法を示している。半導体検査装置１０Ｊ
を製造するには、先ず図１に示した構成の半導体検査装
置１０製造し、これをモールド金型に装着し、少なくと
もベース材１２から露出されている接続端子１４を覆う
ように封止部材３２を配設する。図１７（Ａ）は、接続
端子１４に封止部材３２が配設された状態を示してい
る。

【０１０２】続いて、図１７（Ａ）に二点鎖線Ｃで示す
位置で切断処理を行なう。図１７（Ｂ）は、この切断処
理が行なわれた状態を示している。この状態において、
複数の接続端子１４は夫々封止部材３２の切断面に露出
した状態となっている。続いて、切断された封止部材３
２の先端部を所定範囲にわたり除去し、接続端子１４の
先端部を露出させる。これにより、図１７（Ｃ）に示す
半導体検査装置１０Ｊが製造される。このように、簡単
な処理により信頼性の高い半導体検査装置１０Ｊを製造
することができる。

【０１０３】図１８は、第８実施例である半導体検査装
置１０Ｊの変形例である半導体検査装置１０Ｋ及びその
製造方法を示している。本変形例では、封止部材３２Ａ
として弾性を有した材料を用いたことを特徴とするもの
である。具体的には、本変形例では封止部材３２Ａとし
てエラストマーを用いてる。

【０１０４】このように、封止部材３２Ａとして弾性を
有した材料を用いることにより、封止部材３２Ａの弾性
変形に伴い接続端子１４も変位可能な構成となるため、
半導体装置の外部接続端子部に若干のバラツキがあるよ
うな場合においても、接続端子１４は封止部材３２Ａと
共に変位することにより上記のバラツキを吸収すること
ができる。

【０１０５】よって、接続端子１４と外部接続端子部と
の接続性を向上することができる。また、検査時におい
て接続端子１４が上記のように変位しても、接続端子１
４は封止部材３２Ａに支持されているため、変位に伴い
接続端子１４が損傷するようなことはない。

【０１０６】一方、半導体検査装置１０Ｋの製造方法
は、第８実施例である半導体検査装置１０Ｊの製造方法
と略同一であるが、封止樹脂３２，３２Ａの形成方法に
おいて差を有している。即ち、封止樹脂３２は上記のよ
うにモールド成形により形成したが、本変形例に係る封
止樹脂３２Ａはエラストマーであるため、塗布或いはポ
ッティングにより形成する方法が採用されている。尚、
封止樹脂３２Ａを切断する処理及び封止樹脂３２Ａの先
端部を除去する処理については、第８実施例である半導
体検査装置１０Ｊの製造方法と同一であるため、その説
明は省略する。

【０１０７】続いて、本発明の第９実施例について説明
する。図１９は本発明の第９実施例である半導体検査装
置１０Ｌ．１０Ｍを示している。尚、図１９において、
図１乃至図３に示した第１実施例に係る半導体検査装置
１０、及び図１７に示した第８実施例に係る半導体装置
１０Ｊの構成と同一構成については、同一符号を附して
その説明を省略する。

【０１０８】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｌ，１
０Ｍは、積層される複数（本実施例では２枚）の基板１
１の間にスペーサ３３Ａ，３３Ｂを介装したことを特徴
とするものである。図１９（Ａ）に示す半導体検査装置
１０Ｌでは、２枚の基板１１間にスペーサ３３Ａとして
ベース材１２（導通リード１３等は形成されていない）
或いはテープキャリア等の他の絶縁基板を用いたもので
ある。このスペーサ３３Ａは、例えば接着剤を用いて各
基板１１に接合される。

【０１０９】また、図１９（Ｂ）に示す半導体検査装置
１０Ｍでは、２枚の基板１１間にスペーサ３３Ｂとして
樹脂層を形成たものである。このスペーサ３３Ｂとして
機能する樹脂層は、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂で
あり、モールド法等を用いて各基板１１間に形成され
る。

【０１１０】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｌ，１
０Ｍの如く、積層される基板１１の間にスペーサ３３
Ａ，３３Ｂを介装することにより、各基板間１１の離間
距離をスペーサ３３Ａ，３３Ｂにより調整することが可
能となる。従って、各基板１１に夫々配設される接続端
子１４間のピッチ（基板１１の積層方向、即ち図中矢印
Ｙ方向に対する離間ピッチ）を半導体装置の外部接続端
子部に対応するよう任意に設定することが可能となり、
これによっても外部接続端子部と接続端子１４との接続
性を向上させることができる。

【０１１１】続いて、本発明の第１０実施例について説
明する。図２０は本発明の第１０実施例である半導体検
査装置１０Ｎを示している。尚、図２０において、図１
乃至図３に示した第１実施例に係る半導体検査装置１
０、及び図１７に示した第８実施例に係る半導体装置１
０Ｊの構成と同一構成については、同一符号を附してそ
の説明を省略する。

【０１１２】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｎは、
積層される複数（本実施例では２枚）の基板１１の間に
スペーサ３３Ｃを介装すると共に、このスペーサ３３Ｃ
と電気的に接続されるスルーホール電極３４を配設した
ことを特徴とするものである。スペーサ３３Ｃは、プリ
ント配線基板或いはテープキャリアであり、その表面及
び背面には導通リード（図示せず）が形成されている。
従って、このスペーサ３３Ｃは配線基板としても機能す
る。

【０１１３】このように、配線基板として機能するスペ
ーサ３３Ｃを基板１１間に介装することにより、第９実
施例と同様に接続端子１４間のピッチを半導体装置の外
部接続端子部に対応するよう任意に設定することが可能
となる。これに加え、スルーホール電極３４により各基
板１１と配線基板として機能するスペーサ３３Ｃとが電
気的に接続されるため、半導体検査装置１０Ｎの全体と
しての配線設計を容易に行なうことができる。

【０１１４】また上記した実施例では、スペーサ３３Ｃ
としてその表面及び背面に導通リードが形成されたもの
を用いた例を示したが、スペーサ３３Ｃを導電性金属板
により形成すると共に、スルーホール電極３４を用いて
このスペーサ３３Ｃを基板１１のアース用リードと電気
的に接続した構成としてもよい。

【０１１５】この構成では、スペーサ３３Ｃが接地され
るためシールド部材として機能し、外部ノズルが基板１
１に形成された導通リード１３から侵入することを防止
することができる。続いて、本発明の第１１実施例につ
いて説明する。

【０１１６】図２１乃至図２３は本発明の第１１実施例
である半導体検査装置１０Ｐ〜１０Ｒを示している。
尚、図２１乃至図２３において、図１乃至図３に示した
第１実施例に係る半導体検査装置１０に示した構成と同
一構成については、同一符号を附してその説明を省略す
る。

【０１１７】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｐ〜１
０Ｒは、基板１１（ベース材１２）上に導通リード１３
と接続した電子部品３５〜３７を配設したことを特徴と
するものである。図２１に示す半導体検査装置１０Ｐ
は、ベース材１２上にチップコンデンサー３５を配設
し、このチップコンデンサー３５と導通リード１３とを
電気的に接続したものである。また、図２２に示す半導
体検査装置１０Ｑは、ベース材１２上に抵抗３６を配設
し、この抵抗３６と導通リード１３とを電気的に接続し
たものである。更に、図２３に示す半導体検査装置１０
Ｒは、ベース材１２上に半導体装置３７（ＩＣ）を配設
し、この半導体装置３７と導通リード１３とを電気的に
接続したものである。

【０１１８】上記のように、半導体検査装置１０Ｐ〜１
０Ｒを構成する基板１１（ベース材１２）に電子部品３
５〜３７を配設したことにより、各基板１１毎のインピ
ーダンス整合，或いはインダクタンス整合を容易に行な
うことができ、半導体検査装置１０Ｐ，１０Ｑに起因し
た精度誤差の発生を抑制でき、精度の高い半導体検査を
行なうことが可能となる。

【０１１９】更に、半導体検査装置１０Ｒに半導体装置
３７（ＩＣ）を配設することにより、半導体検査装置１
０Ｒ自体に半導体検査処理の一部或いは全部を行なわせ
ることが可能となり、検査装置本体部で実施される検査
処理の軽減を図ることができる。

【０１２０】続いて、本発明の第１２実施例について説
明する。図２４乃至図２７は本発明の第１２実施例であ
る半導体検査装置１０Ｓ-1〜１０Ｓ-4を示している。
尚、図２４乃至図２７において、図１乃至図３に示した
第１実施例に係る半導体検査装置１０に示した構成と同
一構成については、同一符号を附してその説明を省略す
る。

【０１２１】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｓ-1〜
１０Ｓ-4は、複数積層される各基板１１において、ベー
ス材１２に形成される導電リード１３の形状，材質等を
夫々変更することにより、導電リード１３の電気抵抗値
を均一化したことを特徴とするものである。以下、具体
的構成について説明する。尚、図２４乃至図２７は、４
枚の基板１１-1〜１１-4を積層した例を示している。

【０１２２】図２４に示される半導体検査装置１０Ｓ-1
は、各基板１１-1〜１１-4に形成される導電リード１３
-1〜１３-4の長さを夫々変えることにより、各基板１１
-1〜１１-4における導電リード１３-1〜１３-4の抵抗値
が同一となるよう構成したものである。尚、図では最前
位置の基板１１-1に形成された導電リード１３-1と、最
後位置の基板１１-4に形成された導電リード１３-4を示
している。

【０１２３】ここで、複数の基板１１-1〜１１-4を積層
した場合における、導電リード１３-1〜１３-4の抵抗値
について考察する。図示されるように、測定端子15を露
出させるために、複数の基板１１-1〜１１-4を階段状に
ずらして配設した場合、各基板１１-1〜１１-4に配設さ
れる接続端子１４の先端部位置は同一とする必要がある
ため、各基板１１-1〜１１-4の長さ（図中、Ｚ方向の長
さ）は異なることとなる。具体的には、最前位置の基板
１１-1が最も短くなり、逆に最後位置の基板１１-4は最
も長くなる。

【０１２４】一方、各基板１１-1〜１１-4において、接
続端子１４は基板１１-1〜１１-4の図中下端位置に配設
する必要があり、また測定端子１５は基板１１-1〜１１
-4の図中上端位置に形成する必要がある。このため、仮
に各基板１１-1〜１１-4に形成される導電リード１３-1
〜１３-4を同一構成とした場合、導電リード１３-1〜１
３-4の抵抗値は長さに比例するため、最前位置の基板１
１-1に形成される導電リード１３-1が最も抵抗値が小さ
くなり、逆に最後位置の基板１１-4に形成される導電リ
ード１３-4が最も抵抗値が大きくなる。

【０１２５】このように、各基板１１-1〜１１-4に形成
される導電リード１３-1〜１３-4を同一構成とした場
合、基板毎に導電リード１３-1〜１３-4の抵抗値が異な
ることとなり、この抵抗値の差に起因して正確な半導体
検査が行なえなくなるおそれがある。

【０１２６】そこで、図２４に示される半導体検査装置
１０Ｓ-1は、第 1実施例で示した半導体検査装置10に比
べ、基板１１-1〜１１-3に形成される導電リード１３-1
〜１３-3の長さを長くしたことを特徴とする。換言すれ
ば、基板１１-1〜１１-3に形成される導電リード１３-1
〜１３-3の配線パターンを変更する（直線パターンでは
ないパターン形状とする）ことにより、各基板１１-1〜
１１-3に形成される導電リード１３-1〜１３-3のリード
長さを基板１１-4に形成される導電リード１３-4の長さ
と等しくしたことを特徴とするものである（尚、基板１
１-4に形成される導電リード１３-4のリードパターン
は、第 1実施例で示した半導体検査装置10と同一パター
ン形状である）。

【０１２７】上記構成とすることにより、基板１１-1〜
１１-4に形成される導電リード１３-1〜１３-4のリード
長さは等しくなり、よって各導電リード１３-1〜１３-4
の抵抗値も等しくなる。よって、各基板１１-1〜１１-4
の全てにおいて同一条件で検査を行なうことが可能とな
り、半導体検査の精度及び信頼性の向上を図ることがで
きる。

【０１２８】また、図２５及び図２６に示される半導体
検査装置１０Ｓ-2，１０Ｓ-3は、各基板１１-1〜１１-4
に形成される導電リード１３-1〜１３-4の形状を変更す
ることにより、各導電リード１３-1〜１３-4の抵抗値を
同一としたものである。図２５に示される半導体検査装
置１０Ｓ-2は、第１実施例で示した半導体検査装置10に
比べ、基板１１-2〜１１-4に形成される導電リード１３
-1〜１３-3の幅を広く形成することにより、各導電リー
ド１３-1〜１３-4の抵抗値を同一としたものである。図
２５では、基板１１-1と基板１１-4を拡大して示してい
るが、同図に示されるように、基板１１-1に形成された
導電リード１３-1の幅Ｖ１に対し、基板１１-4に形成さ
れた導電リード１３-4の幅Ｖ２は広く設定されている
（Ｖ１＜Ｖ２）。

【０１２９】また、図２６に示される半導体検査装置１
０Ｓ-3は、第１実施例で示した半導体検査装置10に比
べ、基板１１-2〜１１-4に形成される導電リード１３-1
〜１３-3の厚さを高く形成することにより、各導電リー
ド１３-1〜１３-4の抵抗値を同一としたものである。本
実施例では、図２６（Ａ）に示されるように、各導電リ
ード１３-1〜１３-4の幅寸法は同一とされているが、図
２６（Ｂ），（Ｃ）に示すように、基板１１-1に形成さ
れた導電リード１３-1の高さＨ１に対し、基板１１-4に
形成された導電リード１３-4の高さＨ４は高く設定され
ている（Ｈ１＜Ｈ２）。

【０１３０】上記構成とすることによっても、基板１１
-1〜１１-4に形成される導電リード１３-1〜１３-4の抵
抗値は等しくなり、よって各基板１１-1〜１１-4の全て
において同一条件で検査を行なうことが可能となり、半
導体検査の精度及び信頼性の向上を図ることができる。

【０１３１】更に、図２７半導体検査装置１０Ｓ-4は、
各基板１１-1〜１１-4に形成される導電リード１３-1〜
１３-4の材質を変更することにより、各導電リード１３
-1〜１３-4の抵抗値を同一としたものである。本実施例
では、各導電リード１３-1〜１３-4の幅及び高さ寸法は
同一とされているが、基板１１-1に形成された導電リー
ド１３-1の材料は低抵抗材料により形成されており、基
板１１-2から１１-4に進むにつれて導電リード１３-2〜
１３-4の材料は漸次その抵抗値が高くなるよう選定され
ている。

【０１３２】上記構成とすることによっても、基板１１
-1〜１１-4に形成される導電リード１３-1〜１３-4の抵
抗値は等しくなり、よって各基板１１-1〜１１-4の全て
において同一条件で検査を行なうことが可能となり、半
導体検査の精度及び信頼性の向上を図ることができる。
尚、図２４乃至図２７を用いて説明した各導電リード１
３-1〜１３-4の抵抗値を同一とする手段は、組み合わせ
て用いてもよいものである。

【０１３３】続いて、本発明の第１３実施例について説
明する。図２８乃至図３１は本発明の第１３実施例であ
る半導体検査装置１０Ｔ-1〜１０Ｔ-4を示している。
尚、図２８乃至図３１において、図１乃至図３に示した
第１実施例に係る半導体検査装置１０に示した構成と同
一構成については、同一符号を附してその説明を省略す
る。

【０１３４】本実施例に係る半導体検査装置１０Ｔ-1〜
１０Ｔ-4は、複数（本実施例では４枚）の基板１１-1〜
１１-4に積層時の位置合わせの指標となる位置決め機構
を設けたことを特徴とするものである。図２８示す半導
体検査装置１０Ｔ-1は、同図（Ａ）に示すように、各基
板１１-1〜１１-4の両側部に位置決め凹部３８が形成さ
れている。この位置決め凹部３８の形成位置は、各位置
決め凹部３８を一致させた際に各基板１１-1〜１１-4が
所定の積層状態となるよう設定されている。

【０１３５】また、各基板１１-1〜１１-4を実際に積層
する際には、予め各基板１１-1〜１１-4に接着剤を塗布
した上で、図２８（Ｂ）に示されるように、位置決め用
治具３９に各基板１１-1〜１１-4の位置決め凹部３８を
嵌入し、これにより位置決めを行なう。この状態で各基
板１１-1〜１１-4を接着することにより、所定の積層状
態の半導体検査装置１０Ｔ-1が製造される。

【０１３６】このように、各基板１１-1〜１１-4に位置
決め凹部３８を形成することにより、複数の基板１１-1
〜１１-4を積層した構成した半導体検査装置１０Ｔ-1で
あっても、各基板１１-1〜１１-4を確実に所定状態に積
層することができる。これにより、各接続端子１４を精
度良く所定位置に整列させることができ、確実に半導体
装置の外部接続端子部に接続することが可能となる。

【０１３７】図２９示す半導体検査装置１０Ｔ-2は、同
図（Ａ）に示すように、各基板１１-1〜１１-4の両側部
に位置決め孔４０が形成されている。この位置決め孔４
０の形成位置は、各位置決め孔４０を一致させた際に各
基板１１-1〜１１-4が所定の積層状態となるよう設定さ
れている。

【０１３８】また、各基板１１-1〜１１-4を実際に積層
する際には、予め各基板１１-1〜１１-4に接着剤を塗布
した上で、図２９（Ｂ）に示されるように、位置決めピ
ン４１に各基板１１-1〜１１-4の位置決め孔４０を挿通
し、これにより位置決めを行なう。この状態で各基板１
１-1〜１１-4を接着することにより、所定の積層状態の
半導体検査装置１０Ｔ-2が製造される。

【０１３９】本実施例においても、各基板１１-1〜１１
-4を確実に所定状態に積層することができ、各接続端子
１４を精度良く所定位置に整列させることができ、確実
に半導体装置の外部接続端子部に接続することが可能と
なる。図３０示す半導体検査装置１０Ｔ-3は、同図
（Ａ）に示すように、各基板１１-1〜１１-3の両側部に
上方に向け延出する延出部４２-1〜４２-3を形成し、こ
の延出部４２-1〜４２-3に複数の位置決め凹部３８が形
成された構成とされている。本実施例では、位置決め凹
部３８が各延出部４２-1〜４２-3に複数個形成されてい
るため、同図（Ｂ）に示されるように、位置決め用治具
３９に位置決め凹部３８を選択的に嵌入することによ
り、各基板１１-1〜１１-3の積層状態を変更することが
できる。

【０１４０】図３１示す半導体検査装置１０Ｔ-4は、同
図（Ａ）に示すように、各基板１１-1〜１１-4の両側部
に上方に向け延出する延出部４２-1〜４２-4を形成し、
この延出部４２-1〜４２-3に複数の位置決め孔４０が形
成された構成とされている。本実施例では、位置決め孔
４０が各延出部４２-1〜４２-4に複数個形成されている
ため、同図（Ｂ）に示されるように、位置決めピン４１
に位置決め孔４０を選択的に嵌入することにより、各基
板１１-1〜１１-4の積層状態を変更することができる。

【０１４１】このように、図３０及び図３１に示した半
導体検査装置１０Ｔ-3，１０Ｔ-4では、各基板１１-1〜
１１-4を確実に所定状態に積層することができると共
に、各基板１１-1〜１１-4の積層状態を変更することが
できる。このため、各接続端子１４を精度良く所定位置
に整列させることができ、確実に半導体装置の外部接続
端子部に接続することが可能となる。

【０１４２】続いて、本発明の第１実施例である半導体
検査装置の製造方法について説明する。図３２は、第１
実施例である半導体検査装置の製造方法を説明するため
の図である。また、同図は先に図２９に示した半導体検
査装置１０Ｔ-2を製造する方法を例に挙げて示してい
る。

【０１４３】半導体検査装置１０Ｔ-2は、基板形成工程
と積層工程を実施することにより製造される。基板形成
工程は、ベース材１２上に接続端子１４及び測定端子１
５が形成された導通リード１３を複数本並設することに
より基板１１を形成する工程である。本実施例では、接
続端子１４が導通リード１３の図中左端に形成され、ま
た測定端子１５が導通リード１３の図中右側に形成され
た構成とされている。また、積層工程は、基板形成工程
において形成された基板１１を複数個積層することによ
り半導体検査装置１０Ｔ-2を製造する工程である。

【０１４４】また、基板形成工程は測定端子形成工程と
ベース材切断工程を有している。測定端子形成工程で
は、各導通リード１３に測定端子１５を直列状態に複数
個形成すると共に、この測定端子１５が導通リード１３
の延在方向に直交する方向に対しても一列に整列するよ
う形成する。このように測定端子１５を形成することに
より、図３２に示されるように、測定端子１５は図中矢
印Ｘ方向及びＹ方向に夫々列設した状態となり、よって
測定端子１５はベース材１２上にマトリックス状に形成
された構成となる。

【０１４５】上記した測定端子形成工程が終了すると、
続いてベース材切断工程が実施される。このベース材切
断工程が実施される前の状態では、図３２に示されるよ
うにベース材１２はフイルム状となっており、いわゆる
多連構造となっている。ベース材切断工程では、このベ
ース材１２に切断処理を行なうことにより、切断半導体
検査装置１０Ｔ-2を構成する個々の基板１１-1〜１１-4
を形成する。尚、前記したように各基板１１-1〜１１-4
は、階段状に積層する必要があるためにその大きさが異
なっている。

【０１４６】以下、ベース材切断工程における具体的な
切断処理について説明する。ベース材切断工程では、図
３２に一点鎖線で示すＡ−Ａ線においてベース材１２を
切断する処理、同じく同図に一点鎖線で示すＢ１〜Ｂ４
線においてベース材１２を切断する処理、及びサポート
部４４等の不要部分を切断する処理を一括的に同時に行
なう。この切断処理は、例えば切断用金型を用いて行な
われる。

【０１４７】ここで、Ｂ１〜Ｂ４線においてベース材１
２を切断する処理に注目すると、Ｂ１〜Ｂ４線に沿って
ベース材１２を切断することにより、ベース材１２は導
通リード１３の延在方向に対し直交する方向（Ｙ方向）
に切断されることとなる。また前記したように、測定端
子形成工程において、測定端子１５はベース１２材上に
マトリックス状に形成された構成となっている。

【０１４８】このため、ベース材１２をＹ方向に切断す
る位置を図中Ｂ１〜Ｂ４で示す位置に変えることのみに
より、形状の異なる各基板１１-1〜１１-4を形成するこ
とができる。従って、大きさの異なる基板１１-1〜１１
-4であっても、一括的に製造することが可能となり、単
に切断位置Ｂ１〜Ｂ４を変更するのみで各種大きさの基
板１１-1〜１１-4を製造できるため、製造効率の向上及
び製造コストの低減を図ることができる。

【０１４９】先ず３３は、第２実施例である半導体検査
装置の製造方法を説明するための図である。尚、第２実
施例に係る製造方法は、図３２を用いて説明した第１実
施例に係る製造方法と略同一であるため、以下の説明で
は第１実施例に係る製造方法に対し異なる点のみを説明
する。

【０１５０】本実施例に係る製造方法では、基板形成工
程において、導通リード１３の両端部に夫々接続端子１
４を形成したことを特徴とするものである。これによ
り、ベース材切断工程でベース材１２を所定位置Ａ−
Ａ，及びＢ１〜Ｂ３で切断することにより、単位ブロッ
ク４５内において大小異なる形状、或いは同一形状の一
対の基板１１Ｅ，１１Ｆを同時に製造することが可能と
なり（図３２に示した製造方法では、単位ブロック４５
内には１個の基板のみ製造される）、製造効率の向上及
び製造コストの低減を更に図ることができる。

【０１５１】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、試験時に半導体装置に接続される接続端子
をベース材上に形成された導通リードの一部として形成
しているため接続端子の配設ピッチを狭くすることがで
き、よって高密度化されることによりファインピッチ化
された外部接続端子部を有する半導体装置に対し、確実
に試験を実施することができる。

【０１５２】また、導通リードはベース材上に形成され
るものであるため、例えば印刷技術或いは薄膜技術等を
用いて形成することができ、これによっても接続端子の
配設ピッチを狭くすることができる。更に、上記のよう
に接続端子及び測定端子を有する導通リードが形成され
た基板は、複数個積層されることにより半導体検査装置
を構成するため、接続端子を基板の面方向ばかりではな
く、この面方向に直交する方向にも高密度に配設するこ
とが可能となる。

【０１５３】また、請求項２記載の発明によれば、接続
端子の形成位置においては半導体装置の外部接続端子部
の配設ピッチに対応して狭ピッチ化できると共に、検査
装置本体部に接続される測定端子における配設ピッチは
広いため、検査装置本体部と半導体検査装置との接続を
容易に行なうことができる。

【０１５４】また、請求項３記載の発明によれば、測定
端子の位置を必ずしも接続端子の形成面と同一平面内に
形成しなくてもよくなるため、測定端子を検査装置本体
部との接続を行い易い位置に配置でき、従って検査装置
本体部との接続性を向上できる。

【０１５５】また、請求項４記載の発明によれば、測定
端子と検査装置本体部との接続を容易に行なうことがで
きると共に、単に基板の積層方法を変更するだけの簡単
な処理により検査装置本体部との接続性を向上できる。
また、請求項５記載の発明によれば、各端子は金属膜に
より保護される構成となり、接続時において各端子に摩
耗が発生することを防止することができる。また、接続
端子に被膜される金属の材質を半導体装置の外部接続端
子部に対し適合性の良いものに選定でき、同様に測定端
子に被膜される金属の材質を検査装置本体部の端子に対
し適合性の良いものに選定できるため、接続端子と外部
接続端子部との接続性、及び測定端子と検査装置本体部
との接続性を共に良好なものとすることができる。

【０１５６】また、請求項６記載の発明によれば、ファ
インピッチ化により接続端子自体の機械的強度が低下し
ても、封止樹脂により接続端子は支持されるため信頼性
を維持することができる。また、請求項７記載の発明に
よれば、封止部材の弾性変形に伴い接続端子も変位可能
な構成となるため、半導体装置の外部接続端子部に若干
のバラツキがあるような場合においても、接続端子も変
位することにより上記のバラツキを吸収することがで
き、よって接続端子と外部接続端子部との接続性を向上
することができる。

【０１５７】また、請求項８記載の発明によれば、接続
端子の先端部に突起状端子を形成したことにより、接続
端子の先端部は突出した構造となり、半導体装置の外部
接続端子部との接続性を向上することができる。また、
請求項９記載の発明によれば、半導体装置の製造技術と
して一般に用いられているワイヤボンディング技術を用
いて形成することができるため、低コストでかつ作成効
率よく突起状端子を形成することができる。また、通常
スタッドバンプはその先端部にワイヤ切断による小突起
が形成され、この小突起はプローブ先端と同様に尖った
形状となるため、これによっても接続端子と半導体装置
の外部接続端子部との接続性を向上することができる。

【０１５８】また、請求項１０記載の発明によれば、最
先端部に配設される突起状電極の材質を半導体装置の外
部接続端子部に対し適合性の良いものに選定でき、また
最先端部以外の突起状端子の材質は接続端子或いは最先
端部に配設され突起状端子に対し適合性の良いものに選
定できるため、最先端部に配設された突起状端子と外部
接続端子部との接続性、各突起状端子間の接続性、及び
突起状端子と接続端子との接続性を共に良好なものとす
ることができる。

【０１５９】また、請求項１１記載の発明によれば、各
基板間の離間距離をスペーサにより調整することが可能
となり、従って各基板に夫々配設される接続端子間のピ
ッチを外部接続端子部に対応するよう任意に設定するこ
とが可能となる。また、請求項１２記載の発明によれ
ば、半導体検査装置において半導体検査処理の一部或い
は全部を行なわせることが可能となり、検査装置本体部
で実施される検査処理の軽減を図ることができる。

【０１６０】また、請求項１３記載の発明によれば、各
基板全てにおいて同一条件で検査を行なうことが可能と
なり、半導体検査の精度及び信頼性の向上を図ることが
できる。また、請求項１４記載の発明によれば、複数の
基板を積層した構成した半導体検査装置であっても、各
接続端子を確実に半導体装置の外部接続端子部に接続す
ることができる。

【０１６１】また、請求項１５記載の発明によれば、接
続端子自体に弾性を持たせることができるため、半導体
装置の外部接続端子部に若干のバラツキがあるような場
合、また加熱時に発生する熱膨張により接続端子自体の
長さが変化した場合には、接続端子が変形することによ
り上記のバラツキ及び熱膨張を吸収することができ、よ
って接続端子と外部接続端子部との接続性を向上するこ
とができる。

【０１６２】また、請求項１６記載の発明によれば、半
導体装置の位置ずれ等により外部接続端子部の位置に若
干のバラツキがあったとしても、接続端子の先端部はあ
る程度の幅を有しているため、外部接続端子部との接続
性を確実に行なうことができる。

【０１６３】更に、請求項１７記載の発明によれば、フ
ァインピッチ化された接続端子を有する半導体検査装置
を用いて検査を行なうため、高密度に形成され外部接続
端子部がファイン化された半導体装置に対しても確実に
検査を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。

【図２】本発明の第１実施例である半導体検査装置を構
成する基板を示す図である。

【図３】基板の断面図である。

【図４】本発明の第１実施例である半導体検査装置の変
形例を説明するための図である（その１）。

【図５】本発明の第１実施例である半導体検査装置の変
形例を説明するための図である（その２）。

【図６】本発明の第２実施例である半導体検査装置を構
成する基板を示す図である。

【図７】本発明の第３実施例である半導体検査装置を構
成する基板を示す図である。

【図８】本発明の第４実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。

【図９】本発明の第５実施例である半導体検査装置を説
明するための図である。

【図１０】本発明の第５実施例である半導体検査装置の
変形例を説明するための図である。

【図１１】本発明の第６実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。

【図１２】本発明の第６実施例である半導体検査装置の
製造方法を説明するための図である（その１）。

【図１３】本発明の第６実施例である半導体検査装置の
製造方法を説明するための図である（その２）。

【図１４】本発明の第７実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。

【図１５】本発明の第７実施例である半導体検査装置の
変形例を説明するための図である（その１）。

【図１６】本発明の第７実施例である半導体検査装置の
変形例を説明するための図である（その２）。

【図１７】本発明の第８実施例である半導体検査装置及
びその製造方法を説明するための図である。

【図１８】本発明の第８実施例である半導体検査装置及
びその製造方法の変形例を説明するための図である。

【図１９】本発明の第９実施例である半導体検査装置を
説明するための図である。

【図２０】本発明の第１０実施例である半導体検査装置
を説明するための図である。

【図２１】本発明の第１１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その１）。

【図２２】本発明の第１１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その２）。

【図２３】本発明の第１１実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その３）。

【図２４】本発明の第１２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その１）。

【図２５】本発明の第１２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その２）。

【図２６】本発明の第１２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その３）。

【図２７】本発明の第１２実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その４）。

【図２８】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その１）。

【図２９】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その２）。

【図３０】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その３）。

【図３１】本発明の第１３実施例である半導体検査装置
を説明するための図である（その４）。

【図３２】本発明の第１実施例である半導体検査装置の
製造方法を説明するための図である。

【図３３】本発明の第２実施例である半導体検査装置の
製造方法を説明するための図である。

【図３４】従来の半導体検査装置の一例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０，１０Ａ〜１０Ｒ，１０Ｓ-1〜１０Ｓ-4，１０Ｔ-1
〜１０Ｔ-4 半導体検査装置 １１，１１-1〜１１-4，１１Ａ〜１１Ｆ 基板 １２，１２Ａ ベース材 １３，１３-1〜１３-4 導通リード １４，１４Ａ，１４Ｂ 接続端子 １５ 測定端子 １６ 端部 １７ 湾曲部 １８ 分岐部 １９ 外部接続端子部 ２０ ホルダ ２１ 可撓性樹脂 ２２ メッキ部 ２５，２７ ソケット ２６ ソケット装着部 ２９，２９Ａ 突起状端子 ３０ 支持部材 ３１ａ〜３１ｃ スタッドバンプ ３２，３２Ａ 封止部材 ３３Ａ〜３３Ｃ スペーサ ３４ スルーホール電極 ３５ チップコンデンサー ３６ 抵抗 ３７ 半導体装置 ３８ 位置決め凹部 ３９ 位置決め用治具 ４０ 位置決め孔 ４１ 位置決めピン ４２-1〜４２-4 延出部

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置に設けられた外部接続端子部
   に接続端子を当接することにより電気的接続を図り、前
   記半導体装置に対して検査を行なう半導体検査装置にお
   いて、 ベース材上に複数本並設された導通リードの一端部に前
   記接続端子を形成すると共に、他端部に検査装置本体部
   に接続される測定端子を形成してなる基板を、複数個積
   層した構成を有することを特徴とする半導体検査装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体検査装置におい
   て、 前記測定端子の配設ピッチ（Ｐ２）を前記接続端子の配
   設ピッチ（Ｐ１）に対して大きく設定（Ｐ１＜Ｐ２）し
   たことを特徴とする半導体検査装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体検査装置
   において、 前記積層された基板を前記接続端子から前記測定端子に
   至る途中位置において折曲形成したことを特徴とする半
   導体検査装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
   半導体検査装置において、 前記測定端子が形成された前記基板の端部が階段状に露
   出されるよう積層したことを特徴とする半導体検査装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
   半導体検査装置において、 前記接続端子と前記測定端子とに夫々金属膜を被膜する
   と共に、前記接続端子に被膜される金属膜と、前記測定
   端子に被膜される金属膜とを異種金属としたことを特徴
   とする半導体検査装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
   半導体検査装置において、 前記導通リード部の少なくとも前記接続端子の形成位置
   に封止部材を配設し、前記接続端子を前記封止樹脂によ
   り支持する構成としたことを特徴とする半導体検査装
   置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体検査装置におい
   て、 前記封止部材は弾性を有した材料により形成されている
   ことを特徴とする半導体検査装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
   半導体検査装置において、 前記接続端子の先端部に突起状端子を形成したことを特
   徴とする半導体検査装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体検査装置におい
   て、 前記突起状端子をスタッドバンプにより形成したことを
   特徴とする半導体検査装置。
10. 【請求項１０】 請求項８または９記載の半導体検査装
    置において、 前記突起状端子は、同種または異種の金属よりなる複数
    個のスタッドバンプを複数個多段に形成した構造を有す
    ることを特徴とする半導体検査装置。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記積層される基板の間にスペーサを介装したことを特
    徴とする半導体検査装置。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至１１のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記ベース材上に前記導通リードと接続した電子部品を
    配設したことを特徴とする半導体検査装置。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記複数の導電リードの少なくとも形状または材質を夫
    々変更することにより、各導電リードの電気抵抗値を均
    一化したことを特徴とする半導体検査装置。
14. 【請求項１４】 請求項１乃至１３のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記基板に積層時の位置合わせの指標となる位置決め機
    構を設けたことを特徴とする半導体検査装置。
15. 【請求項１５】 請求項１乃至１４のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記接続端子を前記基板より突出するよう形成すると共
    に、前記突出部分における接続端子の形状が湾曲形状を
    有するよう構成したことを特徴とする半導体検査装置。
16. 【請求項１６】 請求項１乃至１４のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置において、 前記接続端子の先端部に複数本に分岐された分岐部を形
    成したことを特徴とする半導体検査装置。
17. 【請求項１７】 請求項１乃至１６のいずれか１項に記
    載の半導体検査装置を用いる半導体検査方法であって、 前記半導体検査装置に設けられた測定端子を検査装置本
    体部に接続し、 前記半導体検査装置に設けられた接続端子を半導体装置
    に設けられた外部接続端子部に当接することにより電気
    的接続を図ることにより、前記半導体装置に対して検査
    を行なうことを特徴とする半導体検査方法。