JP2001033485A

JP2001033485A - 検査治具及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001033485A
Application number: JP11203137A
Authority: JP
Inventors: Takasane Tsunoda; 卓真角田
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1999-07-16
Filing date: 1999-07-16
Publication date: 2001-02-09

Abstract

(57)【要約】【課題】検査治具の検査電極を被検査体に押圧して導通
検査を行う際、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板か
ら部分的に剥離することなく、信頼性の高い導通検査が
できる検査治具を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基板１１の片側同一面に検査電極１６
ａと配線層１２及び保護層１３を形成し、保護層１３を
除く配線層１２及び絶縁基板１１上に薄膜導体層を形成
し、絶縁基板１１、配線層１２の一部及び保護層１３上
に絶縁樹脂層１４を形成し、配線層１２上の所定部位の
保護層１３及び絶縁樹脂層１４に開口部１５を形成し、
開口部１５に電解ニッケルめっきにより検査電極１６を
形成し、表面研磨後絶縁樹脂層１４を溶解・剥離して絶
縁基板１１の片側同一面に配線層１２、保護層１３及び
検査電極１６ａが形成された検査治具１０を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子や配線回路基板等の導通検査に用いられる検査治具に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、被検査体（半導体回路素子及び装
置等）の検査は図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、絶縁
基板４１の一方に配線層４２が、他方に検査電極４３が
形成された検査治具４０と検査用ソケット３０を用いて
検査を行っている。検査方法は、検査治具４０を検査ソ
ケット３０に設けられたシリコンラバー３１上に載置
し、被検査体５０（半導体回路素子及び配線回路基板
等）の電極５１に検査電極４３を押圧して導通検査を行
っている。

【０００３】従来の検査方法では、検査治具４０の検査
電極４３の高さばらつきを吸収し、被検査体５０の検査
電極５１との接触を確実にするため検査用ソケット３０
と検査治具４０の間にはシリコンラバー３１を挟み込ん
でいる。この検査方法では、導通検査時には前記検査電
極１ピン当たり約２０ｇ以上の荷重をかけることで、被
検査体のアルミ電極表面の酸化膜を突き破っている。こ
の時、検査電極４３が配線層４２と共にシリコンラバー
３１側にわずかに突き抜けて検査電極４３及び配線層４
２の一部が絶縁基板４１から部分的に剥離するという問
題が発生している（図４参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたものであり、検査治具の検査電極を被検査
体に押圧して導通検査を行う際、検査電極及び配線層の
一部が絶縁基板から部分的に剥離することなく、信頼性
の高い導通検査ができる検査治具を提供することを目的
とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するため、まず請求項１においては、電気的に接
続された検査電極と配線層が、絶縁基板の片側同一面に
形成されていることを特徴とする検査治具としたもので
ある。

【０００６】また、請求項２においては、以下の工程を
有することを特徴とする請求項１記載の検査治具の製造
方法としたものである。（ａ）絶縁基板１１の片側に配線層１２を形成する工
程。（ｂ）絶縁基板１１及び配線層１２上の所定位置に保護
層１３を形成する工程。（ｃ）絶縁基板１１及び保護層１３上に絶縁樹脂層１４
を形成する工程。（ｄ）配線層１２上の所定部位の保護層１３及び絶縁樹
脂層１４に開口部１５を形成する工程。（ｅ）開口部１５に電解めっきにて、検査電極１６を形
成する工程。（ｆ）検査電極１６及び絶縁樹脂層１４上を研磨処理
し、上面が平坦な検査電極１６ａを形成する工程。（ｇ）絶縁樹脂層１４を除去して、絶縁基板１１の片側
同一面に電気的に接続された検査電極１６ａと配線層１
２及び保護層１３からなる検査治具を作製する工程。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明の検査治具の一実施例の構成を示す部分
模式斜視図を図１（ａ）に、図１（ａ）の検査治具の部
分模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した部分模式断面図を図
１（ｂ）に、本発明の検査治具の製造工程を工程順に示
す模式断面図を図２（ａ）〜（ｇ）にそれぞれ示す。

【０００８】本発明の検査治具１０は図１（ａ）、
（ｂ）に示すように、絶縁基板１１の片側同一面に検査
電極１６ａと配線層１２が形成されており、検査電極１
６ａと配線層１２は電気的に接続されている。このよう
に検査電極１６ａと配線層１２は絶縁基板１１上の片側
同一面に形成されているため、押圧導通検査時の押圧で
検査電極１６ａと配線層１２が絶縁基板１１を突き抜け
て検査電極１６ａと配線層１２の一部が絶縁基板１１か
ら剥離するようなことはなく、良好な電気的導通が得ら
れ、導通検査の信頼性が向上する。

【０００９】以下、本発明の検査治具１０の形成法につ
いて図２（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶縁
基板１１上に配線層１２を形成する。（図２（ａ）参
照）。絶縁基板１１は検査治具の支持基板になるもの
で、絶縁性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエ
ステル、エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等から
なる絶縁基板が使用可能であるが、ポリイミド樹脂から
なる絶縁基板が好適である。

【００１０】次に、絶縁基板１１及び配線層１２上の所
定部位に保護層１３を形成する（図２（ｂ）参照）。保
護層１３は配線層１２を外的物理力から保護する役目の
他に、配線層１２上に形成される検査電極１６ａを絶縁
基板１１に保持・固定する役目を併せ持っている。保護
層１３の材料としては、耐熱性及び機械的強度を持った
絶縁性の樹脂が求められる。ここでは、熱硬化性をもつ
液状のソルダーレジストやポリイミド樹脂、ビルドアッ
プ用絶縁樹脂等が好適である。

【００１１】次に、保護層１３を除く配線層１２及び絶
縁基板１１上に薄膜導体層形成し、絶縁基板１１及び保
護層１３上に絶縁樹脂層１４を形成する。ここで、薄膜
導体層は配線層１２同士を電気的に接続して共通電極と
し、後工程の検査電極を電解めっきで形成する際のカソ
ード電極となる。さらに、絶縁樹脂層１４は検査電極を
形成するための型を形成したり、検査電極の高さを調整
するためのもので、絶縁性を有する樹脂であれば使用可
能であるが、後工程で最終的に剥離・除去されるため、
電解めっきプロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処
理が容易なドライフィルムレジストが好適である。

【００１２】次に、配線層１２上の所定部位の保護層１
３及び絶縁樹脂層１４にエキシマレーザ加工を用いて検
査電極を形成するための開口部１５を形成する（図２
（ｄ）参照）。ここで、開口部１５の中心位置が配線層
１４の所定位置になるように位置合わせして加工を行
う。

【００１３】次に、薄膜導体層をカソード電極にして、
開口部１５に電解めっきにて、検査電極１６を形成する
（図２（ｅ）参照）。ここで、検査電極１６は電導性及
び硬度の点から銅もしくはニッケルが好適である。

【００１４】次に、検査電極１６の高さを均一化するた
め、検査電極１６及び絶縁樹脂層１４上を研磨処理し、
上面が平坦な検査電極１６ａを形成する（図２（ｆ）参
照）。

【００１５】次に、上記基板を専用の剥離液に浸漬し、
絶縁樹脂層１４を剥離・除去し、さらに、薄膜導体層を
フラッシュエッチングで除去し、絶縁基板１１上に配線
層１２、保護層１３及び検査電極１６ａが形成された検
査治具１０を得ることができる（図２（ｇ）参照）。

【００１６】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。まず、ポリイミドフィルム（ユーピレックス；宇部
興産（株）製）からなる絶縁基板１１に、銅箔（ＪＴＭ
３５μｍ厚；日鉱金属（株）製）を貼着した片面銅貼り
積層板にドライフィルムレジスト（ＲＹ-３０２５：日
立化成工業（株）製）を貼着、露光、現像、エッチング
等の一連のパターニング処理を行うことで配線層１２を
形成した。

【００１７】次に、絶縁基板１１及び配線層１２上の所
定位置にビルドアップ用絶縁樹脂（プロビコート5000；
日本ペイント（株）製）をスクリーン印刷して、１５０
℃１時間加熱硬化して保護層１３を形成した。

【００１８】次に、保護層１３を除く絶縁基板１１及び
配線層１２上に銅をスパッタリングし、３０００Å厚の
薄膜導体層を形成し、感光性ポジ型レジスト（ＡＺＰＬ
Ｐ−３０；（株）クラリアントジャパン製）を、配線層
１２、保護層１３及び薄膜導体層が形成された絶縁基板
１１上にスピンコート法にて塗布し、９０℃３０分間加
熱硬化して絶縁樹脂層１４を形成した。この際、薄膜導
体層上の一部をポリイミドテープにて覆い、絶縁樹脂層
１４が形成されない部位を形成した。

【００１９】次に、配線層１２上の所定部位の保護層１
３及び絶縁樹脂層１４にエキシマレーザ加工を用いて２
０μｍφの開口部１５を形成した。ここで、開口部１５
の中心位置が配線層１２の所定位置になるように位置合
わせ行った。エキシマレーザ加工の加工条件は、エネル
ギー密度１．５Ｊ／ｃｍ²であった。

【００２０】次に、絶縁樹脂層１４に覆われていない薄
膜導体層をカソード電極にして開口部１５に電解ニッケ
ルめっきを行い、ニッケル金属からなる検査電極１６を
形成した。めっき時の電流密度は２Ａ／ｄｃｍ²であっ
た。

【００２１】次に、検査電極１６の高さを均一化するた
め、検査電極１６及び絶縁樹脂層１４上面をベルトサン
ダー研磨機を用いて研磨処理を行い、上面が平坦な検査
電極１６ａを形成した。

【００２２】次に、絶縁樹脂層１４を５ｗｔ％の苛性ソ
ーダ溶液にて溶解除去し、さらに、絶縁樹脂層１４の下
に形成されていた薄膜導体層を２０ｗｔ％のペルオキソ
二硫酸アンモニウム溶液にてフラッシュエッチングして
除去することで、絶縁基板１１の片側同一面上に配線層
１２、保護層１３及び検査電極１６ａが形成された本発
明の検査治具１０を作製した。

【００２３】本発明の検査治具１０を用いてアルミニウ
ム電極を有する被検査体を繰り返し導通検査した結果押
圧導通検査時に配線層及び検査電極が絶縁基板を突き抜
けて部分的に剥離するようなこともなく、良好な電気的
導通が得られた。

【００２４】

【発明の効果】本発明の検査治具１０を用いることによ
り、アルミニウム電極を有する被検査体を導通検査した
結果良好な電気的導通が得られ、通常の押圧加重の繰り
返し導通検査においても、配線層及び検査電極の絶縁基
板からの部分剥離等は見られず、安定した、信頼性の高
い導通検査ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の検査治具の一実施例を示す
部分模式斜視図である。（ｂ）は、本発明の検査治具の
部分模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した部分模式断面図で
ある。

【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具の製造工
程を工程順に示す部分模式断面図である。

【図３】（ａ）は、従来の検査治具の一実施例を示す部
分模式斜視図である。（ｂ）は、従来の検査治具の一実
施例を示す部分斜視図をＢ−Ｂ線で切断した部分模式断
面図である。（ｃ）は、従来の検査治具４０を検査用ソ
ケット３０上のシリコンラバー３１上に載置して被検査
体５０を導通検査している状態を示す部分模式断面図で
ある。

【図４】従来の検査治具４０を検査用ソケット３０上の
シリコンラバー３１上に載置して被検査体５０を押圧導
通検査をしている際検査電極４３及び配線層４２の一部
が絶縁基板４１から部分的に剥離した状態を示す部分模
式断面図である。

【符号の説明】

１０……検査治具１１……絶縁基板１２……配線層１３……保護層１４……絶縁樹脂層１５……開口部１６、１６ａ……検査電極３０……検査用ソケット３１……シリコンラバー４０……従来の検査治具４１……絶縁基板４２……配線層４３……検査電極５０……被検査体５１……電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気的に接続された検査電極と配線層が、
絶縁基板の片側同一面に形成されていることを特徴とす
る検査治具。
【請求項２】以下の工程を有することを特徴とする請求
項１記載の検査治具の製造方法。（ａ）絶縁基板（１１）の片側に配線層（１２）を形成
する工程。（ｂ）絶縁基板（１１）及び配線層（１２）上の所定位
置に保護層（１３）を形成する工程。（ｃ）絶縁基板（１１）及び保護層（１３）上に絶縁樹
脂層（１４）を形成する工程。（ｄ）配線層（１２）上の所定部位の保護層（１３）及
び絶縁樹脂層（１４）に開口部（１５）を形成する工
程。（ｅ）開口部（１５）に電解めっきにて、検査電極（１
６）を形成する工程。（ｆ）検査電極（１６）及び絶縁樹脂層（１４）上を研
磨処理し、上面が平坦な検査電極（１６ａ）を形成する
工程。（ｇ）絶縁樹脂層（１４）を除去して、絶縁基板（１
１）の片側同一面に電気的に接続された検査電極（１６
ａ）と配線層（１２）及び保護層（１３）からなる検査
治具を作製する工程。