JP3785267B2 - 絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法 - Google Patents
絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3785267B2 JP3785267B2 JP06132598A JP6132598A JP3785267B2 JP 3785267 B2 JP3785267 B2 JP 3785267B2 JP 06132598 A JP06132598 A JP 06132598A JP 6132598 A JP6132598 A JP 6132598A JP 3785267 B2 JP3785267 B2 JP 3785267B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- hole
- forming
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリイミド樹脂等の絶縁材料表面に金属膜を形成する絶縁材料上の金属膜形成方法、またはこれを用いてフレキシブル基板等に形成されたスルーホールの導通を行うスルーホールの導通方法、さらにプローブピンやソケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト用ソケット等に組み込まれて半導体ICチップや液晶デバイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコンタクトプローブの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、ICチップやLSIチップ等の半導体チップ又はLCD(液晶表示体)の各端子に接触させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが用いられている。
近年、ICチップ等の高集積化および微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望されている。
しかしながら、コンタクトピンとして用いられていたタングステン針のコンタクトプローブでは、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへの対応が困難になっていた。
【0003】
これに対して、例えば、特公平7−82027号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクトプローブの技術が提案されている。
この技術例では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンとすることによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不要とするものである。
【0004】
従来のコンタクトプローブ1は、図6および図7に示すように、IC用プローブとして所定形状に切り出したもので、ポリイミド樹脂フィルム2の表面にNi(ニッケル)またはNi合金で形成されるパターン配線3を張り付けた構造となっており、前記樹脂フィルム2の端部から前記パターン配線3の先端部が突出してコンタクトピン3aとされている。
なお、符号4は、位置合わせ穴であり、符号5は、パターン配線3とプリント基板の配線とを接続するために開けられた窓部である。
【0005】
上記コンタクトプローブ1では、図8に示すように、樹脂フィルム2の裏面にグラウンドの役目を果たす金属層6が設けられているものがある。このコンタクトプローブ1では、コンタクトピン3aと金属層6との電気的導通を行うため、両者に達するスルーホールとしてバイアホールHが設けられ、該バイアホールH内には導電性材料としてAg(銀)ペーストPが充填されている。
なお、コンタクトピン3aには、Au(金)メッキAUが施されている。
【0006】
バイアホールHの導通を行うためにAgペーストPを用いているのは、コンタクトピン3aと金属層6との間には絶縁材料であるポリイミド樹脂(樹脂フィルム2)があるため、電解メッキでバイアホールH内にメッキ層を形成することが困難であり導通を図ることができないからである。また、スパッタリングによる乾式法を用いる場合には、専用の装置やスパッタリングターゲット等を別に用意しなければならず、コストがかかるためである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来のバイアホールHの導通をAgペーストPで行う方法では、以下のような課題が残っている。
すなわち、AgペーストPは、金属成分のAg粉の他に有機溶媒やバインダーといった非電導材料も含んでいるため、導電性等の信頼性が低いという不都合があった。
また、AgペーストPは単にバイアホールHに充填されるだけなので、少しの衝撃でも剥がれやすいという不都合があった。
さらに、AgペーストPを塗布する工程およびAgペーストPを加熱処理して硬化させる工程が必要となり、製造に手間がかかっていた。
【0008】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、Agペーストを用いることなく高信頼性をもって確実にかつ容易に金属膜を形成して、さらに導通を図ることができる絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、プラズマエッチング技術について研究を進めた結果、以下の知見を得ることができた。
すなわち、プラズマエッチングにおいて絶縁材料表面に形成された金属膜を選択的に除去する場合、一定の反応性ガスをブラズマイオン化してエッチングの対象である金属膜と化学反応させ蒸発させると、金属膜周辺の絶縁材料が露出した部分に一旦蒸発して周囲に飛散した金属成分の一部が再付着して非常に薄い金属膜を形成していることを見い出したものである。
【0010】
本発明は、上記研究結果に基づく技術であって、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、請求項1記載の絶縁材料上の金属膜形成方法では、絶縁材料上に該絶縁材料が露出した部分を一部に残して予め設けたエッチング用金属膜をプラズマエッチングにより少なくとも一部蒸発させるとともに絶縁材料が露出した部分に蒸発した金属の一部を付着させてメッキ下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記メッキ下地膜上に金属を電解メッキしてメッキ金属膜を形成するメッキ膜形成工程とを備えている技術が採用される。
【0011】
この絶縁材料上の金属膜形成方法では、下地膜形成工程において絶縁材料上に該絶縁材料が露出した部分を一部に残して予め設けたエッチング用金属膜をプラズマエッチングにより少なくとも一部蒸発させるとともに絶縁材料が露出した部分に蒸発した金属の一部を付着させてメッキ下地膜を形成するので、絶縁材料露出部分表面にはエッチング用金属膜の金属成分からなる金属薄膜が形成される。
さらに、メッキ膜形成工程においてメッキ下地膜上に金属を電解メッキしてメッキ金属膜を形成するので、メッキ下地膜の金属を核にして金属のみが析出し、厚いメッキ金属膜が強固に形成される。
なお、エッチング用金属膜の金属と電解メッキにより析出させる金属とは互いに異なるものでも構わない。すなわち、絶縁材料が露出した部分のメッキ下地膜とメッキ金属膜とは別の金属材料で形成してもよい。
【0012】
請求項2記載のスルーホールの導通方法では、フィルム状または板状の絶縁材料の表裏面に形成された金属膜の少なくとも一方に開口部を有し両金属膜に達したスルーホールを介して両金属膜を電気的に導通させるスルーホールの導通方法であって、請求項1記載の絶縁材料上の金属膜形成方法で前記スルーホールに前記メッキ金属膜を形成するスルーホールメッキ工程を備え、該スルーホールメッキ工程は、少なくとも前記開口部側の金属膜上に形成した前記エッチング用金属膜を前記下地膜形成工程でプラズマエッチングしてスルーホールの内周面の前記絶縁材料が露出した部分にメッキ下地膜を形成する工程と、前記メッキ膜形成工程で前記スルーホールの内周面に表裏面の両金属膜を電気的に導通させる前記メッキ金属膜を形成する工程とを備えている技術が採用される。
【0013】
このスルーホールの導通方法では、スルーホールメッキ工程において、少なくとも前記開口部側の金属膜上に形成したエッチング用金属膜を下地膜形成工程でプラズマエッチングしてスルーホールの内周面の絶縁材料が露出した部分にメッキ下地膜を形成する工程と、メッキ膜形成工程でスルーホールの内周面に表裏面の両金属膜を電気的に導通させるメッキ金属膜を形成する工程とを備えているので、プラズマエッチングされて蒸発した金属成分が開口部からスルーホール内に入ってその内周面の絶縁材料露出部分に付着することにより、スルーホール内にも厚いメッキ金属膜を形成することができ、該メッキ金属膜を介して表裏面の金属膜の導通を容易に行うことができる。
【0014】
請求項3記載のコンタクトプローブの製造方法では、裏面側に裏面金属膜を設けたフィルムの表面上に複数のパターン配線を形成しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状態に配してコンタクトピンとし該コンタクトピンと裏面金属膜とをスルーホールを介して電気的に導通させたコンタクトプローブの製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成工程と、前記第1の金属層の上にマスクを施してマスクされていない部分に前記パターン配線および前記コンタクトピンに供される第2の金属層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、前記裏面金属膜上にエッチング用金属膜を形成する工程と、前記マスクを取り除いた第2の金属層の上に少なくとも前記コンタクトピンに供される部分を除いてカバーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、前記フィルムの裏面側に開口し前記パターン配線に達する前記スルーホールを形成するスルーホール形成工程と、前記フィルムおよび前記第2の金属層からなる部分と前記基板層および前記第1の金属層からなる部分とを分離する分離工程と、前記スルーホール形成工程で形成されたスルーホール内に請求項2記載のスルーホールの導通方法で前記メッキ下地膜および前記メッキ金属膜を形成し前記パターン配線と前記裏面金属膜とを導通させる導通工程とを備えている技術が採用される。
【0015】
このコンタクトプローブの製造方法では、スルーホール形成工程で形成されたスルーホール内に請求項2記載のスルーホールの導通方法でメッキ下地膜およびメッキ金属膜を形成しパターン配線と裏面金属膜とを導通させる導通工程を備えているので、コンタクトピンと裏面金属膜とをスルーホールに形成されたメッキ金属膜を介して容易に導通状態にすることができる。
【0016】
請求項4記載のコンタクトプローブの製造方法では、請求項3記載のコンタクトプローブの製造方法において、前記フィルム被着工程は、前記コンタクトピンに供される部分を含む前記第2の金属層全体を覆って前記フィルムを被着する全体被着工程と、前記コンタクトピンに供される部分を覆う前記フィルムの部分を取り除くピン露出工程とを備え、前記導通工程は、前記全体被着工程と前記露出工程との間に前記下地膜形成工程を行う技術が採用される。
【0017】
このコンタクトプローブの製造方法では、導通工程において、全体被着工程と露出工程との間に下地膜形成工程を行うので、下地膜形成工程においてスルーホール以外がフィルム、基板層と第1の金属層によって覆われており、蒸発した金属成分がスルーホールのみに付着する。
したがって、スルーホール以外の不要な部分に金属が付着しないため、コンタクトピン間のショート不良等を防止することができる。
【0018】
請求項5記載のコンタクトプローブの製造方法では、請求項3記載のコンタクトプローブの製造方法において、前記フィルム被着工程は、少なくとも前記コンタクトピンに供される部分を除いて前記第2の金属層を覆って前記フィルムを被着する部分被着工程と、前記フィルムの少なくとも前記部分被着工程で露出した前記コンタクトピンに供される部分側の端面を保護膜で覆ってカバーする端面保護工程と、前記保護膜を取り除く保護膜除去工程とを備え、前記導通工程は、前記端面保護工程と前記保護膜除去工程との間に前記下地膜形成工程を行う技術が採用される。
【0019】
このコンタクトプローブの製造方法では、導通工程において、端面保護工程と保護膜除去工程との間に下地膜形成工程を行うので、下地膜形成工程において少なくともコンタクトピンに供される部分が保護膜によって覆われており、蒸発した金属成分がスルーホールに付着するが、フィルムにおけるコンタクトピンに供される部分側の端面には付着せず、短絡不良を防止することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の第1実施形態を図1から図4を参照しながら工程順に説明する。
【0021】
〔ベースメタル層形成工程(第1の金属層形成工程)〕
まず、図1の(a)および図2の(a)に示すように、ステンレス製の支持金属板10の上に、Cu(銅)メッキによりベースメタル層(第1の金属層)11を形成する。
【0022】
〔パターン形成工程〕
このベースメタル層11の上にフォトレジスト層12を形成した後、図1の(b)および図2の(b)に示すように、写真製版技術により、フォトレジスト層12に所定のパターンのフォトマスク13を施して露光し、図1の(c)および図2の(c)に示すように、フォトレジスト層12を現像してパターン配線3となる部分となる部分を除去して残存するフォトレジスト層(マスク)12に開口部12aを形成する。
【0023】
なお、本実施形態においては、フォトレジスト層12をネガ型フォトレジストによって形成しているが、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部12aを形成しても構わない。
また、本実施形態においては、前記フォトレジスト層12が、本願請求項にいう「マスク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、本実施形態のフォトレジスト層12のように、フォトマスク13を用いた露光・現像工程を経て開口部12aが形成されるものに限定されるわけではない。例えば、メッキ処理される箇所に予め孔が形成された(すなわち、予め、図1の(c)の符号13で示す状態に形成されている)フィルム等でもよい。本願発明において、このようなフィルム等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態におけるパターン形成工程は不要である。
【0024】
〔メッキ処理工程〕
そして、図1の(d)および図2の(d)に示すように、前記開口部12aにパターン配線3となるNi合金層(第2の金属層)Nを電解メッキ処理により形成する。
上記メッキ処理の後、図1の(e)および図2の(e)に示すように、フォトレジスト層12を除去する。
【0025】
〔全体被着工程〔フィルム被着工程〕〕
次に、図1の(f)および図2の(f)に示すように、図に示したコンタクトピン3a(すなわち前記パターン配線3の先端部)となる部分を含んだNi合金層N全体の上に、前記樹脂フィルム(絶縁材料)14を接着剤(絶縁材料)14aにより接着する。
【0026】
この樹脂フィルム14は、ポリイミド樹脂PI(絶縁材料)の裏面側に金属フィルム15が一体に設けられた二層テープであり、金属フィルム15は、ポリイミド樹脂PI上の銅箔(裏面金属膜)16と、該銅箔16上にAu(金)で形成されたエッチング用金属膜17とから構成されている。
【0027】
この全体被着工程前までに、二層テープのうちの金属フィルム15に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施して、図1の(f)および図2の(f)に示すように、銅箔16のグラウンド面を形成しておくとともに、コンタクトピン3a、窓部5およびバイアホールHにそれぞれ供される部分の銅箔16のみを選択的に除去して穴部16aを形成し、残った銅箔16の上にAuによるエッチング用金属膜17を電解メッキまたは蒸着等によって形成しておく。
【0028】
そして、この全体被着工程では、二層テープのうちのポリイミド樹脂PIを接着剤14aを介して前記Ni合金層Nに被着させる。
なお、金属フィルム15は、銅箔16に加えて、Ni、Ni合金等を用いてもよい。
【0029】
〔バイアホール形成工程(スルーホール形成工程)〕
樹脂フィルム14を接着した後、図3の(a)および図4の(a)に示すように、樹脂フィルム14の裏面側からレーザ光をバイアホールHに供される部分、すなわち穴部16aのみに選択的に照射することにより、銅エッチングで銅箔16が除かれた部分のポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aを蒸発させる。これによって、裏面側に開口部を有しNi合金層Nに達するバイアホールHが形成される。
【0030】
〔下地膜形成工程(スルーホールメッキ工程)〕
バイアホールHを形成した後、図3の(b)および図4の(b)に示すように、樹脂フィルム14の裏面側をブラズマエッチング装置によってプラズマ処理する。
すなわち、反応ガスとしてCF4を用いて、これをプラズマイオン化し、F+とエッチング用金属膜17のAuとを化学反応させ、選択的にエッチング・蒸発させる。また、反応ガスとしてCF4の他にO2を混合することにより、酸素ラジカルO+とバイアホール形成時に残ったポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aのカスとを化学反応させ、これをアッシング除去する。
【0031】
このとき、エッチング用金属膜17からAuが蒸発して周囲に飛散するとともに、その一部が開口部からバイアホールH内に入ってポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aが露出した部分に再付着し、Auの非常に薄い膜からなるメッキ下地膜18が形成される。
【0032】
〔ピン露出工程〕
下地膜形成工程後に、図3の(c)および図4の(c)に示すように、銅箔16に開けられたコンタクトピン3aおよび窓部5に供される部分にレーザ光を裏面側から照射して、コンタクトピン3aおよび窓部5に供される部分を覆う樹脂フィルム14を蒸発させ、選択的に取り除く処理を行う。
【0033】
〔アッシング処理工程〕
ピン露出工程後、樹脂フィルム14の裏面側を再び、ブラズマエッチング装置によってプラズマ処理する。
下地膜形成工程のプラズマ処理では、反応ガスとしてCF4とO2を用いたが、アッシング処理工程のプラズマ処理ではO2のみを用いて、酸素ラジカルO+とピン露出工程時に残ったポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aのカスとを化学反応させ、これをアッシング除去する。
【0034】
〔分離工程〕
そして、図3の(d)および図4の(d)に示すように、樹脂フィルム14とパターン配線3とベースメタル層11とからなる部分を、支持金属板10から分離させる。
【0035】
〔Cuエッチ工程〕
分離後、図3の(e)および図4の(e)に示すように、Cuエッチを経て、ベースメタル層11を除去して、樹脂フィルム14にパターン配線3のみを接着させた状態とする。
【0036】
〔メッキ膜形成工程(金コーティング工程)〕
そして、露出状態のパターン配線3に、図3の(f)および図4の(f)に示すように、Auメッキを施し、表面にAu層AUを形成する。このとき、樹脂フィルム14から突出状態とされたコンタクトピン3aでは、全周に亙る表面全体にAu層AUが形成される。
また、同時に、バイアホールHの内面には、メッキ下地膜18上にメッキ下地膜18のAuを核にしてAuが析出し、厚いメッキ金属膜19が形成される。
すなわち、コンタクトピン3a(パターン配線3)と銅箔16とが、バイアホールHに形成されたメッキ金属膜19を介して電気的に導通状態となる。
【0037】
以上の工程により、バイアホールHによってコンタクトピン3aとグラウンド面となる銅箔16とを導通させたコンタクトプローブ100が作製される。
【0038】
このコンタクトプローブ100の製造方法では、下地膜形成工程においてバイアホールH内の絶縁材料、すなわちポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aが露出した部分にエッチング用金属膜17のAuをプラズマエッチングにより蒸発、再付着させてメッキ下地膜18を形成し、さらに、電解メッキによりポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aが露出した部分にAuのみが析出するので、Agペーストの場合に比べて、導電性に優れた厚いAu膜をバイアホールHに強固に形成することができる。
【0039】
また、バイアホールHの開口部側の銅箔16上に形成したエッチング用金属膜17をプラズマエッチングしてバイアホールHの内周面にメッキ下地膜18を形成し、メッキ膜形成工程でメッキ金属膜19を形成するので、プラズマエッチングされて蒸発したAuが開口部からバイアホールH内に入ってその内周面の絶縁材料露出部分に付着することにより、バイアホールH内にも厚いメッキ金属膜19を容易に形成することができ、パターン配線3と銅箔16とを電気的に導通させることができる。
【0040】
さらに、全体被着工程において、樹脂フィルム14がコンタクトピン3aおよび窓部5に供される部分を含むNi合金層N全体を覆うように設定され、ピン露出工程において、下地膜形成工程後にコンタクトピン3aおよび窓部5に供される部分を覆う樹脂フィルム14の部分を取り除くので、下地膜形成工程時にバイアホールH以外が樹脂フィルム14、支持金属板10およびベースメタル層11によって覆われており、蒸発したAuがバイアホールHのみに付着する。
したがって、バイアホールH以外の不要な部分にAuが付着しないため、コンタクトピン3a間のショート不良等を防止することができる。
【0041】
次に、本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の第2実施形態を図5を参照しながら工程順に説明する。
第2実施形態における工程は、第1実施形態の工程と、〔ベースメタル層形成工程(第1の金属層形成工程)〕、〔パターン形成工程〕および〔メッキ処理工程〕までは同様の工程であるため、メッキ処理工程後の工程について説明する。
【0042】
〔部分被着工程〔フィルム被着工程〕〕
図5の(a)に示すように、コンタクトピン3aとなる部分を含んだNi合金層N全体の上に、第1実施形態と同様の樹脂フィルム(絶縁材料)14を接着剤(絶縁材料)14aにより接着する。
【0043】
「バイアホール形成工程(スルーホール形成工程)およびピン露出工程」
樹脂フィルム14を接着した後、図5の(a)に示すように、樹脂フィルム14の裏面側からレーザ光を全面に照射することにより、銅エッチングで銅箔16が除かれた部分のポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aを蒸発させる。これによって、穴部16aには、裏面側に開口部を有しNi合金層Nに達するバイアホールHが形成されるとともに、コンタクトピン3aおよび窓部5に供される部分のポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aが除去される。
すなわち、樹脂フィルム14が、窓部5およびコンタクトピン3aに供される部分とバイアホールHとを除いてNi合金層Nを覆って被着状態とされる。
【0044】
〔アッシング処理工程〕
そして、樹脂フィルム14の裏面側をブラズマエッチング装置によってプラズマ処理する。
このプラズマ処理では、反応ガスとしてO2のみを用いて、酸素ラジカルO+と上記工程時に残ったポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aのカスとを化学反応させ、これをアッシング除去する。
【0045】
〔端面保護工程〕
アッシング処理工程後、図5の(b)に示すように、窓部5およびコンタクトピン3aに供される部分と樹脂フィルム14のコンタクトピン3aに供される部分側の端面14bとを、耐熱性を有するポリイミドテープ等の保護膜20で覆ってマスキングを行う。
【0046】
〔下地膜形成工程(スルーホールメッキ工程)〕
端面保護工程後、図5の(c)に示すように、樹脂フィルム14の裏面側をブラズマエッチング装置によってプラズマ処理する。
このとき、反応ガスとしてCF4とO2を用いて、エッチング用金属膜17からAuを蒸発させ、周囲に飛散させるとともに、その一部をバイアホールH内のポリイミド樹脂PIおよび接着剤14aが露出した部分に再付着させ、Auの非常に薄い膜からなるメッキ下地膜18を形成する。
【0047】
〔保護膜除去工程〕
下地膜形成工程後に、図5の(d)に示すように、コンタクトピン3aおよび端面14b等を保護していた保護膜20を、コンタクトピン3a等から剥がして除去する。
このとき、窓部5、コンタクトピン3aに供される部分および前記端面14bは、下地膜形成工程において保護膜20で覆われていたため、Auが付着せずにメッキ下地膜18が形成されていない。
【0048】
この後、第1実施形態と同様に、〔分離工程〕、〔Cuエッチ工程〕および〔メッキ膜形成工程(金コーティング工程)〕を順次行うことにより、第1実施形態と同様のコンタクトプローブを作製することができる。
【0049】
第2実施形態におけるコンタクトプローブの製造方法では、端面保護工程と保護膜除去工程との間に下地膜形成工程を行うので、下地膜形成工程において少なくともコンタクトピン3aに供される部分が保護膜20によって覆われており、蒸発したAuがバイアホールHに付着するが、樹脂フィルム14におけるコンタクトピン3aに供される部分側の端面14bには付着せず、短絡不良を防止することができる。
【0050】
なお、本発明は、次のような実施形態をも含むものである。
(1)上記各実施形態では、コンタクトプローブの製造方法に本発明を適用したが、他の絶縁材料上に金属膜を形成する方法として本発明を適用しても構わない。例えば、表裏面に金属膜が形成されたフレキシブル基板においてスルーホールを介して両金属膜を導通させる方法に用いてもよい。
【0051】
(2)上記各実施形態においては、IC用コンタクトプローブの製造方法に適用したが、他のものに採用しても構わない。例えば、ICチップを内側に保持して保護し、ICチップのバーンインテスト用装置等に搭載されるICチップテスト用ソケットに用いるコンタクトプローブやLCDのテスト用プローブ装置用のコンタクトプローブの製造方法に適用してもよい。
【0052】
(3)エッチング用金属膜17にAuを用いたが、Au以外にAg(銀)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ni(ニッケル)等でもよい。すなわち、導電性の良い金属が好ましい。
また、これらのエッチング用金属膜を採用する場合、プラズマエッチングに用いる反応ガスは、これら金属と反応し蒸気圧の高い化合物を生成しうる気体が適宜選択される。
例えば、AuやCuの場合には、フッ素系ガスが好ましく、Alの場合には、塩素系ガスが好ましい。
【0053】
(4)上記第2実施形態において、アッシング処理工程後に端面保護工程を行ったが、アッシング処理工程を後に行ってもよい。すなわち、端面保護工程を先に行い、次いで下地膜形成工程(スルーホールメッキ工程)および保護膜除去工程を行い、この後にアッシング処理工程を行っても構わない。
【0054】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
(1)請求項1記載の絶縁材料上の金属膜形成方法によれば、下地膜形成工程において予め設けたエッチング用金属膜をプラズマエッチングにより蒸発させるとともに絶縁材料が露出した部分に蒸発した金属を付着させてメッキ下地膜を形成し、メッキ膜形成工程においてメッキ下地膜上に金属を電解メッキしてメッキ金属膜を形成するので、絶縁材料露出部分表面に形成されたメッキ下地膜の金属を核にして金属が析出し、厚いメッキ金属膜を形成することができる。
したがって、絶縁材料が露出した部分に金属成分のみが析出するので、Agペーストの場合に比べて、導電性に優れた厚い金属膜を強固にかつ容易に形成することができる。また、スパッタリングの場合のようにターゲットを別個に用意する必要もなく、絶縁材料上に金属膜を形成することが可能となる。
【0055】
(2)請求項2記載のスルーホールの導通方法によれば、スルーホールメッキ工程において、前記開口部側の金属膜上に形成したエッチング用金属膜を下地膜形成工程でプラズマエッチングしてスルーホールの内周面の絶縁材料が露出した部分にメッキ下地膜を形成する工程と、メッキ膜形成工程でスルーホールの内周面に表裏面の両金属膜を電気的に導通させるメッキ金属膜を形成する工程とを備えているので、蒸発した金属成分が開口部からスルーホール内に入ってその内周面の絶縁材料露出部分に付着することにより、スルーホール内にも厚いメッキ金属膜を強固に形成することができる。
したがって、従来、スルーホールの導通を図るために行っていた手間のかかる工程、すなわちAgペーストを塗布する工程およびその加熱処理も必要なく、スルーホール内のメッキ金属膜を介して確実に導通を図ることができる。
【0056】
(3)請求項3記載のコンタクトプローブの製造方法によれば、スルーホール形成工程で形成されたスルーホール内に請求項2記載のスルーホールの導通方法でメッキ下地膜およびメッキ金属膜を形成しパターン配線と裏面金属膜とを導通させる導通工程を備えているので、コンタクトピンと裏面金属膜とをスルーホールに形成されたメッキ金属膜を介して容易に導通状態にすることができる。
【0057】
(4)請求項4記載のコンタクトプローブの製造方法によれば、導通工程において、全体被着工程と露出工程との間に下地膜形成工程を行うので、下地膜形成工程においてスルーホール以外がフィルムで保護され、スルーホール以外の不要な部分に金属が付着せず、コンタクトピン間のショート不良等を防止することができる。
【0058】
(5)請求項5記載のコンタクトプローブの製造方法によれば、導通工程において、端面保護工程と保護膜除去工程との間に下地膜形成工程を行うので、下地膜形成工程において少なくともコンタクトピンに供される部分が保護膜によって覆われており、蒸発した金属成分がスルーホールに付着するが、フィルムにおけるコンタクトピンに供される部分側の端面には付着せず、短絡不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の一実施形態における工程を示す断面図である。
【図2】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の一実施形態における工程を示すコンタクトピン部分の断面図である。
【図3】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の一実施形態における工程を示す断面図である。
【図4】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の一実施形態における工程を示すコンタクトピン部分の断面図である。
【図5】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の一実施形態における工程を示すコンタクトピン部分の断面図である。
【図6】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の従来例におけるコンタクトプローブを示す要部斜視図である。
【図7】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の従来例におけるコンタクトプローブを示す平面図である。
【図8】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法の従来例におけるコンタクトピン部分を示す断面図である。
【符号の説明】
3 パターン配線
3a コンタクトピン
11 ベースメタル層(第1の金属層)
12 フォトレジスト層(マスク)
14 樹脂フィルム(絶縁材料)
14a 接着剤(絶縁材料)
15 金属フィルム
16 銅箔(裏面金属膜)
17 エッチング用金属膜
18 メッキ下地膜
19 メッキ金属膜
20 保護膜
100 コンタクトプローブ
AU Au層
H バイアホール(スルーホール)
N Ni合金層(第2の金属層)
PI ポリイミド樹脂(絶縁材料)
Claims (5)
- 絶縁材料上に該絶縁材料が露出した部分を一部に残して予め設けたエッチング用金属膜をプラズマエッチングにより少なくとも一部蒸発させるとともに絶縁材料が露出した部分に蒸発した金属の一部を付着させてメッキ下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記メッキ下地膜上に金属を電解メッキしてメッキ金属膜を形成するメッキ膜形成工程とを備えていることを特徴とする絶縁材料上の金属膜形成方法。 - フィルム状または板状の絶縁材料の表裏面に形成された金属膜の少なくとも一方に開口部を有し両金属膜に達したスルーホールを介して両金属膜を電気的に導通させるスルーホールの導通方法であって、
請求項1記載の絶縁材料上の金属膜形成方法で前記スルーホールに前記メッキ金属膜を形成するスルーホールメッキ工程を備え、
該スルーホールメッキ工程は、少なくとも前記開口部側の金属膜上に形成した前記エッチング用金属膜を前記下地膜形成工程でプラズマエッチングしてスルーホールの内周面の前記絶縁材料が露出した部分にメッキ下地膜を形成する工程と、
前記メッキ膜形成工程で前記スルーホールの内周面に表裏面の両金属膜を電気的に導通させる前記メッキ金属膜を形成する工程とを備えていることを特徴とするスルーホールの導通方法。 - 裏面側に裏面金属膜を設けたフィルムの表面上に複数のパターン配線を形成しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状態に配してコンタクトピンとし該コンタクトピンと裏面金属膜とをスルーホールを介して電気的に導通させたコンタクトプローブの製造方法であって、
基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成工程と、
前記第1の金属層の上にマスクを施してマスクされていない部分に前記パターン配線および前記コンタクトピンに供される第2の金属層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、
前記裏面金属膜上にエッチング用金属膜を形成する工程と、
前記マスクを取り除いた第2の金属層の上に少なくとも前記コンタクトピンに供される部分を除いてカバーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、
前記フィルムの裏面側に開口し前記パターン配線に達する前記スルーホールを形成するスルーホール形成工程と、
前記フィルムおよび前記第2の金属層からなる部分と前記基板層および前記第1の金属層からなる部分とを分離する分離工程と、
前記スルーホール形成工程で形成されたスルーホール内に請求項2記載のスルーホールの導通方法で前記メッキ下地膜および前記メッキ金属膜を形成し前記パターン配線と前記裏面金属膜とを導通させる導通工程とを備えていることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。 - 請求項3記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記フィルム被着工程は、前記コンタクトピンに供される部分を含む前記第2の金属層全体を覆って前記フィルムを被着する全体被着工程と、
前記コンタクトピンに供される部分を覆う前記フィルムの部分を取り除くピン露出工程とを備え、
前記導通工程は、前記全体被着工程と前記露出工程との間に前記下地膜形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。 - 請求項3記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記フィルム被着工程は、少なくとも前記コンタクトピンに供される部分を除いて前記第2の金属層を覆って前記フィルムを被着する部分被着工程と、
前記フィルムの少なくとも前記部分被着工程で露出した前記コンタクトピンに供される部分側の端面を保護膜で覆ってカバーするピン保護工程と、
前記保護膜を取り除く保護膜除去工程とを備え、
前記導通工程は、前記ピン保護工程と前記保護膜除去工程との間に前記下地膜形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06132598A JP3785267B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06132598A JP3785267B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11256391A JPH11256391A (ja) | 1999-09-21 |
JP3785267B2 true JP3785267B2 (ja) | 2006-06-14 |
Family
ID=13167885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06132598A Expired - Fee Related JP3785267B2 (ja) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | 絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3785267B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015032631A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP06132598A patent/JP3785267B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11256391A (ja) | 1999-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3149352B2 (ja) | 基板の導体層の形成方法 | |
KR100614548B1 (ko) | 반도체 소자 실장용 배선 기판의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JPH09102658A (ja) | 可撓性回路基板及びその製造法 | |
JPH1012677A (ja) | 半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法 | |
US4964947A (en) | Method of manufacturing double-sided wiring substrate | |
KR100558507B1 (ko) | 전자부품 실장용 필름 캐리어 테이프 및 그 제조방법 | |
JP4282777B2 (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置の製造方法 | |
JP3280327B2 (ja) | テスト・プローブ構造体及びその製造方法 | |
JP3785267B2 (ja) | 絶縁材料上の金属膜形成方法、これを用いたスルーホールの導通方法およびコンタクトプローブの製造方法 | |
US6518160B1 (en) | Method of manufacturing connection components using a plasma patterned mask | |
US6527963B1 (en) | Method of manufacturing multilayer wiring boards | |
KR100794544B1 (ko) | 범프가 부착된 배선회로 기판 및 그 제조방법 | |
JPH0727789A (ja) | 回路配線板およびその製造方法 | |
JPH10197557A (ja) | 検査部材及びその製造方法 | |
JP2003057266A (ja) | コンタクトプローブ及びその製造方法 | |
JP4142893B2 (ja) | 金属パターンの製造方法、コンタクトプローブの製造方法及びコンタクトプローブ | |
JP2002208779A (ja) | 柱状金属体の形成方法及び導電構造体 | |
JP2003332712A (ja) | 金属パターンの製造方法、コンタクトプローブの製造方法及びコンタクトプローブ | |
JPH06140739A (ja) | 小径スルーホールおよび小径バイヤホールの形成法 | |
JP3822724B2 (ja) | コンタクトプローブの製造方法 | |
JP2005129665A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4439681B2 (ja) | 配線基板用検査板の製造方法 | |
JP4971960B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3885330B2 (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法 | |
JPH09292411A (ja) | 異方性導電材を有する検査治具及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040223 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040223 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060317 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090324 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |