JP2968731B2 - 異方導電フィルムの製造方法 - Google Patents

異方導電フィルムの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方導電フィルム
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近のエレクトロニクス技術の進歩に伴
い、電子機器には高速高性能化、軽薄短小化等の要求が
益々強まっている。これらの要求を満足させるために
は、配線の細線化、スルーホールの微小化を含め、高密
度配線化が必要となる。従来、多層印刷配線板は、各層
に導体配線パターンを予め形成後、必要な複数枚を一括
積層後穴あけし、スルーホールめっきを行って製造して
いた。しかしながら、このように貫通スルーホールを有
する構造では、高密度化には不利である。この欠点を改
良するために、セラミック基板のグリーンシート積層に
見られるようなブラインドスルーホール構造の基板が提
案されている。例えば、絶縁層と導体層を交互に繰り返
すいわゆるビルドアップ処方を用いた例が、特開平2−
296392号公報に開示されている。
【0003】すなわち、図7(a)に示すように、ポリ
イミドフィルム101の両面にめっき法により銅回路パ
ターン102を設けたのち、図7(b)に示すように、
ポリイミド層103を形成し、次に、図7(c)に示す
ように開口部104を形成した後、図7(d)に示すよ
うに、銅回路パターン102aを形成する。
【0004】また、導電ペーストを用いてブラインドス
ルーホールを含め、導体配線を基板積層と一括して行う
多層基板の製造方法が、特公平2−24035号公報に
開示されている。
【0005】すなわち、図8(a)に示すように、プレ
ポリマからなる基板80,80aにそれぞれ孔81を設
け、回路パターン82,83を印刷する。又、孔90,
91を有する絶縁性フィルム85を介在させ、最外層に
孔87〜89を有する絶縁性フィルム84,86を配置
し、熱圧着をすることによって、図8(b)に示すよう
な、回路基板を形成する。
【0006】しかしながら、前者は製造工程が複雑なた
め、生産性が高くなく、コスト高になり、後者は導体配
線抵抗が高いという欠点がある。
【0007】上記のブランイドビアホール製造の多層配
線基板の製造に有効なものとして、異方導電フィルムが
ある。従来の異方導電フィルムは、2タイプに大別され
る。1つは、高分子接着剤中に、ニッケル、金等にて表
面をめっきしたプラスチック粒子等の導電性粒子を分散
させてフィルム化させたものである(第1の従来技
術)。もう1つは、絶縁性フィルムに開口部を設け、導
電性物質を埋設したものであり、一般的には開口部を設
けた絶縁性フィルムと銅箔等の導電部材を張り合わせ、
開口部に電解めっきで導体を充填した後銅箔等をエッチ
ング除去したり(第2の従来技術)、銅箔等と張り合せ
ることなく絶縁性フィルムの開口部に低融点金属を直接
充填することにより形成される(第3の従来技術)。ま
た、特開平5−307986号公報には、高い接続信頼
性を得るために導電層側にバンプを形成する異方導電フ
ィルムの製造方法(第4の従来技術)が開示されてい
る。
【0008】すなわち、図9(a)に示すように、導体
層202に第1絶縁性フィルム201を積層し、図9
(b)に示すように、貫通孔203を形成し、次に凹部
204を形成する。次に、図9(c)に示すように、凹
部に金属物質205を充鎮する。次に、第1絶縁性フィ
ルム201を剥離し、図9(d)に示すように、貫通孔
213を有する第2絶縁性フィルム211を積層し、次
に、図9(e)に示すように金属物質215を充鎮し、
次に、導電層202をエッチング等により除去すること
により、図9(f)に示すように、異方導電フィルムを
得る。
【0009】また、上述の2タイプ以外として、特開昭
60−245798号公報にフィルムの電極接触部分を
変性して導電化する内容の技術(第5の従来技術)が開
示されている。
【0010】すなわち、図10(a)に示すように、絶
縁性基板301の全面に導体層203を形成し、パタン
化した絶縁膜304を形成する。次に図10(b)に示
すように、高分子フィルム305を形成する。次に、亜
硫酸金イオンを含む金めっき液に浸して金めっきを行な
うことによって、図10(c)に示すように、高分子フ
ィルム305に導電化部306と絶縁部307とを形成
する。次に、この高分子フィルム305を剥離して、図
10(d)に示すように、異方導電フィルムを形成す
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第1の従来技術は、導電性粒子が高分子中に分散され
ているため、導体抵抗が一般的に高く、また、加圧や加
熱によって導電性粒子が流動して、異方導電性不良や接
続不良を起こすおそれがある。第2及び第3の従来技術
は、充填される導電性物質に耐薬品性及び低融点がそれ
ぞれ必要とされるという制約を受ける欠点を有してい
る。更に、第2の従来技術は銅箔等をエッチングしなけ
ればならず、工数がかさみかつ資材のむだが多い。
【0012】第4の従来技術は、第2の従来技術とほぼ
同じ問題点を有している。
【0013】又、第5の従来技術は、形成される導体層
は、高分子を変性したものであるため導体抵抗が大き
く、通常の配線基板として適用できるレベルではない。
【0014】本発明の目的は、導体抵抗の小さい異方導
電フィルムを工数のかさむエッチング工程を必要とせず
簡便に形成できる製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明異方導電フィルム
の製造方法は、第1の樹脂フィルムの一表面に貴金属薄
膜を被着する工程と、少なくとも一表面部が熱可塑性を
有する絶縁性の第2の樹脂フィルムの所定箇所に貫通孔
若しくは貫通パターンを設ける工程と、前記第1の樹脂
フィルムの貴金属薄膜が被着されている面と第2の樹脂
フィルムの前記一表面とを熱圧着して仮貼付けした後、
前記貫通孔部若しくは貫通パターン部に導電性物質を充
する工程と、前記貴金属薄膜前記導電性物質部に
写されるように前記第1の樹脂フィルムを前記第2の樹
脂フィルムから剥離する工程とを有するというものであ
る。
【0016】ここで、第1の樹脂フィルムは、一表面部
に第1のガラス転移温度の第1のポリイミドフィルムを
有し、第2の樹脂フィルムは、一表面部に前記第1のガ
ラス転移温度より低い第2のガラス転移温度の第2のポ
リイミドフィルムを有し、前記第1のガラス転移温度未
満で、第2のガラス転移温度を越える温度で熱圧着をす
ることができる。
【0017】更に、貴金属薄膜及び銅薄膜を順次に被着
して金属薄膜を形成することができる。
【0018】更に又、めっきにより導電性物質を充
ることができる。
【0019】以上において、貫通孔部を充する導電性
物質の貴金属薄膜が付着した端部にバンプを形成する工
程を追加することができる。
【0020】貴金属薄膜を被着した第1の樹脂フィルム
と貫通孔若しくは貫通パターンを有する第2の樹脂フィ
ルムとを仮貼付けし、前記貫通孔部若しくは貫通パター
ン部に導電性物質を充したのち、第1の樹脂フィルム
及び第2の樹脂フィルムの貫通孔若しくは貫通パターン
以外の部分に接触している貴金属薄膜を剥離すればよい
ので、貴金属薄膜をエッチングで除去しなくてよい。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態につ
いて説明する。
【0022】図1(a)に示すように、ガラス転移温度
が高く金属膜との密着性が比較的良くない第1の樹脂フ
ィルム1を準備し、図1(b)に示すように、その片面
に、貴金属薄膜2を形成する。貴金属薄膜を形成する方
法としては、均一に薄膜を形成できる蒸着あるいはスパ
ッタが好適である。貴金属薄膜2の厚さは特に限定され
ないが、10〜100nm程度が良い。10nmより薄
いと、後工程における転写の信頼性が低く、100nm
より厚いと、後工程で不要部分での転写が起き、修理等
の手間がかかるのみならず、コスト高となり好ましくな
い。
【0023】さらに好ましくは、貴金属薄膜形成後銅薄
膜を積層する。後工程で貴金属薄膜を転写する工程があ
るが、フィルム表面の不均一等により必要なパターン部
分以外に転写が起こることがあり、その場合は、この不
要部分を薬品で除去する工程を追加するが、下地に銅薄
膜が存在すると容易に除去しうる。薬品としては、銅薄
膜をエッチングできる希塩酸、希硫酸等が用いられる。
このエッチングは、従来技術における銅箔等のエッチン
グに比較して時間もかからない。銅薄膜の厚みは、特に
限定されないが、50〜150nm程度が良い。50n
mより薄いと、後工程のめっき工程で、めっき液中に銅
が溶解しやすく、逆に150nmより厚くしても、コス
ト高となるだけで好ましくない。
【0024】次に、図2(a)を示すように、熱可塑性
を有する絶縁性の第2の樹脂フィルム3を準備し、次に
図2(b)に示すように、貫通孔4を形成する。この第
2の樹脂フィルムは単層膜でなくてもよく、非熱可塑性
もしくは可塑性となる温度の比較的高い支持樹脂フィル
ムの少なくとも片面に熱可塑性層を設けたものでもよ
い。第2の樹脂フィルムの少なくとも一表面部を構成す
る素材は、電気絶縁性であり、熱可塑性のものであれば
特に限定されないが、二次加工における耐熱性や耐溶剤
性の観点から、熱可塑性ポリイミドが最も好適である。
積層構造である場合は、表面層として熱可塑性ポリイミ
ドを用いることが好ましい。この際、支持樹脂フィルム
としては、耐熱性が良好な非熱可塑性ポリイミドフィル
ムが好適である。表面層の厚さは、被接着物によるが、
通常10〜25μm程度がよい。
【0025】第2の樹脂フィルムに貫通孔を形成する方
法は、特に限定されない。例えば、簡単な穴あけパター
ンであれば、パンチング等の機械的加工法により所定の
形状穴を等間隔で形成することができる。また、配線パ
ターンであれば、フィルム表面にレジストでパターンを
形成し、薬品によりエッチングする化学的なウエットエ
ッチング方法やエキシマレーザー等でパターンをアブレ
ーション除去するドライエッチング法により貫通パター
ンを得ることができる。
【0026】次に、図3(a)に示すように、第1の樹
脂フィルム1の貴金属薄膜2(好ましくは表面に図示し
ない銅薄膜を有している。)と第2の樹脂フィルム3と
を仮貼付けする。仮貼付けは、第2の樹脂フィルムの少
なくとも表面部のガラス転移温度より5〜15℃高い温
度で加圧して行なう。5℃より低いと、密着が不十分で
あり、逆に15℃より高いと、密着が強すぎ、後工程の
剥離において不要部分の転写が起きやすい。
【0027】次に、めっき工程を行う。下地の金属薄膜
を電源に接続し、第2の樹脂フィルムの貫通孔4部に電
解めっきにより、図3(b)に示すように、銅等の導電
性物質5を充する。なお、貴金属薄膜に続いて銅薄膜
を形成しない場合は、無電解めっきを使用することもで
きる。導電性物質5は銅だけでもよいが、銅を形成した
後電解めっきによりはんだを積層してもよい。後述する
ように、異方導電フィルムを積重ねて一体化処理するこ
とによって多層印刷配線板を形成するのに使用されるの
で、上下方向に隣接する導電体との電気的接続を信頼性
良く行うため、第2の樹脂フィルムの溶融温度未満で溶
解するか、あるいは充金属と共晶を形成する金属層を
形成することが好ましい。この金属層としてここではは
んだを積層する例について述べた。
【0028】最後に、第1の樹脂フィルム1と導体を形
成した第2の樹脂フィルム3を剥離する。この際、第1
の樹脂フィルムと貴金属薄膜の密着性より第2の樹脂フ
ィルムと導電性物質5の密着性の方が強い(仮貼付け工
程での加熱により密着性が増す)ため、図3(c)に示
すように、導電性物質5に貴金属薄膜2aが転写され
る。なお、導電性物質5と貴金属薄膜2aとはめっきに
よって接合しているので剥れ難く、貴金属薄膜は機械的
に弱いので容易に破断される。
【0029】こうして、異方導電フィルムの形成を終る
が、必要に応じて、図4に示すように、バンプ6を形成
することもできる。前述したように、貴金属は無電解め
っきの触媒として作用するため、転写された貴金属薄膜
2aを核として容易にバンプ6を銅等により成長させる
ことができる。
【0030】(実施例1)厚み25μmの宇部興産社製
ポリイミドフィルム(ユーピレックスS:ガラス転移温
度>500℃)表面にパラジウムを600nm、続いて
銅を800nmそれぞれ蒸着した。一方、厚み65μm
の三井東圧化学社製ボンディングフィルム(熱可塑性ポ
リイミド層20μm/宇部興産社製ユーピレックスS2
5μm/熱可塑性ポリイミド層20μm積層構造、熱可
塑性ポリイミド:ガラス転移温度190℃)に250μ
m直径の貫通孔を、縦横2.5mm間隔でアレー状にパ
ンチングマシンにより形成した。次に、ポリイミドフィ
ルム上の銅膜に、ボンディングフィルムの片面を接触さ
せて積層し、200℃で10分間、20kg/cm2
熱圧着して仮貼付けした。
【0031】次に、仮貼付けしたものを数秒間希硫酸に
浸せきして、貫通孔部表面の酸化銅を除去した後、銅膜
を電源と接続し、ボンディングフィルムに形成した貫通
孔内部に、無電解めっきを60μm、続いて電解はんだ
めっきを5μm行った。
【0032】めっき終了後、ポリイミドフィルムをボン
ディングフィルムからゆっくり剥離すると、ボンディン
グフィルムの貫通孔内部に導電性物質が充された異方
導電フィルムが製造される。この際、ポリイミドフィル
ム表面の蒸着膜のうち貫通孔と密着していた部分は、ボ
ンディングフィルム表面側に転写され、充填された導電
性物質の一端ははんだ、他端はパラジウムとなる。
【0033】(実施例2)実施例1において用いたボン
ディングフィルムの厚みを40μm(熱可塑性ポリイミ
ド層7.5μm/ユーピレックスS25μm/熱可塑性
ポリイミド層7.5μm)に変更した以外は、全く同様
の材料を用いて、貫通孔を形成する代わりに、貫通配線
パターンをエキシマレーザーにて形成した。同様に、積
層、電解めっき、剥離工程により、一端がはんだ、他端
がパラジウムで覆われた導電性物質でなる配線パターン
を埋込んだ異方導電フィルムを形成した。
【0034】次に、異方導電フィルムを使用した多層印
刷配線板の形成方法について説明する。
【0035】まず、本発明による異方導電フィルムを複
数積層する第1の多層印刷配線板の形成方法は、まず図
5(a)に示すように、配線パターンに導電性物質5−
1,5−3,5−5をそれぞれ樹脂フィルム3−1,3
−3,3−5に設けた3枚の異方導電フィルムを、配線
ピッチに縦横等間隔にアレー状に導電性物質5−2,5
−4をそれぞれ樹脂フィルム3−2,3−4に設けた異
方導電フィルムを介して積層し、熱圧着を行なって図5
(b)に示すように、多層印刷配線板を形成する。
【0036】又、本発明による異方導電フィルムと感光
性樹脂とを使用する第2の多層印刷配線板の形成方法
は、図6(a)に示すように、配線ピッチに縦横等間隔
にアレー状に導電性物質5−2Aを樹脂フィルム3−2
Aに形成した異方導電フィルム上に、感光性樹脂膜7−
1,7−2,7−3を塗布法により形成した後、露光,
現像して貫通孔を形成し、貫通孔部に露出したパラジウ
ム膜2a−2Aを触媒核として無電解めっきにより導体
8−1,8−2,8−3を形成し銅などの金属膜配線パ
ターン9−1,9−2,9−3を形成した後積層し、熱
圧着により図6(b)に示すように一体化する。なお、
配線パターンが絶縁基板表面に凸状に形成されているの
で、積層時の配線パターン周辺部の密着が不十分になり
やすい。従って、配線パターン表面と感光性樹脂膜表面
の高さが同一平面になるようにするのが好ましい。それ
には、配線パターン9−1,9−2,9−3を形成した
後、これよりやや厚くポジ型の感光性樹脂膜を塗布法で
形成したのち、配線パターン上の厚さ分を除去するのに
ちょうどよい露光をし現像するか、全面エッチバックを
行なって、配線パターン表面を露出させればよい。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって異
方導電フィルムが、工数のかかるエッチング工程を必要
とせず高精度に容易に製造できる。また、本発明による
異方導電フィルムは、金属が所望のパターン形状にフィ
ルムの厚み方向に貫通して充填されており、該充填金属
の一端に、貴金属薄膜が形成されているために、その貴
金属を触媒核として、無電解めっきにより容易にバンプ
を形成できる。また、他端にはんだ等の樹脂フィルムの
溶融温度未満で溶解する金属を設けることにより、多層
印刷配線板を形成するときの熱圧着で上下方向に隣接す
る導体どうしを信頼性良く接続することができる。
【0038】従って、本発明による異方導電フィルムを
用いることにより、簡単な製造工程で、信頼性よく、高
密度で軽量な多層印刷配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の説明のための(a),
(b)に分図して示す工程順断面図。
【図2】図1に続いて(a),(b)に分図して示す工
程順断面図。
【図3】図2に続いて(a)〜(c)に分図して示す工
程順断面図。
【図4】図3に続いて示す断面図。
【図5】本発明による異方導電フィルムを使用した第1
の多層印刷配線板の形成方法をについて説明するための
(a),(b)に分図して示す工程順断面図。
【図6】本発明による異方導電フィルムを使用した第2
の多層印刷配線板の形成方法について説明するための
(a),(b)に分図して示す工程順断面図。
【図7】特開平2−296392号公報に開示された技
術について説明するための(a)〜(d)に分図して示
す工程順断面図。
【図8】特公平2−24035号公報に開示された技術
について説明するための(a),(b)に分図して示す
工程順断面図。
【図9】特開平5−307986号公報に開示された技
術(第4の従来技術)について説明するための(a)〜
(f)に分図して示す工程順断面図。
【図10】特開昭60−245798号公報に開示され
た技術(第5の従来技術)について説明するための
(a)〜(d)に分図して示す工程順断面図。
【符号の説明】
1 樹脂フィルム 2,2a,2a−1,2a−2,2a−3,2a−4,
2a−5,2a−2A貴金属薄膜 3,3−1,3−2,3−3,3−4,3−5,3−1
A,3−2A 樹脂フィルム 4 貫通孔 5,5−1,5−2,5−3,5−4,5−5,5−2
A 導電性物質 6 バンプ 7−1,7−2,7−3 感光性樹脂膜 8−1,8−2,8−3 導体 9−1,9−2,9−3 配線パターン 101 ポリイミドフィルム 102,102a 銅回路パターン 103 ポリイミド層 104 開口部 105 ポリイミド層表面 80,80a 基板 81 孔 82 回路パターン 83 回路パターン 84 絶縁性フィルム 85 絶縁性フィルム 86 絶縁性フィルム 87 孔 88 孔 89 孔 90 孔 91 孔 201 第1絶縁性フィルム 202 導電層 203 貫通孔 204 凹部 205 金属部 211 第2絶縁性フィルム 213 貫通孔 215 金属物質 301 絶縁性基板 303 全面の導体層 304 ハタン化した絶縁膜 305 高分子フィルム 306 導電化部 307 絶縁部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−266306(JP,A) 特開 平5−261931(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 5/16 G01B 13/00 501 G01R 11/01 G01R 43/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の樹脂フィルムの一表面に貴金属薄
    膜を被着する工程と、少なくとも一表面部が熱可塑性を
    有する絶縁性の第2の樹脂フィルムの所定箇所に貫通孔
    若しくは貫通パターンを設ける工程と、前記第1の樹脂
    フィルムの貴金属薄膜が被着されている面と第2の樹脂
    フィルムの前記一表面とを熱圧着して仮貼付けした後、
    前記貫通孔部若しくは貫通パターン部に導電性物質を充
    する工程と、前記貴金属薄膜前記導電性物質部に
    写されるように前記第1の樹脂フィルムを前記第2の樹
    脂フィルムから剥離する工程とを有することを特徴とす
    る異方導電フィルムの製造方法。
  2. 【請求項2】 第1の樹脂フィルムは、一表面部に第
    のガラス転移温度の第1のポリイミドフィルムを有し、
    第2の樹脂フィルムは、一表面部に前記第1のガラス転
    移温度より低い第2のガラス転移温度の第2のポリイミ
    ドフィルムを有し、前記第1のガラス転移温度未満で、
    第2のガラス転移温度を越える温度で熱圧着をする請求
    項1記載異方導電フィルムの製造方法。
  3. 【請求項3】 貴金属薄膜及び銅薄膜を順次に被着して
    金属薄膜を形成する請求項1又は2記載の異方導電フィ
    ルムの製造方法。
  4. 【請求項4】 めっきにより導電性物質を充する請求
    項1,2又は3記載の異方導電フィルムの製造方法。
  5. 【請求項5】 貫通孔部を充する導電性物質の貴金属
    薄膜が付着した端部にバンプを形成する工程を有する請
    求項1乃至4記載の異方導電フィルムの製造方法。
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KR101345084B1 (ko) * 2007-07-21 2014-01-22 이형곤 이방성도전필름과 그 제조용 도전입자 및 제조방법

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